200822006 九、發明說明 【發明所屬之技術領域】 本發明係關於例如液晶裝置等之使用於光電裝置的光 電裝置用基板，及具備該光電裝置用基板而成之光電裝置 ’以及具備該光電裝置之例如液晶投影機等之電子機器的 技術領域。 【先前技術】 此種光電裝置之一例之液晶裝置，不僅有直視型顯示 器’亦常被用於例如投射型顯示裝置之光調變手段（光閥 )。特別是在投射型顯示裝置的場合，因爲來自光源的強 光入射至液晶光閥，所以爲了不使此光導致液晶光閥內的 薄膜電晶體（TFT: Thin Film Transistor)產生洩漏電流 增大或誤動作等，而於液晶光閥內藏遮光膜作爲遮住入射 光之遮光手段。針對這樣的遮光手段或遮光膜，例如專利 文獻1揭示有在TFT的通道區域，藉由作爲閘極電極發揮 功能的掃描線來遮光的技術。根據專利文獻2，藉由設置 被形成於通道區域上的複數遮光膜，與吸收內面反射光之 層而減低到達TFT通道區域的光。專利文獻3，揭示著可 以確保TFT之適切的動作以及掃描線的狹小化，同時極力 減低入射至TFT之通道區域的入射光之技術。 另一方面，在此種光電裝置，在基板上之被形成遮光 膜的區域，亦即於基板上不使光線透過的區域，設有藉由 暫時保持被供給至畫素電極的影像訊號而使畫素電極的電 -4- 200822006 位保持一定期間之保持電容。這樣的保持電容，亦將該保
持電容的構成要素之電極兼用作爲遮光膜，可以遮住TFT 〇 [專利文獻1]日本專利特開2004 — 4722號公報 [專利文獻2 ]日本特許第3 7 3 1 4 4 7號公報 [專利文獻3]日本專利特開2003 — 262888號公報 【發明內容】 [發明所欲解決之課題] 然而，例如被形成於通道區域與源極汲極區域之間的 例如LDD ( Lightly Doped Drain)區域等之接合區域被光 照射到的場合，會有在接合區域產生光洩漏電流的問題。 對於這樣的問題，雖有人考慮在通道區域的兩側之各個的 接合區域上設置遮光手段，但是會使畫素之實質上透光的 開口區域變窄，由顯示性能的觀點來看並不理想。另一方 面’本案發明人推測在被形成於被接續在畫素電極的源極 汲極區域與通道區域之間的接合區域被照射到光的場合， 與在被接續於資料線的源極汲極區域與通道區域之間的接 合區域被光照射到的場合相比，TFT之光洩漏電流容易產 生。 本發明係有鑑於前述問題點等而完成之發明，課題在 於提供以主動矩陣方式驅動的液晶裝置等之光電裝置，實 現高開口率同時於TFT之光洩漏電流的產生可以有效減低 的光電裝置所使用的光電裝置用基板，及具備這樣的光電 -5- 200822006 裝置用基板之光電裝置，以及電子機器。 [供解決課題之手段] 相關於本發明之第1光電裝置用基板，爲了解決前述 課題’具備：基板，及在前述基板上相互交叉的複數資料 線及複數掃描線，及對應於前述複數資料線及前述複數掃 描線之交叉而被規定，且被形成於構成前述基板上的顯示 區域之各個複數畫素的畫素電極，及包含：相互隔著前述 複數畫素之各個的開口區域被設於非開口區域，具有沿著 前述顯示區域之一個方向的通道長之通道區域，及被導電 連接於前述資料線的資料線側源極汲極區域，及被導電連 接於前述畫素電極的畫素電極側源極汲極區域，及被形成 於前述通道區域及前述資料線側汲極源極區域間的第1接 合區域，及被形成於前述通道區域及前述畫素電極側汲極 源極區域間的第2接合區域等之半導體層的電晶體，及被 形成於比前述半導體層更上層側，具有：沿著前述一個方 向延伸，同時覆蓋前述第1接合區域的第1部分，及覆蓋 前述第2接合區域同時比前述第1部份在相交於前述一個 方向的其他方向上的寬幅更寬的第2部分的遮光部。 根據相關於本發明之第1光電裝置用基板，例如從資 料線往畫素電極的影像訊號被控制，根據所謂的主動矩陣 方式之影像顯示成爲可能。又，影像訊號，係藉由被導電 接續至資料線及畫素電極間之電晶體被打開關閉，而以特 定的計時從資料線透過電晶體對畫素電極供給。畫素電極 -6- 200822006 ’係由例如 ITO(銦錫氧化物，Indium Tin Oxide)等之 透明導電材料所構成的透明電極，對應於資料線及掃描線 的交叉，於基板上應成爲顯示區域的區域有複數被設爲矩 陣狀。 電晶體，包含具有通道區域、資料線側源極汲極區域 以及畫素電極側源極汲極區域的半導體層。例如，閘極電 極以重疊於通道區域的方式被形成。電晶體，被設於複數 畫素之相互隔著各個的開口區域之非開口區域。此處，相 關於本發明之「開口區域」，係實質上透光的畫素內的區 域’例如，係被形成畫素電極的區域，而且是可因應於透 過率的變更而改變穿透液晶等光電物質而射出的光的色階 之區域。換句話說，所謂「開口區域」，意味著被聚光於 畫素的光不會被不使光線透過或者透光率比起透明電極來 相對很小的配線、遮光膜以及各種元件等遮光體遮住的區 域。相關於本發明之「非開口區域」，意味著參與顯示的 光不會透過的區域，例如意味著在畫素內被配設非透明的 配線或電極、或者各種元件等之遮光體的區域。 通道區域，具有沿著顯示區域之一方向的通道長。相 關於本發明之「一方向」，意味著例如在基板上被規定爲 矩陣狀的複數畫素之杭方向，亦即複數之資料線被排列的 排列方向或者複數之掃描線的各個延伸的方向（亦即X方 向），或者例如在基板上被規定爲矩陣狀的複數畫素之列 方向，亦即複數之掃描線被排列的排列方向或複數之資料 線的各個延伸的方向（亦即Y方向）。 -7- 200822006 資料線側源極汲極區域與資料線相互導電接續，畫素 電極側源極汲極區域與畫素電極相互導電接續。進而，在 半導體層之通道區域與資料線側源極汲極區域之間被形成 第1接合區域，在半導體層之通道區域與畫素電極側源極 汲極區域之間被形成第2接合區域。第1接合區域，係被 形成於通道區域與資料線側源極汲極區域之接合部的區域 ，第2接合區域，係被形成於通道區域與畫素電極側源極 汲極區域之接合部的區域。亦即，第1及第2接合區域， 意味著例如電晶體被形成爲例如PNP型或者NPN型電晶 體（亦即N通道型或者P通道型電晶體）的場合之PN接 合區域，或者電晶體具有LDD構造的場合之LDD區域（ 亦即，例如藉由離子佈植法等之不純物植入而在半導體層 打入不純物而成之不純物區域）。 遮光部，於基板上之層積構造被形成爲比半導體層更 上層側，典型的是以覆蓋半導體層的方式被形成。又，遮 光部，亦可於非開口區域具有沿著交於一方向的其他方向 而延伸的延伸部。遮光部，亦可如遮光膜那樣是具有遮光 性的單層或者複數層所構成的膜狀遮光體，亦可爲包含具 有遮光性的電極之各種元件。遮光部，具有覆蓋第1接合 區域的第1部分，與覆蓋第2接合區域的第2部分。因而 ，由上層側入射至第1及第2接合區域的光，可以藉由第 1及第2部分之各個來遮光。也就是說，可以減低第1及 第2接合區域之光洩漏電流的發生。 在本發明，遮光部之覆蓋第2接合區域的第2部分， -8- 200822006 係以使交於一方向之其他方向的寬幅比覆蓋第1接合區域 的第1部分更寬廣的方式構成。亦即，第2部分，例如對 於沿著Y方向延伸的半導體層，係以例如X方向之寬幅 比第1部分更寬廣的方式構成。換句話說，第2部分，沿 著其他方向，具有比第1部分更長地延伸之延伸部。藉此 ，可以使入射至第2接合區域的光，比入射至第1接合區 域的光更確實地遮光。亦即，可以使遮住到達第2接合區 域的光的遮光性，比遮住到達第1接合區域的光的遮光性 還要高（亦即，更爲強化）。此處，本案發明人推論出在 電晶體動作時，於第2接合區域，比起第1接合區域來說 相對容易發生光洩漏電流。亦即，藉由以第2部分具有比 第1部分更寬的寬幅的方式形成，可以提高對光洩漏電流 相對容易產生的第2接合區域之遮光性，可以有效減低流 於電晶體的光洩漏電流。反過來說，藉由使覆蓋住與第2 接合區域相比光洩漏電流相對不易發生的第1接合區域的 第1部分，形成爲具有比第2部分更窄的寬幅，可以防止 開口率的無效的降低。 亦即，藉由使第2部分的寬幅形成爲寬廣，提高了對 光洩漏電流相對容易發生的第2接合區域之遮光性，同時 藉由使第1部分的寬幅形成爲狹窄，可以防止開口率無用 的降低。總之，藉由正確地提高對光洩漏電流容易發生的 第2接合區域之遮光性，可以不招致開口率的無用的降低 ，而可以有效地減低電晶體之光洩漏電流。此處，所謂「 開口率」，係指開口區域以及非開口區域總和的畫素尺寸 -9 - 200822006 中開口區域所佔的比率，開口率越大，具備相關於本發明 的光電裝置用基板之光電裝置的顯示性能就越高。 如以上所說明的，根據相關於本發明的第1光電裝置 用基板，可以提供不招致開口率的無用的降低，而可以減 低起因於光洩漏電流的發生而產生的閃燦等顯示不良之光 電裝置。 在相關於本發明之第1光電裝置用基板之一樣態，前 述第2接合區域係LDD區域。 根據此樣態，電晶體具有LDD構造。因而，於電晶 體之非動作時，減低流經資料線側源極汲極區域及畫素電 極側源極汲極區域的關閉（off )電流，而且可以抑制電晶 體動作時所流動的打開（on )電流的降低。 在相關於本發明之第1光電裝置用基板之其他樣態， 前述遮光部被配置於前述電晶體的正上方。 根據此樣態，可以更爲減低在基板上的層積構造之遮 光部以及電晶體間對於半導體層斜向入射的入射光。更具 體而言，與在遮光部及電晶體間中介著有與遮光部不同之 其他遮光膜的場合相比，可以使遮光部及電晶體之層積方 向的距離接近，該接近使得對半導體層的法線方向以大角 度斜向對該半導體層入射的光可以藉由遮光部來遮光。 在相關於本發明之第1光電裝置用基板之其他樣態’ Hit述遮光部’係具有一對電容電極及被挾持於該一對電谷 電極間的介電質膜的電容元件，前述電容元件，在透過前 述資料線對前述畫素電極供給影像訊號時，保持前述畫素 -10- 200822006 電極的電位。 根據此樣態，電容元件，係暫時保持畫素電極的電位 之保持電容。藉由將電容元件兼用作爲遮光部，與另行設 置遮光膜的場合相比，可以簡化構成該光電裝置用基板之 電路構成以及構成該電路的配線等的配置。 在前述之遮光部爲電容元件的樣態，前述一對電容電 極之至少一方，亦可含有導電性遮光膜。 根據此樣態，藉由在電晶體上例如介由層間絕緣膜而 可接近配置的電容元件，可以確實遮光由上層側入射至半 導體層的光。又，作爲導電性遮光膜，例如可以舉出導電 性多晶矽、鈦（Ti )、鉻（Cr )、鎢（W )、鉬（Ta )、 鉬（Mo )、等高融點金屬之中的至少含有一之金屬單體、 合金、金屬矽化物、或層積這些者，或可是矽化鎢。 相關於本發明之第2光電裝置用基板，爲了解決前述 課題’具備：基板，及在前述基板上相互交叉的複數資料 線及複數掃描線，及對應於前述複數資料線及前述複數掃 描線之交叉而被規定，且被形成於構成前述基板上的顯示 區域之各個複數畫素的畫素電極，及（i)具有：於相互 隔著前述複數畫素之各個的開口區域的非開口區域之中沿 著前述顯示區域內的第1方向延伸的第1區域內，具有沿 著前述第1方向的通道長之通道區域，及被導電連接於前 述資料線的資料線側源極汲極區域，及被導電連接於前述 畫素電極的畫素電極側源極汲極區域，及被形成於前述通 道區域及前述資料線側汲極源極區域間的第1接合區域’ -11 - 200822006 及被形成於前述通道區域及前述畫素電極側汲極源極區域 間的第2接合區域等之半導體層，以及（ii )於前述非開 口區域之中在相交於前述第1方向的第2方向延伸的第2 區域及前述第1區域相互交叉的交叉區域具有重疊於前述 通道區域的閘極電極之電晶體，及被形成於比前述半導體 層更上層側，具有：在沿著前述第1方向及前述第2方向 之各個延伸的第1部分及第2部分以及前述交叉區域具有 前述第1部份與前述第2部份相互交叉的交叉部之遮光部 ;前述第2接合區域之至少一部份，於前述交叉區域重疊 於前述交叉部。 根據相關於本發明之第2光電裝置用基板，與前述之 相關於本發明的第1光電裝置用基板大致同樣，可進行影 像顯示。 電晶體，具有包含通道區域的半導體層，與重疊於該 通道區域的閘極電極。通道區域，相互隔著複數畫素之分 別的開口區域之非開口區域之中，沿著顯示區域內的第1 方向延伸的第1區域具有沿著第1方向之通道長。此處， 所謂相關於本發明之「第1區域」係指相互隔著互相鄰接 的開口區域的方式於顯示區域成格子狀延伸的非開口區域 之中延伸於該顯示區域的第1方向之區域。更具體而言， 係例如在基板上被規定爲矩陣狀的複數畫素之列方向，亦 即複數之掃描線被排列之排列方向。交叉於複數掃描線的 資料線’成爲被形成於第1區域，掃描線被形成於後述之 第2區域。半導體層，具有被形成於通道區域與資料線側 -12- 200822006 源極汲極區域間之第1接合區域，及被形成於通道區域與 畫素電極側源極汲極區域間之第2接合區域。亦即’半導 體層，以通道區域爲基準，具有被形成於資料線側源極汲 極區域側之第1接合區域，及被形成於畫素電極側源極汲 極區域側之第2接合區域。 閘極電極，於延伸在非開口區域之中交於第1方向的 第2方向上的第2區域及第1區域相互交叉的交叉區域， 重疊於通道區域。此處，所謂相關於本發明的「第2區域 」，係例如非開口區域之中交叉於資料線的掃描線被配置 之區域。閘極電極，亦可爲掃描線之中重疊於通道區域的 部分，亦可爲掃描線之外另行設置的導電膜。這樣的導電 膜，介由接觸孔等接觸手段被導電接續於掃描線。所謂相 關於本發明之「交叉區域」，係指第1區域及第2區域交 叉的區域，更具體而言，係位於非開口區域之中相互鄰接 的4個畫素之各個的開口區域相互之中間的區域。 遮光部，於基板上之層機構造被形成於較半導體層更 爲上層側，具有分別沿著第1方向及第2方向之各個延伸 的第1部分及第2部分，以及於交叉區域第1部分及第2 部分相互交叉而成的交叉部。第1部分，亦可以交叉區域 爲基準延伸於沿著第1方向之一方，亦可沿著第1方向朝 向交叉區域的雨側延伸。此外，第2部分，由交叉區域沿 著第2方向延伸。第2部分，亦可沿著第2方向而延伸於 交叉區域的兩側，亦可延伸於單側。簡言之，遮光部只要 以位於交叉區域的交叉部爲基準具有延伸於相互交叉的第 -13- 200822006 1方向及第2方向之各個的部分即可。從提高遮住到達第 2接合區域的光的遮光性的觀點來看，第2部分以延伸於 交叉區域的兩側較佳。 在本發明，特別是第2接合區域的至少一部份，於交 叉區域與交叉部重疊。例如，半導體層，亦可以第2接合 區域於交叉區域與交叉部重疊，同時第1接合區域不與交 叉部重疊的方式配置。如前所述，本案發明人推論出在電 晶體動作時，於第2接合區域，比起第1接合區域來說相 對容易發生光洩漏電流。交叉部及第2部分，藉由第2接 合區域之至少一部份重疊於交叉部，而與第2接合區域不 重疊於交叉部的場合相比，可以減低照射於該第2接合區 域的光。更具體而言，於第1方向，以沿著第1部分的表 面的方式對該表面之法線方向以大角度斜向對第2接合區 域入射的入射光，因爲第1部分延伸於第1方向，所以藉 由第1部分遮光。另一*方面’於第2方向，以沿著第2部 分的表面的方式對該表面之法線方向以大角度斜向對第2 接合區域入射的入射光，藉由延伸於交叉部及第2方向的 第2部分而遮光。藉此，藉由使第2接合區域重疊於交叉 部可以提高對第2接合區域的遮光性。亦即，爲了提高對 光洩漏電流相對容易發生的第2接合區域之遮光性，並沒 有必要增加例如遮光部的第1部分或第2部分的寬幅。總 之，根據本發明，提高對第2接合區域的遮光性，同時幾 乎不或完全不招致開口率的降低。又，從提高開口率的觀 點來看，遮光部的第1部分及第2部分的寬幅最好縮窄。 -14- 200822006 亦即，交叉部最好縮小。與第2接合區域比較，不易發生 光洩漏電流的第1接合區域，不重疊於交叉部亦可。 如以上所說明的，根據相關於本發明的第2光電裝置 用基板，可以提供不招致開口率的無用的降低，而可以減 低起因於光洩漏電流的發生而產生的閃爍等顯示不良之光 電裝置。 在相關於本發明之第2光電裝置用基板之一樣態，前 述第2接合區域係LDD區域。 根據此樣態，於電晶體之非動作時，減低流經資料線 側源極汲極區域及畫素電極側源極汲極區域的關閉（off ) 電流，而且可以抑制電晶體動作時所流動的打開（on )電 流的降低。 相關於本發明之第2光電裝置用基板之其他樣態，前 述閘極電極，具有：於前述第2區域沿著前述第2方向延 伸的本線部，及於前述第1區域由前述本線部沿著前述第 1方向突出於前述第1接合區域之側的凸部。 在此樣態，通道長，因爲因應於電晶體被要求的元件 特性而被設定，第2接合區域要以重疊於交叉部的方式變 更通道區域的大小，或者是變更沿著該通道長的半導體層 的長度，都會改變本來的電晶體的元件特性。亦即，即使 減低光洩漏電流的產生，也同時帶來電晶體所要求的開關 特性等元件特性自身的變更，使得獲得了可減低光洩漏電 流的優點以外，反而無法得到本來的元件特性。特別是通 道長比閘極電極的本線部的寬幅還要大的場合，由於第2 -15- 200822006 接合區域之至少一部份重疊於交叉部而使得通道區域沿著 第1方向由本線部突伸出。 因而根據本樣態，閘極電極因爲具有從本線部沿著第 1方向朝第1接合區域之側突出的凸部，所以沿著第1方 向挪移至第1接合區域之側而設至通道區域，也可以重疊 於通道區域而配置閘極電極。進而，凸部因爲重疊於沿著 第1方向延伸的第1部分，所以不會使非開口區域增大。 亦即，不會減低開口率而可以在通道區域重疊配置閘極電 極。 在前述之閘極電極具有凸部之樣態，前述閘極電極亦可 於前述交叉區域以前述本線部不重疊於前述第2接合區域的 方式，使前述本線部具有部分被切出缺口而成的凹部。 根據此樣態，可以使閘極電極不重疊於第2接合區域 ，同時使第2接合區域重疊於交叉部之靠近中樣。 在相關於本發明之第2光電裝置用基板之其他樣態， 前述遮光部被配置於前述電晶體的正上方。 根據此樣態，可以更爲減低在遮光部以及電晶體間對 於半導體層斜向入射的入射光。 在相關於本發明之第2光電裝置用基板之其他樣態， 前述遮光部，係具有一對電容電極及被挾持於前述一對電 容電極間的介電質膜的電容元件，前述電容元件，在透過 前述資料線對前述畫素電極供給影像訊號時，保持前述畫 素電極的電位。 根據此樣態，藉由將電容元件兼用作爲遮光部，與另 -16- 200822006 行設置遮光膜的場合相比，可以簡化構成該光電裝置用基 板之電路構成以及構成該電路的配線等的配置。 在前述之遮光部爲電容元件的樣態，前述一對電容電 極之各個，亦可由金屬膜形成。 根據此樣態，電容元件具有金屬膜一介電質膜（絕緣 膜）一金屬膜被層積而成的所謂MIM ( Metal-Insulator-Metal )構造。根據這樣的電容元件，可以減低因應於被 供給至一對電容電極的各種訊號而在該一對電容電極消耗 的耗電量。而且，與半導體層相比導電率很高，所以因應 於該影像訊號的供給而因應於影像訊號的電位立刻被供給 至畫素電極，所以可提高畫質。 在前述之遮光部爲電容元件的樣態，前述一對電容電 極之一方，亦可由半導體形成。 根據此樣態，電容元件具有金屬膜一介電質膜（絕緣 膜）一半導體膜被層積而成的所謂MIS ( Metal-Insulator-Semiconductor)構造。根據這樣的電容元件，可以使例如 成爲一方之電容電極的半導體層導電接續於畫素電極° 相關於本發明之光電裝置爲了解決前述課題’胃^前 述之相關於本發明之第1或第2光電裝置用基板° 根據相關於本發明之光電裝置，因爲具備前 於本發明之第1或第2光電裝置用基板，所以可以提丨共顯 示性能優異的光電裝置。 相關於本發明之電子機器爲了解決前述課 述之相關於本發明之光電裝置。 -17- 200822006 根據相關於本發明之電子機器，因爲具備相關； 之本發明的光電裝置，所以可實現可進行高品質的； 投射型顯示裝置、行動電話、電子手冊、文書處理； 景窗型或者螢幕直視型之攝影機、工作站、電視電話 終端、觸控面板等各種電子機器。此外，作爲相關； 明之電子機器，也可以實現例如電子紙等電泳裝置等。 本發明之作用以及其他優點可以藉由接著說明 施之最佳型態來瞭解。 【實施方式】 [供實施發明之最佳型態] 以下參照圖面，同時說明相關於本發明之光電裝 基板及光電裝置，以及電子機器之各實施型態。又， 實施型態，作爲光電裝置之一例，舉驅動電路內藏 TFT主動矩陣驅動方式之液晶裝置爲例。 <第1實施形態> 首先，依照圖1及圖2說明相關於本實施型態之 裝置的全體構成。此處，圖1係同時由對向基板之彻 的TFT陣列基板以及被形成於其上的各構成要素之液 置的平面圖，圖2爲圖1之Η-IT線剖面圖。 於圖1及圖2，在相關於本實施型態之液晶裝 TFT陣列基板1〇與對向基板20被對向配置。TFT陣 板10與對向基板20之間被封入液晶層50。TFT陣歹丨 k前述 [示之 ί、觀 、POS ‘本發 ί供實 置用 在本 型之 液晶 所見 晶裝 置， 列基 基板 -18- 200822006 1 〇與對向基板20，藉由位於作爲被設置複數之畫素部之 相關於本發明的「顯示區域」之一例之影像顯示區域1 0 a 的周爲之密封區域之密封材5 2而相互被黏接。 密封材5 2，係供貼合兩基板之用的，例如由紫外線硬 化樹脂、熱硬化樹脂等所構成，於製造程序被塗布於TFT 陣列基板1 〇上之後，藉由紫外線照射、加熱等而使其硬 化者。於密封材52中，爲了使TFT陣列基板10與對向基 板20之間隔（亦即，基板間間隙）成爲特定値而混入玻 璃纖維或玻璃珠等間隙材。相關於本實施型態之液晶裝置 ，作爲投影機之光閥用，係屬小型而適於進行擴大顯示。 並行於密封材52被配置的密封區域的內側，規定影 像顯示區域l〇a的框緣區域之遮光性的框緣遮光膜53被 設於對向基板20側。但是，這樣的框緣遮光膜53之一部 分或全部，亦可作爲內藏遮光膜而設在TF T陣列基板1 0 側。 周邊區域之中，位在被配置密封材5 2的密封區域的 外側之區域，沿著TFT陣列基板1 0的一邊設有資料線驅 動電路1 〇 1以及外部電路接續端子1 〇2。掃描線驅動電路 1 0 4，沿著鄰接於此一邊的兩邊，而且以覆蓋框緣遮光膜 5 3的方式設置。進而，爲了連接如此設於影像顯示區域 l〇a的兩側之兩個掃描線驅動電路1〇4間’沿著TFT陣列 基板1 〇之剩下的一邊，而且以覆蓋框緣遮光膜5 3的方式 設置複數配線1〇5 ° 在對向基板20的四個角落部，被配置有作爲兩基板 -19- 200822006 間的上下導通端子而發揮功能的上下導通材1〇6。另一方 面，在TFT陣列基板1 〇在對向於這些角落部的區域設有 上下導通端子。藉此，可在TFT陣列基板10與對向基板 20之間取得電氣導通。 於圖2，於TFT陣列基板10上，在被形成畫素開關 用之TFT或掃描線、資料線等配線之後的畫素電極9a上 ，被形成配向膜。另一方面，於對向基板20上，除對向 電極2 1以外，格子狀或條紋狀的遮光膜23、進而包括最 上層部分都被形成配向膜。液晶層5 0，例如係由混合一種 或數種向列型液晶之液晶所構成，在這一對配向膜間，呈 現特定的配向狀態。 TFT陣列基板1 0，例如係石英基板、玻璃基板、矽基 板等透明基板。對向基板20也與TFT陣列基板1 0同樣係 透明基板。 於TFT陣列基板10，設有畫素電極9a，於其上側設 有被施以摩擦處理等之特定的配向處理的配向膜。例如， 畫素電極9a由ITO膜等透明導電膜所構成，配向膜由聚 醯亞胺膜等有機膜所構成。 於對向基板2 0，跨其全面設有對向電極2 1，於其下 側設有被施以摩擦處理等之特定的配向處理的配向膜2 2。 對向電極2 1 ’例如係由ITO膜等透明導電膜所構成。配 向膜22，係由聚醯亞胺膜等有機膜所構成。 於對向基板20，亦可設置格子狀或條紋狀之遮光膜。 藉由採用如此構成，合倂於作爲後述之上部電容電極3 〇 0 -20 - 200822006 而設的上不遮光膜，可以更爲確實地阻止來自TFT陣列基 板1 0側之入射光之往通道區域1 ^至其周邊的侵入。 如此構成，在使畫素電極9 a與對向電極21以對面的 方式配置之TFT陣列基板10與對向基板20之間，形成液 晶層5 0。液晶層5 0在來自畫素電極9 a的電場未被施加的 狀態下藉由配向膜而成特定的配向狀態。 又，於圖1及圖2所示之TFT陣列基板10上，除了 這些資料線驅動電路1〇1、掃描線驅動電路104等驅動電 路以外，亦可形成採樣影像訊號線上的影像訊號而對資料 線供給的採樣電路、先於影像訊號而分別對複數資料線供 給特定電壓位準的預充電訊號之預充電電路、供檢查製造 途中或者出貨時之該光電裝置的品質、缺陷等之用的檢查 電路等。 其次，依照圖3說明相關於本實施型態之液晶裝置的 畫素部之電氣的接續構成。此處圖3，係構成相關於本實 施型態之液晶裝置的影像顯示區域之被形成爲矩陣狀的複 數畫素之各種元件、配線等之等價電路圖。 於圖3，於構成影像顯示區域1 〇a之被形成爲矩陣狀 的複數畫素之各個，被形成畫素電極9a、與相關於本發明 之「電晶體」之一例之TFT30。TFT30被導電連接於畫素 電極9a，於液晶裝置之動作時開關控制畫素電極9a。被 供給影像訊號的資料線6a，被導電連接於TFT30之源極 。被寫入資料線6a之影像訊號si、S2、…、Sn，依此順 序線依序地供給亦可，對相鄰接的複數資料線6a彼此， -21 - 200822006 以對各群組供給亦可。 於TFT30之閘極有掃描線3a被導電連接，液晶裝置 1，係以特定的計時，對掃描線3 a脈衝地將掃描訊號G1 、G 2、…、G m以此順序線依序地施加而構成。畫素電極 9a，被導電連接於TFT30之汲極，藉由使開關元件之 TFT30僅一定期間關閉其開關，而使從資料線6a供給的 影像訊號S1、S2.....Sn以特定的計時寫入。透過畫素 電極9 a被寫入作爲光電物質之一例之液晶的特定位準的 影像訊號S 1、S 2.....S η，在與被形成於對向基板之對 向電極之間保持一定期間。 構成液晶層5 0的液晶，藉由根據施加的電壓位準而 改變分子集合的配向或秩序，而調變光，可以顯示色階。 如果是常白模式，因應於在各畫素單位施加的電壓而減少 對入射光之透過率’如果是常黑模式’則因應於在各畫素 單位施加的電壓而增加對入射光之透過率’整體而言由液 晶裝置射出具有因應於影像訊號的對比之光。此處爲了防 止被保持的影像訊號洩漏，與被形成於畫素電極9a與對 向電極之間的液晶電容並聯地電氣接續相關於本發明之「 遮光部」之一例之蓄積電容7〇a。蓄積電容7〇a ’係作爲 因應於影像訊號的供給而暫時保持各畫素電極9a的電位 之保持電容而發揮功能的電容元件。根據蓄積電容7〇a， 可以提高畫素電極9a之電位保持特性，達成對比提高或 減低閃爍等顯示特性的提高。 其次，參照圖4及圖5說明實現前述動作的畫素部的 -22- 200822006 具體構成。此處圖4係相鄰接的複數畫素部之平面圖。圖 5爲圖4之A-Af線剖面圖。又，於圖4及圖5 ’爲了使 各層或各構件在圖面上標示爲可辨識的大小，所以各層或 各構件的比例尺不完全相同。在圖4及圖5爲了說明上的 方便，省略了比畫素電極9 a更位於上側的部分之圖示。 於圖5，從TFT陣列基板10至畫素電極9a爲止的部分， 構成相關於本發明之「光電裝置用基板」之一例。 於圖4，TFT陣列基板10上的影像顯示區域10a，係 由分別被設置畫素電極9a之複數畫素而構成的。 畫素電極9a，於TFT陣列基板10上被複數設置爲矩 陣狀。分別沿著畫素電極9a的縱橫之邊界，設有資料線 6 a以及掃描線3 a。掃描線3 a係沿著X方向延伸，資料線 6a係以與掃描線3 a交叉的方式沿著Y方向延伸。在掃描 線3 a與資料線6a之相互交叉的各個處所設有畫素開關用 之 TFT30 ° 掃描線3a、資料線6a、蓄積電容70a、下側遮光板 1 la、中繼層93以及TFT30，在TFT陣列基板10上平面 俯視，被配置於包圍對應於畫素電極9 a的各畫素的開口 區域（亦即，於各畫素，對顯示實際有貢獻的光被透過或 反射的區域）之非開口區域內。亦即，這些掃描線3 a、蓄 積電容70a、資料線6a、下側遮光板1 la、及TFT30，以 不妨礙顯示的方式，不配置於各晝素之開口區域，而被配 置於非開口區域。 於圖4及圖5’ TFT30，具備半導體層la、及作爲閘 -23- 200822006 極電極的掃描線3 a之一部份。 半導體層1 a，例如由多晶矽所構成，係由具有沿著γ 方向之通道長的通道區域la'、資料線側LDD區域lb、及 晝素電極側LDD區域1 c、以及資料線側源極汲極區域1 d 及畫素電極側源極汲極區域le所構成。亦即，TFT30具 有LDD構造。又，資料線側LDD區域lb，係相關於本發 明的第1接合區域之一例，畫素電極側LDD區域1 c，係 相關於本發明的第2接合區域之一例。
資料線側源極汲極區域1 d以及畫素電極側源極汲極 區域le，以通道區域la'爲基準，沿著Y方向幾乎被形 成爲鏡像對稱。資料線側LDD區域1 b，被形成於通道區 域la'及資料線側源極汲極區域Id間。畫素電極側LDD 區域1 c，被形成於通道區域1 a'及畫素電極側源極汲極 區域le間。資料線側LDD區域lb、畫素電極側LDD區 域1 c、資料線側源極汲極區域1 d及畫素電極側源極汲極 區域1 e，係例如藉由離子佈植法等之不純物植入而對半導 體層1 a打入不純物而成之不純物區域。資料線側LDD區 域lb及畫素電極側LDD區域lc分別被形成爲不純物比 資料線側源極汲極區域1 d以及畫素電極側源極及極區域 1 e更少的低濃度的不純物區域。根據這樣的不純物區域， 於TFT3 0之非動作時，可以減低流經源極區域及汲極區域 的關閉（off)電流，而且可以抑制TFT30動作時所流動 的打開（on )電流的降低。又，TFT30，最好具有LDD構 造，但是即使是資料線側LDD區域lb、畫素電極側LDD -24- 200822006 區域lc不進行不純物植入的偏移（offset )構造亦可，亦 可爲以閘極電極作爲遮罩將不純物高濃度地植入而形成資 料線側源極汲極區域以及畫素電極側源極汲極區域之自己 整合型。 如圖4及圖5所示，TFT30之閘極電極，被形成爲掃 描線3 a之一部分，例如由導電性多晶砂所形成。掃描線 3a具有沿著X方向延伸的本線部分，同時具有以TFT30 的通道區域la'之中與該本線部分不重疊的區域重疊的方 式沿著Y方向從該本線部往兩側延伸的部分。這樣的掃描 線3a之中與通道區域la'重疊的部分發揮閘極電極的功 能。閘極電極與半導體層1 a間，藉由閘極絕緣膜（更具 體而言，係2層之絕緣膜2a以及2b )而絕緣的。 TFT30之下側介由下底絕緣膜12被設爲格子狀之下 側遮光膜1 la，防止從TFT陣列基板10側入射至裝置內 之返回光，而遮住TFT30的通道區域la'以及其周邊。 下側遮光膜1 1 a，係由例如包含Ti (鈦）、Cr (鉻）、W (鎢）、Ta (鉅）、Mo (鉬）、Pd (鈀）等高融點金屬 之中的至少一種之金屬單體、合金、金屬矽化物、聚矽化 物、層積這些者等所構成。 下底絕緣膜12，除了由下側遮光膜1 la使TFT30層 間絕緣的功能以外，藉由被形成於TFT陣列基板1 0之全 面，具有防止TFT陣列基板10之表面硏磨時之粗糙，或 因洗淨後殘留的污漬導致畫素開關用TFT的特性劣化等功 -25- 200822006 於圖5，介由層間絕緣膜41而在比TFT陣列基板1 0 上的TFT3 0更爲上層側，設有蓄積電容70a。蓄積電容 7 0a，係下部電容電極71m以及上部電容電極3 00介由介 電質膜75a而被對向配置而形成的。 上部電容電極300係被導電連接於TFT30的畫素電極 線側源極汲極區域1 e以及畫素電極9a之畫素電極側電容 電極。更具體地說，上部電容電極300，介由接觸孔84a 被電氣接續於中繼層93，與中繼層93共同中繼畫素電極 線側源極汲極區域1 e及畫素電極9a間的電氣接續。而且 ，中繼層93，介由中繼層93之一部分之凸部93a及被電 氣接續於該凸部93a的接觸孔85a而被電氣接續於畫素電 極9a。亦即，畫素電極9a及上部電容電極3 00，被電氣 接續。 上部電容電極3 00，例如係包含金屬或合金而設於 TFT30的上側之非透明的金屬膜。上部電容電極3 00，作 爲遮住TFT30的上側遮光膜（或者內藏遮光膜）而發揮功 能。上部電容電極300，含有A1 (鋁）、Ag (銀）等其他 金屬而被形成。 又，上部電容電極3 00，作爲相關於本發明之「導電 性遮光膜」，亦可由例如包含Ti (鈦）、Cr (鉻）、W ( 鎢）、Ta (鉅）、Mo (鉬）、Pd (鈀）等高融點金屬之 中的至少一種之金屬單體、合金、金屬砂化物、聚砂化物 、層積這些者等所構成。在此場合，可以更進一步發揮作 爲上部電容電極3 00的上側遮光膜之功能。 -26- 200822006 下部電容電極71m，由畫素電極9a被配置的影 示區域10a延伸設於其周圍。下部電容電極71m，與 位源導電接續，係被維持於固定電位的固定電位側電 極。 下部電容電極71m，也與上部電容電極3 00同樣 透明的金屬膜。亦即，蓄積電容70a，係具有金屬膜 電質膜（絕緣膜）一金屬膜之3層構造的所謂MIM 。此處，下部電容電極7 1 m，跨複數畫素而延伸，由 複數之畫素所共用。 在本實施型態，特別是下部電容電極7 1 m被形成 屬膜，所以與使用半導體構成下部電容電極7 1 m的場 比，在液晶裝置之驅動時，可以減低該液晶裝置全體 耗的電力，而且各畫素部之元件可以高速動作。亦即 關於本實施型態的液晶裝置，可以進行高品質的影像 〇 介電質膜75a，具有例如由高溫氧化物（HTO， Temperature Oxide )膜、低溫氧化物（LTO， Temperature Oxide)膜等氧化矽膜，或者氮化矽膜等 成的單層構造，或者多層構造。 於圖5，介由層間絕緣膜42而在比TFT陣列基 上的蓄積電容7 0 a更爲上層側，設有資料線6 a及中 93 〇 資料線6a，於半導體層1 a之資料線側源極汲極 1 d，介由貫通層間絕緣膜4 1及42以及閘極絕緣膜2 像顯 定電 容電 是非 一介 構造 這些 爲金 合相 所消 ，相 顯示 High Low 所構 板10 繼層 區域 的接 -27- 200822006 觸孔8 1 a被導電接續。資料線6 a以及接觸孔8 1 a內部， 例如由Al— Si — Cu、Al— Cu等之含A1 (鋁）材料、或者 A1單體、或者A1層與TiN層等多層膜所構成。資料線6a ，也具有遮住TFT30的功能。 中繼層93於層間絕緣膜42上被形成於與資料線6a 同層。資料線6a以及中繼層93，例如在層間絕緣膜42上 使用薄膜形成法先形成以金屬膜等導電材料構成的薄膜， 再將該薄膜除去部分，亦即藉由圖案化以相互離間的狀態 形成。亦即，因爲以同一工程形成資料線6a以及中繼層 93 ’所以裝置的製造過程很簡便。 於圖5，畫素電極9a，介由層間絕緣膜43被形成於 較資料線6a更爲上層側。畫素電極9a，介由上部電容電 極3〇0、接觸孔83a、84a以及85a及中繼層93被導電連 接於半導體層1 a之畫素電極線側源極汲極區域1 e。接觸 孔8 5 a，藉由在被開孔於層間絕緣層43的孔部的內壁形成 構成ITO等之畫素電極9a的導電材料之膜而被形成。於 畫素電極9a之上側表面，設有被施以摩擦處理等之特定 的配向處理的配向膜。 以上所說明的畫素部的構成，如圖4所示，於各畫素 部共通。於影像顯示區域1 〇 a (參照圖1 )，相關的畫素 部被週期地形成。另一方面，在相關於本實施型態的液晶 裝置，在位於影像顯示區域1 〇a的周圍的周邊區域，如參 照圖1及圖2所說明的，被形成掃描線驅動電路1 04及資 料線驅動電路1 0 1等之驅動電路。 -28- 200822006 其次，依照圖6詳細說明構成作爲相關於本實施型態 之液晶裝置的遮光部之蓄積電容的一對電容電極之平面形 狀。此處，圖6係顯示構成相關於本實施型態之液晶裝置 的蓄積電容的一對電容電極的平面形狀之平面圖。又，在 圖6，構成圖4所示的畫素部之構成要素之中，擴大顯示 TFT30、掃描線3a以及蓄積電容70a〇 如圖6所示，構成蓄積電容70a之上部電容電極300 ，具有覆蓋資料線側LDD區域lb的第1部分301，與覆 蓋畫素電極側LDD區域lc的第2部分302。因而，由上 層側入射至資料線側LDD區域lb及畫素電極側LDD區域 lc的光，可以藉由第1部分301及第2部分3 02之各個來 遮光。也就是說，可以減低資料線側LDD區域1 b及畫素 電極側LDD區域lc之光洩漏電流的發生。 在本實施型態，特別是上部電容電極3 0 0之第2部分 302，係以比第1部分301在X方向之寬幅更寬的方式被 構成。亦即，第2部分302之X方向的寬幅W2，比第1 部分3 0 1的X方向之寬幅X1更寬。藉此，可以使入射至 畫素電極側LDD區域lc的光，比入射至資料線側LDD區 域1 b的光更確實地被遮光。亦即，可以使遮住到達畫素 電極側LDD區域1 c的光的遮光性，比遮住到達資料線側 LDD區域1 b的光的遮光性還要高或者更爲強化。此處， 如稍後所詳述，本案發明人推論出在TFT 30動作時，於畫 素電極側LDD區域lc ’比起資料線側LDD區域lb來說 相對容易發生光洩漏電流。亦即，推論出在T F T 3 0動作時 -29- 200822006 ，對畫素電極側LDD區域1 c照射光的場合，比對資料線 側LDD區域lb照射光的場合，更容易在TFT30發生光洩 漏電流。亦即，藉由以第2部分3 02具有比第1部分3 01 的寬幅W1更寬的寬幅W2的方式形成，可以提高對光洩 漏電流相對容易產生的畫素電極側LDD區域1 c之遮光性 ，可以有效減低流於TFT30的光洩漏電流。反過來說，藉 由使覆蓋住與畫素電極側LDD區域1 c相比光洩漏電流相 對不易發生的資料線側LDD區域的第1部分3 0 1，形成爲 具有比第2部分3 02更窄的寬幅W1，可以防止開口率的 無效的降低。 亦即，藉由使第2部分3 02的寬幅W2形成爲更寬廣 ，提高了對光洩漏電流相對容易發生的畫素電極側LDD 區域1 c之遮光性，同時藉由使第1部分3 0 1的寬幅W1形 成爲狹窄，可以防止開口率無用的降低。總之，僅藉由正 確地提高對光洩漏電流容易發生的畫素電極側LDD區域 1 c之遮光性，可以不招致開口率的無用的降低，而可以有 效地減低電晶體之光洩漏電流。 此處，參照圖7至圖12，詳細說明在前述之TFT30 動作時，於畫素電極側LDD區域1 c，比起資料線側LDD 區域1 b來說相對容易發生光洩漏電流的理由。 首先，參照圖7說明對測試用之TFT照射光的場合之 測定汲極電流的大小之測定結果。此處圖7係顯示測試用 的TFT之光照射位置與汲極電流之關係之圖。 圖7之資料E1，係顯示對測試用的單體之TFT，亦即 -30- 200822006 TEG ( Test Element Group)將光點（約2.4um之可見光雷 射）游擊極區域側往源極區域側依序掃描而照射的場合之 汲極電流的大小之結果。TEG除了通道區域、源極區域以 及汲極區域以外，還包括被形成於通道區域與源極區域之 接合部的源極側接合區域，以及被形成於通道區域與及極 區域之接合部的汲極側接合區域。 又，圖7的橫軸顯示被照射光點的光照射位置’以通 道區域與汲極側接合區域之邊界以及通道區域與源極側接 合區域之邊界進而通道區域爲零。圖7之橫軸顯示汲極電 流的大小（其中，係以特定之値規格化的相對値），汲極 電流由汲極區域往源極區域流的場合，爲+(亦即正値（ plus )之値），汲極電流由源極區域往汲極區域流的場合 爲一（亦即負値（minus)之値）。 於圖7，資料E 1，無論在任何光照射位置都顯示正的 値。亦即，汲極電流，顯示著從汲極區域朝向源極區域流 動。此外’資料E1，於汲極側接合區域內，顯示較源極 側接合區域內更大之値。亦即，在對汲極側接合區域內被 照射光點的場合，比在源極側接合區域內被照射光點的場 合，顯示汲極電流變得更大。總之，在對汲極側接合區域 內被照射光點的場合，比在源極側接合區域內被照射光點 的場合’顯不光浅漏電流變得更大。又，汲極電流，係由 B苜電流（或者是次閾値拽漏subthreshold-leak，亦即在不 照射光的狀態，於TEG之關閉狀態也流晶圓極區域汲極 極區域間的洩漏電流）與光洩漏電流（或者說光激發電流 -31 - 200822006 ’亦即由於光線的照射導致電子的激發引起的電流）所構 成。 其次，參照圖8及圖9，說明在對汲極側接合區域內 被照射光點的場合，比在源極側接合區域內被照射光點的 場合，光洩漏電流變得更大的機制。此處圖8係顯示於汲 極側接合區域發生光激發的場合之載子的行動之槪念圖。 圖9係顯示於源極側接合區域發生光激發的場合之載子的 行動之槪念圖。又，在圖8及圖9，假設前述之TFT30被 電氣接續的晝素電極9a之中間色階的顯示，源極電位（ 亦即源極區域的電位）爲0V，汲極電位（亦即，汲極區 域的電位）爲9.5V。圖8及圖9之橫軸，顯示構成TEG 的半導體層之各區域。圖8及圖9之縱軸，顯示電子的電 位（費米位準）。因爲電子具有負的電荷，各區域之電位 越高，電子的電位變得越小，各區域之電位越低，電子的 電位變大。 圖8係對被形成於通道區域及汲極區域間的汲極側接 合區域照射光點，於汲極側接合區域產生光激發之載子的 行動。 於圖8，光洩漏電流，可以推定由2個電流成分所構 成。 亦即，作爲第1電流成分，有光激發所產生的電子移 動所導致之電流成分。更具體而言，係汲極側接合區域之 光激發所產生的電子（參照圖中「e」），藉由從汲極側 接合區域往電位更低的汲極區域移動而產生的電流成分（ -32- 200822006 此電流成分，從汲極區域往源極區域流去）。 作爲第2電流成分，有光激發所產生的電洞（亦即正 孔，參照圖中的「h」）移動所導致之電流成分。更具體 而言，汲極側接合區域之光激發所產生的電洞，藉由從汲 極側接合區域往電位更低的（亦即電子的電位更高的）通 道區域移動而產生的雙極（bipolar)效果所導致的電流成 分。總之，藉由往通道區域移動的電洞的正電荷，通道區 域的電位（亦即所謂的基底電位）由電位Lcl往電位Lc2 降低，所以有從源極區域朝向汲極區域的電子增大的效果 所導致的電流成分（此電流成分由汲極區域往源極區域流 )。因而，於汲極側接合區域產生光激發的場合，第1及 第2電流成分都發生於使汲極電流（換句話說，集極（ collector )電流）增大的方向（亦即，從汲極區域往源極 區域流洞的方向）。 圖9係對被形成於通道區域及源極區域間的源極側接 合區域照射光點，於源極側接合區域產生光激發之載子的 行動。 於圖9，光洩漏電流，參照圖8與前述之汲極側接合 區域產生光激發的場合不同，可以推論出電洞從源極側接 合區域往電位更低的（亦即作爲電子的電位爲更高的）通 道區域移動的雙極效果所導致的第2電流成分係支配性的 。亦即，可以推定源極側接合區域之光激發所產生的電子 (參照圖中「e」），藉由從源極側接合區域往電位更低 的源極區域移動而產生的第1電流成分（此電流成分，從 -33- 200822006 源極區域往汲極區域流去），比起因於雙極效果的第2電 流成分（此電流成分從汲極區域往源極區域流）還要少。 於圖9，起因於雙極效果的第2電流成分（亦即藉由 往通道區域移動的電洞之正電荷，而使基底電位從電位 Lcl往電位Lc3拉下，所以從源極區域朝向汲極區域移動 的電子增大的效果所導致的電流成分），從汲極區域往源 極區域流。另一方面，前述之第1電流成分，從源極區域 往汲極區域流。亦即，第1電流成分與第2電流成分互往 相反的方向流。此處，再度於圖7，在對源極側接合區域 照射光的場合，汲極電流（參照資料E1 )顯示正的値。 亦即，在此場合，汲極電流從汲極區域朝向源極區域流動 。因而，第1電流成分，僅僅抑制暗電流或第2電流成分 之雙極效果所導致的電流成分，汲極電流的流動從源極區 域朝向汲極區域的程度可謂不大。 進而，通道區域以及源極區域間的電位差，比通道區 域及汲極區域間的電位差更小，所以源極區域側的空乏化 區域（亦即源極側接合區域），比汲極區域側的空乏化區 域（亦即汲極側接合區域）更窄。因此，對源極側接合區 域照射光點的場合，與對汲極側接合區域照射光點的場合 相比，光激發的絕對量很少。 以上，如參照圖8及圖9所說明的，於汲極側接合區 域產生光激發的場合，第1及第2電流成分均產生於使汲 極電流增大的方向。另一方面，於源極側接合區域產生光 激發的場合，第1電流成分抑制第2電流成分。因而，在 -34- 200822006 對汲極側接合區域內被照射光點的場合，比在源極 區域內被照射光點的場合，汲極電流變得更大（亦 漏電流便大）。 其次’在畫素電極側源極汲極區域爲汲極電位 畫素電極側接合區域內被照射光點的場合，比起在 側源極汲極區域爲汲極電位同時資料線側接合區域 射光點的場合，光洩漏電流變得更大的機制，參历 及圖1 1來說明。此處圖1 0係顯示於資料線側源極 域被設爲汲極電位的場合，於資料線側接合區域（ 說，汲極側接合區域）發生光激發的場合之載子的 槪念圖。圖1 1係顯示於畫素電極側源極汲極區域 汲極電位的場合，於畫素電極側接合區域（換句話 極側接合區域）發生光激發的場合之載子的行動之 〇 以下，考慮在包含畫素開關用之TFT的畫素部 電荷而發生光激發的場合。與如前述假想TEG的 不同之處，在於畫素開關用之TFT的畫素電極側， 成爲浮動（floating )狀態這一點。於畫素開關用 的畫素電極側，如蓄積電容7 0 a亦有被接續保持電 合，如果電容値充分地大，與使用前述之TEG的 樣成爲接近固定電極的狀態，但是電容充分地大的 會成爲浮動狀態或者接近此狀態。又，在此處假設 並不是充分地大。 於圖10以及圖1 1，在液晶裝置，爲了防止所 側接合 即光洩 同時對 資料線 內被照 ^圖10 汲極區 換句話 行動之 被設爲 說，汲 槪念圖 被保持 場合所 有可能 之TFT 容的場 場合问 話，則 電容値 謂燒屏 -35- 200822006 而採用交流驅動。此處，假設中間色階的顯示，假設對畫 素電極，以7V爲基準電位交互保持4.5V之負電場的電荷 與9.5V之正電場的電荷的場合。因此畫素開關用之TFT 的源極以及汲極，在畫素電極側源極汲極區域與資料線側 源極汲極區域之間，不是固定而會改變。亦即，如圖10 所示，對畫素電極保持負電場的電荷的場合（亦即，畫素 電極側源極汲極區域的電位比資料線側源極汲極區域的電 位更低的場合），畫素電極側源極汲極區域，成爲源極， 相對的如圖1 1所示，對畫素電極被保持正電場的電荷的 場合（亦即，畫素電極側源極汲極區域的電位比資料線側 源極汲極區域的電位更筒的場合）’畫素電極側源極汲極 區域成爲汲極。 於圖1 〇，在畫素電極被保持負電場的電荷的場合，畫 素電極側源極汲極區域，成爲源極（或者射極），資料線 側源極汲極區域，成爲汲極（或者集極）。汲極側接合區 域之資料線側接合區域產生光激發的場合，如前所述，產 生藉由光激發產生的電子移動導致的第1電流成分與起因 於雙極效果的第2電流成分。此處，產生起因於雙極效果 的第2電流成分時（亦即，基底電位由電位Lc 1往電位 Lc2拉下，而電子從源極之畫素電極側源極汲極區域起往 汲極之資料線側源極汲極區域移動時），從浮動狀態之畫 素電極側源極汲極區域取出電子，作爲射極的畫素電極側 源極汲極區域之電位，從電位Lsl往電位Ls2降低（電位 則是上升）。亦即，於汲極側接合區域之資料線側接合區 -36- 200822006 域產生光激發的場合，基底電位（base potential) 同時，作爲射極的畫素電極側源極汲極區域的電位 。換句話說，於汲極側接合區域之資料線側接合區 光激發的場合，伴隨著基底電位的上升，射極電位 。因此，汲極電流（亦即射極電流以及集極電流） 〇 另一方面，於圖1 1，在畫素電極被保持正電場 的場合，資料電極側源極汲極區域，成爲源極（或 )，畫素電極側源極汲極區域，成爲汲極（或者集 於汲極側接合區域之畫素電極側接合區域產生光激 合，如前所述，產生藉由光激發產生的電子移動導 1電流成分與起因於雙極效果的第2電流成分。此 爲源極的資料線側源極汲極區域，因爲不與資料線 所以與畫素電極不同不是在浮動狀態，電位也不產 。產生起因於雙極效果的第2電流成分時（亦即， 位由電位Lcl往電位Lc2拉下，而電子由源極之資 側源極汲極區域起往汲極之畫素電極源極汲極區域 )，往浮動狀態之畫素電極側源極汲極區域流入電 爲集極的畫素電極側源極汲極區域之電位，從電位 電位Ld2上升（電位則是下降）。但是，作爲集極 電極側源極集極區域之電位的上升，與前述之作爲 畫素電極側源極汲極區域的電位的降低不同，幾乎 制汲極電流的作用。汲極電流（亦即集極電流）， 由對射極電位之基底電位的大小而被決定，集極電 降低的 也降低 域產生 也上升 被抑制 的電荷 者射極 極）。 發的場 致的第 處，成 相接， 生變化 基底電 料線側 移動時 子，作 Ldl往 的畫素 源極的 沒有抑 幾乎藉 位即使 -37 - 200822006 降低也幾乎沒有產生抑制汲極電流的作用 進入雙極電晶體的飽和區域的狀態。 以上，如參照圖1 〇及圖11所說明的 保持於正電場的電荷的場合（亦即，畫素 區域，成爲汲極的場合），起因於雙極效 分幾乎不被抑制，相對的在畫素電極被保 荷的場合（亦即，資料側源極汲極區域， )，起因於雙極效果的第2電流成分起因 素電極側源極汲極區域之電位的上升而被 素電極側源極汲極區域成爲汲極的場合， 極區域成爲汲極的場合，起因於光洩漏電 增力口。 此處，圖12顯示對畫素開關用TFT 的光時之畫素電極電位的波形。 於圖12，資料E2，顯示在畫素電極 電荷的場合（畫素電極電位爲電位V 1的 極電位的變動A1，比在畫素電極被保持 場合（畫素電極電位爲電位V 2的場合） 的變動Δ2還要大。亦即，於畫素電極， 負電場的電荷更不易被保持（亦即容易發 與在畫素電極被保持正電場的電荷的場合 極側源極汲極區域成爲汲極的場合，比在 負電場的電荷的場合（亦即，資料線側源 汲極的場合，更容易產生光洩漏電流；ί ，換句話說，是 ，在畫素電極被 電極側源極汲極 果的第2電流成 持於負電場的電 成爲汲極的場合 於浮動狀態之畫 抑制。總之，畫 比資料側源極汲 流的汲極電流會 全體照射比較強 被保持正電場的 場合）之畫素電 負電場的電荷的 之畫素電極電位 正電場的電荷比 生光洩漏）。這 (亦即，畫素電 畫素電極被保持 極汲極區域成爲 匕前述的機制（ -38- 200822006 mechanism)是一致的。 以上，如參照圖7至圖1 2所詳細說明的’於畫素開 關用T F T之汲極側接合區域產生光激發的場合’汲極電流 容易增加。進而，於畫素電極側源極汲極區域成爲汲極的 場合汲極電流容易增加（反言之，在資料線側源極汲極區 域成爲汲極的場合，起因於雙極效果的電流成分被抑制） 。因而，如相關於本實施型態的液晶裝置那樣，藉由把畫 素電極側接合區域之畫素電極側LDD區域之遮光性，提 高至比對資料線側接合區域之資料線側LDD區域的遮光 性還要高，可以維持高的開口率同時得到高效果的遮光性 〇 如以上所說明的，根據具備相關於本實施型態的光電 裝置用基板之液晶裝置，可以不招致開口率的無用的降低 ’而可以減低起因於光洩漏電流的發生而產生的閃爍等顯 示不良。 <第2實施形態> 其次’參照圖1 3說明相關於第2實施型態之液晶裝 置。此處圖1 3係與第2實施型態之圖6相同要旨之平面 回。 ’於圖1 3 ’與相關於圖6所示的第1實施型態的構 成女素同樣的構成要素被賦予同一參照符號，而適當省略 其說明。 h圖1 3 ’相關於第2實施型態的液晶裝置，具備 TFT3〇、掃插線3a及蓄積電容7〇b。 -39- 200822006 TFT30具有包含通道區域laf的半導體層la’及由 掃描線3 a之中重疊於通道區域1 af的部分所構成的閘極 電極3 b。通道區域1 ，相互隔著複數畫素之分別的開 口區域之非開口區域之中，沿著顯示區域內的Υ方向延伸 的第1區域D1具有沿著Y方向之通道長Ll°半導體層 1 a，具有被形成於通道區域1 a'及資料線側源極汲極區域 Id間的資料線側LDD區域lb，及被形成於通道區域 及畫素電極側源極汲極區域1 c間的畫素電極側LDD區域 lc。亦即，半導體層la，以通道區域la'爲基準，具有 被形成於資料線側源極汲極區域1 d之側的資料線側LDD 區域1 b，及被形成於畫素電極側源極汲極區域1 e之側的 畫素電極側L D D區域1 c。 掃描線3 a，於非開口區域之中延伸於X方向的第2 區域D2，沿著X方向被形成。掃描線3 a之一部分’被形 成爲閘極電極3 b。閘極電極3 b，於第1區域D1及第2區 域D2相互交叉的交叉區域重疊於通道區域la'。 蓄積電容70b，具備上部電容電極300b、下部電容電 極7 1 η以及被挾持於這些電容電極間的介電質膜。蓄積電 容7 0b，其上部電容電極3 00b以及下部電容電極71η的平 面形狀，與上述之第1實施型態的蓄積電容70a的上部電 容電極300以及下部電容電極71m之平面形狀不同。其他 方面，蓄積電容7〇b與蓄積電容70a大致爲同樣的構成。 蓄積電容7〇b，具有由第1區域D1及第2區域D2相 互交叉的交叉區域起沿著Y方向延伸的第1部分Py，及 -40- 200822006 由該交叉區域起沿著χ方向延伸的第2部分Ρχ’及第1 部分Py與第2部分ΡΧ在交叉區域相互交叉的交叉部Cd 〇 第1部分Py，係由下部電容電極71 η之中沿著Y方 向延伸的下部電容電極Υ側延伸部7 1 ny，及上部電容電 極3 0 0 b之中沿著Y方向延伸的上部電容電極Y側延伸部 3 OOby，及介電質膜之中延伸於下部電容電極Y側延伸部 71my與上部電容電極Y側延伸部3 00by間的部分所構成 。第2部分Px，係由下部電容電極7 1 η之中沿著X方向 延伸的下部電容電極X側延伸部7 1 ηχ，及上部電容電極 3 0 0b之中沿著X方向延伸的上部電容電極X側延伸部 3 OObx，及介電質膜之中延伸於下部電容電極X側延伸部 7lnx與上部電容電極X側延伸部3 00bx間的部分所構成 〇 在本實施型態，特別是畫素電極側L D D區域1 c之至 少一部份，與交叉區域之交叉部C d，在T F T陣列基板1 0 上平面俯視爲相互重疊。又，資料線側L D D區域1 b，不 與交叉部Cd重疊。如參照圖7至圖1 2所詳細說明的，本 案發明人推論出在TFT30動作時，於畫素電極側LDD區 域1 c，比起資料線側L D D區域1 b來說相對容易發生光浅 漏電流。交叉部Cd及第2部分px，藉由畫素電極側LDD 區域1 c之至少一部份重疊於交叉部cd，而與畫素電極側 LDD區域1 c不重疊於交叉部Cd的場合相比，可以減低照 射於畫素電極側L D D區域1 c的光。更具體而言，於γ方 -41 - 200822006 向，以沿著第1部分Py的表面的方式對該表面之法線方 向以大角度斜向對畫素電極側LDD區域1 c入射的入射光 ，因爲第1部分Py延伸於Y方向，所以藉由第1部分Py 遮光。另一方面，於X方向，以沿著第2部分Px的表面 的方式對該表面之方向以大角度斜向對畫素電極側LDD 區域1 c入射的入射光，藉由延伸於交叉部Cd及X方向的 第2部分Ρχ而遮光。藉此，藉由使畫素電極側LDD區域 lc重疊於交叉部Cd可以提高對畫素電極側LDD區域lc 的遮光性。亦即，爲了提高對光洩漏電流相對容易發生的 畫素電極側LD D區域1 c之遮光性，並沒有必要增加蓄積 電容70b的第1部分Py或第2部分Px的寬幅。總之，根 據本實施型態之液晶裝置，提高對畫素電極側LDI)區域 1 c的遮光性，同時幾乎不或完全不招致開口率的降低。又 ’從提高開口率的觀點來看，蓄積電容7〇b的第1部分 Py及第2部分px的寬幅最好縮窄。亦即，交叉部cd最 好縮小。 又’與畫素電極側LDD區域lc比較，不易發生光浅 漏電流的資料線側LDD區域1 b，不重疊於交叉部Cd亦可 。在此場合，資料線側LDD區域1 b，藉由與蓄積電容 70b之第1部分py重疊而遮光，光洩漏電流在實踐上幾 乎不或完全不發生。 進而’在本實施型態，特別是閘極電極3b，具有在第 1區域D2沿著X方向延伸的本線部3 bx，與在第1區域 D1 ’從本線部3bx沿著γ方向突出於資料線側ldd區域 -42- 200822006 lb之側的凸部3by。通道區域la'之通道長Ll ’因爲因 應於T F T 3 0被要求的元件特性而被設定，畫素電極側 LDD區域lc要以重疊於交叉部Cd的方式變更通道區域 la〃的大小，或者是變更沿著該通道長L1的半導體層la 的長度，都會改變本來的TFT30的元件特性。亦即，藉由 畫素電極側L D D區域1 c重疊於交叉部C d，即使減低光洩 漏電流的產生，也同時帶來T F T 3 0所要求的開關特性等元 件特性自身的變更，使得獲得了可減低光洩漏電流的優點 以外，反而無法得到本來的元件特性。特別是如本實施型 態這樣，通道長L1比閘極電極3 b的本線部3 bx的寬幅 W 1還要大的場合，假設不施以任何對策，由於畫素電極 側LDD區域1 c之至少一部份重疊於交叉部Cd而使得通 道區域1 a'沿著Y方向從本線部3 bx伸出。 在相關的本實施型態，特別如前所述，閘極電極3b， 具有從本線部3 bx沿著Y方向突出於資料線側LDD區域 1 b之側的凸部3 by。因而，沿著方向挪移至資料線側LDD 區域lb之側而設至通道區域la'，也可以重疊於通道區 域la'而配置閘極電極3b。進而，凸部3by因爲重疊於 沿著Y方向延伸的第1部分Py，所以不會使非開口區域 增大。亦即，不會減低開口率而可以在通道區域1 a'重疊 配置閘極電極3b。 <第3實施形態> 依照圖1 4至圖1 6說明相關於第3實施型態之液晶裝 -43- 200822006 置。此處圖14係與第3實施型態之圖4相同要旨之平面 圖。圖15爲圖14之B-B，線剖面圖。圖16係與第3實 施型態之圖6相同要旨之平面圖。又，於圖14至圖16， 與相關於圖1至圖6所示的第丨實施型態的構成要素同樣 的構成要素被賦予同一參照符號，而適當省略其說明。 如圖1 4及圖1 5所示，相關於第3實施型態的液晶裝 置’參照圖4及圖15取代第i實施型態之TFT30而具備 TFT30C這一點，以及取代蓄積電容7〇a而具備蓄積電容 7〇c這一點，以及取代掃描線3a而具備掃描線3c這一點 ’與相關於前述第1實施型態的液晶裝置相異，其他部分 則與前述之第1實施型態相關的液晶裝置大致爲相同的構 成。 如圖14及圖15所示，TFT30C，具備半導體層la、 及作爲閘極電極的掃描線3 c之一部份。半導體層1 a，係 由具有沿著Y方向之通道長的通道區域1 a'、資料線側 LDD區域lb、及畫素電極側LDD區域lc、以及資料線側 源極汲極區域1 d及畫素電極側源極汲極區域1 e所構成。 資料線側源極汲極區域1 d，介由貫通層間絕緣膜42、絕 緣膜6 1、層間絕緣膜41以及閘極絕緣膜2 (具體而言爲 絕緣膜2a及絕緣膜2b)而開孔的接觸孔81b而與資料線 6a相互導電連接。畫素電極側源極汲極區域1 e，介由貫 通層間絕緣膜4 1以及閘極絕緣膜2而被開孔的接觸孔8 3 b 而與後述之下部電容電極71s相互導電連接。 如圖14所示，在本實施型態，複數之TFT30c分別相 -44 - 200822006 鄰接於γ方向（亦即列方向）而被配置 對Y方向的資料線側源極汲極區域1 d 極汲極區域le之朝向互爲相反的方式 對之TFT30C之各個的資料線側源極汲桓 於資料線6a的接觸孔8 1 b被共通化。 亦即，於圖14，以上下方向爲 Y TFT30C成爲上下反轉或者上下鏡像反| 這樣被配置爲鏡像對稱的複數TFT30C， 個TFT30c(i)(其中i爲偶數或者奇 線側源極汲極區域1 d與資料線6a之接 Y方向上第i+Ι個TFT30c(i+l)之資 域Id與資料線6a之接觸孔81b係共通 一個接觸孔81b，使一對之TFT30C (亦 及TFT30C ( i + Ι ))雙方之資料線側源 資料線6a導電接續。亦即，與如通常 置 TFT30c且分別對 TFT30C取得由資 域1 d往資料線6 a之電氣接續的場合相 接觸孔的數目。藉此，窄間距化成爲可 裝置的小型化/高精細化。 於圖1 5，介由層間絕緣膜4 1而在tl 上的TFT30c更爲上層側，設有蓄積電 70c，係下部電容電極7 1 s以及上部電溶 電質膜75a而被對向配置而形成的。 上部電容電極3〇〇c，係固定電位側 的一對TFT30c之 以及畫素電極側源 被配置，同時該一 |區域1 d導電連接 方向的話，一對之 尋之 TFT。接著， 接續Y方向上第i 數之任一）之資料 觸孔8 1 b，及接續 料線側源極汲極區 的。亦即，僅藉由 即 TFT30c ( i )以 極及極區域 1 d與 對每個畫素分別設 料線側源極汲極區 比，可以大幅減少 能，可以實現液晶 匕TFT陣列基板10 容70c。蓄積電容 :電極300c介由介 電容電極，下部電 -45- 200822006 容電極71s，係介由接觸孔83b被電氣接續於TFT30c的 畫素電極側源極汲極區域1 e之畫素電位側電容電極。下 部電容電極7 1 s，係以多晶矽等半導體所形成。亦即，蓄 積電容70c，具有所謂MIS構造。下部電容電極71s，介 由貫通層間絕緣膜42以及絕緣膜6 1而被開孔的接觸孔 84b而與中繼層93電氣導通。又，下部電容電極71s，除 了作爲畫素電位側電容電極的功能以外，也具有作爲上側 遮光膜之被配置於上部電容電極3 00與TFT30c之間的光 吸收層或者遮光層的功能。資料線6a，透過貫通層間絕緣 膜4 1、絕緣膜61以及第2層間絕緣膜42的接觸孔8 1 b被 導電連接於高濃度源極區域1 d。層間絕緣膜4 1及42之間 ，部分中介著絕緣膜6 1。 於圖1 4，下部電容電極7 1 s，於各畫素相互被隔開。 亦即，中介著資料線6a而被供給的影像訊號，因應於 TFT30C的開關動作而被供給至各畫素。上部電容電極 3 00c，因爲沿著X方向跨複數畫素而延伸，所以藉由在複 數畫素被共用而使得電極面積比下部電容電極71s更大。 然而，上部電容電極3 00c，係以鋁等金屬膜所構成，所以 與以半導體形成上部電容電極3 00c的場合相比，可以抑 制由於電極面積的增大所導致的電阻增加。因而，液晶裝 置動作時之耗電量的降低以及各畫素之各種元件的高速驅 動成爲可能，具有可以抑制藉由液晶裝置顯示影像時之回 應性的降低之優點。又，這樣的優點，如本實施型態所示 並不限於以跨上部電容電極3 00c沿著X方向相互鄰接的 -46 - 200822006 畫素而延伸的方式被形成的場合，上部電容電極3 00於影 像顯示區域l〇a以佔有更大面積的方式跨複數畫素而形成 的場合下更爲顯著。 於圖14及圖16，蓄積電容70c，具有由第1區域D1 及第2區域D2相互交叉的交叉區域起沿著Y方向延伸的 第1部分Py，及由該交叉區域起沿著X方向延伸的第2 部分Px，及第1部分Py與第2部分Px在交叉區域相互 交叉的交叉部C d。 第1部分P y，係由下部電容電極71 S之中沿著Y方 向延伸的下部電容電極 Y側延伸部7 1 sy，及上部電容電 極3 00c之中沿著Y方向延伸的上部電容電極Y側延伸部 300cy，及介電質膜之中延伸於下部電容電極Y側延伸部 7 1sy與上部電容電極Y側延伸部300cy間的部分所構成 。第2部分Px，係由下部電容電極71 s之中沿著X方向 延伸的下部電容電極X側延伸部7 1 s X，及上部電容電極 3 0 0c之中沿著X方向延伸的上部電容電極X側延伸部 3 00cx，及介電質膜之中延伸於下部電容電極X側延伸部 71sx與上部電容電極X側延伸部3 00cx間的部分所構成 〇
在本實施型態，與相關於前述之第2實施型態的液晶 裝置同樣，畫素電極側LDD區域lc之至少一部份，與交 叉區域之交叉部Cd，在TFT陣列基板10上平面俯視爲相 互重疊。又，資料線側LDD區域lb，不與交叉部Cd重疊 。因而，交叉部Cd及第2部分Px，藉由畫素電極側LDD -47- 200822006 區域1 C之至少一部份重疊於交叉部c d，而與畫素電極側 LDD區域1 c不重疊於交叉部Cd的場合相比，可以減低照 射於畫素電極側LDD區域lc的光。 如圖1 4及圖16所示，在本實施型態，特別是作爲 TFT30的閘極電極而共用的掃描線3c，於第2區域D2沿 著X方向延伸的本線部3 c 1，與第1區域D1與第2區域 D2相互交叉的交叉區域，具有本線部3 c 1以不重疊於畫 素電極側源極汲極區域1 c的方式使本線部3 c 1被部分切 開而成的凹部1 5 0，及由本線部3 c 1沿著Y方向往資料線 側源極汲極區域1 d之側突出的凸部1 6 0。因而，以掃描線 3 c之一部分作爲聞極電極，可以不重疊於畫素電極側源極 汲極區域1 c而且確實重疊設於通道區域1 a。 亦即，藉由掃描線3 c具有凹部1 5 0，即使沿著X方 向有掃描線3 c延伸的場合，也可以在沿著X方向排列的 複數畫素共用掃描線3 c，而且以掃描線3 c之一部分作爲 閘極電極’於各畫素以不重疊於畫素電極側源極汲極區域 lc且重疊於通道區域ia'的方式設置。進而，掃描線3c 藉由凸部160使得沿著γ方向使通道區域挪移至資 料線側源極汲極區域1 d之側，也可以重疊於通道區域1 a ^ 而將掃描線3 c之一部分作爲閘極電極配置。又，閘極電 極，亦可與掃描線3 c之一部分共用，亦可與掃描線3 c另 行設置’且藉由接觸孔等接觸手段而被導電接續於掃描線 3 c ° 又，於圖14，如前所述，一對之TFT 30c其接觸孔 -48 - 200822006 8 1 b被共通化，係所謂上下鏡像反轉之TFT，所以對應於 一對TFT3〇c之一對掃描線3c也成爲上下鏡像反轉之掃描 線。亦即，因應於相鄰接於 Y方向而被配置之一對 TFT30c之資料線側LDD區域lb以及畫素電極側LDD區 域之配置相互爲逆向，時得對應於一對TFT30c之一對 掃描線3c之凹部150以及凸部160之朝向以互逆的方式 被配置。藉由如此構成，實現了液晶裝置的小型化•高精 細化，同時可以減低起因於光洩漏電流的發生而產生的閃 爍等顯示不良。<電子機器> 其次，說明將前述之光電裝置之液晶裝置適用於各種 電子機器的場合。此處圖1 7係顯示投影機的構成例之平 面圖。以下，說明將此液晶裝置作爲光閥使用之投影機。
如圖1 7所示，於投影機1 1 0 0的內部，設有由鹵素燈 等白色光源所構成的燈單元1 1 02。由此燈單元1 1 〇2所射 出的投射光，藉由配置在光導1 104內的4枚反射鏡1 106 及2枚二色性反射鏡1 108而分離爲RGB三原色，射入作 爲對應於各原色的光閥之液晶面板lll〇R、111GB、111〇G ο 液晶面板1 1 1 〇 R、1 1 1 ο Β及1 1 1 0 G之構成’與前述液 晶裝置相同，以從影像訊號處理電路供給的R、G、B之 原色訊號分別驅動。接著，藉由這些液晶面板調變的光’ 由3方向入射至二色性稜鏡1 1 1 2。於此二色性稜鏡1 1 1 2 ，R以及B之光折射9 0度，另一方面G之光則直進。亦 即，各色之影像被合成的結果，透過投射透鏡1 1 1 4 ’在螢 -49- 200822006 幕等投影彩色影像。 此處，注意根據各液晶面板 1 1 1 0 R、1 1 1 0 B以及 1 1 1 〇 G之顯示影像的話，根據液晶面板1 1 1 0 G之顯示影像 ，有必要對根據液晶面板1110R、1110B之顯示影像左右 反轉。 又，於液晶面板1110R、1110B以及1110G，藉由二 色性反射鏡1 1 0 8，入射對應於R、G、B各原色之光，所 以不需要設置彩色濾光片。 又，除了參照圖1 7至圖1 9所說明的電子機器以外， 還可以舉出可攜型個人電腦、行動電話、液晶電視、觀景 窗型、螢幕直視型之攝影機、汽車導航裝置、呼叫器、電 子手冊、計算機、文書處理機、工作站、電視電話、POS 終端、具備觸控面板的裝置等。接著，當然也可以適用於 這些各種電子機器。 此外本發明，除前述之實施例所說明的液晶裝置以外 ，也可以適用於在矽基板上形成元件的反射型液晶裝置（ LCOS)、電漿顯示器（PDP)、電場放出型顯示器（FED 、SED )、有機EL顯示器、數位微反射鏡裝置（DMD ) 、電泳裝置等。 本發明並不以前述實施型態爲限，在可從申請專利範 圍及專利說明書全體讀出之不違反發明要旨或思想的範圍 內可以適當變更，伴隨著那樣的變更之光電裝置用基板、 具備該光電裝置用基板之光電裝置、及具備該光電裝置而 構成之電子機器都包含於本發明的技術範圍。 -50- 200822006 【圖式簡單說明】 圖1係顯示相關於第1實施型態之液晶裝置的全體構 成之平面圖。 圖2爲圖1之H-H，線剖面圖。 圖3係相關於第1實施型態之液晶裝置的複數之畫素 部之等價電路圖。 圖4係相關於第1實施型態之液晶裝置的複數之畫素 部之平面圖。 圖5爲圖4之A-Af線剖面圖。 圖6係顯7K相關於第1實施型態之液晶裝置的蓄積電 容的平面形狀之平面圖。 圖7係顯示TEG之光照射位置與汲極電流之關係之 圖。 圖8係顯示於汲極側接合區域發生光激發的場合之載 子的行動之槪念圖。 圖9係顯示於源極側接合區域發生光激發的場合之載 子的行動之槪念圖。 圖1 〇係顯示於資料線側源極汲極區域被設爲汲極電 位的場合’於資料線側接合區域發生光激發的場合之載子 的行動之槪念圖。 圖1 1係顯示於畫素電極側源極汲極區域被設爲汲極 電位的場合’於畫素電極側接合區域發生光激發的場合之 載子的行動之槪念圖。 -51 - 200822006 圖12係顯示對畫素開關用TFT全體照射光時之畫素 電極電位的波形之波形圖。 圖13係與第2實施型態之圖6相同要旨之平面圖。 圖14係與第3實施型態之圖4相同要旨之平面圖。 圖15爲圖14之B-B，線剖面圖。 圖16係與第3實施型態之圖6相同要旨之平面圖。 圖丨7係顯示適用光電裝置之電子機器之一例之投影 機的構成之平面圖。 【主要元件符號說明】 la :半導體層 la^ :通道區域 lb :資料線側LDD區域 lc :畫素電極側LDD區域 1 d :資料線側源極汲極區域 1 e :畫素電極側源極汲極區域 7 :採樣電路 3a，3c :掃描線 3 b :閘極電極 6a :資料線 9a :畫素電極 10 : TFT陣列基板 l〇a :畫素顯示區域 2 〇 :對向基板 -52- 200822006
2 1 :對向電極 23 :遮光膜 30 : TFT 5 0 :液晶層 70a，70b，70c :蓄積電容 71m，71n，71s:下部電容電極 8 1 a，8 3 a :接觸孔 1 0 1 :資料線驅動電路 102 :外部電路接續端子 104 :掃描線驅動電路 106 :上下導通端子 1 5 0 :凹部 160 :凹部 300,300b，300c :上部電容電極 3 01 :第1部分 3 02 :第2部分 C d :交叉部 D1 :第1區域 D2 :第2區域 Px :第1部分 Py :第2部分 -53-