200839865 九、發明說明 【發明所屬之技術領域】 本發明關於半導體裝置之製造方法，例如適用於提升 Si與SiGe之蝕刻時之選擇比的方法。 【先前技術】 習知形成於S Ο I基板上的場效電晶體，在元件分離之 谷易性、問鎖放大自由度、源極/汲極接合容量較小等觀 點而論’其之有用性被注目。特別是，完全空泛型S Q I電 晶體’可以低消費電力、且高速動作，低電壓驅動容易， 因此SOI電晶體以完全空泛型模態動作之硏究被熱烈進行 。其中，非專利文獻1揭示，在本體（b u 1 k )基板上形成 SOI層，而以低成本形成SOI電晶體之方法（亦即SBSI 法）。於該非專利文獻1揭示之S B SI法中，係於砂（s i )基板上形成Si/SiGe層，利用Si與SiGe之融刻速率 差，僅選擇性除去S i G e層，據此而於S i基板與S i層之 間形成空洞部。對露出空洞部內之Si進行熱氧化處，於 S i基板與S i層之間塡埋S i Ο層，於S i基板與S i層之間 形成Β Ο X層。 非專利文獻 1 : T.Sakai et al. “Separation by BondingSi Islands (SBSI) for LSI Application”，Second International SiGe Technology and Device Meeting, Meeting Abstract，pp.23 0-23 1 , May (2004) 200839865 【發明內容】 (發明所欲解決之課題） 但是，習知SBSI法中，由Si/SiGe/Si構成之積 構造之中、僅選擇性蝕刻SiGe時若繼續長時間之蝕刻 SiGe層相對於Si層之蝕刻選擇比劣化之問題存在。因 ，SiGe除去時，Si層之鈾刻意外地被進行，而導致穩 形狀與均勻膜厚所形成之大面積SOI層，或者各種形狀 形成之SOI層，無法以良好良品率被形成之問題存在。 本發明有鑑於上述問題，目的在於提供一種蝕 SiGe層時，可防止Si層之增速蝕刻的半導體裝置之製 方法。 (用以解決課題的手段） 本發明人針對氟硝酸對SiGe之選擇蝕刻進行各種 驗，結果發現，於上述選擇蝕刻，以SiGe爲陽極、Si 陰極之功能，藉由以下（1)式之電化學反應除去SiGe 選擇飩刻機制。
Si(Ge) + HN〇3 + 6HF— H2Si(Ge)F6 + HN〇2 + H20 + H2 ( 1 本發明人由該（1 )式推斷出，於氟硝酸溶液進 SiGe之長時間蝕刻時產生亞硝酸，該亞硝酸濃度之增 使S i區域不僅作爲陰極、亦作爲陽極之功能，S i之蝕 被增速、亦即鈾刻選擇比之劣化開始。另外，本發明人 斷出，SB SI法形成之空洞部，其底面至天井爲止之高 較小，而且存在深度，導致亞硝酸或蝕刻產生物（Si ( 層 5 此 定 所 刻 造 實 爲 之 行 高 刻 推 度 Ge -6 - 200839865 )氟化物）朝空洞部外之擴散變慢，基於此一理由，空洞 部內之HF濃度下降，亞硝酸濃度或鈾刻產生物濃度容易 變高。又’依本發明人進行之實驗，於氟硝酸溶液中進行 SiGe層之長時間連續蝕刻時，0虫刻開始後超過2〜3分鐘 起’ SiGe與Si之蝕刻選擇比急速劣化。本發明係基於此 一發現而成者。 本發明之半導體裝置之製造方法之一，其特徵爲包含 :於基板上形成SiGe層的工程；於上述SiGe上形成Si 層的工程；對上述Si層及上述SiGe層進行一部分蝕刻， 形成溝而露出上述SiGe層之側面的工程；及介由上述溝 進行上述SiGe層之蝕刻，而於上述基板與上述Si層之間 形成空洞部的工程；於形成上述空洞部的工程中，係對上 述基板供給由新液構成之氟硝酸溶液進行上述SiGe層之 蝕刻形成上述空洞部之一部分，接著，由形成途中之上述 空洞部內暫時除去氟硝酸溶液，之後，對被除去氟硝酸溶 液的上述空洞部內再度供給由新液構成之氟硝酸溶液進行 上述S i G e層之蝕刻。 其中，「新液構成之氟硝酸溶液」係指亞硝酸產生前 (或亞硝酸濃度極低）之氟硝酸溶液，相當於例如SiGe 層之鈾刻處理中一次均未曾使用過的未使用液。又，即使 是SiGe層之蝕刻處理中使用過一次或多數次之液，若其 對Si層之鈾刻速率和上述未使用液爲相同程度之低溶液 (亦即未呈劣化之溶液），則其亦相當於「新液構成之氟 硝酸溶液」。 -7- 200839865 依該半導體裝置之製造方法，在形成中途之空洞部內 亞硝酸濃度增高之前，可對該空洞部內供給新液構成之氟 硝酸溶液，空洞部內之亞硝酸或蝕刻產生物經常可以抑制 於一定濃度以下，因此，可防止面臨空洞部之Si層之增 速鈾刻。 又，本發明之半導體裝置之製造方法之一，其特徵爲 包含：於基板上形成S i G e層的工程；於上述s i G e上形成 S i層的工程；對上述S i層及上述S i G e層進行一部分蝕刻 ，形成溝而露出上述S i G e層之側面的工程；及介由上述 溝進行上述Si Ge層之蝕刻，而於上述基板與上述Si層之 間形成空洞部的工程；於形成上述空洞部的工程中，係旋 轉上述基板之同時，由噴嘴朝上述基板以間歇式供給新液 構成之氟硝酸溶液而進行上述S i G e層之蝕刻。 依該半導體裝置之製造方法，在形成中途之空洞部內 亞硝酸濃度增高之前，可由空洞部內暫時除去氟硝酸溶液 ，之後，對該空洞部內再度供給新液構成之氟硝酸溶液， 而進行SiGe層之蝕刻。因此，於空洞部內亞硝酸或蝕刻 產生物經常可以抑制於一定濃度以下，因此，可防止面臨 空洞部之S i層之增速蝕刻。 又，本發明之半導體裝置之製造方法之一，係由上述 噴嘴朝上述基板交互供給新液構成之氟硝酸溶液與純水， 而進行該氟硝酸溶液之間歇式供給。依此構成，空洞部內 殘留之氟硝酸溶液’可藉由純水之表面張力被吸引至空洞 部外，可以容易進行空洞部內之氟硝酸溶液之除去。 -8- 200839865 又，本發明之半導體裝置之製造方法之一，其特徵爲 包含：於基板上形成Si Ge層的工程；於上述Si Ge上形成 Si層的工程；對上述Si層及上述SiGe層進行一部分蝕刻 ，形成溝而露出上述SiGe層之側面的工程；及介由上述 溝進行上述SiGe層之蝕刻，而於上述基板與上述Si層之 間形成空洞部的工程；於形成上述空洞部的工程中，係使 上述基板重複進出鈾刻處理槽所貯存之新液構成之氟硝酸 溶液而進行上述S i G e層之触刻。 依該半導體裝置之製造方法，使基板進入蝕刻槽內而 於空洞部內被供給新液構成之氟硝酸溶液，由鈾刻槽內取 出基板而由空洞部內使氟硝酸溶液被除去。因此，在形成 中途之空洞部內亞硝酸濃度增高之前，可對該空洞部內供 給新液構成之氟硝酸溶液，於空洞部內亞硝酸或蝕刻產生 物經常可以抑制於一定濃度以下，因此，可防止面臨空洞 部之S i層之增速蝕刻。 又，本發明之半導體裝置之製造方法之一，係準備有 貯存純水的水洗處理槽，於形成上述空洞部的工程中，係 交互進行以下處理：蝕刻處理，使上述基板進入上述蝕刻 處理槽所貯存之新液構成之氟硝酸溶液；及水洗處理，使 上述基板進入上述水洗處理槽所貯存之純水。依此構成， 空洞部內殘留之氟硝酸溶液’可藉由純水之表面張力被吸 引至空洞部外，可以容易進行空洞部內之氟硝酸溶液之除 去。 又，本發明之半導體裝置之製造方法之一，係準備有 -9- 200839865 多數上述蝕刻處理槽，於形成上述空洞部的工程中，係使 上述基板依序進出各個上述蝕刻處理槽個別貯存之新液構 成之氟硝酸溶液。 又，本發明之半導體裝置之製造方法之一，係準備有 多數上述水洗處理槽，於形成上述空洞部的工程中，係使 上述基板依序進出各個上述水洗處理槽個別貯存之純水。 又，本發明之半導體裝置之製造方法之一，於上述新 液構成之氟硝酸溶液，相對於HF，HN〇3及H2〇係分別 以5 0倍以上之容量比被含有。 又，本發明之半導體裝置之製造方法之一，於上述新 液構成之氟硝酸溶液，係含有醋酸。依此則，在使用氟硝 酸溶液之Si Ge層鈾刻時，可抑制亞硝酸之產生，對si可 獲得更良好之鈾刻選擇比。 又，依本發明之半導體裝置之製造方法，經由實驗確 認出，即使對SiGe層進行長時間蝕刻情況下，SiGe層對 S i層之蝕刻選擇比不會劣化。 又，於上述本發明之半導體裝置之製造方法之中，更 包含以下工程：於上述空洞部內形成氧化膜的工程；及於 上述基板上，以成爲和上述Si層之上面之高度相同高度 的方式形成絕緣膜的工程。據此而可形成SOI構造。 【實施方式】 以下，參照圖式來說明本發明的實施形態。 -10- 200839865 (η第1實施形態 圖1〜7爲本發明貫施形態之半導體裝置之製造方法 之圖。圖1(A)〜7(A)爲平面圖。圖1(b)〜7(B) 爲沿圖1 ( A )〜7 ( A )之A 1 — A ’ 1線切斷的斷面圖。又 ，圖 4(C)〜6(C)爲沿圖 4(A)〜6(A)之 B4— B，4 、〜B 6 — B ’ 6線切斷的個別之斷面圖。 此實施形態中說明本發明適用S B S I法之例。藉由 SBSI法形成SOI構造時，係於矽基板1上形成Si/ SiGe 層，利用S i與S i G e之蝕刻速率之差僅選擇性除去s i G e 層，依此而於矽基板1與S i層之間形成空洞部。進行空 洞部內露出之S i的熱氧化處理，在矽基板1與Si層之間 塡埋Si〇2層，在矽基板1與Si層之間形成BOX層。首 先說明此種S B SI法。亦即，於圖1 ( A )極（B )，使用 LOCOS法，於本體（bulk )之砂基板1形成元件分離層 (未圖式）。之後，於矽基板1上形成矽緩衝層（Si-buffer) ( 未圖式 ）， 於其 上形成 SiGe 層 丨] ，於 其上形 成 Si 層 13。彼等 Si-buffer 層、SiGe 層 11、Si 層 13 係 藉由例如磊晶成長法連續形成單晶半導體層。SiGe層1 1 之膜厚例如約5〜1 〇 〇 n m。 之後’如圖2 ( A )〜圖2 ( B )所示，使用微影成像 技術及鈾刻技術，依序進行S i層1 3、S i G e層1 1及S i-buffer層（未圖式）之一部分之蝕刻。依此則，在和元件 分離區域（亦即未形成SOI構造之區域）平面上重疊之區 -11 - 200839865 域，形成貫穿Si層13、SiGe層11及Si-buffer層，以石夕 基板1爲底面的支撐孔h 1。又，在形成支撐孔h 1之蝕刻 工程中，於矽基板1之表面停止蝕刻亦可，或進行矽基板 1之過蝕刻而形成凹部亦可。 之後，如圖3 ( A )〜圖3 ( B )所示，以塡埋支撐孔 hi的方式於矽基板1上之全面形成支撐膜21。支撐膜21 ，係例如Si02膜，藉由例如CVD法進行。之後，如圖4 (A )〜圖4 ( C )所示，使用微影成像技術及鈾刻技術， 依序進行支撐膜21、Si層13、SiGe層11及Si-buffer層 (未圖式）之一部分之蝕刻，由支撐膜21形成支撐體22 之同時，形成使矽基板1之表面露出的溝h2。又，在形 成溝h2之蝕刻工程中，於矽基板1之表面停止蝕刻亦可 ，或進行矽基板1之過蝕刻而形成凹部亦可。 之後，如圖4 ( A )〜圖4 ( C )所示，介由溝h 2，使 氟硝酸溶液接觸矽層1 3及S i G e層1 1之各個側面，選擇 性蝕刻除去SiGe層1 1。依此則，如圖5 ( A )〜圖5 ( C )所示，在矽基板1與S i層1 3之間形成空洞部2 5。其 中，使用氟硝酸溶液之溼蝕刻中，和S i比較，S i Ge之蝕 刻速率較大之故（亦即對Si之蝕刻選擇比爲400〜1000 倍之較大），因此可殘留矽層13而僅蝕刻除去SiGe層 1 1 °空洞部2 5之形成後，S i層丨3以其上面及側面被支 撐體22支撐。 之後’如圖6 ( A )〜（C )所示，進行矽基板1之熱 氧化’於空洞部內塡埋Si02膜3 1。形成Si02膜3 1之後 -12- 200839865 ，藉由CVD等方法，於矽基板1全面形成絕 支撐孔h 1或氟酸導入用之溝h2。絕緣膜，例$ 或Si3N4膜。又，空洞部內未被Si02膜31完 藉由該絕緣膜之形成捕完該空洞部之塡埋。之 如C Μ P進行平坦化，必要時進行絕緣膜之溼 則，如圖7 ( A )〜圖7 ( Β )所示，由Si層1 去絕緣膜33，而完全SOI構造。 以上針對SB SI法加以說明，但本發明中 Si Ge層1 1之溼蝕刻而形成空洞部25時之蝕 採取對策，可抑制空洞部2 5內之亞硝酸濃度 防止Si層1 3之增速蝕刻。其中，使用藥液之 大別爲，對旋轉之基板表面噴出藥液的方式（ s p i η )式），及使基板浸漬於貯存有藥液之槽 亦即浸漬（dip )式），本發明中，旋轉式及 體步驟互異。因此，於實施形態中，旋轉式之 以第1實施形態說明，浸漬式之溼蝕刻方法以 態說明。 如圖8(A)〜圖8(B)所示爲SiGe層1 刻之步驟（旋轉式）。旋轉式之溼蝕刻方法可 (A )所示方法，或例如圖8 ( B )所示方法。 亦即，於圖8 ( A )，於步驟a 1，將矽基^ 旋轉式溼蝕刻裝置之處理室內。之後，旋轉矽 時，由溼蝕刻裝置之噴嘴將新液構成之氟硝酸 矽基板1。矽基板1係旋轉中，因此噴出至矽: 緣膜，塡埋 :口爲S i Ο 2膜 全塡埋時， 後，使用例 蝕刻。如此 3上完全除 ，針對進行 刻方法加以 之增加，可 溼蝕刻可以 亦即旋轉（ 內的方式（ 浸漬式之具 溼蝕刻方法 第2實施形 1之選擇鈾 爲例如圖8 板1配置於 基板1之同 溶液噴出至 基板1的氟 -13- 200839865 硝酸溶液藉助離心力而擴散及於基板表面。因此，可進行 面臨溝h2之SiGe層1 1之蝕刻而形成空洞部25之一部分 。步驟a 1所需時間例如數十秒。 之後，於步驟a2，於矽基板1旋轉狀態下，暫時停 止由噴嘴至矽基板1之氟硝酸溶液之噴出。如此則，進入 空洞部內之氟硝酸溶液，因爲朝向空洞部2 5外側之離心 力作用，而使氟硝酸溶液由空洞部25內被除去。 之後，於步驟a3，旋轉矽基板1之同時，再度由噴 嘴將新液構成之氟硝酸溶液噴出至矽基板1。和步驟a 1 同樣，被噴出至矽基板1的氟硝酸溶液藉助離心力而擴散 及於基板表面，進入空洞部內而進行SiGe層1 1之蝕刻。 步驟a3所需時間例如數十秒。 之後，於步驟a4，旋轉矽基板1之同時，由噴嘴將 純水噴出至矽基板1，進行矽基板1之表背面之水洗，除 去氟硝酸溶液之殘留成份。之後，於步驟a5，於溼蝕刻 裝置之處理室內高速旋轉矽基板1，使水分由矽基板1脫 離，乾燥。 依上述方法，於形成中途之空洞部25內之亞硝酸濃 度增高之前，可由空洞部2 5內暫時除去氟硝酸溶液之後 ，再度對空洞部2 5內供給新液構成之氟硝酸溶液而蝕刻 SiGe層1 1。因此，空洞部25內之氟硝酸溶液之組成可以 經常維持一定範圍，空洞部2 5內之亞硝酸或蝕刻產生物 可以抑制於一定濃度以下。如此則，可防止面臨空洞部 2 5之S i層1 3之增速蝕刻。 -14- 200839865 又，於圖8 ( A )，如虛線箭頭所不’由步驟a4回至 步驟a 1，重複任意次數之步驟a 1〜a4亦可。如此則’可 抑制S i層1 3之增速鈾刻之同時，可延長S 1G e層1 1之蝕 刻時間，可以良好良品率形成大面積之S01層。 其次說明圖8 ( B )所示方法。於圖8 ( B )之步驟b 1 ，首先，將矽基板1配置於旋轉式溼蝕刻裝置之處理室內 。之後，旋轉矽基板1之同時，由溼蝕刻裝置之噴嘴將新 液構成之氟硝酸溶液噴出至矽基板1 °被噴出至矽基板1 的氟硝酸溶液藉助離心力而擴散及於基板表面’進入空涧 部2 5內而蝕刻S i G e層1 1。步驟b 1所需時間較好是例如 數十秒。 之後，於步驟b2，暫時停止由噴嘴至矽基板1之氟 硝酸溶液之噴出。於矽基板1旋轉狀態下，由噴嘴將純水 噴出至矽基板1。如此則，進入空洞部內之氟硝酸溶液， 因爲朝向空洞部2 5外側之離心力作用，另外，噴出至矽 基板1之純水亦受離心力之作用而擴及基板表面，到達空 洞部2 5之入口。結果，空洞部2 5內之氟硝酸溶液，藉由 作用於該溶液之離心力及純水之表面張力，而被吸引至空 洞部2 5外側、被除去。 之後，於步驟b3，旋轉矽基板1之同時，再度由噴 嘴將新液構成之氟硝酸溶液噴出至矽基板1。和步驟b 1 同樣，被噴出至矽基板1的氟硝酸溶液藉助離心力而擴散 及於基板表面，進入空洞部內而進行Si Ge層1 1之鈾刻。 步驟b3所需時間例如數十秒。之後，於步驟b4，進行和 -15- 200839865 步驟b2同樣之水洗處理，由矽基板1之表背面及空洞部 2 5內除去硝酸溶液。之後，於步驟b 5，於淫蝕刻裝置 之處理室內局速旋轉矽基板1，使水分由砂基板1脫離， 進行乾燥。 依上述方法，和圖8 ( A )同樣，於形成中途之空洞 部25內之亞硝酸濃度增高之前，可由空洞部25內暫時除 去氟硝酸溶液之後，再度對空洞部2 5內供給新液構成之 氟硝酸溶液而蝕刻S i G e層1 1。因此，空洞部2 5內之亞 硝酸或蝕刻產生物可以抑制於一定濃度以下。如此則，可 防止面臨空洞部2 5之S i層1 3之增速蝕刻。另外，和圖 8 ( A )不同，在氟硝酸溶液之蝕刻S i G e層1 1之後，必 定進行水洗處理’結果’空洞部2 5內殘留之氟硝酸溶液 ，藉由純水之表面張力可被吸引至空洞部25外側。因此 空洞部25內殘留之氟硝酸溶液之除去變爲容易。 又，於圖8 ( B )，亦如虛線箭頭所示，由步驟b4回 至步驟b 1，重複任意次數之步驟b 1〜b 4亦可。如此則， 可抑制Si層13之增速蝕刻之同時，可延長SiGe層丨！之 蝕刻時間，可以良好良品率形成大面積之SOI層。 (2 )第2實施形態 圖9(A)〜9(C)所示爲SiGe層11之選擇蝕刻之 順序（浸漬式），其中，作爲浸漬式溼蝕刻方法之一例， 分別說明（A )〜（C )之3個方法。 亦即，圖9 ( A )所示溼蝕刻裝置，係具備蝕刻槽5 1 -16- 200839865 ，水洗槽5 2，及乾燥機5 3。於蝕刻槽5 1貯 ，於水洗槽5 2貯存純水。又，於蝕刻槽5 1 (未圖式）用於循環氟硝酸溶液，於該循環 氣用於過濾雜質或異物。 於圖9 ( A)，係將矽基板1浸漬於蝕亥 氟硝酸溶液，進行SiGe層1 1之溼蝕刻。之 1分鐘之後，由蝕刻槽5 1取出矽基板1。將 於水洗槽5 2貯存之純水，進行水洗處理。 槽5 2取出矽基板1。之後，再度將矽基板 槽51內之氟硝酸溶液，再開始SiGe層1 1 過例如1分鐘之後，由蝕刻槽5 1取出矽基 矽基板1浸漬於水洗槽5 2內之純水，進行 上述說明，重複進行蝕刻處理及水洗處理多 矽基板1由水洗槽52移至乾燥機53，進行 燥。 圖9 ( B )所示溼蝕刻裝置，係具備第 蝕刻槽61、62、63，水洗槽64，及乾燥機 61、62、63貯存氟硝酸溶液，於水洗槽64 ，於蝕刻槽61、62、63設有循環管線（未 環氟硝酸溶液，於該循環管線設有過濾氣用 異物。 於圖9 ( B )，首先，係將矽基板1浸: 貯存之氟硝酸溶液，進行S i G e層1 1之溼餓 過例如1分鐘之後，由蝕刻槽61取出矽基 存氟硝酸溶液 設有循環管線 管線設有過濾 U槽5 1貯存之 後，經過例如 石夕基板1浸漬 之後，由水洗 1浸漬於蝕刻 之溼蝕刻。經 板1，再度將 水洗處理。如 數次之後，將 矽基板1之乾 1、第2、第3 6 5。於鈾刻槽 貯存純水。又 圖式）用於循 於過濾雜質或 漬於蝕刻槽6 1 亥!j。之後，經 ;板1。之後， -17- 200839865 將矽基板1浸漬於蝕刻槽62貯存之氟硝酸溶液，再開始 進行S i Ge層1 1之溼蝕刻。之後，經過例如1分鐘之後， 由蝕刻槽62取出矽基板1。將矽基板1浸漬於蝕刻槽63 貯存之氟硝酸溶液，再開始進行Si Ge層1 1之溼蝕刻。之 後，經過例如1分鐘之後，由蝕刻槽63取出矽基板1。 之後，將矽基板1浸漬於水洗槽64貯存之純水，進行水 洗處理。之後，將水洗處理後之矽基板1移至乾燥機65 ，進行矽基板1之乾燥。 圖9 ( C )所示溼蝕刻裝置，係具備第1、第2、第3 蝕刻槽71、73、75，第1、第2、第3水洗槽72、74、76 ，及乾燥機77。於蝕刻槽7 1、73、75貯存氟硝酸溶液， 於水洗槽72、74、76貯存純水。又，於蝕刻槽71、73、 75設有循環管線（未圖式）用於循環氟硝酸溶液，於該 循環管線設有過濾氣用於過濾雜質或異物。 於圖9 ( C )，首先，係將矽基板1浸漬於鈾刻槽71 貯存之氟硝酸溶液，進行SiGe層1 1之溼蝕刻。之後，經 過例如1分鐘之後，由蝕刻槽71取出矽基板1，將取出 之矽基板1浸漬於水洗槽72貯存之純水，進行水洗處理 。之後，將矽基板1浸漬於蝕刻槽73內之氟硝酸溶液， 進行S i Ge層1 1之溼蝕刻。之後，經過例如1分鐘之後， 由蝕刻槽73取出矽基板1，將矽基板1浸漬於水洗槽74 內之純水，進行水洗處理。又，之後分別進行蝕刻槽75 之蝕刻處理及水洗槽76之水洗處理，蝕刻槽75之蝕刻處 理，係和上述蝕刻槽71、73之處理相同，水洗槽76之水 -18- 200839865 洗處理係和上述水洗槽7 2、7 4之處理相同。水洗槽 水洗處理結束後，將砂基板1移至乾燥機7 7，進行 板1之乾燥。 依圖9 ( A )〜9 ( C )所示蝕刻方法，將矽基板 入蝕刻槽內，對空洞部2 5內供給氟硝酸溶液，由鈾 內取出矽基板1而由空洞部2 5內除去氟硝酸溶液。 ’於形成中途之空洞部25內之亞硝酸濃度增高之前 對空洞部2 5內供給新液構成之氟硝酸溶液，空洞部 之亞硝酸或蝕刻產生物可以經常抑制於一定濃度以下 此則，可防止面臨空洞部2 5之S i層1 3之增速蝕刻。 又，依圖9 ( A )及圖9 ( C )所示蝕刻方法，由 槽內取出矽基板1之後必定進行水洗處理，因此，空 2 5內殘留之氟硝酸溶液，藉由純水之表面張力可被 至空洞部2 5外側。因此空洞部2 5內殘留之氟硝酸溶 除去變爲容易。 又，於圖9(B)，如虛線箭頭所示，使由蝕刻^ 內取出矽基板1回至蝕刻槽61再度進行Si Ge層1 1 刻處理亦可。又，於圖9(C)，如虛線箭頭所示， 蝕刻槽76內取出矽基板1回至蝕刻槽71再度進行 層1 1之蝕刻處理亦可。如此則，可抑制Si層1 3之 蝕刻之同時，可延長SiGe層1 1之鈾刻時間，可以良 品率形成大面積之SOI層。 又，上述第1、第2實施形態使用之氟硝酸溶液 好是HN〇3及H20相對於HF之容量比分別含有50 76之 矽基 1放 刻槽 因此 ，可 25內 。如 丨 〇 蝕刻 洞部 吸引 液之 曹63 之蝕 使由 SiGe 增速 好良 ，較 倍以 -19- 200839865 上者。另外，該氟硝酸溶液較好是含有醋酸。依此構成’ 在使用氟硝酸溶液之SiGe層1 3之蝕刻時可抑制亞硝酸之 產生，可獲得對Si之更良好蝕刻選擇比。 以上依據實施形態說明本發明，但本發明之半導體裝 置之製造方法不限定於上述實施形態，在不脫離其要旨情 況下可做各種變更實施。 【圖式簡單說明】 圖1爲實施形態之半導體裝置之製造方法之圖（其] )° 圖2爲實施形態之半導體裝置之製造方法之圖（其2 )° 圖3爲實施形態之半導體裝置之製造方法之圖（其3 )° 圖4爲貫施形％之半導體裝置之製造方法之圖彳宜* )° 圖5爲實施形態之半導體裝置之製造方法之圖（其5 )° 圖6爲貫施形知之半導體裝置之製造方法之匱j ^ $ )° 圖7爲實施形態之半導體裝置之製造方法之圖 7 )° 圖8爲SiGe層1 1之選擇蝕刻之順序（旋轉式）之圖 •20- 200839865 圖9爲SiGe層1 1之選擇蝕刻之順序（浸漬（dip) 式）之圖。 【主要元件符號說明】 1 :矽基板 1 1 : SiGe 層 1 3 ·· S i 層 2 1 :支撐膜 22 :支撐體 2 5 :空洞部 31 : Si02 膜 3 3 :絕緣膜 5 1、6 1、6 2、63、71、73、75:蝕亥 1J 槽 52、 64、 72、 74、 76:水洗槽 53 、 65 、 77 :乾燥機 h2 :溝 h 1 :支撐孔