TW200812084A - Display panel and method of manufacturing the same - Google Patents

Description

'W2952PA 200812084 九、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明是有關於-種顯示面板及其製造方法 種:縮短去光阻製程之時間，並避免光二 的顯不面板之製造方法。 夕戈邊 【先前技術】 請蒼照第1圖，係緣示一種顯示面板之示 面板係具有-顯示區域（dlsplay area)11、—週邊區= (pe^phery area)12和—空白區域⑽放肛⑷。其中， 域2係與顯不區域11電性連接，以控制顯示區域 則分別形成於_域==:電 邊區域12係與顯示區域11之間的虛線部分列表=成： = '的f屬線，以電性連接週邊區域12和顯示區域u: S’Γ金圖中之虛線圓圈部份是局部的代表該顯示區域 Γ^少—薄膜電晶體（未標註）、館 顯域ii niC等）形成於晝素中。而空白區域則指 Ί 11和週邊區域12除外之所有部分，包括i3a、 咖和❿；其中又以空白區域13c所佔的面積最大。 的制不面板（例如薄膜電晶體液晶顯示面板，TFTLCD) 目：塑P術發展：’、已有相關業者提出可減少使用光罩數 王達到畴省製造時間和成本之目的，然而，卻在

rW2952PA 200812084 製程中容易產生空白區域的光阻和導電層殘留的問題。特 別是空白區域中面積最大的13c。 、、 請參照第2A〜2H圖，其繪示—種利用傳統減少光罩 之製程製作顯示面板之示意圖。請同時參照第丨圖。首先， 提供一基板20，並在基板20上對應於顯示區域A處，沈 積一第一金屬層和蝕刻（利用第一道光罩）後，而形:閘ς 211和儲存電容處（Cst)之下電極241，如第以圖所示。 接著，在閘極211上方形成一閘極絕緣層212材料例 如是氮化石夕層(叫且閘極絕_12係覆蓋儲存電容 處（Cst)之下電極241及位於空白區域13b/13c的基板2〇 上。之後，纟閘極絕緣| 212上方依序形成通道声土犯、 二4广一第二金屬層215，刻第二金細 後形成源極S、沒極D和位於源極。及 極D之間的通道區域216，如第2β圖所示。 、及桎積—保護層m㈣蓋TFT科處的源極s、 及極^和通道區域216，且賴層2Π亦位於儲存電容處 之下電極241之閘極絕緣層212 13,處的閑極絕緣層212上方，如第：空白區f 和保護層2Π又稱為絕緣複合層。 顯干^巾^—具有半透區域之料（第三道光罩，未 =於層217上形成光阻層⑽、·、 係對库”⑽對應於ΤΠ元件處，光阻層屢 顯不區域11中除了 TFT元件處之外的部分，光 7

200812084_2PA 阻層218c則對應於空白區域13b/l3c處，如第2D圖所示。 並形成一開口 219於顯示區域11的各ΊΤΤ元件處中以暴 露出TFT元件處之部份汲極/源極，如第2E圖所示。其中， 光阻層218a的高度和光阻層218c的高度相等，而光阻層 218b的高度則小於兩者。 之後，對光阻進行灰化（ashing)程序，去除顯示區域 11中TFT元件處以外的光阻層218b，而TFT元件處上方 的光阻層218a’和空白區域13b/13c的光阻層218c’也 同時變薄，如第2F圖所示。 接著，形成一導電層220，覆蓋顯示區域11中TFT 元件處上的光阻層218a’和空白區域中13b/13c的光阻層 218c’ ，且導電層220並覆蓋顯示區域11中TFT元件處 以外的保護層217上方，並形成儲存電容處（Cst)之上電 極，如第2G圖所示。導電層220的材料例如是氧化銦錫 (indium tin oxide ， ΙΤΟ) 〇 最後，進行剝離（liftoff)步驟，將光阻層去除。如 第2H圖所示，顯示區域11的光阻層218a’及其上方的導 電層220和空白區域13b/l 3c中的光阻層218c’及其上方 的導電層220在此步驟中一併去除。 在上述減光罩之製程中，理想狀態是將光阻層完全去 除。然而，在有限的製程時間中，要完整地將大面積的光 阻層去除實屬不易，例如空白區域13c，容易有光阻層及 導電層的殘餘物（residue)留下。一般來說，光阻層的長 8 200812084

W2952PA ，度L(見第2G圖的光阻層218c’上方）超過15〇〇μπι，就會 產生殘餘物，影響顯示面板的品質。 【發明内容】 有鑑於此，本發明的目的就是在提供—種顯示面板及 其製造方法，以在有限的製程時間中完全去除光阻，避免 光阻殘留。 根據本發明的目的’係提出一種顯示面板 panel)，係包括一顯示區域（display area)定義於—其板 上以及一空白區域（blank area)定義於該基板上，並,、斤 於該顯示區域，且空白區域包括一非金屬線區。 ^ 、 井盃·屬線 區包括複數個絕緣島（insulating island)和—第—導^ 圖案層形成於基板上，且該些絕緣島係被第―導命、電 守龟圖案層 間隔開來。 根據本發明的目的，再提出一種顯示面板，係勺括 顯示區域（display area)定義於一基板上以及—处白。、 且 形 且 (blank area)定義於該基板上，並鄰近於該顯示區域區域 空白區域包括一金屬線區。金屬線區包括一絕緣、〃人’ 成於基板上，和形成於絕緣複合層上之一導雷同& 曰 π电圖案層， 導電圖案層係將絕緣複合層之表面圍出複數個卩鬲I @ 根據本發明的目的，提出一種顯示面板之黎』 其中顯示面板係具有一顯示區域 9 200812084W2952pa 域於一基板上 括： 且空白區域包括一非金屬線區。此方法包 乂介.光阻圖案層於顯不區域、週邊區域和空白區域 ^此4㈣㈣金L中形成複數個光阻區段: 且峨阻區段係位於絕緣複合層上； 雨中I成ί少—開口於顯示區域的各薄膜電晶體中，以曝 緣複合層進行1 根據該些光阻區段對絕 數個絕峻白區域之非金屬線區處形成複 4島和位於該些絕緣島上的該些雜區段； =顯示區域之光阻層和空白區域中非金屬線區處 =二光阻區段，並去除顯示區域中該些薄膜電晶體以外 八先阻層，且在該些薄膜電晶體上方形成—第—光阻部 及在卫白區域之s玄些絕緣島上形成一第二光阻部分； 、士成昏電層於顯示區域、週邊區域和空白區域處， =覆盍顯示區域巾該些薄膜電晶體上的第—光阻部分和 空白區域中之部分基板和第二光阻部分，並填入各薄膜電 晶體中之開口；以及 同日守一起去除顯示區域中之第一光阻部分和覆蓋其 上的導電層’並同時-起去除空白區域中非金屬線區處的 第二光阻部分及覆蓋其上之導電層。 10

rW2952PA 200812084 根據本發明的目的，提出另―種 法，其中顯示面板係具有1 …、板之衣造方 白Fi七於*，、、貝不£域、—週邊區域和一办 白S域於-基板上，且空白區域 Μ工 包括： 產屬、、泉£。此方法 分別形成複數個薄膜電晶體 示區域和週邊區域内，且空白件於顯 ^ . ? 飞門具有一絕緣複合層； 形成一光阻圖案層於顯示區域、 卜，IV A W 1 ^ 4週邊區域和空白區域 ▲在二白區域的-金屬線區中形成複數個光阻: 且该些光阻區段係位於絕緣複合層上； 扣又 形成至少一開口於顯示區域 露出薄膜電晶體之没極/源極；口厚“阳體中，以曝 灰化顯示區域之光阻層和空白區域中金屬線區處之 =阻層和該些光阻凸塊，以去除顯示區域 體f外的光阻層，並在該㈣膜電晶體上方形; 刀’在空白區域之金屬線區處之絕緣複 第三光阻部分； 心珉 、变，成一導電層於顯示區域、週邊區域和空白區域處， 蓋顯不區域中該些薄膜電晶體上的第一光阻部分，和 ，盍空白區域中金屬線區的部分絕緣複合層和第三光阻 部分，導電層並填滿各薄膜電晶體中的開口；和 去除顯示區域中的第一光阻部分和覆蓋其上的導電 層，並同時去除空白區域中金屬線區處的第三光阻部分: 位於其上之導電層。 為讓本發明之上述目的、特徵、和優點能更明顯易 200812084

▲ W2952PA -懂，下文特舉較佳實施例，並配合所附圖式，作詳細說明 如下： 【實施方式】 本發明係提出一種顯示面板之製造方法，以縮短去光 阻製程之時間，並避免光阻層和導電層殘留，特別是可完 整的去除空白區域的光阻層。請同時參照第丨圖，空白區 域（blank area)指顯示區域（dispiay area)n和週邊區域 (peHphery area)12除外之所有部分，包括空白區域 13a、13b及13c。換句話說，空白區域⑶，位於週邊區 域12和顯示區域11之間。空白區域13b，位於鄰近於週 邊區域12且非位於週邊區域12和顯示區域u之間、鄰 近於週邊區域12、顯示區域n與空白區域⑽之一側及 ^近於顯示區域11。空白區域13c，位於顯示面板某一角 落處，本發日歧以左上角為實施範例，然而 之空白區域…之所在位置並不限制於此。另外，依= 技藝之人士知悉顯示面板具有數個晝素， 區域η處麟示出單—畫素的等電位圖 極線和資料線）、TFT和儲存電容）。 括‘虎線（閘 本發明之實施例中之圖示與第 ::用相同標號。另外，關於薄膜電晶體之 有相妙識者·知，在此衫加 ^ 亦賓略不必孟夕, 、^’而圖不中 ，以峋楚顯示本發明之技術特點。 12

hW2952PA 200812084 第一實施例 第3A〜3H圖為依照本 製造方法示意圖。本實施例係=例^顯不面板之 金屬線或圖案的區域，所以，= =、、彖複合層下方一般不具 非金屬圖案區域，缺而 ’、可稱之為非金屬線區域或 其它空白區域，如13a。再例之製造方法亦可適用於 例，且每個晝素都具^至少―，本實施例係以一晝素為範 然而，依習知技藝之人士M』TF_TA及至少—儲存電容， 或亦可多個TFT處或多個儲面板是具有數個晝素區 首先’提供-基板20，並在基二。請同時參照第1圖。 處，沈積一第—金屬声反20上對應於顯示區域11 成閘極211於TFT處曰極’ H第—道光罩）後’而形 處之下電請和連接於二二會示)、儲存電容(⑽ 如第3A圖所示。 、線尾端之接觸墊（未繪示）， 接著，在閘極211上形成— 絕緣層212係覆蓋儲存電容（c ▼ Π、、息緣層212，且閘極 白區域13b/13c的基板2()上之下電極241及位於空 上依序形成通道層213、歐姆接^ ,閘極:邑緣層212 215’在蝕刻第二金屬層（利用第二、: > 和一第二金屬層 料線（未I會示）、源極S、汲極DT，光罩）215後並形成資 的通道區域2i_接於= D之間 如第3B圖所示。再者，上述 ^接觸塾（未繪示）， 214、源極S、没極D、閘極21 ，層213、歐姆接觸層

蜀極絕緣層212構成TFT

'W2952PA 200812084 元件於TFT處，且TFT元件係位於 線（未繪示）相交叉處。 貝討、尿（禾、會不）與閘極 (如：：:土:料例如是:包括無機絕緣材料 扪或上述材Hr聚酿類、光阻'或類似之材 姆接觸層214之材料係包括非 二L 微夕或上述之組合，且歐姆接觸# 214 之接雜成份可為N型或P型。 X姆接觸層214 :後’沈積一保護層217以覆蓋忭 極D和通道區试91 β η μ 、心原極b 及 戈2 6’且保護層217亦位於儲存雷六卢？41 之閘極絕緣層212之上 =存電合處241 13b/13c ^ ,、u $ 21?更位於空白區域 (_、氧化=氧t:=:=vr砂 料(如:礙切、聚酯類、光==二機絕緣材 絕緣複合層。 缘層212和保護層217又合稱為 接著，利用一光罩製程（例如是具有半透區域之光 罩，、如：半透光罩、光繞射光罩、灰階光罩、柵狀圖案光 罩或類似之光罩）於顯示區域Π、週邊區域12和空白區域 形成一光阻圖案層。如第3D圖所示，在保護層217上形 成光阻層218a、218b和光阻區段218ώ、218d2".218dn。 其中，光阻層218a對應於ITT處，光阻層218b係對應於 14

2008 1 2084rW2952PA ^ 顯示區域li之每一晝素中除了 TFT處之外的部分，而光 阻層218a及218b之間具有一開口 219，用以曝露出位於 該TFT處之部份保護層217。至於光阻區段218山、 218d2···218dn則對應於空白區域13b/13c處。其中，光阻 層218a的南度和光阻區段218di、218d2··· 218dn的高度相 等，而光阻層218b的高度則小於兩者。 相較於傳統的製造方式（請參照第2D圖和第3D圖）， 在此步驟中，空白區域13b/13c，位於絕緣複合層（由閘極 絕緣層212和保護層217所組合）上的光阻層已經被切割 形成多個底部未相連的光阻區段218ώ、218d2.-218dn或稱 之為多個底部分離的光阻區段。換句話說，該些光阻區段 曝露出位於空白區域13bA3c的部份保護層217。在第一 實施例中，每個光阻區段的長度和寬度均較佳地實質上 小於或等於1500μπι，而二相鄰的光阻區段其間距L2係較 佳地實質上大於2μπι。 如第3Ε圖所示，移除曝露出來之部份保護層及部份 絕緣複合層。蝕刻被開口 219所曝露出之部份保護層217 用以形成一開口 219a於顯示區域11之TFT處，並曝露出 TFT處之部份汲極/源極，並根據光阻區段218山、 218d2〜218dn對絕緣複合層進行蝕刻，以在空白區域 13b/13c處形成複數個絕緣島372di、372d2…372dn。其中， 絕緣島372ώ、372(ΐ2···372(1η由閘極絕緣層212和保護層 217組合而成，且各絕緣島372山、372d2".372dn的底部係 为離地位於基板2 〇上。 15

200812084 「W2952PA - 之後，灰化（ashln§)顯示區域11之光阻層218a、218b 和空白區域13b/13c之光阻區段218ώ、218d2〜218(L，以 去除該顯示區域中该TFT處以外的光阻層218b。如第3F 圖所不，灰化後，在TFT元件上方係形成一第一光阻部分 218a ’在空白區域之該些絕緣島372ώ、372dr”372dn 上則形成一第二光阻部分218di， 、218ώ，…218(L， •，而 光阻層218b則完全去除。其中，該灰化可使用電漿處理 (plasma trimming)或離子氣體處理。 接著，形成一導電層22〇於顯示區域u、週邊區域 12和空白區域處’除了覆蓋顯示區域丨丨中Τ{?Τ元件上的 第一光阻部分218a’ 、填入各該TFT元件中之開口 219a =位於TFT元件以外的保護層217上方，導電層22〇更覆 蓋了空白區域13b/l3c的第二光阻部分218(1/ 、 218(L·’ “·218(1η’和空白區域13b/13c的部分基板2〇上， 如弟3G圖所示。 、導電層220的材料例如是：包括透明導電材質、反射 導電材質、上述材質之合金、或上述材質之組合。透明導 電材質例如銦錫氧化物（indium tin 〇xide，IT〇)、銦鋅 氧化物（indium zinc oxide，ΙΖ〇)、鎘錫氧化物（cadmium in oxide ’ CTO)、銘鋅氧化物（aiuminuin zinc 〇xwe， AZ〇);反射導電材質例如鉬（M〇)、鋁（Al)、金（Au)、銀 (竑）、銅（Cu)、鈥（Nd)、鎢（1)、鎘（Cd)、鈦（Ti)、钽（Ta) 或上述之氮化物。 16

'W2952PA 200812084 最後，進行剝離（liftoff)步驟，將光阻去除。如第 3H圖所示，同時去除顯示區域Π的第一光阻部分218a’ 及其上方的導電層220和去除空白區域13b/13c的第二光 阻部分218山’ 、218d2’ ...218(1/及其上方的導電層220。 根據第一實施例所述之製作方法，在光阻去除後（第 3H圖），空白區域13b/13c中係包括：複數個絕緣島 (insulating island) 372di、372d2〜372dn和形成於基板 20上的一第一導電圖案層（即導電層220)，且該些絕緣島 372ώ、372(ΐ2···372(1η係被第一導電圖案層間隔開來。再者， 由於絕緣島是根據光阻區段218di、218d2…218dn姓刻絕緣 複合層（包括閘極絕緣層212和保護層217)而來，因此絕 緣島372di、372d2···372dn的長度/寬度均實質上小於或等 於1500μιη，各二相鄰的絕緣島之間距係實質上大於2jJm。 另外，雖然第一導電圖案層是直接形成於基板2〇上，但 此應用處屬於非金屬線區，因此沒有短路之餘。 第二實施例 第4A〜4H圖為依照本發明第二實施例之顯示面板之 製造方法示意圖。本實施例係以空白區域-為範例中， 但空白區域13a中之絕緣複合層下方一般具有金屬線或金 屬圖案的區域’所以，亦可稱之為金屬線或金屬圖案區 域。-般而言’金屬線區域所包含之金屬線，如:訊號線、 多餘的線（dummy line)、測气綠 r u. τ. .列试線、修補線、屏蔽線或環 (shieldingline°rring)、靜電防護線 utaticelectric 200812084一 discharge，ESD)、…等。然而，本實施例之製造方法亦 可適用於其它空白區域，如13b、13c。再者，本實施例係 以一畫素為範例，且每個晝素都具有至少一 TFT處及至少 一儲存電容，然而，依習知技藝之人士知悉顯示面板是具 有數個晝素區。請同時參照第1圖。第4A〜4C圖與第3A 〜3C圖的步驟相同，請參考第一實施例之相關内容，在此 不再贅述。 在完成沈積保護層217的步驟後，如第4C圖所示， 空白區域13a的基板20上係具有由閘極絕緣層212和保 護層217所組成的絕緣複合層。 接著，在利用一光罩製程（例如是具有半透區域之光 罩，如：半透光罩、光繞射光罩、灰階光罩、柵狀圖案光 罩或類似之光罩）於顯示區域11、週邊區域12和空白區域 處形成一光阻圖案層的步驟中，除了在顯示區域11的保 護層217上形成光阻層218a、218b外，係在空白區域13a 之絕緣複合層上形成一具有複數個光阻凸塊218e!、 21862"*218611之光阻層2186，且光阻層218&及21813之間 具有一開口 219，用以曝露出位於該ΊΤΤ處之部份保護層 217，如第4D圖所示。之後，移除曝露出來之部份保護層 及部份絕緣複合層。蝕刻被開口 219所曝露出之部份保護 層217用以形成一開口 219a於顯示區域11之TFT處，並 曝露出TFT處之部份没極/源極，如第4E圖所示。 再者，根據第二實施例，光阻層218e的最大高度（底 部至光阻凸塊的頂部）係和光阻層218a的高度相等，而光 18

200812084圆2PA 阻層218e的最小高度（不具光阻凸塊的光阻層高度）係和 光阻層218b的高度相等。 ,、 相較於傳統的製造方式（請參照第2D圖和第4D圖）， 根據第二實施例的此步驟，空白區域13a中，古a 01 τ 尤阻層218e 上的複數個光阻凸塊218^、218e_2l8en可視為底部分 離，而每個光阻凸塊的長度L3和寬度均較佳地實質上小於 或等於1500μπι，而二相鄰的光阻凸塊其間距[4係較佳地 實質上大於2μπι。 之後，灰化（ashing)顯示區域11之光阻層2i8a、218b 和空白區域13a處之光阻層218e和光阻凸塊2i 8ei、 218e2···218en，如第4F圖所示’灰化後，在TFT元件上方 係形成一第一光阻部分218a’ ，光阻層218b則完全去除， 而在空白區域13 a處的絕緣複合層上則形成-—第三光阻部 分218ei’ 、218e2’…218en’ 。其中，該灰化可使用電漿 處理（plasma triraming)或離子氣體處理。 接著，形成一導電層220於顯示區域11、週邊區域 12和空白區域處，導電層220除了覆蓋顯示區域11中TFT 元件上的第一光阻部分218a’ 、填入該TFT元件中之開口 219a和位於TFT元件以外的保護層217上方，導電層220 更同時覆蓋了空白區域13a的第三光阻部分218e/ 、 218e/…218en’和部分絕緣複合層（即位於保護層217 上），如第4G圖所示。 最後，在同時一起去除顯示區域11中的第一光阻部 分218a’和空白區域13a的第三光阻部分218e/ 、 19 20081 2084W2952pa 218e2’…218en’及覆蓋其上之導電層220,如第4H圖所 示0 根據第二實施例所述之製作方法，在光阻去除後（第 4H圖），空白區域13a中係具有：形成於絕緣複合層上的 第二導電圖案層（即由留在保護層217上的導電層220所 構成），且第二導電圖案層係將絕緣複合層之表面圍出複 數個隔離區472_ώ、472d^472dn。再者，由於隔離區是剝 除第三光阻部分218ei’ 、218e2’ ...2186/後所產生的， 而第三光阻部分的尺寸又由光阻凸塊218α、218e2".218en 的尺寸所決定，因此各隔離區的長度/寬度均實質上小於 或等於150Ομπι，各二相鄰的隔離區之間距係實質上大於 2 μπι。另外，雖然此應用處屬於空白區域13a，但由於第二 導電圖案層是形成於絕緣複合層上，亦即整個基板20在 空白區域13a處仍受絕緣複合層的保護，因此沒有短路之 餘0 根據上述第一、第二實施例，係在空白區域13b/13c 處形成光阻區段218ώ、218d2".218cL (第3D圖），而在空 白區域13a處形成具有光阻凸塊218er 218er"218en的光 阻層218e(第4D圖），使之後進行剝離光阻的步驟時，空 白區域内的所有光阻能順利且迅速地被去除，而不會產生 光阻殘餘物的問題。 再者，必需說明的是，本發明之第二實施例，係以空 20

fW2952PA 200812084 白區域13a中之絕緣複合層下方具有金屬線或圖案來做為 範例，但在其它空白區域13b或13c亦可因顯示面板之設 。十上及可罪性之需求，則空白區域13b或13c中之絕緣複 合層下方亦可具有金屬線或圖案，如：訊號線（signal

Hne)、多餘的線（dummy line)、測試線（test line)、修 補線（repair line)、屏蔽線或環（shielding Hne 〇r ring)、靜電防護線（static electric discharge，ESD)、… 等。並且本發明上述實施例之設計亦可同時使用於顯示面 板上，例如：空白區域13c、丨3b中之絕緣複合層下方具 有金屬線或圖案、空白區域13a、13b、13c中之絕緣複合 層下方具有金屬線或圖案、空白區域13a、13b、13c中之 其中一者之絕緣複合層下方同時具有金屬線或圖案區及 非金屬線或圖案區、空白區域l3a、l3c之絕緣複合層下 方具有金屬線或圖案，而空白區域13b之絕緣複合層下方 不/、有金屬線或圖案、空白區域13a、1北之絕緣複合層 下方具有金屬線或圖案，而空白區域l3c之絕緣複合層下 方=具有金屬線或圖案或其它設置方式。然而，顯示面板 =空白區域13a、13b、13c之其中一者之絕緣複合層下方 刀別具有金屬線或圖案區或非金屬線或圖案區或其中一 者之絕緣複合層下方同時具有金屬線或圖案區及非金屬 f或圖案區，則係可同時移去上述空白區域上之光阻區 段0 练上所述，雖然本發明已以較佳實施例揭露如上，然 其並非用以限定本發明。本發明所屬技術領域中具有通^ 21

200812084W2952PA r 知識者，在不脫離本發明之精神和範圍内，當可作各種之 更動與潤飾。因此，本發明之保護範圍當視後附之申請專 利範圍所界定者為準。 【圖式簡單說明】 第1圖係繪示一種顯示面板之示意圖。 第2A〜2H圖繪示一種利用傳統減少光罩之製程製作 顯示面板之示意圖。 第3A〜3H圖為依照本發明第一實施例之顯示面板之 製造方法示意圖。 第4A〜4H圖為依照本發明第二實施例之顯示面板之 製造方法示意圖。 22

200812084 TW2952PA 【主要元件符號說明】 11 :顯示區域 12 :週邊區域 13a、13b、13c :空白區域 2 0 ·基板 211 :閘極 212 :閘極絕緣層 213 :通道層 214 :歐姆接觸層 215 :第二金屬層 216 :通道區域 217 :保護層 218a、218b、218c、218c’ 、218e :光阻層 218a’ ：第一光阻部分 218ch、218dr"218dn :光阻區段 218ώ’ 、218d2’ …218dn’ ：第二光阻部分 218e!、218e2."218en :光阻凸塊 218ei’ 、218e2’…218en’ ：第三光阻部分 219、219a :開口 220 :導電層 241 :下電極 372ώ、372d2…372dn :絕緣島 472ώ、472d2"，472dn :隔離區 23

Claims (1)

1. 200812084w 2952PA 、 十、申請專利範圍： 1· 一種顯示面板（display panel)，係包括： 一顯示區域（display area)定義於一基板上；以及 一空白區域（blank area)定義於該基板上，並鄰近於 該顯示區域，該空白區域包括： 非孟屬線區，包括複數個絕緣島（insulating island)和一第一導電圖案層形成於該基板上，該些絕緣 島係被該第一導電圖案層間隔開來。 …2. 士口申請專利範圍第1項所述之顯示面板，其中各 。亥、巴、、彖島的長度和寬度係實質上小於或等於⑽叫①。 申料利第2項所述之顯示面板，其中各 —相郇的絕緣島之一間距係實質上大於2卯。 各該申請專利範㈣1項所述之顯示面板，其中 Μ緣島係由一絕緣複合層所組成。 5·如申請專利範圍第4項所述 甘 絕緣複合層包括： H扁不面板，其中該 :閉極絕緣層，形成於該基板上；和 —保護層，形成於該閘極絕緣層上。 6·如申請專利範圍第i 項所述之顯示面板，其中該 24 200812084 [W2952PA ^ 空白區域更包括： 一金屬線區，包括： 一絕緣複合層5形成於該基板上，和 一第二導電圖案層，形成於該絕緣複合層上，且 該第二導電圖案層係於該絕緣複合層之表面形 成複數個隔離區。 7. 如申請專利範圍第6項所述之顯示面板，其中各 該隔離區的長度和寬度係實質上小於或等於1500μπι。 8. 如申請專利範圍第7項所述之顯示面板，其中各 該二相鄰的隔離區之間距係實質上大於2μπι。 9. 如申請專利範圍第6項所述之顯示面板，其中該 絕緣複合層係包括： 一閘極絕緣層’形成於該基板上，和 一保護層，形成於該閘極絕緣層上。 10. 如申請專利範圍第1項所述之顯示面板，更包 含：一週邊區域（periphery area)定義於該基板上，並鄰 近於該顯示區域及該空白區域，其中該顯示區域係包括複 數個薄膜電晶體（TFT)及複數個電容，該週邊區域係包括 複數個驅動元件。 25 200812084W2952PA . 11. 一種顯示面板（display panel)，，係包括： 一顯示區域（display area)定義於一基板上；以及 一空白區域（blank area)定義於該基板上，並鄰近 於該顯示區域，該空白區域包括： 一金屬線區，包括一絕緣複合層形成於該基板上，和 形成於該絕緣複合層上之一導電圖案層，且該導電圖案層 係將該絕緣複合層之表面圍出複數個隔離區。 12. 如申請專利範圍第11項所述之顯示面板，其中 各該隔離區的長度和寬度係實質上小於或等於1500μιη。 13. 如申請專利範圍第12項所述之顯示面板，其中 各該二相鄰的隔離區之間距係實質上大於2μιη。 14. 如申請專利範圍第11項所述之顯示面板，其中 該絕緣複合層係包括： 一閘極絕緣層，形成於該基板上；和 一保護層，形成於該閘極絕緣層上。 15. 如申請專利範圍第11項所述之顯示面板，更包 含··一週邊區域（periphery area)定義於該基板上，並鄰 近於該顯示區域及該空白區域，其中該顯示區域係包括複 數個薄膜電晶體（TFT)及複數個電容，該週邊區域係包括 複數個驅動元件。 26 200812084 ΓΨ2952ΡΑ 16. —種顯示面板之製造方法，其中該顯示面板係具 有一顯示區域（display area)、一週邊區域（periphery area)和一空白區域（blank area)於一基板上，該方法包 括： 分別形成複數個薄膜電晶體、複數個電容及複數個驅 動元件於該顯示區域和該週邊區域内，且該空白區域内具 有一絕緣複合層； 形成一光阻圖案層於該顯示區域、該週邊區域和該空 白區域上，以在該空白區域的一非金屬線區中形成複數個 光阻區段，且該些光阻區段係位於該絕緣複合層上； 形成至少一開口於該顯示區域的各該TFT元件中以 暴露出該TFT元件之汲極/源極，且根據該些光阻區段對 該絕緣複合層進行姓刻，以在該空白區域之該非金屬線區 處形成複數個絕緣島和位於該些絕緣島上的該些光阻區 段； 灰化該顯示區域之該光阻層和該空白區域中該非金 屬線區處之該些光阻區段5並去除該顯不區域中該些TFT 元件以外的該光阻層，且在該些TFT元件上方形成一第一 光阻部分及在該空白區域之該些絕緣島上形成一第二光 阻部分； 形成一導電層於該顯示區域、該週邊區域和該空白區 域處，以覆蓋該顯示區域中該些TFT元件上的該第一光阻 部分和該空白區域中之部分該基板和該弟二光阻部分’並 填入各該TFT元件中該開口；以及 27 'W2952PA 200812084 •^甘同％ —起去除該顯示區域巾之該第-光阻部八w 盍/、上的該導電層，並同時一起去除該空刀^ 屬線區處的該第二級部分及覆蓋其上之該 丄7.如申請專利範圍第16項所 =域中該非金屬線區處所形成:段 底口嶋’且其長度和寬度係實質上小於或等於 18·如申請專利範圍第17項所述之製造方法， “亥二相㈣光阻區段之—間距係實質上大於_/、 兮处19.如申請專利範圍第16項所述之製造方法，其中 '工白區域更包括—金屬線區，在形成該光阻圖案層之牛 該金屬線區處位於該絕緣複合層上之該光阻^係^ 成有複數個光阻凸塊。 、 20.如申請專利範圍第19項所述之製造方法，其中 ，化該顯示區域之該光阻科，亦㈣灰化該光阻層/和該 ^光阻凸塊，时处自區域之該金騎區處之該絕緣複 5層上形成一第三光阻部分。 ^21.如申請專利範圍第2〇項所述之製造方法，其中 在形成該導電層於該顯示區域、該週邊區域和該空白區域 處的步驟中，該導電層亦同時覆蓋該空白區域中該金屬線 28 W2952PA 200812084 區的部分該絕緣複合層和該第三光阻部分。 22·如申請專利範圍第21項所述之製 在同時-起去除該顯示區域中的該第—光阻部分和=中 白區域中該非金屬線區處的該第二光阻：工 同時一起去降哕* 士分人Μ & 中’亦 (舌除.亥工白Q域中该金屬線區處的 部分及覆蓋其上之該導電層。 弟一先阻 23.如申請專利範_22項所述之製造方法， 去除該第三光阻部分後，在該金屬線區處係形成 案層於該絕緣複合層上，且該導㈣案層係將該絕緣^ 層之表面㈣減個隔㈣，各該_區的 ς 實質上小於或等於1500pm。 見度係 > 24.如申請專利範圍第23項所述之顯示面板，其中 各該二相鄰的隔離區之間距係實質上大於2μπι。 25·如申請專利範圍第16項所述之製造方法，其中 在該空白區域内所形成之該絕緣複合層係包括： 一閘極絕緣層，形成於該基板上；和 一保護層，形成於該閘極絕緣層上。 26· —種顯示面板之製造方法，其中該顯示面板係具 有一顯示區域（display area)、一週邊區域（periphery 29 200812084W2952PA .area)和一空白區域（b〗ank area)於一基板上，該方法包 括： 々人' 分別形成複數個TFT元件和複數個驅動元件於該顯 示區域和該週邊區域内，且該空白區域内具有一絕緣複合 層； 形成一光阻圖案層於該顯示區域、該週邊區域和該空 白區域上，以在該空白區域的一金屬線區中形成複數個光 阻區段，且該些光阻區段係位於該絕緣複合層上； 形成至少一開口於該顯示區域之各該TFT元件中，以 暴露出該TFT元件之汲極/源極； 灰化该顯不區域之該光阻層和該空白區域中該金屬 線區處之该光阻層和該些光阻凸塊，以去除該顯示區域中 忒些TFT元件以外的該光阻層，並在該些元件上方形 成一第-光阻部分，在該空白區域之該金屬線區處之該絕 緣複合層上形成一第三光阻部分； 、死"成‘電層於該顯示區域、該週邊區域和該空白區 ^處，以覆蓋該顯示區域中該些屬元件上的該第一光阻 邛刀」和覆蓋该空白區域中該金屬線區的部分該絕緣複合 層和為第二光阻部分，該導電層並填滿各該τρτ元件中的 該開口；和 、去除該顯示區域中的該第一光阻部分和覆蓋其上的 該導包層’亚同時去除該空白區域中該金屬線區處的該第 二光阻部分及位於其上之該導電層。 30 W2952PA 200812084 、士申明專利範圍第2 6項所述之製造方法，其中 2該第三光阻部分後，在該空白區域的該金屬線區處係 /成-導電圖案層於該絕緣複合層上，且該導電圖宰 ^絕緣複合狀表面目岐數鋪職，各該_^的 長度和寬度係實質上小於或等於15〇〇_。 上28·如申請專利範圍第27項所述之製造方法，其中 各该二相鄰的隔離區之間距係實質上大於2μιη。 29·如申請專利範圍第26項所述之製造方法，其中 在該空白區域内所形成之該絕緣複合層係包括： 一閘極絕緣層，形成於該基板上；和 一保護層，形成於該閘極絕緣層上。 31