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TW200813578A - Liquid crystal display - Google Patents

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TW200813578A
TW200813578A TW096126922A TW96126922A TW200813578A TW 200813578 A TW200813578 A TW 200813578A TW 096126922 A TW096126922 A TW 096126922A TW 96126922 A TW96126922 A TW 96126922A TW 200813578 A TW200813578 A TW 200813578A
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
liquid crystal
gate
pixel electrode
line
crystal display
Prior art date
Application number
TW096126922A
Other languages
English (en)
Inventor
Dong-Gyu Kim
In-Woo Kim
Byung-Duk Yang
Min-Wook Park
Woo-Sung Sohn
Min Hyung Choo
Kyung Suk Jung
Original Assignee
Samsung Electronics Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Samsung Electronics Co Ltd filed Critical Samsung Electronics Co Ltd
Publication of TW200813578A publication Critical patent/TW200813578A/zh

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Description

200813578 九、發明說明： 相關申請案之交互參照 本發明請求200 6年7月2 5日在韓國智慧財產局申請之 韓國專利申請案第10-2006-0069646號的優先權，且其全部 5 内容在此加入作為參考。
【發明所屬之技術領域J 發明背景 (a)發明領域 本發明係有關於一種液晶顯示器。 10 【先前技相，】 (b)先前技術之說明 液晶顯示器是多種被廣泛使用之平板顯示器之其中一 種，且一液晶顯示器通常包括兩顯示面板及一設置於其間 之液晶層，並且各顯示面板具有如像素電極與一共用電極 15之電場產生電極。該液晶顯示器可因在該等電場產生電極 施加一電壓而在一液晶層上產生一電場，且該電場接著決 定在該液晶層中之液晶分子的配向，並且因此控制入射光 之偏光以顯示-影像。液晶顯示器亦包括多數如閑極線與 資料線之说唬線，以藉由控制一與一像素電極連接之開關 2〇元件而將一電壓施加至像素電極。一薄膜電晶體(TFT)可作 為在-液晶顯示器中之各像素的開關元件，且該薄膜電晶 體包括多數由可能會短路之多層薄膜所形成之端子。曰曰 因此，在先前技射仍需要-種包括薄膜電晶體及/或 多層薄膜之液晶顯示器，其可避免因短路所造成之影像劣 5 200813578 化。 【潑^明内容】 發明概要 +本i月之或多個實施例提供一種不僅在薄膜電晶體 5劣化日守，而且在一閘極線與一資料線短路之情形下亦可修 復，液晶顯示器。在這說明書中，該用語“示範性”係指一 不範性實_且不—定指的是—理想實施例。 本發明之示範實施例提供一種液晶顯示器，其包含： 基板，-閘導體，係形成在該基板上且包括_閘極線與 10 -閘極電極者；_資料導體，包括_與該閘極線交又之資 料線與-放置在該閘極電極上之源極電極；及—像素電 極外係形成在該基板上者，其中該資料線與該源極電極與 一第一連接器及一第二連接器連接。 〜该第一連接器及該第二連接器之間設有該閘極線，且 15 5亥第一連接器及該第二連接器不與該閘極線重疊，並且該 第:連接器及該第二連接器之間設有該資料線與該閘極線 之交又點。一第一切口形成在該像素電極上，且該第一切 口與該閘極線形成-傾斜角度。該液晶顯示器更包括一面 對該像素電極設置之共用電極，其中一第二切口形成在該 2〇共用電極上，且該第二切口實質上平行於該第一切口。該 像素電極具有一平行於該閘極線之第一側及一與該第一側 才彿之弟一側，且5亥苐二側比該第一侧短，並且該第一側 大約是第二側之三倍長。 该像素電極包括互相分開之第一子像素電極與第二子 6 200813578 像素電極，且該第一子像素電極可傳導一第一電壓值並且 該第二子像素電極可傳導一第二電壓值，其中該第一子像 素電極之第一電壓值與該第二子像素電極之第二電壓值互 相不同，並且該第一子像素電極與該第二子像素電極被施 5 加由一單一影像資訊獲得之不同資料電壓。該液晶顯示器 包括一與該第一子像素電極連接之第一薄膜電晶體、一與 該第二子像素電極連接之第二薄膜電晶體、一與該第一薄 膜電晶體連接之第一訊號線、一與該第二薄膜電晶體連接 之第二訊號線、及一連接該第一薄膜電晶體與該第二薄膜 10 電晶體之第三訊號線，且該第三訊號線與該第一訊號線及 該第二訊號線交叉。該第一薄膜電晶體與該第二薄膜電晶 體可分別依據由該第一訊號線與該第二訊號線接收之訊號 而接通，且該等第一與第二薄膜電晶體係構成為可傳送來 自該第三訊號線之訊號。該第一薄膜電晶體與該第二薄膜 15 電晶體可依據由該第三訊號線接收之訊號而接通，且該等 第一與第二薄膜電晶體係構成為可傳送來自該第一訊號線 與該第二訊號線之訊號。該第一子像素電極與該第二子像 素電極電容性地耦合，且該液晶顯示器更包括一與該第一 子像素電極連接之第一薄膜電晶體、一與該第一薄膜電晶 20 體連接之第一訊號線、及一與該第一薄膜電晶體連接且與 該第一訊號線交叉之第二訊號線。 本發明之另一示範性實施例提供一種液晶顯示器，其 包含：一基板；一閘導體，係形成在該基板上且包括一閘 極線及一閘極電極；一資料導體，包括一與該閘極線交叉 7 200813578 之Μ料線及一^放置在该閘極電極上之源極電極；及一像素 電極，係形成在該基板上者，其中該資料線與該源極電極 與多數連接器連接。該等連接器係構成為可被一雷射切 割，使一電壓值可連續施加在該像素電極上，其中所施加 5之電壓值可保持該像素電極於一非作用狀態。 本發明之範轉係由結合於這說明書作為參照之申請專 利犯圍界定，且發明所屬技術領域中具有通常知識者可藉 由考慮以下砰細說明而更完整地了解本發明之實施例及實 現另外的優點。以下將參照先簡單說明之添附圖式。 10圖式簡單說明 Λ
第1圖是一 示本發明示範性實施例之液晶面板總成之
第2圖是顯示本發 一像素的等效電路圖。 第3圖是本發明 第4與5圖是第3圖 圖所示之液晶面板總成分別沿線IV-I ν 及”所截取之横截面圖。 弟6輿7 η画π _
第7b圖是第7a圖 第8圖是本發明 子像素的等效電路圖。 示範性實施例之液晶顯示器總成 第9圖是本發明另一 200813578 之一像素的等效電路圖。 第1 〇圖是本發明另一示範性實施例之液晶面板總成的 配置圖。 第11圖是第10圖所示之液晶面板總成沿線XI-XI所截 5 取之橫截面圖。 第12圖是本發明另一示範性實施例之液晶顯示器總成 之一像素的等效電路圖。 第13圖是本發明另一示範性實施例之液晶顯示器總成 的配置圖。 10 第14圖是本發明另一示範性實施例之液晶顯示器總成 之一像素的等效電路圖。 第15圖是本發明另一示範性實施例之液晶顯示器總成 的配置圖。 第16圖是第15圖所示之液晶面板總成沿線XVI-XVI所 15 截取之橫截面圖。 第17圖是顯示本發明另一示範性實施例之液晶顯示器 總成的方塊圖。 第18圖是本發明另一示範性實施例之液晶顯示器總成 的配置圖。 20 【實施方式】 實施例之詳細說明 以下將參照其中顯示本發明數個示範性實施例之添附 圖式更完整地說明本發明，且發明所屬技術領域中具有通 常知識者可了解的是所述實施例可以不偏離本發明之精神 200813578 錢疇的各種不同方式加以修改。在圖式中，層、膜）面 板區域等之厚度已加以誇大以便清楚顯示，且在整份說 月曰中頌似符號表示類似之元件。在此應了解的是當如 一層、膜、面板、區域或基板被稱為‘‘在，，另一元件上時， 5它可以直接在另一元件上或可存在多數中間元件。相反 地，當一元件被稱為“直接在，，另一元件上時，則沒有中間 元件。 以下將參照第1圖與第2圖說明本發明示範性實施例之 液晶顯示裔。第1圖是一顯示本發明示範性實施例之液晶顯 10示器的方塊圖，且第2圖是顯示本發明示範性實施例之液晶 面板總成之一像素的等效電路圖。如第1圖所示，本發明示 範性實施例之液晶顯示器包括一液晶面板總成300、連接於 液晶面板總成300之閘驅動器400與資料驅動器500、一與資 料驅動器500連接之灰電壓產生器800、及一用以控制前述 15 組件之訊號控制器600。該液晶面板總成300包括連接多數 訊號線（圖未示）及多數與該等訊號線連接且配置成一矩陣 之像素PX。此外’該液晶面板總成300包括一下面板1〇〇、 一面對該下面板1〇〇之上面板200、及一設置於其間的液晶 層3，如第2圖所示。該等訊號線包括多數用以傳送閘訊號 20 (或一掃描訊號)之閘極線（圖未示）、及多數用以傳送資料訊 號之資料線（圖未示），且該等閘極線基本上朝一横排方向延 伸並互相平行，並且該等資料線基本上朝一直行方向延伸 並互相平行。 請參閱第2圖，舉例而言，一連接於第i閘極線gl與第j 10 200813578 貧料線DL之像素PX包括一與該等訊號線(^與〇乙連接之開 關元件Q、及一連接該開關元件Q之液晶電容Ck及儲存電 容Cst，且Γ=1，2，···，η並且j=1，2” .，m。又，該儲存電容⑸可 以依需要省略。該開關元件Q是一設置在下面板1〇〇上之三 5端子元件，例如-薄膜電晶體。該開關元件Q包括一與該閑 極線GL連接之控制端子、一與該資料線〇1^連接之輸入端 子、及一連接於該液晶電容Clc及該儲存電容Cst之輸出端 子。 该液晶電容Cle使用-位在下面板100之像素電極191 及-上面板2GG之共用電極謂作為兩端子，且_位在兩電 極191與270之間之液晶層3係作為一介電材料。像素電極 191連接該開關元件Q，且制電極謂形成在該上面板細 之整個表面上亚且接收一共用電壓Vcom。與第2圖不同 地’该共用電極270可形成在下面板1〇〇處，此時，兩電極 15 與27G之至少-者可形成—直線或桿狀。作為該液晶電 =Clc之輔助構件的儲存電容係由另一與像素電極⑼重 $之儲存電極線(SL)構成，且一絕緣體設置於其間。如一 電壓Vc〇m之預定電壓施加至該另一訊號線，且該儲存 包谷Cst可以由一與一先前閘極線重疊之像素電極丨91形 成且一絕緣體作為一中間介質。 為了進行彩色顯示，各像素PX特定地顯示主要顏色之 /、中者（空間分群），或各像素px依據 一時間交替地顯示 不同主要顏色（即，暫時分群），藉此透過這些主要顏色之空 間或暫化加成來顯示所需顏色。該等主要顏色可包含，例 200813578 如’紅、綠與藍色三種主要顏色。在該空間分群之一例中， 第2圖顯示各像素(ρχΐ-ρχ3)具有一用以在上面板2〇〇對應 於該像素電極191之區域中顯示其中一主要顏色之濾色片 230。或者，與第2圖所示之結構不同，濾色片23〇可形成在 5下面板之像素電極191上方或下方。又，至少一用以偏 光之偏光子（圖未示）安裝在液晶面板總成3〇〇之外表面上。 請再參閱第1圖，灰電壓產生器800產生多數與該像素 ρχ之透光有關之灰電壓或參考灰電壓。閘驅動器400藉由連 接液晶面板總成300之閘極線，供應由一閘極接通電壓ν〇η 1〇與一閘極斷路電壓Voff之組合構成的閘訊號Vg。資料驅動 裔500連接液晶面板總成3〇〇之資料線，且選擇來自灰電壓 產生器800之灰電壓，並且將所選擇之灰電壓供應至該等資 料線作為一資料訊號。當灰電壓產生器8〇〇未供應所有灰度 用的灰電壓，而只供應預定數目之參考灰電壓時，該資料 15驅動斋500藉分割該等參考灰電壓且選擇來自所產生灰電 壓之其中一者，產生對應於所有灰階值之灰電壓。又，該 Λ號控制器600控制閘驅動器400及資料驅動器500。 各驅動|§ 400、500、600、及800可以至少一積體電路 (1C)θθ片之型悲直接安裝在液晶面板總成goo上，且它們亦 20可女裝在一撓性印刷電路膜（圖未示）上作成一TCP(帶載封 裝體），或者安裝在另一印刷電路板(PCB)上，藉此連接在 液晶面板總成300上。相反地，該等驅動器4〇〇、500、600、 及800可直接與該液晶面板總成3〇〇結合在一起。該等驅動 器400、500、600、及800亦可結合在一單一晶片中，依此 12 200813578 方式，該等驅動器之至少一者或形成該等驅動器之至少一 電路可配置在該單一晶片外側。 以下將參照第3至5圖及第1圖與第2圖說明本發明實施 例之液晶面板總成。第3圖是本發明示範性實施例之液晶面 5 板總成之配置圖，且第4與5圖是第3圖所示之液晶面板總成 分別沿線IV-IV及V-V所截取之橫截面圖。請參閱第3至5 圖，本發明實施例之液晶面板總成包括互相面對之下面板 100與上面板200、及設置在面板100與200之間的液晶層3。 首先將說明該下面板100。一包括多數閘極線121及多 10 數儲存電極線131之閘極導體係形成在一由透明玻璃或塑 膠製成之絕緣基板110上。該閘極線121傳遞閘訊號且主要 朝水平方向延伸，如第3圖所示。各閘極線121包括多數向 上且向下突出之閘電極124、及用以接觸其他層或一外部驅 動電路之較寬端接觸部129。一用以產生一閘訊號之閘驅動 15 電路（圖未示）可安裝在一黏著於基板110上之撓性印刷電路 膜（圖未示）上，或直接安裝在基板11〇上，或者與基板11〇 結合在一起。當該閘驅動電路與該基板110結合在一起時， 該閘驅動電路可直接連接在延伸之閘極線121上。各儲存電 極線131接收一預定電壓且包括多數向上且向下突出之儲 20存電極延伸部137，但是，該等儲存電極線之形狀與配置可 有各種不同的變化。 該等閘極導體121與131可以是由如鋁(A1)或鋁合金之 在呂系金屬、如銀(Ag)或Ag合金之銀系金屬、如銅(Cu)或銅 合金之鋼系金屬、如鉬(Mo)或鉬合金之鉬系金屬、鉻(Cr)、 13 200813578 钽(Ta)、或鈦(Ti)等形成之導體。或者，它們可呈 具有不同物理性質之導電層（圖未示）的多層結構;且^它們 之間的一導電層可以由一低電阻金屬，例如，一鋁系金屬、 -銀系金屬、及-銅系金屬製成，以減少訊號延遲或電壓 5降。相反地’另一導電層可由一例如，—鉬系金屬、鉻、 鈕或鈦材料等具有類似於銦錫氧化物（IT〇)與銦鋅氧化物 (ΙΖΟ)之極佳物理、化學與電接觸性質的不同材料製成。例 如，這結構可具有一鉻下層與一鋁（合金）上層，或一鋁（合 金)下層與一鉬（合金)上層。但是，該等閘導體121與131亦 10可由前述材料以外之各種金屬或導體形成。該等閘導體121 與131之侧邊最好是相對基板11〇之表面傾斜，且傾斜角度 範圍為大約30°至大約8〇°。 一閘極絕緣層140形成在該等閘導體上，且該閘極絕緣 層140係由石夕氮化物(§ίΝχ)或石夕氧化物(§〗〇χ)形成。多數由氫 15化非結晶矽(a_Si)或多晶矽構成之島狀半導體154形成在閘 極絕緣層140上，且各半導體154位在閘電極124上。在半導 體154上，形成有多數接觸島（歐姆接點）163與165，且歐姆 接點163與165係由以如磷等高濃度n型雜質摻雜之n+氫化 非結晶矽形成，或它們可由矽化物形成。該等半導體154與 20該等歐姆接點163與丨65之側邊亦相對基板11〇之表面傾 斜，且其間之傾斜角度範圍係大約3〇。至大約8〇。。 多數資料線171、多數汲電極175、及多數儲存電極線 131形成在該等歐姆接點ι63與165及閘極絕緣層14〇上。該 專資料線171傳遞資料訊號，且朝一實質垂直方向延伸，並 14 200813578 且藉此與閘極線121及儲存電極線131交叉。各資料線丄71包 括多數因朝閘電極124延伸而彎曲成U形之源電極173、及一 用以接觸其他層或該資料驅動器500之較寬端接觸部179。 例如，如果資料驅動器500與基板110結合在一起，則資料 5 驅動器500可直接連接於該等延伸之資料線171。 該等資料線171與源電極173係透過第一與第二連接器 174與178或連接部174與178連接在一起，且該等第一與第 二連接器174與178包含可連接該等資料線HI與源電極173 之電導體或電線。該等第一與第二連接器174與178係設置 10成互相面對且其間設置該閘極線121，並且該等第一與第二 連接器174與178未與該閘極線121重疊。該等沒電極175與 該等資料線171分開且面對設置在該等閘電極124上之源電 極173，並且各汲電極175具有一較寬端區域之一端、及形 成桿狀且具有一被該源電極173包圍之區域的另一端。一閘 15電極124、一源電極173、及一汲電極175與一半導體154 — 起形成一薄膜電晶體TFT。該薄膜電晶體之通道形成在該源 電極173與該汲電極175之間且在該半導體154上。 ^亥專資料導體171與175最好是由一如錮、鉻、钽、或 鈦、及其合金等耐熱金屬形成，且可具有一包括一耐熱金 2〇屬層（圖未示）與一低電阻導電層（圖未示）之多層結構。例 如，該多層結構包括由一鉻或鉬（合金)下層與一鋁（合金)下 層構成之雙層結構、或由一鉬（合金)下層、一鋁(合金）中間 層與一鉬（合金）上層構成之三層結構。但是，該等資料線 17卜該粒電極175及該㈣存電極線131可祕述材料以 15 200813578 Γ外之各種金屬或導電體形成。資料導體171與175亦最好相 對於該基板110傾斜，且其傾斜肖度範圍為大約3()。至大約 8〇。。該等歐姆接點163與165僅存在於位於其下方之半導體 I54與位於其上方之資料導體⑺與⑺之間，且該等歐姆接 5點163與165減少在其間之接觸電阻。各半導體154包括一未 被一資料線171與一汲電極175覆蓋之暴露區域，例如一在 源電極173與汲電極175之間的區域。 一鈍化層180形成在該等資料導體171與175上及該等 半導體154之暴露部份，且該鈍化層18〇可由如無機絕緣體 10或有機絕緣體形成，並可具有一平坦頂面。該有機絕緣體 最好具有小於大約4.0之介電常數與感光性，且該鈍化層 180可在忒半導體154之暴露區域處具有由一下有機層與一 上有機層構成之雙層結構，以獲得該無機層之極佳絕緣特 性且不會破壞該半導體154之暴露部份。多數接觸孔182^ 15 I85形成在鈍化層180中，以暴露該等資料線171之端部179 與該等汲電極175,且多數接觸孔181分卿成在鈍化層⑽ 與閘極絕緣層140中，以暴露該等閘極線121之端部129。多 數像素電極191及多數接觸輔助物81與82形成在鈍化層18〇 上，且它們可由如ΙΤΟ或ΙΖΟ等透明導電材料、或一如鋁、 20銀、鉻或其合金之反射性金屬形成。 各像素電極191係透過一接觸孔185實體地且電氣地連 接於一汲電極175，且接收一來自該汲電極175之資料電 壓。接收該資料電壓之像素電極191與該共用電極面板2〇〇 之共用電極270感應產生一電場，因此，決定了在兩電極ΐ9ι 16 200813578 與270之間之液晶層3的液晶分子方向。通過液晶層3之偏光 依據該等液晶分子之方向產生變化，且像素電極191與共用 電極270因形成-電容(以下稱為“液晶電容”)而在薄膜電晶 體斷路後仍維持所施加之電壓。該像素電極191與如儲存電 5極137a與137b之儲存電極線131重4，以形成一被稱為_儲 存電容之電容，且該儲存電容Cst增強該液晶電容Clc之電壓 維持能力。 各像素電極191亦呈矩形且具有兩對大致平行於該等 閘極線121或該等資料線171而形成之主要側邊，並且各像 10素電極191具有一具倒角角隅，藉此形成一傾斜側邊，而該 傾斜侧邊與这閘極線形成大約45°之角度。該像素電極191 包括一第一上切口 91a、一第一下切口91b、一第二上切口 92a及一第二下切口 92b，且該像素電極191利用這些切口 91a、91b、92a與92b分隔出多數區域。該等切口 91a、91b、 15 92&與9213大約由該像素電極191之右側至左侧傾斜地延 伸，且該等第一與第二上切口 9la與92a及該等第一與第二 下切口 91b與92b分別放置在以該儲存電極線131為基準之 上方區域與下方連接器上。該等第一與第二上切口 91a與 92a及該等第一與第二下切口 91b與92b互相垂直地延伸並 20與該閘極線121形成大約45。之角度，因此，該像素電極191 之下方區域被該等第一與第二下切口 91b與92b分成三個區 域，且其上方區域被該等第一與第二上切口 91a與92a分成 三個區域。該等區域或切口之數目可依據如像素電極191之 尺寸、在該像素電極191之垂直侧與水平侧之間的長度比、 17 200813578 μ晶層料料要素綠變。 物8!触料對應朗錢⑻㈣接㈣料極m 之^部129及該等:轉線171之端部179，鱗且接觸輔助物 81與82補充料附轉之端部I29或該等f料線1?1之 端和9與_外部裝置之黏著性並且保護它們。
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以下將說明上面板2〇〇。一光阻擔構件22〇形成在由透 月破璃或塑膠製成之絕緣基板21〇上，且該光阻擋構件22〇 亦被稱為-黑矩陣，並^防止光在該等像素電極ΐ9ι之間漏 出。該光阻擋構件220包括一對應於該等資料線ηι之直線 區域及對應於該等薄膜電晶體之平面區域，且光阻擋構件 220防止光在像素電極191之間漏出，並且界定出一面對像 素電極191之開口區域。該光阻擋構件22〇可具有多數面對 像素電極191且具有與像素電極191大致相同之形狀的開口 (圖未示）。又，多數濾色片230亦形成在基板21〇上。通常， 濾色片23 0形成在被光阻擋構件2 2 〇包圍之區域中並且可沿 著像素電極191之直線縱向地延伸。各濾色片230可顯示 紅、綠與藍三種主要顏色之其中一種。 一塗層250形成在該等濾色片230與該光阻擋構件220 上’且該塗層250可由一有機絕緣材料形成，並且這種塗層 20 250可防止濾色片23Ό暴露出來並提供一平坦表面。又，該 塗層250可以省略。但是，當存在時，一共用電極27〇形成 在該塗層250上，且該共用電極270由例如ITO或IZO等透明 導電材料形成，並且多數切口群71、72a與72b形成在該共 用電極270上。切口群71至72b之其中一者面對一像素電極 18 200813578 ⑼，且包射央切n7l、下切口 72a與上切口 72b。切口 7!-72b各設置在相鄰像素電極191之切叫㈣之間 切口 92a與9敲間'或細像素電極i9i角傾斜側邊 ^與動之間。各切口71至72b包括至少-實質平行於像素 电極191之下切口 92a或上切口灿延伸之傾斜直線單元且該等切口 71至7勒對_存電極線⑶大致反向對稱地設
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20 下與上切口 72樓72b各包括—傾斜直線部份、—水平 直線部份、及-垂直直線部份。該傾斜直線部份大致由像 素電極191之上區域或下區域朝該像素電極⑼之右側或卢 側延伸，且該水平錄部份與_直錄料由該傾斜^ 線部份之各端部沿著像素電極191之側邊延伸並與像素雨 極⑼之侧邊重疊，並且該等水平直線部份與該垂直直線: 份相對該傾斜部份傾斜-鈍角。該切⑼包括―中央垂直 直線部份、-對傾斜直線部份、及—對端垂直直線部。該 中央垂直直線部份大約由像素電極191左側延伸至該儲存 電極線⑶’且該對傾斜直線部由該中央垂直直線之端部延 伸至該像素電極191之右·與該中央垂直直線部份形成 -鈍角’並且分別平行於下與上切口72&與7%延伸。該端 垂直直線部糾-龍傾斜錢部狀__端延伸至該像素 電極之右側延伸且與該右側重4，並藉此與該傾斜直線部 ° _71至7化數目可依據設計要素改變， 且該光阻擋構件220可與切n7lmb44，㈣止光心 口 7U72b附近漏出。切口 71至咖、9u、㈣、仏與灿 19 200813578 之至少一者可以用一突起（圖未示）或一凹部（圖未示）來取 代，且該突起可由一有機材料或一無機材料形成，並且可 設置在一電場產生電極191上或下方。 配向層11與21塗布在顯示面板1〇〇與2〇〇之内侧表面 5上’且匕們可以是縱向配向層。偏光子12與22分別設置在 顯示面板100與200之外表面上，且兩偏光子12與22之偏光 軸可互相平行或交叉，而且其中一偏光軸平行宜於閘極線 121a與121b。在一反射型液晶顯示器中，可省略兩偏光子 12與22之其中一者。該液晶顯示器亦可包括偏光子12與 10 22、一相遲滯膜、顯示面板1〇〇與200、及一用以對一液晶 層3照射光之發光單元。該液晶層3具有正或負介電各向異 性’且在沒有磁場之狀態下，該液晶層3之液晶分子係排列 成使縱軸垂直於兩顯示面板之表面。 以下將說明本發明實施例之液晶顯示器之操作方法。 15 一訊號控制器600由一外部繪圖控制器（圖未示）接收輸入影 像訊號R、G與B及用以顯示所接收之影像訊號R、〇與8之 輸入控制訊號，而該等輸入影像訊號R、〇與8包括各像素 ρχ之亮度資訊，且該亮度具有一例如1024(=210)、 256(=28)、或64(=26)灰度之預定灰階值 。例如，以下任一訊 20说可作為該輸入控制訊號：一縱向同步訊號Vsync、水平同 步訊號Hsync、一主時脈訊號MCLK、及一資料賦能訊號 DE。該訊號控制器600依據該等輸入影像訊號R、g*b與 輪入控制訊號處理該等輸入影像訊號R、G與B，以適用於 液晶面板總成300與資料驅動器500之操作條件，且產生， 20 200813578 例如’一閘控制訊號CONTI與一資料控制訊號CONT2。接 著，訊號控制器600將閘極控制訊號c〇NT 1傳送至閘驅動器 4 0 0且將該資料控制訊號C Ο N T 2與該已處理影像訊號ϋ AT 傳送至資料驅動器500。該輸出影像訊號DAT是一數位訊號 5 且具有一預定值或一預定灰度。 該閘控制訊號CONT1包括一用以命令開始掃描之掃描 開始訊號stv及至少一用以控制該閘極接通電壓ν〇η之輸 出循環的時脈訊號，且該閘控制訊號C〇NT1可更包括一用 以限定該閘極接通電壓V〇n之期間的輸出賦能訊號〇E。該 10資料控制訊號C0NT2包括一用以表示開始傳送一組子像素 用之影像訊號的水平同步開始訊號STH、及用以產生將一 資料吼號傳送至該液晶面板總成之命令的載入訊號L 〇 A D 與貧料時脈訊號HCLK。該資料控制訊號c〇NT2可更包括 一用以使一共用電壓Vcom之資料訊號之電壓極性反轉的 15反轉訊號^8，以下，一資料訊號之極性表示一共用電壓 Vcom之資料訊號之電壓極性。 該資料驅動器500藉由依據來自該訊號控制器600之資 料控制afl唬CONT2選擇對應於各輸出影像訊號DAT之灰電 壓，接收一組子像素之輸出影像訊號DAT，且將該輸出影 20像訊號DAT轉換成一類比資料訊號，接著，將該類比資料 訊唬傳达至對應資料線。該閘驅動器4〇〇依據來自訊號控制 益600之閘控制訊號CONT1而將閘極接通電壓v〇n施加至該 閘極線，以接通與該閘極線連接之開關元件。接著，透過 在接通狀恶下之開關元件，將傳送至該資料線之資料傳送 21 200813578 至一對應像素PX。 在#於该水平同步§fl號Hsync與該資料賦能訊號de之 單位水平時段中反覆進行前述操作，以將該資料訊號 傳送至所有像素ρχ，並藉此顯示一訊框之影像。當顯示一 5汛框之衫像後’下一讯框開始且控制傳送至資料驅動器5〇〇 之反轉訊號RVS的狀態，使資料訊號之極性與前一訊框相 反(“訊框反轉”）。在此，流經一資料線之資料訊號極性可以 依據在一訊框(例如，橫排反轉、點反轉）中之反轉訊號rvs 特性而在相同訊框中反轉，或傳送至一排像素之資料訊號 10可以互相不同（例如，直行反轉、點反轉）。 以下將參照第4圖與第6至7b圖說明一修復本發明示範 性實施例之液晶顯示器的方法。第6與7a圖顯示本發明示範 性實施例之液晶面板總成的修復，且第7b圖是第7a圖沿線 Vllb-VIIb所截取之橫截面圖。請參閱第4圖，在其橫截面圖 15中，形成一薄膜電晶體之一閘電極124、一源電極173及一 汲電極175設置成互相面對，且一閘極絕緣層、一半導 體！54及歐姆接點163與165設置於其間。由於該閘極絕緣層 140、該半導體154及該等歐姆接點163與165均是薄膜，所 以該閘電極124、該源電極173及該汲電極175會因在製程中 20產生之錯誤或缺陷而短路。如果它們短路，則—對應薄膜 電晶體將無法正常操作，且一對應像素將會劣化，使它無 法在-液晶顯示器中執行一正常顯示操作。此時，該資料 線Π1係以使用雷射切割或切斷連接該資料線1?1與該^電 極⑺之第-與第二連接器174與178而與該源電如ϋ 22 200813578 —·地且電氣地分離，使在該資料線HI巾流動之資料電麼無法 傳送至該源電極173,藉此防止劣化之薄膜電晶體之不需要 操作。-利用切割該等第一與第二連接器174與178而轉變 成一浮動狀態之像素電極191使用一雷射依第一與第二切 5割線CL1與CL2而與-儲存電極線131形成短路。依此方 式，一在該儲存電極線131中流動之共用電壓Vc〇m將連續 地施加至該像素電極191，以將該像素電極191保持在一黑 或非作用狀態。因此，該劣化像素可以排除在該液晶顯示 為之顯不操作以外。 1〇 請參閱第7a圖與第几圖，一半導體位元153形成在該資 料線171與該閘極線121之交叉點處。該半導體位元153防止 该貪料線171因使該表面之外觀平滑而產生短路，且由於該 閘極絕緣層140、該半導體位元153、及該歐姆接點16〇在這 區域中層疊在該閘極線121與該資料線171之間，所以該閘 15極線121與該資料線171絕緣。但是，該閘極線121與該資料 線171可以因為該閘極絕緣層14〇、該半導體位元153、及該 區人姆接點160均為薄膜而短路。此時，切割資料線〗之兩 區域，使該閘極線121與該資料線171之交叉點與該資料線 171分離，如第7a圖所示。該資料線171之第一與第二切割 20線匸1"1與CL2位在該等第一與第二連接器174與178之間，且 沿著設置在該第一切割線CL1上方之資料線171流動的資料 電壓將沿著在該第二切割線CL2下方之資料線171流經該第 二連接器178、該源電極173及該第一連接器174，而非流經 該資料線171與該閘極線121之交叉點。因此，該資料電壓 23 200813578 可平順地傳送而不會受到在該資料線171與該閘極線121之 間的短路影響。如前所述’本發明實施例之液晶顯示器不 僅可在形成该溥膜電晶體之閘電極124、源電極173及彡及電 極175短路時修復，且亦可在該資料線171與該閘極線121短 5 路時修復。 以下將參照弟8至11圖說明本發明示範性實施例之液 晶面板總成。第8圖是本發明示範性實施例之液晶顯示器總 成之兩子像素的等效電路圖。請參閱第8圖，各像素ρχ包括 一對子像素’且該等子像素分別包括液晶電容Clca與Clcb。 10兩子像素之至少一者包括一開關元件（圖未示），且該開關元 件與一閘極線、一資料線、及一液晶電容Qca4Clcb。該液 晶電容Clca或Clcb包括作為兩端子之下面板1〇〇的子像素電 極PEa或PEb與上面板200的共用電極270、及作為一介電材 料且設置在該子像素電極PEa或PEb與共用電極27〇之間的 15液晶層3。該對子像素電極PEa與PEb互相分開且形成一像素 電極PE，而共用電極270形成在上面板2〇〇之整個表面上， 並且接收一共用電壓Vcom。該液晶層3具有負介電各向異 性，且在沒有電場之狀態下，該液晶層3之液晶分子係排列 成使一縱軸垂直於兩顯示面板之表面。由於先前已說明過 20 一濾色片230及一偏光子（圖未示），使省略其說明。 以下將參照第1圖與第8至U圖說明本發明實施例之液 晶面板總成’且第9圖是本發明另一示範性實施例之液晶顯 示器總成之一像素的等效電路圖。請參閱第9圖，本發明示 範性實施例之液晶面板總成包括多數訊號線及多數與該等 24 200813578 訊號線連接之像素ρχ，且該等訊號線包括多數對閘極線 GLa與GLb、多數資料線DL、及多數儲存電極線SL。各像 素PX包括一對子像素PXa與PXb，且各子像素pX^PXb包 括一與一對應閘極線GLa或GLb及一資料線DL連接之開關 5元件Qa*Qb、一與其連接之液晶電容Clca或Clcb、及一與 該開關元件Qa或Qb及該儲存電極線SL連接之儲存電容 Csta或Cstb 〇各開關元件Qa與Qb是一如一薄膜電晶體之三 端子元件’且設置在下面板1〇〇上。各開關元件如與砂包 括一與該閘極線GLa或GLb連接之控制端子、一與該資料線 10 DL連接之輸入端子、及一與該液晶電容Clca*cicb及該儲 存電容Csta或Cstb連接之輸出端子。 作為一液晶電容Clca與Clcb之輔助構件之儲存電容 Csta與Cstb係由一與一像素電極pe重疊之儲存電極線％構 成，且一絕緣體設置於其間。一如共用電壓Vcom之預定電 15壓施加於該儲存電極線SL上，且該儲存電容可 以由一與一先前閘極線重疊之子像素電極PEa4PEb，且一 絕緣體設置於其間。由於該等液晶電容(^⑶與Clcb已說明過 了，所以將省略其詳細說明。 如前所述’在包括液晶面板總成之液晶顯示器中，一 20訊號控制器600可接收一像素用之輸入影像訊號R、G與B， 且將所接收之輸入影像訊號轉換成兩像素子PXa與PXb用 之輸出影像机號DAT ’並且將該輸出影像訊號DAT傳送至 資料驅動器500。另一方面，一灰電壓產生器800獨立地產 生兩子像素PXa與PXb用之灰電壓組且交替地對資料驅動 25 200813578 /專灰电壓組，或者資料驅動器500交 灰電壓組，C/姐工7 人日地選擇 、乂對兩子像素PXa與PXb施加不同電壓。此萨 最好修正該影像職或產生該等灰電壓組，使兩子像素 與PXb之伽侷曲線之合成伽僞曲線接近一前視之參考^^ 5曲線。例如，一前視之合成伽偈曲線與設定成最適合該^ 晶面板總成之前視之參考伽僞曲線-致，且一側視(如二： 向觀視)之合成伽侷曲線最接近於一前視之參考伽僞曲線側 以下將參照第1〇β11圖說明第9圖所示之本發明示範性 實施例的液晶面板總成。f顧是本發明另—示範性實施 10例之液晶面板總成的配置圖，且第π圖是第1〇圖所示之= 晶面板總成沿線χμΧΙ所截取之橫截面圖。請參閱第忉_11 圖，該液晶面板總成包括互相面對之下面板100與上面板 200、及-設置於其間之液晶層3。這實施例之液晶面板總 成的層狀結構與第3至5圖所示之液晶面板總成是相同的。 15 以下將參照第1〇_11圖說明該下面板100。多數包括多 數對第一與第二閘極線121a與121b之閘導體形成在絕緣基 板110上，且閘極線121a與121b各包括該等第一與閘極電極 124a與124b之端部129a或129b。一儲存電極線131包括儲存 電極137a與137b，且一閘極絕緣層140形成在閘極導體 20 121a、12化與131上。島狀半導體154a與154b形成在閘極絕 緣層140上’且多數歐姆接點163a與165a形成於其上。一具 有多數資料線171與多數對第一與第二汲電極175&與175b 之資料導體形成在歐姆接點163a與165a及閘極絕緣層mo 上，且各資料線171包括多數對第一與第二源電極173么與 26 200813578 173b、及端部179。該等第一與第二·源極電極173a與173b透 過該等第一與第二連接器174a、174b、178a與178b連接該 資料線171，且一純化層180在資料導電體171、175a與175b 及半導體154a與154b之暴露部份上，並且多數接觸孔 5 181a、181b、182、185a與185b形成在鈍化層180及閘極絕 緣層140中。多數像素電極191與多數接觸輔助物81a、8lb 與82形成在鈍化層180上，且一配向層11形成在像素電極 191、接觸輔助物81a、81b與82、及鈍化層180上。 以下將說明第10-11圖所不之不範性實施例之液晶面 10 板總成的上面板。一光阻擋構件220、一塗層250、一共用 電極270、及一配向層21形成在絕緣基板21〇上。與第3至5 圖所示之液晶面板總成不同地，第10-11圖所示之示範性實 施例之液晶面板總成包括一像素電極191分開之第一與第 二子像素電極191a與191b。該等第一與第二子像素電極 15 191&與19113互相分開一間隙94，且間隙94包括一傾斜直線 部份、及一與該閘極線121形成一 45°角度之傾斜直線部 份。對一輸入影像訊號所設定之不同電壓施加至一對子像 素電極191a與191b，且該等電壓值可以依據該等子像素電 極191a與191b之尺寸與形狀來決定。該等子像素電極l9u 20與191^可具有不同面積，例如，相較於第一子像素電極 191a，第二子像素電極191b接收一較高電壓，且具有〜較 大面積。 該等液晶分子之傾斜角度可依據電場之強度改變，且 由於兩液晶電容Clca與Clcb之電壓互不相同，所以該等液晶 27 200813578 分子的傾斜角—度互·不相同，因此，兩子像素之亮度亦互不 相同。故，如果將該等第一液晶電容Clca之電壓控制成與 第二液晶電容Clcb之電壓成互相一致，則可以使由一側觀 視之影像儘可能接近於一由前方觀視之影像，即，側視伽 偈曲線可以儘可能接近於前視伽侷曲線，並藉此改善觀看 性0 此外，藉由使接收較高電壓之第一子像素電極191&的 面積小於第二子像素電極191b之面積時，亦可以將侧向觀 視之伽偈曲線控制成更接近於該前視伽僞曲線。特別地， 10當在該等第一與第二子像素電極191a與191b之間的面積比 大約是1 : 2至1 : 3時，該側向伽僞曲線變成更接近該前視 伽僞曲線，且因此改善側方觀視性。一由在該等子像素電 極191a與191b間之電壓差間所另外產生之次要電場的方向 係垂直於一子區域之主要側邊，因此，該次要電場之方向 15與主要電場之水平分量的方向一致。最後，在該等子像素 電極191a與191b之間的次要電場強化該等液晶分子之晶 體。 與第3圖與第5圖所示之液晶面板總成不同地，第1〇圖 與第11圖所示之液晶面板總成包括兩閘極線12la與121b ; 20兩閘極電極12如與124b ;島狀半導體154a與154b ;源極電 極173a與173b ;及汲極電極175a與175b。該等第一與第二 閘極線121a與121b、該等第一與第二閘極電極124a與 124b、該等第一與第二源極電極n3a與173b、及該等第一 與第二汲電極175a與175b與該等第一與半導體154a與154b 28 200813578 一起形成第一與第二薄膜電晶體(TFT)Q^Qb。在該等第 一與半導體154a與l54b上，該等第一與第二薄膜電晶體(^ 與Qb之通道分別形成在該等第一與第二源極電極17%與 173b之間，且在該等第一與第二汲電極17%與1乃b之間。 5此外，該等半導體b4a與154b沿著該資料線171及該等汲電 極175a與175b延伸，並藉此形成一半導體帶151，且一歐姆 接點163b A著该資料線pi延伸，並因此形成一歐姆接點帶 161。該半導體帶151具有一與該資料線171、該等汲電極 175a與175b及該等歐姆接點161與i65b底部之平面形狀實 10 質上相同之平面形狀。 在製造這種本發明示範性實施例之薄膜電晶體陣列面 板的方法中，該等資料線17卜該等汲電極175a與175b、該 等半導體151、及該等歐姆接點161與165|3係在一單一微影 成像製程中形成。在微影成像製程中使用的是具有不同厚 15度之感光膜，特別地，該感光膜依序包括一第一區域及一 比該第一連接器更薄之第二區域。該第一區域位在設有該 資料線17與該等汲電極175a與175b之配線區域，且該第二 區域位在該薄膜電晶體之通道區域處。 由於感光膜具有不同厚度之區域，故可使用一光罩具 20 有上提供一透光區域、一光阻擋區域、及一半透明區域。 在半透明區域中，設有一具有狹縫圖案、一格狀圖案、或 一適中透光率或適中厚度之膜。當設置具有一狹縫圖案之 薄膜時，該狹缝之寬度或在狹縫之間的間距最好小於在微 影成像製程中所使用之曝光裝置的解析度。另一例係使用 29 200813578 -可迴焊感光膜，即，該可迴焊感光膜係彻—僅具有一 透光區域與光阻擋區域之典型感光膜形成，接著，藉由使 所形成之感光膜迴焊至沒有該感光膜之區域上，形^一較 薄Μ。如前所述，其製造方法可藉由減少該微影成像製 5程而簡化。第3至5圖所示之液晶面板總成的許純點可同 等地應用於第10與11圖所示之液晶面板總成上。 以下將參照第12與13圖說明第8圖所示之本發明另一 示範性實施例之液晶面板總成。第12圖是本發明另一示範 性實施例之液晶顯示器總成之一像素的等效電路圖。請參 10閱第12圖，這實施例之液晶面板總成包括多數訊號線及多 數與該等訊號線連接之像素PX，且該等訊號線包括多數閘 極線GL、多數對資料線DLc與DLd、及多數儲存電極線％。 各像素PX包括一對子像素PXc與PXd，且各子像素pXc與 PXd包括一與一對應閘極線Gl及資料線DLc與DLd連接之 15開關元件Qc4Qd、一與其連接之液晶電容〇(^與(：：1(：(1、及 一與該開關元件Qc或Qd及該儲存電極線SL連接之儲存電 容Cstc 或 Cstd。 各開關元件Qc與Qd是一如一薄膜電晶體之三端子元 件，且設置在下面板100上。各開關元件Qc與Qd包括一與 20 該閘極線GL連接之控制端子、一與該資料線DL連接之輪入 端子、及一連接一液晶電容Clcc或Clcd與一儲存電容Cste 或Cstd之輸出端子。由於該等液晶電容Clcc與Clcd、該等@ 存電容Cstc與Cstd、及具有該液晶面板總成之液晶顯示器史 操作與前述實施例者實質上相同，故將省略其詳細說明。 30 200813578 雖然形成一像素PX之兩子像素PXa與PXb接收在第9圖所示 之液晶面板總成中以一預定不一致方式接收資料電壓，但 疋在此實施例中該等子像素PXc與PXd係在同時接收資料 電壓。 ’ 5 以下將參照第13圖說明第12圖所示之液晶面板總成。 ^ 第13圖是本發明另一示範性實施例之液晶顯示器總成的配 置圖。此實施例之液晶面板總成包括互相面對之下面板（圖 • 未示）及上面板（圖未示）、一設置在兩面板之間之液晶層（圖 未示）、及一對連接在該面板外表面處之偏光子（圖未示）。 10又’第13圖所示之液晶面板總成之多層結構與第3圖至第5 圖所示之液晶面板總成之多層結構相同。 以下將說明第13圖所示之液晶面板總成之下面板。一 具有多數閘極線121及多數儲存電極線131之閘導體形成在 - 一絕緣基板（圖未示)上，且各閘極線121包括多數對第一與 15第二閘電極124c與124d及其端部129。各儲存電極線131包 • 括儲存電極137&與13几，且一閘極絕緣層（圖未示）形成在該 閘極線121上。該等第一與第二半導體15如與15牝形成在該 閘極絕緣層上，且多數歐姆接點（圖未示)形成於其上。一具 有多數對資料線171c與171d之資料導體，且多數第一與第 2〇二汲電極17允與17兄形成在該等歐姆接點上。各第一與第 二資料線171c與17id包括多數第一與第二源電極17芄與 H3d及其端部17%與179(1，且該等第一與第二源電極17允 與173d透過該等連接器174c、174d、178c與178d而與該等 貝料線171c與171d連接。-鈍化層（圖未示)形成在該等資料 31 200813578 導體171C、171d、17义與175(!及該等半導體154c與!54d之 暴露區域上，且多數接觸孔181、182c、182d、185c與185d 形成在該鈍化層及該閘極絕緣層中。多數像素電極191形成 在鈍化層180上且具有第一與第二子像素電極191&與19比 5及夕數接觸辅助物81、82c與82d，且一配向層（圖未示）形成 在該像素電極191、該等接觸輔助物81、82(：與82(1、及鈍化 層上。 以下將說明第13圖所示之液晶面板總成的上面板。一 光阻擋構件（圖未示）、多數濾色片（圖未示）、一塗層（圖未 10不）、一共用電極（圖未示）、及一配向層（圖未示）形成在一絕 緣基板上。相較於第10圖所示之液晶面板總成，第13圖所 示之液晶面板總成具有半數之閘極線121及兩倍之資料線 171c與171d。與形成一像素電極191之第一與第二子像素電 極191a與191b連接的第一與第二1^1[(^與(^1連接於相同閘 15極線121且連接於不同資料線171c與171d。又，第3圖至第5 圖所示之液晶面板總成的多數優點可應用於第13圖所示之 液晶面板總成。 以下將參照第14-16圖說明第8圖所示之液晶面板總 成。第14圖是本發明另一示範性實施例之液晶顯示器總成 20之一像素的等效電路圖。請參閱第14圖，該液晶面板總成 包括多數訊號線及多數與該等訊號線連接之像素Ρχ，且該 等訊號線包括多數閘極線GL及多數資料線DL。各像素ρχ 包括一對第一與第二子像素PXe與PXf、及一連接在該等第 一與第二子像素PXe與PXf之間的耦合電容Cep。該第一子 32 200813578 '像素PXe包括一與一對應閘極線GL及广潰料線DL連接之 開關元件Q、一與其連接之第一液晶電容Clce、及一儲存電 容Cste，且該第二子像素PXf包括一與該耦合電容ccp連接 之第二液晶電容Clef。 5 該開關元件Q是一如一薄膜電晶體之三端子元件，且設 置在下面板100上。該開關元件q包括一與該閘極線GL連接 之控制端子、一與該資料線DL連接之輸入端子、及一輸出 端子，且該輸出端子連接該液晶電容Clce、該儲存電容Cste 及该耦合電容Ccp。該開關元件q依據一來自該資料線〇1^ 之閘訊號而由该閘極線GL施加一資料電壓至該液晶電容 Clce與該耦合電容Ccp，且該耦合電容Ccp改變該資料電壓 值並將改變後之電壓傳送至該第二液晶電容Clcf。假設一共 用電壓Vcom施加至該儲存電容Cste且各電容〇(^、心忪、 Clef與Ccp之電容以相同之符號表示，則施加至該第一液晶 15電容Clce之電壓Ve與施加至該第二液晶電容Clef之電壓Vf 具有以下關係：
Vf=Vex[Ccp/(Ccp+Ccif)] 由於CCp/(Ccp+Cdf)之值小於！，故施加至該第二液晶 電容Clef之電壓Vf永遠小於施加至該第—、液晶電容 20之電壓Ve。即使在施加於該儲存電容Cste不是該共用電壓 comk ’這關係依然成立。該第一液晶電容之電壓％ 對該第二液晶電容Clcf之電壓Vf之適當或有效比例可利用 控制該耦合電容Ccp之電容而獲得。 以下將參照第15·16圖說明本發明示範性實施例之液 33 200813578 晶面板總成例。第15圖是本發明χ 一 — ?S.DW X月另一不範性實施例之液晶 顯Μ總成的配置圖，且第16圖是第15圖所示 總成沿線XVI_XVI所截取之橫截面圖。請參_5^，這 不轨性實施例之液晶面板總成包括—下面板咖、_面對該 下面板100之上面板200、一設罢―斗# 人 又置在該等面板100與200之間 12 5 的液晶層3、及-對連接在軸示面板外表面上之偏光子▲
與22。這實施例之液晶面板總成的層狀結構與第3圖至第 圖所示之液晶面板總成相同。 以下將說明該下面板100。多數包括多數閑極線ι漁 10儲存電極線131之閑導體形成在—絕緣基板11〇上。各間極 線m包括多數閘電節4及端部129，且該_電極線ΐ3ι 包括-儲存電極137，並且-間極絕緣層14〇形成在一間極 線121上。一半導體島154形成在閘絕緣層14〇上，且多數歐 姆接點163與165形成於其上。具❹«料線m及多數沒 15電極Π5之資料導體形成在該等歐姆接點163與165及該閑 絕緣層14〇上，且各資料線171包括多數源電極173及其端部 179，並且各源電極173透過該等第一與第二連接器1?4與 Π8連接-資料線17卜-鈍化層18G形成在該等資料導體 171與175及該半導體154之暴露部份上，且多數接觸孔 20丨81、I82與185形成在該鈍化層180與該閘絕緣層上。多數 像素電極191與多數接觸辅助物81與82形成在該鈍化層18〇 上，且一配向層11形成在像素電極191、接觸輔助物81與 82、及該鈍化層180上。 以下將說明該上面板200。一光阻播構件220、一塗層 34 200813578 250、-共用電極27〇、及_配向層21形成在—絕緣基板耻 上。在這實施例中，像素電極w與共用電極挪類似於第 10與13圖所示之液晶面板總叙像素電極⑼與共用電極 270。但是，在這實施例中，與第3圖所示者不同地，像素 電極191被分成一第一子像素電極191a與一第二子像素電 概191b，且該第-子像素電極191a透過接觸孔185連接沒電 槌175。該實施例之液晶面板總成包括該汲電極175及一耦 合電極176 ’且在該耦合電極176實質平行於資料線171延伸 後，該耦合電極176彎曲並接著沿著該共用電極27〇之上切 ^7213延伸。該搞合電極176與第二子像素電極191七重疊， 且耦合電極176與第二子像素電極19ib形成一耦合電容 Cep。 與前述液晶面板總成不同地，這實施例之液晶面板總 成包括夕數形成在δ亥下面板之純化層130下方的濾色片 230，而不是將該等濾色片設置在該上面板2〇〇處。該據色 片230朝一垂直方向縱向地延伸並沿該像素電極191週期性 地彎曲，且不存在該閘極線121端部129與該資料線171端部 的周緣區域中。一接觸孔185通過該濾色片230，且—大 於該接觸孔185之貫通孔235形成在該濾色片230處。相鄰遽 色片230在該資料線171上重疊，因此具有防止光在該等像 素電極191之間漏出之光阻擋構件的功能。此時，該光阻擒 構件可由該上面板200上省略。因此，製造過程可以簡化。 〜鈍化層（圖未示）可以形成在該濾色片230下方，且可省略 讀共用電極面板200之塗層250。第3圖至第5圖所示之液晶 35 200813578 板、、、心成的4夕優點可以應用至第15]6圖所示之液晶面 板總成上。 乂下將參知第17_丨8圖說明本發明另一示範性實施例 之液晶顯示器。請參閱第17圖，本發明示範性實施例之液 5日日』不器包括一液晶面板總成3〇〇、與該液晶面板總成300 連接之胃閘驅動器4〇〇樓4〇〇|)及-資料驅動器500、一與 健存龟極驅動杰、7〇q及一資料驅動器連接之灰電壓產 moo'及1以控制它們之訊號控制器嶋。 由一等效電路來看，該液晶面板總成3GG包括多數顯示 10訊號線及多數像素PXh PM與PM，且該等像素咖、PM 與ΡΧ3與該等顯示訊號線連接並配置成一矩陣狀。在第ΐ7 圖之液曰曰顯示器中，與第i圖所示之液晶顯示器不同地，各 像素PX1 PX2與ρχ3具有在橫排方向上較長之形狀。因此， 在此貝施例之液晶顯示器中，資料線仏七爪之數目是第3圖 15所示之液晶顯示器中者的三倍，且資料線DrDm之數目是第 1圖所示之液晶顯示器中者的1/3。在一橫排方向上相鄰之 像素PX1、PX2與PX3具有三個不同顏色之渡色片，且這三 個不同顏色可為紅色、綠色與藍色。三個主要顏色之像素 PX1至PX3形成一作為用以顯示一影像之點dt。 20 以下請參閱第1圖，各像素陣列與兩資料線相鄰，且在 各像素陣列中之像素PX卜PX2與PX3與兩資料線交替地連 接。換言之，在各像素陣列中之三相鄰像素ρχι、1>又2與1>：?〇 的開關元件Q連接相同之資料線Dl_Dm，且下兩個像素 PX1、PX2與PX3之另一開關元件q連接與連接於兩先前像 36 200813578 素之開關元件Q之資料線不同的資料線〇1-〇111。但是，該開 關元件Q之耦合關係可以各種不同方式變化。 閘驅動器400a與400b可與訊號線GrGn與D^Dm及一薄 膜電晶體開關元件Q—體結合在該液晶面板總成300上，且 5 分別設置在該液晶面板總成300之左側與右侧處。該等閘驅 動器400a與400b交替地連接於奇數閘極線與偶數閘極線， 且將一由一閘極接通電壓Von與一閘極斷路電壓v〇ff組成 之閘訊號供應至閘極線G!-Gn。但是，該閘驅動器4〇〇壮與 400b可僅設置在該液晶面板總成300之一側。由於該資料驅 10動斋、該訊號控制器600、及該灰電壓產生器8〇〇與第1 圖中者相同，故將省略其詳細說明。 以下將參照第18圖說明第17圖所示之液晶顯示器的液 曰曰面板總成。請參閱第18圖，這示範性實施例之液晶面板 總成包括互相面對之下面板（圖未示)及上面板（圖未示）、及 15 一設置於其間之液晶層（圖未示）。又，此實施例之液晶面板 總成之多層結構與第3-5圖所示者相同。 以下將說明該下面板。多數閘極線121形成在一絕緣基 板110上，且各閘極線121包括多數閘電極124及端部129， 亚且一閘極絕緣層140形成在閘極線121上。一半導體島154 2〇形成在閘絕緣層㈣上，且多數歐姆接點⑹與⑹形成於其 上 具有多數資料線171及多數汲電極175之資料導體、 及儲存书極線131形成在該等歐姆接點163與165及該閘 巴緣層140上，且各資料線171包括多數源電極173及端部 79 〇亥等源電極173透過該第一與第二連接器174與178連 37 200813578 接該等資料線171，且一儲存電極線131包括一儲存電極 137。一鈍化層180形成在該等資料導體171與175及該半導 體154之暴露部份上，且多數接觸孔is!、I”與185形成在 该鈍化層180與該閘絕緣層140上。多數像素電極191與多數 5接觸輔助物81與82形成在該鈍化層上，且一配向層η形成 在像素電極191、接觸辅助物81與82、及該鈍化層上。 以下將說明該上面板。一光阻擋構件220、一塗層250、 一共用電極270、及一配向層21形成在一絕緣基板21〇上。 在第18圖之液晶面板總成中，與第3圖所示之液晶面板總成 1〇不同地，各像素電極191具有四個平行於一閘極線121或一 貧料線171設置之主要侧邊，且在它們之間，兩平行於該閘 極線121之水平側邊19lh大約長於相鄰兩平行於該資料線 Π1之垂直侧邊191v三倍。因此，相較於具有比垂直侧邊短 之水平側邊者，放置在各橫排中之像素電極191數目與放置 15在各直订中之像素電極191數目較多。由於該等資料線171 之、、、&數減>、用於该專資料驅動器之^匸晶片數目亦會減 少。因此，可減少材料成本。雖然閘極線121之數目會因此 、加’但疋閘極線121之增加不是_嚴重的問題， 因為該等 閘驅動器4GGa與娜可與該等閘極_卜該等f料線m 及《亥等薄膜弘晶體-體結合在該總成中。由於用於該等 閑驅動器400a與娜之扣晶片相當便宜，故即使該等閑驅 動^0〇a與4〇〇WC晶片同量地安裝，減少用於該資料驅 動器500之1C晶片亦是有利的。該像素電極i9i與一如儲存 電極137之儲存電極㈣丨重疊，且因此形成—可增加一維 38 200813578 ♦液晶電容電容之能力的儲存電 支線與該像素電極⑼之中心在 4存仙線⑶之分 由該分支線延伸至左與右方之儲存電 交又錯^括- 之資料物㈣之^;Z核，且由與祕前述結構 依據本發明之一或多個實施例，—像 晶顯示器之薄膜電晶體劣化時邊液 短路時方便地修復。因此，可择加極線與資料線 J曰加该液晶顯示器之產率。 10 了，=本發明已利用目前被視為實際之實施例說明過 旦疋在此應了解的是本發明不限於所揭露之實施例， =地，本發明可涵蓋包括在以下申請專利範圍之精申與 耗疇内之各種修改例與等效結構。 【阈式簡單說明】 第1圖是-顯示本發明示範性實施例之液晶顯示器的 15 方塊圖。 第2圖是顯示本發明示範性實施例之液晶面板總成之 一像素的等效電路圖。 弟3圖是本發明示範性實施例之液晶面板總成之配爹 圖。 第4與5圖是第3圖所示之液晶面板總成分別沿線j v4 v 及v-v所載取之橫截面圖。 第6與7a圖顯示本發明示範性實施例之液晶面板總成 的修復。 第7b圖是第7a圖沿線vilb-Vllb所截取之橫戴面圖。 39 200813578 第8圖是本發明示範性實施例之液晶顯示器總成之兩 子像素的等效電路圖。 第9圖是本發明另一示範性實施例之液晶顯示器總成 之一像素的等效電路圖。 5 第10圖是本發明另一示範性實施例之液晶面板總成的 配置圖。 第11圖是第10圖所示之液晶面板總成沿線XI-XI所截 取之橫截面圖。 第12圖是本發明另一示範性實施例之液晶顯示器總成 10 之一像素的等效電路圖。 第13圖是本發明另一示範性實施例之液晶顯示器總成 的配置圖。 第14圖是本發明另一示範性實施例之液晶顯示器總成 之一像素的等效電路圖。 15 第15圖是本發明另一示範性實施例之液晶顯示器總成 的配置圖。 第16圖是第15圖所示之液晶面板總成沿線XVI-XVI所 截取之橫截面圖。 第17圖是顯示本發明另一示範性實施例之液晶顯示器 20 總成的方塊圖。 第18圖是本發明另一示範性實施例之液晶顯示器總成 的配置圖。 40
200813578 【主要元件符號說明】 3.. .液晶層 11，21·..配向層 12.22.. .偏光子 30a，30b...液晶分子 71.. .中央切口 72a...下切口;突起 72b.··上切口；突起 81，81祕化，82^8^. ·接觸_^勿 91a···第一上切口 91b···第一下切口 92a"·第二上切口 92b…第二下切口 94…間隙 100.. .下面板 110…絲 Π1，121Μ211>·..閘極線 124…閘電極 124aJ24c...第一閘極電極 124b，124d...第二閘極電極 129，129aJ29b…端部 131…儲存電極線 137.. .儲存電極 137a…第一儲存電極 137b...第二儲存電極 140…閘極絕緣層 151.. .半導體 153…半導體位元 154，154aa54b，154a54d · ·半骤 160,161，163，165，163aa63b，165aa65b. 171，171c，171d··.資料線 173，173c，173d…源電極 173a···第一源極電極 173b···第二源極電極 174，174aJ74b···第一連接器 175·.·沒電極 175a…第一汲電極 175b··.·第二汲電極 175c，175d·.·.汲電極 176.. .搞合電極 178，178M78b.··第二連接器 179，179aa79b···端接觸部 180…鈍化層 181，182，185…接觸孔 181Μ81ΐα85Μ85Κ _ ·接觸孔 182c，182d，185c，185d. ·.接觸孔 41 200813578 191…像素電極 191a...第一子像素電極 191b...第二子像素電極 1911ι...水平侧邊 191 v...垂直侧邊 200.. .上面板 210…絕緣基板 220…光阻擋構件 230.. .濾色片 235.. .貫通孔 250…塗層 270.. .共用電極 300…液晶面板總成 400,40(^40013...閘驅動器 500…資料驅動器 600.. .訊號控制器 700.. .儲存電極驅動器 800.. .灰電壓產生器 Cep...搞合電容 CL1…第一切割線 CL2...第二切割線 Qc^QcajQcbjQcCjQcd. Clce...第一液晶電容 Clef...第二液晶電容 CONT1...閘控制訊號 CONT2…資料控制訊號
DAT...輸出影像訊號 DE…資料賦能訊號 DL，DLc，DLd…資料線 Di-Dj^··貧料線 DU GUGLa^GLb...閘極線 Gi_Gn…閘極線 HCLK…資料時脈訊號 Hsync…水平同步訊號 LOAD…載入訊號 MCLK"·主時脈訊號 OE...輸出賦能訊號 PE·.·像素電極 PEaPEb…子像素電極 PX，PX1-PX3 …像素 PXaJPXb，PXc,PXd，...子像素 PXe…第一子像素 PXf…第二子像素 Q，Qa，Qb,Qc，Qd.iM|it/i_ RVS…反轉訊號 SL· · ·儲存電極線 42 200813578 sm..水平同步開始訊號 stv…掃描開始訊號 Vcom...共用電壓 Vg···閘訊號
Von...閘極接通電壓 Voff...閘極斷路電壓 Vsync...縱向同步訊號
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Claims (1)

  1. 200813578 十、申請專利範圍： 1. 一種液晶顯示器，其包含： 一基板； 一閘導體，係形成在該基板上，且該閘導體包括一 5 閘極線與一閘極電極； 一資料導體，包括一與該閘極線交叉之資料線與一 放置在該閘極電極上之源極電極；及 一像素電極，係形成在該基板上者， 其中該資料線與該源極電極與一第一連接器及一 10 第二連接器連接。 2. 如申請專利範圍第1項之液晶顯示器，其中該第一連接 器及該第二連接器之間設有該閘極線。 3. 如申請專利範圍第1項之液晶顯示器，其中該第一連接 器及該第二連接器不與該閘極線重疊。 15 4.如申請專利範圍第1項之液晶顯示器，其中該第一連接 器及該第二連接器之間設有該資料線與該閘極線之交 叉點。 5. 如申請專利範圍第1項之液晶顯示器，其中一第一切口 形成在該像素電極上，且該第一切口與該閘極線形成一 20 傾斜角度。 6. 如申請專利範圍第5項之液晶顯示器，更包含一面對該 像素電極設置之共用電極， 其中一第二切口形成在該共用電極上，且該第二切 口實質上平行於該第一切口。 44 200813578 7. 如申請專利範圍第1項之液晶顯示器，其中該像素電極 包含兩對分別平行於該閘極線與該資料線之主要邊緣。 8. 如申請專利範圍第1項之液晶顯示器，其中該像素電極 包含互相分開之第一子像素電極及第二子像素電極。 5 9.如申請專利範圍第8項之液晶顯示器， 其中該第一子像素電極傳導一第一電壓值並且該 第二子像素電極傳導一第二電壓值，且 其中該第一子像素電極之第一電壓值與該第二子 像素電極之第二電壓值互相不同。 10 10.如申請專利範圍第9項之液晶顯示器，其中該第一子像 素電極與該第二子像素電極被施加由一單一影像資訊 獲得之不同貧料電壓。 11. 如申請專利範圍第10項之液晶顯示器，更包含： 一與該第一子像素電極連接之第一薄膜電晶體； 15 一與該第二子像素電極連接之第二薄膜電晶體； 一與該第一薄膜電晶體連接之第一訊號線； 一與該第二薄膜電晶體連接之第二訊號線；及 一連接該第一薄膜電晶體與該第二薄膜電晶體之 第三訊號線，且該第三訊號線與該第一訊號線及該第二 20 訊號線交叉。 12. 如申請專利範圍第11項之液晶顯示器，其中該第一薄膜 電晶體與該第二薄膜電晶體分別依據由該第一訊號線 與該第二訊號線接收之訊號而接通，且該等第一與第二 薄膜電晶體係構成為可傳送來自該第三訊號線之訊號。 45 200813578 13.如申請專利範圍第11項之液晶顯示器，其中該第一薄膜 電晶體與該第二薄膜電晶體依據由該第三訊號線接收 之訊號而接通，且該等第一與第二薄膜電晶體係構成為 可傳送來自該第一訊號線與該第二訊號線之訊號。 5 14.如申請專利範圍第9項之液晶顯示器，其中該第一子像 素電極與該第二子像素電極電容性地搞合。 15. 如申請專利範圍第14項之液晶顯示器，更包含： 一與該第一子像素電極連接之第一薄膜電晶體； 一與該第一薄膜電晶體連接之第一訊號線；及 10 一與該第一薄膜電晶體連接且與該第一訊號線交 叉之第二訊號線。 16. 如申請專利範圍第1項之液晶顯示器，其中該像素電極 具有一平行於該閘極線之第一側及一與該第一側相鄰 之第二側，且該第二側比該第一侧短。 15 17.如申請專利範圍第16項之液晶顯示器，其中該第一側大 約是第二側之三倍長。 18. —種液晶顯示器，其包含： 一基板； 一閘導體，係形成在該基板上，且該閘導體包括一 20 閘極線及一閘極電極； 一資料導體，包括一與該閘極線交叉之資料線及一 放置在該閘極電極上之源極電極，及 一像素電極’係形成在該基板上者’ 其中該資料線與該源極電極與多數連接器連接。 46 200813578 19. 如申請專利範圍第18項之液晶顯示器，其中該等連接器 之至少一部份未與該閘導體重疊。 20. 如申請專利範圍第18項之液晶顯示器，其中該等連接器 係構成為可被一雷射切割，使一電壓值可連續施加在該 5 像素電極上，且所施加之電壓值可保持該像素電極於一 非作用狀態。
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