TW200818385A - Substrate-mounting mechanism and method for transferring substrate - Google Patents

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200818385 九、發明說明 【發明所屬之技術領域】 本發明是關於藉由對載置台之載置面 支撐平面顯示器（FPD )用玻璃基板等之 ' 處理基板，而在執行交接載置台之上方之 w ，和被載置於載置台之載置位置之間予以 機構及基板交接方法。 【先前技術】 在FPD之製程中，對屬於被處理基 璃基板，施予乾鈾刻或濺鍍、CVD (化學 各種處理。如此之處理通常是在於被設置 台載置玻璃基板之狀態下執行，基板對載 載一般是藉由設置成可對載置台之載置面 銷而執行。於負載基板時，使升降銷上昇 φ 面突出，將藉由搬運手臂等之搬運構件所 至升降銷之後，使升降銷下降而縮入載置 者，於卸載基板時，使升降銷上昇而自載 出，使基板自載置台離開之後，將升降銷 搬運構件。 升降銷雖然考慮對處理品質之影響以 之邊緣部位置爲佳，但是近來已FPD之大 現一邊超過2m之巨大玻璃基板，僅以邊 銷要支撐如此巨大之玻璃基板則有困難。 伸縮之升降銷， 具有可撓性的被 基板的交接位置 升降之基板載置 〔之FPD用之玻 氣相沉積）等之 在腔室內之載置 置台之負載及卸 伸縮之多數升降 自載置台之載置 搬運之基板轉移 台之載置面。再 置台之載置面突 上之基板轉移至 設置在玻璃基板 型化爲指向，出 緣部位置之升降 -4- 200818385 因此，於玻璃基板爲大型時，在中央部位置也設置升 降銷，使可以確實支撐玻璃基板（例如參照專利文獻1 ) ，但是如上述般，當考慮對處理品質之影響時，則不得不 將設置在玻璃基板之中央部位置之升降銷限制成少數。其 ' 結果，如第9圖（a )所示般，當藉由邊緣部位置及中央 ' 部位置之升降銷B、C支撐玻璃基板A時，玻璃基板A則 變形彎曲成升降銷B、C間部份凹陷，中央部隆起，如第 φ 9圖（b)所示般，於玻璃基板A被載置於載置台D時， 則有變形之玻璃基板A之中央部自載置台D浮起之虞。 載置台具有調整處理時之玻璃基板溫度之調溫功能之情形 爲多，例如電漿蝕刻裝置中，載置台因發揮冷卻電漿蝕刻 飩之玻璃基板之作用，故當玻璃基板之一部份自載置台浮 起時，玻璃基板之溫度在面內不均勻成爲處理不均勻，例 如蝕刻部均勻之發生主因。 〔專利文獻1〕日本特開2002-24 6450號公報 【發明內容】 〔發明所欲解決之課題〕 本發明是鑒於如此之事情而所創作出者，其目的爲提 供一種即使被處理基板爲大型，亦可以藉由升降銷確實支 撐被處理基板並且有效果抑制被處理基板之變形的基板處 理裝置，以及基板交接方法、具備有如此基板載置機構之 基板處理裝置，以及記憶有用以實行如此基板交接方法之 控制程式的電腦可讀取之記憶媒體。 -5- 200818385 〔用以解決課題之手段〕 爲了解決上述課題，本發明之第1觀點是提供一種基 板載置機構，具備有載置台，用以載置具有可撓性之被處 ' 理基板；多數升降銷，被設置成對上述載置台之載置面伸 ' 縮自如，支撐被處理基板而在執行交接上述載置台之上方 之基板的交接位置和上述載置台上之載置位置之間予以升 B 降；和驅動機構，用以驅動上述升降銷，其特徵爲：上述 多數升降銷具有支撐被處理基板之邊緣部之第1升降銷， 和支撐被處理基板之中央部的第2升降銷，上述驅動機構 是於升降被處理基板時，使上述第1升降銷比上述第2升 降銷突出更高，在被處理基板下方彎曲成凸狀之狀態下安 定地被支撐。 本發明之第1觀點中，上述驅動機構能夠獨立使上述 第1升降銷和上述第2升降銷驅動爲佳。 • 再者，以上之本發明之第1觀點中，是以具備用以控 制由於上述驅動部所產生之上述第1及第2升降銷之驅動 的控制部，上述控制部是在使上述載置位置之被處理基板 朝向上述交接位置上升之途中，於被處理基板保持與上述 載置台接觸而下方彎曲成凸狀之狀態時，暫時使朝向上述 第1及第2升降銷之突出方向的驅動停止爲佳。或是，以 具備用以控制由於上述驅動部所產生之上述第1及第2升 降銷之驅動的控制部，上述控制部是在使上述載置位置之 被處理基板朝向上述交接位置上升之途中，於被處理基板 -6- 200818385 保持與上述載置台接觸，下方彎曲成凸狀之狀態時，暫時 使朝向上述第1及第2升降銷之突出方向的驅動停止，於 再次開啓該驅動而使被處理基板自上述載置台離開之後’ 使上述第1及第2升降銷往縮入方向驅動，於被處理基板 下方彎曲成凸狀而接觸於上述載置台之狀態時，停止該驅 動，之後，使上述第1及第2升降銷再次往突出方向驅動 爲佳。 又，以上之本發明之第1觀點中，上述第1及第2升 降銷是構成將藉由搬運構件從下方被支撐而被搬運至上述 交接位置的被處理基板予以交接，上述控制部是在上述第 1及第2升降銷朝向上述交接位置而往突出方向驅動之途 中，於被處理基板保持與上述搬運構件接觸而於下方彎曲 成凸狀之狀態時，暫時停止朝向上述第1及第2升降銷之 突出方向的驅動爲佳。或是，上述第1及第2升降銷是構 成將藉由搬運構件從下方被支撐而被搬運至上述交接位置 的被處理基板予以交接，上述控制部是在上述第1及第2 升降銷朝向上述交接位置而往突出方向驅動之途中，於被 處理基板保持與上述搬連構件接觸而於下方彎曲成凸狀之 狀態時，暫時停止朝向上述第1及第2升降銷之突出方向 的驅動，再次開啓該驅動而使被處理基板自上述搬運構件 離開之後，使上述第1及第2升降銷往縮入方向驅動，於 被處理基板下方彎曲成凸狀而接觸於上述搬運構件之狀態 時，停止該驅動，之後，使上述第1及第2升降銷再次往 突出方向驅動爲佳。 200818385 再者，本發明之第2觀點是提供一種基板處理裝置， 其特徵爲：具備處理容器，用以收容被處理基板；基板載 置機構，被設置在上述處理容器內，具有載置被處理基板 之載置台；和處理機構，對被載置於上述載置台之被處理 基板施予特定處理，上述基板載置機構具有上述第1觀點 所記載之構成。 在本發明之第2觀點中，上述處理機構具有將處理氣 體供給至上述處理容器內之氣體供給機構，和將上述處理 容器內予以排氣之排氣機構，和在上述處理容器內生成上 述處理氣體之電漿的電漿生成機構，對被處理基板施予電 漿處理爲佳。 再者，本發明之第3觀點是提供一種基板交接方法， 藉由對載置具有可撓性之被處理基板之載置台的載置面伸 縮的多數升降銷，支撐被處理基板而在執行交接上述載置 台之上方之基板的交接位置和上述載置台上之載置位置之 間予以升降，其特徵爲：由支撐被處理基板之邊緣部之第 1升降銷，和支撐被處理基板之中央部的第2升降銷構成 上述多數升降銷，於使被處理基板升降時，使上述第1升 降銷突出比上述第2升降銷更高，在被處理基板下方彎曲 成凸狀之狀態下安定地被支撐。 本發明之第3觀點中，可以在上述第1及第2升降銷 各設置檢測被處理基板之荷重的荷重檢測部，根據上述各 荷重檢測部之檢測結果，調整上述第1升降銷和上述第2 升降銷之突出高度之差。 -8- 200818385 再者，以上之本發明之第3觀點中，以在使上述載置 位置之被處理基板朝向上述交接位置而上昇之途中，於被 處理基板保持與上述載置台接觸而於下方彎曲成凸狀之狀 態時，暫時停止朝向上述第1及第2升降銷之突出方向的 驅動爲佳。或是，在使上述載置位置之被處理基板朝向上 述交接位置而上昇之途中，於被處理基板保持與上述載置 台接觸而於下方彎曲成凸狀之狀態時，暫時停止朝向上述 第1及第2升降銷之突出方向的驅動，再次開啓該驅動而 使被處理基板自上述載置台離開之後，使上述第1及第2 升降銷往縮入方向驅動，於被處理基板下方彎曲成凸狀而 接觸於上述載置台之狀態時，停止該驅動，之後，使上述 第1及第2升降銷再次往突出方向驅動爲佳。 又，在以上之本發明之第3觀點中，將上述第1及第 2升降銷構成將藉由搬運構件從下方被支撐而被搬運至上 述交接位置的被處理基板予以交接，在上述第1及第2升 降銷朝向上述交接位置而往突出方向驅動之途中，於被處 理基板保持與上述搬運構件接觸而於下方彎曲成凸狀之狀 態時，暫時停止朝向上述第1及第2升降銷之突出方向的 驅動爲佳。或是，將上述第1及第2升降銷構成將藉由搬 運構件從下方被支撐而被搬運至上述交接位置的被處理基 板予以交接，在上述第1及第2升降銷朝向上述交接位置 而往突出方向驅動之途中，於被處理基板保持與上述搬運 構件接觸而於下方彎曲成凸狀之狀態時，暫時停止朝向上 述第1及第2升降銷之突出方向的驅動，再次開啓該驅動 -9- 200818385 而使被處理基板自上述搬運構件離開之後，使上述第1及 第2升降銷往縮入方向驅動，於被處理基板下方彎曲成凸 狀而接觸於上述搬運構件之狀態時，停止該驅動，之後， 使上述第1及第2升降銷再次往突出方向驅動爲佳。 又，本發明之第4觀點是提供一種電腦可讀取之記憶 媒體，爲記憶有在電腦上動作之控制程式，其特徵爲：上 述控制程式於實行時以執行上述之基板交接方法的方式， 使電腦控制處理裝置。 〔發明效果〕 若藉由本發明，因由支撐被處理基板之邊緣部之第1 升降銷，和支撐被處理基板之中央部的第2升降銷構成多 數升降銷，於使被處理基板升降時，使上述第1升降銷突 出比上述第2升降銷更高，在被處理基板下方彎曲成凸狀 之狀態下安定地被支撐，故即使被處理基板爲大型，亦可 以藉由第1及第2升降銷確實之稱被處理基板，並且可以 有效果抑制因第1及第2升降銷間部份之自重所產生之彎 曲以及第2升降銷之支撐作用力所引起之被處理基板之變 形。因此，可抑制被處理基板對載置台之浮起而抑止處理 不均勻的發生。 【實施方式】 以下，參照附件圖面針對本發明之實施形態予以說明 -10-

200818385 第1圖爲具備有本發明所涉及之基板載置機構之 處理裝置之一實施形態的電漿触刻裝置之側面方向之 剖面圖，第2圖爲該平面方向之槪略剖面圖。 該電漿鈾刻裝置1是當作對FPD用之玻璃基板（ 單稱爲「基板」）G執行蝕刻之電容耦合型平行平板 蝕刻裝置而構成。FPD可例示出液晶顯示器（LCD ) 激發光裝置（Electro Luminescence; EL)顯示器、 顯示面板（PDP )等。電漿蝕刻裝置1具備有當作收 板G之處理容器的腔室2。腔室2是由例如表面被耐 處理（陽極氧化處理）之鋁所構成，對應於基板G之 而形成四角筒形狀。 在腔室2內之底壁形成有當作載置基板G之載置 承載器4。承載器4是對應於基板G之形狀被形成匹 狀或是柱狀，具有由金屬等之導電性材料所構成之基 ，和由覆蓋基材4a之邊緣的絕緣材料所構成之絕緣 4b，和設置成覆蓋基材4a及絕緣構件4b而支撐該 絕緣材料所構成之絕緣構件4c。基材4a連接有用 高頻電力之供電線23，於該供電線23罹接有整合器 高頻電源25。自高頻電源25施加例如13.56MHz I 電力至承載器4,依此承載器4構成當作下部電極ϋ 功能。再者，承載器4內藏有用以吸附載置之基板（ 圖式之靜電吸附機構。 在腔室2之上部或是上壁，是供給處理氣體至丨 內並且以與承載器4對向之方式設置有當作上部電| 基板 槪略 幾下 電漿 、電 電漿 容基 酸鋁 形狀 台的 角板 材4a 構件 :之由 ，供給 24及 .高頻 ‘發揮 之無 【室2 丨而發 -11 - 200818385 揮功能之噴淋頭11 °噴淋頭11形成有使處理氣體擴散至 內部之氣體擴散空間12，並且形成有將處理氣體吐出至下 面或是承載器4之對向面的多數吐出孔13。該噴淋頭π 爲接地，與承載器4構成一對平行平板電極。 在噴淋頭11之上面設置氣體導入口 14，在該氣體導 入口 14連接有處理氣體供給管15，在該處理氣體管15經 閥1 6及質量流量控制器1 7，連接有處理氣體供給源1 8。 自處理氣體供給源1 8供給用以蝕刻之處理氣體。作爲處 理氣體可以使用鹵系氣體、〇2氣體、氬氣體等、通常在該 領域所使用之氣體。 腔室2之底壁連接有排氣管19，該排氣管19連接有 排氣裝置20。排氣裝置20具備有渦輪分子泵等之真空泵 ，依此構成能夠將腔室2內抽真空至特定減壓環境。在腔 室2之側壁形成有用以搬入搬出基板G之搬入出口 2 1， 並且設置有開關該搬入搬出口 2 1之閘閥22，構成於搬入 搬出口 2 1之開放時，基板G藉由當作搬運構件之搬運手 臂40 (參照第2圖、第4圖之假想線），在從下方支撐之 狀態下在鄰接之無圖式的負載鎖定室之間被搬運。 在承載器4之基板載置面形成有充塡He氣體等之調 溫氣體的無圖式冷卻空間，該調溫氣體是用以冷卻於電漿 蝕刻處理時載置於承載器4而被吸附之基板G，以通過承 載器4內貫通腔室2之底壁的方式，設置用以將調溫氣體 供給至該冷卻空間之調溫氣體供給線4 1。於調溫氣體供給 線4 1連接有調溫氣體供給源42，並且設置有用以調整調 -12- 200818385 溫氣體之供給壓的壓力控制閥43。 腔室2之底壁及承載器4是於承載器4之邊緣部位置 及中央部位置（比邊緣部位置內側或是靠中央位置）各形 成有貫通該些之插通孔7a、7b。插通孔7a是在各邊部隔 著特定間隔以兩處平均設置而形成合計8處，插通孔7b 是例如以與承載器4之對向的一對之邊平行配列之方式， 隔著特定間隔而形成兩處。插通孔7a、7b各自對承載器4 之基板載置面能夠伸縮地插入自下方支撐基板G而升降之 升降銷8a、8b (第1及第2升降銷）。升降銷8a、8b各 被設置成於突出時抵接於基板G之邊緣部及中央部，藉由 無圖示之定位用軸襯定位於徑方向或是寬度方向而插入至 插通孔7a、7b內。 第3圖爲基板載置機構之槪略圖。 升降銷8 a、8b各如第3圖所示般，下部突出於腔室2 之外側，下端部連接於驅動部9a、9b，藉由該驅動部9a 、9b之驅動而升降，依此構成對承載器4之基板載置面突 出及縮入。驅動部9a9b各使用例如步進馬達而構成。 升降銷8a、8b之下部各形成有突緣26，在各突緣26 連接有設置成圍繞升降銷8a、8b之可伸縮之伸縮管27之 一端部（下端部），該伸縮管27之另一端部（上端部） 連接於腔室2之底壁。依此，伸縮管27追隨於升降銷8a 、8b之升降而伸縮，並且密封插通孔7a、7b和升降管8a 、8b之間隙。 驅動部9a、9b之驅動爲藉由具備微處理器（電腦） -13- 200818385 之控制器3 1而個別被控制之構成，依此，構成升降銷8 a 和升降銷8 b可獨立升降。控制器3 1連接有工程管理者爲 了管理驅動部9a、9b之驅動執行指令之輸入操作等之鍵 盤，或由將驅動部9a、9b之驅動狀況予以可視化而顯示 之顯示器所構成之使用者介面3 2，和用以控制器3 1之控 制實現驅動部9a、9b之驅動的控制程式，或儲存記錄有 驅動條件資料等之處理程式的記憶部3 3。然後，因應所需 ，以來自使用者介面3 1之指示自任意處理程式叫出記憶 部33而使控制器31實行，依此在控制器31之控制下執 行驅動部9a、9b之驅動及停止。上述處理程式利用例如 儲存於CD-ROM、硬碟、快閃記憶體等之電腦可讀取之記 憶媒體之狀態者，或是亦可自其他裝置經例如專用回線隨 時傳送或利用。 控制器3 1、使用者介面3 1及記憶部3 3及記憶部3 3 是構成控制藉由驅動部9a、9b產生升降銷8a、8b升降之 控制部，承載器4、升降銷8a、8b、驅動部9a、9b及控 制部構成基板載置機構。 如此構成之電漿蝕刻裝置1首先在藉由閘閥22開啓 搬入搬出口 21之狀態下，藉由搬運手臂40 (第2圖、第 4圖之假想線）將基板G搬入至搬入搬出口 21而搬運至 承載器4之上方時，則使各升降銷8a、8b上昇而突出至 比搬運手臂40更高。並且，設置成各升降銷8a、8b和搬 運手臂40互相不接觸。依此，基板G從搬運手臂40上被 轉移至升降銷8 a、8b上。此時，如上述般，以基板G之 -14- 200818385 荷重分散至各升降銷8a、8b之方式，使升降銷8a位於比 升降銷8b更高出特定量，在下方彎曲凸狀之狀態下藉由 各升降銷8a、8 b支撐基板G。搬運手臂40自搬入搬出口 20退出至腔室2外，或藉由閘閥22關閉搬入搬出口 21， 並且，一面將升降銷8a保持比升降銷8b高出特定量之高 度，一面使升降銷8a、8b下降。然後，以升降銷8b、升 降交8a之順序使沉入至承載器4之載置面，將基板G載 置在承載器4。基板G之荷重因均衡佳分散至各升降銷8a 、8b，故基板G可以抑制因升降銷8a、8b之支撐反力所 產生之變形，尤其因升降銷8b所產生之中央部之變形， 可以在全面或是幾乎全面接觸於承載器4之載置面。 於藉由閘閥22關閉搬入搬出口 21，將基板G載置在 承載器4時，藉由排氣裝置20將腔室2內抽真空至特定 真空度。接著，藉由質量流量控制器1 7自處理氣體供給 源1 8流量調整處理氣體，並經處理器體供給管1 5、氣體 導入口 1 4及噴淋頭1 1供給至腔室2內，在該狀態下將直 流電壓施加至靜電吸附機構而使基板G吸附於承載器4。 然後，自高頻電源25經整合器24施加高頻電力至承 載器4，使高頻電場產生在當作下部電極之承載器4和當 作上部電極之噴淋頭Π之間而使腔室2內之處理氣體予 以電漿化，並且，爲了迴避基板G之溫度變化，例如溫度 上昇，藉由壓力控制閥43將來自調溫壓力供給源42之調 溫氣體調整成特定壓力，並且經調溫氣體供給線4 1導入 至被承載器4吸附之基板G之背面側之冷卻空間。在該狀 -15- 200818385 態下，藉由處理氣體之電漿對基板G施予蝕刻處理。 當對基板G施予蝕刻處理時，則停止來自高頻電 25之高頻電力之施加，並且停止處理氣體及調溫氣體之 入，並且解除藉由靜電吸附機構所產生基板G的吸附。 著，藉由閘閥22開啓搬入搬出口 2 1，並且與接收來自 運手臂40之基板G相同，使升降銷8a、8b上昇，使基 G下方彎曲成凸狀而自承載器4朝上方離開。之後，當 運手臂40自搬入搬出口 21進入至腔室2內時，則使升 銷8a、8b下降。依此，基板G自升降銷8a、8b轉移至 運手臂40上。然後，基板G藉由搬運手臂40自搬入搬 口 21被搬出至腔室2外。 本實施形態中，藉由將升降銷配置承比升降銷8b 高出特定量而在下方彎曲成凸狀之狀態下支撐基板G， 此因可以抑止因升降銷8a、8b間部份之彎曲以及升降 8b之支撐作用力所引起之基板G變形，並抑止基板G 當作下部電極發揮功能之承載器4浮起，故可以於電漿 刻處理時藉由自承載器4所供給之調溫氣體，將基板G 整個表面均等予以冷卻，依此能夠有效果抑止蝕刻不均 發生。再者，飩刻處理後也相同，因藉由將升降銷8a 置比升降銷8b高出特定量而在下方彎曲承凸狀之狀態 支撐基板G，可以抑止由於升降銷8b之支撐作用力所 起之基板G變形，故可以提高蝕刻之後處理的品質。 接著，針對藉由升降銷8a、8b接收來自搬運手臂 及承載器4之基板G之一例予以說明。 源 導 接 搬 板 搬 降 搬 出 更 依 銷 對 飩 在 勻 配 下 引 -16- 40 200818385 第5圖爲用以說明藉由升降銷8a、8b接收來自搬運 手臂40及承載器4之基板G之態樣的圖式。 藉由搬運手臂40所搬運之基板G有被該搬運手臂1〇 吸附之情形。此時，當將升降銷8a、8b —次上昇而自搬 運手臂40接收到基板G時，於自吸附有基板G之搬運手 臂40剝落時，受到衝擊而引起大振動，有引起位置偏移 破損之虞。在此，於藉由升降銷8a、8b自搬運手臂40接 收基板G時，首先如第5圖（a )所示般，將升降銷8 a配 置成比升降銷8b高出特定量，使升降銷8a、8b上昇，如 第5圖（b)所示般，基板G保持與搬運手臂40接觸而抵 接於升降銷8 a，在下方彎曲成凸狀之狀態，更佳爲基板G 將要自搬運手臂40離開之前的狀態時，暫時停止升降銷 8a、8b之上昇。依此，即使基板G吸附於搬運手臂40時 ，因漸漸自搬運手臂40剝落基板G，故可以抑制基板G 之振動。然後，如第5圖（c )所示般，再次開啓升降銷 8a、8b之上昇，使基板G自搬運手臂40離開。依此，能 夠將基板G從搬運手臂40上安全轉移至升降銷8a、8b上 〇 並且’如第5圖（c )所示般，於再次開啓升降銷8a 、8b，使基板G自搬運手臂40離開時，例如藉由搬運手 臂40吸附中央部，於基板G產生振動時，則如第5圖（d )所示般，使升降銷8a、8b下降。然後，如第5圖（e ) 所示般’基板G下方彎曲成凸狀而再次接觸於搬運手臂 40之狀態’更佳爲緊跟著基板G接觸於搬運手臂4 0之後 -17- 200818385 的狀態時，停止升降銷8a、8b之下降。在該狀態中，因 基板G和搬運手臂之接觸部份爲小’有基板G再次吸附 於搬運手臂40之虞，故可以確實抑制基板G之振動。之 後，如第5圖（f)所示般，藉由再次使升降銷8a、8b上 昇，使基板G自搬運手臂40離開，則能夠藉由升降銷8a 、8b將基板G自搬運手臂40上安全轉移。 第6圖爲用以說明藉由升降銷8a、8b接收來自承載 器4之基板G之態樣的圖式。 蝕刻處理後之基板G因有即使解除藉由靜電吸附機構 之吸附，亦吸附於當作下部電極之承載器4之情形，故藉 由升降銷8a、8b執行來自承載器4之基板G的接收，也 與來自搬運手臂40之接收相同爲佳。首先，如第6圖（a )所示般，以將升降銷8a配置成比升降銷8b高出特定量 之方式，使升降銷8a、8b上昇（即使緊使升降銷8a上昇 亦可〇，如第6圖所示般，在保持基板G與搬運手臂40 接觸而抵接於升降銷8a，在下方彎曲成凸狀之狀態，更佳 爲基板G將要自搬運手臂40離開之前的狀態時，暫時停 止升降銷8 a、8 b之上昇。然後，如第6圖（c )所示般， 再次開啓升降銷8a、8b之上昇，使基板G自搬運手臂40 離開。依此，能夠抑制基板G之振動，使基板G安全從 承載器4轉移至升降銷8a、8b上。 再者，如第6圖（c )所示般，再次開啓升降銷8a、 8b ’使基板G自承載器4離開時，例如藉由承載器4吸附 中央部，於基板G產生振動時，則如第6圖（d )所示般 -18- 200818385 ，使升降銷8a、8b下降。然後，如第6圖（e )所示般， 基板G下方彎曲成凸狀而再次接觸於承載器4之狀態，更 佳爲緊跟著基板G接觸於承載器4之後的狀態時，停止升 降銷8a、8b之下降。之後，如第6圖（f)所示般，藉由 再次使升降銷8a、8b上昇，使基板G自搬運手臂40離開 。依此，可以更確實抑制基板G之振動，能夠藉由升降銷 8a、8b安全將基板G自承載器4上轉移。 接著，調整升降銷8a和升降銷8b之突出高度之差， 並且，測量支撐基板G之時之作用於各升降銷8a、8b之 基板G之荷重。基板G之尺寸（縱X橫）爲1 8 00mm X 1 5 00mm，作用於各升降銷8a、8b之基板G之荷重之測量 ，是如第7圖所示般，藉由設置在各升降銷8a、8b之前 端部之荷重檢測部之荷重檢測器50而執行。將結果表示 於第8圖。並且，第8圖中，將縱軸設爲（各荷重感測器 50所取得之測量値），將橫軸設爲（升降銷8b之高度-升 降銷8 a之高度）。 如第8圖所示般，於將升降銷8a配置成比升降銷8b 些許高之時，雖然藉由各荷重感測器50所取得之測量値 產生大偏差程度，但是隨著升降銷8a和升降銷8b之高度 之差變大，藉由各荷重感測器5 0所取得之測量値之偏差 程度變小，於將升降銷8a配置成比升降銷8b高出特定量 ，在此例如20mm時，則比將升降銷配置成與升降銷8b 相等高度之時，或是升降銷8 a配置成比升降銷8 b低之時 ，藉由各荷重感測器5 0所取得之測定値之偏差程度變小 -19- 200818385 。即是，如本實施形態般，確認出藉由將升降銷8 a配置 成比升降銷8b高出特定量，可以均衡佳將基板G之荷重 分散至各升降銷8a、8b。因此，若藉由本實施形態，可以 抑止基板G之變形，並且可以安定基板G而予以支撐。 以上，雖然說明本發明之最佳實施形態，但是本發明 並不限定於上述實施形態，可作各種變更。上述實施形態 雖然以設置多數根例如兩根支撐基板中央部之升降銷，但 是即使1根該升降銷亦可。再者，上述實施形態中，雖然 使用配置成比支撐基板周邊緣部之升降銷支撐基板中央部 之升降銷高出特定量之獨立驅動部，但是並不限定於此， 亦可重新改變升降銷之長度，藉由相同驅動部驅動各升降 銷，重新改變各升降銷之長度，並且亦可使用獨立之驅動 部。並且，上述實施態中，雖然僅針對適用於對下部電極 施加高頻電力之RIE型之電容耦合型平行平板電漿蝕刻裝 置之例予以說明，但並不限定於此，亦可以適用灰化、 CVD成膜等之其他電漿處理裝置，亦可以適用於將基板載 置於載置台而予以處理之電漿裝置以外之基板處理裝置全 部。並且，雖然在上述實施形態中，針對適用於FPD用之 玻璃基板之例予以說明，但是亦可適用於FPD用之玻璃基 板以外之具有可撓性之基板全部。 【圖式簡單說明】 第1圖爲具備有本發明所涉及之基板載置機構之基板 處理裝置之一實施形態的電漿裝置之側面方向之槪略剖面 -20- 200818385 圖。 第2圖爲電漿鈾刻裝置之平面方向之槪略剖面圖。 第3圖爲基板載置機構之槪略圖。 第4圖爲用以說明藉由屬於基板載置機構之構成要素 的升降銷支撐基板之態樣的圖式。 第5圖爲用以說明藉由升降銷接收來自搬運手臂之基 板的態樣之圖式。 第6圖爲用以說明藉由升降銷接收來自承載器之基板 的態樣之圖式。 第7圖爲用以說明作用於升降銷之基板之荷重的測量 方法之圖式。 第8圖爲表示第7圖所示之測定方法所取得之測定結 果之圖式。 第9圖爲以往之基板載置機構之槪略圖|。 【主要元件符號說明】 1 :電漿飩刻裝置（基板處理裝置：電獎處理裝置） 2 :腔室（處理容器） 4 :承載器（載置台） 8a :升降銷（第1升降銷） 8b :升降銷（第2升降銷） 9a、9b :驅動部（驅動機構） 1 5 :處理氣體供給管 1 8 :處理氣體供給源 -21 - 200818385 1 9 :排氣管 20 :排氣裝置 2 5 :高頻電源 3 1 :控制器 3 2 :使用者介面 3 3 :記憶部 40 :搬運手臂（搬運構件） 50 :荷重感測器（荷重檢測部） G :玻璃基板（被處理基板）

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Claims (1)

1. 200818385 十、申請專利範圍 1 · 一種基板載置機構，具備有 載置台，用以載置具有可撓性之被處理基板； 多數升降銷，被設置成對上述載置台之載置面伸縮自 如’支撐被處理基板而在執行交接上述載置台之上方之基 板的交接位置和上述載置台上之載置位置之間予以升降； 和 驅動機構，用以驅動上述升降銷，其特徵爲： 上述多數升降銷具有支撐被處理基板之邊緣部之第1 升降銷，和支撐被處理基板之中央部的第2升降銷， 上述驅動機構是於升降被處理基板時，使上述第1升 降銷比上述第2升降銷突出更高，在被處理基板下方彎曲 成凸狀之狀態下安定地被支撐。 2 ·如申請專利範圍第1項所記載之基板載置機構， 其中，上述驅動機構能夠獨立使上述第1升降銷和上述第 2升降銷驅動。 3 .如申請專利範圍第1或2項所記載之基板載置機 構，其中，具備用以控制由於上述驅動部所產生之上述第 1及第2升降銷之驅動的控制部， 上述控制部是在使上述載置位置之被處理基板朝向上 述交接位置上升之途中，於被處理基板保持與上述載置台 接觸而下方彎曲成凸狀之狀態時，暫時使朝向上述第1及 第2升降銷之突出方向的驅動停止。 4.如申請專利範圍第1或2項所記載之基板載置機 -23- 200818385 構，其中，具備用以控制由於上述驅動部所產生之上述第 1及第2升降銷之驅動的控制部， 上述控制部是在使上述載置位置之被處理基板朝向上 述交接位置上升之途中，於被處理基板保持與上述載置台 接觸，下方彎曲成凸狀之狀態時，暫時使朝向上述第1及 第2升降銷之突出方向的驅動停止，於再次開啓該驅動而 使被處理基板自上述載置台離開之後，使上述第1及第2 升降銷往縮入方向驅動，於被處理基板下方彎曲成凸狀而 接觸於上述載置台之狀態時，停止該驅動，之後，使上述 第1及第2升降銷再次往突出方向驅動。 5 .如申請專利範圍第3或4項所記載之基板載置機 構，其中，上述第1及第2升降銷是構成將藉由搬運構件 從下方被支撐而被搬運至上述交接位置的被處理基板予以 交接， 上述控制部是在上述第1及第2升降銷朝向上述交接 位置而往突出方向驅動之途中，於被處理基板保持與上述 搬運構件接觸而於下方彎曲成凸狀之狀態時，暫時停止朝 向上述第1及第2升降銷之突出方向的驅動。 6 .如申請專利範圍第3或4項所記載之基板載置機 構，其中，上述第1及第2升降銷是構成將藉由搬運構件 從下方被支撐而被搬運至上述交接位置的被處理基板予以 交接， 上述控制部是在上述第1及第2升降銷朝向上述交接 位置而往突出方向驅動之途中，於被處理基板保持與上述 -24- 200818385 搬運構件接觸而於下方彎曲成凸狀之狀態時，暫時停止朝 向上述第1及第2升降銷之突出方向的驅動，再次開啓該 驅動而使被處理基板自上述搬運構件離開之後，使上述第 1及第2升降銷往縮入方向驅動，於被處理基板下方彎曲 成凸狀而接觸於上述搬運構件之狀態時，停止該驅動，之 後，使上述第1及第2升降銷再次往突出方向驅動。 7. —種基板處理裝置，其特徵爲：具備 處理容器，用以收容被處理基板； 基板載置機構，被設置在上述處理容器內，具有載置 被處理基板之載置台；和 處理機構，對被載置於上述載置台之被處理基板施予 特定處理， 上述基板載置機構具有申請專利範圍第1至6項中之 任一項所記載之構成。 8 ·如申請專利範圍第7項所記載之基板處理裝置， 其中，上述處理機構具有將處理氣體供給至上述處理容器 內之氣體供給機構，和將上述處理容器內予以排氣之排氣 機構，和在上述處理容器內生成上述處理氣體之電漿的電 漿生成機構，對被處理基板施予電漿處理。 9· 一種基板交接方法，藉由對載置具有可撓性之被 處理基板之載置台的載置面伸縮的多數升降銷，支撐被處 理基板而在執行交接上述載置台之上方之基板的交接位置 和上述載置台上之載置位置之間予以升降，其特徵爲： 由支撐被處理基板之邊緣部之第1升降銷，和支撐被 -25 - 200818385 處理基板之中央部的第2升降銷構成上述多數升降銷， 於使被處理基板升降時，使上述第1升降銷突出比上 述第2升降銷更高，在被處理基板下方彎曲成凸狀之狀態 下安定地被支撐。 10.如申請專利範圍第9項所記載之基板交接方法， 其中，在上述第1及第2升降銷各設置檢測被處理基板之 荷重的荷重檢測部，根據上述各荷重檢測部之檢測結果， 調整上述第1升降銷和上述第2升降銷之突出高度之差。 1 1 .如申請專利範圍第9或1 0項所記載之基板交接 方法，其中，在使上述載置位置之被處理基板朝向上述交 接位置而上昇之途中，於被處理基板保持與上述載置台接 觸而於下方彎曲成凸狀之狀態時，暫時停止朝向上述第1 及第2升降銷之突出方向的驅動。 1 2 .如申請專利範圍第9或1 0項所記載之基板交接 方法，其中，在使上述載置位置之被處理基板朝向上述交 接位置而上昇之途中’於被處理基板保持與上述載置台接 觸而於下方彎曲成凸狀之狀態時’暫時停止朝向上述第1 及第2升降銷之突出方向的驅動，再次開啓該驅動而使被 處理基板自上述載置台離開之後’使上述第1及第2升降 銷往縮入方向驅動，於被處理基板下方彎曲成凸狀而接觸 於上述載置台之狀態時，停止該驅動，之後’使上述第1 及第2升降銷再次往突出方向驅動。 1 3 .如申請專利範圍第9至1 2項中之任一項所記載 之基板交接方法，其中，將上述第1及第2升降銷構成將 26 - 200818385 藉由搬運構件從下方被支撐而被搬運至上述交接位置的被 處理基板予以交接， 在上述第1及第2升降銷朝向上述交接位置而往突出 方向驅動之途中，於被處理基板保持與上述搬運構件接觸 而於下方彎曲成凸狀之狀態時，暫時停止朝向上述第1及 第2升降銷之突出方向的驅動。 1 4 ·如申請專利範圍第9至1 2項中之任一項所記載 之基板交接方法，其中，將上述第1及第2升降銷構成將 藉由搬運構件從下方被支撐而被搬運至上述交接位置的被 處理基板予以交接， 在上述第1及第2升降銷朝向上述交接位置而往突出 方向驅動之途中，於被處理基板保持與上述搬運構件接觸 而於下方彎曲成凸狀之狀態時，暫時停止朝向上述第1及 第2升降銷之突出方向的驅動，再次開啓該驅動而使被處 理基板自上述搬運構件離開之後，使上述第1及第2升降 銷往縮入方向驅動，於被處理基板下方彎曲成凸狀而接觸 於上述搬運構件之狀態時，停止該驅動，之後’使上述第 1及第2升降銷再次往突出方向驅動。 15. 一種電腦可讀取之記憶媒體，爲記憶有在電腦上 動作之控制程式，其特徵爲： 上述控制程式於實行時以執行申請專利範圍第9項至 申請專利範圍第1 4項中之任一項所記載之基板交接方法 的方式，使電腦控制處理裝置。 -27-