[go: up one dir, main page]

TW200824009A - Device chip carriers, modules, and methods of forming thereof - Google Patents

Device chip carriers, modules, and methods of forming thereof Download PDF

Info

Publication number
TW200824009A
TW200824009A TW096129883A TW96129883A TW200824009A TW 200824009 A TW200824009 A TW 200824009A TW 096129883 A TW096129883 A TW 096129883A TW 96129883 A TW96129883 A TW 96129883A TW 200824009 A TW200824009 A TW 200824009A
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
dielectric
thick film
layer
conductive layer
composition
Prior art date
Application number
TW096129883A
Other languages
English (en)
Inventor
Joel Slutsky
Brian D Veeder
Thomas Lin
Original Assignee
Du Pont
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Du Pont filed Critical Du Pont
Publication of TW200824009A publication Critical patent/TW200824009A/zh

Links

Classifications

    • H10W70/098—
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K1/00—Printed circuits
    • H05K1/02—Details
    • H05K1/03—Use of materials for the substrate
    • H05K1/05—Insulated conductive substrates, e.g. insulated metal substrate
    • H05K1/053—Insulated conductive substrates, e.g. insulated metal substrate the metal substrate being covered by an inorganic insulating layer
    • H10W40/258—
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K1/00—Printed circuits
    • H05K1/02—Details
    • H05K1/09—Use of materials for the conductive, e.g. metallic pattern
    • H05K1/092—Dispersed materials, e.g. conductive pastes or inks
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2201/00—Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
    • H05K2201/01—Dielectrics
    • H05K2201/0137—Materials
    • H05K2201/017—Glass ceramic coating, e.g. formed on inorganic substrate
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2201/00—Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
    • H05K2201/03—Conductive materials
    • H05K2201/0332—Structure of the conductor
    • H05K2201/0335—Layered conductors or foils
    • H05K2201/0347—Overplating, e.g. for reinforcing conductors or bumps; Plating over filled vias
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2201/00—Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
    • H05K2201/10—Details of components or other objects attached to or integrated in a printed circuit board
    • H05K2201/10007—Types of components
    • H05K2201/10106—Light emitting diode [LED]
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2203/00—Indexing scheme relating to apparatus or processes for manufacturing printed circuits covered by H05K3/00
    • H05K2203/03—Metal processing
    • H05K2203/0315—Oxidising metal
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/22—Secondary treatment of printed circuits
    • H05K3/24—Reinforcing the conductive pattern
    • H05K3/245—Reinforcing conductive patterns made by printing techniques or by other techniques for applying conductive pastes, inks or powders; Reinforcing other conductive patterns by such techniques
    • H05K3/246—Reinforcing conductive paste, ink or powder patterns by other methods, e.g. by plating
    • H10W72/884—

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Led Device Packages (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)
  • Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)
  • Glass Compositions (AREA)

Description

200824009 九、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明係關於一種高熱效晶片載體及模組之形成。特定 而§，本發明係關於介電質厚膜組合物及該等組合物在形 成晶片載體及模組中之應用。本發明之某些實施例係關於 用於各種照明應用之發光二極體（LED)晶片載體及模組， 該等照明應用包括，但不限於LED背光、液晶顯示器
(CD)…、明、與顯示器相關之光源、汽車照明、裝飾照 明、標誌及廣告照明及資訊顯示器應用。 【先前技術】 可以夕個共軛有機聚合物層來製造固態電子裝置。基於 共軛來合物之二極體且尤其發光二極體（led)及光偵測二 極體由於其可能用於顯示器及感測器技術而尤其具有吸引 力此類裝置具有一包括一藉自電極（陽極或陰極）結合在 相對側上且載於一固體基板上之光電活化共輕有機聚合物 層或膜之結構。 通常’在聚合物二極體且尤其PLED中用作活性層之材 料包括展示光致發光之半導體共輕聚合物。在某些較佳設 置中’該等聚合物展示光致發光且係可溶且可自溶液加： 成均勻薄膜。 基於有機聚合物之電子裝置之陽極通常由一相對較高 函數之金屬製成。該陽極用於將電洞注入半導體發光聚 物之以其他方式填充之P-帶。 相對車乂低功函數之金屬（諸如鎖或pm < I23708.doc 200824009 么陰極材料。此低功函數陰極用於將電子注入半導體發光 聚合物之其他空p*-帶。在陽極處注入之電洞與在陰極處 注入之電子在活性層内以輻射方式重新結合且發光。 led，⑼通^可由表示為坎德拉之同軸光強來表徵。光 強度闡述自一#限面積源所韓射之每一立體角度之通量。 此外，通量係自-源向所有方向所發出光之總量。出於本 發明之目# ’通量將用於闡述LED之亮度。 根據其輻射能及功率來規定輻射度光而不考慮該輕射之 視見效果。$度光係在人類可見響應方面根據⑽標準觀 察者響應曲線而進行規定。此外，在光子學及固態物理學 之領域中，將發光效率定義為以流明表示之光度通量與以 瓦特表示之輻射度通量之間的轉換。 應注意，發光效率係-特定LED發光源之主波長之函 數。舉例而言一氮化銦稼（InGaN)LED顯示：對應於主 波長自奈米位移至56G奈米，發光效率自85流明/瓦特 增至_流明/瓦特。另一方面，一磷化銘銦稼(Alln_ 不：對應於主波長自580奈米位移至640奈米，發光效率自 580流明/瓦特降至_流明/瓦特。出於本發明之目的，參 考LED峰值透射率之發光效率。 大多數典型先前技術LED經設計以不超過3〇至6〇毫瓦之 電功率運作。最近，已引入能夠在1瓦特輸入功率下連續 使用之市售LED。該等LED使用較先前咖之為大之半導 體晶片來處理大功率。出於散熱以使接面溫度降至最低且 保持照明效能之目的，通常將該等較大晶片安裝至一較先 123708.doc 200824009 前LED結構更有效之熱導體（例如金屬塊）上。 通常，5瓦特之LED可以1 8至22流明/瓦特之效率供使 用’ 10瓦特之LED可以60流明/瓦特之效率供使用。該等1〇 瓦特之LED光裝置將產生與一普通5〇瓦特白織燈泡大約相 同的光且將促進LED用於普通照明需要。
儘管目前可利用該等led裝置，但仍存在對可提供改良 之效能特性（諸如增加之散熱品質）、改良之製造製程及更 ⑩ 低成本之優點之改良LED模組之需要。其他優點包括TCE 與晶片之匹配更接近、更小之尺寸、重量輕、環境穩定、 電路整合能力提高、光反射率增強、製造簡化、提高之良 率、更寬之製程公差、高機械強度及有效散熱。無一先前 技術LED達成在一 LED晶片載體及LED模組之形成中使用 一厚膜電介質膏組合物，而在一 LED晶片載體及LED模組 之形成中使用一厚膜電介質膏組合物在基底材料（在某些 貝施例中之陽極處理層）中促成了改良之介電性質且因此 ⑩ 改良效能特性。 現有技術或材料可能無法耐受高溫應用，尤其在處理期 間。典型有機材料在低於300 °C之溫度下固化。而厚膜技 術可耐受高温應用，諸如3〇(rc以上之彼等應用。 一 一實例係頒予Larson之美國專利第5,687,062號。Larson 揭示一種高熱效電路板，該電路板具有一具有高熱傳導係 數及接近矽之熱膨脹係數之基底層，諸如碳化鋁。該基底 層之上係一陽極處理金屬層，該金屬層或係一形成於該基 底上且然後經陽極處理之單獨材料（諸如鋁），或係一該基 123708.doc 200824009 底本身之經陽極處理部分。㈣將_具有低熱傳導係數但 具有良好電絕緣及黏性品f之密封劑材料（諸如& f ^⑽⑧ FEP)施加至該經陽極處理之金屬。該密封劑流入經陽極處 理之多孔金屬結構之空腔中，產生_良好錯固黏結。铁後 將-金屬落層黏結至該密封劑之表面，且將該金屬箱層用 於使用習用方法來形成導電電路路徑圖案。^嶋揭示， 該經陽極處理金屬之微腔容許流人該金屬孔内之密封劑材 料錯固。Larson進-步❹，將Tefl〇n⑧咖 溫度赠，且然後在-卿平方英对之壓力下強：： 進入该乳化銘之多孔表面中該經陽極處理之金屬用作 岔封劑之基質，使該密封劑錨固至該陽極處理金屬。 舉例而言，印刷電路板設計通常由該等有機材料形成且 無法一耐受高温應用之必需高溫。本發明在高溫、高溫應用 (如高功率LED應用）中係有用。 本技術中已提供LED晶片載體裝置之各種設計及構造。 然而’其皆存在與各種功能、製造性及成本有關之問題。 包括用於LCD應用中之模組在内之照明應用仍需要使咖 裝置具有較好之效能特性，該等較好之效能特性容許改良 散熱性質及熱傳導係數性質以改良發光二極體模組之整體 色知Π口貝且延長模組壽命。此外，仍存在對容許生產成本 降低之LED裝置及生產一大面積LED裝置之技能之需要。 本發明已提供該等材料、方法、晶片載體及模組以達成照 明技術之此一創新。 【發明内容】 123708.doc 200824009 本發明提供一種形成一晶片載體之方法，該方法包含： 提供一具有相對之上及下表面之基底材料；提供一電介質 厚膜組合物；將該電介質厚膜組合物施加至該基底材料之 上表面；焙燒該電介質厚膜組合物及該基底材料，從而形 成一包含一經焙燒基底層及經焙燒電介質層之結構；及施 加一至少部分地覆蓋該電介質層之導電層。在一進一步實 施例中，揭示一種形成一晶片載體之方法，該方法進一步 包含如下步驟：焙燒該導電層；提供至少一個組件；將一 組件附接材料施加至該電介質層；將該組件放至該組件附 接材料上；及將該組件連接至該導電層。 【實施方式】 雖然藉由參考led應用來闡述本發明，但應瞭解各個實 %例可用於眾多電子應用中，包括各種照明應用。本發明 進一步提供新穎照明裝置，其包括：（1)薄且輕型訊息顯示 态’諸如機場、火車站及其他場所之公共資訊標誌；（2)狀 L才曰不為’諸如專業儀器儀錶及消費者音頻/視頻設備上 之開/關燈；（3)用於TV、DVD及VCR遙控器内之紅外線 LED ; (4)替代有色玻璃後之普通燈泡之交通信號燈中之群 本’（5)>又車指示燈；（6)腳踏車照明；（7)計算器及量測儀 叩顯不益，（8)必須保持夜視之環境中（諸如在飛機駕駛 鈿’曰艇及船橋、天文臺及諸如夜間動物觀察及戰場用途 之項域中）之指示器及字母數字顯示器之紅色或黃色LED ; ()在…、相暗室中提供不會導致底片不期望曝光之照明； (1〇)…、明，諸如閃光燈或火炬；（11)緊急或發訊燈塔及閃 123708.doc 200824009 光燈；（12)用於機械及光學 予冤胸巧鼠及軌跡球之運動感測 …（13)南端LED列印機；及（14)普通家庭照明。
本發月揭不-種提供—改良晶片載體及模組之改良製造 方法:在LED應用中，該等晶片可係（例如）—個（白、紅、 綠或藍）LED晶片或由至少三個（白、紅、綠及雖肋晶片 成之夕個LED日日片且其或具有_内置電路驅動器或且有 -至-:卜部電路驅動器同時提供散熱通路之連接。、 應注意，需要LED晶#與任何相關光學材料之某些特定 組合來自-單晶片組或模組提供白光。出 正文及中請專職圍之目的，白色LEDW表示= 晶片與光學材料之特定組合之類型，只要其產生白光。舉 例而口目岫在製造中之多數白色LED使用覆蓋有一微黃 色鱗光體塗層之45(M70奈米藍色氮化稼（GaN)LED，該磷 光體塗層通常由摻雜有鈽的釔鋁石榴石（YAG:c匀晶體製 成。YAG:Ce之單晶形式被視為閃爍體而非磷光體。由於 頁光刺激人眼之紅色及綠色感受器，因而由藍光與黃光形 成之此a光產生白光外觀。亦可藉由使用基於高效銪之紅 色及藍色螢光粉加上摻有硫化鋅之綠色發光銅及鋁 (ZnS:Cu，Al)之混合物塗佈近發射紫外光之lEd來製得白色 LED。製造白光LED之另一選擇係不使用磷光體，而基於 一 ZnSe基板上之同質壘晶生長之硒化鋅（ZnSe)，其自其有 源區域發出藍光且同時自該基板發出黃光。儘管如此，通 常將白光用作LCD(液晶顯示器）背光，不論該光來自上述 單晶組或紅、綠及藍色LED之組合。 123708.doc -11- 200824009 形成一晶片/組件載體之方法 本發明提供-種形成-晶片（或組件）載體之新顆方法， 其包括：⑴提供-具有上、下相對表面之基底材料；提供 —介電質厚膜組合物；將該介電質厚膜組合物施加至該基 底材料之上表面卜培燒該介電質厚膜組合物及該基底材 料攸而形成一包含一經培燒基底層及經培燒介電質層之 結構’·施加一至少部分地覆蓋該介電質層之導電層。 在圖1中，s底材料由基底A1(圖i中符號1〇1)及一氧化 層（圖！中符號1〇2)組成。該介電質層由圖丄中符號ι〇3表 π ’ 1該導電層由中符號1G4表示。重要的是應注意， 圖1及圖2僅表示本發明之若干實施例，且本發明可使用包 括揭不於本文中之材料在内之眾多基底材料。 在—進-步實施例中，本發明揭示—種形成—晶片載體 之方法’其進一纟包含如下步驟··培燒該導電㉟；提供至 J個、、且件，將一組件附接材料施加至該介電質層丨將該 組件放置至該組件附接材料上；且將該組件連接至該導電 層。 基底材料（基板） 較佳係使用包含-為良好導熱體之上表面的基底材料或 基板。可用於本發明中之上表面之實例包括金屬材料。可 用之上表面包含，但不限於選自包含鋁、鈦、鈕及錯之組 群之孟屬。應瞭解，下及上相對表面可由相同材料形成。 可用作基底材料（包括相對之上表面及下表面兩者）之其他 材料包括，但不限於包含鋁、氧化鋁、類金剛石碳/鋁、 123708.doc -12- 200824009 銅、金屬基質鋁/碳/纖維複合物'銀、金、鈦、鈕、及錯 之組群。 在本發明一實施例中，該上表面係經氧化（在含鋁基板 材料之情況下係經陽極處理）。本文所用"氧化"意指與氧結 合或形成一含氧之膜或層。本文所用”氧化”包括陽極處 理。應注意，可提供一經氧化上表面予包括上及下表面之 整個基底材料。在本發明中，氧化該基底材料並非必要， 且其僅為視需要之步驟。
介電質厚膜膏或帶組合物 ^ ^中’介1 f厚膜膏及帶組合物係用作介電質 層。介電質厚膜膏及帶組合物係在工#中眾所習知且 面有售。通常，可用於本發 在雷早ή 士 “ “〒之^子膜“且合物之類型係 在电子工業中銷售之習用產品。 組合物，”在處理_ υ使用可培燒厚膜膏 該等組合物之有機物會被㈣ 或虼k掉。該厚膜膏及帶組 70 中之介電質於及物“ “政佈於有機介質 冤貝叔及/或無機黏結劑（無機相）。 該有機介質通常係-聚合物在溶劑 ϊ添加劑（諾如本品、工從此外，少 (4 士表面活性劑）可為該有機 於此目的之fL赍田取人1 貝之一口 P分。用 取㊆用♦合物係乙基纖維素。 例包括乙縫乙基纖維素、W合物之其他實 脂之混合物、清$ ft / A S 土纖維素與酚醛樹 4¼脂且亦可使用低 酉曰。在厚膜組合物中使用@ & 知聚甲基丙烯酸 〜T便用取廣泛之溶 心或萜品醇）或置盥1 ^ _ 糸酉曰醇及萜（諸如 ;^與其他溶劑（諸如，松、法^ , -甲酸二丁酯、丁基卡 ，々某油、鄰苯 %、丁基卡必醇乙酸_、己二醇 123708.doc -13 - 200824009 及高沸點醇及醇酯）之混合物。此外，施加至基板上之後 用以促進快速硬化之揮發性液體可包括於煤劑中。該等及 其他心劑之各種組合經調配以達成所需黏度及揮發性需 求。 在某些實施例中可用之無機黏結劑包含可購自Vi〇x公司 作為第24935及24935CM號商品之玻璃粉。本發明之無機 相亦可存在填充劑。普通填充劑包括氧化鋁及二氧化矽， 及彼等熟諳此項技術者所習知之諸多其他材料。 在培燒之前，-處理需求可包括_可選熱處理，諸如： 乾燥、固化、回&、銲接及㉟等熟諳厚膜技術者所習知之 其他處理。在本發明中可用作介電質層之厚膜膏及帶組合 物之實例包括可自Ε· L du p〇nt de Nem〇urs _
Company(納幕爾杜邦公司））購得之第35〇3號商品，介電質 及 在右干貝施例中，可用於本發明中之介電質厚膜 組合物（介電質A及B)包含3%乙基纖維素、4%薛品醇、4% 鄰苯二甲酸二丁酯、及85%玻璃/填充劑。所用玻璃及玻璃/ 填充劑係Vi〇x之第24935及24935CM號商品。 在一實施例中，本發明之厚膜介電質組合物係一無鉛厚 膜組合物。彼等熟諳此項技術者瞭解多種介電質厚膜組合 物可用於本發明之各個實施例中。該等可用組合物可根據 應用、系統需求、焙燒溫度曲線分佈等而改變。 在一實施例中，介電質厚膜組合物之無機相基於總厚膜 組合物係介於50至95重量百分比之範圍内。在一進一步範 圍内，無機相基於總厚膜組合物係介於6〇至9〇重量百分比 123708.doc •14- 200824009 之範圍内。在一進一步實施例中，介電質厚膜組合物之無 機相基於總厚膜組合物係介於80至重量百分比之範圍 内。 可藉由彼等熟習此項技術者所習知之多種施加方法施加 該厚膜組合物。該等施加方法包括，但不限於絲網印刷、 軋製、浸塗、噴塗及帶層壓。 本發明之厚膜介電質膏及帶組合物包含一種或多種玻 璃，一種或多種樹脂及一種或多種溶劑。一旦經焙燒或處 理（在一典型450至600C之範圍内且較佳地在480至560。〇 之範圍内，且更佳地在5〇〇至560 °C範圍内之焙燒溫度 下）’该介電質形成一提高黏結強度之玻璃/陶瓷複合物。 由於存在厚膜組合物（且其中含有玻璃）且由於所形成之玻 璃/陶瓷物理機械及化學黏結，該基底材料與該介電質層 之間的黏結強度明顯地高於先前技術之黏結強度。該介電 質層係熱反應，此達成至該基底材料之物理機械黏結及化 學黏結二者。 此外，焙燒後，所形成之介電質層展示一再熱非熱塑性 現象。有效的是，所形成之介電質層係非熱塑性。在某些 貫^例中，培燒後形成_結晶玻璃。 導電層 该導電層通常由一導電金屬形成。在一實施例中，該導 電層由一厚膜貧或帶組合物形成。該厚膜膏或帶可被固化 或焙燒。典型導電層包含選自包含Ag、Cu、A1等之組群 之金屬。可藉由該導電層形成一電路。 123708.doc -15- 200824009 市售厚膜f及帶可用於本發明中。在本發明中可用作導 電層之厚膜膏及帶組合物之實例包括可自E. [ h价心
Nemours and Company購得之第 7713號商品。 形成一晶片/組件模組之方法 根據形成一晶片/組件載體之上述方法，可藉由額外步 驟形成一晶片/組件模組。本發明一實施例係形成一晶片 (或組件）模組之方法，該方法包含··提供一具有相對之下
及上表面之基底材料，《中該上表面係可氧化；將該基底 材料之上表面氧化，從而形成一基底層及一氧化層;將一 介電質厚膜組合物施加至該氧化層上；培燒該介電質厚膜 組合物、基底層及氧化層，從而形成一經焙燒之基底層、、 氧化層及介電質層；施加—至少部分地覆蓋該介電質層之 :電層;提供至少一個組件；施加一組件附接材料(圖2中 付號105)至該介電質層，其中該（等）導電層⑽，2中符號 不接觸違組件附接材料·，將該组件（圖2中符號1〇6)放 至忒組件附接材料上；將該組件連接至該導電層(在一實 ^例中，藉由兩個或更多個銲線）（圖2中符號107)。存在兩 種而要不同黏著方法之典型組裝方法··⑴使用具有填充底 :(%\氧树脂）之銲料凸塊之覆晶方法；及（2)面朝上方法， 其中可使用環氡樹脂或具有Ag之金屬襯墊或銲料（晶片上 可权知之金屬襯墊）。本發明之各個實施例包含該等兩種
、且衣方法。晶片模組之一實施例係一用於LED應用中之發 光二極體晶片模組。 X 基底材料、介電質層及導電層之以上詳述適用於且可用 123708.doc -16- 200824009 之實施例中 以下進一 於本發明之形成 V取 組件模組之方法 步詳述形成組件模組之方法。 組件附接材料 種：：Γ組件時’通常使用—環氧材料或銲料來附接。- ㈣Γ可❹某些實施財。例如，可❹l 、干八/見以上關於覆晶及面部朝上方法之 囊封劑
二!,？實施例V可將一介電質材料用作-囊封劑。該 =、w可心覆蓋該等導電（通常係銀厚臈膏組合物）跡 達成保護及/或提供一用於發光二極體應用中之反射 ㈣，附加效m的。舉例而言，若將介電質材料用作 :該等導電跡線上之囊封劑且㈣燒，若然後該囊封劑變 成白色，則其將可用作一反射囊封劑。可將各種介電質厚 膜組合物用作囊封劑。彼等組合物包括市售組合物。、 實例 將藉由舉出貫用實例進—步詳述本發明。然而，本發明 之範圍不以任何方式受限於該等實用實例。 實例1至17 該等實驗之目的係評價經陽極處理之鋁基板（具有一經 陽極處理鋁上表面之基底材料）上由Ε· I· du Pont de Nemours and Company提供之兩種單獨Dup〇nt實驗厚膜組 合物，介電質A及介電質b。該等介電質組合物係厚膜介 電質貧組合物。藉由四種不同導電層（即，銀A、B、c及 D)測試每一介電質A&B。此外，將每一介電質（介電質a 123708.doc •17· 200824009 及B)經-次培燒及兩次培燒，然後藉由該等四個不同導電 層之每一者測試經一次焙燒及兩次焙燒之介電質，如此共 給出16個實例。亦實施一無介電質層之控制實例Η。 將該等基板切割成由Nimet Industdes公司供應之 1 1厚40在耳之經陽極處理鋁。該經陽極處理之鋁基 底材料包含一陽極膜上表面層(即’ -經陽極處理之鋁表 面）。該陽極膜厚35至4〇微米。介電質A使用vi〇x c〇rp.之 第24935號(Pb-Zn-B)商品玻璃粉’且介電質B使用vi〇x C〇rP.之第24935CM (Pb_Zn_B_Ti)號商品玻璃粉。該無機相 佔總厚膜組合物之重4比係85%。該等有機物（有機介質或 煤劑）本質上由一乙基纖維素樹脂及鄰苯二甲酸二丁酯與 祐品醇之溶劑系統組成。#然彼等熟悉此項技術者所習知 之其他有機介質亦可用於本發明中。 藉由絲網印刷一塗層（焙燒〜14 μπι)施加該等介電質組合 物（介電質Α及介電質Β)，在室溫下乾燥5分鐘且在15〇它下 乾餘15分鐘。然後以一峰值駐留時間〜4分鐘及一總焙燒時 間65分鐘@56(TC焙燒該等基板。亦將一組部件在56〇它下 再次培燒。然後使用—銀導體使用一用㈣有評價測試之 具有80x80密耳方形襯墊之DuP〇nt蛇形電極圖案（所用之一 V 體係可自 Ε· I· du P0nt de Nemours and Company購得之 第7713號商品）對經焙燒組及經二次焙燒組二者進行絲網 印刷。在該實驗中，評價用於經一次焙燒及二次焙燒之組 二者之四個不同Ag電極（分別使用銀a、B、C&D之電極 A、B、C及D)。在每一實例中，將該（等）銀組合物進行絲 123708.doc 18 200824009 網印刷(焙燒厚度〜15㈣’將該組合物在@室溫下乾燥5分 鐘，在@15(TC下乾燥丨5分鐘且在@5〇(rc下培燒以形成2 電極。該實驗亦包括一無介電質之控制部分，如實例丨7。 在將該銀導體焙燒後，觀察所有組之表面缺陷 包括浮泡及龜裂。 該等缺陷 評價該等組之電阻、銲料驗收及黏附力。使用—四線萬 用表（HP模型3478A萬用表）實施電阻量測。自銀襯墊至銀 襯墊測試電阻。
當將藉助引線組裝於襯墊上之各部分在22〇攝氏度之溫 度下曝露至62Sn/36Pb/2Ag銲料達5秒之駐留時間時，銲料 驗收測試評價所形成之銲料黏結力。然後觀察部件之銲料 驗收（電極與引線之間的黏結）。 隶後4價係藉由線拉力強度展示之黏附力。觀察後，醉 由將引線彎曲至90度以使MTS instron可測試該線、八§電 極、介電質、經陽極處理乂介面之黏附力來測試經銲接部 件之黏附力。拉力強度以牛頓量測。 所用組合物實例1β16 介電質組合物Α及Β(膏組合物）包含佔總膏組合物重量百 分比之3%乙基纖維素、4%萜品醇、4%鄰苯二甲酸二丁 酉旨、85%無機相（即，玻璃或玻璃/填充劑）。以下闡述益 八 t\Y\ 機相： 123708.doc -19- 200824009
介電質A
介電質B 將每
Viox玻璃號 24935
24935CM 玻璃組合物
Pb-Zn-B
Pb-Zn-B-Ti 描述 玻璃粉，玻璃CTE(ppm/ °C)=12,6，軟pt. (°〇=329, Tg(oC)=287，TX°C>308 由約40 wt· %填充劑 (PbTi03)及約 60 wt. % 無 機相玻璃剩餘物組成之共 研磨玻璃&填充劑無機相 介電質組合物（以上介電質A及B)焙燒1及2次（不 同於焙燐； & @個單獨塗敷介電質層）。 導電、* ，層繞合物（銀組合物）：14 wt· %乙基纖維素、3 wt. %萜品醆 予、7〇 wt· %銀、5 wt· %玻璃，基於總重量百分比導電，♦ 、私予暝組合物。銀D約包含75 wt%銀及無玻璃。 銀 描述 玻璃 玻璃組合物
銀B 控制DuPont 7713
玻璃A
Pb-B-F-Si
銀C 7713之無Pb形式
玻璃B
Bi-Zn-B-Si-Al
銀D 7713之無Pb形式 7713之無玻璃料形式
玻璃C 無玻璃
Asahi ASF-1100B 不可應用 當比較資料時，重要的是注意，對介電質實施再焙燒係 可選且係非必要。該資料的確顯示與經陽極處理鋁一起使 用之讀等介電質之重要性及效益。在無介電質之情況下， 自Ag^墊至Ag襯墊量测到一 700莫姆之平均電阻。有介電 曾日$ 、、疋A或疋B，且經一次培燒或兩次培燒，皆未量測 到傳導性。對該等介電質之進一步評價顯示與銀D之軟銲 性及Ιέ附力良好且有機會最佳化銀之組合物以包括以扑為 123708.doc -20- 200824009 主或無Pb之銀導電組合物用作一候選電極。自該等測試所 得出之最重要結論係該等介電質（介電質A及B)的確可充當 一適當絕緣體用以增強π僅氧化鋁層”之絕緣，且該經焙燒 膜因在該介電質層或Ag電極中無浮泡而看似無缺陷。 實例18至27 :硬塗層經陽極處理A1-3003 [氧化A1-此與用 於先前實驗之以上實例卜16中之經陽極處理之基板相同] 良好及劣質組合物之判斷由觀察整個表面（龜裂、粗糙 度、浮泡等）且特別著重觀察龜裂、及浮泡或起泡來確 定。”起泡”在本文中界定為一脫氣現象及/或燒結現象，其 中一空或有孔穴留於所焙燒膜中且使該膜易受低擊穿及短 路之影響。另一表面缺陷係該氧化層上之組合物之反潤 濕。評價任一該等表面缺陷，且若存在缺陷，甚至在評價 進一步電測試（短路及擊穿電壓）之前使用所存在之缺陷排 除一候選介電質組合物。 對於硬塗層經陽極處理之Al-3003(厚度40密耳），若干組 合物不成功。列於下表之組合物在於540°C之標稱峰值溫 度下在該基板上印刷或焙燒時未得出希望之結果。 介電質 玻璃組合物 #層 平均厚 度(um) 焙燒 溫度 主要表 面缺陷 第18號實例-介電質C Viox第24927號商品 (PbAlBTiZn)，其約佔 總厚膜組合物之86 wt·%，無填充劑， TCE=11.4 ^ Is=353t： 1及2 14/27 540及 500 浮泡/ 氣泡 123708.doc -21 - 200824009 第19號實例-介電質D-DuPont 第 3503 万虎商品 Viox市售玻璃產品第 24927CM 號 (PbAlBTiZn)·共研磨 1及2 14/27 540及 500 龜裂/ 反濕潤 第20號實例-介電質E Viox市售玻璃產品第 V2086號（無Pb含 鉈)，TCE=10.65 ls=451°C 1 14 540 嚴重龜 裂至剝 落 第21號實例-介電質F Viox市售玻璃產品第 V2088號（無Pb含 鉈），TCE=10.6， Ts=448〇C 1 14 540 嚴重龜 裂至剝 落 第22號實例-介電質G Viox市售玻璃產品第 V2088CM號(無 Pb 含 銘，填充劑為銘酸 矽)，TCE=5.3 1 14 540 嚴重龜 裂至剝 落 實例23-介電 質Η Asahi 第 ASF-1100B 號 商品 1 14 540 剝落 實例24-介電 質I 以矽為填充劑之玻璃I 1 14 540 剝落 實例25-介電 質1(重製） 以矽為填充劑之玻璃I 1 14 540 剝落 實例26-介電 質J 玻璃I-無填充劑 1 14 540 剝落 實例27-介電 質Κ 玻璃II-以矽為填充劑 之無Pb玻璃 1 14 540 剝落 玻璃組合物在總玻璃組合物中所佔重量比 玻璃ID號
Si02 Al2〇3 B2O3 CaO ZnO Bi203 Sn02 Na20 Li20 玻璃 I 1.7 0.3 11.8 84.7 2.50 0.4 0.8 玻璃 II 7.11 2.13 8.38 0.53 12.03 69.82 無一無Pb之組合物提供一良好焙燒膜。Viox Corp.之第 24935及24935CM號商品在560攝氏度之升高溫度下能夠顯 示良好結果，而Viox Corp·之第24927號商品當在480攝氏 123708.doc -22- 200824009 度之低於標準溫度下焙燒時其顯示相當良好之結果。然而 即使該玻璃仍顯示輕微龜裂之跡象。重要的是應注意，藉 由修改處理溫度分佈圖（包括焙燒條件等）或修改整個系統 (即，若藉由不同之基底材料或導電層來處理），任一該等 介電質組合物均可顯示良好結果。 實例28至43 :裸A1基板（裸A1-1050) ^ 在無經陽極處理層之裸鋁基板（基底材料）上實施測試。 僅有如下參數不同於以上所述之參數1)無氧化層，及2) • 焙燒溫度係520攝氏度。以下表格將實施良好之組合物與 彼等不好（NG)之組合物分開。該等材料之組合物係玻璃、 可選填充劑（二氧化矽）、乙基纖維素樹脂，及溶劑萜品 醇0 組合物 玻璃組合物 層 焙燒厚 度(μπι) 主要 表面 缺陷 狀態 實例28-介電質D-DuPont 第 3 503 號 商品 Viox 第 24927CM 號玻 璃商品(PbAffiBZn)- 共研磨 1 14 無 好 實例29-介電質L Viox第24109號商品 (PbBSiAl)， TCE=11 ^ ls=361°C 1 16 氣泡 不好 實例30_介電質Μ 填充劑為二氧化矽之 含玻璃料BSiAlPb， TCE=7.7，Ts=470〇C 1 22 龜裂 不好 123708.doc -23- 200824009 實例31-介電質N 含玻璃料之 BSiAlPb，TCE=7.7， 18-470^: 1 27 無 好 實例32-介電質〇 以上Y研磨玻璃II， TCE=9，Ts=453〇C 1 11 無 好 實例33-介電質P 無Pb陶瓷玻璃料-高 TCE玻璃料， TCE=22 1 16 氣泡 不好 實例34-介電質Η Asahi 第 ASF-1100B 號 商品 1 12 氣泡 不好 實例35-介電質J 玻璃I 1 10 凹陷 不好 實例36-介電質J 玻璃II 2 28 無 好 實例37-介電質L Viox第24109號商品 (PbBSiAl)， TCE=11，Ts=361〇C 2 45 氣泡 不好 實例38-介電質Μ 填充劑為二氧化矽之 含玻璃料BSiAlPb， TCE=7.7，Ts=470〇C 2 50 龜裂 不好 實例39_介電質Ν 含玻璃料之 BSiAlPb，TCE=7,7， Ts=470〇C 2 42 無 好 實例40-介電質0 以上Y研磨玻璃II， TCE=9，Ts=453〇C 2 32 無 好 實例41-介電質Ρ 無Pb陶瓷玻璃料-高 TCE玻璃料’ TCE=22 2 70 氣泡 不好 實例42-介電質Η Asahi 第 ASF-1100B 號 商品 2 24 氣泡 不好 實例43-介電質J 玻璃I 2 23 凹陷 不好 三種組合物看起來皆良好。藉由測試BDV、黏附力及軟 123708.doc -24- 200824009 銲性進一步取介電質j組合物。重要的是應注意，藉由 修改處理溫度分佈圖（包括焙燒條件等）或修改整個系統 (即，若藉由不同之基底材料或導電層來處理），任一該等 介電質組合物皆可顯示良好結果。 金屬基複合材料（MMC)基板（鍍有鎳或鍍有a丨及鎳之裸A1) 之進一步實例
具有妷纖維之鋁複合材料雖然因TCE而不同於其他鋁， 仁亦〃有更粗糙之表面。表面粗糙度可影響龜裂。在讀上亦測試以上所有介電質且所有均具有龜裂問題。 【圖式簡單說明】 圖1表示一本發明之晶 圖2表示其中安裝有一 剖視側圖。 片/組件載體之剖視側圖。 組件之本發明之晶片/組件模組之 【主要元件符號說明】
101 102 103 104 基底層 氧化層 介電質層 導電層 105 106 組件附接材料 晶片/組件 107 連接導線 123708.doc 25

Claims (1)

  1. 200824009 十、申請專利範圍： 1. 一種形成一晶片載體之方法，該方法包括： 提供一具有相對之下及上表面之基底材料； 提供一介電質厚膜組合物； 將该介電質厚膜組合物施加至該基底材料之該上表 面； 焙燒該介電質厚膜組合物及該基底材料，如此形成一 包含一經焙燒基底層及一經焙燒介電質層之結構；及 施加一至少部分地覆蓋該介電質層之導電層。 2 ·如明求項1之方法，其中該基底材料係選自由鋁、氧化 鋁、鋁合金、類金剛石碳/鋁、銅、鋁金屬基質、銅、鋁/ 碳/纖維複合物金屬基質組成之群組。 3·如明求項1之方法，其中該基底材料包含一上及下表 面，其中該上表面係經氧化。 4·如清求項1之方法，其中該介電質厚膜組合物係選自包 a 厚膜貧組合物及一厚膜帶組合物之群組。 5·明求項1之方法，其進一步包含在焙燒之前使該介電質 厚膜組合物乾燥。 6·如明求項1之方法，其中該導電層係一厚膜膏組合物。 如明求項2之方法，其中該上表面包含選自由鋁、鈦、 鈕及锆組成之群組之氧化金屬。 8·如請求, $ 1之方法，其中該晶片載體係一發光二極體晶 片载體。 種I成一晶片模組之方法，該方法包括·· 123708.doc 200824009 提供一具有相對之下及上表面之基底材料； 提供一介電質厚膜組合物； 將該介電質厚膜組合物施加至該基底材料之該上表 面； 培燒該介電質厚膜組合物及該基底材料，藉此形成一 包含一經焙燒基底層及一經焙燒介電質層之結構； 施加一至少部分地覆蓋該介電質層之導電層； 焙燒該導電層；
    提供至少一個組件； 將一組件附接材料施加至該介電質層； 將該組件放置至該組件附接材料上；及 將該組件連接至該導電層。 〇· π求項9之方法，其進一步包含在焙燒之前使該介電質 厚膜組合物乾燥。 11.如請求項9之方法’ Α中藉由一選自由如下材料组成之 群=之材料將該㈣連接至該導電層：兩個或更多個連 ，㈣’·焊料及導電晶片附接材料（包括，但不限於導電 環氧材料)。 12·如請求項9之方法 料。 其中該導電層不接觸該組件附接材 13· 14. 15. / 項9之方法，其中該導電層包含Ag。 清求項9t 覆蓋該導電層進一步包含施加-囊封劑以部分地 如^項9之方法，其中將該導電層鍍有-Ni_Au層。 123708.doc 200824009 16 ·如請求項$ 只y之方法’其中在一步驟中焙燒該介電質厚膜 組合物及該導電層。 如明求項9之方法，其中該晶片模組係一發光二極體晶 片模組。 1 8·種藉由晴求項i之方法形成之發光二極體晶片載體。 19· -種藉由請求項9之方法形成之發光二極體晶片模組。 20. —種包含請求項19之模組之裝置。
    123708.doc
TW096129883A 2006-08-11 2007-08-13 Device chip carriers, modules, and methods of forming thereof TW200824009A (en)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US83700506P 2006-08-11 2006-08-11

Publications (1)

Publication Number Publication Date
TW200824009A true TW200824009A (en) 2008-06-01

Family

ID=38961497

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW096129883A TW200824009A (en) 2006-08-11 2007-08-13 Device chip carriers, modules, and methods of forming thereof

Country Status (5)

Country Link
US (1) US8710523B2 (zh)
EP (1) EP2050129A2 (zh)
JP (1) JP2010500779A (zh)
TW (1) TW200824009A (zh)
WO (1) WO2008021269A2 (zh)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI637404B (zh) * 2013-10-28 2018-10-01 美商菲洛公司 介電組成物、包含其之電子裝置及其製造方法

Families Citing this family (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008135725A (ja) * 2006-10-31 2008-06-12 Toshiba Corp 半導体発光装置
EP2273182B1 (de) * 2009-07-07 2018-12-19 Siteco Beleuchtungstechnik GmbH Dreidimensionales LED-Trägerelement mit thermischer Leitfähigkeit
KR101075738B1 (ko) * 2009-10-29 2011-10-26 삼성전기주식회사 방열 구조물 및 그 제조 방법
CN101887942A (zh) * 2010-06-07 2010-11-17 江苏鑫钻新材料科技有限公司 一种安装led的金属基板及其制造方法
WO2012054035A1 (en) * 2010-10-21 2012-04-26 Hewlett-Packard Development Company L.P. Adhesion-promoting surface
JP5999376B2 (ja) * 2011-09-28 2016-09-28 パナソニックＩｐマネジメント株式会社 素子搭載用基板、半導体モジュールおよび素子搭載用基板の製造方法
JP2013084954A (ja) * 2011-09-30 2013-05-09 Fujifilm Corp 発光装置
DE102015107657A1 (de) * 2015-05-15 2016-12-01 Alanod Gmbh & Co. Kg Verfahren zur Herstellung eines Anschlussträgers, Anschlussträger sowie optoelektronisches Halbleiterbauteil mit einem Anschlussträger
JP7234099B2 (ja) * 2019-11-12 2023-03-07 株式会社東芝 電子放出素子

Family Cites Families (32)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US1912226A (en) * 1929-10-30 1933-05-30 Lee C Sepin Newspaper crier and vending machine
US2191585A (en) * 1936-08-22 1940-02-27 Alliance Invest Corp Vending machine
US2991234A (en) * 1958-08-11 1961-07-04 Croname Inc Enameled aluminum and process for manufacture thereof
US3186588A (en) * 1963-02-27 1965-06-01 Marvin W Chapman Coin operated dispenser having a message means
US3224544A (en) * 1963-05-29 1965-12-21 New Era Letter Co Article dispensing controlled message producing means
US3258153A (en) * 1964-11-12 1966-06-28 Morgan Dispensing devices with audible announcing means
US3597259A (en) * 1969-05-21 1971-08-03 Horizons Inc Method of making high resolution image devices
US3699404A (en) * 1971-02-24 1972-10-17 Rca Corp Negative effective electron affinity emitters with drift fields using deep acceptor doping
US3822004A (en) * 1973-06-11 1974-07-02 Northwestern Corp Bulk vending machine with sound playback apparatus
US4313262A (en) * 1979-12-17 1982-02-02 General Electric Company Molybdenum substrate thick film circuit
US4374159A (en) * 1981-07-27 1983-02-15 Bell Telephone Laboratories, Incorporated Fabrication of film circuits having a thick film crossunder and a thin film capacitor
DE3335184A1 (de) 1983-09-28 1985-04-04 Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München Verfahren zum herstellen von halbleiterbausteinen
DE3520945A1 (de) * 1985-06-12 1986-12-18 Anton Piller GmbH & Co KG, 3360 Osterode Traegerelement zur aufnahme elektrischer und/oder elektronischer bauteile und/oder schaltungen
JPS6265399A (ja) * 1985-09-17 1987-03-24 株式会社フジクラ ホ−ロ−基板への厚膜回路の形成方法
JPS6284942U (zh) * 1985-11-19 1987-05-30
GB2206451A (en) * 1987-04-09 1989-01-05 Reginald John Glass Substrates for circuit panels
US5258335A (en) * 1988-10-14 1993-11-02 Ferro Corporation Low dielectric, low temperature fired glass ceramics
US5019675A (en) * 1989-09-05 1991-05-28 Xerox Corporation Thick film substrate with highly thermally conductive metal base
US5445295A (en) * 1992-01-17 1995-08-29 Brown; Graham Automated vending machine system for recorded goods
JPH06250211A (ja) * 1993-02-23 1994-09-09 Hitachi Ltd 液晶表示基板とその製造方法
JP3593707B2 (ja) * 1993-03-19 2004-11-24 住友電気工業株式会社 窒化アルミニウムセラミックスとその製造方法
JP2506270B2 (ja) * 1994-10-24 1996-06-12 株式会社東芝 高熱伝導性回路基板及び高熱伝導性外囲器
US5671331A (en) * 1994-10-31 1997-09-23 Croley; Harold G. Printed publication vending apparatus including programmable announcement capability
US5774336A (en) * 1996-02-20 1998-06-30 Heat Technology, Inc. High-terminal conductivity circuit board
US5687062A (en) * 1996-02-20 1997-11-11 Heat Technology, Inc. High-thermal conductivity circuit board
US6578728B1 (en) * 2000-02-10 2003-06-17 Norman Weigen Message delivery apparatus and system for paper dispensers and similar devices
US20030213809A1 (en) * 2000-02-10 2003-11-20 Norman Weigen Message delivery apparatus and system for paper dispensers and similar devices
US7053294B2 (en) * 2001-07-13 2006-05-30 Midwest Research Institute Thin-film solar cell fabricated on a flexible metallic substrate
KR100585909B1 (ko) * 2001-10-09 2006-06-07 이 아이 듀폰 디 네모아 앤드 캄파니 질화알루미늄 기판에 사용하기 위한 후막 전도체 조성물
US7709939B2 (en) * 2003-04-15 2010-05-04 Denki Kagaku Kogyo Kabushiki Kaisha Metal-base circuit board and its manufacturing method
US6953698B2 (en) * 2003-06-19 2005-10-11 Agilent Technologies, Inc. Methods for making microwave circuits
JP3935886B2 (ja) * 2004-02-02 2007-06-27 シャープ株式会社 有機エレクトロルミネッセンス素子

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI637404B (zh) * 2013-10-28 2018-10-01 美商菲洛公司 介電組成物、包含其之電子裝置及其製造方法

Also Published As

Publication number Publication date
WO2008021269A3 (en) 2008-04-10
JP2010500779A (ja) 2010-01-07
US8710523B2 (en) 2014-04-29
US20080035943A1 (en) 2008-02-14
EP2050129A2 (en) 2009-04-22
WO2008021269A2 (en) 2008-02-21

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TW200824009A (en) Device chip carriers, modules, and methods of forming thereof
JP5286585B2 (ja) 発光装置
JP6290380B2 (ja) 発光装置用基板、発光装置、及び、発光装置用基板の製造方法
JP5071555B2 (ja) 発光装置
KR100954657B1 (ko) 저온 동시소성 세라믹 (ｌｔｃｃ) 테이프 조성물, 발광다이오드 (ｌｅｄ) 모듈, 조명 장치 및 이들의 형성 방법
TWI245436B (en) Package for housing light-emitting element, light-emitting apparatus and illumination apparatus
CN107004752B (zh) 发光装置用基板、发光装置以及照明装置
JP4688633B2 (ja) 光反射体、発光素子搭載用配線基板、および発光装置
US9947850B2 (en) Substrate for light emitting devices and light emitting device
EP2182783A2 (en) Light-emitting module and illuminating apparatus
US9054287B2 (en) Substrate for mounting light-emitting element, production process thereof and light-emitting device
JP2011211154A (ja) 発光装置
WO2005106973A1 (ja) 発光素子用配線基板
EP2448025A1 (en) Light-emitting device
CN102208516A (zh) 发光元件用基板及发光装置
JP2006041230A (ja) 発光素子用配線基板ならびに発光装置
JP2010245258A (ja) 配線基板および発光装置
JP5229123B2 (ja) 発光ダイオード搭載用基板およびその製造方法
JP5773630B2 (ja) 発光素子搭載用基板およびその製造方法
WO2006093095A1 (ja) 分散型エレクトロルミネッセンス素子
JP2011258866A (ja) 発光素子搭載用基板および発光装置
JP5623587B2 (ja) 光反射体、発光素子搭載用配線基板、および発光装置
JP2010225607A (ja) 発光装置
KR102334956B1 (ko) 차량용 램프 및 이의 제조 방법
JP5383636B2 (ja) 光反射体、発光素子搭載用配線基板、および発光装置