200811611 九、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明係關於一種用於驅動物體之戟台果置、 該載台裝置之曝光裝置、及使用該曝光骏元U用 方法。 、兀牛製造 【先前技術】 用於製造半導體元件或液晶顯示元件等之元 子元件、微型元件等）的光微影程序，為了 $ (電 線片（或光罩等）之電路圖案，經由投影光於襟 影曝光於塗布有感光材料（光抗餘劑等）曰^'而心 璃板等）上’係使用步進及重複方式之靜止 起曝光型）之投影曝光裝置（亦即步進機等），及牛、 及掃描方式之掃描曝光型的投影曝光裝置（亦即二， 進機等）等之曝絲置。此等曝光裝置中，為了進^ 線片及晶圓之定位及移動，而分別具備標線片載台= 及晶圓載台系統。 ’'、 此專載台糸統中，為了獲得兩定位精度，須律量提 高剛性（彎曲剛性等）。另外，特別是在掃描曝^型之 投影=光裝置的標線片载台系統中，為了提高曝光程序 量，t為了可高速驅動移動部分，須儘量減輕移動 邻刀之重置。再者，為了容易搬運曝光裝置，且減輕設 置曝光裝置之工廠的負荷，整個載台系統亦宜儘量減輕 重量。 因此，為了減輕载台系統之重量，如使載台系統中 =移動構件變薄時，可能製造技術上之難度提高，且製 造成本增加，並且其構件之彎曲剛性及壓曲強度，與厚 度之立方成反比而大幅降低。因此，為了將剛性及強度 200811611
St程度以上來謀求重量減輕，載台系硃 „料，若剛性比（=剛性（彈性率）移動 之重ϊ)相同時，以密度小之 ^ 给立H積 台系統之移動構件，於成太卢二乂从 舄際上，栽 用剛性比高且密度小之材料時二:圍。;儘量使 量’係採用挖空或加強肋構造等（如參照專重 [專利文獻1]國際公開第扇5/〇3661 馱1)。 【發明内容】 (發明所欲解決之問題） 、如上述，藉由使用剛性比高且密度小之材 求維持載台系統之剛性及強度與減輕重量。但二，I謀 就載台系統及曝光裝置要求進一步減輕重量了最近 於導致彎曲剛性等大幅降低，以致將載台系 由 件進一步變薄困難。 動構 此外，最近有的曝光裝置之投影光學系統 型且重的反射鏡，為了謀求曝光裝置之重量減輕，用大 反射鏡在維持反射面之高度平面度時，亦須減種 有鑑於此種問題，本發明之目的為提供一種=。 致降低剛性、強度或平面度等之特性，而可達谁乎不 減輕重量之載台裝置及曝光裝置。 —步 此外，本發明之另一目的在提供一種使用其 置之元件製造技術。 一嚼光| (解決問題之手段） 本發明之載台裝置，係驅動放置物體(R; w) 部(RST ; WST)，其移動部具備由密度分布不—移動 而形成的指定構件(22 ; 25>。 材料 此外，本發明之第一曝光裝置，係以曝光 u、九照明 6 200811611 圖案’並以其曝光之光經由其圖案來曝光基板(W)，且 為了驅動形成其圖案之光罩(R)及其基板的至少一方，而 使用本發明之載台裝置。 此外，本發明之第二曝光裝置，係經由照明光學系 統G〇P)，而將曝光之光照射於圖案，並經由投影光學系 統(pL)，將其圖案影像曝光於基板(W)上，且其照明光學 系統或其投影光學系統之任何一方具有反射構件(50)， 其反射構件之形成反射面（50c)的部分（50a)之密度比其 他部分之密度高者。 另外，以上附加於本發明之指定元件的帶括弧符 號’係對應於顯示本發明一種實施例之圖式中的構件， 各符號只不過是為了容易瞭解本發明，而例示本發明之 元件’並非將本發明限定於其實施例之結構。 (發明之效果） 採用本發明之載台裝置及第一曝光裝置時，藉由其 指定構件中，要求較高剛性、強度或平面度等之特性的 部分’提高材料之密度，其以外之部分降低材料之密 度’幾乎不致降低需要之特性，而可達成進一步減輕重 量。 採用本發明第二曝光裝置時，在維持反射面之高平 面度時’可減輕反射鏡重量，進而可減輕曝光裝置重量。 【實施方式】 以下，就本發明適合之一種實施例，參照圖式作說 明。本例係在由掃描步進機構成之掃描曝光型的投影曝 光裝置（曝光裝置）中適用本發明者。 上—第一圖顯示本例之投影曝光裝置10的概略結構， 該第一圖中，在設於投影曝光裝置丨〇之投影光學系統
的掃描方向上取之標線片R及晶圓W 向（垂直於m θ Λ 其知描方向正交之非掃描方 首先1—圖之紙面的方向）取X轴，來進行說明。 i先’投影曝光裝置10 I0P;標線片载n12 備：照明光學系統單元 以指定行程=；；成 置），其係在γ方向 且在X方:ΐ _案之標線片R(光罩），並 微小骚動# 及㈣向（z_圍之旋轉方向） 置）’其係在ΧΥ平面内，二维方:0載=統（載台裝 之晶圓W (基板^及此^方向上驅動塗布有抗餘劑 V 土扳h及此荨之控制系統等。 統單元⑽包含曝光光源及照明光學系 之光il α均—之照度分布，來照明由配 的見野光圈（標線片遮簾）狀之標線片R 興I :: 4之矩形或圓弧狀的照明區域1AR。與其照明光 ί二々目同之照明系統’如揭示於日本特開平6_349701 二^上等。本例之曝光之光1L，係使用氟化氬(ArF)準 i亩光（波長193nm)或氟⑹雷射光（波長157nm) 進又工糸外光。另外，曝光之光1L亦可使用氟化氪(KrF) 子雷射光（波長248nm)等之遠紫外光，或來自超 鬲聖水銀燈的紫外區域的焭線（g線、i線等）等。 本例在照明光學系統IOP之内部及投影光學系統 L内之曝光之光1L光程上的空間中，填滿如包含氮 ，稀有氣體（氦等）之排除氣體，作為對真空紫外區域 之，的高透過率氣體。再者，如後述，在配置標線片R 之空間及配置晶圓w之空間中亦供給排除氣體。 其次，標線片載台系統12配置於在照明光學系統 8 200811611 服之下端部的外周，具有經由密封構件％❿連社之環 狀安裝部101的照明系統侧板（蓋板）14之 了 明系統側板14之大致巾央娜成有成為曝光 光程（通路）的矩形開口 14a。 、 ，二圖係第—圖之標線片載台系統12的立體圖， 圖及第：圖瞭解，標線片载台系統12且備： 作為平台之標線片基座16(導引部），配置於^ =6，月系統側板14之間的標線片載台 動部），在包圍該標線片載台RST之狀態下， 標 線片基座16與照明系統侧板14之間的框狀構件⑻及 3 =片載台RST之標線片载台驅動系統等。其標線 仏基座16係猎㈣未齡之支撐構件錄略水平地支 第三圖係第二圖之分解立體圖，如該第三圖所示， ^致板狀之標線絲座16的中央部形成有凸狀導引 該導引部16a之上面（導引面）Gp加工成極高 的=面度’在導引部16a之大致中央形成有用於使曝光 之、，IL通過z方向的開口 16b。在標線片基座16之下 面侧二如第一圖所不’在包圍開口 16b之周圍的狀態下， 、、:由么封構件98，而連結投影光學系統Pl之鏡筒部上 〇 如第四圖（A)所示，標線片載台RST具備：特殊形 狀之標線片載台本體22及固定於該標線片載台本體22 之各種磁石單元（詳細於後述）等。標線片載台本體22 具備：自上方觀察為概略矩形之板狀部24A，作為設於 该板狀部24A之一X方向的端部之特定部分的2個光學 構件支撐部24B1及24B2,及從板狀部24八之γ方向的 200811611 -側及另-側之端部，分職設於 部 24C1、24C2、24D 卜 24D2。 ^ ，前述板狀部以之大致中央部形成將狀使曝光 2 =之Γ22al (參照第四圖⑻)形成於其中 央抓梯開口 22a，在該階梯開口 22 點）支撐標線片R的複數_
上^ ’夾著標線片R而固定，在板狀部24A 上-又有稷數（例如3個）標線片固定機構州。 MT f四圖iB)係平行於第四圖⑷之標線片載台 片R，JL岡安之，中的剖面圖’如第四圖⑻所示，標線 载二、Γ (下面）與標線片载台本體22(標線片 概：较的IT立面CT(承受彎曲力矩時不伸縮之面) ^略;致的狀悲下’藉由複數支稽構件％來支撐。另 ^ ^取代標線片支撐構件34及標線片固定機構34P， 以:構起使用真空吸叫吸”標線片之吸 ，外’從第四圖⑷、第四圖（B)瞭解，在光學構件 位24B1、24B2上’分別固定有標線片載台RST之 測用的第—光學系統31及第二光學系統32。光 =構件支撐部24B1、施2與板狀部24A之間，藉由作 ^種摺曲部而作用之鉸鏈部（圖未顯示），分別在兩 =部連結，独板狀部24八之_的影響及於光學構 ，樓部24m、24Β2而構成。另外，實際上，板狀部 =、_光學構件支撐部24B1、24B2及包含鉸鏈部（圖 夕.、、、、示）之標線片載台本體22，係藉由密度分布不同之 夕孔質陶瓷而一體成形（如藉由切削成一個構件而成 200811611 亦使用T部於々為)另=了容易瞭解說明，依需要， 何-個亦:由與其他不同d籌:然上述各部之任 16的=二片二:st玫置於第二圖之標線片基座 鏈線所示，在光風^^之狀態下’第四圖⑷中如雙點 平行於Y轴之的、、及32之—χ方向的側面配置 三圖所示，固之Α軸固定鏡ΜΧ (基準鏡)。如第 的二口;鏡著Μγχ軸在 定。如第六圖戶;示，長之支擇構件29而固 向密度部_，與密度為高密度部_ =皇加工成極高之平面度’並且形成如覆蓋有鉻等 咼反射率之膜的反射面MXc。 另外，本例所謂低密度部MXb之密度為丨/⑺程 度，二例係指為高密度部MXa之密度的1/2〇〜ι/5， 亦即南密度部MXa之密度為3〜4g/cm3時，其為 0.1^〜0.2g/cm3 至 0 6〜〇 8g/cm3 (整體為 〇 15〜〇 cm3)(以下相同）。如此，藉由在高密度部MXa上形成 反射面MXc，可充分減輕固定鏡MX之重量，且維持反 射面，高平面度。另外，高密度部之密度亦可為3〜4g /cm3以外，亦可低密度部之密度比高密度部稍低。即 使此種情況，仍可獲得維持需要部分之高平面度及高剛 性等，整體減輕該構件（此處係固定鏡Μχ)重量的效 果0 ' 11 200811611 此外’固定鏡MX亦可藉由如使孔 ==^之低密度部腿密合後燒： 5地制、生乂他在度不一之材料所形成之構件亦可同 itr/卜，因為固定鏡Mx之密度可在包含反射 面=的部分高’其以外較低，所以密度亦可自反射 面 C之σ卩为至其相反側之側面而連續降低。此外， 固ΪίΓί及以下說明之由密度分布不一之材料所形成 之構件的材料’除了多孔質陶变之外’亦可使用燒結金 屬。本發明之燒結金屬的材料如可使用鋁、鎂、鐵、銅、 鎮、不銹鋼等或是此等之合金等。 此外，在將標線片載台RST放置於第二圖之標線片 基座16的導引部i6a上面Gp之狀態下，如第四圖（a) 所示，以對標線片載纟RST上之第一光學系统31，在 + γ方向相對，而配置雷射光源69XL及由光電感測器 構成之X軸的第一接收器69ΧΑ，在標線片載台RST上 之第一光學系統32中，以在一 γ方向上相對，而配置由 光電感測器構成之X軸的第二接收器69χΒ。而後，自 雷射光源69XL在γ轴上大致平行地，將如波長為633nm (氦一氖雷射），包含具有指定頻率差之偏光方向彼此 正交的2個雷射光束之計測用的雷射光束LX，照射於 第一光學系統31。第一光學系統31將入射之雷射光束 LX分割成第一及第二雷射光束，在將前者之第一雷射 光束因應偏光狀態，而分割成2個X軸之第一計測光束 及第一參照光束。而後，第一光學系統31將其第一計 測光束，在X軸上平行地以雙路徑方式，照射於固定鏡 MX之反射面，將被反射之第一計測光束與其第一參照 光束的干擾光，大致在Y軸上平行地照射於第一接收器 12 200811611 69XA 〇 再者，第一光學系統31將上述分割後之第二雷射 光束照射於第二光學系統32。第二光學系統32將入射 之第二雷射光束因應偏光狀態，而分割成2個X軸之第 二計測光束及第二參照光束。而後，第二光學系統32 將其弟二計測光束在X轴上平行地以雙路徑方式照射於 固定鏡MX之反射面，被反射之第二計測光束與其第二 參照光束的干擾光，大致在γ軸上平行地照射於第二接 收态69XB。上述第一及第二計測光束在z方向之位置 與中立面CT (標線片面）大致一致。另外，藉由光學 系統31及32而分別生成干擾光用的具體結構例於後 述。接收器69XA及69XB藉由將分別入射之干擾光予 以光電轉換，以固定鏡MX (亦即標線片基座16)為基 準，如以O.lnm程度之分解度而隨時計測光學系統31 及32之（亦即在標線片載台RST之γ方向上離開的2 ί=置）x方向的座標（變位）。從其計測值求出標線 棘）二RST，X方向之位置XR&Z轴周圍的旋轉角(偏 轉）此等位置資訊XR、ezR供給至第一圖之 ==90。如本例’藉由在標線片載台rst上設； 減32 ’並在外部配置桿狀之固定鏡MX，可 减幸工才示線片载台rST之重量，並可 標線片載台RST。 更巧速且穩定地驅動 第五圖係在γ方向上觀察第一 2的剖面圖。如第五圖所示，在投影^^片载台糸統 同上端部附近的-X方向之側面，經由安：棋、、、之鏡 置固定鏡Mrx，與固定鏡Mrx相對二」、5而設 PL用之X轴的雷射干擾儀69XR ㈢=光學系統 囫未顯示之支柱 13 200811611 (column)上。而後，來自雷射干擾儀69XR之計測光束 經由形成於標線片基座16之貫穿孔（光程）71，對固 定鏡Mrx投射，其反射光射回雷射干擾儀69XR。雷射 干擾儀69XR以内部之光電感測器接收在内部生成之參 照光束與其反射光之干擾光。而後，依據其光電感測器 之檢測信號，雷射干擾儀69XR以内部之參照面為基 準，如以O.lnm程度之分解度隨時計測投影光學系統pL 在X方向的位置，並將計測結果供給至第一圖之載台控 制系統90。載台控制系統90藉由求出如標線片載台RST 在X方向之位置與投影光學系統PL在X方向之位置的 差分，可求出投影光學系統PL為基準之標線片載台RST 在X方向的位置。 另外，計測第四圖（A)之光學系統31、32對固定鏡 MX在X方向之位置時，亦可使用被第五圖之投影光學 系統PL側面的固定鏡Mrx所反射之雷射光束，作為參 照光束。而後，亦可分別由接收器69XA、69XB檢測其 參照光束與被固定鏡MX反射之計測光束的干擾光。藉 此’可以投影光學系統PL為基準，來直接計測標線片 载台RST在X方向的位置。 此外，第四圖（A)中，在標線片載台本體22之板狀 部24A的—γ方向的端部形成凹部24g，在該凹部24g 中設有作為Y轴之移動鏡而由隅角反射鏡構成的後向反 射鏡MY。在將標線片載台RST放置於第二圖之標線片 基座16的導引部i6a上面GP之狀態下，如第四圖（A) 所示，對後向反射鏡MY在一Y方向上相對，而配置Υ 車由之雷射干擾儀69Y。來自雷射干擾儀69Y之計測光束 LY在γ軸上平行地投射於後向反射鏡MY的反射面， 14 200811611 其反射光射回雷射干擾儀69Y内。此時，計測光束LY 之照射點在Z方向之位置亦與中立面CT之位置（標線 片面）大致一致。雷射干擾儀69Y藉由光電檢測其計測 光束LY與在内部生成之參照光束的干擾光，將内部之 參照面為基準，如以O.lnm程度之分解度隨時計測標線 片載台RST(標線片載台本體22)在γ方向之位置YR， 並將計測結果供給至第一圖之載台控制系統90。 此外，如第一圖所示，在投影光學系統PL之鏡筒 上端部附近的+Y方向之側面，經由安裝構件而設置固 定鏡Mry，與固定鏡Mry相對而配置投影光學系統PL 用之Y軸的雷射干擾儀69YR。來自雷射干擾儀69YR 之計測光束經由形成於標線片基座16之貫穿孔（光 程），對固定鏡M r y投射，其反射光射回雷射干擾儀6 9 Y R 内。雷射干擾儀69YR以光電感測器接收在内部生成之 參照光束與其反射光之干擾光，而後，依據其光電感測 器之檢測信號，雷射干擾儀69YR以内部之參照面為基 準，如以O.lnm程度之分解度隨時計測投影光學系統pl 在Y方向之位置。而後，將其計測結果供給至載台控制 系統90。載台控制系統90藉由求出如標線片載台RST 在Y方向之位置與投影光學系統PL在Y方向之位置的 差分，可求出投影光學系統PL為基準之標線片載台RST 在Y方向的位置。
另外，計測第四圖（A)之標線片載台RST在Y方向 的位置時，亦可使用由第一圖之投影光學系統PL側面 的固定鏡Mry所反射之雷射光束，作為參照光束，以雷 射干擾儀69Y檢測其參照光束與被後向反射鏡MY所反 射之計測光束的干擾光。藉此，可以投影光學系統PL 15 200811611 為基準來直接相標線>{載台RST在γ方向的位置。 本例中，第四圖（Α)之前述4個延伸部24Cb24c2、 LH24D2具有概略板狀之形狀，並在各延伸部上設 ，=提高強度的剖面三角形狀之補強部（加強肋）。 =，片載台本體22之底面，涵蓋自延伸部24C1至延 型向的全部區域，形成有第—差動排氣 2^氧體减軸承，並在涵蓋自延伸部24C2至延伸部 之Y方向的全部區域’开彡点古楚 氣體靜壓軸承。 I成有弟-絲排氣型之 至延在標線片載台本體22底面之自延伸部2们 的區t 2\4m的區域’及自延伸部24C2至延伸部24D2 似及^地配置有差輯氣型之氣塾 B。猎由自氣塾33 A及33B嗜選5择娩μ坡产 y，經由數_㈣之“，，非二^之面，之 線片载台RST。 而非接觸地净起支撐標 形成圖’在前述框狀構件18之上面，雙重地 U略環狀之凹溝18d、18e。1由ri〇 η 軋溝）I8d中，於立内部形成_、二中内側之凹溝（進 未顯示)开Λ ,Λ 形成有複數排氣口（圖 由圖未i員成於?ΐ溝18d:部之進氣口，連接於Ξ 未顯示之ί = 而供給排除氣體的圖 圖未i示之ΪΪΓ=之排氣管路及排氣管而連接^ 芬认 之真空泵。包含框狀構件18上而夕％尸 及^溝I實質地構成在框狀構件18^進== 16 200811611 μιη程度之游隙，而浮起支撐第一圖之照 的差動排氣型之氣體靜壓軸承。 μ、’先側板14 此外’框狀構件18之底面，亦以對庫於 氣溝18d及排氣溝18e，而形成包含概略環. 進氣溝及排氣溝（圖未顯示），此等進氣溝 分別連接於圖未顯示之排除氣體用的^ 二/ μ 真空泵。包含其進氣溝及排氣溝，而 =座I6之上面經由數帅程度之游隙而浮起支撐= 大 構件18的差動排氣型之氣體靜壓軸承。: 因為產生自進氣溝18d等向排氣溝18 ’ 二=止經由此等游隙而在框狀構件d 如此’第一圖之框狀構件18與昭 之游隙，及標線絲座16與框狀構件= 由刖述之排除氣體的流動而予以氣密。再者；： 糸統PL之上端部與標線片基座16之間萨 =六二 構件98覆蓋。因此，被框狀構件 巧二 氣密度非常高之空間。以下，將被框狀== 空間權宜上稱為氣密空間。 帰18包圍之 氣2=藉=狀構件18而包圍之包含標線片R的 為了對曝光之光維持高透過率，而經由 體供給裝置及真空泵，供給透過曝光之光 :辟：！:後，在框狀構件18之+¥方向侧的 如第三圖所示地形成矩形開口他，在該矩 内嵌入窗玻璃g卜再者，在框狀構件18之 方^則的側壁端部及中央部形成矩形開口 18b及 亚在矩形開σ 18b及18c内分別嵌入窗玻璃g2及 17 200811611 g3。在第四圖（A)之雷射干擾儀的配置中，實際上，雷射 光源69XL及接收器69XA係配置於第三圖之矩形開口 18a的外側，接收器69XB及雷射干擾儀69Y分別配置 於第三圖之矩形開口 18b及18c的外侧。此時，因為設 有窗玻璃gl、g2、g3，所以不損害框狀構件18内之氣 密空間的氣密性，而可藉由雷射干擾儀計測標線片載台 RST之位置。 其次，如第二圖所示，標線片載台驅動系統具備： 在Y方向驅動標線片載台RST，並且在θζ方向（Z軸 周圍之旋轉方向）微小驅動之一對第一驅動機構36、 38 ;及在X方向上微小驅動標線片載台RST之第二驅 動機構40。第一圖之載台控制系統90依據藉由上述雷 射干擾儀而計測之標線片載台RST在X方向、γ方向之 位置XR、YR及Ζ軸周圍之旋轉角0zR的資訊，及來自 主控制裝置70的控制資訊，控制此等第一及第二驅動 機構的動作。前者之第一驅動機構36、38，沿著γ方向 而彼此平行地架設於框狀構件18之内部，後者之第二 驅動機構40在架設於框狀構件18内部之第一驅動機構 38的+ X方向側，沿著γ方向而架設。 鈾述一方之弟一驅動機構36如第三圖之分解立體 圖所示，具備· Y方向為長度方向之一對分別配置有線 圈單元的疋子單元136A、136B，及在γ方向（長度方 向）之一端部與另一端部保持此等定子單元136八、〗^66 的-對固定構件152。此時，定子單元136A、136 構件152’在Z方向（上下方向）隔開指‘ 間隔，而相互相對，且分別平行地保持於χγ平面。一 對固定構件152之各個固定於前述框狀構件18之内辟 18 200811611 面0 前述定子單元136A、136B，從第三圖及第一圖之 標線片載台本體22附近的剖面圖之第五圖亦可瞭解， 具有剖面矩形（長方形）之由非磁性材料構成的框架， 在其内部，於Y方向以指定間隔配置有複數線圈。 前述+ X方向侧之第一驅動機構38,亦與上述一方 之弟一驅動機構36同樣地構成。亦即第一驅動機構％ 具備：Y方向為長度方向之上下一對的分別配置有線圈 單元之定子單元138A、138B，及將此等定子單元138A、 = 8B，在Z方向維持指定間隔之狀態下，而以兩端部固 定之一對固定構件154。一對固定構件154之各個固定 =前述框狀構件18之内壁面。定子單元138A、138]8與 刚述定子單元136A、136B同樣地構成（參照第五圖）。 此外’在上侧之定子單元136A、138A與下侧之定 子單元136B、138B之間，如第五圖所示，分別經由指 疋之游隙而配置有標線片載台RST。此時，分別與定子 單元136A、136B相對，而在標線片載台RST之上面及 下面固定一對分別配置有磁石單元（磁極單元）之移動 子單元26A、26B。而後，與定子單元！38A、138B相對， 在標線片載台RST之上面及下面固定一對分別配置有 磁石單元之移動子單元28A、28B。本例之移動子單元 26A、26B及28A、28B之磁石單元，係使用將分別在z 方向產生磁場之複數永久磁石，以指定間距反轉極性， 並且配置於Y方向之單元。另外，亦可使用電磁石等來 取代其永久磁石。 如第四圖（B)所示，移動子單元26A、26B之各個在 前述標線片載台本體22之板狀部24A的階梯開口 22a 19 200811611 之一x方向側，配置於對標線片载台本體22之中立面 CT對稱地分別形成於上下面側的凹部24el、24e2内。 此日π第五圖之定子單元136Α、136Β位於將上述中立 面ct作為基準而大致對稱之位置。在移動子單元26Α 之上方的空間及移動子單元26Β之下方的空間中，分別 沿著Υ方向而形成有交變磁場。 此外，第四圖（Β)之由多孔質陶瓷構成之標線片載台 本體22的凹部24el、24e2之兩端部為高密度部22el、 22e2 ’在高密度部22el、22e2中分別形成凹部44。在 此等凹部44中埋入金屬製之螺絲襯套45，如藉由接合 而固定，藉由將螺栓46通過移動子單元26A，而旋緊於 螺絲襯套45之螺絲孔，而將移動子單元％A固定於凹 部24el。如第四圖（A)所示，移動子單元26A在4處藉 由螺栓46而固定於凹部24el。因此，高密度部還設有2 處（參照第七圖）。此外，在高密度部22el、22e2之底 面亦埋入螺絲襯套（圖未顯示），移動子單元26B在4 處藉由螺栓而固定於凹部24e2。另外，如亦可使用螺紋 襯套來取代螺絲襯套。 同樣地，如第四圖（B)所示，前述一對移動子單元 28A、28B之每一個，在前述標線片載台本體22之板狀 部24A的階梯開口 22a之+ X方向侧，配置於關於標線 片載台本體22之中立面CT，對稱地分別形成於上下面 側的凹部24f 1、24f2内。此外，第五圖之第一定子單元 138A、138B位於將中立面CT作為基準而大致對稱之位 置。一對移動子單元28A、28B之結構與移動子單元 26A、26B相同，在移動子單元28A之上方空間及移動 子單元28B之下方空間’亦分別沿著γ方向而形成有交 20 200811611 變磁場。 此外，第四圖（B)之標線片載台本體22的凹部 24fl、24Ω之兩端部為高密度部22fl、22f2 (實際上還 有2處高密度部），在高密度部22Π、22f2中分別形成 凹部44。在此等凹部44中埋入金屬製之螺絲襯套45而 固定，底面侧亦埋入螺絲襯套（圖未顯示）。而後，藉 由將4處之螺栓46等通過移動子單元28A及28B，^ 旋緊於螺絲襯套45等之螺絲孔，而將移動子單元28八 及28B固定於凹部24fl及24f2。 第七圖顯示標線片載台本體22，該第七圖中，標線 片載台本體22之一方凹部24el、24e2成為拆卸部，在 其中架設有3處之加強肋22gl、22g2、22g3。而後，在 兩侧之加強肋22gl及22g3的兩端部，分別設置具有凹 部44之高密度部22el、22e2及22e3、22e4。與其對應 地，標線片載台本體22之另一方凹部24fl、24f2亦成 為拆卸部，其中架設3處之加強肋22hl、22h2、22h3， 在兩側之加強肋22hl及22h3的兩端部分別設置具有凹 部44之高密度部22fl、22f2及22f3、22f4。此時，高 密度部22el〜22e4及22fl〜22f4之密度如為3〜4g/cm3, 標線片載台本體22之其他部分（低密度部）的密度為 其高密度部之1/10程度。藉由該結構，具有埋入螺絲 襯套45之凹部44的高密度部22el〜22e4及22fl〜22f4 (局部需要比其他部分高強度之部分）可獲得充分之強 度。此外，因為加強肋22gl〜22g3及22Π〜22f3係低密 度構件，所以即使為了增加彎曲剛性及壓曲強度而增加 其厚度，重量不太增加。因此，可謀求減輕整個標線片 載台本體22之重量。 21 200811611 另外’如弟五圖所示，；I：®括u | 部的底面，以構成標線片基本體二之中央 ΐ:夾著壓縮氣體層相對配置。=亦; 含標線片载台本體22中央‘底面 Ρ ° _地’亦可將包含標線片基座 密 S 為一^ 16。 之材料來形成標線片基座 五圖所示，係由：上述上侧之定子單元 之移動，以及與標線Μ纟本體22嶺目對而配置 =ΪΓ=6Γ28Α’分別構成第—γ軸線性馬達 弟—Υ祕性馬達78Α。而後由：下侧之定子單 i38B，以及與標線片載台本體22侧對應之 單凡26Β及28Β，分別構成第三γ軸線性馬達 几β及第四γ軸線性馬達78Β。亦即，分別由作為單軸 驅動袭置之第―、第二、第三及第四γ軸線性馬達76Α、 78Α、76Β、78Β構成上述第一驅動機構36及38。 此時，Υ軸線性馬達76Α、78Α、76Β、78Β分別產 生對定子單元136Α、138Α、136Β、138Β (定子），相對 地在Υ方向驅動移動子單元26Α、28Α、26Β、28Β (移 動子）的推力。實際上，藉由其推力之反作用力，定子 亦在與移動子相反方向稍微移動。因而，本說明書係將 相對移動量多之一方的構件稱為移動子或移動子單 元’將相對移動量少之一方的構件稱為定子或定子單 元0 如上述，第一、第二、第三及第四γ軸線性馬達 76Α、78Α、76Β、78Β 之定子單元 136Α、138Α、136Β、 22 200811611 138B (定子）分別連結於第二圖之框狀構件a。此外， 移動子單元26A、28A、26B、28B分別固定於作為第二 圖之移動載台的標線片載台RST (標線片載台本體 22)。此外，第一及第二γ軸線性馬達76八及78A，以 夾著標線片R，大致對稱地在X方向離開而配置，分別 對框狀構件18相對地在Y方向驅動標線片載台rst。 此外，第三及第四Y軸線性馬達76B及78B與第一及 弟一 Y轴線性馬達76A及78A相對而配置，分別對框 狀構件18相對地在Y方向驅動標線片載台RST。 此外’本例將弟^一圖之弟一驅動機構3 6、3 8固定 於内侧之框狀構件18，在底面側之標線片基座μ及上 面侧之照明系統側板14之間，經由氣體軸承而非接觸 地支#。因而，藉由Y軸線性馬達76A、78A、76B、 78B而在Y方向驅動標線片載台rST時，以抵銷反作用 力，而框狀構件18在相反方向稍微移動。藉此，抑制 驅動標線片載台RST時產生之振動。但是，因為對標線 片載台RST之質量，框狀構件18之質量相當大，所以 框狀構件18之移動量極小。 本例在將標線片載台RST (標線片R)在γ方向等 速驅動情況下，第一及第三γ軸線性馬達76A、76B與 第二及第四Y轴線性馬達78A、78B同步，而以大致相 等之推力，對框狀構件18在Y方向驅動標線片載台 Rst。此外’需要修正標線片載台RST之旋轉角θζ (偏 轉）的情況下，控制第一及第三γ軸線性馬達76Α、76Β 產生之推力與第二及第四γ軸線性馬達78Α、78Β產生 之推力的大小之比。 其次，如第三圖所示，第二驅動機構4〇具備：γ 23 200811611 方向為長度方向之作為一對定子的定子單元m〇A、 = ΪΪΥ方向（長度方向）之一端部與另-端部保 ，此叙子單元Η0Α、〗働的—對岐構件以。此 犄，定子單元140Α、140Β藉由一對固定構件156，在ζ 方向（上下方向）隔開指定間隔相互相對，且在χγ平 f上分別平行地保持。一對固定構件156之各個固定於 雨述之框狀構件18的内壁面。 k第五圖亦瞭解，定子單元14〇A、14〇b具有由剖 面矩形（長方形）之非磁性材料構成的框架，在其内部 配置有線圈。如第五圖所示，在定子單元m〇a^14〇b t間配置有分別經由指定之游隙，而固定於標線片載 口/ RST之+ X方向端部，作為移動子之剖面矩形（長方 形）的板狀，而在Z方向產生磁場的永久磁石3〇。亦可 使用包含磁性體構件與分別固定於其上下面之一對平 板狀的永久磁石的磁石單元，來取代永久磁石3〇。 此日寸’永久磁石30及定子單元140A、140B，將中 CT作為基準，而成為大致對稱之形狀及配置（參 “、、第四圖（B)及第五圖）。因此，藉由永久磁石3〇而形成 之Z方向的磁場與分別構成定子單元140A、140B之線 圈在Y方向流動之電流間的電磁相互作用，在其線圈上 產生X方向電磁力（勞倫茲力），該電磁力之反作用力 成為在X方向驅動永久磁石3〇 (標線片載台rST)之 推力。此外，此時，亦係以抵銷在χ方向驅動標線片載 台RST時之反作用力，而在相反方向稍微移動框狀構件 18 °因此’亦抑制在χ方向驅動標線片載台RST時產 生振動。 如上述，藉由定子單元140A、140B與永久磁石30, 24 200811611 而構成可在X方向微小驅動標線片載台RST之動磁型 的X軸音圈馬達79。藉由作為該驅動裝置之X軸音圈 馬達79，而構成第二驅動機構40。 因此，第二圖之本例的標線片載台RST，係對框狀 構件18採用無導引方式，以X方向、Y方向及θζ方向 之3個自由度可相對地變位地支撐。而後，為了對框狀 構件18相對地驅動標線片載台RST，而設置包含：在γ 方向產生推力之4軸的Υ軸線性馬達76Α、78Α、76Β、 78Β與在X方向產生推力之單軸的X軸音圈馬達79之 5軸的驅動裝置。 本例進一步在前述框狀構件18之+ Χ方向的側面 及+ Υ方向之侧面，如第三圖所示地，設有包含形成Ζ 方向磁場之磁石單元的移動子60Α、60Β、60C。對應於 此等移動子60Α、60Β、60C，而在標線片基座16上， 經由支撐台64Α、64Β、64C ,設有包含在γ方向流動電 流之線圈的定子62Α、62Β及包含在X方向流動電流之 線圈的定子62C。因此，藉由在定子62Α、62Β内之線 圈上供給Υ方向之電流，對X方向之驅動力（勞倫茲力 之反作用力）作用於移動子60A、60Β。亦即，藉由移 動子60A與定子62A，及藉由移動子60B及定子62B， 而構成分別包含動磁型之音圈馬達的χ方向驅動用之調 諧馬達(trim motor)。此外，藉由在定子62c内之線圈上 供給Y方向之電流，對χ方向之驅動力（勞倫茲力之反 作用力）作用於移動子60C。亦即，藉由移動子6〇c與 疋子62C，而構成包含動磁型之音圈馬達的γ方向驅動 用之調譜馬達。藉&制此等3個觸馬達，可對標線 片基座16,在X方向、γ方向及θζ方向的3個自由度 25 200811611 方向驅動框狀構件18。 亦人η 你Χ方向、Υ方向及θζ方向驅動標線u 載台RST時，A 了 k4 ^ 月 馬了抵銷其作用而稍微移動框狀構件ι8， ，狀構件18在χγ平面内之位置逐漸偏移。因此， ί Λ用ί Ϊ動子60A〜6〇C及定子62Α〜62c構成之調 °白.、、、達’如疋期地將框狀構件18之位置恢復至中央， 可防止，狀構件18之位置自標線片基座 16偏離。 一 $其次’詳細說明包含本例之第四圖（A)的第一及第二 光學^統31、32之雷射干擾儀的結構例。 #第六圖係顯示將第四圖（A)之標線片載台RST放置 於第一，之標線片基座16上的狀態之重要部分平面 圖。該第六圖中，在標線片載台RST (標線片載台本體 22)之一X方向的端部在γ方向離開之光學構件支撐部 2^Β1及24Β2上分別固定有光學系統31及32。前者之 第一光學系統31係具備：半反射鏡面31a、偏光分束器 面31b、設有1/4波長板之入射射出面31c及全反射面 31d的五角形稜形體。後者之第二光學系統32係具備·· 全反射面32a、偏光分束器面32b、設有1/4波長板之 入射射出面32c及全反射面32d的五角形之稜形體。此 外’對第一光學系統31而在+ Y方向隔著窗玻璃g]l， 配置雷射光源69XL與第一接收器69XA，對第二光學系 統32而在一 γ方向，隔著窗玻璃g2配置有第二接收器 69XB。再者，以光學系統31及32在一X方向相對，而 在標線片基座16上，與Y軸平行地配置有固定鏡MX。 該結構中，自雷射光源69XL在Y軸上平行地射出 之雷射光束LX (如上述，由具有指定頻率，而偏光方 向正父之2個成分構成）’以第一光學系統31之半反射 26 200811611 鏡面31a分割成：反射光之第一雷射光束與透過光之第 二雷射光束。而後，前者之第一雷射光束朝向偏光分束 器面31b，後者之第二雷射光束朝向第二光學系統32。 其第一雷射光束之S偏光成分以偏光分束器面31b，作 為第一參照光束LX2，而反射於第一接收器69χΑ側。 此外，其第一雷射光束之P偏光成分透過偏光分束器面 31b作為第一計測光束LX1後，經過入射射出面31c ( 1 /4波長板），而在X軸上平行地入射於固定鏡MX的 反射面。因此，反射之第一計測光束LX1經過入射射出 面31c、偏光分束器面31b、全反射面31d及入射射出面 31c，而再度在X軸平行地入射於固定鏡MX的反射面。 因此，再度反射之第一計測光束LX1經過入射射出面 31c及全反射面31d，成為P偏光，而透過偏光分束器 面31b。而其後，與上述第一參照光束LX2同轴地合成， 而入射於接收器69XA。此時，藉由預先在第一光學系 統31之射出面或接收器69XA之入射面等設置1/4波 長板，接收器69XA可檢測第一計測光束LX1與第一參 照光束LX2之干擾光（拍頻(beat)光）。因此，自其光電 轉換信號，如上述，可以雙路徑干擾方式，如以分解度 O.lnm程度來計測第一光學系統31 (偏光分束器面31b) 對固定鏡MX在X方向的位置（變位）。 另外，上述第二雷射光束以第二光學系統32之全 反射面32a反射於 X方向。其第二雷射光束之S偏光 成分以偏光分束器面32b，作為第二參照光束LX4，而 反射於第二接收器69XB側。此外，其第二雷射光束之 P偏光成分透過偏光分束器面32b作為第二計測光束 LX3後，經過入射射出面32c ( 1/4波長板），在X車由 27 200811611 平行地入射於固定鏡MX之反射面。因此，被反射之第 二計測光束LX3經過入射射出面32c、偏光分束器面 32b、全反射面32d及入射射出面32c，再度在X轴平行 地入射於固定鏡MX之反射面。因此，再度被反射之第 二計測光束LX3經過入射射出面32c及全反射面32d， 成為P偏光，透過偏光分束器面32b後，與上述第二參 照光束LX4同轴地合成，而入射於接收器69XB。此時， 藉由預先在第二光學系統32之射出面或接收器69XB之 入射面等上設置1/4波長板，接收器69XB可檢測第二 計測光束LX3與第二參照光束LX4之干擾光（拍頻 光）。因此’可自其光電轉換信號，如上述地以雙路徑 干擾方式，如以分解度〇·1ηιη程度計測第二光學系統32 (偏光分束器面32b)對固定鏡MX在X方向之位置（變 位）。藉此，可以雷射干擾儀方式，在標線片載台RST (標線片載台本體22)之Y方向上離開的2處位置，高 精度地什測對標線片基座16在乂方向之位置（變位）。 回到第.一圖，前述投影光學系統PL係使用兩侧焦 闌（telecentrk)，而由反射折射系統構成之投影倍率為1 /4，1/5等縮小系統。在掃描曝光中，按照曝光之光 H線^ R在照0月區域IAR内之圖案經由投影光學系 統PL的縮小圖像，轉印於配置在投影光學系、统PL物體 ，上’而塗布抗_彳之晶圓w (基板）的—個照射區域 上之細長曝光區域lA上。 杈光4學系統PL經由設置於鏡筒部之凸緣部 與光與车ΐ PT圖未顯示之保持構件來保持。此外，在投 構，以流動方式供由圖未顯示之氣體供給機 透過曝光之光IL之排除氣體。此 28 200811611 外，投影光學系統PL·係反射折射系統，且在突出於其 鏡筒之+ Y方向的部分之内部，經由透鏡框51，保持將 來自光軸AX侧之曝光之光IL反射於光軸AX侧的凹面 鏡50 (反射鏡）。由多孔質陶瓷構成之凹面鏡50，係包 含反射面50c之高密度部5〇a (需要局部比其他部分高 平面度之部分）的密度如為3〜4g/cm3程度，其以外之 低密度部50b的密度為其1/1〇。因此，可減輕凹面鏡 5〇之重量，並且可提高反射面50c之平面度。 另外，在第一圖之投影曝光裝置10的照明光學系 統單元IOP内，具備光程彎曲用之平面鏡等複數反射 鏡。因此’此等反射鏡亦可由提高包含反射面之部分的 密度，降低其以外部分之密度，而密度分布不一之材料 來形成。藉此，可維持反射面之高平面度，而減輕整個 曝光裝置的重量。 其次’晶圓載台系統包含：晶圓載台WST、晶圓基 座BS、晶圓載台WST之驅動機構（圖未顯示）及晶圓 載台wst之位置計測機構而構成。晶圓載台WST配置 於晶圓室80内。該晶圓室8〇以分隔壁71覆蓋，其係 在頂板部之概略中央部形成有用於通過投影光學系統 PL之下端部的圓形開口 7la。該分隔壁71係由不銹鋼 (sus)等之脫氣少的材料而形成。此外，分隔壁71之 頂板壁的開口 71a之周圍與投影光學系統1^之凸緣部 FLG之間，藉由軟性波紋管97無間隙地密閉。如此， 將晶圓室80之内部與外部隔離。 在晶圓室80内，由平台構成之晶圓基座Bs (導引 邰）經由複數防振單元86，而大致水平地支撐。晶圓載 台wst (移動部）經由晶圓固定器25，而藉由真空吸 29 200811611 附等保持晶圓w，並經由氣體靜壓軸承而放置於晶圓基 座BS上。晶圓載台WST如藉由包含線性馬達等之圖未 顯示的晶圓驅動系統，沿著晶圓基座BS之上面，而在 XY 一維方向上驅動。晶圓室之分隔壁71上，如第 一圖所示，分別連接進氣管41之一端與排氣管43之一 端。進氣管41之另一端連接於圖未顯示之排除氣體的 供給裝置，排氣管43之另一端連接於外部之氣體回收 裝置。而後，與前述同樣地，在晶圓室8〇内，以隨時 流動方式供給排除氣體。 在晶圓室80之分隔壁71在—γ方向側的側壁設有 光透過窗85。與此同樣，在分隔壁71之+ χ方向側的 侧壁亦設有光透過窗，不過省略圖式。此外，在晶圓固 定器25之一Y方向側的蠕部形成有由作為γ轴之移動 鏡的平面鏡構成之反射面56Y。同樣地，在晶圓固定器 25之+ X方向侧的端部形成有由作為X軸之移動鏡的平 面鏡構成之反射面56X(參照第八圖），不過省略圖式。 而後，來自晶圓室80外部之γ軸雷射干擾儀57Y及X 轴雷射干擾儀（圖未顯示）的測長光束LWY等，分別 經由光透過窗85及圖未顯示之透過窗，而照射於γ軸 之反射面56Y及圖未顯示之X軸的反射面。γ軸雷射干 擾儀57Y及X轴雷射干擾儀分別計測如將内部之參照鏡 作為基準，而對應之反射面的位置及旋轉角，亦即晶圓 W之X方向、Y方向之位置及X軸、γ軸、Z軸周圍的 旋轉角。Y軸雷射干擾儀57Y及X轴雷射干擾儀之計測 值供給至載台控制系統9〇及主控制裝置70，載台控制 系統90依據其計測值及來自主控制裝置70之控制資 訊，經由圖未顯示之驅動系統，控制晶圓載台WST之 30 200811611 位置及速度。 第一圖中，安裝於晶圓載台WST之晶圓固定器25 由密度分布不一之多孔質陶瓷形成。包含晶圓固定器25 之反射面56Y及56X(參照第八圖）的高密度部25a(需 要局部比其他部分高平面度之部分）的密度如為3〜4g /cm3程度，其以外之低密度部25b的密度如為其1/ 10。實際上，晶圓固定器25中，放置晶圓W之部分為 了提高剛性及強度，需要提高密度。 製造此種晶圓固定器25時，如第八圖所示，係由 高密度之多孔質陶瓷形成框架框部25F，其係由以下元 件構成：形成反射面56X及56Y之框部25Fa及25Fb， 與此等相對之框部25Fc及25Fd，放置晶圓W之大致圓 形的平板部25Fe，以及連結此等之複數加強肋25Ff。而 後，在框架框部25F之加強肋25Ff間的空間SP中，分 別填充低密度之多孔質陶瓷，只須在其上下以高密度多 孔質陶瓷構成的薄平板作為蓋子後，整體燒固即可。藉 此，在獲得需要之剛性、強度及平面度上，可減輕整個 晶圓固定器25之重量。 此外，第一圖中，晶圓載台WST之底面與晶圓基 座BS之上面，夾著氣體軸承之壓縮氣體而相對配置。 因此，亦可分別由密度分布不一之材料（如燒結金屬等） 形成晶圓載台WST之框架及晶圓基座BS，將包含晶圓 載台WST底面之部分作為高密度部WSTa，其以外之部 分作為低密度部WSTb，將包含晶圓基座BS上面之部 分作為高密度部BSa，其以外之部分作為低密度部 BSb。藉此，在減輕晶圓載台WST及晶圓基座BS整體 重量上，構成氣體軸承之部分可獲得高平面度。 31 200811611 另外’並不限定於本實施例，在晶圓載台系統之 成構件中，亦與第七圖之掉後#載' 會可故外恶版μ、士 踝月戰口本體22同樣地， =將权置螺絲襯套等之部分作為高密度部 分作為低密度部。 f八他邛 其次’間單說明藉由如上述構成 光裝置10進行基本曝絲作喊程。―®的投影曝 首先，在主控制褒置70之管理下 之標線片搭載ϋ及晶圓搭载哭，進行汽^由圖未顯不 終載。里德，胸&線片搭載及晶圓 之基準標轉妹外對準檢啦、統（均 執行標線片對準及晶圓對準。其次，首先固式)荨， 置成為在晶圓W上最初胪J日日囡w之位 的開始掃描位置，而移動曰、、射）之曝先用 片曰曰回載台 同時’以標線 片之位置成為開始掃描位置，而移動俨蠄Η恭△ RST。而後，藉由來自 ^‘線片载台 系統90依據藉由_@ H ^衣置之&示，載台控制 十、則之ϋ Λ ί 側之雷射干擾儀69Y、69YR等 干擾儀57Υ及X轴”+^及^ 轴雷射 訊，使椤绫片r ri田射擾儀計測之晶圓貿的位置資 台WST)在Y方6 /载口 ）與曰曰®w(晶圓載 射曝光之光IL，對第i掃，方广:上Λ步移動，藉由照 a9aKft" 5 分後’對其次咖區域進行 描曝光，而在:i圓;序，行？:之步進移動與掃 圖案。 w上之各照射區域轉印標線片R之
藉由本例可減&標線片载台RST及a日日圓載台WST 32 200811611 之重量。因而，於掃描曝光時，可更南速地移動標線片 載台RST及晶圓載台WST，曝光程序之通量提高。此 外，因為亦實施凹面鏡50之重量減輕，謀求整個投影 曝光裝置之重量減輕，所以投影曝光裝置之搬運、設置 及組裝等容易。 本實施例之作用效果如下。 (1) 採用本實施例之標線片載台系統12(標線片用之 載台裝置）時，在放置了標線片R之狀態下，如第七圖 所示，在標線片基座16上驅動之標線片載台RST具備 安裝螺絲襯套45之部分為高密度部22el〜22e4及 22fl〜22f4之由密度分布不一之材料而形成的標線片载 台本體22。因此，幾乎不致降低強度戒剛性之特性’而 可達成進一步重量減輕。 (2) 再者，標線片載台系統12具備由用於引導標線 片載台RST之移動的標線片基座16及該支撐機構（圖 未顯示）而構成的引導機構。而後，如第五圖所示，該 引導機構内之標線片基座16可由將包含導引，16& =部 分作為高密度部之密度分布的材料而形成。藉此，幾乎 不致降低引導機構之強度，而可謀求標線片載台系統12 進一步重量減輕。 (3) 此外，採用本實施例之晶圓載台系統（晶圓用之 載台裝置）時，在放置了晶圓W之狀態下，如第一圖所 示，在晶圓基座BS上驅動之晶圓載台WST具備由形成 反射面56Y之部分為高密度部25a之密度分布不一的材 料而形成之晶圓固定器25。因此，幾子不致降低反射面 之平面度，而可達成進一步重量減輕。 (4) 再者，晶圓載台系統具備包含：用於引導晶圓載 33 200811611 台WST之移動的晶圓基座BS及防振單元86的引導機 構。而後，該引導機構内之晶圓基座BS可由包含上面 (導引面）之部分為高密度部BSa之密度分布不一的材 料而形成。藉此，幾乎不致降低引導機構内之強度，而 可謀求晶圓載台系統的進一步重量減輕。 (5) 此外，本實施例之投影曝光裝置1〇係以曝光之 光IL照明標線片R之圖案’並藉由其曝光之光經由其 圖案來曝光晶圓W的曝光裝置，且為了分別驅動標線片 R及晶圓W，而使用本實施例之標線片載台系統12及 晶圓載台系統。因此，因為可減輕標線片載台RST及晶 圓載台WST之重量，所以在掃描曝光時，可更高速地 移動標線片載台RST及晶圓載台WST，曝光程序之通 量提高。 另外，上述實施例中，亦可將標線片載台系統12 及晶圓載台系統之一方，作為不含由密度分布不一之材 料所形成之構件的一般載台系統。 (6) 此外，本實施例之投影曝光裝置1〇係經由照明 光學系統IOP，將曝光之光IL照射於標線片r之圖案， 並經由投影光學系統PL，而將其圖案影像曝光於晶圓w 的曝光裝置，且投影光學系統PL具有凹面鏡50 (反射 構件，反射鏡），凹面鏡50之包含反射面50c的高密度 部50a之密度比其他部分之密度高。因此，幾乎不致降 低反射面之平面度，進而幾乎不致降低投影光學系統PL 之成像性，而可達成曝光裝置之進一步重量減輕。 另外，亦可取代投影光學系統PL，或與投影光學系 統PL —起，以包含反射面之部分的密度比其他部分之 密度高’而形成照明光學系統IOP内之反射鏡。此時， 34 200811611 幾乎不致降低照明特性，而可達成曝光裝置之進一步重 量減輕。 如此，因為謀求整個曝光裝置之重量減輕，所以曝 光裝置（投影曝光裝置10)之搬運、設置及組裝等容易。 另外，上述實施例之投影曝光裝置10中，以包含 反射面之部分的密度比其他部分之密度高，而形成照明 光學系統IOP或投影光學系統PL内之反射鏡時，亦可 將標線片載台系統12及晶圓載台系統作為不含由密戶^ 分布不一之材料所形成之構件的一般載台。此時亦可= 得整個曝光装置減輕重量的效果。 & 另外，使用上述實施例之曝光裝置，來製造半導體 元件等之微行元件時，如第九圖所示，微型元件係經過 以下步驟來製造：進行微型元件之功能、性能設計 驟201，依據該設計步驟來製作光罩（標線片）之步^ 202，製造元件基底之基板的步驟203，包含藉由前&锦 施例之投衫曝光裝置10 (曝光裝置）’而將光罩之同 曝光於基板上的程序、將曝光之基板予以顯像之程岸案 顯像之基板的加熱（cure)及蝕刻程序等的基板處^牛、 204，元件組裝步驟（包含：切割程序、接合程序v驟 裝程序等之加工製程）205及檢查步驟206等。 封 換言之，該微型元件之製造方法，在構成元 路圖案的形成程序之至少一部分中，係使用上 之投景>曝光裝置10 (曝光裝置）。此時，因為半 降低剛性、強度或平面度等的特性，而可滅輕 $光裝置的重量，所以可高精度且高通量地“微型 另外，本發明除了掃描曝光型之曝光裝置外，亦可 35 200811611 同樣適用於一起曝光型之曝光裝置的載台系統及半導 體檢查裝置等的載台系統。此等情況之投影光學系統的 倍率可為等倍，亦可為放大倍率。再者，本發明亦可適 用於不使用投影光學系統之鄰近方式等的曝光裝置之 載台系統。 此外，亦可適用本發明於如國際公開第99/49504 號案等所揭示，為了提高解像度及焦點深度，於曝光中 在投影光學系統與基板之間供給透過曝光之光的液體 之浸液型曝光裝置。浸液曝光需要之構造如包含 供給部、喷嘴部及液體回收部而構成。其浸液曝光需要 之機構除上述之機構外，可使用揭示於如歐洲專利公開 第1420298號公報、國際公開第2004/055803號案、 國際公開第2004/057590號案、國際公開第2005/ 〇29559號案（對應美國專利公開第2〇〇6/〇2312〇6號公 報）、國際公開第2004/086468號案（對應美國專利公 開第2005/0280791號）、日本特開2〇〇4-289126號公報 (對應美國專利第6,952,253號）等者。就浸液曝光裝 置之浸液機構及其附屬冑器’纟指定國家或選擇國家之 法，准許範_ ’削上述美國專㈣美國專利公開等 之揭不，而作為本文記載之一部分。 用後在晶圓載台系統及標線片载台系統中使 浮型等任何-财式來㈣=財之孔心起型或磁 亦可為沿著導軌台、。而；、:移動載台 執型式。再者，曰圓φ a ★、二亦可為不彡又‘軌之無導 掃描曝光時等之:減速;;台之步進移動時及 專利（USP)第5 528 3占作用力’分別如美國 ’ ，118泷或美國專利（USP)第 36 200811611 6,020,710號（日本特開平8-33022號公報）所揭示，亦 可使用框架構件，而機械性地排除於地板（大地）。 另外，上述實施例之曝光裝置的用途，並不限定於 半導體元件製造用的曝光裝置，如亦可廣泛適用於形成 於方形玻璃板之液晶顯示元件或電漿顯示器等顯示裝 置用的曝光裝置，及用於製造攝像元件（CCD等）、^ 型機态、薄膜磁頭、MEMS ( Microelectromechanical
Systems :微機電系統）或是DNA晶片等各種元件的曝 光裝置。再者，本發明亦可適用於使用光微影程序製造 形成有各種元件之標線片圖案的標線片（光罩等）時之 曝光程序（曝光裝置）。 如以上所述，上述實施例之曝光裝置（投影曝光裝 置1〇)以保持指定之機械性精度、電氣性精度及光學性 精度，而組裝包含本申請專利範圍内列舉之各構成要 的各種絲製造。為了確保此#各_度，而在該 、、且裝之别後，就各種光學系統，進行用於達成光學性精 度，调整」就各種機械系統，進行用於達成機械性精度 整’就各種電氣系統，進行用於達成電氣性精度： 调i。自各種子系統對曝光裝置之組裝程序，包含·各 ==:;=性?接、電氣電路之配線連接及氣 ΐ序之前’當然有各子系統各個之組裝程序=3 遽絲置之組裝程序結束後’進行綜合調整，來 造’須在管理溫度及潔淨度等之料室巾進^置之衣 利申ί揭示於本專利說明書之各種美國專利及美國專 利申h公開文件，除特別援用顯示者之外，在指定國家 37 200811611 或選擇國家之法令准許範圍内，亦援用此等之揭示作為 本文之一部分。 此外，本發明並不限定於上述之實施例，在不脫離 本發明要旨之範圍内，當然可取得各種結構。此外，包 含：說明書、專利申請範圍、圖式及發明摘要之於2006 年7月14日提出之日本特願2006-194890的全部揭示内 容，完全照樣引用而納入本申請案中。 38 200811611 【圖式簡單說明】 第一圖係顯示本發明之實施例一種投影曝光裝置 的概略結構之欠缺一部分之圖。 第二圖係顯示第一圖之框狀構件18及標線片載台 RST的結構之立體圖。 第三圖係顯示第一圖之標線片載台RST、框狀構件 18及標線片基座16的結構之分解立體圖。 第四圖（A)係顯示第一圖之標線片載台RST的立體 圖，（B)係在Y方向觀察標線片載台RST之剖面圖。 第五圖係在Y方向觀察第一圖之照明系統側板 14、標線片載台RST及標線片基座16的剖面圖。 第六圖係顯示第一圖之標線片載台RST的重要部 分之平面圖。 第七圖係顯示第四圖（A)之標線片載台本體22的平 面圖。 第八圖係第一圖之晶圓固定器25的製造程序之說 明圖。 第九圖係顯示微型元件一種製造程序之流程圖。 【主要元件符號說明】 16 標線片基座 22 標線片載台本體 22el高密度部 22e2高密度部 22e3高密度部 22e4高密度部 22fl高密度部 39 200811611 22f2高密度部 22f3高密度部 22f4高密度部 25 晶圓固定器 25F框架框部 44 凹部 45 螺絲襯套 50 凹面鏡 BS 晶圓基座 MX固定鏡 MXa高密度部 MXb低密度部 PL 投影光學系統 R 標線片 RST標線片載台 W 晶圓