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TW200848714A - Measuring instrument of immunochromatographic test piece - Google Patents

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TW200848714A
TW200848714A TW096150871A TW96150871A TW200848714A TW 200848714 A TW200848714 A TW 200848714A TW 096150871 A TW096150871 A TW 096150871A TW 96150871 A TW96150871 A TW 96150871A TW 200848714 A TW200848714 A TW 200848714A
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
light
test piece
immunochromatographic test
absorbance
measurement
Prior art date
Application number
TW096150871A
Other languages
English (en)
Inventor
Kazunori Yamauchi
Original Assignee
Hamamatsu Photonics Kk
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Hamamatsu Photonics Kk filed Critical Hamamatsu Photonics Kk
Publication of TW200848714A publication Critical patent/TW200848714A/zh

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    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01NINVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N21/00Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
    • G01N21/84Systems specially adapted for particular applications
    • G01N21/8483Investigating reagent band

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  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Biochemistry (AREA)
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  • Immunology (AREA)
  • Pathology (AREA)
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  • Investigating Or Analysing Materials By Optical Means (AREA)

Description

200848714 九、發明說明 【發明所屬之技術領域】 本發明是有關免疫色譜試片之測定裝置。 【先前技術】 免疫色譜試片上,與檢體中的抗原(或抗體)之間將引 起抗原體反應的抗體(或抗原)預先在反應區域塗抹呈帶狀 。使該試片的反應區域以色素標示的檢體中的抗原(或抗 體)展開時,在呈帶狀塗抹的抗體(或抗原)之間收集引起抗 原抗體反應的檢體中的抗原(或抗體),在反應區域形成藉 著色素發色的線。上述的免疫色譜試片,藉著測定裝置光 學性測定形成在反應區域的線的呈色度(反應度),可以定 量分析檢體中抗原(或抗體)的量。 專利文獻1〜3中,揭示有光照射在免疫色譜試片,藉 著其反射光強度的檢測來測定試片呈色度的裝置。專利文 獻1所記載的裝置是相對於位置固定後測定系統(發光手 段及受光手段)移動試片,藉著連續檢測反射光來測定呈 色度。又’專利文獻2所記載的裝置具備沿著檢體流動( 展開)的方向排列設置的複數個發光元件及受光元件,根 據對於各受光元件的反射光強度測定呈色度。並且,專利 文獻3所g5載的裝置是在試片上的任意一點檢測反射光強 度的變化之後’從其變化到一定時間後自動地開始測定。 專利文獻1 :日本特開平1丨_ 8 3 7 4 5號公報 專利文獻2:日本特開平10-274624號公報 200848714 專利文獻3 :日本特開2003 -4743號公報 【發明內容】 〔發明所欲解決之課題〕 但是,即使檢體中的抗原(或抗體)的量相同,對於反 應區域的反應度仍存在有產生不均一的問題。爲了精度良 好地進行檢體中抗原(或抗體)量的分析,期待以盡量抑制 上述反應度不均一造成的影響爲佳。 本發明人發現以上反應度的不均一與檢體流速(展開 速度)不均一之間的關係。亦即,產生反應度不均一的某 種要因會呈現出檢體流速(展開速度)的不均一。因此,測 定檢體的流速,根據其測定結果校正其反應度時,即可抑 制因反應度不均一的影響,可精度良好地分析檢體中抗原 (抗體)的量。但是,上述的專利文獻1〜3所記載的裝置, 不能測定檢體的流速,因此進行以上的校正困難。 本發明是有鑒於上述問題點所硏創而成,提供可測定 檢體的流速,並根據其測定結果容易進行反應度校正的免 疫色譜試片之測定裝置爲目的。 〔解決課題的手段〕 爲了解決上述的課題,根據本發明的第1免疫色譜試 片之測定裝置,具備:將測定光照射在免疫色譜試片上的 一個或複數個光照射部;藉著對於免疫色譜試片上的第1 位置之測定光的照射,檢測從免疫色譜試片所獲得的光的 -5- 200848714 第1光檢測部;藉著對於較免疫色譜試片上的第1位置下 游側的第2位置之測定光的照射來檢測從免疫色譜試片所 獲得的光的第2光檢測部;及根據來自第1及第2光檢測 部的輸出訊號,取得第1位置的光學特性變化後到第2位 置的光學特性變化爲止的經過時間的控制部。 在免疫色譜試片展開的檢體由於吸收光或與螢光物質 同時展開,因此免疫色譜試片上檢體到達的位置會使得相 對於測定光的光學特性變化。上述第1測定裝置具備檢測 從第1位置所獲得的光的第1光檢測部,及從第1位置下 游側的第2位置所獲得的光的第2光檢測部,因此藉著該 等光檢測部檢測光學特性的變化,可得知檢體分別到達第 1及第2位置的時機。並且,控制部取得從第1位置的光 學特性變化後到第2位置的光學特性變化爲止的經過時間 ,可自動測定檢體的流速。因此,測定人員(或自動地)根 據測定結果校正產生抗原抗體反應的反應線的反應度時, 可抑制反應度不均一造成的影響,並精度良好地分析檢體 中抗原(或抗體)的量。 根據本發明的第2免疫色譜試片之測定裝置,具備: 將測定光照射在免疫色譜試片上的光照射部;檢測藉著測 定光的照射從免疫色譜試片所獲得的光的光檢測部;支撐 免疫色譜試片的試片支撐部;在免疫色譜試片的檢體流動 方向使得試片支撐部與光檢測部相對移動的驅動機構;及 控制驅動機構的控制部,控制部使得試片支撐部與光檢測 部相對移動以檢測來自免疫色譜試片上第1位置的光之後 -6 - 200848714 ’使試片支撐部與光檢測部相對移動以檢測來自第1位置 下游側之第2位置的光,並根據來自光檢測部的輸出訊號 ’取得第1位置的光學特性變化後到第2位置的光學特性 變化爲止的經過時間的控制部。 該第2測定裝置中,藉著驅動機構及控制部使得試片 支撐部與光檢測部相對移動來檢測從試片上的第1位置所 獲得的光之後,再度使得試片支撐部與光檢測部相對移動 來檢測從第2位置所獲得的光。因此,可以適當檢測第1 及第2位置的光學特性的變化,獲得檢體分別到達第1及 第2位置的時機。並且,由於取得第i位置光學特性的變 化後到第2位置光學特性變化爲止的經過時間,可自動測 定檢體的流速。因此,測定人員(或自動地)根據測定結果 校正產生抗原抗體反應的反應線的反應度時,可抑制反應 度不均一造成的影響,並精度良好地分析檢體中抗原(或 抗體)的量。 又,根據本發明的第3免疫色譜試片之測定裝置,具 備:將測定光照射在免疫色譜試片上的一個或複數個光照 射部;藉著對於免疫色譜試片上的第1位置之測定光的照 射以檢測來自免疫色譜試片的反射光的第1光檢測部;藉 著對於較免疫色譜試片上的第1位置下游側的第2位置之 測定光的照射以檢測來自免疫色譜試片的反射光的第2光 檢測部;及根據來自第1及第2光檢測部的輸出訊號,取 得第1位置的吸光度變化後到第2位置的吸光度變化爲止 的經過時間的控制部。 -7- 200848714 在免疫色譜試片展開的檢體由於吸收光,因此免疫色 譜試片上檢體到達會使得檢體到達後位置的吸光度會降低 。由於上述第1測定裝置具備檢測第1位置的反射光的第 1光檢測部,及檢測第1位置下游側之第2位置的反射光 的第2光檢測部,因此藉著該等光檢測部檢測吸光度的變 化,可得知檢體分別到達第1及第2位置的時機。並且, 控制部取得從第1位置的吸光度變化後到第2位置的吸光 度變化爲止的經過時間,可自動測定檢體的流速。因此, 測定人員(或自動地)根據測定結果校正反應度時,即可抑 制反應度不均一造成的影響,並精度良好地分析檢體中抗 原(或抗體)的量。 又,第3免疫色譜試片之測定裝置具備第1及第2光 照射部,第1光檢測部也可檢測根據第1光照射部所照射 的反射光,第2光檢測部可以檢測根據第2光照射部所照 射的反射光。藉此,可藉著第1及第2光檢測部分別對於 第1及第2位置穩定地照射光,提高檢體流速的測定精度 〇 並且,第3免疫色譜試片之測定裝置也可以具備一體 組裝有第1光照射部及第1光檢測部的第1光學頭,及一 體組裝有第2光照射部及第2光檢測部的第2光學頭,第 1及第2光學頭之中的至少一方具有覆蓋測定光及反射光 的光路的構件。如上述藉著將光照射部及光檢測部的組一 體組裝在光學頭上,可以使光照射部及光檢測部彼此精度 良好地定位,提高反射光的檢測精度。又,在第1及第2 -8- 200848714 光學頭之中的至少一方覆蓋著測定光及反射光的光路,可 以防止對於該光學頭的光檢測部之擾光的射入,可更爲提 高反射光的檢測精度。 又’第3免疫色譜試片之測定裝置中,第1光學頭與 第2光學頭的間隔爲可變。藉此,可以使第1光學頭與第 2光學頭的間隔容易對應試片的大小等。 另外’第3免疫色譜試片之測定裝置,也可以具備第 1與第2光學頭,及一體組裝有第1及第2光檢測部的光 學頭,藉著各光照射部及各光檢測部一體組裝在光學頭上 ,可以將光照射部及光檢測部彼此精度良好地定位,提高 反射光的檢測精度。又,光學頭中藉著測定光及反射光之 光路的覆蓋,可以防止對於第1及第2光檢測部之擾光的 射入,更爲提高反射光的檢測精度。 並且,第3免疫色譜試片之測定裝置,第1光學頭與 第2光學頭的間隔也可以爲可變。藉此,可以使第1光學 頭與第2光學頭的間隔容易對應試片的大小等。 又,第3免疫色譜試片之測定裝置也可以具備一體組 裝有第1與第2光照射部及第1與第2光檢測部的光學頭 ,光學頭具有覆蓋測定光及反射光的光路的構件。如上述 ,藉著將各光照射部及各光檢測部一體組裝在光學頭上, 可以將光照射部及光檢測部彼此精度良好地定位,提高反 射光的檢測精度。又,光學頭中藉著測定光及反射光之光 路的覆蓋,可以防止對於第1及第2光檢測部之擾光的射 入,更爲提高反射光的檢測精度。 -9 - 200848714 另外,第3免疫色譜試片之測定裝置也可以在第1光 照射部熄滅後點亮第2光照射部。藉以使來自第2光照射 部的光不會射入到第1光檢測部內,又由於第1光照射部 的光不會射入到第2光照射部,可提高第1及第2位置之 各反射光的檢測精度。 並且,第3免疫色譜試片之測定裝置爲免疫色譜試片 也可以具有產生檢體與抗原抗體反應的帶狀區域,因此控 制部在第1位置的吸光度變化後經過較經過時間長的預定 時間之後,取得帶狀區域的吸光度。如上述,藉著第1位 置的吸光度變化後經過預定時間之後,控制部取得帶狀區 域的吸光度,在該預定時間的期間進行抗原抗體反應可明 確發現線,因此在控制部可精度更爲良好地進行反應度的 測定。 又,第3免疫色譜試片之測定裝置,更具備:支撐免 疫色譜試片的試片支撐部,藉著控制部的控制,使第1及 第2光照射部的一方或雙方與試片支撐部朝著免疫色譜試 片的檢體流動方向相對移動的驅動機構,控制部也可以在 上述預定時間經過之後,將第1或第2光照射部的測定光 朝著檢體流動方向掃描使得測定光的照射位置通過帶狀區 域。如上述,以測定光掃描形成反應線的帶狀區域及其周 邊,檢測其反射光,藉此在反應線的位置即使產生誤差的 場合仍可確實地測定反應度。 另外,第3免疫色譜試片之測定裝置也可以控制部使 第2位置的吸光度變化之後熄滅第2光照射部,隨後再度 -10- 200848714 點亮進行預定時間經過後的掃描。藉此可縮短第2光照射 部的點亮時間,抑制電力的消耗,延長第2光照射部的壽 命。 並且,本發明的第4免疫色譜試片之測定裝置,具備 :將測定光照射在免疫色譜試片上的光照射部;檢測根據 測定光的照射的來自免疫色譜試片的反射光的光檢測部; 支撐免疫色譜試片的試片支撐部;使試片支撐部與光檢測 部在免疫色譜試片的檢體流動方向相對移動的驅動機構; 及控制驅動機構的控制部,控制部使得試片支撐部與光檢 測部相對移動以檢測來自免疫色譜試片上第1位置的反射 光之後,使試片支撐部與光檢測部相對移動以檢測來自較 第1位置下游側之第2位置的反射光,根據來自光檢測部 的輸出訊號,取得第1位置的吸光度變化後到第2位置的 吸光度變化爲止的經過時間。 該第4測定裝置是藉著驅動機構及控制機構,在試片 支撐部與光檢測部相對移動以檢測來自試片上的第1位置 的反射光之後,使試片支撐部與光檢測部再度相對移動以 檢測來自第2位置的反射光。因此,可適當檢測第1及第 2位置的吸光度,得知檢體分別到達第1及第2位置的時 機。並且,控制部取得從第1位置的吸光度變化到第2位 置吸光度變化爲止的經過時間,可自動測定檢體的流速。 因此,測定人員(或自動地)根據測定結果校正反應度,即 可抑制反應度不均一造成的影響,精度良好地分析檢體中 的抗原(或抗體)。 -11 - 200848714 又,第4免疫色譜試片之測定裝置也可以具備一體組 裝在光照射部及光檢測部的光學頭,驅動機構可以使試片 支撐部與光學頭相對移動。如上述,光照射部及光檢測部 一體組裝在光學頭上,可藉此將光照射部及光檢測部彼此 精度良好地定位,提高反射光的檢測精度。 並且,第4免疫色譜試片之測定裝置也可以是免疫色 譜試片具有產生檢體與抗原抗體反應的帶狀區域,控制部 在第1位置的吸光度變化後經過較經過時間長的預定時間 之後,取得帶狀區域的吸光度。如上述,藉著第1位置的 吸光度變化後經過預定時間之後控制部取得帶狀區域的吸 光度,在該預定時間的期間內進行抗原抗體反應可明確發 現反應線,控制部可精度更爲良好地進行反應度的測定。 另外,第4免疫色譜試片之測定裝置也可以控制部在 上述預定時間經過之後,使光照射部的測定光朝著檢體流 動方向掃描使測定光的照射位置通過帶狀區域。如上述, 以測定光掃描形成反應線的帶狀區域及其周邊,可藉著其 反射光的檢測,即使反應線的位置產生誤差的場合仍可確 實地測定反應度。 又,第4免疫色譜試片之測定裝置也可以控制部在第 2位置的吸光度變化後使得光照射部熄滅,隨後再度點亮 進行預定時間後的掃描。藉此,可縮短光照射部的點亮時 間,抑制電力消耗,使得光照射部的壽命延長。 並且,第3及第4免疫色譜試片之測定裝置也可以使 免疫色譜試片具有產生第1抗原抗體反應的第1帶狀區域 -12- 200848714 ,及設置在較第1帶狀區域下游側產生第2抗原抗體反應 的第2帶狀區域,第1位置位在第1帶狀區域內,第2位 置位在第2帶狀區域內爲佳。藉此,可以在第1位置及第 2位置更爲明確地檢測吸光度的變化。 另外,根據本發明第5免疫色譜試片之測定裝置,具 備:將測定光照射在免疫色譜試片上的一個或複數個光照 射部;檢測對於免疫色譜試片上的第1位置之根據測定光 照射的來自免疫色譜試片的反射光或螢光的第1光檢測部 ;檢測對於免疫色譜試片上的第1位置下游側的第2位置 的根據測定光照射之來自免疫色譜試片的反射光或螢光的 第2光檢測部;及根據來自第1及第2光檢測部的輸出訊 號,取得第1位置的吸光度或螢光強度變化後到第2位置 的吸光度或螢光強度變化爲止的經過時間的控制部。 與檢體中的抗原(或抗體)結合用的抗體藉著螢光物質 加以標示的場合,在免疫色譜試片上藉著測定光在檢體到 達的位置激發時即產生螢光。並且由於免疫色譜試片展開 的檢體吸收光,在檢體到達的位置會使得吸光度降低。由 於上述第5測定裝置,具備:檢測第1位置的反射光或螢 光的第1光檢測部,及檢測較第1位置下游側之第2位置 的反射光或螢光的第2光檢測部,因此藉著該等光檢測部 檢測吸光度的變化或螢光強度的變化,可藉以得知檢體分 別到達第1及第2位置的時機。並且,由於控制部可取得 第1位置的吸光度或螢光強度變化後到第2位置的吸光度 或螢光強度變化爲止的經過時間,可自動測定檢體的流速 -13- 200848714 。因此,測定人員(或自動地)根據測定結果校正反應線的 反應度時,可抑制反應度不均一造成的影響,並精度良好 地分析檢體中抗原(或抗體)的量。 又,根據本發明的第6免疫色譜試片之測定裝置,具 備:將測定光照射在免疫色譜試片上的光照射部;藉著測 定光的照射,檢測從免疫色譜試片所獲得的螢光的光檢測 部;支撐免疫色譜試片的試片支撐部;在免疫色譜試片的 檢體流動方向使得試片支撐部與光檢測部相對移動的驅動 機構;及控制驅動機構的控制部,控制部使得試片支撐部 與光檢測部相對移動以檢測來自免疫色譜試片上第1位置 的螢光之後,使試片支撐部與光檢測部相對移動而檢測來 自較第1位置下游側之第2位置的螢光,並根據來自光檢 測部的輸出訊號,取得第1位置的螢光強度變化後到第2 位置的螢光強度變化爲止的經過時間。 該第6測定裝置中,藉著驅動機構及控制部使得試片 支撐部與光檢測部相對移動來檢測從試片上的第1位置所 獲得的螢光之後,再度使得試片支撐部與光檢測部相對移 動來檢測從第2位置所獲得的螢光。因此,可以適當檢測 第1及第2位置的螢光強度的變化,獲得檢體分別到達第 1及第2位置的時機。並且,由於控制部取得第1位置螢 光強度的變化後到第2位置螢光強度變化爲止的經過時間 ,可自動測定檢體的流速。因此,測定人員(或自動地)根 據測定結果校正反應線的反應度時,可抑制反應度不均一 造成的影響,並精度良好地分析檢體中抗原(或抗體)的量 -14- 200848714 〔發明效果〕 根據本發明的免疫色譜試片之測定裝置,可測定檢體 的流速,並可容易獲得根據其測定結果之反應度的校正。 【實施方式】 以下,一邊參閱添附圖示詳細說明根據本發明免疫色 譜試片之測定裝置的實施形態。並且,圖示的說明中同一 元件賦予相同符號,省略其重複的說明。 (第1實施形態) 第1圖是表示本發明所涉及免疫色譜試片之測定裝置 的第1實施形態的透視圖。本實施形態的測定裝置1 a是 對於形成在免疫色譜試片41的呈色線(反應線)的測試線 TL及控制線CL照射測定光,檢測其反射光的強度,藉此 測定呈色線TL及CL的呈色度(反應度)的裝置。該測定裝 置la是如第1圖表示,具備:支撐具有免疫色譜試片41 的免疫色譜測試用具42用的載放板(試片支撐部)1 1 ; 一體 組裝有測定光照射在免疫色譜試片4 1的發光元件(第1照 射部)2 1及檢測來自免疫色譜試片4 1的反射光之光檢測元 件(第1光檢測部)22的第1光學頭2 ; —體組裝有測定光 照射在免疫色譜試片41的發光元件(第2光照射部)31及 檢測來自免疫色譜試片4 1的反射光之光檢測元件(第2光 -15- 200848714 檢測部)3 2的光學頭3 ;相對於光學頭2及3使載放板1 1 朝者檢體流動方向相對移動的驅動機構2 1 ;及控制光學頭 2、3與驅動機構1 2的控制部1 3。 在此,第2圖爲免疫色譜測示用具4 2的上視圖。如 第2圖表示,免疫色譜測試用具42,具有:平面方向爲長 方形的殻體43,及保持在該殻體43內的免疫色譜試片41 〇 殼體43設有沿著其長邊方向,滴下檢體用的檢體點 著窗44,及露出免疫色譜試片4 1的呈色部份的觀測用窗 45。成形著檢體點著窗44的緣部44a〜44d及成形著觀測 用窗45的緣部45a〜45d被朝向免疫色譜試片41傾斜設置 ,形成斜錐形。 免疫色譜試片4 1爲硝化纖維素膜或濾紙等的材質所 構成,呈長方形。免疫色譜試片4 1具有設置在對應檢體 點著窗44的位置的檢體點著部4 1 a與設置在對應觀測用 窗45的位置的檢測部4 1 b。檢測部4 1 b具有朝著與免疫色 譜試片4 1長方向的檢體流動方向(圖中的箭頭A)交叉方向 延伸的第1帶狀區域4 1 c,相對於帶狀區域4 1 c平行,且 設置在檢體流動方向A下游側的第2帶狀區域4 1 d。帶狀 區域41c塗抹有呈線狀(帶狀)的抗體中的抗原(或抗體)與 產生第1抗原抗體反應的抗體(或抗原)’帶狀區域4 1 d以 色素標記相對於和檢體中的抗原(或抗體)結合的抗體(或抗 原)(以下作爲標準色素),將產生第2抗原抗體反應的抗體 (或抗原)塗抹呈線狀,分別予以固定化。 -16- 200848714 檢體是從檢體點著窗44滴下到免疫色譜試片4 1的檢 體點著部4 1 a。檢體中的抗原(或抗體)是與標記顏色結合 ,檢體中的抗原(或抗體)與標記色素結合的結合體或未反 應的標記色素是在免疫色譜試片4 1的長邊方向移動。現 在,假如檢體中包含有抗原,抗原在帶狀區域4 1 c中執行 抗原抗體反應。隨著檢體的移動,檢體中的抗原與固定在 帶狀區域4 1 c的抗體特殊地反應,在反應後的帶狀區域 4 1 c藉著標記色素形成呈色線(測試線T L)。另一方面,未 反應的標記色素是與固定在帶狀區域4 1 d的抗體特殊性地 反應,在反應後的帶狀區域4 1 d藉著標記色素形成呈色線 (控制線 CL)。再者,呈色線 TL及 CL的寬度通常爲 1 .0mm左右。又,呈色線TL及CL的長方向的長度通常 爲5mm左右。 第3圖是沿著檢體移動方向的光學頭2的側面剖視圖 。又,第4圖是表示光學頭2及免疫色譜測試用具42的 透視圖。再者,爲了容易理解,第4圖中省略光學頭2具 有的樹脂構件25及PC基板26的圖示。 光學頭2是如第3圖及第4圖表示,具有:發光元件 21 ;光檢測元件22 ;光束整形構件23及24 ;樹脂構件 25(第3圖);及PC基板26(第3圖)。本實施形態作爲發 光元件21是使用稱發光二極管(LED)的半導體發光元件, 作爲光檢測元件22則是使用稱爲矽光電二極管的半導體 光檢測元件。發光元件2 1其光軸是相對於免疫色譜試片 4 1的表面呈垂直安裝在P C基板2 6的內面2 6 a,將測定光 -17- 200848714 照射在免疫色譜試片4 1上。光檢測元件2 2是經結合在該 光檢測元件2 2的2支金屬棒2 7安裝在p C基板2 6上,光 檢測面2 2 a接受來自免疫色譜試片4 1的反射光,轉換成 對應反射光強度的電訊號。本實施形態的光檢測元件22 是相對於發光元件2 1的光軸配置在檢體流動方向a的下 游側。 光束整形構件23及24是將來自發光元件21的光整 形爲具有朝著與免疫色譜試片41的帶狀區域41c及41d( 參閱第2圖)大致平行方向延伸之光束剖面的光用的構件 ,排列配置在發光元件2 1的光軸方向(相對於免疫色譜試 片41表面的垂直方向)。光束整形構件23爲形成有大致 圓形的開孔23 a的板狀構件所構成。光束整形構件24是 形成有相對於帶狀區域4 1 c及4 1 d大致平行延伸的開縫 24a的板狀構件所構成。光檢測元件22及光束整形構件 23、24是如第3圖表示,一體保持在接合於PC基板26 的內面26a的塊狀樹脂構件25,限定彼此的位置關係。 第5圖是表示光學頭3及免疫色譜測試用具42的透 視圖。又,第6圖是沿著第5圖表示光學頭3的VI - VI剖面 的剖視圖。 光學頭3,具有:發光元件3丨;光檢測元件3 2 ;光束 整形構件3 3 ;及透鏡3 4,該等是藉著構件3 5及3 6保持 成一體,限定彼此的位置關係。本實施形態是使用發光二 極管(LED)的半導體發光元件作爲發光元件31,使用矽 (Si)光電二極管的半導體檢測元件作爲光檢測元件32。發 -18- 200848714 光元件31其光軸是相對於免疫色譜試片4 1的表面呈垂直 保持在構件3 6上,將測定光照射在免疫色譜試片4 1。光 檢測元件3 2是從免疫色譜試片4 1上的測定光照射位置配 置在與帶狀區域41c及41 d(參閱第2圖)大致平行方向的 斜上方,使來自免疫色譜試片4 1的反射光轉換成對應其 強度的電訊號。 光束整形成構件3 3是將來自發光元件3 1的光整形爲 具有朝著與免疫色譜試片41的帶狀區域41c及4 Id(參閱 第2圖)大致平行方向延伸的光束剖面的光用的構件。光 束整形構件3 3爲形成有相對於帶狀區域4 1 c及4 1 d朝著 大致平行方向延伸的開縫3 3 a的板狀構件所構成。光束整 形構件3 3是如第6圖表示,被夾持固定在構件3 5與嵌入 構件3 5的凹部並保持著發光元件3 1的構件3 6之間。又 ,透鏡3 4是將來自光束整形構件3 3的光(與帶狀區域4 1 c 及4 1 d大致平行的開縫光)成像於免疫色譜試片4 1上之用 。透鏡3 4被配置在從發光元件3 1所射出測定光的光軸上 ,保持在構件3 5上。 構件3 5爲保持光檢測元件3 2及透鏡3 4的構件。構 件3 5上形成有覆蓋從發光元件3 1所射出測定光的光路的 孔3 5a,及覆蓋從免疫色譜試片41反射而射入光檢測元件 32的光的光路的孔35b。孔35a的一端經開縫33a配置有 保持在構件36的發光元件31,孔35a的另一端是與免疫 色譜試片4 1的光照射位置相對。又,透鏡3 4被保持在孔 35a內。孔35b的一端配置有光檢測元件32,孔35b的另 -19- 200848714 一端是與免疫色譜試片4 1的光照射位置相對。藉此一構 成,孔35a及3 5b,具有作爲:防止從發光元件31所射出 的測定光洩漏到光學頭3的外部及反射光以外的擾光(散 射光)之緩衝部的功能。 再度參閱第1圖。驅動機構1 2是相對於光學頭2及3 使載放板1 1沿著檢體流動方向A移動用的機構。驅動機 構1 2,具有:沿著檢體流動方向A咬合在形成於載放板 1 1側面的齒條1 6的小齒輪1 7,及固定有咬合在該小齒輪 1 7的蝸輪1 8的驅動馬達1 9等。該驅動機構1 2藉著驅動 馬達1 9 一旦將蝸輪1 8朝著正轉方向轉動時,使得小齒輪 1 7減速轉動驅動,該小齒輪1 7上咬合著齒條1 6的載放板 1 1在與檢體流動方向A的相反方向移動。其結果,光學 頭2及3相對於載放板1 1在檢體流動方向A相對地移動 〇 控制部1 3是作爲驅動馬達1 9的轉動控制、發光元件 2 1及3 1的點燈控制及光檢測元件22及3 2的輸出訊號處 理之用而設置。 接著,針對根據本實施形態的測定裝置1 a的動作, 一邊參閱第7圖〜第12圖說明如下。第7圖及第8圖是表 示測定裝置la動作的流程圖。又,第9圖〜第12圖爲說 明測定裝置1 a的動作狀態用的透視圖。並且,第9圖〜第 1 2圖中,省略第1圖表示的驅動機構i 2及控制部1 3的圖 不 ° 首先,測定人員將免疫色譜測試用具4 2設定在載放 -20- 200848714 板1 1上(步驟S 1)。並且,控制部1 3使得載放板1 1與光 學頭2相對移動以檢測來自預先決定之免疫色譜試片4 1 上的第1位置的反射光。具體而言,控制部1 3是藉著驅 動機構1 2的動作移動載放板1 1,使免疫色譜試片4 1上的 第1位置位於光學頭2的發光元件2 1的光射出方向(具體 而言,通過開孔23a及開縫24a的光的前進方向)而控制 光學頭2與免疫色譜試片41的相對位置關係(步驟S2)。 本實施形態中,免疫色譜試片4 1上的第1位置是被設定 在第1帶狀區域41 c內。因此,如第9圖表示,帶狀區域 4 1 c形成位在發光元件2 1的光射出方向。 接著,測定人員在檢體滴下到檢體點著部4 1 a之後, 發光元件21對於免疫色譜試片41的第1位置(亦即帶狀 區域41c)照射測定光。並且,光檢測元件22接受其反射 光,轉換對應光強度的電訊號。將電訊號送至控制部1 3, 控制部13可根據該電訊號檢測第1位置(帶狀區域41c)的 反射光強度(步驟S 3)。並且,此時,熄滅發光元件3 1。 在此,第1 3 (a)圖是槪念性表示第1位置(帶狀區域 41c)的光學特性(吸光度)的變化狀態的圖表。第13(a)圖中 ,縱軸是表示第1位置(帶狀區域41 c)的反射光強度,橫 軸是表示時間。通常,乾的狀態的免疫色譜試片4 1的吸 光度小,光檢測元件22中檢測出比較大的強度P 1的反射 光。並且,檢體一旦到達第1位置(帶狀區域41 〇時’檢 體吸收測定光的一部份,使得第1位置(帶狀區域4 1 c)的 吸光度增大,因此朝著光檢測元件22的反射光強度變化 -21 - 200848714 爲小於強度P1的強度P2。控制部13是根據來自光檢測 元件22的電訊號來觀測吸光度的變化(步驟S4),在吸光 度變化的時刻t a開始計時(步驟S 5)。控制部1 3在檢測第 1位置(帶狀區域41c)的吸光度變化之後,將發光元件21 熄滅。 接著,控制部1 3使得載放板1 1與光學頭3相對移動 以檢測來自較第1位置下游側的免疫色譜試片4 1上的第2 位置的反射光。具體而言,控制部1 3再度使驅動機構1 2 動作藉此移動載放板1 1,使免疫色譜試片4 1上的第2位 置位在光學頭3的發光元件3 1的光射出方向(通過開縫 3 3a及透鏡34的光前進的方向)而控制光學頭3與免疫色 譜試片4 1的相對位置關係(步驟S6)。本實施形態中,將 免疫色譜試片41上的第2位置設定在第2帶狀區域41d 內。因此,如第10圖表示,形成帶狀區域41d位在發光 元件3 1的光射出方向。之後,控制部1 3點亮發光元件3 1 ,發光元件31對於免疫色譜試片4 1的第2位置(亦即帶 狀區域41d)照射測定光。並且,光檢測元件32接受其反 射光,轉換成對應光強度的電訊號。將電訊號送到控制部 1 3,控制部1 3根據該電訊號來檢測第2位置(帶狀區域 41d)的反射光強度(步驟S7)。 第13(b)圖是槪念性表示第2位置(帶狀區域41d)的光 學特性(吸光度)的變化狀態的圖表。第1 3 (b)圖中,縱軸 是表示第2位置(帶狀區域41 d)的反射光強度,橫軸是表 示時間。如上述,檢體到達第2位置(帶狀區域41d)爲止 -22- 200848714 ,在光檢測元件3 2中檢測出比較大的強度P 1的反射光。 並且,檢體一旦到達第2位置(帶狀區域41 d)時,第2位 置(帶狀區域41d)的吸光度會增大,對於光檢測元件32的 反射光強度變化爲強度P2(< P1)。控制部13是根據來自 光檢測元件3 2的電訊號觀測吸光度的變化(步驟S 8 ),取 得吸光度變化的時刻tb與ta的差(tb-ta),即第1位置(帶 狀區域41 〇的吸光度變化後到第2位置(帶狀區域4 Id)的 吸光度的變化爲止的經過時間(步驟S9)。控制部1 3在第 2位置(帶狀區域41d)的吸光度變化後,一旦熄滅發光元件 3 1 〇 接著,控制部1 3以時刻ta爲基準進行預定時間的計 算(步驟S 10)。在該預定時間的期間,進行上述第1及第 2抗原抗體反應,使帶狀區域41c及41d呈色來發現呈色 線TL及CL。該預定時間較上述經過時間(tb-ta)長,例如 設定爲1 5分鐘左右,根據檢體的種類加以適當調整。 控制部1 3再度點亮發光元件3 1,從時刻ta經過預定 時間之後,使測定光的照射位置通過帶狀區域4 1 c、4 1 d 而將發光元件3 1的測定光一邊朝著檢體流動方向掃描, 藉著光檢測元件32連續地(或斷續地)檢測反射光,獲得檢 測部4 1 b的測定光的吸光曲線(步驟S 1 1)。具體而言,控 制部1 3使驅動機構1 2再度動作藉此移動載放板1 1,如第 1 1圖表示,將檢測部4 1 b的上游測一端定位在發光元件 3 1的光射出方向。並且,控制部1 3在檢測部4 1 b的下游 側一端定位在發光元件31的光射出方向爲止(參閱第12 -23- 200848714 圖),使測定光的照射位置朝著下游側一邊移動(亦即,使 免疫色譜試片4 1相對於光學頭3相對地朝著上游側一邊 移動),持續將測定光照射在發光元件3 1上,藉著光檢測 元件32取得對應反射光強度的電訊號。 第1 4圖是表示藉上述動作所獲得測定光的吸光曲線 的一例圖。第14圖中,縱軸是表示反射光強度,橫軸是 表示檢體流動方向的檢測部4 1 b上的位置。控制部1 3作 成例如第1 4圖表示的吸光曲線,從該吸光曲線分別藉著 八8 31 = 1(^(&1/3())、人8 32 = 1(^(&2/&())的運算式算出免疫色譜 試片4 1上的測試線TL的吸光度AB S !、控制線CL的吸光 度ABS2。該吸光度ABSi及ABS2即表示各呈色線TL、 CL的呈色度。並且,控制部1 3是根據預先設定的關係式 藉著時間(tb-ta)來校正吸光度ABS!、ABS2。控制部13是 根據控制線CL校正後的吸光度ABS2來判定測定的成否 ,同時參閱預先作成的檢量特性線圖,藉此對應測試線 TL校正後的吸光度ABSi求得包含在檢體中的抗原(或抗 體)的總量(濃度),將此藉著顯示裝置或印刷裝置等的輸出 裝置加以輸出(步驟S 12)。 如上述,本實施形態之測定裝置1 a是測定形成在免 疫色譜試片4 1的檢測部4 1 b的測試線TL及控制線CL的 呈色度。 針對藉本實施形態的測定裝置1 a所獲得的效果說明 。本發明人是著眼於呈色線(反應線)的呈色度(反應度)的 不均一與檢體流速(展開速度)的不均一之間所存在的相關 -24- 200848714 性。並且,如第1 5圖表示,實際上準備13個免疫色譜試 片 Ml〜M13,使得環境條件等變化,藉以使各試片 Μ 1〜Μ 1 3具有不均一的流速,此外將含有同一濃度的抗原( 或抗體)的檢體滴下’取得檢體通過免疫色譜試片上的第1 位置的時刻ta、檢體通過第2位置的時刻tb、差値(tb-ta) 及1 5分鐘後的測試線TL的吸光度AB S i。再者,以下的 實施例中,免疫色譜試片是使用表面活性劑處理硝化纖維 素膜之物,檢體則是使用在磷酸緩衝液中混入濃度 100[ng/mol]的蛋白質之物。 第16圖是將吸光度ABSi與時間(tb-ta)圖示在座標軸 上的圖。參閱第16圖時,吸光度ABS!與時間(tb-ta)之間 ,可得知時間(tb-ta)越長吸光度 ABS!越大的相關性。因 此,如第1 6圖表示,例如以一維近似直線G1表示上述的 相關性,只要根據該直線G 1校正吸光度AB S i時,藉著呈 色度不均一影響的抑制即可獲得正確的吸光度AB S !。 該實施例中,一維近似直線G1是以下述的數式(1)表 示0 ABSi = 0.0036x(tb-ta) + 0.0338··· (1) 並且,使用接著的數式(2)將校正後的吸光度ABSi表 示在第1 5圖的最右列。 (校正 ABSjy實測 ABSd-O.OfnGxGb-ta)···。) -25- 200848714 爲了評估該校正後的吸光度AB S !,算出校正前的吸 光度ABSi、校正後的吸光度ABSi的各個變動係數(不均 一度)CV。其結果,校正前的變動係數CV形成爲6.5,校 正後的變動係數C V是形成4.4,顯示各試片Μ 1〜Μ 1 3的 吸光度AB S !的不均一可藉著校正得以降低。如上述,測 定時間(tb-ta)即檢體的流速,根據其結果校正吸光度(呈色 度)時,抑制根據呈色度不均一的影響,可精度更良好地 分析檢體中抗原(或抗體)的量。 根據本實施形態的測定裝置1 a,藉著檢測第1位置( 帶狀區域41c)的反射光的第1光檢測元件22及檢測第2 位置(帶狀區域4 1 d)的反射光的第2光檢測元件3 2可檢測 各位置吸光度的變化,藉以得知檢體到達各位置的時機ta 、tb。並且,可取得從第1位置(帶狀區域41c)吸光度的 變化後到第2位置(帶狀區域4 1 d)吸光度變化爲止的時間 ’自動測定檢體的流速。因此,控制部1 3 (或測定人員)根 據經過時間(tb-ta)校正呈色線TL及CL的吸光度(呈色度) ’藉以抑制呈色度不均一造成的影響,可精度良好地分析 檢體中的抗原(或抗體)的量。 又’如本實施形態,測定裝置1 a以具備對應各光檢 測元件22、32的發光元件21、3 1,使光檢測元件22可檢 測根據發光元件21所照射的反射光,光檢測元件3 2可檢 測根據發光元件3 1所照射的反射光爲佳。藉此,可分別 對於第1位置(帶狀區域41c)及第2位置(帶狀區域41d)穩 定地照射光,可以提高吸光度變化的檢測精度以至於檢體 -26- 200848714 流速的測定精度。 又’如本實施形態,將發光元件2 1及光檢測元件22 一體組裝在光學頭2,將發光元件3 1及光檢測元件3 2 — 體組裝在光學頭3,可藉此將發光元件2 1及光檢測元件 22與發光元件3 1及光檢測元件32彼此精度良好地定位, 提高反射光的檢測精度。又,光學頭2、3中的至少一方( 本實施形態爲光學頭3 )具有包覆測定光及反射光的光路的 構件3 5 (參閱第6圖),可藉此防止該光學頭對於光檢測元 件的擾光的射入,可更爲提高反射光的檢測精度。 又,如本實施形態,測定裝置是以免疫色譜試片4 1 具有產生檢體與抗原抗體反應的帶狀區域(本實施形態爲2 條帶狀區域4 1 c、4 1 d),控制部1 3在第1位置(帶狀區域 41c)的吸光度變化後經過較時間(tb-ta)長的預定時間之後 ,取得帶狀區域4 1 c、4 1 d的吸光度爲佳。如上述,從第1 位置(帶狀區域41c)的吸光度變化後經過較時間(tb-ta)長 的預定時間之後,取得帶狀區域4 1 c、4 1 d的吸光度,藉 此在該預定時間的期間內進行抗原抗體反應可明確發現呈 色線TL、CL,因此可更精度良好地進行呈色度的測定。 並且爲了以第1位置(帶狀區域41c)吸光度的變化作爲預 定時間的測量開始,與操作人員在按壓測量開始按鍵等的 測量開始輸入有所不同,不會發生輸入時機與實際測量應 開始的時機的不均一或忘記輸入等的問題。 又,如本實施形態,測定裝置1 a以具備支撐免疫色 譜試片4 1的載放板1 1及使得載放板1 1與光學頭2、3在 -27- 200848714 檢體流動方向相對移動的驅動機構1 2爲佳。並且,控制 部1 3在上述預定時間經過後,爲了使測定光的照射位置 通過帶狀區域4 1 c、4 1 d,以一邊使發光元件3 1的測定光 在檢體流動方向掃描,藉著光檢測元件3 2連續或斷續地 檢測反射光爲佳。藉此,取得形成呈色線TL、CL的帶狀 區域4 1 c、4 1 b及其周邊的反射光數據,可以作成如第1 4 圖表示的吸光曲線,因此即使在呈色線TL、CL的位置產 生誤差的場合,仍然可以確實地測定吸光度(呈色度)。 又’如本實施形態,控制部1 3以藉著光學頭2檢測 第1位置(帶狀區域4 1 c)的吸光度變化之後,熄滅光學頭2 的發光元件2 1,之後點亮光學頭3的發光元件3 1檢測第 2位置(帶狀區域4 1 d)的吸光度變化爲佳。藉此,在檢測第 1位置(帶狀區域41c)的吸光度變化時,來自發光元件31 的光不會射入光檢測元件2 2內,並且在檢測第2位置(帶 狀區域41d)的吸光度變化時,來自發光元件21的光不會 射入到光檢測元件3 2內,因此可以提高第1及第2位置 的各反射光的檢測精度。 又,如本實施形態,控制部1 3以檢測第2位置(帶狀 區域4 1 d)的吸光度變化之後一旦熄滅發光元件3 1,隨後 再度點亮,進行第8圖表示步驟s 1 1的動作(使發光元件 31的測定光朝著檢體流動方向掃描,獲得檢測部4 1 b的測 定光的吸光曲線)爲佳。藉此,可以縮短發光元件3 1的點 亮時間,因此可以抑制電力消耗,延長發光元件3 1的壽 命。從第1位置(帶狀區域41c)的吸光度變化後進行步驟 •28- 200848714 s 1 1爲止的預定時間爲1 5分鐘左右的場合,例如可以在 1 4分鐘左右經過的時刻再度點亮發光元件3 1。 又,本實施形態的光學頭2與光學頭3的間隔是以可 變的爲佳。藉此,可以使光學頭2與光學頭3的間隔容易 對應免疫色譜試片4 1的大小等。 再者,本實施形態中,驅動機構1 2雖然使得發光元 件2 1及31的雙方與載放板1 1在檢體流動方向相對移動 ,但是也可以使發光元件2 1及3 1的其中一方與載放板1 1 在檢體流動方向相對移動。此時,以使得進行第8圖表示 步驟S11的發光元件(本實施形態爲發光元件31)與載放板 1 1相對移動爲佳。 (第2實施形態) 第1 7圖是表示本發明所涉及免疫色譜試片之測定裝 置的第2實施形態的透視圖。本實施形態的測定裝置1 b 與上述第1實施形態的不同點在於第1光學頭的有無。亦 即,本實施形態的測定裝置1 b不具備第1圖所示的光學 頭2,本實施形態的控制部1 4是使用光學頭3進行第1位 置(帶狀區域41 〇的吸光度變化的檢測、第2位置(帶狀區 域4 1 d)的吸光度變化的檢測及測定光的吸光曲線的作成。 另外,本實施形態的光學頭3、驅動機構1 2及免疫色譜測 試用具42的構成是與第1實施形態相同。 針對根據本實施形態的測定裝置1 b的動作,一邊參 閱第18圖〜第23圖說明如下。第18圖及第19圖是表示 -29- 200848714 測定裝置1 b的動作的流程圖。又,第2 0圖〜第2 3圖是說 明測定裝置1 b的動作狀態用的透視圖。並且,第2 0圖〜 第2 3圖中,省略第1 7圖表示的驅動機構1 2及控制部1 4 的圖示。 首先’測定人員將免疫色譜試片32設定在載放板11 上(步驟S2 1)。並且,控制部1 4使載放板1 1與光學頭3 相對移動以檢測來自免疫色譜試片4 1上的第1位置(帶狀 區域41c)的反射光。具體而言,控制部14藉著驅動機構 1 2的動作來移動載放板1 1,控制光學頭3與免疫色譜試 片4 1的相對位置關係將免疫色譜試片4 1上的第1位置( 帶狀區域41c)定位在光學頭3的發光元件31的光射出位 置(參閱第20圖)(步驟S22)。 接著,測定人員將檢體滴下到檢體點著部4 1 a之後, 發光元件31對於免疫色譜試片41的第1位置(帶狀區域 4 1 c)照射測定光。並且,光檢測元件3 2接受其反射光, 轉換成對應光強度的電訊號。將電訊號送到控制部1 4,控 制部14根據該電訊號檢測第1位置(帶狀區域41c)的反射 光強度(步驟S23)。控制部14根據該電訊號觀測光學特性 (吸光度)的變化(步驟S24),在吸光度變化的時刻ta開始 計時(步驟S25)。 接著,控制部1 4使載放台1 1與光學頭3相對移動以 檢測來自免疫色譜試片41上的第2位置(帶狀區域41d)的 反射光。亦即,控制部1 4使驅動機構1 2再度動作,藉此 移動載放板1 1,控制光學頭3與免疫色譜試片4 1的相對 -30 - 200848714 位置關係將免疫色譜試片41上的第2位置(帶狀區域41d) 定位在發光頭3的發光元件31的光射出方向(參閱第21 圖)(步驟S 26)。之後發光元件31對於第2位置(帶狀區域 4 1 d)照射測定光,使光檢測元件3 2輸出對應其反射光強 度的電訊號。控制部1 4根據該電訊號檢測第2位置(帶狀 區域41 d)的反射光強度(步驟S2 7)。控制部14根據該電訊 號觀測光學特性(吸光度)的變化(步驟S28),取得吸光度 變化的時刻tb與時刻ta的差(tb-ta)(步驟S29)。控制部 14在第2位置(帶狀區域41 d)的吸光度變化後,將發光元 件3 1 —旦熄滅。 接著,控制部1 4從時刻ta進行預定時間的計算(步驟 5 3 0),此一期間內使帶狀區域41c及41d呈色發現呈色線 TL及CL。控制部14將發光元件3 1再度點亮,從時刻ta 經過預定時間之後,將發光元件3 1的測定光朝著檢體流 動方向持續地掃描,使測定光的照射位置通過帶狀區域 41c、41d,藉著光檢測元件32連續(或斷續)地檢測反射光 ,獲得檢測部41b的測定光的吸光曲線(步驟S3 1)。亦即 ,控制部1 4藉著驅動機構1 2再度的動作使載放台1 1移 動,如第22圖表示,將檢測部41 b上游測的一端定位在 發光元件3 1的光射出方向。並且,控制部1 4將檢測部 4 1 b的下游側一端定位在發光元件3 1的光射出方向爲止( 參閱第23圖)使測定光的照射位置一邊朝著下游側移動(亦 即,一邊使得免疫色譜試片4 1相對於光學頭3相對地朝 著上游測移動),持續地將測定光照射在發光元件3 1上, -31 - 200848714 藉著光檢測元件32取得對應反射光強度的電訊號。 接著’控制部1 4作成吸光曲線(參閱第1 3圖),從該 吸光曲線算出免疫色譜試片4 1上的測試線T L的吸光度 ABS!、控制線CL的吸光度ABS2。並且,控制部14根據 預先所設定的關係式藉著時間(tb-ta)校正吸光度 ABSi、 ABS2。控制部14是根據控制線CL校正後的吸光度ABS2 來判定測定成否的同時,參照預先所製成的檢量特性線圖 ,對應測試線TL校正後的吸光度AB S !求得檢體中所含的 抗原(或抗體)的總量(濃度),藉著顯示裝置或印刷裝置等 的輸出裝置將此輸出(步驟S3 2)。 如上述,本實施形態的測定裝置1 b是測定形成在免 疫色譜試片4 1的檢測部4 1 b的測試線TL及控制線CL的 呈色度。 根據本實施形態的測定裝置1 b,第1光檢測元件22 相對於載放台1 1相對移動以檢測第1位置(帶狀區域4 1 c) 的反射光之後,再度相對移動來檢測第2位置(帶狀區域 4 1 d)的反射光,藉以檢測各位置的吸光度的變化,可得知 檢體到達各位置的時機ta、tb。並且,由於控制部1 4取 得第1位置(帶狀區域41c)的吸光度變化後到第2位置(帶 狀區域41d)的吸光度變化爲止的時間(tb-ta),可以自動測 定檢體的流速。因此,控制部1 4(或者測定人員)根據時間 (tb-ta)校正呈色線TL及CL的吸光度(呈色度),可藉此抑 制呈色度不均一造成的影響,精度良好地分析檢體中的抗 原(或抗體)的量。 -32- 200848714 又,如本實施形態中,同樣地,控制部14在第1位 置(帶狀區域41c)的吸光度變化後經過較時間(tb-ta)長的 預定時間之後,取得帶狀區域4 1 c、4 1 d的吸光度。藉此 ,抗原抗體反應可充分進行明確地發現呈色線TL、CL, 因此控制部1 4中可更爲精度良好地進行呈色度的測定。 並且爲了以第1位置(帶狀區域41c)吸光度的變化作爲預 定時間的測量開始,與操作人員在按壓測量開始按鍵等的 測量開始輸入有所不同,不會發生輸入時機與實際測量應 開始的時機的不均一或忘記輸入等的問題。 又,如本實施形態中,同樣地,控制部14在上述預 定時間經過後,爲了使測定光的照射位置通過帶狀區域 4 1 c、4 1 d,一邊使發光元件3 1的測定光在檢體流動方向 掃描,藉著光檢測元件3 2連續或斷續地檢測反射光。藉 此,取得形成呈色線TL、CL的帶狀區域41c、41b及其 周邊的反射光數據,可以作成如第1 4圖表示的吸光曲線 ,因此即使在呈色線TL、CL的位置產生誤差的場合,仍 然可以確實地測定吸光度(呈色度)。 又,本實施形態的控制部1 4在檢測第2位置(帶狀區 域4 1 d)的吸光度變化之後一旦熄滅發光元件3 1,隨後再 度點亮,進行第1 9圖表示步驟s 3 1的動作(使發光元件3 1 的測定光朝著檢體流動方向掃描,獲得檢測部4 1 b的測定 光的吸光曲線)。藉此,可以縮短發光元件3 1的點亮時間 ,因此可以抑制電力消耗,延長發光元件3 1的壽命。 -33- 200848714 (變形例) 弟24圖爲上述第1實施形態的一變形例,表示測定 裝置1 C的構成的透視圖。該測定裝置1 C具備第1光學頭 5及第2光學頭6。光學頭5 —體組裝有發光元件5 i (第i 光照射部)5 1及光檢測元件(第1光檢測部)52。光學頭6 上一體組裝有發光兀件(第2光照射部)6 1及光檢測元件( 第2光檢測部)6 2。 又,光學頭5更具有將半導體發光元件5 1所射出的 測定光整形爲與帶狀區域4 1 c大致平行的開縫光用的未圖 示的光束整形構件及透鏡,半導體發光元件51、半導體光 檢測元件52、光束整形構件及透鏡是藉著塊狀構件53 — 體保持著,限定著彼此的位置關係。發光元件5 1其光射 出方向被相對於免疫色譜試片4 1的表面形成垂直地保持 在構件53上,將測定光照射在免疫色譜試片41的第1位 置(帶狀區域41c)。光檢測元件52被從第1位置(帶狀區 域4 1 c)配置在與帶狀區域4 1 c大致平行方向的斜向上方, 將來自免疫色譜試片41的第1位置(帶狀區域41c)的反射 光轉換爲對應其強度的電訊號。 光學頭6更具有將半導體發光元件61所射出的測定 光整形爲與帶狀區域4 1 d大致平行的開縫光用的未圖示的 光束整形構件及透鏡,半導體發光元件6 1、半導體光檢測 元件62、光束整形構件及透鏡是藉著塊狀構件63 —體保 持著,限定著彼此的位置關係。發光元件6 1其光射出方 向被相對於免疫色譜試片4 1的表面形成垂直地保持在構 -34- 200848714 件63上,將測定光照射在免疫色譜試片4 1的第2位置( 帶狀區域4 1 d)。亦即,發光元件6 1的射出光軸與發光元 件5 1的射出光軸的間隔被設定與第1位置(帶狀區域4 1 c) 及第2位置(帶狀區域4 1 d)的間隔大致相等。光檢測元件 62被從第2位置(帶狀區域41 d)配置在與帶狀區域41 d大 致平行方向的斜向上方,將來自免疫色譜試片4 1的第2 位置(帶狀區域4 1 d)的反射光轉換爲對應其強度的電訊號 〇 再者,構件53及63分別具有與第6圖表示的孔35a 、3 5 b相同的未圖示的2個孔,構成緩衝構造。一方的孔 覆蓋著從發光元件51(或61)所射出測定光的光路,另一方 的孔則是覆蓋著從免疫色譜試片4 1反射而射入光檢測元 件52(或62)的光的光路。 該變形例與第1實施形態不同,第1光學頭5同樣具 有覆蓋來自發光元件5 1的測定光的光路及來自第1位置( 帶狀區域4 1 〇的反射光的光路的構件5 3,形成緩衝構造 。本發明所涉及的測定裝置中,第1及第2個光學頭中的 至少一方覆蓋著測定光及反射光的光路,藉此防止對於該 等光學頭的光檢測部之擾光的射入,可更爲提高反射光的 檢測精度。 又,例如本變形例,本發明第1光照射部的射出光軸 與第2光照射部的射出光軸的間隔也可以配合免疫色譜試 片的第1位置與第2位置的間隔來設定。 第2 5圖爲上述第1實施形態的其他變形例,表示測 -35- 200848714 定裝置1 d的構成的透視圖。該測定裝置1 d具備相對於免 疫色譜試片41固定在相對位置的光學頭7。光學頭7 —體 組裝有發光元件71、72及光檢測元件73、74,限定著彼 此的位置關係。發光元件7 1爲本變形例的第1光照射部 ,發光元件72爲本變形例的第2光照射部。又,光檢測 元件73爲本變形例的第1光檢測部,光檢測元件74爲本 變形例的第2光檢測部。 發光元件7 1及72其光射出方向是相對於免疫色譜試 片4 1的表面形成垂直地被保持在構件75上。發光元件7 1 是將測定光照射在免疫色譜試片4 1的第1位置(帶狀區域 4 1 〇,發光元件72是將測定光照射在第2位置(帶狀區域 4 1 d)。光檢測元件73是從第1位置(帶狀區域41 〇被配置 在與帶狀區域41c大致平行方向的斜向上方,將來自第1 位置(帶狀區域41〇的反射光轉換成對應其強度的電訊號 。光檢測元件74是從免疫色譜試片4 1的第2位置(帶狀 區域41 d)被配置在與帶狀區域41d大致平行方向的斜向上 方,將來自第2位置(帶狀區域41 d)的反射光轉換成對應 其強度的電訊號。 再者,構件75具有與第6圖表示的構件3 5相同的緩 衝構造,具有:覆蓋從發光元件7 1所射出測定光的光路 的孔;覆蓋從發光元件72所射出測定光的光路的孔;覆 蓋從第1位置(帶狀區域41 〇反射而射入到光檢測元件73 的光之光路的孔及覆蓋從第2位置(帶狀區域41 d)反射而 射入到光檢測元件74的光之光路的孔。 -36- 200848714 該變形例是與第1實施形態不同,由於第1及第2光 照射部(發光元件71及72)與第1及第2光檢測部(光檢測 元件73及74)被一體組裝在一個光學頭7上,因此發光元 件71及光檢測元件73與發光元件72及光檢測元件74彼 此被精度良好地定位,可以提高反射光的檢測精度。又, 光學頭7具有覆蓋測定光及反射光的光路的構件75,因此 可以防止對於光檢測元件73、74的擾光射入,可提高反 射光的檢測精度。 (第3實施形態) 接著,針對根據第3實施形態的免疫色譜試片的測定 裝置說明如下。第26圖是表示使用於本實施形態的測定 裝置1 e的構成的透視圖。本實施形態的測定裝置1 e是對 於含螢光物質的免疫色譜試片4 1所形成的反應線(測試線 TL及控制線CL)照射測定光(激發光),藉著檢測在反應線 TL及CL產生的螢光強度來測定反應線TL及CL的反應 度的裝置。再者,本實施形態的螢光物質是與第1實施形 態的色素相同,標記塗抹在免疫色譜試片4 1上的與檢體 中的抗原(或抗體)結合的抗體(或抗原),測試線TL及控制 線CL的反應是與第1實施形態相同。 本實施形態的測定裝置1 e與上述第1實施形態的主 要不同點在於光學頭的構成。亦即,本實施形態的第1光 學頭的光學頭8具有與第1實施形態的光學頭3相同的構 成。又,本實施形態的第2光學頭的光學頭9具有對於形 -37- 200848714 成在免疫色譜試片4 1的反應線TL及CL照射作爲測定光 的激發光,檢測反應線TL及CL產生的螢光強度用的構 成。再者’本實施形態的驅動機構1 2及免疫色譜測試用 具42的構成是與第1實施形態相同。 該測定裝置le是如第26圖表示,具備:支撐具有免 疫色譜試片4 1的免疫色譜測試用具42用的載放板(試片 支撐部)1 1 ; 一體組裝有測定光照射在免疫色譜試片4 1的 發光元件(第1光照射部)8 1及檢測來自免疫色譜試片4 j 的反射光的光檢測元件(第1光檢測部)8 2的第1光學頭8 ;一體組裝有測定光(激發光)照射在免疫色譜試片4 1的發 光元件(第2光照射部)9 1及檢測來自免疫色譜試片4 1的 螢光的光檢測元件(第2光檢測部)9 2的第2光學頭9 ;相 對於光學頭8及9使得載放板1 1在檢體流動方向相對移 動的驅動機構1 2 ;及控制光學頭8、9及驅動機構1 2的控 制部1 5。再者,對於載放台1 1、驅動機構1 2及免疫色譜 試片4 1的構成由於和第1實施形態相同,因此省略詳細 說明。 光學頭8具有與第1實施形態的光學頭3相同的構成 。亦即,光學頭8,具有:發光元件8 1 ;光檢測元件8 2 ; 光束整形構件8 3及透鏡8 4,該等是藉著構件8 5 —體保持 著,限定彼此的位置關係。發光元件8 1是使用稱爲發光 二極管(L E D )的半導體發光元件,光檢測元件8 2是使用稱 爲矽(S i)光電二極管的半導體光檢測元件。發光元件8 1其 光軸是相對於免疫色譜試片4 1的表面呈垂直地保持在構 -38- 200848714 件8 5上,將測定光照射在免疫色譜試片4 1。光檢測元件 82是從免疫色譜試片4 1上的測定光的照射位置被配置在 與帶狀區域41c及41d(參閱第2圖)大致平行方向的斜向 上方,將來自免疫色譜試片4 1的反射光轉換成對應其強 度的電訊號。 光學頭9具有與光學頭8大致相同的構成。亦即,光 學頭9,具有:發光元件9 1 ;光檢測元件92 ;光束整形構 件93及透鏡94,該等是藉著構件95 —體保持著,限定彼 此的位置關係。但是,光束整形構件93與透鏡94之間設 有波長濾波器96。波長濾波器96是將發光元件91所射出 的光取出螢光物質激發所必須波長成分用的構件。又,光 檢測元件92與免疫色譜試片4 1之間設有波長濾波器97。 波長濾波器97爲僅將螢光射入到光檢測元件92,截斷其 他波段的光(從發光元件9 1所射出的光等)用的構件。發光 元件9 1將激發螢光物質用的測定光(激發光)照射在免疫色 譜試片41。光檢測元件92將來自免疫色譜試片4 1的螢光 轉換成對應其強度的電訊號。 接著,針對根據本實施形態的測定裝置1 e的動作, 一邊參照第27圖〜第32圖說明如下。第27圖及第28圖 是表示測定裝置le的動作的流程圖。又,第29圖〜第32 圖爲說明測定裝置1 e的動作狀態用的透視圖。再者,第 2 9圖〜第3 2圖中,省略第2 6圖表示的驅動機構1 2及控制 部1 5的圖示。 首先,測定人員將免疫色譜測試用具42設定在載放 -39- 200848714 板11上(步驟S41)。並且,控制部15使得載放板U與光 學頭8相對移動以檢測來自預先決定之免疫色譜試片41 上的第1位置的反射光。具體而言,控制部1 5藉著驅_ 機構1 2的動作使載放板1 1移動,並控制光學頭8與免& 色譜試片41的相對位置關係,使免疫色譜試片4 1上的胃 1位置定位在光學頭8的發光元件8 1的光射出方向(步^驟 S 42)。本實施形態是將免疫色譜試片41上的第1位置設 定在第1帶狀區域41c內。因此,如第29圖表示’帶狀 區域4 1 c形成定位在發光元件8 1的光射出方向。 接著,測定人員將檢體滴下到檢體點著部4 1 a之後’ 發光元件8 1將測定光照射在免疫色譜試片4 1的第1位置 (即帶狀區域41c)。並且,光檢測元件82接受其反射光’ 轉換成對應光強度的電訊號。電訊號被送到控制部1 5 ’控 制部1 5可根據該電訊號檢測第1位置(帶狀區域4 1 c)的反 射光強度(步驟S 43)。並且,此時熄滅發光元件91。 在此,第33(a)圖是槪念顯示第1位置(帶狀區域41〇 的光學特性(吸光度)的變化狀態。如先前實施形態的說明 ,免疫色譜試片4 1乾燥時,光檢測元件82檢測出比較大 的強度P 1的反射光。並且,檢體到達第1位置(帶狀區域 4 1 c)時,由於吸光度增大因此對於光檢測元件8 2的反射 光強度變化爲強度P2( < P 1)。控制部1 5根據來自光檢測 元件82的電訊號觀測吸光度的變化(步驟S44),在吸光度 變化的時刻ta開始計時(步驟S45)。控制部1 5在檢測第1 位置(帶狀區域41c)的吸光度變化之後,將發光元件81熄 -40- 200848714 滅。 接著,控制部1 5使得載放板1 1與光學頭9相對移動 ,檢測來自較第1位置下游側的免疫色譜試片4 1上的第2 位置的螢光。具體而言,控制部1 5藉著驅動機構1 2的再 度動作來移動載放板1 1,控制光學頭9與免疫色譜試片 4 1的相對位置關係將免疫色譜試片4 1上的第2位置定位 在光學頭9的發光元件91的光射出方向(步驟S 46)。本實 施形態是將免疫色譜試片41上的第2位置設定在第2帶 狀區域41 c內。因此,如第3 0圖表示,帶狀區域41 d形 成位在發光元件9 1的光射出方向。隨後,控制部1 5點亮 發光元件9 1,使得發光元件9 1將測定光(激發光)照射在 免疫色譜試片41的第2位置(即帶狀區域41d)。並且,光 檢測元件92接受該測定光激發所產生的螢光,轉換成對 應螢光強度的電訊號。將電訊號送到控制部1 5,控制部 15可根據該電訊號來檢測第2位置(帶狀區域41d)的螢光 特性(螢光強度)(步驟S47)。 第33(b)圖是槪念表示第2位置(帶狀區域41d)的光學 特性(螢光強度)的變化狀態的圖表。第1 5 (b)圖中,縱軸 是表示第2位置(帶狀區域41d)的螢光強度,橫軸是表示 時間。檢體到達第2位置(帶狀區域41d)爲止由於在該位 置上並未實質存在有螢光物質,因此光檢測元件92僅能 檢測出極小強度P3的光。並且,檢體一旦到達第2位置( 帶狀區域41d)時,藉著測定光激發標示著與檢體中的抗原 (或抗體)結合後之抗體(或抗原)的螢光物質,因此對於光 -41 - 200848714 檢測元件9 2的螢光強度變化爲強度p 4 ( > p 3 )。控制部1 5 可根據來自光檢測元件92的電訊號觀測螢光強度的變化( 步驟S 4 8 ),取得螢光強度變化後的時刻tb與時刻t a的差 (tb-ta),即第1位置(帶狀區域4 1 c)的反射光強度變化後 到第2位置(帶狀區域4 1 d)的螢光強度變化爲止的經過時 間(步驟S4 9)。控制部15在第2位置(帶狀區域41 d)的螢 光強度變化之後,一旦將發光元件9 1熄滅。 接著,控制部1 5以時刻ta爲基準進行預定時間的計 算(步驟S 50)。在該預定時間的期間,進行上述第1及第 2抗原抗體反應,在帶狀區域41c及41d發現反應線TL 及CL。設定該預定時間較上述經過時間(tb-ta)長,例如 1 5分鐘左右,可根據檢體的種類加以適當調整。 控制部1 5再度點亮發光元件9 1,從時刻ta經過預定 時間之後,一邊讓發光元件9 1的測定光朝著檢體流動方 向掃描,使測定光的照射位置通過帶狀區域4 1 c、4 1 d,一 邊藉著光檢測元件92連續地(或斷續地)檢測螢光,獲得檢 測部4 1 b的螢光曲線(步驟S 5 1 )。具體而言,控制部1 5再 度使驅動機構1 2動作,藉此移動載放台1 1,如第3 1圖表 示,將檢測部4 1 b上游測的一端定位在發光元件9 1的光 射出方向。並且,控制部1 5將檢測部4 1 b下游側的一端 定位在發光元件91的光射出方向爲止(參閱第32圖)一邊 使測定光的照射位置朝著下游側移動(亦即,一邊使得免 疫色譜試片4 1相對於光學頭9相對地朝著上游測移動), 持續地將測定光照射在發光元件9 1上,藉著光檢測元件 -42 - 200848714 92取得對應螢光強度的電訊號。 第3 4圖是表示藉上述動作所獲得螢光曲線的一例圖 。第3 4圖中,縱軸是表示螢光強度,橫軸是表示檢體流 動方向的檢測部4 1 b上的位置。控制部1 5製成例如第3 4 圖所表示的螢光曲線,分別以 PLfloghWaO、 PL2 = log(a5/a3)的運算式算出免疫色譜試片41上的測試線 TL的螢光度PL!、控制線CL的螢光度PL2。該螢光度 PI^及PL2即表示反應線TL、CL的反應度。並且,控制 部1 5是根據預先所設定的關係式以時間(tb-ta)校正螢光 度PL!、PL2。控制部15根據控制線CL校正後的螢光度 PL2判定測定成否的同時,參照預先所製成的檢量特性線 圖,藉以求得對應測試線TL校正後的螢光度P L i包含在 檢體中的抗原(或抗體)的總量(濃度),將此以顯示裝置或 印刷裝置等的輸出裝置加以輸出(步驟S5 2)。 如上述,本實施形態的測定裝置1 e是測定形成在免 疫色譜試片4 1的檢測部4 1 b上的測試線TL及控制線CL 的反應度。 根據以上說明後的本實施形態的測定裝置1 e,藉著檢 測第1位置(帶狀區域41c)的反射光的第1光檢測元件82 及檢測第2位置(帶狀區域4 1 d)的螢光的第2光檢測元件 92可得知檢體到達各位置的時機ta、tb。並且,控制部 1 5取得第1位置(帶狀區域4 1 c)的吸光度變化後到第2位 置(帶狀區域41 d)的螢光強度變化爲止的經過時間(tb-ta) ,可自動測定檢體的流速。因此,控制部1 5(或測定人員) -43- 200848714 根據經過時間(tb-ta)來校正反應線TL及CL的螢光度(反 應度),可藉此抑制反應度不均一造成的影響’精度良好 地分析檢體中的抗原(或抗體)的量。 再者,本實施形態涉及的測定裝置1 e也可以進行以 下的變形。亦即,光學頭8設置與光學頭9的波長濾波器 96、97相同的波長濾波器,在光檢測元件82中檢測螢光 而非反射光。根據以上的構成,同樣可得知檢體到達第1 位置(帶狀區域41c)的較佳時機ta。亦即,免疫色譜試片 41中螢光物質與檢體同時展開,藉著測定光激發檢體到達 的位置時即產生螢光,同時,由於檢體吸收測定光使得吸 光度降低。因此,光學頭8及9中檢測出反射光及螢光的 其中一方時,即可以得知上述的時機ta、tb。 又,本實施形態涉及的測定裝置1 e還可以進行如以 下的變形。亦即,如第2實施形態的測定裝置1 b,也可以 使用1個光學頭取得時機ta、tb,並且進行反應度的測定 。此時,測定裝置是形成排除本實施形態的光學頭8的構 成。亦即,該測定裝置,具備:對於檢體滴下後的免疫色 譜試片4 1照射測定光的發光元件(光照射部)9 1 ;檢測來自 根據測定光所照射免疫色譜試片41的螢光的光檢測元件( 光檢測部)92 ;支撐免疫色譜試片4 1的載放板(試片支撐部 )1 1 ;使得載放板1 1與光檢測元件92在免疫色譜試片4 1 的檢體流動方向相對移動的驅動機構1 2 ;及控制驅動機構 1 2的控制部1 5。 並且,控制部1 5使得載放板1 1與光檢測元件92相 -44- 200848714 對移動以檢測來自免疫色譜試片41上的第1位置(帶狀區 域4 1 c)的螢光之後,使載放板1 1與光檢測元件92相對移 動以檢測來自第2位置(帶狀區域41d)的螢光,根據從光 檢測元件92的輸出訊號,取得第1位置(帶狀區域41c)的 螢光強度變化後到第2位置(帶狀區域41d)的螢光強度變 化爲止的經過時間。根據以上的構成,可適當檢測各位置 的螢光強度的變化,因此可得知檢體到達各位置後的時機 ta、tb ° 本發明不僅限於上述各實施形態及變形例。例如,光 照射部也可以使用雷射二極管等其他的半導體發光元件來 取代發光二極管。或者,光檢測部也可以使用光電晶體管 等其他的半導體受光元件或光電管及光電子倍增管等的真 空管型光感測器來取代矽光電二極管。 又,上述各實施形態中,分別將免疫色譜試片4 1的 第1位置設定在形成測試線TL的帶狀區域4 1 c,將免疫 色譜試片4 1的第2位置設定在形成控制線CL的帶狀區域 4 1 d。本發明的第1位置及第2位置不僅限於此,也可以 設定在免疫色譜試片上的任意位置。 又,上述實施形態中,針對呈色度與檢體流速的相關 性,雖如第16圖表示例示著時間(tb-ta)的長度越長吸光 度AB S i形成越大的相關性。但是兩者的相關性不僅限於 此,例如即使如時間(tb-ta)越長而吸光度 ABS!形成越小 的相關性時,根據本發明的測定裝置,以時間(tb-ta)校正 線TL及CL的反應度時,即可抑制反應度不均一所造成 -45- 200848714 的影響,精度良好地分析檢體中的抗原(或抗體)的量。 又,上述的各實施形態中,驅動機構移動試片支撐部 (載放板Π)而使得免疫色譜試片與光照射部相對移動,但 是也可以固定試片支撐部,驅動部移動光照射部可以使免 疫色譜試片與光照射部相對移動。或者,驅動機構也可以 移動試片支撐部及光照射部的雙方,使免疫色譜試片與光 照射部相對移動。 【圖式簡單說明】 第1圖是表示本發明所涉及免疫色譜試片之測定裝置 的第1實施形態的透視圖。 第2圖爲免疫色譜測試用具的上視圖。 第3圖爲沿著檢體移動方向的光學頭的側面剖視圖。 第4圖是表示光學頭及免疫色譜測試用具的透視圖。 第5圖是表示光學頭及免疫色譜測試用具的透視圖。 第6圖是沿著第5圖表示光學頭的VI - VI剖面的剖視圖 〇 第7圖是表示第1實施形態的測定裝置的動作流程圖 〇 第8圖是表示第1實施形態的測定裝置的動作流程圖 〇 第9圖爲說明第1實施形態的測定裝置之動作狀態用 的透視圖。 第1 0圖爲I兌明% 1實施形態的測定裝置之動作狀態 -46- 200848714 用的透視圖。 第1 1圖爲說明第1實施形態的測定裝置之動作狀態 用的透視圖。 第1 2圖爲說明第1實施形態的測定裝置之動作狀態 用的透視圖。 第1 3圖爲槪念性表示第1位置的吸光度變化狀態的 圖表(a),及槪念性表示第2位置的吸光度變化狀態的圖表 (b)。 第1 4圖是表示測定光的吸光曲線的一例圖。 第1 5圖是表示實施例結果的圖表。 第16圖是將實施例的吸光度與時間(tb-ta)圖示在座 標軸上的圖。 第1 7圖是表示本發明所涉及免疫色譜試片之測定裝 置的第2實施形態的透視圖。 第1 8圖是表不第2實施形態的測定裝置的動作流程 圖。 第1 9圖是表不第2實施形態的測定裝置的動作流程 圖。 第2 0圖爲說明第2實施形態的測定裝置之動作狀態 用的透視圖。 弟2 1圖爲說明弟2實施形態的測定裝置之動作狀態 用的透視圖。 第2 2圖爲說明第2實施形態的測定裝置之動作狀態 用的透視圖。 -47- 200848714 第23圖爲說明第2實施形態的測定裝置之動作狀態 用的透視圖。 第2 4圖是表示第1實施形態之變形例構成的透視圖 〇 第2 5圖是表示第1實施形態之其他變形例構成的的 透視圖。 第26圖是表示本發明所涉及免疫色譜試片之測定裝 置的第3實施形態的透視圖。 第2 7圖是表示第3實施形態的測定裝置的動作流程 圖。 第2 8圖是表示第3實施形態的測定裝置的動作流程 圖。 第29圖爲說明第3實施形態的測定裝置之動作狀態 用的透視圖。 第3 0圖爲說明第3實施形態的測定裝置之動作狀態 用的透視圖。 第3 1圖爲說明第3實施形態的測定裝置之動作狀態 用的透視圖。 第3 2圖爲說明第3實施形態的測定裝置之動作狀態 用的透視圖。 第3 3圖爲槪念性表示第1位置的吸光度變化狀態的 圖表(a),及槪念性表示第2位置的螢光強度變化狀態的圖 表(b)。 第3 4圖是表示螢光曲線的一例圖。 -48- 200848714 【主要元 1 a〜1 、1 2 ··驅 ,72 , 81 ,92 :光 25 :樹脂 試片、4 1 C L :控制 件符號說明】 e :測定裝置、2,3,5〜9 :光學頭、1 1 :載放板 動機構、1 3〜1 5 :控制部、2 1,3 1,5 1,6 1,7 1 ,91:發光元件、22, 32, 52, 62, 73, 74, 82 檢測元件、23a :開孔、24a,33a :開縫、 構件、2 6 : P C基板、3 4 :透鏡、4 1 :免疫色譜 c,4 1 d :帶狀區域、42 :免疫色譜測試用具、 線、TL :測試線。 -49-

Claims (1)

  1. 200848714 十、申請專利範圍 1 · 一種免疫色譜試片之測定裝置,具備: 將測定光照射在免疫色譜試片上的一個或複數個光照 射部; 藉著對於上述免疫色譜試片上的第1位置之上述測定 光的照射,檢測從上述免疫色譜試片所獲得的光的第1光 檢測部; 藉著對於較上述免疫色譜試片上的上述第1位置下游 側的第2位置之上述測定光的照射來檢測從上述免疫色譜 試片所獲得的光的第2光檢測部;及 根據來自上述第1及第2光檢測部的輸出訊號,取得 上述第1位置的光學特性變化後到上述第2位置的光學特 性變化爲止的經過時間的控制部。 2·—種免疫色譜試片之測定裝置,具備: 將測定光照射在免疫色譜試片上的光照射部; 檢測藉著上述測定光的照射從上述免疫色譜試片所獲 得的光的光檢測部; 支撐上述免疫色譜試片的試片支撐部; 在上述免疫色譜試片的檢體流動方向使上述試片支撐 部與上述光檢測部相對移動的驅動機構;及 控制上述驅動機構的控制部, 上述控制部使上述試片支撐部與上述光檢測部相對移 動以檢測來自上述免疫色譜試片上第1位置的光之後,使 上述試片支撐部與上述光檢測部相對移動以檢測來自較上 -50- 200848714 述第1位置下游側之第2位置的光’並根據來自上述光檢 測部的輸出訊號,取得上述第1位置的光學特性變化後到 上述第2位置的光學特性變化爲止的經過時間。 3 . —種免疫色譜試片之測定裝置’具備: 將測定光照射在免疫色譜試片上的一個或複數個光照 射部; 檢測藉著對於上述免疫色譜試片上的第1位置之上述 測定光照射而來自於上述免疫色譜試片的反射光的第1光 檢測部; 檢測藉著對於較前述免疫色譜試片上的第1位置下游 側的第2位置之上述測定光照射而來自於上述免疫色譜試 片的反射光的第2光檢測部;及 根據來自上述第1及第2光檢測部的輸出訊號,取得 上述第1位置的吸光度變化後到上述第2位置的吸光度變 化爲止的經過時間的控制部。 4.如申請專利範圍第3項記載的免疫色譜試片之測定 裝置,其中,具備: 第1及第2的上述光照射部, 上述第1光檢測部是檢測根據上述第1光照射部所照 射的上述反射光, 上述第2光檢測部是檢測根據上述第2光照射部所照 射的上述反射光。 5 .如申請專利範圍第4項記載的免疫色譜試片之測定 裝置,其中,具備: -51 - 200848714 一體組裝有上述第1光照射部及上述第1光檢測部的 第1光學頭,及 一體組裝有上述第2光照射部及上述第2光檢測部的 第2光學頭, 上述第1及上述第2光學頭之中的至少一方具有覆蓋 上述測定光及上述反射光的光路的構件。 6·如申請專利範圍第5項記載的免疫色譜試片之測定 裝置,其中,上述第1光學頭與上述第2光學頭的間隔爲 可變。 7 ·如申請專利範圍第4項記載的免疫色譜試片之測定 裝置,其中,具備一體組裝有上述第1與第2光照射部, 及上述第1及第2光檢測部的光學頭, 上述光學頭具有覆蓋上述測定光及上述反射光的光路 的構件。 8 ·如申請專利範圍第4項至第7項中任一項記載的免 疫色譜試片之測疋裝置,其中,在上述第1光照射部媳滅 後點亮上述第2光照射部。 9 .如申請專利範圍第3項至第8項中任一項記載的免 疫色譜試片之測定裝置,其中,上述免疫色譜試片具有產 生檢體與抗原抗體反應的帶狀區域, 上述控制部在上述第1位置的吸光度變化後經過較上 述經過時間長的預定時間之後,取得上述帶狀區域的吸光 度。 1 〇 ·如申請專利範圍第9項記載的免疫色譜試片之測 -52- 200848714 定裝置,其中,更具備: 支撐上述免疫色譜試片的試片支撐部’及 藉著上述控制部的控制,使上述第1及第2光照射部 的一方或雙方與上述試片支撐部朝著上述免疫色譜試片的 檢體流動方向相對移動的驅動機構, 上述控制部在上述預定時間經過之後,將上述第1或 第2光照射部的上述測定光朝著上述檢體流動方向掃描使 上述測定光的照射位置通過上述帶狀區域。 1 1 ·如申請專利範圍第1 0項記載的免疫色譜試片之測 定裝置,其中,上述控制部使上述第2位置的吸光度變化 之後熄滅上述第2光照射部,隨後再度點亮進行上述預定 時間經過後的掃描。 12.—種免疫色譜試片之測定裝置,具備: 將測定光照射在免疫色譜試片上的光照射部; 檢測根據上述測定光的照射之來自上述免疫色譜試片 的反射光的光檢測部; 支撐上述免疫色譜試片的試片支撐部; 使上述試片支撐部與上述光檢測部在上述免疫色譜試 片的檢體流動方向相對移動的驅動機構;及 控制上述驅動機構的控制部, 上述控制部使上述試片支撐部與上述光檢測部相對移 動以檢測來自上述免疫色譜試片上的第1位置的前述反射 光之後,使上述試片支撐部與上述光檢測部相對移動以檢 測來自較上述第1位置下游側之第2位置的上述反射光, -53- 200848714 根據來自上述光檢測部的輸出訊號,取得上述第1位置的 吸光度變化後到上述第2位置的吸光度變化爲止的經過時 間。 1 3 .如申請專利範圍第1 2項記載的免疫色譜試片之測 定裝置,其中,具備一體組裝在上述光照射部及上述光檢 測部的光學頭, 上述驅動機構使上述試片支撐部與上述光學頭相對移 動。 1 4 .如申請專利範圍第1 2項或第1 3項記載的免疫色 譜試片之測定裝置,其中,上述免疫色譜試片具有產生檢 體與抗原抗體反應的帶狀區域, 上述控制部在上述第1位置的吸光度變化後經過較上 述經過時間長的預定時間之後,取得上述帶狀區域的吸光 度。 1 5 .如申請專利範圍第1 4項記載的免疫色譜試片之測 定裝置,其中,上述控制部在上述預定時間經過之後,使 上述光照射部的上述測定光朝著上述檢體流動方向進行掃 描使上述測定光的照射位置通過上述帶狀區域。 1 6 ·如申請專利範圍第1 5項記載的免疫色譜試片之測 定裝置,其中,上述控制部在上述第2位置的吸光度變化 後使上述光照射部熄滅,隨後再度點亮進行上述預定時間 後的掃描。 17·如申請專利範圍第3項或第12項記載的免疫色譜 試片之測定裝置,其中,上述免疫色譜試片具有產生第1 -54- 200848714 抗原抗體反應的第1帶狀區域,及設置在較上述第1帶狀 區域下游側產生第2抗原抗體反應的第2帶狀區域, 上述第1位置位在上述第1帶狀區域內,上述第2位 置位在上述第2帶狀區域內。 1 8 · —種免疫色譜試片之測定裝置,具備: 將測定光照射在免疫色譜試片上的一個或複數個光照 射部; 檢測對於上述免疫色譜試片上的第1位置之根據上述 測定光照射的來自上述免疫色譜試片的反射光或螢光的第 1光檢測部; 檢測對於上述免疫色譜試片上的較上述第1位置下游 側的第2位置的根據上述測定光照射之來自上述免疫色譜 試片的反射光或螢光的第2光檢測部;及 根據來自上述第1及第2光檢測部的輸出訊號,取得 上述第1位置的吸光度或螢光強度變化後到上述第2位置 的吸光度或螢光強度變化爲止的經過時間的控制部。 19.一種免疫色譜試片之測定裝置,具備: 將測定光照射在免疫色譜試片上的光照射部; 檢測根據上述測定光的照射的來自上述免疫色譜試片 的螢光的光檢測部; 支撐上述免疫色譜試片的試片支撐部; 使上述試片支撐部與上述光檢測部在上述免疫色譜試 片的檢體流動方向相對移動的驅動機構;及 控制上述驅動機構的控制部, -55- 200848714 上述控制部使上述試片支撐部與上述光檢測部相對移 動以檢測來自上述免疫色譜試片上的第1位置的上述螢光 之後,使上述試片支撐部與上述光檢測部相對移動以檢測 來自較上述第1位置下游側之上述第2位置的上述螢光, 根據來自上述光檢測部的輸出訊號,取得上述第1位置的 螢光強度變化後到上述第2位置的螢光強度變化爲止的經 過時間。 -56-
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