TW200822323A - Semiconductor device - Google Patents

Description

200822323 九、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明係關於一種半導體裝置，詳而言之，係關於一種 BGA(Ball Grid Array，球柵陣列）型半導體裝置、 LGACLand Grid Array，基板柵格陣列）型半導體裝置。 【先前技術】 以往為了將半導體裝置高密度安裝於布線基板上，大多 係使用可對於布線基板上進行表面安裝之表面安裝型封裝 (package)。此表面安裝型封裝之具代表性者，例如已知有 BGA 〇 在採用BGA之BGA型半導體裝置中，係於基板上搭載半 導體晶片。基板係例如為由玻璃環氧（ep〇Xy)樹脂所組成之 絕緣性基板。於絕緣性基板之一面，係配置有供半導體晶 片接合之島（island)、及精由接合線（bonding wire)與半導 體晶片之表面上之焊墊（pad)電性連接之内部端子。 另一方面，於絕緣性基板之另一面，則排齊配置有用以 與女裝基板（印刷布線板）上之連接盤（lancj)(電極）電性連接 之球狀之外部端子。 在絕緣性基板係進一步形成有將其一面與另一面之間貫 通之貫穿孔（thorugh hole)。貫穿孔係由金屬材料所填滿， 其經由該貫穿孔内之金屬，將絕緣性基板之一面上之内部 端子與另一面上之外部端子電性連接。再者，絕緣性基板 之一面上之各零件係以樹脂封裝加以密封，藉此保護免於 受到外部之氛圍（例如水分等）之影響。 124934.doc 200822323 然而’近年來’隨著半導體晶片之多功能化，由於半導 體晶片之發熱所導致之溫度上升已成為問題。例如，在半 導體晶片所產生之熱會悶在半導體裝置（樹脂封裝）内，因 而會有產生零件之劣化、誤動作等之缺失之問題。此外’ 此等問題將會在半導體晶片日益積體化之未來更加顯著 化。 【發明内容】

本發明之目的係在提供一種可將來自半導體晶片之發熱 有效率地散熱至外部之半導體裝置。 μ 本發明之第丨面向之半導體裝置係包括：樹脂製之基 板；島，其係形成於前述基板之-面上；半導體晶片，其 係晶粒接合（die bonding)於前述島上；内部端子，其係开^ 成於前述基板之前述-面上，且與前述半導體晶片電性連 接；外部端子，其係形成於與前述基板之前述一面相反側 之另-面上’且與前述㈣端子對向配置；端子間連接導 孔㈣，其係貫通前述基板之前述一面與前述另一面之間 而形成’且以可導通地將前述内部端子與前述外部端子予 ^連接；熱焊塾（thermal㈣，其係形成於前述基板之前 述另一面上，且與前述島對向 ., 了同配置，導熱部，其係將前述 基板之前述一面與前述另一面 1措Α 〈間予以貝通而形成，且以 可V熱地將前述島與前述 ,“、、坪墊予以連接；及阻焊劑 (solder resist)，其具有： 其# >、, 政…、用開口部，其係形成於前述 基板之W述另一面上，且以 成間隙之方式開口；及端子：逑熱㈣之外周之間形 ^千用開口部，其係以使前述外部 124934.doc 200822323 端子露出之方式開口。 依據此構成，半導體晶片係與基板之一面上之内部端子 電性連接。此外’内部端子係藉由端子間連接導孔而盘另 =面上之外部端子可導通地連接。因此，藉由外部端^與 • 冑裝基板上之連接盤電性連接，而使連接盤與半導體晶片 電性連接，且藉由從連接盤所供給之電力而使半導體晶片 “ 作動。 此外，半導體晶片係晶粒焊接於島上。島係以可導熱地 與導熱部及熱焊塾連接。再者，熱焊墊係從阻焊劑之散熱 用開口部露出。因此，在半導體晶片所產生之熱係經由島 及導熱部而傳遞至熱焊塾，且從熱焊塾之露出面散熱至外 部。換言之，不會有使在半導體晶片作動之際所產生之執 間在半導體裝置内之情形，而可有效率地散熱至外部。 I發明之另-面向之半導體裝置係包括：樹脂製之基 板；島，其係形成於前述基板之一面上；半導體晶片，其 • 係、錄接合於前述島上；内部端子，其係形成於前述基板 之前述:面上，且與前述半導體晶片電性連接；外部端 子，其係形成於與前述基板之前述一面相反側之另一面 ' 1，且與前述内部端子對向配置，·端子間連接導孔，其係 - 貫通前述基板之前述-面與前述另_面之間而形成，且以 可導通地將前述内部端子與前述外部端子予以連接；熱焊 塾，其係形成於前述基板之前述另一面上，且與前述島對 向配置；導熱部，其係將前述基板之前述-面與前述另一 面之間予以貝通而形成’且以可導熱地將前述島與前述熱 124934.doc 200822323 烊墊予以連接；及阻焊劑，苴且 ^ ^ 八/、有·散熱用開口部，苴得 形成於前述基板之前述另一面上，日 八係 央部露出之方_^胃 且以使前述熱焊墊之中 六口I路<方式開口；及 部料· + —j 及化子用開口部，其係以使前述外 ° 路之方式開口；而前述散赦用卩彳σ # m , , 4成熟用開口部之周緣部分 係配置於丽述熱焊墊之周緣部上。 士依據此構成，半導體晶片係與基板之—面上之内部端子 電性連接。此外，内部端子係藉 w田和于間連接導孔而盥 ΓΓ之外部端子可導通地連接。因此，藉由外部料-板上之連接盤電性連接，而使連接盤與半導體晶片 =連接，且藉由從連接盤所供給之電力而使半導體晶片 此外’半導體晶片係晶粒焊接於島上。島係以可導献地 與導熱部及熱焊塾連接。再者，熱谭塾係從阻焊劑之㈣ 用開口部露出。因此’在半導體晶片所產生之熱係經由島 及導熱部而傳遞至熱焊墊’且從熱焊墊之露出面散熱至外 部》換言之，不會有使在半導體晶片作動之際所產生之熱 悶在半導體裝置内之情形，*可有效率地散熱至外部。 此外，在將具有此種開口敎阻焊劑形成於基板上之 際’首先’係於基板上整面塗佈阻焊劑。接著，在阻焊劑 上’轉印具有與散熱用開口部及端子用開σ部對應之開口 部之遮罩薄膜。再者，以此遮罩薄膜作為遮罩，將阻焊劑 進行圖案化（蝕刻），藉此以形成具有散熱用開口部及端子 用開口部之阻焊劑。 在遮罩圖案中，對應於散熱用開口部之開口部之中心、 -10- 124934.doc 200822323 與對應於端子用開口部之開口部之中心之間之距離係為一 定。因此，以此種遮罩薄膜作為遮罩進行圖案化之散熱用 開口部之中心與端子用開口部之中心之距離係為一定。

因此，在將遮罩薄膜轉印至阻焊劑之際，即使遮罩薄膜 相對於基板偏移而轉印，亦可使熱焊墊之從散熱用開口部 露出之部分之中心、與外部端子之從端子用開〇部露出之 部分之中心之距離為一定。其結果，在以熱焊墊為基準將 半導體裝置安裝於安裝基板時，總是可使熱焊墊之從散熱 用開口部露出之部分之中心、與安裝基板之連接盤之位置 關係為一定，因此可將外部端子確實抵接於連接盤。 前述導熱部較佳為包括：導熱用開口部，其係貫通前述 基板而形成；導熱層，其係將前述導熱用開口部之侧面予 以覆蓋；及導熱材料，其係充填於前述導熱用開口部。 依據此構成，導熱用開口部之侧面係以導熱層覆蓋。再 者，在導熱用開口部係充填有導熱材料。如此，只要充填 有導熱材料，相較於將導熱用開口部之内部作空間之情 形，可使散熱性提升。 前述導熱材料係以使用含有銅之材料形成為較佳。 依據此構成，由於銅之導熱率高，因此藉由充填含有銅 之材料作為導熱材料，即可將從半導體晶片傳遞至島之熱 更加有效率地傳遞至熱焊墊。其結果，可使散熱性更為^ 前述導熱部亦可設置複數個。 該熱端 前述半導體裝置係以進-步包括熱端子為較佳 124934.doc • 11 · 200822323 子係設於前述熱焊墊之與供配置前述基板之側相反侧之面 上’且於前述半導體裝置安裝於前述安裝基板時，連接於 鈾述女裝基板上之接地（ground)電極。 依據此構成’半導體裝置安裝於安裝基板時，熱端子係 連接於安裝基板上之接地電極。藉由設置熱端子，即可經 由島、導熱部、熱焊墊及熱端子而將半導體晶片與接地電 極予以電性連接。其結果，於半導體裝置安裝於安裝基板 時，可將半導體晶片之背面設為接地電位。因此，作為半 導體晶片，可使用製入有功率（power)IC之半導體晶片等， 以半導體晶片之背面為接地者。再者，此時，可確保半導 體晶片之良好之動作（例如功率IC之動作）。再者，由於熱 端子與接地電極連接，因此可將傳遞至熱焊墊之熱經由熱 端子釋放至安裝基板。 本發明之上述或其他之目的、特徵及效果係可參照附件 圖示而由以下所述之實施形態之說明而明瞭。 【實施方式】 以下參照附件圖示詳細說明本發明之實施形態。 圖1係為以圖解顯示本發明之一實施形態之半導體裝置 之構成之剖面圖。此外，圖2係為與圖i所示之半導體裝置 之安裝基板對向之面之圖解俯視圖。 此半導體裝置1係為採用BGA(Ball Grid Array，球概p車 列）之半導體裝置，其係包括由絕緣性樹脂（例如玻璃環氧 樹脂）所組成之絕緣性基板5、搭載於絕緣性基板5上之半 ^體b曰片3、將半導體晶片3及絕緣性基板5之與半導體曰 124934.doc •12· 200822323 片3相對向之一面5A予以密封之密封樹脂4。 在絕緣性基板5之一面5A係形成有島6與内部端子7。 島6係由具有導電性及導熱性之金屬材料（例如鋼等）所 組成，而在絕緣性基板5之一面5八之中央部係形成為具有 俯視觀察時與半導體晶片3大致相同尺寸之矩形薄板狀。 内部端子7係由與島6相同之金屬材料（例如銅等）所組

成，其係以包圍島6之方式，形成於絕緣性基板5之一面5A 之周緣部。 再者，在島6上，例如經由由高熔點銲錫（熔點為26〇度。 以上之銲錫）所組成之接合劑（未圖示）而以可導熱地接合半 導體晶片3之背面（晶粒接合）。 在構成半導體晶片3之基體之半導體基板（例如矽基板） 係例如製入有功率IC。此外，半導體晶片3之最表面係由 表面保護膜所覆蓋，而複數個焊墊（未圖示）係設成從表面 保護膜露出之狀態。該複數個焊墊係例如經由由金細線所 組成之接合線（bonding wire)8而與各内部端子7連接（wke bonding ’打線接合），藉此，半導體晶片3將其背面與島6 可$通地及可導熱地連接，且内部電路（未圖示）經由接合 線8而與内部端子7可導通地連接。 另方面，在絕緣性基板5之另一面5B係形成有熱焊墊 9、外部端子10。 熱焊墊9係由與島6相同之金屬材料（例如銅等）所組成， 係在與、、、邑緣性基板5之另一面5B之中央部（包夾絕緣性基 而/、島6對向之位置）形成為與島6大致相同之形狀（平面 124934.doc -13- 200822323 形狀及厚度）。 外部端子1 〇係例如使用銲錫等之金屬材料而形成為球 狀’其係於包夾絕緣性基板5而與各内部端子7對向之位置 各配置1個。此外，外部端子1〇係如圖2所示，沿著絕緣性 基板5之另一面5B之周緣部，以包圍熱焊墊9之方式排齊並 列。再者，外部端子1〇係設成一部分從後述之阻焊劑18突 出之狀態。 再者’在絕緣性基板5係於島6與熱焊墊9之間貫通形成 有作為用以將該等予以可導熱地連接之導熱部之1個熱導 孔11。 圖3係為具體顯示熱導孔11之放大圖。 在此參照圖3,熱導孔11係包括··導熱用開口部12，其 係貫通絕緣性基板5而形成；鍍覆層13，其係作為導熱 層；及導熱材料14，其係充填於導熱用開口部12。 導熱用開口部12之開口厚度h相對於其開口寬度r之比之 縱橫（aspect)比例如以ι·〇〜ι·5形成。若縱橫比為此種範 圍，則可以良好效率將傳遞至島6之熱傳遞至熱焊墊9,而 可提升散熱性。 鍍覆層13係為藉由使用具有導熱性之金屬材料（例如銅 等）之鍍覆所形成之層。 此外，鍍覆層13係為將鍍覆層13a、鍍覆層l3b、鍍覆層 ⑶予以-體形成之層，該鍍覆層…係將導熱用開口部12 之侧面加以覆蓋；該鍍覆層13b係形成於絕緣性基板5之一 面5A之導熱用開口部12之周邊部分，且構成作為島6之一 124934.doc -14- 200822323 部分；該鍍覆層13c係形成於絕緣性基板5之另一面沾之導 熱用開口部12之周邊部分，且構成作為熱焊墊9之一 分。 。 導熱材料14係由具有導熱性之材料所組成，以其材料而 言，係例如有具有導熱性之金屬材料（例如銅等）、施以金 屬鍍覆之樹脂、使金屬粒子分散於樹脂成分之材料等。作 為導熱材料14之材料，係以使用具有導熱性之金屬材料 (例如銅）為較佳，且以使用銅為尤佳。由於鋼之導熱率較 高，因此藉由使用銅作為導熱材料14之材料，即可將從半 導體晶片3傳遞至島6之熱更有效率地傳遞至熱焊墊$。其 結果，可更進一步發揮良好之散熱性。 此外，絕緣性基板5係為由導體層33及導體層34所組成 之兩面基板，該導體層33係包含形成於絕緣性基板5之一 面5Α上之島6,而該導體層34係包含形成於絕緣性基板5之 另一面5Β上之熱焊墊9。因此，可將在半導體晶片3所產生 φ 之熱從島6以距離I之較短之距離傳遞至熱焊墊9，故可有 效率地散熱。 再度參照圖1及圖2，在絕緣性基板5中係在内部端子7與 外部端子10之間，貫通形成有用以將該等可導通地連接之 • 端子間連接導孔15。 端子間連接導孔15係例如形成貫通絕緣性基板5之導通 L (via hole)16，且藉由以導電材料ΐ7(例如銅）將該導通孔 16内予以填滿所形成。藉此，將内部端子7與外部端子 電性連接。 124934.doc -15- 200822323 此外，在絕緣性基板5之另一面5B中係形成有阻焊劑 18 〇 阻焊劑18係具有：散熱用開口部21，其係以在與熱焊墊 9之外周19之間形成間隙2G之方式開口；及端子用開口部 22，其係以使外部端子1〇露出之方式開口。由於熱焊墊9 從散熱用開口部21露出，因此傳遞至熱焊墊9之熱係釋放 至外部。換言之，不會有使半導體晶片3在作動之際所產 生之熱悶在半導體裝置1内，而可有效率地釋放至外部。 再者此半‘體裝置1係藉由使絕緣性基板5之另一面5B 側與安裝基板23對向，並將外部端子1〇連接於安裝基板^ 上之連接盤24,而達成對於安裝基板23之表面安裝。亦 即，絕緣性基板5之一面5A上之内部端子7與另一面沾上 之外部端子ίο係藉由端子間連接導孔15而電性連接。因 此，藉由將外部端子1〇連接於安裝基板23上之連接盤24， 即可達成連接盤24與内部端子7之電性連接，甚至可達成 • $接盤24與半導體晶片3之電性連接，且藉由從連接盤24 所供給之電力使半導體晶片3作動。 藉由半導體晶片3作動所產生之熱，係經由島6及熱導孔 • 11而傳遞至熱焊墊9，且從熱焊墊9之露出面9A釋放至外 .冑。因此，不會有使來自半導體晶片3之熱悶在半導體裝 置1内之情形，而可一面有效率地釋放至外部，一面使半 導體晶片3動作。其結果，例如可降低零件之劣化及誤動 作等之問題。 另外，在安裝基板23上設置接地電極3〇時，於熱焊墊9 124934.doc •16- 200822323 之露出面9A’亦可設置由銲錫等之金屬材料所組成之熱端 子3 1 〇 此時’熱端子31係以其下面之位置成為與外部端子1〇之 下面之位置相同高度之方式形成。藉此，於半導體裝置1 安裝於安裝基板23時，熱端子31即連接於安裝基板23上之 接地電極30。因此，可經由島6、熱導孔11、熱焊墊9及熱 端子3 1而將半導體晶片3之背面與接地電極30予以電性連 接。其結果，可將半導體晶片3之背面設為接地電位。 因此’作為半導體晶片3，例如可使用製入有功率1(：之 半導體晶片等，以半導體晶片之背面為接地者，此時，可 確保半導體晶片3之良好之動作（例如功率ic之動作）。再 者，由於熱端子31與接地電極30連接，因此可將傳遞至熱 焊墊9之熱，經由熱端子31而釋放至安裝基板23。 圖4 A係為圖解顯示本發明之第2實施形態之半導體裝置 之構成之剖面圖，其係顯示形成有無開口部位之偏移之阻 焊劑25(後述）之情形。此外，圖4]8係為圖解顯示本發明之 第2實施形態之半導體裝置之構成之剖面圖，其係顯示產 生有開口部位之偏移之阻焊劑25(後述)之情形。此外，圖5 係為與圖4A所示之半導體裝置之安裝基板對向之面之圖解 俯視圖。另外，在圖4A、圖4B及圖5中，對於與前述圖^ 及圖2所示之各部對應之部分，茲賦予與圖i及圖2之情形 相同之參照符號予以顯示’至於構成相同者，則省略其說 明。 在圖4A中，阻焊劑25係具有：散熱用開口部27，其係以 124934.doc -17- 200822323 使熱焊墊9之中央部28露出之方式開口；及端子用開口部 29，其係以使外部端子10露出之方式開口。 散熱用開口部27之周緣部分35係配置於熱焊墊9之周緣 部26上。 由於熱焊墊9係從散熱用開口部27露出，因此與圖1所示 之半導體裝置1相同，可將在半導體晶片3所產生之熱予以 有效率地釋放。

此外，在將具有此種開口部（散熱用開口部27及端子用 開口部29)之阻焊劑25形成於絕緣性基板5之另一面化上之 際，首先，係於絕緣性基板5之另一面5B上整面塗佈阻焊 劑。接著’在阻焊劑上，轉印具有與散熱用開口部27及端 子用開口部29對應之開口部之遮罩薄膜。再者，以此遮罩 薄膜作為遮罩，將阻焊劑進行圖案化（蝕刻），藉此以形成 具有散熱用開口部27及端子用開口部29之阻焊劑25。 在遮罩圖案中，對應於散熱用開口部27之開口部之中 心、與對應於端子用開口部29之開口部之中心之間之距離 係為一定。因此，以此種遮罩薄膜作為遮罩進行圖案化之 散熱用開口部27之中心與端子用開口部29之中心之距離係 為一定。 因此，在將遮罩薄膜轉印至阻焊劑之際，即使遮罩薄膜 相對於、、、邑緣性基板5偏移而轉印而形成阻焊劑25(參照圖 4B)，圖4A之熱焊塾9之從散熱用開口部27露出之部分之中 心a、與外部端子10之從端子用開口部”露出之部分之中 之距離c ’亦成為與圖仙之熱焊塾9之從散熱用開口部 124934.doc •18- 200822323 27露出之部分之中心d、與外部端子10之從端子用開口部 29露出之部分之中心e之距離f相同距離。 亦即，可將熱焊墊9之從散熱用開口部27露出之部分之 中心、與外部端子10之從端子用開口部29露出之部分之中 ， 心之距離設為一定。 其結果，在以熱焊墊9為基準將半導體裝置1安裝於安裝 基板23時’總是可使熱焊墊9之從散熱用開口部27露出之 _ 部分之中心、與安裝基板23之連接盤24之位置關係為一 定’因此可將外部端子1〇確實抵接於連接盤24。 另外’在此實施形悲中，例如圖6〜圖9所示，亦可將熱 導孔11設為複數個導通孔導體32。 此外，在上述之實施形態中，雖將島6設為以俯視觀察 柃具有與半導體晶片3大致相同尺寸，惟亦可將島6在俯視 觀察時之尺寸設成較半導體晶片3在俯視觀察時之尺寸更 大，反之設成更小亦可。 φ 再者’在上述之實施形態中，雖以採用BGA之半導體裝 置為例，惟本發明亦可適用於將複數個連接盤（薄板狀之 .外部端子）排齊在絕緣性基板5之另一面化之所謂採用 LGA(Land Grid Array)之半導體裝置。 ，雖就本發明之實施形態進行了^細說明，惟該等僅是為 使本發明之技術内容更臻明確所使用之具體例，本發明不 應以該等具體例為限進行解釋，本發明之精神及範圍均應 由所附之申請專利範圍所限定。 本申請係與於2_㈣月3日向日本專利廳提出之日本 124934.doc -19- 200822323 特願2006-272126號對應，本申請之全部揭示均在此予以 挺用納入。 【圖式簡單說明】 圖1係為以圖解顯示本發明之一實施形態之半導體裝置 之構成之剖面圖。 圖2係為與圖1所示之半導體裝置之安裝基板對向之面之 圖解俯視圖。 圖3係為具體顯示熱導孔之放大圖。 圖4 A係為以圖解顯示本發明之第2實施形態之半導體裝 置之構成之剖面圖，其係顯示形成無開口部位之偏移之阻 焊劑之情形。 圖4B係為以圖解顯示本發明之第2實施形態之半導體裝 置之構成之剖面圖，其係顯示形成產生有開口部位之偏移 之阻焊劑之情形。 圖5係為與圖4八所示之半導體裝置之安裝基板對向之面 之圖解俯視圖。 圖6係為以圖解顯示圖1所示之半導體裝置之變形例之半 V體裝置之構成之剖面圖。 圖7係為與圖6所示之半導體裝置之安裝基板對向之面之 圖解俯視圖。 圖8係為以圖解顯示圖4 A所示之半導體裝置之變形例之 半V體裝置之構成之剖面圖。 圖9係為與圖8所示之半導體裝置之安裝基板對向之面之 圖解俯視圖。 124934.doc 200822323 【主要元件符號說明】 1 半導體裝置 3 半導體晶片 5 絕緣性基板 5A 一面 5B 另一面 6 島 7 内部端子 • 9 熱焊墊 10 外部端子 11 熱導孔 12 導熱用開口部 13 鍍覆層 14 導熱材料 15 端子間連接導孔 • 18 阻焊劑 19 外周 20 間隙 ‘ 21 散熱用開口部 ， 22 端子用開口部 23 安裝基板 25 阻焊劑 26 周緣部 27 散熱用開口部 124934.doc -21- 200822323 28 中央部 29 端子用開口部 30 接地電極 31 熱端子 32 導通孔導體 35 周緣部分

124934.doc

Claims (1)

1. 200822323 十、申請專利範園： L 一種半導體裝置，係包括·· 樹脂製之基板； 島，其係形成於前述基板之一面上； 半‘體aa片，其係晶粒接合於前述島上； 兑内部端子，其係形成於前述基板之前述—面上，且與 刚述半導體晶片電性連接；

   之^端子，其係形成於與前述基板之前述—面相反侧 一面上，且與前述内部端子對向配置，· :門連接‘孔，其係貫通前述基板之前述—面鱼前 述另—面之間而形成，且以可導通地將前述料 珂述外部端子予以連接； 熱禪塾，其係形成於前述基板之前述另 前述島對向配置； 與 ‘熱。卩，其係將前述基板之前述一面與前述另一面 間予以貫诵& # 士、 、 ^成，且以可導熱地將前述島與前述埶焊 墊予以連接；及 …坪 阻焊杳丨|，1 # ，、/、有·散熱用開口部，其係形成於前述美 板之刖述另_面上’且以在與前述熱焊塾之外周之間形 成間隙 > 古4、θ a 工幵口’及端子用開口部’其係以使前述外 邠端子露出之方式開口。 2·如請求項1之半導體裝置，其中 ，述$熱。卩係包括：導熱用開口部，其係貫通前述美 板而形成； 土 124934.doc 200822323 導熱層，其係將前述導熱用開口部之側面予以覆 蓋；及 導熱材料，其係充填於前述導熱用開口部。 3·如請求項2之半導體裝置，其中 前述導熱材料係使用含有銅之材料而形成。 4·如請求項1之半導體裝置，其中 前述導熱部係設置複數個。

   5·如請求項1之半導體裝置，其中 進-步包括#熱端+，其係設於前述熱焊塾之與供配 置前述基板之侧相反側之面上，且於前述半導體裝置安 裝於前述安裝基板時，輪於前述安裝基板上之接地電 6. 一種半導體裝置，係包括： 樹脂製之基板； 島，其係形成於前述基板之一面上； 半導體晶片，其係晶粒接合於前述島上，· 二内部端子，其係形成於前述基板之前述一面上，且盥 前述半導體晶片電性連接； 〃 之二卜部端子，其係形成於與前述基板之前述—面相反侧 面上’且與前述内部端子對向配置； 述孔，其係貫通前述基板之前述-面與前 面之間而形成，且以可導通地將前述内邻她I叙 前述外部端子予以連接； 4内#子與 、烊塾，其係形成於前述基板之前述另一 面上，且與 124934.doc • 2 · 200822323 前述島對向配置； ^其係將則述基板之前述一面與前述另一面之 間予以貫通而形成’且以可導熱地將前述島與前述敎焊 塾予以連接；及 阻焊劑，其具有：散熱用開口部，其係形成於前述基 板之前述另—面上，且以使前述熱焊塾之中央部露出之 方式開Π ;及端子用開口部，其係以使前述外部端子露 出之方式開Π ;而前述散熱關口部之 於前述熱焊墊之周緣部上。# 4 7·如請求項6之半導體裝置，其中 前述導熱部係包括：導熱用開口部，其係貫通前述基 板而形成； 導熱層，其係將前述導熱用開口部之侧面予以覆 蓋；及 導熱材料，其係充填於前述導熱用開口部。 8·如請求項7之半導體裝置，其中 前述導熱材料係使用含有銅之材料而形成。 9·如請求項6之半導體裝置，其中 前述導熱部係設置複數個。 10·如請求項6之半導體裝置，其中 進一步包括有熱端子，其係設於前述熱焊墊之與供配 置刖述基板之侧相反側之面上，且於前述半導體裝置安 裝於前述安裝基板時，連接於前述安裝基板上之接地電 極。 124934.doc