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TW200845803A - Organic el element and manufacturing method and valuation method of the same - Google Patents

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TW200845803A
TW200845803A TW097104150A TW97104150A TW200845803A TW 200845803 A TW200845803 A TW 200845803A TW 097104150 A TW097104150 A TW 097104150A TW 97104150 A TW97104150 A TW 97104150A TW 200845803 A TW200845803 A TW 200845803A
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
organic
substrate
light
liquid crystal
alignment film
Prior art date
Application number
TW097104150A
Other languages
English (en)
Inventor
Tomiki Ikeda
Motoi Kinoshita
Tomohiro Kobayashi
Kyoko Yamamoto
Shinya Tanaka
Fumihiro Sakano
Original Assignee
Sumitomo Chemical Co
Tokyo Inst Tech
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Sumitomo Chemical Co, Tokyo Inst Tech filed Critical Sumitomo Chemical Co
Publication of TW200845803A publication Critical patent/TW200845803A/zh

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Description

200845803 、九、發明說明: 【發明所屬之技術領域】 本發明係關於有機肛元件及^ EL元件之評估方法。 ”衣仏力法,以及有機 【先前技術】 有機電致發光元件(以 批 件。有機EL元件中,与、^為^机兀件)為發光元 陰極(此處,/# -夂抵 示成基板/陽極/發光層, _七 又不“為鄰接)。有機EL元件中,為了 * •求提高其發光效率,堂試 甲為了哥 θ忒將上述構造之發光層中所發出的 地取出至有機肛元件的外 出效率,已進行該嘗試的有機el元件 心 之於基板與陽極的界面配置有半球妝捭、# 鏡(microlens)的有機&元件。 有牛球狀试透 [專利文獻1]曰本特開2006-23683號公報 【發明内容】 [發明欲解決的課題] 然而,上述有機EL元件中,出你都祕 鏡之陽極之厚度I㈣— 接於半球狀微透 ^ 又…、忐均,該除極的導電性不充 機EL·元件的發光效率難挪#八 ^ ^ 充刀故有 ^ 丰難明充分。本發明之目的係接供i日 竿父於以往的有機EL元件,可接古&忠 ' 及其製造方法。 了—率之有機EL元件 【用於解決課題之手段】 本發明者仍為解決上述課題,反覆致 … 本發明。 九 叨元成 319928 5 200845803 ~ 亦即,本發明提供下述<1>至<8>的發明。 <1>、一種有機EL元件,係具有:至少含有液晶材料與色 素,並具有根據構成該液晶材料之液晶分子配向的折射走 分布,且該折射率分布係經固定化而成之層狀光學元件了 可見光可穿透之基板;由有機EL材料所成之發光層丨陰 極;及陽極。 <2>、陰極及陽極各自為層狀之上述有機EL元件。 、復具有配向膜,且該配向膜係與光學元件連接之上 •述有機EL元件。 <4>、層狀陽極係與光學元件連接之上述有機元件。 <5>、一種有機EL元件之製造方法,係依序包含以下(Αι)、 (A2)、(A3)及(A4)步驟: (A1)使用2個附有配向膜之基板(此處,至少i個基板為 可見光可穿透之基板),以各配向膜相對之方式配 置,在2個配向膜間挾持包含液晶材料與色素之聚 • 合性組成物,對該聚合性組成物照射光,使液晶材 料中的液晶分子配向,並進一步聚合且·固定化聚合 性組成物,而獲得液晶分子固定化層(光學元件)之 步驟; (A2)將1個附有配向膜之基板分離,而 件及配向膜之基板(惟,該基板為可見光可 板)之步驟; (A3)在該时光學元件及配向膜之基板中,於光學元件 側的面形成層狀陽極之步驟; 319928 6 200845803 _ (A4)於該層狀陽極的面依序形成由有機材料所成之發光 層、層狀陰極之步驟。 <6>、層狀陽極與可見光可穿透之基板連接之上述<3>之有 機EL元件。 <7>、一種有機EL元件之製造方法,依序包含以下(B1)、 (B2)、(B3)及(B4)步驟: (B1)使用2個附有配向膜之基板(此處,至少1個基板為 可見光可穿透之基板),以各配向膜相對之方式配 _ 置,在2個配向膜間挾持包含液晶材料與色素之聚 合性組成物,對該聚合性組成物照射光,使液晶材 料中的液晶分子配向,並進一步聚合且固定化聚合 性組成物,而獲得液晶分子固定化層(光學元件)之 步驟; (B2)將1個附有配向膜之基板分離,而獲得附有光學元 件及配向膜之基板(惟,該基板為可見光可穿透之基 ^ 板)之步驟; (B3)在該附有光學元件及配向膜之基板中,於基板側的 面形成層狀陽極之步驟; (B4)於該層狀陽極的面依序形成由有機材料所成之發光 層、層狀陰極之步驟。 <8>、一種有機EL元件之評估方法,係於設計上述<1>、 <2>、<3>、<4>或<6>之有機EL元件的構造時,使用光學 追 3從模擬(tracking simulation)。 [發明的效果] 7 319928 200845803 * 根據本發明,相趣於W 、 提高陽極導電性之有:二:,機此元件,可提供能 * p 有枝EL讀,該有機EL元件,其發光 效〒鬲,本發明於工業上極為有用。 【實施方式】 本發明之有機EL元件,係 與色素,並具有根攄槿杰分十s S有液日日材枓 鼾銮八太 成液日日材料之液晶分子配向的折 件二=折射率分布係經固定化而成之層狀光學元 :極=透一有機―成之發光層; 該作用,亦可不為層狀層的作用,只要能擔任 向膜:二=明之有機el元件復具有配向膜,且該配 ⑽兵先學讀以連接於製造面 係意指可誘發液晶分子之配向的膜。<土此處,配向艇 =次二具體說明構成本發明之有機el元 件。又,在以下叙述中,表示量比之 牛之先:二 特別限定否則皆為質量基準。 /〇」’除非 (光學元件) 且有二二學元件係至少含有液晶材料與色素,並 、 #成該以材料之液晶分子配向的折射去, 且該折射率分布係經固定化而成。再者二, 透鏡的光折射、集光等光學機能,其兩例面f牛具有 者。 田側面為平面之層狀 319928 8 200845803 .(色素) 逍常’在構成液晶材料之液晶分子的配向中,根據所 使用配向膜的種類,液晶分子係相對於配向膜而在水平方 向(homogenous配向)或垂直方向(h〇me〇tropic配向)配向, 但於本發明中,光學元件中除了液晶材料以外亦含有色 素。於該色素中,色素分子係藉由雷射光(偏光)等光的照 、 配白且依賴於該照射光的強度,而使色素分子變化 _ ^、配向方向。由於係以該色素分子的配向變化為基準,使 X色素刀子周圍的液晶分子配向,故依據該液晶分子的配 向而使光學元件具有折射率分布。再者,通常由於照射光 的強度為連續地變化,故上述的折射率分布亦成為連續變 ^的折射率分布。例如,於含有液晶材料及色素的系中, 當,成,晶材料之液晶分子的配向為垂直(h〇metr〇pic)配 向%,藉由照射雷射光(偏光),使色素分子對應於該光照 射而又化配向方向,並以該色素分子的配向變化為基準, _使忒色素分子周圍的液晶分子配向。具體而言,在受到較 強…、射光的部分中夜晶分子係從垂直配向變化成水平配 2t目對於此,在受到較弱照射光的部分中,該變化少。 、Ό衣為猎由上述光知、射,成為依據折射率分布之光學元 件。再者,只要可藉由上述光照射造成色素分子的配向, 則色素的種類即並無特別限制,例如,可列舉以下所述者。 (較適合的色素之例) 三嗟吩(terthiophene)系液晶性共輛色素。作為該色素 之色素分子,可列舉例如下述式所示者。 319928 9 200845803 .[化 i]
[化2]
= -oc4h9 =一 cooc4h9 =一N (C4H9) =一 CN ~ —no2 [化3]
R3, R4 = -〇4Η9 =-OC4H9 = -00004¾ = -N(C|H9)2 = -CN = -N〇2 (液晶材料) 根據l上述光照射之色素分子的配向,只要該色素 子周圍的液晶分子爲π 制 晶分子) m 為了配向’液晶材料的種類即盔特別 制,例如,可列舉以 “、、和別 之 (例不關於構成液晶材料 (較適合的液晶分子之例) 319928 10 200845803 [化4]
PCH506A A0PC3 A0T5 ^υ°-〇-〇03Η7ο- ^δΗπ (折射率分布的固定化) 上述光學元件中,复杯 化係只要藉由聚合即可二千分布係經固定化。該固定 必須具有聚合性、:。此:,於固定化前的系中, 性,除此〇卜,子或液晶分子亦可具有聚合 J』具有如下述之聚合性材料。再者,上 319928 11 200845803 向且同光艰合、熱聚合’以企圖保持液晶分子的配 向且同¥固疋化的觀點而言,較隹 取 則加熱時液晶相會變化,有益法;;:5。若為熱聚合, 況。若為光聚合二!:仔所圖之配向性的情 配向之液晶分子。對固糸’、、、射先,而固定化經 子配向之叔射: 照射光時,依據液晶分 速度。料光Itt的形成速度,係通常大於系固定化的 或近'二::::㈣了^ “素燈、氣燈、高燈等列舉金屬_化燈、白熾燈、 (聚合性材料) 料必彡 別限制。聚合性材 性者。作為取人疋化雨的系中’較佳為具有液晶 如材料’可列舉具有乙埽基之化合物,例 如,可列舉下述者。 例 (較適合的聚合性材料之例) k [化 5] (η—ί^Β)
CN (聚合性組成物) sp 本舍明中,聚合性組成物係意指上述之固定化前(亦 12 319928 200845803 .光照射前)的系。本發明中,作為聚合性組成物,較佳為如 下述之量比。 液晶材料:100份(基準) 色素:0.0001至10份(較佳為0.001至1份) 聚合性材料(使用時):1至1〇〇份(較佳為5至30份) (添加劑) 除了上述之外,必要時,於聚合性組成物中亦可添加 各種添加劑。作為添加劑,可列舉聚合起始劑等。作為聚 _合起始劑,可列舉光聚合起始劑,該起始劑只要為可藉由 紫外線等光照射而進行上述聚合反應者即可,例如,可列 舉苯乙酮(thioxanthone)化合物、二苯基酮化合物、苯偶因 化合物、苯偶因醚化合物、醯基膦氧化物化合物、嘆β頓酮 (thioxanthone)化合物等。該等化合物中已為市售者,例 如,可歹,J 舉「IRGACURE 184」、「IRGACURE 369」、 「IRGACURE 651」、「IRGACURE 907」、「IRGACURE 0 819」、「IRGACURE 2959」、「DAROCURE 1173」(任一者 皆為 Ciba Speciality Chemicals 公司製)、「KAYACURE BP」、「KAYACURE DETX-S」(任一者皆為日本化藥公司 製)、「ESACURE KIP 150」(Lamberti 公司製)、「S-121」 (Shinko技研公司製)、「SEIKUOL BEE」(精工化學公司 製)、「索魯百斯隆(音譯)BIPE」、「索魯百斯隆BIBE」(任 一者皆為黑金化成公司製)等。該等光聚合起始劑可單獨使 用,亦可2種以上併用。 (適合的聚合性組成物) 13 319928 200845803 - 本發明之聚合性組成物,例如,較佳為具有以下方式 之性質者。本發明中,聚合性組成物係於光照射時必須顯 示出向列液晶相(nematic liquid crystal phase)等液晶性。液 晶溫度範圍越廣越佳。由操作容易性的觀點而言,較佳為 於接近室溫(20。〇)表現液晶相者(液晶相的種類並無特別限 制)。更具體而言,例如較佳為於-5〇至5〇艺左右(更佳為 至4(TC左右)表現液晶相者。關於液晶及相的鑑定,必要 時可參考「液晶便覽」,第i至448頁,液晶便覽編輯委員 參會編(丸善,2000年)。 (適合的光學元件特性) 本發明中之光學元件,較佳為具有以下至(3)之物性 的情況。 (1)全光線穿透率 光學元件中之全光線穿透率較佳為7〇%以上,更較佳 為80%以上。 I (2)表面的平坦性 本發明中,光學元件的兩側面為平面,其表面的中心 線平均粗細(Ra)較佳為100nm以下,更佳為5〇nm以 (3)厚度 光學兀件的厚度較佳為5mm以下,更佳為⑽以下, 又更佳為1 mm以下。 其次’具體說明構成本發明之有機EL元件之發光層。 本發明中,作為發光層,可列舉以下之構造者。χ θ (發光層之例示) 319928 14 200845803 a) 有機發光層 b) 電洞輸送層/有機發光層 c) 有機發光層/電子輸送層 d) 電洞輸送層/有機發光層/電子輪送層 e) 電荷注入層/有機發光層 f) 有機發光層/電荷注入層 g) 電荷注入層/有機發光層/電荷注入層
h) 電荷注入層/電洞輸送層/有機發光層 〇電洞輸送層/有機發光層/電荷注入層 =入電洞輸送層/有機發光軸.注入層 )电何注入層/有機發光層/電荷輪送層 有機發光層/電子輸送層/電荷注入層 -)電荷注入層/有機發光層/電子輪送;/電荷注入, 入層,電两輪送層/有機發光層/電荷輪闕 層/有機發光層/電子輪送層/電荷注入^ 入層/電洞輪送層/有機發光層/電 T ^述之表示各層為鄰接。再者,本發明卜^ 材料為構成上述各層之材料 料。關沐姑垃H J Κ州合言所習知纪 關於該寸讨料,必要時可參考 任靜夫、安料波矢 成16年刊,第!版第姆有限公司, 敏博、小山… )兩分子EL材料」(大 發行)等。再者,可適宜上:、夂:年刊,勒版第1 口又疋上述各層的厚度,一般為1! 319928 15 200845803 、 至300nm,較佳為5至1 OOnm左右。 (有機發光層之例示) 特別是在上述中,作為構成必要之有機發光層的材 料,可為低分子化合物亦可為高分子化合物。低分子化合 物方面,可例示萘衍生物、蒽或其衍生物、茈或其衍生物、 聚甲炔(polymethine)系、咕嘲(xanthene)系、香豆素系、花 菁(cyanine)系等色素類、8-羥基喹|或其衍生物之金屬錯 合物、芳香族胺、四苯基環戊二烯或其衍生物、或四苯基 審丁二烯或其衍生物等。高分子化合物方面,可例示聚烯烴、 其衍生物及共聚物;聚伸芳基、其衍生物及共聚物;聚伸 芳基伸乙烯基、其衍生物及共聚物;芳香族胺及其衍生物 之(共)聚合物。再者,亦可使用以銥作為中心金屬之 Ir(ppy)3、Btp2Ir(acac);以翻作為中心金屬之PtOEP ;以鎖 作為中心金屬之Eu(TTA)3phen等可顯示三重態發光的材 料。 0 (陽極/發光層/陰極的構造) 本發明中,陽極及陰極為層狀時,陽極/發光層/陰極 的構造,具體而言,成為如下述之方式。 a) 陽極/有機發光層/陰極 b) 陽極/電洞輸送層/有機發光層/陰極 c) 陽極/有機發光層/電子輸送層/陰極 d) 陽極/電洞輸送層/有機發光層/電子輸送層/陰極 e) 陽極/電荷注入層/有機發光層/陰極 f) 陽極/有機發光層/電荷注入層/陰極 16 319928 200845803 荷注入層/有機發光層/電荷注入層/陰極 咖/電荷注入層/電洞輸送層/有機發光層/陰極 〇陽極/電洞輪送層/有機發光層/電荷注入層/陰極 j) 陽極/電荷注入屏/ + , 陰極 s电洞輸达層^機發光層/電荷注入層/ k) 陽極/電何注入層/有機發光層/電荷輸送層/陰極 l) 陽極/有機發光層/電子輸送層/電荷注入層沪極 電荷注人物機發光層/電子輪送輯荷注入層/ 電荷注人層/電洞輸送層/有機發光層/電荷輸送層/ 〇=/電洞輸送树機發光請子輪制/電荷注入層/ p) = /電荷注入層/電洞輸送層/有機發 声 電荷注入層/陰極 包卞掏迗層/ 料,可上二之二=為鄰接侧^ 以使4/tr 材料。再者,使用電荷注入層時, …了/人奋易為目的,於陽極/電荷注入層或 入層/陰極的界面,設置由金屬氣 =可/ 絕緣材料等所成之約10nm以下的絕緣;屬:化物或有機 該絕緣層視為電荷注入層的—部分。g —、本發明中’ 再者,上述a)至P)中,就更加提高發光效 較佳構造為g)、j)、m)、p)的構造。 喊站, (陽極) 319928 17 200845803 朽的料 極必須為透明或半透明。作為該陽 t =料’可列舉導電性的金屬氧化物膜、半透明的全屬 厚腰寸。具體而言’作為材料可例示氧化銦、氧化餘 化錫二銦·錫·氧化物(汀0)、銦·鋅·氧化物、金:鉑: ::銅寺’較佳為IT〇、銦·鋅·氧化物、氧化錫。再者, 作為層狀陽極,亦可使用聚苯胺或其衍生物 f生物等有機透明導電膜。層狀陽極的厚度,雖可 牙透性與導電性而適宜設定,—般為1〇細至1()心左^, =為2Gnm至! " m左右,更佳為5()nm至卿細左右。 成方法,可列舉真空蒸鍍法、錢鑛法 法、電鍍法等。 復 (陰極) 本备明中’作為層狀陰極的材料,例如,可為鎖、鈣、 =鎮或鎮/銀合金等金屬或其氧化物以及再於該等金屬形 、名、銀、鉻等之多層構造。再者,此種層狀陰極的厚度, 參雖可適宜設定,但較佳為3至5〇nm左右。 (基板) 本發明中,作為基板,必須為可見光可穿透者,例如 =不破璃、塑膠、高分子膜、⑦基體(基板)等。基板的 旱:雖可根據所製得有機EL元件的用途(顯示器、照明、 可凡性顯示器等)而有所差異,但通常為50_至2mm左 右。 其次,作為本發明之有機EL元件的製造方法,以下 既明具有配向膜且該配向膜係與光學元件連接並且層狀陽 319928 18 200845803 -極係與光學元件連接時的有機EL元件的製造方法的例子。 上述有機EL元件,可藉由依序包含以下的(A1)、 (A2)、(A3)及(A4)的步驟而製造: (A1)使用2個附有配向膜之基板(此處,至少1個基 板為可見光可牙透之基板),以各配向膜相對之方式配置, 在2個配向膜間挾持含有液晶材料與色素之聚合性組成 物,對該聚合性組成物照射光,使液晶材料中的液晶分子 配向,並進一步聚合且固定化聚合性組成物,而獲得液晶 響分子固定化層(光學元件)之步驟; 一 (A2)將1個附有配向膜之基板分離,而獲得附有光學 凡件及配向膜之基板(惟,該基板為可見光可穿透之基板) 之步驟; (A3)在該附有光學元件及配向膜之基板中,於光學元 •件側的面形成層狀陽極之步驟; (A4)於該層狀陽極的面,依序形成由有機材料所成之 ⑩發光層、層狀陰極之步驟。 在步驟(A1)之附有配向膜之基板中,配向膜係意指可 謗發液晶分子配向之膜,且經載置於基板。使用2個該附 有配向膜之基板’而至少1個基板為可見光可穿透之基 板再者,本發明中,作為配向膜,亦可2個皆使用可誘 1又液日日刀子之垂直配向(液晶分子相對於配向膜係配向於 垂直方向之配向)的配向膜(以下,亦稱為垂直配向膜),而 選擇可見光可穿透之配向膜。 步驟(A1)中,使用2個上述之附有配向膜之基板,以 319928 19 200845803 -f配向膜相對之方式配置,於2個配向膜間,挾持包含液 曰曰材料與色素之上述的聚合性組成物。該挾持手法之例, 可列舉以下之手法(I)及(II)。 (I)使用2個附有配向膜之基板,以配向膜成為相對之方 式,經由粒徑經調控之珠粒等間隔物而貼合,並紐裝 為單元(cell)(第1圖申的⑴),在常壓或真空下於該單 元内注入聚合性組成物(第i圖中的(Η))的方法。: _ 時,間隔物亦可使用密封劑(sealant)令所含之物。再 者,間隔物於配向膜上亦可配置為框狀。此時之示音 圖係示於第1圖。 ^ (π)在一方之附有配向膜之基板的配向膜的表面塗布聚合 性組成物,使另一方的附有配向膜之基板的配向膜貼 合於經塗布聚合性組成物的表面的方法。此時,從所 獲得之液晶分子固定化層(光學元件)的層厚調控為均 一的觀點而言,貼合時或塗布聚合性組成物時,亦可 鲁 使用粒徑經調控之珠粒等作為間隔物。間隔物可於涂 布聚合性組成物前散佈於其中之一個配向膜,亦可: 聚合性組成物混合後使用。 〜 ,可使用玻璃纖維、
卜上述手法(I)及(II)中,作為間隔物,可使用天 氧化矽粒子、苯乙 i〇〇 至 200 個/mm2 上述方式中,於2個配向膜間挾持包含液 素之上述聚合性組成物,將聚厶祕知士:> 319928 20 200845803 向成垂直配向。該聚合性組成物照射雷射光(偏光)等光, 使聚合性組成物具有折射率分布,進一步地,聚合且固定 化♦合性組成物,獲得液晶分子固定化層(光學元件)。聚 合且固定化聚合性組成物時,亦可照射金屬齒化燈、白織 4、鹵I燈、氤燈、高壓水銀燈等的光。 步驟(Α2)中,將i個附有配向膜之基板分離,獲得附 有光學元件及配向膜之基板(惟,該基板為可見光可穿透之 基板)。此時之示意圖係示於第2圖。再者,本發明之有機 L元件中,不使用配向膜的情況下,首先僅獲得光學元 件,再將其載置於例如可見光可穿透之基板等而使用。 步驟(A3)中,於上述附有光學元件及配向膜之基板 中丄於光學元件側的面形成層狀陽極。此時之示意圖係示 於第3圖。本發明中,光學元件其兩侧為平面,於光學元 件側的面形成層狀陽極時,陽極的厚度成為均__,可提= =極的導電性。再者,使用IT〇作為陽極材料時,通常回 鲁糟由濺鍍而形成層狀陽極。 步驟(Α4)中,於上述層狀陽極的面,依序形成由有機 Η:材料所成之發光層、及層狀陰極。此時之示意圖係示於 弟4圖。作為該發光層,使用上述各層,將構成該等各層 之㈣藉由真空蒸鍍、團簇蒸鏡⑽咖depQsiticm)、分; 束蒸鍍、塗佈(coating)、印刷法等形成方法而形成。再者 料層狀陰極’將上述材料藉由真空蒸錢法、缝法或敎 壓合金屬薄膜之層合法而形成。形成發光層、層狀陰極時: 可根據材料的性質而適宜選擇形成方法。 319928 21 200845803 . 再者,作為本發明之有機EL元件之製造方法,以下 說明具有配向膜且該配向膜與光學元件連接並且層狀陽極 與可見光可穿透之基板連接時的有機EL元件的製造方法 之例。 上述有機EL元件可藉由依序包含以下(B1)、(B2)、(B3) 及(B4)步驟而製造: (B1)使用2個附有配向膜之基板(此處,至少1個基 板為可見光可穿透之基板),以各配向膜相對之方式配置, _在2個配向膜間挾持包含液晶材料與色素之聚合性組成 物’對該聚合性組成物照射光’配向液晶材料中的液晶分 子,進一步聚合且固定化聚合性組成物,而獲得液晶分子 固定化層(光學元件)之步驟; (B2)將1個附有配向膜之基板分離,而獲得附有光學 元件及配向膜之基板(惟,該基板為可見光可穿透之基板) 之步驟; ^ (B3)在該附有光學元件及配向膜之基板中,於基板侧 的面形成層狀陽極之步驟; (B4)於該層狀陽極的面依序形成由有機材料所成之 發光層、層狀陰極之步驟。 步驟(B1)、步驟(B2)分別與步驟(A1)、步驟(A2)相同。 步驟(B3)中,對於(B2)之附有光學元件及配向膜之基板, 於基板側的面形成層狀陽極。此時之示意圖係示於第5 圖。使用ITO作為陽極材料時,通常,藉由藏鍍法形成層 狀陽極。 22 319928 200845803 ' 步驟(B4)中’於該層狀陽極的面,依序形 料所成之發光層、層狀陰極。此示 :成由有機材 除此之外,與步驟㈣相同。〜圖係-於第6圖。 再者,步驟(B1)中,在附有 見光可穿透之基板之附有配向膜之㈣==令’於可 有1™等陽極材料之情況下,可省略步驟(B3)形成 步驟(A4)、步驟(B4)中,形成陰極 材密封而獲得有機扯元件。密封時,必須先HI讀 極各自的-部分可與外部電 頁先使龄禋、陰 與陽極、陰極各自電性連接,=接’ M由將外部電源 f連接而使有機EL元件發光。
再者,將本發明之有冑E 並評估之方法,光學追縱模擬pi牛的構=更具體地設計 根據幾何0 F n光學追縱模擬係 _ ^ Γ 維法(Monte Cad。d)的機率 擬對象之模型的各構成部材之形狀= 卞、界面的反射特性予以設定 卜 ㈣ 的光線追料者的穿透 *77 Η所發生 為止。設計本發明之有機EL :硬至充分地收集到結果 學追蹤H ^ ^ ^ ^ 70件的構造時,藉由使用光 子^拉挺,使本發明之有 板、陽極等構成層 轉中之先學凡件、基 更為適合,而使可更^及光學元件中之折射率分布 本發明之評估方之::成=藉:使用依據 :::二_ 先二::== 咖、射位置等製造條件之下,可製造可更為提高發 319928 23 200845803 > 光效率之有機EL元件。 以下,藉由實施例更具體說明本發明。 [實施例] (光學元件的製作) 作為液晶分子較佳為具有丙晞酸酯基的液晶分子,其 中,使用A0PC3及A0T5,調製其各別之莫耳比為〇·54:〇,46 之液晶材料1莫耳,添加對上述液晶材料為〇1莫耳%之 ‘乍為色素較佳之液晶性寡噻吩衍生物(使用上述[化〗]的式 書中,R〜CnHn+1、η=5所表示之化合物)、以及對上述液晶 材料為1莫耳%之光聚合起始劑IRGACURE 184,而獲得 聚^性組成物。使甩卵磷脂作為配向膜(誘發垂直配向之= 向膜)’如第1圖之方式組裝單元(基板係兩者皆為可見光 可穿透之玻璃基板),以各向同性相(is〇tr〇pic phase)温度 (聚合性組成物為液體狀態)封入該聚合性組成物,之後, ,杈,卻至室溫為止,而調製液晶分子經垂直配向之樣 響:。使用波長364nm之Ar離子雷射以2.lw/cm2照射該樣 口口’、誘發折射率分布(此時,於雷射照射位置亦進行聚合性 組成物之固定化)。於偏移f射照射點的情況下,重複騎 誘發上述折射率分布的操作,最後,於其一面使用高壓水 :=6議的亮線以5WW照射10則 使全體固定化,獲得光學 、 予兀件1。其後,分離1個附有配 向膜之基板’獲得附有杏基 件1及配向膜之基板(參照第 2圖)。先學兀件丨的表面平坦。 實施例1 319928 24 200845803 - 於製造例1所驊俨a 的光學元件Η則有光學元件1及配向膜之基板 得之陽極(透明電極)二將ΙΤ〇材料成膜所獲 極表面形成發光層、的層狀陽極’再於陽 層狀陰極(麥照弟4圖),可獲得光取 出效千同、發光效率高之有機EL元件。 實施例2 的被例1所獲得之光學元件1及附有配向膜之基板 土反=的表面’藉由敗鑛法將1τ〇材料成膜所獲得 丄虽(透明電極)係成為導電性高的層狀陽極,再於陽極 2衣面形成發光層、層狀陰極(參照第6圖),可獲得光取 出效率尚、發光效率高之有機EL元件。 貫施例3 (光學元件的製作) 作為液日日刀子較佳為具有丙烯酸酯基的液晶分子,其 中,使用 A0PC3、AOTs 贫 τχ^ ^ 5及PCH-5,調製其各別之莫耳比 二:·43”70·20之液晶材/料1莫耳,添加對上述液晶材 人'、為0.1莫耳%之作為色素較佳之液晶性寡嗟吩衍生物(使 用上述[化3]的式中,R3=_CnHn+i、κΗη+ι、n=4所表 丁之化口物)、以及對上述液晶材料為〇,5莫耳%之光聚合 起始劑IRGACURE 184,而獲得聚合性組成物。使用印磷 月旨作為配向膜(誘發垂直配向之配向膜),如第ι圖之方式 組裝單W基板係兩者皆為可見光可穿透之玻璃基板),以 各向同性相温度(聚合性組成物為液體狀態)封入該聚合性 成物《後,緩冷部至室温為止,而調製液晶分子經 319928 25 200845803 — 垂直配向之樣品。使用波長364nm之Ar離子雷射以 4W/cm2照射該樣品,誘發折射率分布(此時,於雷射照射 位置亦進行聚合性組成物之固定化)。在一邊照射此雷射一 邊偏移照射點後,隶後’使用南壓水銀燈之366ηπι的免線 以5W/cm2照射一面10分鐘,藉由光聚合使全體固定化, 獲得光學元件2。其後,分離1個附有配向膜之基板,獲 得附有光學元件2及配向膜之基板(參照第2圖)。光學元 件2的表面為平坦。 _ (發光元件的製作) 使用上述光學元件2,製作如第7圖所示之發光.元件 2,進行光致發光(photoluminescence)評估(以下,亦稱為PL 評估)。PL評估中,使用含有紅螢稀(rubrene)之聚曱基丙稀 酸甲酯(PMMA)作為發光層(相對於PMMA,含有紅螢烯5 莫耳%)。使用第8圖概略地顯示的發光評估裝置(以下,亦 稱為PL評估裝置),於發光元件2之發光層照射488nm之 Ar離子雷射,測定發光強度(發光波長550nm之強度)時, 相對於後述比較例1之發光元件4之發光強度,可確認發光 強度變大(第9圖)。由此可知,使用光學元件2,使用由有 機EL材料所成之發光層代替含有紅螢烯之聚曱基丙烯酸曱 酯(PMMA),如第4圖之方式操作而製造有機EL元件,即 可獲得光取出率高、發光效率高之有機EL元件。 實施例4 (光學元件的製作) 於實施例3中,在液晶分子經垂直配向之樣品以 26 319928 200845803 _ 8W/cm2照射波長364nm的Ar離子雷射,除此之外以與實 施例3相同之方法,獲得光學元件3。之後,分離1個附 有配向膜之基板,獲得附有光學元件3及配向膜之基板(參 照第2圖)。光學元件3的表面為平坦。 (發光元件的製作) 使用上述光學元件3,製作如第7圖所示之發光元件 3,進行PL評估。PL評估中,使用含有紅螢烯(rubrene) 之聚甲基丙烯酸曱酯(PMMA)作為發光層(相對於PMMA, _含有紅螢烯5莫耳%)。使用第8圖概略地顯示的PL評估 裝置,於發光元件3之發光層照射488nm之Ar離子雷射, 測定發光強度(發光波長550nm之強度)時,相對於後述比 較例1之發光元件4之發光強度,可確認發光強度變大(第 9圖)。由此可知,使用光學元件3,使用由有機EL材料 所成之發光層代替含有紅螢烯之聚甲基丙烯酸曱酯 (PMMA),如第4圖之方式操作而製造有機EL元件,即可 A獲得光取出率高、發光效率高之有機EL元件。 又,第8圖中,ND表示Neutral density filter (中性過 濾器),WP 表示 Half-wavelength plate(半波長板),DEQ 表 示Depolarizer(去極器),Ar离隹子雷射(Ar+ laser)為λ =488nm、23mW/cm2。 比較例1 (光學元件的製作) 貫施例3中5在液晶分子經垂直配向之板品5不照射 Ar離子雷射’且使用南堡水銀燈之366nm的免線以 27 319928 200845803 、 ^ Y、、射面10分鐘,除此之外以與實施例3相同之 △ ‘ 2知光争元件4。之後,分離1個附有配向膜之基 板^仔附有光學元件4及配向膜之基板(參照第2圖)。 光學儿件4的表面為平坦。 (發光元件的製作) 、使用上述光學元件4,製作如第7圖所示之發光元件 取進仃PL广估。PL評估中,使用含有紅螢烯(rubrene) _ 曱基丙烯酸甲酯(PMMA)作為發光層(相對於PMMA, 含有紅螢烯5莫耳%)。使用第8圖概略地顯示的pL呼估 裝,,於發光元件4之發光層照射48gnm^Ar離子雷射, 測定毛光強度(發光波長55〇nm之強度 發先元件…之發先強度,發光強度為小(第V圖二 =可知,使用光學元件4’使用由有機EL材料所成之發光 运代替含有紅螢烯之聚甲基丙烯酸fg|(pMMA),如第* 圖之方式操作而製造有機EL元件,即成為光取出率低、 _發光效率亦低之有機El元件。 —比較例2 作為有機EL元件,設定第1〇圖之長方體模型,對其 進行光線追蹤模擬。於該光線追蹤模擬中,所使用的軟體 ^ Lamda Research公司的丁recePr〇(商品名)。於第1〇圖之 模型中,發光層60發出的光係通過陽極50、基板n,從 光射出面80射出至有機EL元件的外部。發光層6〇所^ 出的光為具有對射出方向之朗伯分布(Lambe出犯 如灿此㈣(滿足朗伯餘弦定律(Lambmis e〇sine 319928 28 200845803 有機5〇進入基板U的光線數設為200萬條,於 部’除去先射出面-,作為完全反射面 消失者。^ fΛ於有機E L元件内部的光係認定為已 寬产。及 叹疋土板11的厚度s為刪#m、元件 、陽極厚度再者 -疋基板的折射率為h5、陽極的折 2 者’ 擬,於第13圖顯示從夯射φ 、、、 错由該模 角依賴性的研究、結果。、所射出的光的能量之光射出 實施例5 =有機EL元件,設定第u圖的長方體之 比較例2之第1〇圖的模型 、代, =光線追蹤模擬。於第”圖: 極5。與基板„之間,具儀光學元件* 中, 之上方投影圖係示於第'12 予兀件40 圓柱狀的折射率分布部。於該第具有 ^分布中,折射率分布係從中心朝 =折 =使中心的折射率為-折射率分布部的 率為M。再者’使料元件4G中之折射率分布^:射 =分的折射率為L5,折射率分布部的直徑為⑽卜2 +元件4〇中之折射率分布部與折 :光 的最短長度為^,光學元件側面與折射率:的間隙 的間隙最短長度為10心。再者,設定具板^布敎間 =17°〜、光學元件的厚度a為元件:1二S 及深度。為_㈣、陽極厚度5為2〇〇_。再者= 定c 319928 29 200845803 藉由該模擬, 量之光射出角 為,1.5、陽極的折射率為2.。。 依:性光射“所射㈣光的能 ίΜΜΛ 與實施例5相同地操作 為有機EL元件,進扞U圖之長方體模型作 的差異點為於實施例6:“例5與貫施例6 的中心的折射率為2 0 ^ ^ 〇中之折射率分布部 卞马2.0。错由該模擬, 一 射出面所射出的光的能量 、弟13圖頦示從光 4Ρ Mm m 先射出角依賴性的研究結果。 根據弟13圖,射出角為_9〇。 矛 能量的積分值,若以比較例2的情況當 ::情況為1:7’實施例⑽況為3.5而為大= :二件:其具有折射率分布部)之有機虹元件,相較: :料疋件之情況,能射出大量的光能量。再者,'可知; =㈣模擬係作為更具體地設計本發明之有機扯元3 的構造而評估之方法,為非常地有用。 牛 【圖式簡單說明】 第1圖為表示於2個配向膜間挾持聚合性組成 去之一例之圖。 第2圖為關於本發明之步驟(A2)之示意圖。 第3圖為關於本發明之步驟(A3)之示意圖。 第4圖為關於本發明之步驟(A4)之示意圖。 第5圖為關於本發明之步驟(B3)之示意圖.。 第6圖為關於本發明之步驟(B4)之示意圖。 319928 30 200845803 - 第7圖為發光元件之示意圖。 弟8圖為表示發光开> 第9ΗΛ矣-气 ,_Γ 光評估裝置之示意圖。 罘9圖為表不發光元件 ^ 1Π ^ ^ , 讦之I先坪估結果之圖。 弟圖為光學追縱模擬中之—圖 (比較例2)。 L兀件之不忌Θ 弟11圖為光學追縱模縣φ (實施例5、6)。 k迪中之有機EL元件之示意圖 影圖Γ。^為貝_ 5、6中之光學元件之示意圖(上方投 第13圖為表示射出光的 s 由兀日7此里之先射出角依賴性之結 禾圔0 【主要元件符號說明】 10 附有配向膜之基板1 11 12 21 30 40 50 70 90 b DEQ s 基板1(可見光可穿透之基板) 配向膜 20附有配向膜之基板2 基板2 22 配向膜 框狀配置之間隔物(密封劑) 液晶分子固定化層(光學元件) 陽極 60 發光層 光射出面 光學元件的厚度 元件的寬度、深度 中性過濾器 半波長板 陰極 80 a c
折射率分布部 陽極的厚度 去極器 ND
基板的厚度 WP 319928 31

Claims (1)

  1. 200845803 ^十、申請專利範圍: 1· 一種有機EL元件,係具有··至少含有液晶材料與色素, 並具有依據構成該液晶材料之液晶分子配向的折射率 分布,且該折射率分布係經固定化而成之層狀光學元 件,可見光可穿透之基板;由有機EL材料所成之發光 層,陰極,及陽極。 2.如申請專利範圍第!項之有機£1元件,-其中,該陰極 及陽極各自為層狀。 P • 3.如申請專利範圍第2項之有機虹元件,復具有配向膜, 且該配向膜係與光學元件連接。 、 4.如申請專利範圍第3項之有機EL元件,其中,該層狀 陽極係與光學元件連接。 曰 5. -種有機EL元件之製造方法,係依序包含以下⑽ (Α·2)、(A3)及(A4)步驟:
    (Α2)將1個附有配向膜 光學元件及配向膜之基板(惟 之基板)之步驟; (Α1)使用2個附有配向膜之基板(此處,至少1個 基板為可見光可穿透之基板)’以各配向膜相對之方式 配置’在2個配向膜間挾持包含液晶材料與色素之聚合 性組成物,對該聚合性組成物照射光,使液晶材料中二 液晶:子配向,並進一步聚合且固定化聚合性組成物, 而獲付液晶分子固定化層(光學元件)之步驟丨 之基板分離,而獲得附有 ,該基板為可見光可穿透 ,於光 (A3)在該附有光學元件及酉己向膜之基板中 319928 32 200845803 " 學元件侧的面形成層狀陽極之步驟; (A4)於該層狀陽極的面依序形成 之發光層、層狀陰極之步驟。成由有機材料所成 6.如申請專利範圍第3項之有機El元件,其中,= 陽極係與可見光可穿透之基板連接。一該層狀 入一種有機EL·元件之製造方法,係依序包含以 (B2)、(B3)及(B4)步驟: 1 )、 (B1)使用2個附有配向膜之基板(此處, 基板為可見光可穿透之基板),以各配向膜相對之方= 配置,在2個配向膜間挟持包含液晶材料與色素之取二 性組成物,對該聚合性組成物照射光,使液晶材料= 液晶分子配向,並進—步聚合且固定化聚合性組成物, 而獲得液晶分子固定化層(光學元件)之步驟; (B2)將丨個附有配向膜之基板分離,而獲得附有 先學几件及配向膜之基板(惟,該基板為可見光可穿透 之基板)之步驟; (B3)在該附有光學元件及配向膜之基板中,於基 板側的面形成層狀陽極之步驟; ^ (B4)於該層狀陽極的面依序形成由有機材料所成 之發光層、層狀陰極之步驟。 8.:種有機紅元件之評估方法,係於設計”專利範圍 弟卜2、3、4或6項之有機肛元件的構造時,使用光 學追蹤模擬(tracer simulation)。 319928 33
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