TW200813212A - Chemical solution, and method of processing substrate through the use of the same - Google Patents

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200813212 九、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 、本發明係關於處理如半導體基板與液晶基板之基板的 方法，以及於該方法中所採用之化學溶液。 【先前技術】 導料路通常，例如，藉由於半導體晶圓或如液晶顯

Li 或其他基板之基板上形成有機薄膜圖案，然後 Π機薄膜圖案下之薄膜而產生，亦即，具有機薄膜圖 案之基板係做為光罩來於下方之薄膜上構成圖案。 當於下方薄膜構成圖案後，便除去有機薄膜圖案。 户理本專利第8—231〇3號（1 996年1月發表）揭露 :以製造具兩介電崩潰電阻之導線迴路的基板的方 圖=於基板上形成有機薄膜圖案（專利文件中稱為抗银 有機薄膜圖案為光罩來敍刻配置於有機薄膜圖案 下之4膜（單層或雙層），而於下 影有機薄膜圖案，並再以過度顯像或變：成圖案，再顯 薄膜圖案為光罩來於下方薄膜錐=圖案之有機 、構成如錐狀或階梯狀之圖 去有下方薄膜構成圖案後，接著於另-步驟中，除 去有機薄膜圖案。 曰本專利第2005-㈣94號揭露處理基板的方法，包 以於上述方法之處理有機薄臈圖案的步驟。 日本專利帛讓-159292號揭露處理有機薄膜圖案的 /另外包括混合並使有機薄膜圖案變形的步驟，於此 2ΐ34-9〇97-ρρ 5 200813212 此口並使有機薄膜圖案變 別县Π:别士 ^ ^驟中，因有機薄膜圖案（特 別疋正型電阻圖案）與有機 亏 ^ ^ m ^ Η ^ Μ接觸、覆蓋（具體而言，有 栻4膜圖案暴露於氣體溶劑 壤n W形成之環境中）而混合。 弟7圖舉例說明上述日太直 ^ ^ Α , 本專利第8-231 03號所揭露之 處理基板的方法，包括 ^ 太續赠战有機溥膜圖案、以蝕刻法於下 方4膜構成圖案、再顯影有 下方薄膜構成圖案。冑機相圖案（抗钱圖案）並再於 Τ先，如第7(Α)圖所示，於基板ι〇ι上形成導電薄膜 102，然後於導電薄膜102 、 中稱為“光阻薄模，，）。心成有機薄膜103(專利文件 驟然後依序進行曝光步驟、顯影步驟及預烘乾之加熱步 驟而使有機薄膜轉變成起始有機薄膜圖案1〇4,如第7 β) 圖所示。 」 接著，採用有機薄膜圖案104為光罩而於基板⑻ 餘刻出導電薄膜m，而將導電薄膜1〇2製成第， 如第7(C)圖所示。 ，、 再顯影有機薄膜圖案104後，再進行第二預烘乾之加 ‘、，、有機薄膜圖案104的步驟，將有機薄膜圖案104製成第 二圖案，如第7(D)圖所示。 成弟 然後，以再形成之有機薄膜圖案1G4為光罩則 薄臈102使導雷、望|^1〇〇 电 電溥膜102的厚度減少至起始厚度的一 ::7(E)圖所不’如此’導電薄膜1〇2具有如階梯狀之 =形’所以’導電相102便不致有垂直分布 形或倒錐狀之剖面圖形。 固

2134-9097-PF 6 200813212 如第7(F)圖所示 铁而 、”叫77,不，移除有機薄膜圖案104。 之導電薄膜L本專利第8~231 〇3號未提及姓刻基板101上 圖所4= 驟(於第7⑻圖所示之步驟則〇 損壞，因所進行之步驟）會造成起始有機薄膜圖案 層。卩而於有機薄膜圖案m上形成變形層與/或沉積 兩者=機Γ膜圖案上形成之變形層與/或沉積層(以下此 影，亦2隔層”）抑制有機薄膜圖t m的第二次顯 所；於第7(C)圖所示之步驟與第7⑻圖所示之步驟 二 影步驟，所以，通常有機薄膜圖…第 人頌衫無法順利完成。 狀態有機薄膜圖案104的第二次顯影程度取決於阻隔層的 所f於第7⑻圖所示之步驟與第7(c)圖所示之步驟間 液與I:餘刻：驟為濕餘刻，於濕钱刻時所採用之化學溶 ......丄刻進仃時的溫度大大影響阻隔層的狀態。 +驟Hi之，右於第7⑻圖所示之步驟與第7(G)圖所示之 i體2 = 驟為乾㈣’則乾敍刻時所採用之 皆大大旦 1 刻進订時的壓力及所生成氣體的排出過程 衫曰阻隔層的狀態’有機薄膜圖 2氣體種類’而由離子化或自由基氣體造成之有機I: 所生成氣趙的排二刻進行時的*力* 圖案造成物理性衝擊，二用因隸刻不會對有機薄膜 擎所以知用濕蝕刻對有機薄膜圖案造

2134-9097-PF 7 200813212 成的損害較乾蝕刻少，且阻隔層抑 耘度’也是濕蚀刻較乾餘刻少。 薄膜圖案顯影的 如果因阻隔層使有機薄膜圖 行，則有機薄膜圖案的第二次顯与/ 顯影無法順利進 而產生下層薄膜的再製圖案不均:的：顯影)將不均勻， 【發明内容】 著眼於上述問題，本發明揭 法，藉此可使第二次或往後之 "匆理基板的方 利完成。 ㈣膜圖案的顯影程序顺 本發明亦揭露於上述方法中所採用之有機 於半導體基板、液晶顯示美 薄膜圖案，且再處理有機^土 他基板上形成有機 機薄膜圖案下之下層薄 了不處理酉己置於有 如，當有機薄膜g二、 使用此有機薄膜圖案’例 機4膜圖案係由絕緣材料 可做為絕緣薄膜圖案。 有機4膜圖案 本發明的第-部份揭露用以去除至少形成於 ^機薄膜圖案表面的阻隔層之化學溶液，阻隔^少勺括 因有機薄骐圖案表面變化而形 ； 於有機薄膜FI安主丈 興，儿積物 >儿積 至少且有广其 形成之沉積層之一，化學溶液包含 以、^基胺衍生物與肼^生物之—的第—成分水溶 夜以及具顯影功能之第二成分。 :揭：採用化學溶液製造有機薄膜圖案的方法，該方 /麦包括5依库ϋ , S I ι_ " ^去除形成於基板上之有機薄膜圖案 2134-9097-pf 200813212 表面的阻隔層之去除步驟， 驟，阻隔層至少包括因有機薄膜圖案：機薄膜圖案的主步 形層，與沉積物沉積於有機薄膜圖幸面變化而形成之變 之一，化學溶液係用於去除步驟，化'錢面而形成之沉積層 羥基胺衍生物與肼衍生物之一的 予溶液包含至少具有 顯影功能之第二成分。 一成分水溶液，以及具 本發明的第二部份揭露處理基 上形成有機薄膜圖案，並至少去除、、方法，包括於基板 面之阻隔層，阻隔層至少包括因;薄膜圖案表 形成之變形層，與沉積物 4膜圖案表面變化而 之沉積層之一，至少圖案表面而形成 至；去除阻隔層係採 亦揭露處理基板的方法，包括，依序為之：7液。 成有機薄膜圖案之第一步驟 成右土板上形 ^ 步驟，以及處理有機薄膜圖案的主 々 m隔層至少包括因有機薄膜圖案表面變化而步 變形層，與沉積物沉積於有機薄膜圖案表面而形成： 層之 至少去除阻隔層係採用上述之化學溶液。 本發明的第三部份揭露製造具有基板之元件的方法， 包括完成上述處理基板的方法以製造具有基板之顯示元件 與具有基板之半導體元件之一。 為讓本發明之上述和其他目的、特徵、和優點能更明 顯易懂，下文特舉出實施例，並配合所附圖式，作詳細〜、 明如下： °肩就 2134-9097-PF 9 200813212 【實施方式】 以下將配合圖示說明依據本發明之實施例。 [第一實施例] 於笫一貫施1列 個別步驟之狀態。 第7圖所示之方法，為於第7(c)圖所示之步驟與第7(D) 圖所示之步驟間所完成之第二顯影步驟（過度顯影），第一 實施例之方法不同於第7圖所示之方法，其中去除步驟與 第二顯影步驟皆於第1(C)圖所示之步驟與第i(d)圖所示 之步驟間完成。 首先，如第1(A)圖所示，於基板1上形成導電薄膜卜 然後於導電薄膜2上形成有機薄膜3。 接著，於有機薄膜3上依序進行曝光步驟、顯影步驟 以及㈣乾之加熱步驟以於有機薄膜3上製圖而使有機薄 膜3變成起始有機薄膜圖案4,如第1⑻圖所示。 二起始有機薄膜圖案4為光罩钱刻於基板1上 I成之導電薄膜2,將導電薄膜2製成第一圖案，如第1(c) 圖所示，具體而言，導電 覆蓋的部分以渴或乾钱列夹坏 有機薄膜圖案4所 二、及乾蝕刻來去除而將導電薄 1(C)圖所示之圖案。 、製成如第 襄成導電薄膜2之圖宰的彡士要 表面形成阻隔^ , 有機薄膜圖案4的 成阻隔層，阻隔層至少包括因有播萑时 變化而形成之變形声， 一 、 / 、圖案4表面 * ^ ^ L及沉積物沉積於有機薄

表面而形成之沉積層之一。 成屬膜圖案4 2134-9097-PF 10 200813212 :者，採用第一實施例之化學溶液 兀成去除步驟，以選擇性去除阻隔層，使有播^圖案4 中無阻隔層的區域呈現，# 機溥獏圖案4 筮一 ％ 兄然後，於有機薄臈圖索4 , & ‘以步驟與另外做為第二預烘乾步驟之加“進行 於有機薄膜圖案4上完成主步驟，以使起始有機^驟，即 :轉變成具新面貌（圖案）之有機薄膜圖案5，有如機第專膜圖案 所不。換言之，處理有機薄膜圖案4使有機薄膜圖 變成新有機薄膜圖案5,且於導、圈案4轉 案4的區域亦變小。 / 、上之有機薄膜圖 立如上所述’部分有機薄膜圖案4於主步 思即有機薄膜圖案4整個被縮小。 皮去除’ 膜2=二!機薄膜圖案5為光罩—刻導電薄 ;而使導電薄膜2中未被有機薄膜圖案5覆蓋的二 薄，如第1(E)圖所示，例如，道〇 復盍的Μ變 ^ ^ . 導電溥膜2經钱刻後的厚声 為原有的一半’所得之導電 又 形。 /專膜2具有如階梯狀之剖面圖 接著，如第UF)圖所示，去除有機薄膜圖案卜 由於導電薄膜2具有如階梯狀之剖面外形，導電薄膜 2便不致有垂直分布之剖面圖形或倒錐狀之剖面圖形。、 以下將說明於去除步驟中所採用之化學溶液。 第一實施例的去除步驟中所採用之化學溶液包含至少 具有經基㈣生物與肼衍生物之—的第-成分水溶液，以 及具顯影功能之第二成分。 第一實施例中之W、> 子〉谷液所含的羥基胺衍生物為

2134-9097-PF 200813212 [(R!-)(R2-)]N0H，其中每一 Ri與R2分別為ci至C4之烧基 或經基烷基，且羥基胺衍生物最好至少為羥基胺及N，N-二 乙基經基胺之一。 第一實施例中之化學溶液所含的肼衍生物為 [(L-)(R2-)]NN[(-R3)(-R0]，其中每一 Ri、r2、^與匕分 別為氫原子、曱基、乙基及苯基之一，且肼衍生物最好至 少為肼、甲基肼、1，1-二曱基肼及苯基肼之一。 第一實施例中之化學溶液所含的第二成分最好至少含 有氫氧化四烧基銨、氫氧化驗金屬及碳酸驗金屬之一。 第二成分中所定義之氫氧化四烷基銨為 [(UO^-KRs -）（R4_)]N+〇r，其中每一 Rl、R2、^與 R4 分 別為Cl至C4之烧基或經基烷基，且氫氧化四烷基銨最好 至少為氫氧化四甲基銨、氫氧化四乙基銨、膽鹼及氫氧化 一甲基雙（2-經基乙基）錢之一 〇 第二成分中所定義之氫氧化鹼金屬最好至少為氫氧化 鈉與氫氧化鉀之一。 第一成分中所疋義之奴酸驗金屬最好至少為碳酸鈉、 碳酸氫鈉、碳酸鉀與碳酸氫鉀之—。 第一實施例中之化學溶液中之第一成分的含量最好介 於〇. 5至30 %重量百分比的範圍内，若化學溶液中之第一 成分的含量為X %重量百分比，且X小於〇·5，或γ %重量 百分比，且Υ大於30,則除變形層外，亦會除去部份有機 薄膜圖案。 第一實施例中之化學溶液中之第二成分的含量最好介 2134-9097-PF 12 200813212 於〇· 2至10 %重量百分比的範圍内，若化學溶液中之第二 成/刀的含量為X %重量百分比，且Χ小於〇 · 2，則化學溶液 將無法去除於有機薄膜圖案表面形成之阻隔層，而若化學 /合液中之第二成分的含量為γ %重量百分比，且Υ大於i 0， 則除變形層外，亦會除去部份有機薄膜圖案。 例如，於第一實施例之化學溶液中，羥基胺衍生物最 好至少含有[(m)]，，其中每一 1與r2分別為C1 至C4之烷基或羥基烷基、羥基胺與n，n-二乙基羥基胺之 一，肼衍生物最好至少含有[(Ri—)(R2-)]NN[(-R3)(-R4)]， /、中每Rl、R2、R3與R4分別為氫原子、曱基、乙基及苯 基之一、肼、曱基肼、1，卜二甲基肼與苯基肼之一，且化 學溶液中之第一成分的含量最好介於0·5至30 %重量百分 比的範圍内。 I入例如，於第一實施例之化學溶液中第二成分最好至 =含有氫氧化四烧基錄、氫氧化驗金屬及碳酸驗金屬之 7 ’氫氧化四烧基錢為[(R1_)(R2—)(R3-)(R4-)]N+0H—，其中 每- Ri、R” 1?3與r4分別為C1至C4之烷基或羥基烷基， 或至少含有氫氧化四甲基銨、氫氧化四乙基銨、膽驗及氯 氧：：甲基雙(2-羥基乙基)銨之一，氫氧化鹼金屬至少含 有氫氧化鈉與氫氧化_之—，碳酸驗金屬至少含有碳酸 鈉、碳酸氫納、碳酸鉀與碳酸氫卸之一，且化學溶液中之 第二成分的含量最好介於0.21 1〇%重量百A比的範圍内。 例如，於第一實施例之化學溶液中，最佳情形為，_ 基胺衍生物至少含有[(R1_)(R2_)]N0H，其中每一 1與: 2134-9097-PF 13 200813212 分別為Cl至C4之院基或經基烧基、經基胺與n， . 基胺之一 ’骄衍生物至少含有 [(L-)(R2-)]NN[(-R3)(-RO]，其中每一 L、r2、匕與 R4 分 別為氫原子、甲基、乙基及苯基之一、肼、曱基耕、】卜 二甲基肼與苯基肼之一，化學溶液中之羥基胺衍生物與/ 或肼衍生物的含量最好介於〇·5至30 %重量百分比的範圍 内’第二成分至少含有氫氧化四烷基銨、氫氧化驗金屬及 碳酸鹼金屬之一，氫氧化四烷基銨為 [(L-)(R2-)(R3-)(R4-)]Ν+0Η-’ 其中每一 Rl、R” 只3與匕分 別為C1至C4之烷基或羥基烷基，或至少含有氫氧化四= 基叙氫氧化四乙基錢、膽驗及氫氧化二曱基雙（2_經其乙 銨之一，氫氧化鹼金屬至少含有氫氧化鈉與氫氧化鉀之 碳酸驗金屬至少含有碳酸納、碳酸氫納、碳酸卸與碳 酸氫鉀之-，且化學溶液中之第二成分的含量最好介於U 至10 %重量百分比的範圍内。 ^於第實施例之化學溶液中，有機薄膜圖案中除了變 :層外的部分最好以小於或等於每分冑ι〇〇〇Α的速度混 :，小於或等於每分鐘100Α的速度更好，尤以小於或；於 每分鐘50Α的速度最佳，以轮执令认$ ώ ^ 疋又取住以此δ又疋的速度，完成去除步驟 後’因有機薄膜圖案4的殘餘量居豹 J汊铢里足夠用以在於有機薄膜圖 案4上製圖。 或尊=一實施例之化學溶液中，V1/V2的比例最好大於 2 V9、、·5，其中V1係為變形層(或阻隔層)的混合速度， 為有機薄膜圖案中除了變形層外的部分的混合速

2134-9097-PF 14 200813212 度，例如，VI/V2的比例小於或等於1 000，vi/V2的比例 最好小於或等於5. 0。 於第一實施例之化學溶液中，VI/V2的比例最好大於 或等於0· 5(例如，小於或等於1〇〇〇)，其中VI係為變形層 (或阻隔層）的混合速度，而V2為有機薄膜圖案中除了變形 層的部分外的混合速度，且有機薄膜圖案中除了變形層的 部分外的混合速度小於或等於每分鐘1〇〇〇 A。 於第一實施例之化學溶液中，VI/V2的比例最好大於 或專於0·5(例如，小於或等於1〇〇〇)，且有機薄膜圖案中 除了變形層的部分外的混合速度小於或等於每分鐘1 〇〇Α。 於第一實施例之化學溶液中，VI/V2的比例最好大於 或等於0.5(例如，小於或等於1000)，且有機薄膜圖案中 除了變形層的部分外的混合速度小於或等於每分鐘5〇a。 第一實施例之化學溶液最好具有顯影有機薄膜圖案4 的功能。 第一實施例之化學溶液内的氫氧化四烷基銨最好含有 具有顯影有機薄膜圖案4功能的成分。 以下將說明於第1(c)圖所示之階段之形成於有機薄膜 圖案4表面的阻隔層。 阻隔層使有機薄膜圖案4無法再顯影（過度顯影），如 上所述’阻隔層至少包括因有機薄膜圖案4表面變化而带 成之變形層，以及沉積物沉積於有機薄膜圖案4表面㈣ 成之沉積層之-。 如果阻隔層包括變形層，變形層至少包括因熟化1 2134-9097-PF 15 200813212 =熱硬化所導致之有機薄膜圖案4表面變形、濕姓刻 V:之有機薄膜圖案4表面變形、或乾姑刻或灰化所導 > 自W之―，如果阻隔層包括沉積 曰' a s糸因乾#刻沉積物沉積於有機薄 面所造成。 禾4衣 驟之：上Γ第一實施例中’去除步驟促使第二成分於主步 2第二顯影（過度顯影）步驟進行時更容易“有機薄膜 圖案4，確保顯影效用的均勻度。 爲、 主當於有_㈣案4上採料具顯影魏，々 以>月除之混合有機薄膜圖案4的功能之化學溶液進ς 驟時，同樣具有上述提及之優點。 丁主乂 [弟一實施例] 於第二實施例，第2圖繪示出處理基板 個別步驟之狀態。 去中元成 於第二實施例中，以微影技術製成起始有 4,因此-些部位具有多種（例如，兩種作&。/、圖案 首先，如第2(A)圖所示，於基板 : 然後於導電薄膜2上形成有機薄心。1·^成導電薄膜2, 接著’於有機薄膜3±料進行 顯影步驟以及預供乾之加熱步驟以於有機薄膜重=步驟、 使有機薄膜3變成部分區域具有兩種厚、上製圖而 圖案4，如第2(B)圖所示。 又起始有機薄膜 例如，如第2⑻圖所示，有機薄膜圖案4 分，與環繞中央部分的兩邊緣部分，、i括中央部 度小於中央部 2134-9097-pf 16 200813212 分的厚度。 例如’曝光步驟可將有機薄膜3於不同程度的曝光量 下進行兩次，讓光線透過具二或多種透光率薄膜圖案的半 色調光罩，或使光線透過具有原本圖案以及具透光率小於 或等於曝光量上限之細微圖案之灰色調光罩來使有機薄膜 3曝光。 然後，以起始有機薄膜圖案 形成之導電薄膜2,將導電薄膜2製成第一圖案，如第2(c) 圖所不’具體而言，導電薄膜2中不為有機薄膜圖案4所 復蓋的邛刀以濕或乾蝕刻來去除而將導電薄膜2製成如第 2(C)圖所示之圖案。 製成導電薄膜2之圖案的結果，於有機薄膜圖案4的 表面形成阻隔層’ a隔層至少包括因有機薄膜圖案4表面 變化而形成之變形層，以及 、 “ 及，儿積物沉積於有機薄膜圖荦4 表面而形成之沉積層之一。 茶4 接著，採用上述第一實施例之化風、、六 案4完成去除步驟，以選擇性去除阻：：、之:有機薄膜圖 案"無阻隔層的區域呈現 曰’使有機薄膜圖 進行第二顯影步驟與另外做為第 案“ 驟，即於有機薄膜圖案4上完成主+〃 Y驟之加熱步 膜圖案4轉變成具新面貌（圖案驟以使起始有機薄 一示’特別是，去除C圖“’如第 央部分之邊緣部分，使有機薄祺圖案5且w中厚度小於中 如上所述，例如，部分 ^ /、單一厚度。 有機相圖案4於主步驟中移

2134-9097-PF 200813212 除 :且因部分有機薄膜圖案4被去除使有機薄膜圖案4變 然後，以有機薄膜圖案5為光罩來濕或⑽ 膜2而使導電薄膜2中未被有機薄膜圖案 = :且具單一厚度，如第2⑻圖所示，所得之導電“：： 有如階梯狀之剖面圖形。 ，、 接著，如第2(F)圖所示，去除有機薄膜圖案5。 由於導電薄膜2具有如階梯狀之剖面外形，導電薄膜 便不致有垂直分布之剖面圖形或倒錐狀之剖面圖形。、 第二實施例具有與第一實施例所揭露之相同優點。 L第二實施例] 於第三實施例，第3圖繪示出處理基板之方法 個別步驟之狀態。 70成 4,因於此第三/施例中，以微影技術製成起始有機薄膜圖案 兩種）厚度。 -核具有多種（例如， 百先，如第3(A)圖所示，於基板j上形成半 6,然後於半導體薄膜6上 / 、 2上形成有機薄膜3。 …膜2再於導電薄膜 接著’於有機帛膜3上依序進行二❹ 顯影步驟以；5箱M+ I ^止 夏+先步驟、 使有機薄胺 驟以於有機薄膜3上製圖而 圖宰4,如成部分區域具有兩種厚度之起始有機薄膜 口系4，如第3(B)圖所示。 例如’如第3(B)圖所示，有機薄膜圖案4包括中央部 2134-9097-ρρ 18 200813212 且其厚度大於中央部 分，與環繞中央部分的兩邊緣部分 分的厚度。 例如，曝光步驟可將有機薄膜3於不同程度的 下進行兩次’讓光線透過具二或多種透光率薄 色：光罩，或使光線透過具有原本圖案以及具： =於曝光量上限之細微圖案之灰色調光罩來使有機薄膜 3曝光。

後乂起始有機薄膜圖案4為光罩濕或乾姓刻於基 板1上形成之導電薄膜2及半導體薄m 6，將導電薄膜2 :半導體薄膜6製成第一圖案，如第3(c)圖所示，具體而 吕，濕或乾姓刻去除導電薄膜2與半導體薄膜6中 機薄膜圖案4所覆蓋的部分。 一, 濕或乾姓刻導電薄膜2，且於姓刻導電薄膜2後接著 乾蝕刻半導體薄膜6。 ★製成導電薄膜2與半導體薄膜6之圖案的結果，於有 機薄膜圖f 4的表面形成阻隔層，阻隔層至少包括因有機 薄膜圖案4表面變化而形成之變形層，以及沉積物沉積於 有機薄膜圖案4表面而形成之沉積層之一。 接著，採用上述第一實施例之化學溶液於有機薄膜圖 案4完成去除步驟，以選擇性去除阻隔層，使有機薄膜圖 案4中無阻隔層的區域呈現，然後，於有機薄膜圖案$上 進行第二顯影步驟與另外做為第二預烘乾步驟之加熱步 驟，即於有機薄膜圖案4上完成主步驟，以使起始有機^ 膜圖案4轉變成具新面貌（圖案）之有機薄膜圖案5,如第 2134-9097-PF 19 200813212 (D)圖所$ 4寺別是，去除有機薄膜圖案*中厚度小於邊 緣口P刀之中央^分’使形成之有機薄膜圖帛5具相互分離 且厚度相同的兩區域。 如上所述’例如’部分有機薄膜圖案4於主步驟中移 除且因^刀有機薄膜圖案4被去除使有機薄膜圖案4變 J於第一實知例中，上述去除部分有機薄膜圖案4的步 驟即為中請專利範圍中所定義之“選擇步驟，，。

然後’以單一厚度之有機薄膜圖帛5為光罩來第二次 餘刻（濕或絲刻）導電薄膜2而去除導電薄膜2中未被有 機薄膜圖t 5覆蓋的部份，如此，便可得到具兩相互分離 區域的導電薄膜2，如第3(E)圖所示。 如此一來，導電薄膜2與半導體薄膜6的圖案便不同， 如第3(E)圖所示。 接著，如第3(F)圖所示，去除有機薄膜圖案5。 第一實把例適用於製造源極、沒極、導線與NT(薄膜 電晶體）基板電路的方法，其中半導體薄膜6由n+a_si(歐 姆接觸用之高強化半導體）或a_Si (非晶矽）構成。

第二實施例於製造源極、汲極、導線與TFT(薄膜電a 體）基板電路的方法具有與第一實施例所揭露之相同Z 點’其中半導體薄膜6由n+ a_Si或a_Si(非晶石夕）構成。 [第四實施例] 於第四實施例 個別步驟之狀態。 第4圖繪示出處理基板之方法中完成 於第四實施例中 以微影技術製成起始有機薄 膜圖案 2134-9097-PF 20 200813212 因此，與笫-这够— 一些部位具有多種（例 罘一及第二實施例類似 如 ’兩種）厚度。 如帛4(Α)圖所示，於基板1上形成半導體薄膜 =於半導體薄膜6上形成導電薄膜2，再於導電薄膜 2上^/成有機薄膜3。 /接著於有機薄膜3上依序進行二或多重曝光步驟、 U驟以及預烘乾之加熱步驟以於有機薄膜3上製圖而 使有盆機；|—膜3變成具有兩相互分離部分的有機薄膜圖案 八中母兩相互分離部分皆具有兩種厚度，如第4(Β) 圖所示。 、例如’如第4⑻圖所示，有機薄膜圖案4具有兩相鄰 部分，且每一部分具有緊鄰另一部分的第一區塊，以及遠 離另一部分的第二區塊，且第二區塊的厚度小於第一區塊。 例如，曝光步驟可將有機薄膜3於不同程度的曝光量 下進行兩次，讓光線透過具二或多種透光率薄膜圖案的半 色調光罩，或使光線透過具有原本圖案以及具透光率小於 或等於曝光量上限之細微圖案之灰色調光罩來使有機薄膜 3曝光。 然後’以起始有機薄膜圖案4為光罩濕或乾蝕刻於基 板1上形成之導電薄膜2,將導電薄膜2製成第一圖案， 如第4(C)圖所示，具體而言，去除導電薄膜2中不為有機 薄膜圖案4所覆蓋的部分，如第4(C)圖所示。 製成導電薄膜2之圖案的結果，於有機薄膜圖案4的 表面形成阻隔層，阻隔層至少包括因有機薄膜圖案4表面

2134-9097-PF 200813212 變化而形成之變形層’以及沉積物沉積於有機薄膜圖宰. 表面而形成之沉積層之一。 系4 =著’採用上述第—實施例之化學溶液於有機薄 案4完成去除步驟，以選擇性去除阻隔層，使 、田 案^中無阻隔層的區域呈現，然後，於有機__ = 進行弟一顯影步驟與另外傲為兹—箱叫私 、 驟，即於有機薄膜圖案4 :完為成= 闺杀4上凡成主步驟，以使起始 膜圖案4轉變成具新面貌(圖案)之有機薄膜圖案 ，專 4⑻圖所示，特別是，每一有機薄膜圖案"兩部分的= 一區塊，如此一來，有機薄膜圖案4便轉變成具單一 之有機薄膜圖案，如第4(D)圖所示。 /、 旱度 如上所述，例如，部分有機薄膜圖案4於主步 除，且因部分有機薄膜圖案4被去除使有機薄膜圖案^ ^於第三實施例中，上述去除部分有機薄膜圖案4: 驟即為申請專利範圍中所定義之“選擇步驟”。 ^ 由於迴焊具單一厚度之有機薄膜圖案5，兩 圖案5中所定義的部分相互連結成—新有機薄膜圖案、膜 :;弟：⑻圖所示’如此一來’暴露於導電薄膜2八 間之半導體薄膜6區域為有機薄膜圖案7所覆蓋。1刀 藉由加熱有機薄膜圖案5或使有機薄5 有機溶劑蒸氣中可使有機薄膜圖案5迴焊。 、於 然後，以有機薄膜圖案7與導電薄膜2 刻半導體薄膜6而使半導體薄膜6的圖案（單_ ’乾餘 於導電薄膜2的圖案(即，兩部分相互分離)，二二 2134-9097-PF 22 200813212 所示。 接者，如第4(F)圖所示，去除有機薄膜圖案卜 第四實施例具有與第三實施例所揭露之相同優點。 於上述實施例中，為過度曝光有機薄膜圖案， 免有機薄_㈣熱而損壞’且使有機薄膜圖案於進行第 -次顯影前所進行的所有步料歸顯影功能，如供乾步 驟或㈣步驟，具體而言’必需使有機薄膜圖案維持在150 c以:的狀態中’因為有機薄膜圖案纟15代或更高的溫 度下谷易產生交連現象，最好將有機薄膜圖案保持在⑷ °c或更低溫度的狀態中。 若有機薄膜圖案係由在不同於150。(：的溫度下容易產 生父連現象的材料所構成，則必需將有機薄膜圖案保持在 低於那個溫度的狀態中。 一開始，可採用微影技術或印刷的方式於基板丨上形 成有機薄膜圖案4。 夕 最好以光敏性有機薄膜構成有機薄膜圖案4，其中， 光敏性有機薄膜為正型光敏性有機薄膜或負型光敏性有機 薄膜。 如果有機薄膜圖案4由正型光敏性有機薄膜構成，酚 醛樹脂最好為有機薄膜圖案4的主要成分。 若暴露於光線中，光敏性有機薄膜最好可溶於鹼中。 第四實施例所採用的化學溶液不僅適用於上述去除步 驟，亦可用於去除形成在基板1上之所有有機薄膜圖案4， 其中，形成於基板1上之有機薄膜圖案4最好為光敏性有 2134-9097-PF 23 200813212 4暴露於光線後再採用化 可完全除去形成於基板1 機薄膜，且至少在有機薄膜圖案 學溶液來進行去除步驟。 於去除步驟後進行主步驟， 上之有機薄膜圖案4。 主步驟中所採用之化學溶液最好具有顯影有機薄膜圖 案4的功能，但剝色劑可做為主步驟中所採用之化學溶液。 主步驟可包括能使有機薄膜圖案4至少部分縮小的步 以下將說明於每-上述實施例的去除步驟中所採用之 化學溶液範例。 以下說明之化學溶液不僅借用Α μ 队个1皇便用於上述實施例的方法 中’亦可用於處理基板的任何方法。 於稍後提及之範例中，由以下敛述可得知去除形成於 有機薄膜圖案4表面之阻隔層的難度，與部分除變形層外 之有機薄膜圖案4的殘餘特性，而列出去除步驟中所採用 之化學〉谷液的最佳範例。 首先，製備含7 %硝酸銨、18 %硝酸鈽銨及75 %水之 #刻劑。 以玻璃基質為基板1，並於其上形成做為導電薄膜2 之鉻薄膜，厚度為200奈米。 於基板1上形成有機薄膜3(酚醛樹脂抗蝕劑）（例如， 參見第1 (Α)圖），然後將有機薄膜3暴露於光線中、顯影 並預烘乾來製圖使有機薄膜3變成有機薄膜圖案4(例如， 參見第1(B)圖）。

2134-9097-PF 200813212 : 、接著ϋ字於基板1上形成之有機薄膜3浸泡於的 上述餘刻劑中，經恰當之钱刻時間以儀刻鉻薄膜（例如，參 見第/(C)圖）’其中’“恰當之钱刻時間，，係指去除未被 有機薄膜圖案4霜签夕* ^欠@时/、兹& μ 口呆4覆盍之鉻薄膜（導電薄膜2)部分所需的時 間。 然後’以水清洗基板1並乾燥。 稱後提及之範例說明製造基板！的實驗，特別是，具 有阻隔層形成於有機薄膜圖案4上之基板1β '然後，將基板1浸泡於3(TC的化學溶液中60秒，以 完f範例1—8與對照範例1-11的去除步驟，範例^與對 照靶例1-11所採用之化學溶液成分詳列於第6圖中。 第6圖中所提及之化學成分縮寫對照如下。 HA :經基胺 TMAH ··氫氧化四甲基銨 TEAH :氫氧化四乙基銨 DEHA : N，N-二乙基羥基胺 MEA : —乙醇胺 BDG · 一乙二醇單丁鍵 PW :水 如第6圖所示，範例1之化學溶液含有5 %重量百分 比的羥基胺水溶液、2 %重量百分比的氫氧化四曱基銨以及 93 %重里百分比的水。 範例2之化學溶液含有〇·5 %重量百分比的羥基胺水 溶液、2 %重量百分比的氫氧化四甲基銨以及97.5 %重量 2134-9097-PF 25 200813212 i 百分比（第6圖所示之“ 98”為四捨五入的數值）的水。 範例3之化學溶液含有3 〇 %重量百分比的羥基胺水溶 液、10 %重量百分比的氫氧化四甲基銨以及6〇 %重量百分 比的水。 範例4之化學溶液含有5 %重量百分比的羥基胺水溶 液、0.5 %重篁百分比的氫氧化四甲基錢以及Μ·。％重量 百分比（第6圖所示之“ 95”為四捨五入的數值）的水。 範例5之化學溶液含有5 %重量百分比的羥基胺水溶 液、2 %重量百分比的氫氧化四乙基銨以及%重量百分 比的水。 範例6之化學溶液含有5 %重量百分比的羥基胺水溶 液、10 %重量百分比的膽鹼以及93 %重量百分比的水。 範例7之化學溶液含有5 %重量百分比的N，N-二乙基 羥基胺水溶液、2 %重量百分比的氫氧化四甲基銨以及93% 重量百分比的水。 範例8之化學溶液含有5 %重量百分比的肼水溶液、2 %重量百分比的氫氧化四曱基銨以及93 %重量百分比的水。 對照範例1之化學溶液含有2.38 %重量百分比（第6 圖所不之2.4為四捨五入的數值）的氫氧化四曱基銨水 溶液。 對照範例2之化學溶液含有2〇 %重量百分比的氫氧化 四甲基銨水溶液。 對照範例3之化學溶液含有5 %重量百分比的羥基胺 水溶液。 2134-9097-PF 26

I 200813212 對照範例4之化學溶液含有2"重量百分比的一乙醇 胺、60 %重量百A比的有機溶劑（二乙二醇單丁醚）以及2〇 %重量百分比的水。 對照範例5之化學溶液含有4"重量百分比的一乙醇 胺以及60 %重篁百分比的有機溶劑（二乙二醇單丁醚）。 對照範例6之化學溶液由有機溶劑（二乙二醇單丁鱗） 構成。 對照範例7之化學溶液含有5%重量百分比的經基胺、 5 %重量百分比的有機溶劑（二乙二醇單丁鍵）以及9〇 %重 量百分比的水。 對照IU列8之化學溶液含有5%重量百分比的經基胺、 15 %重量百分比的氫氧化四甲基銨以及8〇 %重量百分比的 水0 對照範例9之化學溶液含有5 %重量百分比的㈣胺、 ο·ι %重量百分比的氫氧化四曱基銨以及94·9 %重量百分 比（第6圖所示之“95”為四捨五入的數值）的水。 對照範例10之化學溶液含有4〇 %重量百分比的羥基 胺、2 %重置百分比的氫氧化四甲基銨以及58 %重量百分 比的水。 對照範例11之化學溶液含有〇· 2 %重量百分比的羥基 胺、2 %重量百分比的氫氧化四曱基銨以及97· 8 %重量百 分比（第6圖所示之98”為四捨五入的數值）的水。 將範例1 -8與對照範例丨—丨丨之化學溶液用於基板1 上，去除步驟元成後以純水清洗基板1，以空氣槍喷出氮 2134-9097-PF 27 200813212 氣（N2)將基板1上的純 ㈣乾’如此便製得乾燥之基板卜 有機溥膜圖案4於各一|^ η 4-^^^ μ ^ , '母一基板1的殘留程度可由光學顯 礒鏡硯察有機薄膜圖案4的變化情形而得知。 觀察結果詳列於筮β 與#、'r mu 、 圖之“A1” （有機薄膜圖案4以化 本》合液加作後）一攔中。 鑑定標準如下。 “〇” ··有機薄膜圖案幾乎沒變化。 △•邛分除了變形層外之有機薄膜圖案被除去， 但變形層殘留，有機薄膜圖案混合不均勾。 有機薄膜圖案與變形層完全混合。 f 〇表不有部分除了變形層外之有機薄膜圖案 沒被除去’且僅除去變形層（例如’因㈣鉻薄膜所造成之 變形層或沉積層）’由於_鉻薄膜所造成之變形層非常 薄，顯微鏡影像上幾乎沒變化，如果部分除了變形層外之 有機薄膜圖案4與因餃刻鉻薄膜所造成之變形層於去除步 驟中並未被除去，顯微鏡影像上便幾乎沒變化。 將於上述去❹驟前後幾乎《支變化之具錢薄膜圖案 4之基板1(即於A1攔位中標示“〇，，的基板。浸泡於含 2.38 %重量百分比氫氧化四甲基銨水溶液的顯影劑中，室 溫60秒，以過度顯影有機薄膜圖案4。 用純水清洗基板1，然後以空氣槍喷出氮氣(N2)將基板 1上的純水吹乾，如此便製得乾燥之基板1。 有機薄膜圖案4於每一基板1的殘留程度可由光學顯 微鏡觀察有機薄膜圖案4的變化情形而得知。 2134-9097-PF 28 200813212 觀察結果詳列於第6圖之 顯影劑後）一欄中。 （有機薄膜圖案浸泡 鑑定標準如下。 ‘〇·有機薄膜圖案混合岣勻。 “△ •有機薄膜圖案混合不均勻。 二：：有機薄膜圖案未浸入顯影劑 由於蝕刻鉻薄膜，造成於有 形層’當於去除步驟中採用含第6圖：圖案：表面形成變 液完全除去有機薄膜圖案4時，化二=分的化學溶 鉻薄膜而造成之變彤；& 予备液具有去除因蝕刻 人〜支^層的功能，但 去部分除了變形層外I 太強，因此，亦除 法在有機薄膜圖案4上再製圖，雖舞 =右：無 膜圖案4上再製圖。 、、、要目的為於有機薄 如果去除步驟中採用含第 可除去部分除了變形層外之有二ΤΛ:學溶液 因姓刻鉻薄膜而造叙變形層 〜法除去 的變形声&蛣而、曰人i 了犯疋化學溶液穿透較弱 、?Γ域而混合部分除了變形層外之有機薄膜圖荦所 每成，此化學溶液並不適用於用 、⑽： 製圖的主步驟。 穷獨謂圖案4上再 干之： = 膜圖案4經於去除步驟尹採用含第6圖所 無f去除變形層，但穿透因钱刻絡薄媒而造成之：= 層G域’並於較弱變形層區域混合部分除 … 機薄膜圖案，由於變形層並未 化風/層外之有 此化學溶液並不適用

2134-9097-PF 29 200813212 於用來在有機薄膜圖案4上再製圖的主步驟。 若有機薄膜圖案4經採用含第6圖所示之成分的化學 溶液之去除步驟後幾乎沒變化，表示有機薄膜㈣4並未 被除去，僅除去因㈣鉻薄膜而造成之變形層，由於蚀刻 鉻薄膜所造成之變形層非常薄，顯微鏡影像上幾乎沒變 化’如果部分除了變形層外之有機薄膜圖t 4與因钱刻絡 薄膜所造成之變形層於去除步驟中並未被除去，顯微鏡影 像上便幾乎沒變化。 如此來，去除因餘刻絡薄膜所造成之變形層與否可 :採用顯影劑來顯影有機薄膜㈣4此一步驟的功效來判 疋’上述顯影劑無法除去因姓刻鉻薄膜所造成之變形層， 匕方將頌衫劑應用於具有因蝕刻鉻薄膜所造成之變形 =有«膜圖案4時，有機薄膜㈣4不均句或僅部分 換α之若將顯影劑應用於無變形層形成的有機薄 膜圖案4 _，有機薄膜圖案4便可混合均勻，因無變形層 變避免顯影劑滲入有機薄膜圖案4。 由第6圖所示，於去除步驟中採用範例^中之化學 溶液可以僅去阻πβ m -r- x 于、阻b層而不除去部分除了變形層外之有機 薄膜圖案。 相纣 ^重量百分比的氫氧化四曱基銨水溶液 (對…、範例1 )、5 %重量百分比的輕基胺水溶液（對照範例 3)、含f乙醇胺及有機溶劑b乙二醇單頂）之化學溶液 (對…、fe例5)有機溶劑構成之化學溶液（對照範例6 )、經 土胺’、乙醇胺水溶液（對照範例Ή以及含適當濃度羥基

2134-9097-PF 30 200813212 胺但風乳化四甲基銨濃度不足之化學溶液（對照範例9) 缺乏去除阻隔層的功能。 2〇 %重量百分比的氫氧化四甲基銨水溶液（對昭、範例 2)、含一乙醇胺、有機溶劑（二乙二醇單丁鱗）及水之化學 溶液t對照範例4)、適當濃度經基胺水溶液，但氫氧化四 甲士銨濃度太高(對照範例8)、適當濃度氫氧化四甲基銨 ^夜仁羥基胺濃度太高（對照範例1 〇)以及適當濃度氫 :化四甲基銨水溶液，但羥基胺濃度不足之化學溶液⑽照 靶例11)皆不適用於去除步驟，因其去除變形層外，更完 全除去有機薄膜圖案4的未變形部分。 由上述分析，上述實施例之化學溶液最好含有介於〇· 5 ^ 3〇 %重量百分比的範圍内之第一成分（至少含有經基胺 何生物與肼衍生物之―），且上述實施例之化學溶液最好含 有於0.2至1〇 %重量百分比的範圍内之第二成分（介於 〇· 5至1〇 %重量百分比的範圍内更佳）。 以下將說明第5圖。 ^第5圖繪示出當用於去除步驟之化學溶液中的羥基胺 衍生物與第二成分(例如，氫氧化四烷基銨)混合比例改變 時，去除形成於有機薄膜圖案4上之阻隔層的第—去除速 (刀鐘），以及去除起始有機薄膜圖案中除了變形層外 的部分第二去除速度（A/分鐘）如何變化。 曰 如第5圖所示，當羥基胺衍生物的混合比例增加時 (即，氳氧化四烷基銨的混合比例降低），第一去除速度也 隨著增加。 2134-9097-pf 31 200813212 如第5圖所示，當羥基胺衍生物的混合比例為零時 (即，氫氧化四烷基銨的混合比例為一），第二去除速度相 對較咼，當羥基胺衍生物的混合比例增加，介於0至0. 3 的範圍内時（即，氫氧化四烷基銨的混合比例介於1至〇. 7 的fe圍内）’第二去除速度變小；當羥基胺衍生物的混合比 例w於0 · 3至〇 · 7的範圍内時（即，氫氧化四烷基銨的混合 比例介於〇·7至0·3的範圍内），第二去除速度相對較低； 換。之若私基胺衍生物的混合比例介於〇 · 3至〇 · 7的範 圍内時，有機薄膜圖案中除了變形層外的部分幾乎不會被 除去，當羥基胺衍生物的混合比例增加，介於〇 · 7至工的 章圍内寺（即，氣氧化四烧基銨的混合比例介於〇 · 3至〇的 範圍内），第二去除速度又變大。 · 如此來，為避免有機薄膜圖案中除了變形層外的部 、示去用於去除步驟中之化學溶液混合物内的羥基胺 何生物比例最好介於〇· 3至0.7的範圍内，也可在上述混 物匕例|&圍内’藉由提高第_去除速度來縮短完成去除 步驟所需的時間，，亦即，增加羥基胺衍生物的混合比例。 、甚至就算第_去除速度低於第二去除速度，適當的控 制進行去除步驟的時間亦可完美的完成去除步驟。 少如此一來，如果V1/V2的比例大於或等於〇·5，其中 VI係為形成於有機薄膜圖案4上之阻隔層(變形層)的混合 速度❿V2為有機薄膜圖案中除了變形層外的部分的混合 ^ ^亦即用於去除步驟中之化學溶液混合物内的羥基 卜7物比例大於或等於約〇 · 2 3，便可能得到最佳之去除

2134-9097-PF 32 200813212 步驟結果。 有機薄膜圖案中除了變形層外的部分的較慢混合速度 可使得較易控制完成去除步驟所需的時間，因此，有機薄 膜圖案中除了變形層外的部分的混合速度最好小於或等於 母分鐘1000A，小於或等於每分鐘100A的速度更好，尤以 小於或等於每分鐘50A的速度最佳。 上述第四實施例包括（a)於有機薄膜圖案4上再製圖 之主步驟，與後續的稍後敘述之混合/變形步驟，（b)於去 除形成於有機薄膜圖案4表面上之阻隔層步驟之後，以及 於有機薄膜圖案4上再製圖之主步驟之前進行稍後敘述之 此合/½形步驟，或（c)於去除形成於有機薄膜圖案4表面 上之阻隔層步驟之前完成後敘述之混合/變形步驟。 以下將敘述於上述第四實施例中所進行之混合/變形 步驟的乾例。 於有機薄膜圖案的的混合與相對應之變形步驟中（混 合/變形步驟），係因有機薄膜圖案與有機溶劑接觸，例如， 將有機薄膜圖案暴露於有機溶劑的氣體環境中，而混合並 迴焊有機薄膜圖案。 完成混合/變形步驟，例如，將基板1連同有機薄膜圖 案4,泡於有機溶液（主要為有機溶劑）中而使有機薄膜圖 案4變形（主要為混合與迴焊）。 混合/變形步驟包括惫駚_ 〃體處理步驟，其中採用惰性氣體 (例如，氮氣（N〇)使有機溶饬r u 液（主要為有機溶劑）沸騰氣 化’並將基板暴露於氣化之有機溶液的大氣環境中。

2134-9097-PF 33 200813212 在用以使形成於基板上之有機薄膜圖案混合及變形之 此口 /文形步驟元成前’可先進行前處理，藉由濕步驟來至 少完成用以去除阻隔層的部分去除步驟，#即，使用化學 溶液來處理有機薄膜㈣，此前處理可去除阻隔層而不損 壞基板與/或有機薄膜圖案，確保可均句的完成接續之混合 /變形步驟。 變形步驟中，例如’由於兩相鄰之有機薄膜圖 【二成：一=膜圖案而使其區域變大，將有機薄膜 圖案千坦化，或使有機薄膜圖案變 蓋在基板上之電路圖案上。 膜而覆 進行混合/變形步驟之前，至少可於有_ 元成曝光、顯影、濕蝕刻及乾蝕刻之一。 示*上 於氣體環境施行步驟中，基板上之有機 露於各種氣體（例如，有機溶劑揮發而 口茶因暴 合變形，亦即，氣體環境施行步驟係於 ）中而化 境中完成。 、有機溶劑的氣體環 表1為氣體環境施行步驟中所採用之、 [表1 ] 較佳有機溶劑。 醇類（R-0H) 烷氧基醇類 謎類（R-0-R ’ Ar-0-R，Ar-〇»Ar) 酮類 乙二醇類 2134-9097-PF 34 200813212 亞燒基乙二醇類 乙一醉* 類 於表1中，R為烧基或具取代基之烷基，而Ar為苯基 或本基外之芳香族基團。

表2為氣體環境施行步驟中 具體範例。 [表2] CH3〇H，C2H5〇H，CH3(CH2)XOH 異丙醇（IPA) 乙二醇乙醚 甲氧基醇類 長鍵烧基醋類 一乙醇胺（MEA) 一乙基胺 二乙基胺 三乙基胺 一異丙基胺 一異丙基胺 三異丙基胺 一 丁基胺 二丁基胺 三丁基胺 羥基胺 二乙基羥基胺 2134-9097-PF 35 200813212 二乙基羥基胺酐 吡啶 甲基吼啶 丙酮 乙醯丙酮 二氧陸圜 乙酸乙酯 乙酸丁酯 甲苯 甲基乙基酮（MEK) 二乙基嗣 二曱基亞甲砜（DMS0) 甲基異丁基酮（MIBK) 丁基二甘醇 正乙酸丁酯（nBA) 丁内酯 乙二醇醚醋酸（ECA) 乳酸乙酯 丙酮酸乙酯 2-庚酮 醋酸3-曱氧基丁酯 乙二醇 丙二醇 丁二醇 2134-9097-PF 36 200813212 乙二醇單乙醚 二乙二醇單乙醚 乙二醇單乙醚醋酸 乙二醇單甲醚 乙二醇單甲醚醋酸 乙二醇單正丁醚 聚乙二醇 聚丙二醇 聚丁二醇 聚乙二醇單乙醚 聚二乙二醇單乙醚 聚乙二醇單乙醚醋酸 聚乙二醇單甲醚 聚乙二醇單甲醚醋酸 聚乙二醇單正丁醚 3-曱氧基丙酸曱酯（MMP) 丙二醇單甲醚（PGME) 丙二醇單甲醚醋酸（PGMEA) 丙二醇單丙醚（PGP) 丙二醇單乙醚（PGEE) 3-乙氧基丙酸乙酯（FEP) 二丙二醇單乙醚 三丙二醇單乙醚 聚丙二醇單乙醚 2134-9097-PF 37 200813212 •讀 丙二醇單甲醚丙酸 丙酸3-甲氧基甲酯 丙酸3-乙氧基甲酯 N-甲基-2-吡咯烷酮（NMP) 當有機溶劑滲入而使有機薄膜圖案變形時，便完成以 由有機溶劑產生之氣體施行於有機薄膜圖案之氣體環境施 行步驟。 ，例如，有機薄膜圖案可溶於水、酸或鹼中，便可採用 水溶液、酸溶液或鹼溶液產生之氣體來完成氣體環境施行 步驟。 於上述實施例中，化學溶液用於去除整個有機薄膜之 W，或用以去除整個有機薄膜，化學溶液亦可用以清洗無 有機薄膜形成之表面，或清洗掉去除整個有機薄膜後的殘 餘物。 化予/谷液可用以清除基版表面的殘餘物，或於上述處 理基板的方法中的任一階段來清洗基板。 所有上述提及之處理基板的方法、化學溶液、清洗基 板表面的方法以及清洗掉去除整個有機薄膜後的殘餘物的 方法皆適用於如液晶顯示器（LCD)(包括垂直電場型液晶顯 不裔、水平電場型（橫向電場型）液晶顯示器、背光型液晶 顯不器與半發射型液晶顯示器）、電致發光（EL)顯示器、場 發射（FED)顯示器、螢光顯示器與半導體顯示器之顯示元 件，電漿顯示平面（PDP)之主動元件的製造方法，或含積體 電路之基板的製造方法等。 2134-9097-PF 38 200813212 *上述實施例之化學溶液最好可於主㈣中將整個有機 薄膜圖案去除。 上述有機薄膜圖案含有有機光敏薄膜之實施例中，最 好至少於光活化有機薄膜圖案後才在去除步驟中採用化學 溶液。 上述實施例之化學溶液中的經基胺衍生物最好為 咖-他-)]_，其中每一 _R2分別為c^c4之烧基 或备基烧基，且絲胺料物至少含有經基胺及n n_二乙 基羥基胺之一更佳。 上述實施例之化學溶液中的胼衍生物最好為 [I勝靡[(—r3)(-r4)]，其中每—^、…分 別為氫原+、甲基、乙基及苯基之_，且肼衍生物至少含 有耕、甲基肼、1，卜二甲基肼及苯基肼之一更佳。 上述實施例之化學溶液中的第二成分最好至少含有氫 軋化四烷基銨、氫氧化鹼金屬及碳酸鹼金屬之一。 上述實施例之化學溶液中的氫氧化四烧基銨最好為 [(Rl—他-版版）]敵，其中每 :為Π至C4之⑽或絲貌基之―，且氫氧化四烧基錢 取好至少含有氫氧化四甲基銨、氫氧化四乙基錢、膽驗及 虱氧化二甲基雙（2-羥基乙基）銨之一更佳。 ^述實施例之化學溶液中的氫氧切金屬最好至少含 有氣氧化納與鼠氧化卸之^一。 上述實施例之化學溶液中的Z山缺μ 山 子，合欣Τ的妷酸鹼金屬最好至少含有 碳酸鈉、碳酸氫鈉、碳酸鉀與碳酸氫鉀之一。 2134-9097-PF 39 200813212 上述實施例之化學溶液中的隹 t ❼第一成分的含量最杯 U至30 %重量百分比的範圍内’若化學溶液中 ^ 分的含量為x%重量百分比’且X小於〇.5,或” 分比，且γ大於30，則除變形居饨 ^ ^ 里百 膜圖案。 ⑺有機薄 上述實施例之化學溶液中的篦― π第一成分的含量最 0·2至10%重量百分比的範圍向 ; 刃乾圍内，若化學溶液中之第一士 分的含量為X %重量百分比，且χ 一成 Χ小於〇·2，則化學溶液將 無法去除於有機薄膜圖案表面 、 、 观您阻™層，而若化學、玄 液中之第二成分的含量為"重量百分比，且υ大於：， 則除變形層夕卜，亦會除去部份有機薄膜㈣。、， 上述實施例之化學溶液中的羥基胺衍生物最好至少含 有-種[(R㈠(R2 —)]_，其中每_嶋分別為Cm* 之烧基或經基燒基、經基胺與N，N_:乙基録胺之一，骄 衍，物最好至少含有—種[(Ri_)(R2_)]nn[( —R3)(m，其 母R R2 R3與L分別為氫原子、甲基、乙基及笨基 :-、肼、甲基肼、1，卜二甲基肼與苯基肼之一，且化： /合液中之第一成分的含量最好介於0 5至%重量百分比 的範圍内。 上述實施例之化學溶液中的第二成分最好至少含有氫 氧化烧基叙、風氧化驗金屬及碳酸驗金屬之一，氫氧化 四烧基銨為URiH)(m-)]r()H·，其中每-n R3與R4分別為C1至C4之烷基或羥基烷基，或至少含有氫 一 甲土叙風氧化四乙基敍、膽驗及氫氧化二尹基雙

2134-9097-PF 40 200813212 (2 - #里基乙基）錢之一，氫氣化私a屈 卜匕 飞虱化鹼金屬至少含有氫氧化鈉與 虱氧化鉀之一，碳酸鹼金屬 萄主夕S有石反酸鈉、碳酸氫鈉、 碳酸鉀與碳酸氫鉀之一， 且L入 且化學溶液中之第二成分的含量 最好介於0·2至10 %重量百分比的範圍内。 上述實施例之化學溶液中的經基胺衍生物最好至少含 有一種咖-他-）_，其中每m分別為cuc4 u基或絲烧基、經基胺與N，N-二乙基經基胺之一，肼 何生物至少含有一種[(Ri—)(R2—)]NN[(—R3)(u]，其中每

Ri R2 R3與R4分別為氫原子、甲基、乙基及苯基之一、 肼甲基肼、1，:l 一二甲基肼與苯基肼之一，化學溶液中第 一成分含量最好介於〇· 5至3〇 %重量百分比的範圍内，第 成刀至夕3有鼠氧化四烧基錄、氫氧化驗金屬及碳酸鹼 孟屬之一，氫氧化四烷基銨為 [〇^-）（1^-）（1^-)〇^一）]^011-，其中每一1、1?2、1?3與1?4分 別為C1至C4之烧基或經基烧基之一，或至少含有氫氧化 四甲基銨、氫氧化四乙基銨、膽鹼及氫氧化二甲基雙（2一 經基乙基）銨之一，氫氧化鹼金屬至少含有氫氧化鈉與氫氧 化鉀之一，碳酸鹼金屬至少含有碳酸鈉、碳酸氫鈉、碳酸 鉀與碳酸氫鉀之一，且化學溶液中之第二成分的含量最好 介於〇· 2至1〇 %重量百分比的範圍内。 去除步驟最好包括以化學溶液清洗基板的步驟，其僅 去除有機薄膜圖案表面之阻隔層而不會去除部分除變形層 外之有機薄膜圖案。 上述實施例之化學溶液中，有機薄膜圖案中除了變形 2134-9097-PF 41 200813212 s卜的。p刀最好以小於或等^每分鐘i 的速度混合， 小於或等於每分鐘lw的速度更好，尤以小於或等於每分 鐘5〇A的速度最佳，以此設定的速度，完成去除步驟後， 因有機薄膜圖案的殘餘量足夠用以在於有機薄膜圖案上製 圖。 *上述實施例之化學溶液中的V1/V2的比例最好大於或 等；0. 5纟中VI係為阻隔層的混合速度，而V2為有機 + 、圖案中除了變形層外的部分的混合速度，νι的比 例最好小於或等於5. 〇。 々例如，V1/V2的比例最好大於或等於〇·5(例如，小於 或等於1〇〇〇) ’其中V1係為阻隔層的混合速度，而ν2為 有機薄膜圖案中除了變形層外的部分的混合速度，且有機 4膜圖案中除了變形層的部分的混合速度小於或等於每分 鐘 1 000A 〇 V1/V2的比例最好大於或等於〇 5(例如，小於或等於 1 000) ’其中VI係為阻隔層的混合速度，而V2為有機薄膜 圖案中除了變形層外的部分的混合速度，1有機薄膜圖案 中除了變形層的部分的混合速度小於或等於每分鐘100A。 V1/V2的比例最好大於或等於〇 5(例如，小於或等於 1〇〇〇)，其中vi係為阻隔層的混合速度，而V2為有機薄膜 圖案中除了變形層外的部分的混合速度，i有機薄膜圖案 中除了變形層的部分的混合速度小於或等於每分鐘5〇a。 例如，變形層至少包括因熟化、熱氧化與熱硬化之一 所導致之有機薄膜圖案表面變形。 2134-9097-PF 42 200813212 ι形層包括因濕蝕刻所導致之有機薄膜圖案表面 形。 Ί I形層包括因乾蝕刻或灰化所導致之有機薄膜 面變形。 茶表 *例如，沉積層包括因乾蝕刻所產生之沉積物沉積於有 機薄膜圖案表面所造成之薄層，巾變形層包括因乾餘刻所 產生之沉積物所導致之有機薄膜圖案表面變形。 上述實施例之化學溶液中，最好原本形成於基板上之 有機薄膜圖案包括以印刷或微影技術的方式形成之有機薄 ^上述實施例之化學溶液中，有機薄膜圖案最好含有光 敏性有機薄膜，例如，光敏性有機薄膜包括正型光敏性有 機薄膜與負型光敏性有機薄膜。 上述實施例之化學溶液甲，例如，正型光敏性有機薄 膜最好以酚醛樹脂為主要成分。 上述實施例之化學溶液中，若暴露於光線中’光敏性 有機薄膜最好可溶於鹼申。 化學溶液最好具有顯影有機薄膜圖案的功能。 上述實施例之化學溶液中之氫氧化四燒基銨最好含有 具有顯影有機薄膜圖案功能的成分。 例如，基板為半導體基板或顯示器單元採用之基板。 依據上述實施例，於處理基板的方法中，最好至少呷 分有機薄膜圖案在主步驟中被縮小或去除。 ° 依據上述實施例，於處理基板的方法中，最好整個有 2134-9097-PF 43 200813212 機薄膜圖案在主步驟中被縮小或去除。 依據上述實施例’於處理基板的方法 色劑或具顯影功能々 破好採用剝 之化學溶液可為市售之顯影劑。 衫功能 依據上述實施例，於處理基板的方法 於去除步驟前，採用有^ ^ 另外包括 薄膜圖案下之下方壤 配置於有機 緊接於第一薄膜處理牛驄+ 处里少驟，以及 驟，其以有機薄膜圖宰為光I 第-薄臈處理步 (康上述實施例，於處理基板的方法中 好於第二薄膜處理步驟中製成錐狀或階梯狀之圖案最 依據上述實施例’於處理基板的方 至少緊接於去除步驟或主 W好另外包括 ^ ^ v驟之一後之有機薄膜圖案0 的有機薄膜圖案處理步驟， ^壬 人+ , 有機溥膜圖案處理步驟包括温 a有機薄膜圖案並變形之混合/變形步驟。 依據上述實施例，於處理基板的方法中最好另外包括 至少緊接於去除步驟或主牛“ 1 联好另卜。括 ..^ v驟之一後之有機薄膜圖案製程 的有機薄膜圖案處理步驟， 熱有機薄臈圖案之加驟包括加 之混合/變形步驟。 文仏 依據上述實施例’於處理基板的方法中於有機薄膜圖 ^理步驟之前最好於有機薄膜圖案上至少施行曝光、顯 衫、濕或乾蝕刻之一。 依據上述實施例，於處理基板的方法中最好另外包括

2134—9〇97_PF 44 200813212 於混合/變形步驟前，採用有機薄膜圖 有機薄膜圖案下之下方薄媒上製圓之下’在配置於 依據上述實施例，於處理基板的方法最，圖步驟。 於混合/變形步驟後，採用有機薄臈圖案為光：好另外包括 有機薄膜圖案下之下方薄膜上製圖之下㈣，在配置於 依據上述實施例，於處理基板的方法中有^圖^驟。 的區域最好於混合/變形步驟中增加。 、輕圖案 依據上述實施例，於處理基板的方 薄膜圖案最好在混合/變形步驟中相互結合。鄰之有機 依據上述實施例’於處理基板的方 最好在混合/變形步驟中平坦化。 有機輕圖案 述實施例’於處理基板的方法中有機薄膜圖案 財變形’使有機_圖案做為絕緣薄 膜而覆盍在基板上之電路圖案上。 依據上述實施例，於處理基板的方法中，因於混人/ 變形步驟中㈣有機溶液而使有機薄膜圖案混合/迴焊；1 依據上述實施例，於處理基板的方法中所採用之有機 溶液最好至少含有下述有機溶劑之一： (a)醇類（R-OH) (b) 醚類（R-〇-R，Ar —〇 —R，打―〇 —Ar) (c) 酯類 (d) 酮類及 (e ) 乙二醇醚類 其中，R為烷基或具取代基之烷基，而為苯基或苯 2134-9097-PF 45 200813212 基外之芳香族基團。 依據上述實施例’於處理基板的方法十因有機薄膜圖 案與有機溶液接觸而造成混合/迴焊現象。 依據上述實施例，於處理基板的方法中因將有機薄膜 圖案浸泡於有機溶液中而造成混合/迴焊現象。 依據上述實施例，於處理基板的方法中因將有機薄膜 圖案暴露於有機溶液蒸氣中而造成混合/迴焊現象。 依據上述實施例，於處理基板的方法中之混合/變形步 驟包括將有機薄膜圖案暴露於氣化之有機溶液的大氣環境 中之氣體環境施行步驟。 々依據上述實施例，於處理基板的方法中之大氣環境係 採用惰性氣體使有機溶液沸騰氣化而成。 依據上述實施例，於處理基板的方法中，有機薄膜圖 案最好至少具有兩種不同厚度的部分。 依據上述實施例，於處理基板的方法中，有機薄膜圖 案最好因不同曝光程度而至少具有兩種不同厚度的部分。 為製造具有二或多種不同厚度之有機薄膜圖案，用以 ^機薄膜圖案之第—曝光步驟係用二或多種曝光程度 於=薄膜圖案上進行，例如，於起始曝光中，採用可使 夕種私度光線通過的光罩，顯影(此“顯影’，係用以製 仏起始有機薄膜圖案，與主步 ^ ^ ^囉時所進仃之顯影不同）已控 正多種曝光程度的有機薄膜圖帛，如果抗㈣案為 如餘圖案，高程度曝光之有機薄膜圖案部分會變薄， 如果抗蝕圖案為負型抗蝕圖莹

抗#圖案，則低程度曝光之有機薄膜 2134-9097-PF 46 200813212 圖=分會變薄，如此一來，所得之有機薄膜 一或多種不同厚度。 、便具有 …由起始曝光的由來，可藉由主步驟的顯影 較薄的部份或去除有機薄膜圖案中厚度較小的部份、。疋呆留 就主步驟的顯影中所採用之顯影溶液而言，1田 造起始有機薄膜圖案之顯影步驟中所使用的為正製 劑，則此時亦採用正型顯影試劑，而若用以製私具衫試 薄膜圖案之顯影步驟中所使用的為負型顯影試劑，2機 亦採用負型顯影試劑。 貝J此時 用以決定保留較薄的部份或去 較小的部份之主步驟，最好避免使有機薄膜二=厚度 於處理有機薄膜圖案步驟完成前，〜先，而 機薄膜圖案後來進行。 於基板切成起始有 依據上述實施例，於處理基板的方法中 採用有機薄膜圖案為光罩，在配置於有機薄卜=括 方薄膜上製圖之下方薄膜製圖步驟 、门案下之下 二中去除具相對較薄厚度的有機薄膜圖 驟’如此便可留下較去除部份厚的有機薄膜圖案。v 依據上述實施例，於處理基板的方法 二 在選擇步驟後的在配置於有機薄取另外包括 圖之第二下方薄膜製圈步驟。a案下之下方薄膜上製 苹步使案曝光’而於處理有機_ 茶步驟凡成别，且於基板上形成起始有 行有機薄膜®案處理步財之曝光 ，、圖案後來進 +先步驟’可製得具新面貌 47

2134-9097-PF 200813212 (圖案）之有機薄膜圖案。 依據上述實施例，於處理基板的方法中，

可選擇性於去除步驟中去除。 H 依據上述實施例，於處理基板的方法中，於去除步驟 中去除阻隔層使得有機薄膜圖案中除了變形層外的部=殘 留並裸露。 依據上述實施例，於處理基板的方法中最好另外包括 採用有機薄膜圖案為光罩，在配置於有機薄膜圖案下之下 方薄膜上製圖之下方薄膜製圖步驟，且於去除步驟前進行。 此去除步驟可於有機薄膜圖案的曝光步驟（此步驟不 同於有機薄膜的起始曝光步驟）後、去除步驟進行間或去除 步驟與主步驟間完成。 有機薄膜圖案的曝光步驟最好僅於基板中所需區域 (前表面）之有機薄膜圖案部分上進行。 一 70成有機薄膜圖案的曝光步驟可使整個基板充分曝 光，或依據照光的區域來決定有機薄膜圖案的新面貌（圖 案）。 例如，g依據照光的區域來決定有機薄膜圖案的新面 貌（圖案），便可至少將一個有機薄膜圖案分成複數個區域。 於半導體基板、液晶顯示器基板或其他基板上形成有 機薄膜圖案且再次處理有機薄膜圖案後，可不處理配置於 有機4膜圖案下之下方薄膜而直接使用有機薄膜圖案，例 如，當有機薄膜圖案由絕緣材料構成時，有機薄膜圖案可 做為絕緣薄膜圖案。 2134-9097-pf 48 200813212 化學溶液可含有如抗钱劑或安定劑之添加劑。

。於製造具基板之元件的方法令，顯示器可 器、電致發光⑽顯示器、場發射顯示器或電浆顯=。不 以下將敘述上述實施例的優點。 W =述實施财，去除步驟可除㈣成於有 ^面：層而不需混合有機薄膜圖案，以，便可順 利進仃苐二或往後之有機薄膜圖案顯影，或順利進行去除 步驟後之用以處理有冑薄膜圖案之主步驟。 、 雖然本發明已以實施例揭露如上，然其並非用以定義 本發明，任何熟習此項技藝者，在不脫離本發明之精神和 範圍内，當可作更動與_，因此本發明之保護範圍當視 後附之申請專利範圍所界定者為準。 田 【圖式簡單說明】 第1(A)〜（F)圖係依據第一實施例，繪示出處理基板之 方法中完成個別步驟之狀態。 第2(A)〜（F)圖係依據第二實施例，繪示出處理基板之 方法中完成個別步驟之狀態。 第3(A)〜（F)圖係依據第三實施例，繪示出處理基板之 方法中完成個別步驟之狀態。 第4 (A)〜（F )圖係依據第四實施例，繪示出處理基板之 方法中完成個別步驟之狀態。 第5圖繪示出當用於去除步驟之化學溶液中的羥基胺 衍生物與第二成分（例如，氫氧化四烷基銨）混合比例改變 2134-9097-PF 49 200813212 時，去除形成於有機薄模圖案 廑U/分鐘），以及去除 之阻隔層的第一去除速 的部分第n…o'戍溥骐圖案中除了變形層外 刀弟一去除逮度（A/分鐘）如何變化。

苐6圖為範例1 ~ 8與對昭截休丨1 ^TO η玎…、乾例1 -1所採用之化學溶液 成分列表。 第7 (A)〜（F)圖繪示出處理基板之相對應方法中完成個 別步驟之狀態。 【主要元件符號說明】 1〜基板； 2〜導電薄膜； 3〜有機薄膜； 4〜有機薄膜圖案； 5〜有機薄膜圖案； 6〜半導體薄膜； 7〜有機薄膜圖案； 101〜基板； 102〜導電薄膜； 103〜有機薄膜； 104〜有機薄膜圖案。

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Claims (1)

1. 200813212 十、 申μ專利範固·· 之有：薄::案:溶液，該化學溶液係用以至少去除於基板 因該有機薄膜圖查面上形成的阻隔層’該阻隔層至少包括 積於該有機薄膜圖查主 成之k形層，與沉積物沉 該化d 面而形成之沉積層之一， -的第-：：2含至少具有經基胺衍生物與肼衍生物之 2 一刀7 /容液，以及具顯影功能之第二成分。 包括，.依序種:，化學溶液於有機薄膜上製圖的方法，該方法 面的阻隔層之去==除=:基板上之有機薄臈圖案表 驟，該阻隔該有機薄膜圖案的主步 之變形声，：、ν包括因該有機薄膜圖案表面變化而形成 曰％積物沉積於該有機薄膜圖案表面而形成 沉積層之一， 〜取I 該化學溶液係用於該去除步驟， 予/谷液包含至少具有羥基胺衍生物與肼衍生物之 一的第一成分水溶液，以及具顯影功能之第二成分。 3·如申請專利範圍第2項所述之化學溶液，其中該有 機薄膜圖案於該主步驟中完全去除。 4·如申請專利範圍第3項所述之化學溶液，其中該有 機薄膜圖案含有光敏性有機薄膜，且該去除步驟中所採用 之該化學溶液係至少於該有機薄膜圖案以光活化後再進 行0 5·如申請專利範圍第1至4項中任一項所述之化學溶 液，其中該羥基胺衍生物為[(Rl — )(R2 —)]Ν〇Η，其中每一 Ri 2134-9097-PF 51 200813212 與r2分別a C1 s C4之燒基或經純基之一。 6 ·如申凊專利範圍第1至4項中任一項所述之化學溶 液，其中该拼衍生物為[(Ri-)(R2-)]NN[(-R3)(-R〇]，其中 每Rl、R2、Rs與匕分別為氫原子、甲基、乙基及苯基之 — 〇 7. 如申靖專利範圍第丨至4項中任一項所述之化學溶 液’其中該羥基胺至少含有羥基胺與N，N-二乙基羥基胺之 —^ 〇 8. 如申明專利範圍第丨至4項中任一項所述之化學溶 液，其中該拼衍生物至少含有肼、甲基肼、i，卜二甲基肼 與苯基肼之一。 9. 如申明專利範圍第丨至4項中任一項所述之化學溶 夜/、中^亥第一成刀至少含有氫氧化四烧基按、氣氧化驗 金屬及碳酸鹼金屬之—。 …10.如申請專利範圍第9項所述之化學溶液，其中該 虱氧化四烧基錄為，其中每一 m3與R4分別為C1至C4之烷基或羧基院基之一。 11.如申請專利範圍第9項所述之化學溶液，其中該 氫氧化四炫基銨至少含有氫氧化四甲基銨、氫氧化四乙基 銨、膽鹼及氫氧化二甲基雙（2_羥基乙基）銨之一。 — 12.如申請專利範圍第9項所述之化學溶液，其中該 虱氧化鹼金屬至少含有氫氧化鈉與氫氧化鉀之一。 13.如申請專利範圍第9項所述之化學溶液，其中該 碳酸驗金屬至少含有碳酸鈉、碳酸氫鈉、碳_與碳酸氮 2134-9097-PF 52 200813212 鉀之一。 14.如申請專利範圍第1至4項中任-項所述之化學 溶液’其中該化學溶液中之該第—成分的含量介於〇5至 30 %重量百分比的範圍内。 15·如申叫專利範圍第丨至4項中任一項所述之化學 溶液，其中該化學溶液中之該第二成分的含量介於〇2至 10 %重量百分比的範圍内。 16.如申請專利範圍第丨至4項中任一項所述之化學 溶液’其中該化學溶液中之該第一成分的含量介於〇. 5至 30 %重量百分比的範圍内，且該第二成分的含量介於〇.2 至10 %重量百分比的範圍内。 17·如申請專利範圍第丨至4項中任一項所述之化學 溶液，其中該羥基胺至少含有[(Ri_)(R2_)]n〇h之一，其中 每一 1與R2分別為C1至C4之烷基或羥基烷基、羥基胺與 N，N-二乙基經基胺之一， 該肼衍生物至少含有[(Ri —)(r2 —)]NN[( —R3)(_R4)]，其 中每Rl、R2、R3與R4分別為氫原子、甲基、乙基及苯基 之一、肼、甲基肼、1，1-二曱基肼與苯基肼之一， 且該化學溶液中之該第一成分的含量最好介於〇 5至 30 %重量百分比的範圍内。 18·如申請專利範圍第丨至4項中任一項所述之化學 /合液其中邊第一成分至少含有氫氧化四烷基銨、氫氧化 鹼金屬及碳酸鹼金屬之一， 該氫氧化四烷基銨為— — — ，其 2134-9097-PF 53 200813212 中每Rl R2、^與R4分別為Cl至C4之烷基或羥基烷基 之 或至/3有氫氧化四甲基銨、氫氧化四乙基銨、膽 鹼及氫氧化二甲基雙（2-羥基乙基）銨之一， $氣氧化驗金屬至少含有氫氧化鈉與氯氧化奸之一， 口亥反酉夂鹼金屬至少含有碳酸鈉、碳酸氫鈉、碳酸鉀與 碳酸氫鉀之一， 且纟亥化學溶液Φ夕# & _丄、 T之該第一成分的含量介於0.2至10 % 重量百分比的範圍内。 1 9 ·如申明專利範圍第丨至4項中任一項所述之化學 溶液’其中該經基胺至少含有[(Ri_)(R2_)⑽Η之一，其中 每一 _R2分別AC11C4之烧基或經基烧基、經基胺與 N，N-二乙基羥基胺之一， 中每- R” R” R4分別為氫原子、甲基、乙基及苯基 之、肼、甲基肼、U一二甲基肼與苯基肼之-， 且4化學溶液中之該第一成分的含量最好介於〇.5至 30 %重量百分比的範圍内， ，亥第一成分至少含有氫氧化四烷基銨、氫氧化鹼金屬 及碳酸鹼金屬之一， 斤該氫氧化四烧基銨為[(Ri —)(R2—)(R3-)(R4_)]請-，其 中每Ri、R2、r3與r4分別為C1至C4之烷基或羥基烷基 之或至》含有氫氧化四甲基銨、氫氧化四乙基錄、膽 鹼及氫氧化二曱基雙（2一羥基乙基）銨之一， 該氫氧化驗金屬至少含有氫氧化鈉與氫氧化舒之-， 2134-9097-PF 54 200813212 該石反酸驗金屬至少人 ^ 3有反I鈉、碳酸氫鈉、碳酸鉀與 碳酸氫鉀之一， 且該化學溶液中 μ第一成分的含量介於0.2至10 % 重里百分比的範圍内。 2〇.如申請專利範圍第1至4項中任_項所述之化學 溶液’其中有機薄關案中除了變形層外的部分的該速度 混合為小於或等於每分鐘丨〇 〇 〇 Α。 21. 如申請專利範圍第！至4項中任一項所述之化學 溶液’其中有機薄膜圖案中 ，杀T降了變形層外的部分的該速度 混合為小於或等於每分鐘1 〇 〇 A。 22. 如申請專利範圍第1至4項中任一項所述之化學 溶液’其中有機薄膜圖案中除了變形層外的部分的該速度 混合為小於或等於每分鐘5〇A。 23. 如申請專利範圍第1至4項中任一項所述之化學 溶液，其中V1 / V 2的比例為大於$ $ 八於或專於0.5，其中VI係為 阻隔層的混合速度，而V2為該有拖锋始门 /有機溥膜圖案中除了該變形 層外的部分的混合速度。 24·如申請專利範圍第1 4項中任一項所述之化學 溶液，其中該變形層包括至少因 途L _ ^ 口热化、熱氧化與熱硬化之 一所導致之該有機薄膜圖案表面變形。 25·如申請專利範圍第1 4項中任一項所述之化舉 溶液，其中該變形層包括該有棬嘀时 有機涛膜圖案表面因濕蝕刻所 導致之變形。 1 26·如申請專利範圍第1 4項中任一項所述之化學 2134-9097-PF 55 200813212 溶液，其中該變形層包括該有機薄膜圖案表面因乾蚀刻或 灰化所導致之變形。 27. 如申請專利範圍第丨至4項十任一項所述之化學 溶液，其中該阻隔層至少包括因乾敍刻所導致之沉積物的 沉積層，與因乾蝕刻所導致之沉積物的變形層之一。 28. 如申請專利範圍第項中任一項所述之化學 溶液’其中該沉積層係因乾蝕刻沉積物沉積所造成。 々29. #申請專利範圍第項中任一項所述之化學 溶液，其中原本形成於基板上之有機薄膜圖案包括由印刷 所製成之有機薄膜圖案。 30.如申請專利範圍第項中任一項所述之化學 =其中原本形成於基板上之有機薄膜圖案包括由微影 技術所製成之有機薄膜圖案。 31·如申請專利範圍第丨至4頊巾 溶液，其中該有機薄膜圖案含有光敏性有機薄^斤述之化子 比如申請專利範圍帛㈣所述之化學溶 光敏性有機賴包括正型純性有機 敏^ 機薄膜之一。 狀，、貞型先敏性有 33·如申請專利範圍第32項所述之 々 正型光敏性有機薄膜以㈣樹脂為主要成分予各液，其甲該 34·如申請專利範圍第31項所 w 正型光敏性有機舊暄^ i &丨 化予洛液，其中該 有機薄膜右暴露於光線令則可溶於鹼中。 •如申請專利範圍第1至4項中 溶液，其中_彳 、彳 項所述之化學 化學溶液具有顯影該有機薄膜圖案的功能。 2134-90 97-pp 56 200813212 36·如申請專利範圍第9項所述之化學溶液，其中於 該化學溶液中之氫氧化四烧基錢含有具有顯影該有機薄膜 圖案功能的成分。 ' 37.如申請專利範圍第項中任—項所述之化學 溶液，其中該基板為半導體基板與顯示器用之基板之一。 處理基板的方法，包括：於基板上形成有機 薄膜圖㈡至少去除形成於有機薄膜圖案表面的阻隔 層，該阻隔層至少包括因該有機薄膜圖案表面變化而形成 之㈣層，與沉積物沉積於該有機薄膜圖案表面而 沉積層之一， 該至少去除阻隔層的步驟係採用如申請專利範圍第】 至4項中任一項所述之化學溶液之一。 …I9. Γ種處理基板的方法，包括，依序為：於基板上 形成機薄膜㈣的第H至少去除形成於該有機薄 膜面的阻隔層的去除步驟；以及處理該有機薄膜圖 案的主步驟，該阻隔層至少包括 〜有機薄膜圖案表面變 化而形成之變形層，與沉積物 而形成之沉積層之一， 帛於遠有機薄膜圖案表面 ::少去除阻隔層的步驟係採用如申請專利範圍第i 至4項中任一項所述之化學溶液之一。 Γ中如巾請專利範圍第39項所述之處理基板的方 或去除。 刀4有機薄膜圖案被縮小 41.如申請專利範圍第39項所述之處理基板的方 2134-9097-PF 200813212 法，其中於該主步驟中， 除。 '"有機薄膜圖案被縮小或去 42.如申請專利範圍第項 法，其中該主步驟可# K之處理基板的方 /部」ί木用剝色劑鱼目 之一來完成。 ，、，、顯衫功能之化學溶液 43·如申請專利範圍第39項 法，另外包括： 、斤述之處理基板的方 於該去除步驟前，以該有機薄膜圖 於該有機薄膜圖荦下之 ^ 罩在配置 驟，·以及 案下之下方薄膜上製圖之第一薄膜處理步 緊接於該第一薄膜處理步騾 膜圖案為光罩，在¥ % ^ y驟的以該有機薄 製圖之第二薄臈處理步驟。專膜圖案下之下方薄膜上 44·如申請專利範圍 法，豆中兮nr + @ 弟43項所述之處理基板的方 階梯狀之圖案。 顧處理步驟中製成錐狀或 法，Γ外二申請專利範圍第39項所述之處理基板的方 幸 括緊接於至少該去除步驟與該主步驟之一後的 處理該有機薄膜圖案之有機薄膜圖案處理步驟， 該有機薄媒圖案處理步驟包括混合有機 形之混合/變形步驟。 $ I艾 、、恢如申請專利範圍第39項所述之處理基板的方 法’另外包括緊接於至少該去除步驟與該主步驟之一後的 處理該有機薄膜圖案之有機薄膜圖案處理步驟， 2134-9097-PF 58 200813212 該有機薄膜圖案處理步驟包括加熱有 熱步驟，與混合有機薄膜 ’、圖案之加 A如中請專利範二^混合/變形步驟。 法，其中於該有機薄膜圖宰處^牛^所述之處理基板的方 圖案上至少施行曝光、續旦^步驟之前’於該有機薄膜 -如申請專利範^第^與_刻之一。 法，另外包括於該有機薄膜圖：項所述之處理基板的方 前，以該有機薄膜圖案為光“該混合/變形步驟 下之下方薄膜上製圖之 在配置於該有機薄膜圖案 Μ下方溥膜製圖步驟。 49·如申請專利範圍第托 法，另外包括於該有機薄 、述之處理基板的方 後，以該有機薄膜圖案為光垦案上進行該混合/變形步驟 下之下方薄膜上製圖； 纟配置於6亥有機薄膜圖案 下方溥膜製圖步驟。 5〇.如申請專利範圍第 法 加 其中於該混合/變形步驟/項所述之處理基板的方 、中，该有機薄膜圖案的區域增 51 ·如申請專利範圍筮 法 為 其中於該混合/變形步項所述之處理基板的方 。 ^驟令，相鄰之有機薄膜圖案合而 5 2 ·如申請專利範 法，豆中兮右擒“項所述之處理基板的方 ^八Τ δ亥有機薄膜圖案於哕、、@人/ μ „ ^ ^ 系於該屍合/變形步驟甲平坦化。 如申請專利範圍筮 法，其中該有機薄膜㈣料述之處理基板的方 有機薄膜圖宰做為，邑绫厂處合’變形步驟中變形’使該 qm馮絕緣薄膜 、而覆蓋在基板上之電路圖案 2134-9097-PF 59 200813212 上。 54·如申請專利範圍第45項所述之處理基板的方 法’其中於該混合/變形步驟中採用有機溶液而使有機薄膜 圖案混合/迴焊。 55·如申請專利範圍第54項所述之處理基板的方 法’其中於該有機溶液至少含有下述有機溶劑之一： (a) 醇類（r—; (b) 驗類（R —〇 —R，Ar-0-R，Ar-Ο-Ar); (c) 酯類； (d) 酮類；以及 (e) 乙二醇醚類； /、中R為燒基或具取代基之烧基，而Ar為苯基或苯 基外之芳香族基團。 如申明專利範圍第5 4項所述之處理基板的方 法〃中。亥有機薄膜圖案與該有機溶液接觸而造成混合/ 迴焊現象。 由如申明專利靶圍第54項所述之處理基板的方 該有機薄_案浸泡於該有機溶液中而 迴焊現象。 58.如申請專利範圍第54項 法，其中該有機薄膜圖案暴露於 ：：：板的： 混合/迴焊現象。 有機命液療氣中而造成 59·如申請專利範圍第54項 法，苴中嗲、1入/繳r止 、述之處理基板的方 凌其中孩此合/變形步驟包括將該 機4膜圖案暴露於氣 2134-9097-PF 60 200813212 化之a有機/容液的大氣環境中之氣體環境施行步驟。 如申明專利範圍帛59 ,所述之處理基板的方 :而：，大氣環境係採用惰性氣體使該有機 化而成。 去請專利範圍第39項所述之處理基板的方 / :、"有機薄膜圖案至少具有兩種不同厚度的部分。 法，其申1專利祀圍帛61㉟所述之處理基板的方 不门严、产二膜圖案因不同曝光程度而至少具有兩種 不冋厚度的部分。 法，Γ外=請專利範圍第61項所述之處理基板的方 下之膜圖案為光罩’在配置於該有機薄膜圖案 4膜上製圖之下方薄膜製圖步驟；以及 薄膜Η二邱：旱度的邛分中去除具相對較薄厚度的該有機 /專膜圖案部分之撰蔣^丰 有機薄膜圖案。、此便可留下較去除部份厚的 法，m申/專利範㈣63項所述之處理基板的方 之下方《脸p ^ v驟後的在配置於有機薄膜圖案下 之下方相上製圖之第二下方相製圖步驟。 65·如申請專利範園 法，並由兮丄人 圍第39項所述之處理基板的方 / 去除步驟中選擇性去除該阻隔層。 6 6 ·如申睛專利蔚 法，其中該去除步驟中選擇所述之處理基板的方 膜圖案中除了該變形：：切該阻隔層使得該有機薄 小層外的部分殘留並裸露。 2134-9097-PF 61 200813212 67·如申請專利範圍第39項所述之處理基板的方 法’其中該變形層包括至少因熟化、熱氧化與熱硬化之一 所導致之該有機薄膜圖案表面變形。 6 8 ·如申請專利範圍第3 9項所述之處理基板的方 法其中該變形層包括因濕餘刻所導致之該有機薄膜圖案 表面變形。 69.如申請專利範圍第39項所述之處理基板的方 /、中該隻形層包括因乾姓刻或灰化所導致之該有機 膜圖案表面變形。 、7〇·如申請專利範圍第39項所述之處理基板的方 去^中/儿積層包括因乾蝕刻所產生之沉積物沉積於有機 薄膜圖案表面所造成之薄層。 、71.如申請專利範圍第39項所述之處理基板的方 八中°亥’儿積層係因乾蝕刻所導致而形成於該有機薄祺 圖案表面。 、 法=·如申請專利範圍第39項所述之處理基板的方 制/、中原本形成於基板上之有機薄膜圖案包括由印刷所 襄成之有機薄膜圖案。 法，盆3· >申睛專利範圍帛39工員所述之處理基板的方 ^原本形成於基板上之有機薄膜圖案包括由微影挂 術所製成之有機薄膜圖案。 由微〜技 法，另外如申：專利範圍帛39項所述之處理基板的方 在西?署：括於该去除步驟前，以該有機薄膜圖案為光罩， …該有機薄膜圖案下之下方薄膜上製圖之下方薄膜 2134—9〇97~pF 62 200813212 製圖步驟。 75. —種製造具基板之元件的方法，完成如申請專利 範圍第39至74項所述之處理基板的方法之一以製得具基 板之顯示器，與具基板之半導體元件。 76. 如申請專利範圍第75項所述之製造具基板之元 件的方法，其中該顯示器為液晶顯示器、電致發光（EL)顯 示器、場發射顯示器與電漿顯示器之一。

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