TW200820285A - Chip type electrolytic capacitor and manufacturing method thereof - Google Patents

Description

200820285 九、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明係一種晶片型電容器製造方法的改進，尤 指一種製程簡單、阻值低、產品良率高之晶片型電容 器製造方法者。 【先前技術】

按由於半導體技術的演進，使得半導體構裝的 產品在市場需求提高下，不斷發展出更精密、更先進 壯电子元件以目韵的半導體技術而言，比如覆晶構 衣的技術、積層基板的設計及被動元件的設計等，均 在半導體產業中，佔有不可或缺的地位。以覆晶/球 格陣列封裝結構為例，晶μ絲置㈣裝基板的表面 =且晶片與封裝基板電性連接，而封裝基板係為 夕a圖案化電路層’以及多層絕緣層積集而成，其中 圖案化電路層可經由微影㈣的方式加以定義^成 ’而絕緣層配置於相鄰二圖案化電 為了得到更佳的電氣特性，封梦臭妬夕主 此外 孔将生封衣基板之表面上還配置 有電谷、電感以及電阻等被動元件 板之内部線路，而電性連接於晶片以及其：=二 片在高速運算下， 會傳至封裝基板上 元件即使在高溫的 在被動元件之設計上，由於晶 會產生向熱，且晶片所產生之熱能 ’再傳至被動元件±。為了使被動 200820285 環去兄下，也不會影響其電氣特性，因此必須設計具有 耐咼溫以及高穩定性的被動元件，而微小型積層電容 器即是其中一例。 ' 一般習知之微小型積層電容器，主要係由多層介 電層與多層金屬層堆疊而成，其中，介電層係由高介 電常數之材質，如：鋇鈦酸鹽所組成，而金屬層係由 如：銀、銀鈀合金之導電材質所組成，且多層金屬層 φ形成多個陽、陰極交替之内電極（Internal eiectrode )’而内電極與介電層係構成一電容結構，其兩側還 配置有一對終端電極，分別電性連接陽、陰極之内電 j，形成陽極及陰極，且該等陽極及陰極表面可形成 一表面金屬層’如：鎳，以防止氧化。 , 習見之微小型積層電容器雖可因由多層介電層 與二層金屬層堆疊構成，而體積可微小型化，增加運 用範圍。但是’其製程複雜，成本高，短路率很多， ♦製造過程及組裝困難。再者，美國第脳冰傷號 專利亦揭露有單一銘晶片電容器，該電容器係由陽極 2極中間隔離-隔離層所構成，其中陽極上包覆有 μ電氧化膜（AU〇3)，導電性碳膠層及銀膠層所構成 二陰極與陽極之間則有導電高分子層，而隔離層隔絕 =極、陽極構成銘晶片電容器。然而，電容器欲增加 ς電各值係以並聯連接方式’使數個電容器堆疊並令 以專電容器之電容值相加，得到數個電容值相加後之 200820285 5大的電容值’並將堆疊後之鋁晶片電容器進行封 從陽極與陰極端分別引出二導腳，形成完整^ 电谷益，但是，堆疊電容器需以治具擠壓鋁 器，，製程複雜(增加以治具壓著及上銀膠等程序 ^本南’短路㈣小且容f於封裝時 力进 ，員壞’又如美國第職21227號專利= 电谷不同之堆疊方式，然而，不論何種堆疊方式，： 如上述美國第⑽期24號專利，無 ^ 容易損壞、缴葙if雌 ,,_ 兄服冤今裔 因此"局、短路率报多之缺失。 〒此，如何能開發設計出一種多元晶片型 益，將是相關業界亟待努力之課題。 、曰 【發明内容】 各種有絲前述先前技術之缺點，乃依其從事 失悉心研究各種解決的方法，在=不積斷^對上述缺 型電容器製造方法的改進之二,二種全新晶片 術所產生之缺失。 以期能摒除先前技 本發明之一目的，係提供一種 ::的改進，以製程簡單、阻值低、； 容製程，進行晶片型電容器之製作。艮羊冋之包 根據上述之目的，本發明之製 之步驟：首先’於一金屬箔片（如: '站V白片）沖壓出 7 200820285 獲數個單元基片；再於陰陽極間塗上絕 於各單元基片之用豕接者’ 周面上形成一層作為介電質之氧化 ，(如：氧化幻;之後，於各單元基 ：： 之周面上除去氧化層，藉以形成陽極， ^ 被除去氧化層之部份，A涂欲道+上早凡基片未 膠，藉以形成陰極.接著將二'馬分子和複、銀 即獲得晶片型電容哭單-在起， 到電容器陽極之“不透過除去氧化層得 莫陽托、, 不仁了減父阻值，及更容易接 者％極，亚可大幅增加整體電容之特性。 、為便t審查委員能對本發明之目的、形狀 造裝置特徵及其功效，做象 氣每人 文做更進一步之認識與瞭解，茲 舉只轭例配合圖式，詳細說明如下： 【實施方式】 本發明乃有闕Γ Ώ 拎、# & A 〃 、種日曰片型電容器製造方法的 =心Γ第Μ'圖所示，本發明晶片型電容 依下狀㈣進行製作電容，此處需 Η:者，附圖所示的元件為了便於表示，係予以放大 十倍以上： ()IS於一可作為晶片型電容之金屬薄片（如 •銘^沖壓出多數個單元基Η。 ::早7L基片10之周面上被覆或形成一層作 =1胃4化層u (氧化銘層（Αΐ2〇3))， 此處，需予強調者，若使單元基片1G氧化亦 8 200820285 可得到相同的結果，或者將單元基片ίο泡入 電解液中，進行氧化和經過熱處理，如此交又 進行，亦可得到緻密之氧化層； (c)於各單兀基片1〇之陽極12與陰極區域之間 ，塗上絶緣樹脂3，以隔絶陽極12及陰極區 域； u)，各單元基片1G之—端選定處之周面上除去 • 氧化層，藉以形成陽極12，而單元基片未被除 • 去氧化層之部份則形成陰極區域； (〇在，極區域塗佈上導電高分子4和碳膠5、具 黏著特性之金屬導體6 (例如：銀膠等），藉 以形成陰極13 ; .(0如此，即獲得本發明之晶片型電容器單元夏。 •、如此，透過除去氧化層而得到電容器之陽極之方 _ 弋所开^成之電谷态，在陽極去除氧化層後，不但可減 '、P值及更谷易接著陽極，並可大幅增加整體電容 之特性。 在上述之製作步驟中，形成之晶片型電容器單元 1可以將陽極12與陰極13分別固定於一 支腳上⑶中未示），以引出陽、陰極12、13之終端 電極並u型電容器單元丨上封裝作為絕緣及隔 熱之樹脂（圖中未示），使該晶片型電容器單元1可使 用於電路板上，或能以SMT方式銲接於電路板上。 9 200820285 用^^ 步驟中，除去氧化層之方法，可以 、噴彻、嫩刻或者強酸钮刻 (層，任何方法)除去單元基片i。之一端周面的氧化 元1谁最^之衣作步驟中’可將複數晶片型電容器單 〇宜一起，並以具黏著特性之金屬導體2 ㈧如：銀膠等）將陽極12黏合在一起，二： 屬導體21之接合形成之金= 而幵>/成堆燮型電容器2。 在田上述之製作步驟中，可將複數晶片型電容器 隹豎广一起’並以鉚釘將陽極12 #合在-起，使 d型電容器2 ;該鉚釘表面上並設有多數個 大刺，该鉚釘可為空心或實心。 元述之製作步驟中，可將複數晶片型電容器單 隹登在一起，並利用雷射焊接、超 電阻焊接等方式接合陽極12，使形成堆疊型電; 改進=二述:本發明之晶片型電容器製造方法的 於杯 所未有之創新製造方法，其既未見 二：：刊物’且市面上亦未見有任何類似的產品，是 獨特i具有新性應無疑慮。另外，本發明所具有之 寺特徵以及功能遠非習用所可比擬，所以其確實比 更具有其進步性，而符合我國專利法有闕發明專 200820285 利之申請要件之規定，乃依法提起專利申請。 以上所述，僅為本發明最佳具體實施例，惟本發 明之構造特徵並不侷限於此，任何熟悉該項技蓺^ 本發明領域内，可輕易思及之變化或修 皆ς — 在以下本荦之白可涵盍 不茶之專利範圍。

11 200820285 【圖式簡單說明】 第1圖為本發明之成品剖面圖之一。 第2圖為本發明之成品剖面圖之二。 第3圖為本發明之成品剖面圖之三。 【主要元件符號說明】 10 :單元基片

11 ： 氧化層 12 ： 陽極 13 ： 陰極 1 ： 晶片型電容器單元 21 ： 具黏著特性之金屬導體 2 ： 堆疊型電容器 3 ： 絶緣樹脂 4 ： 導電高分子 5 ： 碳膠 6:具黏著特性之金屬導體 12

Claims (1)

1. 200820285 十、申請專利範圍： 1、一種晶片型電容器製造方法的改進，係依下列之步 驟進行製作電容： (a) 首先’於一可作為晶片型電容之金屬薄片沖 壓出多數個單元基片； (b) 於各單元基片之周面上被覆或形成一層作為 介電質之氧化層；

   2、

   (c) 於各單元基片之陽極與陰極區域之間，塗上絶 緣樹脂’以隔絶陽極及陰極區域； (d) 於*單元基片《一端冑定處之周面上除去氧化 層，藉以形成陽極，而單元基片未被除去氧化 層之部份則形成陰極區域； (e) 在陰極區域塗佈上導電高分子和石炭膠、具黏 著特性之金屬導體，藉以形成陰極； (Ο獲得晶片型電容器單元。 如申請專利範圍第！項所述之晶片型電容器製 方法的改進，其中形成之晶片型電容器單元可以 _陰極分別固定於一導線架之支腳上，以 出陽、陰極之終端電極，並於晶片型電容哭上 裝作為絕緣及隔熱之樹脂。 ’ 2請專利範圍第1項所述之晶片型電容器製: ^的改進’其中除去氧化層之方法，可以用^ :刻、辑刻、電裝飴刻或者亀刻物 3、 200820285 4、如申請專利範圍第1項所述之晶片型電容器製 造方法的改進，其中可將複數晶片型電容器單元 堆疊在一起，並以具黏著特性之金屬導體、導電 膠、金膠或白金膠將陽極黏合在一起，以形成堆 疊型電容器。 5、

   6、

   如申凊專利範圍第j項所述之晶片型電容器製 造=法的改進，其中可將複數晶片型電容器單元 隹i在起，並以鉚釘將陽極接合在一起，以形 成堆疊型電容器。 ^申、明專利犯圍第1項所述之晶片型電容器靠 ::法的改進’其中可將複數晶片型電容器單力 ^在H利用冑射焊接、超音波烊接或1 阻焊接等方式接合 ^ ^ 〇味極’使形成堆疊型電容器〇 如申請專利範圍第〗赤d s 哭制4 士、 弟1或4項所述之晶片型電笔 口〇衣方法的改進，並中 ^ ^ ^ ^ ，、中5亥具黏者特性之金屬_ 體可為銀膠。