TW200810057A - A plate having a chip embedded therein and the manufacturing method of the same - Google Patents

Description

200810057 - 九、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明係關於一種嵌埋有晶片之承載板結構及其製作 方法，尤指一種氧化鋁載板具有複數個連通載板上下側之 5 鋁通道，並形成有嵌埋晶片之承載板結構及其製作方法。 【先前技術】 隨著電子產業的蓬勃發展，電子產品亦逐漸進入多功 能、鬲性能的研發方向。為滿足半導體封裝件高積集度 -10 (Inte§rati〇n)以及微型化（Miniaturization)的封裝要求，提供 ’ 夕數主被動元件及線路連接之電路板，亦逐漸由單層板濟 變成多層板，以使在有限的空間下，藉由層間連接技術 (Interlayer connection)擴大電路板上可利用的佈線面積而 配合尚電子密度之積體電路（integrate(j circuit)需求。 15 惟一般半導體裝置之製程，首先係由晶片載板製造業 者生產適用於該半導體裝置之晶片載板，如基板或導線 架。之後再將該些晶片載板交由半導體封裝業者進行置 晶、壓模、以及植球等製程。最後，方可完成用戶端所需 之電子功能之半導體裝置。期間涉及不同製造業者，因此 20於貫際製造過程中不僅步驟繁瑣且界面整合不易。況且， 若客戶端欲進行變更功能設計時，其牵涉變更與整合層面 更是複雜，亦不符合需求變更彈性與經濟效益。 另習知之半導體封裝結構是將半導體晶片黏貼於基板 頁面進行打線接合（wire bonding)或覆晶接合（Flip chip) 5 200810057 ^ 封裝，再於基板之背面植以錫球以進行電性連接。如此， 雖可達到高腳數的目的。但是在更高頻使用時或高速操作 時，其將因導線連接路徑過長而產生電氣特性之效能無法 提昇，而有所限制。另外，因傳統封裝需要多次的連接介 5 面，相對地增加製程之複雜度。 為此，許多研究採用將晶片埋入封裝基板内，該嵌埋 於封裝基板中之晶片係可直接與外部電子元件導通，用以 縮短電性傳導路徑，並可減少訊號損失、訊號失真及提昇 高速操作之能力。 10 如圖1所示，嵌埋有晶片之承載板結構100包括··一載 板101，一晶片102，複數個電極墊1〇3，以及一線路增層結 構106。其中該載板101形成有一開口，該晶片1〇2係容置於 該開口中。該電極墊1〇3係形成於該晶片1〇2之表面。該線 路增層結構106係形成於該承載板1〇1及該晶片1〇2表面，並 15具有至少一導電結構104電性連接該載板101及晶片1〇2之 電極墊103。 然而，目前嵌埋有晶片之承載板結構（如圖丨所示）與電 子元件（例如表面接著元件）整合時，需再於承載板結構表面 製作線路，才能使電子元件導通，相當耗費製程時間。 20 而且’嵌埋有晶片之承載板結構（如圖1所示）之載板 101可以陶竟為材料，因為陶瓷材料具備優良的熱特性與機 械特性’可以避免載板產生板彎翹，而且還具有細微化佈 線合易、尺寸穩定性高等優點。然而，目前大尺寸陶瓷平 板製造方法’常為高溫燒結法其製程相當複雜，製造成本 6 200810057 非山节昂貴。因此，若以習知高溫燒結法形成之陶 為嵌入有晶片之承餘之載板則會大幅提高製造成本。 因此，隨著構裝技術的發展，如何降低嵌埋 ::板結構的製造成本，以及簡化其製造方 ： 解決之課題。 、~卫行 【發明内容】

10 15 20 鑑於上述習知之缺點，本發明提供—種嵌埋有晶片之 承載板結構’包括：—具有一第—表面、—第二表面、複 數個銘通道、與—開口之氧化㈣板，其中，該等銘通道 係連通於該氧化！呂載板之第—表面與第二表面該等銘通道 係？通該載板之第一表面與第二表面，且該鋁通道暴露於 該第-表面及第二表面的兩端各形成有電性連接塾；一晶 片，該晶片係嵌埋於該開口 +，並具有一主動面，複數個 電極墊係配置於該晶片之主動面；以及至少一線路增層結 構，該線路增層結構係配置於該氧化鋁載板表面、該晶片 之主動面、與該電極墊之表面，其中，該線路增層結構至 少具有一對應於該電極墊之一導電結構，且至少一該導電 結構電性連接於該電極塾。 換句話說，本發明嵌埋有晶片之承載板結構中，氧化 鋁載板為絕緣體，而氧化鋁載板中的鋁通道則可作為連通 於該氧化鋁載板之第一表面與第二表面之導電通道。藉 此，當本發明之承載板結構與與電子元件結合時，電子元 件不需要額外製造線路使其導通，即可藉由鋁通道電性連 7 200810057 接至乳化_板另—表面之導線、或線路增層結構，而使 電子元件導通。 在本發明之嵌埋有晶片之承載板結構中，氧化紹載板 之鋁，道之寬度無特別限制，視承載板結構之電性需求或 載板厚度而定，而且該料道之寬度的控制方法亦無特別 限制’可藉由不同的氧化方法或條件達成。 …、 本I明之敌埋有晶片之承載板結構，#中，該氧化紹 反之材料可為氧化銘或氧化銘合金，較佳係為氧化祐合 金0 10 15 本發明之嵌埋有晶片之承載板結構，其中，該氧化紹 成方法可為任何氧化方法，較佳地係利用陽極氧 化方法來形成該氧化鋁載板。 至，丨、^月之肷埋有晶片之承載板結構，其中，復包括有 摄乂 I電子元件配置於該氧化㈣板未形成有、線路增層結 、击 的電丨生連接墊上，且該電子元件與該鋁通道電性 之材暂a月之肷埋有晶片之承載板結構，其中，該電極塾 、不限使用任何金屬，較佳地係為一鋁金屬或銅金屬。 ^發明之嵌埋有晶片之承載板結構，其中，該氧化紹 於今Γ該晶片之間復可包含有-固定材料，以固定該晶片 係為二，鋁載板之該開口中，該固定材料不限定，較佳地 ’、、、辰氧樹脂、或是介電層材料。 層結有晶片之承載板結構’其中’該線路增 括有電層、疊置於該介電層上之線路層、以 20 200810057 - 及至少一該導電結構，且至少一該導電結構穿過該介電層 以供該線路層電性連接至該介電層下方之線路層或電^ 塾。 並且’该線路增層結構之介電層材料不限定，較佳地 5 係至少一選自由 ABF(Ajinomot〇 Build-up Film)、雙順丁酿 二酸醯亞胺/三氮阱（BT，Bismaleimide triazine)、聯二苯環丁 二烯（benzocylobutene ; BCB)、液晶聚合物（Uquid Crystal Polymer)、聚亞醯胺（polyilnide ; PI)、聚乙烯醚 、（卜卜⑽―1㈣ether))、聚四氟乙烯（p〇ly⑽仏 10 fluoroethylene))、芳香尼龍（Aramide)、環氧樹脂以及玻璃 纖維等材質中任一種所組成之群組。該線路層以及該導電 結構之材料不限定，較佳地係為銅、錫、鎳、鉻、鈦、銅/ 絡合金或錫/錯合金。 本發明之嵌埋有晶片之承載板結構，復包括於該線路 15增層結構表面形成有防焊層作為絕緣保護層，防焊層形成 有開口以顯露線路增層結構表面之電性連接墊，以及複數 個焊料凸塊設置於該防焊層開口中並與線路增層結構電性 導接。 又該線路層與該介電層之間或該導電結構與該焊料凸 20塊之間復包括一晶種層，該晶種層主要作為電鍍製程所需 之電流傳導路徑，可選自由銅、錫、鎳、鉻、鈦、銅/絡合 金以及錫/鉛合金中任一種材料所組成之群組，亦可以導電 尚分子作為晶種層，該導電高分子係可選自由聚乙炔、聚 笨胺以及有機硫聚合物中任一種材料所組成之君夢組。 9 200810057 另外，本發明也提供—種嵌 方法，其步驟包括··⑷提供 曰曰7载板之製造 形成-第-圖案化阻層(:氧 成-具有-第一表面：一(二=銘載板’使該吻反形 化紹載板，且該等銘通道與複數個銘通道之氧 面與第二表面；（D)移除該第一圖 〆 表 暴露於該第一表面及第-表 :g，设；该鋁通道 4 w汉弟一表面的兩端分別形 墊；⑻於該氧化紹載板形成一開 ^ 有定=化_之該開口中，其中，該晶片 有稷數個電極塾；以及⑼於該氧化銘載板、該晶片：：： =與該電極墊之表面形成至少—線路增層結構， §亥線路增層結構至少具有—對應於該電極塾之導電結構， 且至少一該導電結構電性連接於該電極墊。 15 藉此方法’嵌埋有晶片之承載板可—次完成同時包含 乳化_板（絕緣體）、與位於氧化_板中的 道可作為散埋有晶片之承載板與電子元件整合 元件的導通通道，而不需要其他額外的步驟來製 造線路使電子元件導通。 該 該 本發明之嵌埋有晶片之承載板之製造方法，其中 2〇銘載板之材料可為紹或紹合金，較佳係為銘合金。- 本發明之後埋有晶片之承載板之製造方法，豆中 紹載板之氧化方法不限定，較佳地係為陽極氧化方、法。 200810057 本發明之散埋有晶片之承載板之製造方法，其中，復 包括-步驟(H)為形成—電子元件於該嫩之第二表 面，且錢子7L件與該金屬層電性連接。 :發明之嵌埋有晶片之承載板之製造方法，其中該氧 、二板之鋁通道之寬度無特別限制，視承載板結構之電 定’而且該銘通道之寬度的控制方法亦無特別限 制’可精由不㈣氧化方法或條件達成。 本發明之散埋有晶片之承載板之製造方法，其中，該 ::材質不限使用任何金屬，較佳地係為…屬或 曰片ΐ:明之散埋有晶片之承載板之製造方法，其中，於 化銘載板之開口後，該氧化㈣板與該晶片之 詨門〇由-^少 口夂5亥日日片於該氧化鋁載板之 15 Μ汗’較‘地係填充環氧樹脂、或介電層材料。 本發明之嵌埋有晶片之承載板之製造方 20 構之步驟係為:於該氧化銘載板、該晶 極塾之表面形成-介電層，且使該介 數個介電層開口，其中至少一介電層開口係對 電極墊位置;於介電層及介電層開口上形 i:a:方:於該晶種層之表面上形成阻層，該阻層以曝 係對複數個阻層開口，並且至少-阻層開口 -心至忒Ba片之電極墊之位置；於該複數個阻 =層電鍍金屬層，再移除該阻層及其所二 其中該電鑛金屬層至少包含有一線路層及一導電結構種層 11 200810057 • 依據本發明在製造該線路增層結構之步驟中，於形成 圖案化阻層之前先形成一晶種層，且於移除圖案化阻層之 步驟後再繼續移除未覆有電鍍金屬層之晶種層。該晶種層 選自由銅、錫、鎳、鉻、鈦、銅/鉻合金以及錫/鉛合金中任 5 一種材料所組成之群組，較佳地係為使用銅材料，則以濺 鐘、蒸鍍、電鍍、無電解電鍍、物理氣相沉積及化學氣相 沈積之一者形成，較佳地係為電鍍或渡電鍍方式形成。若 該晶種層係以導電高分子作為晶種層，則以旋轉塗佈（spin C〇ating)、噴墨印刷（ink-jet printing)、網印（screen printing) 10 或壓印（imprinting)等方式形成，其中該導電高分子係選 自由聚乙炔、聚苯胺以及有機硫聚合物中任一種材料所組 成之群組。 本發明之嵌埋有晶片之承載板之製造方法，其中，在 製造該線路增層結構之步驟中，該介電層之材料不限定， 15 較佳係至少一選自由ABF(Ajinomoto Build-up Film)、雙順 丁醢一酸醯亞胺/三氮牌（BT，Bismaleimide triazine)、聯二苯 ； 環 丁二烯（benzocyl〇butene ; BCB)、液晶聚合物（Liquid Crystal Polymer*)、聚亞醯胺（p〇iyimide; PI)、聚 乙烯醚（Poly(phenylene ether))、聚四氟乙烯（p〇ly 20 (tetra- fluoroethylene))、芳香尼龍（Aramide)、環 氧樹脂以及玻璃纖維等材質中任一種所組成之群 組。 本發明之嵌埋有晶片之承載板之製造方法，其中，在製 造該線路增層結構之步驟中，該電鍍金屬層之材料並無特 12 200810057 地::::錫、錄、“、—其 法，：氧構及《❹ :::仏…二== 里。刀載板表面，使鋁载板在氧化時，仍麸可以 )弟—表面之導電通道。因此，本發明之嵌埋有晶月 二:板可同時形成絕緣性陶曼载板(氧化㈣板)與有= n(奴道）’不需要額外步驟製造線路使電子元件導通， 而且技，簡單。再加上，銘的價格便宜，加工容易，相當 利於大量生產’因此，以氧化法形成氧化鋁载板(陶瓷 不需要昂貴的製造成本，有利於產f上的應用。 15 【實施方式】 實施例一 請參_2a至2g，係為本實施例之嵌埋有晶片之承載 板結構製法之剖面示意圖。 如圖2a所示，首先提供一鋁載板1〇。接著，如圖孔所 20示，於鋁載板10之表面形成一第一圖案化阻層丨〗，此第一 圖案化阻層11需貼合於鉬載板10之表面。 將此鋁載板10置於一電解槽中，進行氧化反應，使鋁 載板10未被第一圖案化阻層u覆蓋之處逐漸氧化為具有絕 緣性質的氧化鋁12，而被第一圖案化阻層u覆蓋之處仍維 13 200810057 此氧 持具有導電性質的！sl3，其結構如圖2e所示。並^， 呂載板14之！S金屬部分，必須要連通此氧化銘载板Μ之 第-表面與第二表面，也就是在氧化銘載板“中形成 電性質之銘通道15。在本實施例中，貼合有第一圖案ς阻 層11之_板1。係置於-電解液為草酸溶液或硫酸溶液之 電解槽’進行陽極氧化反應，並藉由調整陽極氧化時間、 第-圖案化阻㈣的寬度或形狀，來控制氧化銘載板14中 紹通道15的寬度。此外，亦可通過一些補償動作，使氧化 鋁載板14中的鋁通道丨5達到最佳化。 10 由此可見，本實施例可一次完成同時包含有氧化銘載 ，（絕緣體），與位於氧化銘載板中的铭通道（導體）。換句話 說，本實施例可-次完成絕緣體餘，與連接絕緣體載板 上 '第二表面間的導電通道’不需要其他額外的步驟來製 造導通電子元件之線路。 15 隨之，如圖2d所示，移除氧化鋁載板14上的第一圖荦 化阻層11，使鋁通道15之兩端暴露出來。然後，如圖。所 不，於鋁通道15暴露出來的兩端各形成一電性連接墊17， 作為鋁通道15向外電性連接之部位。此電性連接墊17之形 成方法，係於氧化鋁載板14的上、第二表面各形成一圖案 20化阻層（圖中未示），電鍍或沉積一銅層於未被上述圖案化阻 層覆蓋的部分後，移除上述圖案化阻層，即形成電性連接 墊17。由於形成電性連接墊17之方法已為習知，故本實施 例未再以圖示表示之。完成上述步驟後，以銑刀（r〇uter)切 割氧化鋁載板14形成一開口 16，再將一已完成晶圓積體電 200810057 •路製程並切割成型之晶片21嵌埋入氧化鋁載板14之開口 中。此晶片21在其主動面22上具有複數個電極墊23，此電 極塾23之材料為鋼。接著，將環氧樹脂25填入氧化鋁載板 14與晶片21之間的空隙，使晶片21固定於氧化鋁載板14的 5開口 16中，其結構如圖2f。在本實施例中，晶片21之非主 動面24裸露，有利於晶片21散熱。 元成上述步驟後，於氧化鋁載板14表面、晶片21的主 動面22、與電極墊23表面形成至少一線路增層結構”，其 結構如圖2g所不。此線路增層結構3丨之形成方法如圖“至 10 3〇所不。首先，於氧化鋁載板14表面、晶片21的主動面22、 與電極墊23表面形成一介電層32，此介電層32之材料係至 少一選自由 ABF(Ajinomot〇 Build_up FUm)、雙順丁 醯二酸 酉迪亞胺 /二氮阱（BT，Bismaleimide triazine)、聯二苯環 丁二烯 (benzocylobutene ; BCB)、液晶聚合物（Liquid 15 P〇lymer)、聚亞醯胺（Polyimide ; PI)、聚乙烯醚 (P〇ly(Phenylene ether))、聚四氟乙烯（p〇iy (tetra_ flU〇r〇ethylene))、芳香尼龍（Aramide)、環氧樹脂 以及玻璃纖維等材質中任一種所組成之群組，並以 雷射鑽减曝光、顯影於該介電層32形成複數個介電層開 20 口 33其中至少電層開口對應於晶片21之電極墊位 置，其結構如圖3a所示。惟當利用雷射鑽孔的技術時，復 需進行除膠:¾ (De-smear)作業以移除因鑽孔所殘留於該介 電層開口内的膠渣。然後，於介電層32及介電層開口 33上 形成-晶種層40,再於該晶種層4〇之表面上形成阻層％， 15 200810057 * 该阻層34以曝光、顯影方式形成複數個阻層開口 3 5，並且 至少一阻層開口 35係對應至該晶片21之電極墊23之位置， 其結構如圖3b所示。最後，如圖3c所示，於該複數個阻層 開口 35電鍍一層電鍍金屬層36，再移除該阻層34及其所覆 5蓋之晶種層40。圖所示之線路增層結構31係使用增層技 術依所需要之層數層疊上去製作多層之結構。其中該電鍍 金屬層36包含有線路層37及與晶片21之電極墊23連接之導 電結構38。 5 最後，如2g所示，於該增層結構31之表面形成有防焊 10層50作為絕緣保護層，防焊層50形成有開口 51以顯露線路 增層結構31表面之電性連接墊31a，以及複數個焊料凸塊“ 設置於該防焊層開口 51中並與線路增層結構31電性導接， 亚配置電子το件42於該氧化鋁載板14之電性連接墊丨了表 面，使電子元件42與銘通道15電性連接，並完成本實施例 15 之嵌埋有晶片之承載板。 因此，本實施例之氧化鋁載板14在整合電子元件42 /時，可以直接將鋁通道15當作導通氧化鋁載板14上下側的 線路，使電子元件42導通。 實施例二 |實施例之嵌财晶片之承載板之製造方法與實施例 一非常相似，除了晶片與鋁載板之固定方法與實施例丨不同 之外，其餘步驟大致與實施例丨相同。 如圖4所示，當晶片21内嵌於氧化銘載板U之開口内 後，於氧化鋁載板14表面塗佈一層介電層材料26,並藉由 200810057 壓合使介電材料填於晶片21與氧化鋁載板14之間，、 晶片21於氧化鋁載板14之開口中。其中，位於氧化=疋 14第二表面之介電層材料26可視為增層結構之介電芦反 - ’並繼續進行增層結構之形成步驟。最後，再於辦= 構上形成複數個焊料凸塊，並整合電子元件而完^二二 例之甘欠埋有晶片之承載板。 、也

同樣的，本實施例之氧化鋁載板14在整 時，鋁通道15可作為導通氧化鋁載板14上下側 電子元件導通。 合電子元件 的線路，使 10 上述實施例僅係為了方便說明而舉例而已 主張之權利範圍自應以申請專利範圍所述為準 於上述實施例。 … ’本發明所 ’而非僅限 15 20 【圖式簡單說明】 係為習知嵌埋有晶片之承載板結構之剖面示意圖。 圖==發明較佳實施例之嵌埋有晶片之承載板之 Ik方法之剖面示意圖。 圖3a至3c係本發明一較佳 法之剖面示意圖。 圖4係本發明另一較佳實施例之製造方法之剖面示意 實施例之線路增層結構之製造方 圖 主要元件符號說明 鋁載板10 第—圖案化阻層U氧化鋁 12 17 200810057 鋁13 開口 16 電極塾23 介電層材料26 介電層開口 33 電鏡金屬層36 焊料凸塊41 載板101 導電結構104 氧化鋁載板14 晶片21 非主動面24 線路增層結構31 圖案化阻層34 線路層37 電子元件42 晶片102 線路增層結構106 铭通道1 5 主動面22 環氧樹脂25 介電層32 阻層開口 35 導電結構38 承載板結構100 電極墊103 電性連接墊17

Claims (1)

1. 200810057 十、申請專利範圍： 1 · 一種嵌埋有晶片之承載板結構，包括： 具有-第-表面、-第二表面、複數個鋁通道、 與一開口之氧化_板’其巾’該等—㈣連通該載 5板之第—表面與第二表面’且該銘通道暴露於該第-表 面及第二表面的兩端各形成有電性連接墊； 一晶片，該晶片係嵌埋於該開口中，並具有一主動 、面，複數個電極墊係配置於該晶片之主動面；以及 ^至少一線路增層結構，該線路增層結構係配置於該 10 氧化_板表面、該晶片之主動面與該電極墊之表面， 其中，該線路增層結構至少具有一對應於該電極墊之一 導電結構，且至少—該導電結構電性連接於該電極塾。 2·如申請專利範圍第丨項所述之嵌埋有晶片之承載板 、、、口構其中，5亥氧化銘載板係利用陽極氧化法形成。 15 3·如申請專利範圍第1項所述之嵌埋有晶片之承載板 結構，其中，該等電極墊係為鋁金屬或銅金屬。 4·如申請專利範圍第丨項所述之嵌埋有晶片之承載板 =構，其中，該氧化鋁载板與該晶片之間填充有一環氧樹 脂，以固定該晶片於該氧化鋁載板之該開口中。 〇 5·如申請專利範圍第丨項所述之嵌埋有晶片之承載 板結構，其中，該氧化鋁載板與該晶片之間填充有一介電 層材料，以固定該晶片於該氧化鋁載板之該開口中。 士 6·如申請專利範圍第1項所述之嵌埋有晶片之承載板 結構，其中，該線路增層結構係包括有一介電層、一疊置 200810057 .於該介電層上之線路層、以及至少一導電結構，且該 導電結構係穿過該介電層以供該線路層電性連接至該介 電層下方之線路層或電極墊。 7·如申請專·圍第丨項所述之嵌埋有晶片之承載板 5結構，其中，該線路增層結構之表面形成有防焊層，防焊 層形成有開口以供設置焊料凸塊並與線路增層結構電性導 接。 8·如申睛專利範圍第丨項所述之嵌埋有晶片之承載板 、結構，復包括有至少-電子元件配置於該氧化銘載板未形 10成有線路增層結構之表面的電性連接墊上，且該電子元件 與該鋁通道電性連接。 9· 一種嵌埋有晶片之承載板之製造方法，其步驟包 括： (A)提供一鋁載板； 15 (B)於該鋁載板表面形成一第一圖案化阻層； (C) 氧化該鋁載板，使該鋁載板形成一具有一第一表 面、一第二表面、與複數個鋁通道之氧化鋁載板，且該等 鋁通道係連通該氧化鋁載板之第一表面與第二表面；' (D) 移除該第一圖案化阻層，復於該鋁通道暴露於該第 20 一表面及第二表面的兩端分別形成電性連接墊； (Ε)於該氧化鋁載板形成一開口； (F)將一晶片嵌入並固定於該氧化鋁載板之該開口中， 其中，該晶片之主動面具有複數個電極墊；以及 200810057 (G)於忒氧化鋁載板、該晶片之主動面、與該電極墊之 y成至7、線路增層結構，纟中，言亥線路增層結構至 i具有「對應於該電極塾之導電結構，且至少一該導電結 構電性連接於該電極塾。 5 15 20 =·如中明專㈣圍第9項所述之欲埋有晶片之承載板 ) 法/、中，於步驟（C)中，該氧化鋁載板係利用陽 極氧化法形成。 二·如申明專利I色圍第9項所述之欲埋有晶片之承載板 方法’其中’於步驟(F)中，該等電極塾係為铭金屬 或銅金屬。 12.如申請專利範圍第9項所述之嵌埋有晶片之承載板 之製造方法，其中，於步驟⑺中，該氧化銘載板與該晶片 之間填充有-環氧樹脂層，以固定該晶片於該氧化銘載板 之該開口中。 13·如申明專利範圍第9項所述之嵌埋有晶片之承 法，其中，於步驟(F)中’該氧化銘载板與該晶 板之關口 Γ介電層材料，以固定該晶片於該氧化紹載 14.如申請專利範圍第9項所述之後埋有晶片之 之製造方法’其中’於該步驟⑹t，形成該至少―線路增 層結構係包括下列步驟·· /於^乳化銘载板、該晶片t主動面與該電極塾之表面 开乂成^ %層，且使該介電層形成複數個介電層開口，其 中至少一介電層開口係對應於該晶片之該電極墊位置；八 21 200810057 - 於該介電層及該介電層開口形成一晶種層，該晶種層 表面形成阻層並形成複數個阻層開口，其中，至少一阻層 開口係對應至該晶片之該電極墊之位置； 於該複數個阻層開口電鍍一層電鍍金屬層；以及 5 移除該阻層及阻層所覆蓋之晶種層，其中該電鍍金屬 層至少包含有一線路層及一導電結構。 15. 如申請專利範圍第14項所述之嵌埋有晶片之承載 板之製造方法，其中，該介電層係至少一選自由 ABF (Ajinomoto Build-up Film)、雙順丁 醯二酸酸亞胺 /三氮 10 拼（BT，Bismaleimide triazine)、聯二苯環 丁二烯 (benzocylobutene ； BCB)、液晶聚合物（Liquid Crystal Polymer)、聚亞酸胺（Polyimide ; PI)、聚乙稀醚 (Poly(phenylene ether))、聚四 氟乙稀（Poly (tetra-fluoroethylene))、芳香尼龍（Aramide)、環氧樹脂以及 15 玻璃纖維之材質組成之群組。 16. 如申請專利範圍第14項所述之嵌埋有晶片之承載 板之製造方法，其中，該電鍍金屬層係為銅、錫、鎳、鉻、 把、鈦、錫/錯或其合金。 17. 如申請專利範圍第14項所述之嵌埋有晶片之承載 20 板之製造方法，復包括一步驟（H)為形成一電子元件於該鋁 載板之未形成有線路增層結構之表面的電性連接墊上，且 該電子元件與該鋁通道電性連接。 22