TW200818565A - Organic light emitting display and method of fabricating the same - Google Patents

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200818565 九、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明係關於一種有機電激發光顯示裝置及該有機電 激發光顯示裝置之製造方法。 【先前技術】 隨著科學技術的飛速發展，人們對顯示裝置之要求亦 曰趨提高，使得顯示裝置向更輕、更薄、更省電方向發展， 因而產生了有機電激發光顯示裝置（0rganic Light Display, OLED)。相較於液晶顯示裝置（Uquid Display，LCD)，有機電激發光顯示裝置係自發光顯示，無 須能耗較大之背光模組，所以其能更輕、更薄、更省電。 根據所用有機薄膜材質之不同，有機電激發光顯示裝 置可分為小分子電激發光顯示裝置與高分 ⑽啊：Light Emitting Display，pLED)。九‘、、貞 丁裝置 有機電激發光顯示裝置之基本結構為夾層式結構，即 ^光層由二側電極夾於錢，且—侧為透明電極以獲得面 毛光，其發光顏色取決於發光層有機材料之螢光特性。根 據所知时機膜之功能’有機電激發絲置結構可分 為單層結構、雙層結構以及多層結構，其巾，高分子發光 =不襄置多為單層或雙層結構。採用多層結構之目較為 造成如階梯形式之能階狀態Η吏分職陽極和陰極所提供 =和電子’更容易傳輸至發光層結合而激發發 光以達到顯示之目的。 音：參閱圖1，其係一種有機電激發光顯示裝置之結構 -圖。該錢電激發光顯示裝置i包括一基板ι〇、依序 6 200818565

設置於該基板10表面之—陽極12、—有機層U =有機層」3包括依序設置於該陽極α:表面之一= ^值Μ、€/同傳輸層132、—有機發光層130、—電 子傳輸層⑶及-電子注入層133。其中，該基板1〇、陽 極12及有機層13均係透明姑祖 ^ ^ , 料，多為金屬。 卿，該陰極11係不透明材 該有機電激發光顯示裝置1#—典型多層結構之有機 :激發先顯不裝置，僅需改變有機層13之材料及層數 貝現單層或雙層結構。 施加-電壓於該陽極12與該陰極u之間，使該陽極 和該陰極11分別提供電洞和電子，電洞經由該電洞注 入層134及該電洞傳輸層132、電子經由該電子注入層 及5亥電子傳輸層131傳輸至該有機發光層130結合，以激 發該有機發光層13G發光。該有機發光層13G所發之光線 14〇部份直接穿過該電洞傳輸層132、電洞注入層134、陽 極12及基板1〇,部份經由該陰極u反射之後再穿過該電 洞傳輪層132、電洞注入層134、陽極12及基板1〇，以達 到顯不之目的。該陰極u之高反射效果可增強該有機電激 發光顯示裝置1之發光亮度。 ④然而’、該有機電激發光顯示裝置1易受外界環境光15Θ 之影響，尤其係當該環境光150比較強烈時，該環境光15〇 穿過該基板10、陽極12及有機層13之後，藉由該陰極n 反射，最終從基板1〇射出，當該有機電激發光顯示裝置工 ’、’、頁不冗怨時可增強發光亮度；但是當該有機電激發光顯示 裝置1顯示暗態時，會導致暗態不暗，如此降低該有機電 200818565 ==置1之對比度’影響顯示畫面之品質 古斟？t⑨此’冑必要提供一種減少夕卜界環境反射光及提 同對比度之有機電激發光顯示裝置。 還有必要提供一種上述有機電激發光顯示裝置之製造 方法。 、 % 一種有機電激發光顯示裝置，其包括-透明基板 '依 序設置於該透明基板表面之一第一電極、一有機層及一第 電極《巾，該第三電極包括依序設置於該有機層表面 之一導電透光層、一導電吸光層及一金屬層。 種有機電激發光顯示裝置之製造方法，其包括以下 二驟·提供一透明基板；形成一第一電極於該透明基板上； :成-有機層於該第―電極上；形成—第二電極於該有機 曰上，其包括依序沈積一導電透光層、一導電吸光層及一 金屬層於該有機層上。 相較於先前技術，當外界環境光經由透明基板、第一 電2以及有機層到達該第二電極時，會先穿過該第二電極 之導電透光層，然後被該導電吸光層所吸收，因而減少外 界％境光之反射量，提高該有機電激發光顯示裝置之 度。 【實施方式】 凊參閱圖2，其係本發明有機電激發光顯示裝置第一 實鈿方式之結構示意圖。該有機電激發光顯示裝置2包括 。透明基板20、依序設置於該透明基板2〇表面之一第一 電極22、一有機層23及一第二電極21。該有機層23包括 8 200818565 ^序設置於該第一電極22表面之電洞傳輸層232、有機發 光層230及電子傳輸層231三層結構。該第二電極21包括 依序設置於該有機層23表面之一導電透光層21〇、一導電 吸光層211及一金屬層212。 其中，該第一電極22係陽極，其係透明材料，如氧化 銦錫（Indium Tin 0xide，IT〇)或氧化銦鋅（1_腿 Oxide，IZO)，其厚度係25〜l〇〇nm。該電洞傳輸層232材 料係 NPB(N，1^’-二-[(1_基）-N，N’c苯基_i，聯苯基]乂 :4’-二胺），該有機發光層23〇及電子傳輸層231材料係 Alq3 ’該有機層23之厚度係80〜15〇nm。該第二電極21 係陰極，該導電透光層210係低功函數（l〇w Work Function) 金屬或其合金，如Ca、Mg之一種或其合金，且該導電透 光層210之厚度小於光集膚深度（Skill Depth)，係2〜 12nm。該導電吸光層211係石墨，其厚度係$〜i〇nm。該 金屬層212係A1或Ag，其厚度係1〇〇〜i5〇nm。 施加一電壓於該第一電極22與該第二電極21之間， I使該第一電極22和該第二電極21分別提供電洞和電子， 電洞經由該電洞傳輸層232、電子經由該電子傳輸層231 傳輸至該有機發光層230結合，以激發該有機發光層23〇 發光。該有機發光層230所發之出射光240部份直接穿過 該電洞傳輸層232、第一電極22及基板1〇為該有機電激 發光顯示裝置2提供顯示所需之光線，部份穿過該電子傳 輸層231及該導電透光層232後被該導電吸光層211吸收。 如此，當外界環境光250經由該透明基板20、第一電 極22以及有機層23到達該第二電極21時，因該第二電極 9 200818565 21之導電透光層232之厚度小於光集膚深度，外界環境光 250可穿透該導電透光層232,進而被該導電吸光層2ιι 吸收’因而減少外界環境光250之反射量，提高該有機電 激發光顯示裝置2之對比度。 該有機電激發光顯示裝置2之製造方法步驟如下： 步驟一 ··提供一透明基板20 ; 步驟二：形成一第一電極22於該透明基板20上，其 中該弟電極22係採用物理氣相沈積法沈積，沈積厚度 (係25〜l〇〇nm，該第一電極22係氧化銦錫或氧化銦鋅； 步驟三：形成一有機層23於該第一電極22上，其包 括依序沈積一電洞傳輸層232、一有機發光層23〇及一電 子傳輸層231於該第一電極22表面，該電洞傳輸層232 係NPB，該有機發光層230及電子傳輸層231係Alq3，其 中，該有機層23係採用物理氣相沈積法沈積，沈積厚度係 80〜150nm ; 步驟四：形成一第二電極21於該有機層23上，其包 ‘括依序沈積一導電透光層210、一導電吸光層211及一金 屬層212於該有機層上，其中，該導電透光層、該導 ，吸光層211及該金屬層212係採用物理氣相法沈積，該 ‘電透光層210係Ca，沈積厚度係2〜I2nm，該導電吸光 層211係石墨，沈積厚度係5〜l〇nm，該金屬層212係A1， 沈積厚度係l〇〇〜150nm。 此外，於該第二電極21上可設置一可吸收水氣之材料 曰及隔、、、邑外界之遮罩，以避免外界環境中之水或氣體侵 蝕該有機電激發光顯示裝置2内之各層材料。 200818565 有機層23亦可採用旋塗法或噴墨法沈積，兮 導電透光"〇亦可用其他低功函數金屬或 、，二 Mg或其合金，該金屬層212亦可係Ag。 ” :第-電極22係低功函數金屬或其合金以提供電 t 2一^極21係高功函數金屬或其合金以提供電洞，則 I 2 5^光層211仍可應用於該第二電極21以吸收外界環境 請參閱® 3’其係本發明錢電激發域示裝置第二 實施方式之結構示意圖。該有機電激發光顯示裝置3盥； -實施方式之有機電激發光顯示裳置2之不同之處在ς弟 =機電激發光顯示裝置3之有機層33包括依序設 極32表面之-電洞注入層334、一電洞傳輸層您、 機發光層330、一電子傳輸層331及一電子注入層3%。 心請參閱圖4,其係本發明有機電激發光顯示;置第三 實施方式之結構示意圖。該有機電激發光顯示裝置4盥第 一實施方式之有機電激發光顯示裝置2之不同之處在於·· 該有機電激發光顯示裝置4之有機層43包括依序設置於陽 :42表面之一電洞傳輸層432及一高分子有機發光層 43〇。其中，該電洞傳輸層432材料係PED〇T:pss，該高 分子有機發光層430材料係ΜΕΙί-ΡΡ V。 綜上所述，本創作確已符合發明專利之要件，爰依法 ，出申請專利。惟，以上所述者僅係本發明之較佳實施方 本發明之範圍並不以上述實施方式為限，舉凡熟習本 ^技藝^人士援依本發明之精神所作之等效修飾或變化， ^應涵蓋於以下申請專利範圍内。 11 200818565 【圖式簡單說明】 圖1係一種先前技術有機電激發光顯示裝置之結構示音 圖0 a 圖2係本發明有機電激發光顯示裝置第一實施方式之結 構示意圖。 圖3係本發明有機電激發光顯示裝置第二實施方式之結 構示意圖。 圖4係本發明有機電激發光顯示裝置第三實施方式之結 構示意圖。 【主要元件符號說明】 有機電激發光顯示裝置 2、3、4 透明基板 20 第二電極 21 導電透光層 210 導電吸光層 211 金屬層 212 第’一電極 22 、 32 、 42 有機層 23 、 33 、 43 有機發光層 230 、 330 、 430 電子傳輸層 231 、 331 電洞傳輸層 232 、 332 、 432 出射光 240 外界環境光 250 電子注入層 333 電洞注入層 334 12

Claims (1)

1. 200818565 十、申請專利範圍 卜一種有機電激發光顯示裝置，其包括—透明基板 設置於該透明基板表面之—第—電極、—有機層及 -電極’其中’該第二電極包括依序設置於該有機 面之-導電透光層、一導電吸光層及一金屬層。㈢表 2 2 5月專利耗圍第1項所述之有機電激發光顯示裝置， 二 導電料層之厚度小於光集膚深度。 月專利軌圍第2項所述之有機電激發光顯示裝置， 其中，該導電透光層之厚度係2〜12nm。 4 ΓΓ μ專利粑圍第3項所述之有機電激發光顯示褒置， /、中，該導電透光層係低功函數金屬或其合金。 5=申請專利範圍第3項所述之有機電激發光顯示裝置， :中’該導電透光層係Ca、Mg之一種或其合金。 申睛專利範圍第i項所述之有機電激發光顯示裝置， 具中’該導電吸光層係石墨。 7、如申請專利範圍第6頂# 甘+ 囷罘0項所述之有機電激發光顯示裝置， 其中，該導電吸光層之厚度係5〜1〇nm。 2叫專利犯圍第1項所述之有機電激發光顯示裝置， 其中，該金屬層係A1或Ag。 9:申請專利範圍第8項所述之有機電激發光顯示裝置， 其中，該金屬層之厚度係l〇0〜15〇nm。 1〇晉如^專利範圍第1項所述之有機電激發光顯示裝 置2中，該有機層至少包括一有機發光層。 晉如^專職圍第1項所述之有機電激發光顯示裝 八中該有機層包括依序設置於該第―電極與第二 13 200818565 -電極間之冑洞傳輸層、-有機發光層及-電子傳輸 層。 如申#專利&圍第！項所述之有機電激發光顯示裝 置，其中，該有機層包括依序設置於該第一電極與第二 J極間之一電洞注入層、一電洞傳輸層、一有機發光 層 '一電子傳輸層及一電子注入層。 3如申明專利範圍第1項所述之有機電激發光顯示裝 , 置，其中，該有機層包括依序設置於該第一電極與第二 電極間之一電洞傳輸層及一高分子有機發光層。 如申明專利範圍第13項所述之有機電激發光顯示裝 置’其中’該電洞傳輸層材料係PED〇1^ PSS，該高分 子有機發光層材料係MEH-PPV。 如申明專利範圍第1項所述之有機電激發光顯示裝 置’其中’該有機層之厚度係8〇〜15〇ηπι。 16、如^請專利範圍第i項所述之有機電激發光顯示裝 置其中’該第一電極係陽極，該第二電極係陰極。 〜17、如=請專利範圍第丄項所述之有機電激發光顯示裝 置，其中，該第一電極係氧化銦錫或氧化銦鋅。 18、 如中請專利範圍帛17^所述之有機電激發光顯示袭 1置’其中’該第一電極之厚度係25〜1〇〇nm。 19、 一種有機電激發光顯示裝置之製造方法，其包括以下 步驟： 提供一透明基板； 形成一第一電極於該透明基板上； 形成一有機層於該第一電極上； 14 200818565 ‘形成一第二電極於該有機層上，其包括依序沈積一導電 透光層、一導電吸光層及一金屬層於該有機層上。 〇如^申凊專利範圍第19項所述之有機電激發光顯示裝置 之製造方法，其中，該第一電極係氧化銦錫或氧化銦鋅。 1如^申请專利範圍第20項所述之有機電激發光顯示裝置 之製造方法，其中，該第一電極係採用物理氣相沈積法 沈積。 ,22、如%申請專利範圍第21項所述之有機電激發光顯示裝置 1 之製造方法，該沈積厚度係25〜l〇〇nm。 23、如^申^專利範圍第19項所述之有機電激發光顯示裝置 之衣造方法，其中，該有機層係採用物理氣相沈積法、 旋塗法及噴墨法之一沈積。 如專利範圍第23項所述之有機電激發光顯示裝置 25之製&方法，其中，該沈積厚度係80〜150nm。 之制申:專利範圍第19項所述之有機電激發光顯示裝置 t這方去，其中，該導電透光層係採用物理氣相法沈 、積0 申明專利範圍第25項所述之有機電激發光顯示裝置 27如Λ方法，/中，該沈積厚度係2〜12·。 之势專利乾圍第％項所述之有機電激發光顯示裝置 合方去，其中，該導電透光層係低功函數金屬或其 之赞申Γ專利乾圍第26項所述之有機電激發光顯示裝置 复二方法，其中，該導電透光層係Ca、Mg之〆種或 15 200818565 29、如申請專利範圍第 之製造方法，其中， 3〇、如申請專利範圍第 之製造方法，其中， 積。 31、 如申請專利範圍第 之製造方法，其中， 32、 如申請專利範圍第 之製造方法，其中， 33、 如申請專利範圍第 之製造方法，其中， 34、 如申請專利範圍第 之製造方法，其中， 19#所述之有機電激發光顯示裝置 該導電吸光層係石墨。 29 #所述之有機電激發光顯示裝置 #導電吸光層係採用物理氣相法沈 30 $所述之有機電激發光顯示裝置 該沈積厚度係5〜10nm。 19 $所述之有機電激發光顯示裝置 該金屬層係八丨或Ag。 32 $戶斤述之有機電激發光顯示裝置 胃金屬層係採用物理氣相法沈積。 19 €戶斤述之有機電激發光顯示裝置 該沈積厚度係100〜150nm。 16