TW200817830A - Method for manufacturing mask, method for manufacturing wiring pattern, and method for manufacturing plasma display - Google Patents
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Description
200817830 九、發明說明: 【發明所屬之技術領域】 本發明係關於遮罩之製造方 電漿顯示器之製造方法。 佈線圖案之製造方法及 【先前技術】 作為在基板上形成圖案(佈線圖 網印刷法、⑽法、蒸料 ,’-般使用絲
U 佈線形成材料塗佈或使其附用‘罩,將 案。 呻!之形狀,而形成圖 又,作為使用遮罩之另一圖宰 口系之形成方法,已知有在某 板上設置濕潤性變化層 ^ ^ 1 、二由遮罩而猎賦予紫外線等能 源’形成濕潤性高之區域與低 .LL ^ /、低之區域,在此等區域分別塗 佈塗液而形成圖案(例如參照專利文獻”。 [專利文獻1]日本特開2004-71473號公報 【發明内容】 (發明所欲解決之問題) 而,上述專利文獻1所使用之遮罩係由具有透光性之遮 罩基板、與利用上述圖案形成方法,例如濺射法形成在前 述遮罩基板上之遮罩圖案所構成。但,利用濺射法之遮罩 圖案之形成步驟在圖案化時需要原版用之遮罩。一般而 吕,原版用遮罩由於非常昂貴,故不能充分降低遮罩之製 造成本。 本發明係鑑於上述情況而設計者,其目的在於提供可藉 低成本獲付遮罩之遮罩之製造方法,提供使用低廉之遮罩 120583.doc 200817830 謀求低成本化之佈線圖案之製造方法。又,其目的在於提 供使用低廉之遮罩謀求低& 士 k 旱朱本低成本化之電漿顯示器之製造方 法。 (解決問題之技術手段) 本發明之料之製造方法之特徵在於包含:在透光性基 板之至少-方之面施以疏液處理之步驟;在前述透光性基 板之疏液處理面上,利用液滴嘴出法將遮光材料配置成希 Ο Ο 望之形狀之步驟;及對該遮光材料進行燒成,在前述透光 性基板上形成遮光圖案之步驟者。 依據本發明之遮罩之势造太土 早Ik方法,由於利用液滴喷出法將 遮光圖案形成於希望之位t, 罝故例如在將遮光材料圖案化 t際,不需要對應於圖案形狀之原㈣遮罩,故可降低遮 製造成本。尤其在製造如佈線圖案形成用之遮罩之類 之多品種少量生產之逆罝 遮罩之際適用本發明時,可以低成本 形成利用此遮罩所形成之佈線圖案等。 本發明之布線圖案之t 、仏方法之特徵在於包含··遮罩形 成步驟,其係在透光性 方之面施以疏液處 別述透先性基板之疏液處理面上,利用液滴喷出法 =遮光材料’對該遮光材料進行燒成,藉而在前述透光 =形:圖案;在基體之—方之面上施以疏液處 理之步驟,經由前述遮 亦日11 《卓對別述基體之疏液處理面施行 先旧射,將則述疏液處理 ^ ^^^ 邛刀親液化,形成親液區 域之步驟,在前述親液 ,^ α用液滴贺出法配置導電性 功能液之步驟;及對該導 v電陸功旎液進行燒成,形成佈線 120583.doc 200817830 圖案之步驟。 依據本發明之布線圖案之製造方法,由於利用液滴喷出 法將遮光圖案形成於希望之位置,故不需要如以往一般在 將遮光材料圖案化時另外需要之對應於圖案形狀之遮罩, 故可降低衫之製料本。故可抑低成本之料製造低 成本之佈線圖案。尤其在利用多品種且少量生產之遮罩形 成佈線圖案之情形中適用本發明時,可以更低成本製造佈 線圖案。
而’使用於形成小寬度之佈線圖案之情形之遮罩之遮光 圖案雖不此使寬度小於利用液滴喷出法所噴出之液滴之喷 出么,但郃可利用小於喷出徑之間隔配置。穿透如此以小 於液滴之噴出徑之間隔配置之遮光圖案間之光可在疏液處 理面形成小於噴出徑之寬度之親液區域。 故即使液滴之噴出徑大於親液區域之寬度之情形,配置 於前述親液區域之導電性功能液也由於該親液區域 變成疏液區域,故可良好地濕潤擴散至前述親液區域内, 形成小於液滴徑之寬度之佈線圖案。 在上述佈線圖案之製造方法中,最好其特徵在於:將以 絕緣膜覆蓋前述佈線圖案之步驟、在該絕緣膜施以前述疏 液處理之步驟、利用以前述遮罩形成步驟所形成之遮罩, 在别述絕緣膜之疏液處理面形成前述親液區域之步驟、及 在該親液區域形成其他佈線圖案之步驟重複施行,藉此形 成佈線圖案之層積構造。 依據此構成,可以低成本提供層積微細之佈線圖案而可 120583.doc 200817830 南積體化之構造。 在上述佈線圖案之製造方法中,最好在前述遮罩形成步 驟中,包含配置接受光照射而促進親液化之光觸媒在前述 遮光圖案之間而使其成為該遮光圖案之高度以上之步驟; 使前述光觸媒接觸於前述基體之疏液處理面而配置前述遮 罩,施行光照射,藉此形成前述親液區域。 如此一來,可藉光照射時接觸於疏液處理面之光觸媒材 料產生之光觸媒效應促進親液化處理,確實且在短時間形 成親液圖案。 本發明之電漿顯示器之製造方法係包含相互對向配置之 對基板、$又於一方基板之位址線、及設於另一方基板之 匯流排電極之電漿顯示器之製造方法,其特徵在於包含: 遮罩形成㈣,其係在透光性基板之至少-方之面施以疏 液處理,在前述透光性基板之疏液處理面上,利用液滴喷 出法配置遮光材料,對該遮光材料進行燒成,而在前述透 〇 光性基板上形成遮光圖案;在前述一對基板中之至少一方 的一方之面施以疏液處理之步驟;經由前述遮罩,對前述 基板之疏液處理面施行光照射,將前述疏液處理面之一部 分親液化,形成親液區域之步驟;利用液滴喷出法,在前 述親液區域配置導電性功能液之步驟;及對該導電性功能 液進行燒成,形成前述位址佈線及匯流排電極之至少一方 之步驟。 依據本么明之電漿顯示器之製造方法,由於利用液滴噴 出法將遮光圖案配置形成於希望之位置,而利用謀求成本 120583.doc 200817830 降低之遮罩製造位址電極及匯流排電極之至少一方,故可 以低成本提供具備該位址電極及匯流排電極之電漿顯示 器。 【實施方式】 以下’說明有關本發明之實施型態。 首先,說明有關之遮罩之製造方法之一實施型態。又, 本實施型態所得之遮罩可使用於後述之佈線圖案之製造方 法及電漿顯示器之製造方法。 圖1〜圖3係表示本實施型態之遮罩之製造步驟之概略之 圖。又,本發明之遮罩之製造方法在製造多品種且少量生 產之遮罩之情形相當有效。 首先,準備玻璃基板(透光性基板)5作為遮罩之基材, 如圖1所示,對玻璃基板5之^方之面施以疏液處理。如圖 1所示,在本實施型態中,作為對玻璃基板5賦予疏液性之 方法’形成有機分子等構成之自我組織化膜(自我組織化 早分子膜· SAM (Self Assembled Monolayer))6。又,在形 成自我組織化膜6之前,最好在玻璃基板5之表面施行利用 紫外線照射或溶媒洗淨等之前處理。 在此,上述所謂自我組織化膜6,係由可與玻璃基板5之 表層原子反應之鍵合性官能基與其他直鏈分子所構成,藉 直鏈分子之相互作用而使具有極高定向性之化合物定向所 形成之膜。此自我組織化膜6因係使單分子定向所形成, 故可成為膜厚極薄且分子位準均勻之膜。即,可藉使相同 之分子位於膜表面,而使膜表面附有均勻且優異之疏液 120583.doc -10- 200817830 性。 作為具有咼疋向性,適合於形成上述自我組織化膜6之 化合物,可列舉氟代烷基矽烷(以下稱FAS),具體上,可 列舉十七氟-1,1,2,2四氫癸基三乙氧基矽烷、十七氣· 1,1,2,2四氫癸基二甲氧基石夕烧、十七氟四氫癸基三 氣矽烷、十三氟-1,1,2,2四氫辛基三乙氧基矽烷、十三氟_ ι,ι,2,2四氫辛基二甲氧基矽烷、十三四氫辛基三 氯矽烷、三氟丙基三甲氧基矽等。在使用之際,單獨使用 一種化合物固屬理想,但也可組合使用2種以上之化合 物。 FAS—般係以結構式表示。在此,n係表示i 以上3以下之整數,X係表示曱氧基、乙氧基、齒素原子等 加水分解基。又,R係表示氟代烷基,具有 (CF3)(CF2)x(CH2)y(在此,χ表示〇以上1〇以下之整數;^表 不〇以上4以下之整數)之結構,複數個尺或又鍵合於Si之情 〇 % ’ R或x既可分別全部相同’亦可相#。X所示之加水分 解基係藉加水分解而形成石夕醇,與底層之玻璃基板5之經 基起反應而藉矽氧烷鍵與玻璃基板5鍵合。 另一方面,R因表面具有(CF3)等之氣基,故可將底層之 玻璃基板5之表面改性成為不會濕潤(表面能量較低而疏液 性較高)之表面。 作為形成上述自我組織化膜6之方法,構成上述自我組
織化膜6之原料之化合物既可A 凡」馬乳相,也可為液相。前述 化合物為氣相之情形,將前诫 卞引地化合物與玻璃基板5收容於 120583.doc -11 - 200817830 同一岔閉容器中,在室溫之情形,放置2〜3日程度時,可 在玻璃基板5上形成自我組織化膜。又,將前述密閉容器 全體維持於1〇(TC時,也可將在玻璃基板5上形成自我組織 化膜6之時間縮短至3小時程度。另一方面,前述化合物為 液相之情形,例如可將玻璃基板5浸潰於含前述化合物之 溶液中’經洗淨、乾燥而在玻璃基板5上形成自我組織化 膜6 〇 q 在形成自我組織化膜以外,作為對玻璃基板5上賦予疏 液性之手段,可列舉在常壓或真空中照射電漿之方法。使 用於電漿照射之氣體種類可考慮玻璃基板5之表面材質而 作種種選擇。作為處理氣體,例如,可使用四氟化甲烷、 全氟己燒、全氟癸烷等氟烴系氣體。此情形,可在玻璃基 板5之表面形成疏液性之氟化聚合膜。作為電漿處理之條 件,例如電漿功率50〜1000 W、四氟化碳氣流量5〇〜1〇〇 mL/min、對電漿放電電極之基體搬送速度〇5〜1〇2〇 (j mm/sec、基體溫度70〜901。 接著’在施行疏液處理之玻璃基板5之自我組織化膜6 上,利用液滴喷出法(喷墨法)配置具有構成遮罩圖案用之 遮光性之功能墨水(遮光材料)7。作為此功能墨水7,係由 分散媒中分散有導電性微粒子之分散液所構成。在本實施 型態中,作為導電性微粒子,例如,使用含銀、銅、鉻、 及鎳等之金屬微粒子。又,為提高此等導電性微粒子之分 散性,也可在表面塗佈有機物等。 又,作為分散媒,只要屬於可使上述導電性微粒子分 120583.doc •12- 200817830 散,且不引起凝聚之材料, 分散性與分散液之安定性、 之點上,可列舉水、醇類 物0 並無特別限定,但在微粒子之 及適用於液滴噴出法之容易度 炭化氫系化合物、醚系化合 職心出法之噴出技術,可列舉帶電控制方 加壓振動方式、電氣機械變換方式 式、靜電吸引方式等。帶雷㈣m 电U奐方 ^ , 5 J. 工制方式係以帶電電極將電荷
〇 料又以偏向電極控制材料之飛翔方向而由喷嘴喷 施力丄 壓振動方式係將3° kg/Cm2程度之超高壓 使材料向噴嘴前端側噴出之方式,不施加控 = = 材料直接前進而由噴嘴噴出,施加控制電 麼時,在材料間會發生靜 斥,材料會飛濺而不由喷 為 _,電軋機械變換方式係利用壓電元件(piezo元 徵又到脈衝陡的電氣信號而變形之性質’藉壓電元件之 =形而在儲存材料之空間,經由可撓物質施加壓力,將材 料由該空間擠出而由噴嘴噴出之方式。 電氣熱變換方式係利用設在儲存材料之空間内之加 熱器,使材料急遽氣化而產生氣泡(bubble),#氣泡之壓 +、出二間内之材料。靜電吸引方式係對儲存材料之空間 内施加微小壓力’在噴嘴形成材料之彎月®,在此狀態施 ㈣電引力後吸出材料。又,此外,利用電場引起之流體 ,黏度變化之方式及以放電火花使其飛濺之方式等技術也 可適用。液滴噴出法具有材料之使用浪費少、,且可確實將 希望量之材料配置於希望之位置之優點。 120583.doc -13- 200817830 在本實施型態中,如圖2所示,由喷墨裝置(液滴喷出裝 置)之墨水喷出頭(液滴喷出頭)Η對玻璃基板5喷出(滴下)功 能墨水7。使用此種喷墨裝置,可將功能墨水7配置於希望 之位置,故可不用使用遮罩之光微影步驟而在玻璃基板5 上形成希望之圖案。
Ο 而,如圖2所示,利用喷出於玻璃基板5上之功能墨水7 所描繪之圖案會呈現與喷墨頭Η所喷出之液滴7a之噴出徑 B(例如50 μηι)同等以上之大小,不能使寬度特別小於喷出 徑Β。但,可藉控制喷墨頭η之位置而以小於噴出徑β之間 隔Α(例如40 μιη)喷出功能墨水7,描繪圖案。 (燒成步驟) 接著’在玻璃基板5上配置功能墨水7後,例如對玻璃基 板5施以熱處理,對功能墨水7進行燒成。 熱處理通常在大氣中進行,但必要時,也可在氮、氬、 氦等惰性氣體環境中進行。熱處理之處理溫度需考慮分散 媒之沸點(蒸氣壓)、環境氣體之種類及壓力、微粒子之八 散性及氧化性等熱的動態、塗佈材料之有無及其量、以: 基材之耐熱溫度等之後再適宜地加以決定。例如在 以潔淨爐在㈣〜戰施行10〜20分鐘之燒成步驟。又, 為除去有機銀化合物之有機成分,需要以約細。◦ 、成。又,贺出步驟後之功能墨水?可 ^ 成圖3所示之遮罩圖案(遮光圖案)ΜΡ。胃ν驟變換 置如此形成之遮罩圖_係以小於嘴出斷間隔Α被配 120583.doc -14- 200817830 接著’在形成於玻璃基板5上之前述遮罩圖案MP之間, 以在前述遮罩圖案MP之高度以上,更理想為與前述遮罩 圖案MP之高度同等方式配置光觸媒2〇。此光觸媒2〇係由 接受後述之光照射而促進親液化處理之材料所構成,例如 可列舉二氧化鈦、氧化鋅、氧化錫等,可由此等中混合i 種或2種以上使用。 此等光觸媒20中,尤以二氧化鈦之帶隙能量較高,化學 上安定而無毒性,且容易獲得,故在本實施型態中予以使 用。二氧化鈦構成之光觸媒20可利用使四氯化鈦等鈦之無 機鹽或四乙氧基鈦等之有機鈦化合物在玻璃基板5上加水 分解及脫水縮合,接著燒成而形成。利用以上之步驟製造 遮罩Μ。 依據本實施型態,由於利用喷墨法將遮罩圖案Μρ配置 形成於希望之位置,故不需要對應於在將遮光材料圖案化 之際之圖案形狀之遮罩,故可降低遮罩之製造成本。尤其 Q 在製造多品種且少量生產之遮罩之情形適用本發明時,可 使上述遮罩Μ成為更低成本之遮罩,故如後所述,可利用 該遮罩Μ製造低成本之佈線圖案。 接著,說明有關佈線圖案之製造方法之一實施型態。在 本實施型態中,如後所述,雖說明形成比噴墨頭Η喷出之 液滴更窄寬度之佈線圖案之情形,但本發明之佈線圖案之 製^方法可在形成任思寬度之佈線圖案之際適用。 本實施型態係利用上述遮罩之製造方法所得之遮罩M, 在被施行疏液處理之基體上施行光照射而在疏液區域形成 120583.doc -15- 200817830 親液圖案,利用喷墨法(液滴喷出法)在基體上形成佈線圖 案。因此’省略有關形成上述遮罩Μ之步驟之說明。在本 發明中,所謂基體,並不僅指基板,亦含設在基板上之絕 緣層。 準備形成佈線圖案之佈線形成用基板(包含於基體 中)100。在本實施型態中,使用玻璃基板作為佈線形成用 基板100。 ^ 如圖4所示,在前述佈線形成用基板100之一方面側,與 上述遮罩之製造步驛同樣地施行FAS之疏液處理。藉此, 在佈線形成用基板1 〇〇形成自我組織化膜(疏液處理 面)106。又,作為其他之疏液處理,也可在佈線形成用基 板100上形成氟官能基導入矽、含氟樹脂、或氟系矽烷耦 聯劑等。 如此形成自我組織化膜106後,利用前述遮罩]^,在自 我組織化膜106施行光(紫外線)照射,形成親液區域。 (^) 具體上,如圖5所示,將形成遮罩Μ之遮罩圖案MP及光 觸媒2 0之側配置成與佈線形成用基板1⑼相對向。此時, 如上所述,由於光觸媒20被配置成在遮罩圖案μρ之高度 以上,故光觸媒20呈現與佈線形成用基板1〇〇面接觸之狀 態。在此種狀態下,經由前述遮罩Μ對佈線形成用基板 100照射紫外線(UV)。 圖6係表示對形成前述自我組織化膜106之佈線形成用基 板100照射紫外線之紫外線照射裝置200之模式圖。 如圖6所示’紫外線照射裝置200包含可射出具有特定波 120583.doc •16- 200817830 ^ hf*(UV)之紫外線射出部211、及支持玻璃基板5之 、^外線射出部211所射出之紫外光照射於支持在台 之遮罩M、及佈線形成用基板1〇〇。 ^ 又有σ驅動部213,利用此台驅動部213,可向 I〜肖掃也支持佈線形成用基板1GG之台212。紫外線照 ^置20〇可_面特定方向掃描佈線形成用基板⑽,一面 兔卜線射出部211射出紫外線,藉以對佈線形成用基板
:〇照射紫外光。佈線形成用基板100較小之情形,也可不 知描佈線形成用基板⑽而照射紫外光。當然,也可一面 移動紫外線射出部,_面對佈線形成用基板⑽照射紫外 光。 作為知射紫外線之條件之_例,若為波長W⑽、燈強 =15 mW/cm之燈,以相離17 mm程度,全面均勻地照射 ”線方式使玻璃基板5以4 mm/sec在燈下來回移動3 次。 Ο 在此,备、外線照射裝置2〇〇如圖5所示,可經由遮罩“對 佈線形成用基板1〇〇之表面照射紫外光。紫外光會被具有 遮光I4生之遮罩圖案MP阻斷,穿透設於遮罩圖案Mp間之光 觸媒20,知射於前述自我組織化膜1〇6。光穿透遮罩μ之 際岫述遮罩圖案Μρ之侧面部具有自我對準的功能。 又,在光穿透區域中,由於光觸媒2〇接觸於形成於佈線形 成用基板100上之自我組織化膜1〇6,故在該接觸面上,可 藉光觸媒效應促進親液處理。又,有關光觸媒效應,要促 進親液處理,未必需要使光觸媒2〇接觸於自我組織化膜 120583.doc -17- 200817830 106 〇 故如圖7所示,被照射紫外線之區域之自我組織化膜1〇6 可藉疏液性之降低而被親液化,成為親液圖案(親液區 域)1〇8,另一方面,未被照射紫外線之自我組織化膜ι〇6 仍維持疏液性而成為疏液圖案107。即,在佈線形成用基 板100之面上形成親液圖案108與疏液圖案107。 前述親液圖案108對應於被照射穿透遮罩圖案Μρ間之紫 〇 外線之區域。故親液圖案108之寬度為鄰接之遮罩圖案ΜΡ 間之間隔。即,遮罩圖案ΜΡ如圖2所示,係以小於喷墨頭 Η所喷出之噴出徑之間隔a被配置,故前述親液圖案1⑽之 寬度(圖2中所示之間隔A)小於喷墨頭η所喷出之液滴徑。 接著,如圖8所示,由喷墨頭(未圖示)向佈線形成用基 板100之前述親液圖案1〇8喷出導電性墨水(導電性功能 液)5〇。又,在墨水配置步驟開始前,預先由佈線形成用 基板100卸下前述遮罩Μ。 U 作為此種導電性墨水5〇,例如使用有機銀化合物,作為 溶媒(分散媒),例如使用二乙二醇二乙醚。此時,作為被噴出 液滴之佈線圖案形成預定區域之親液圖案108係被周圍呈 現疏液性之疏液圖案1〇7所包圍,故即使在被喷出液滴之 徑大於親液圖案108之寬度之情形,也可良好地向親液圖 案1〇8之長度方向濕潤擴散,使其良好地位於親液圖案 内。 精由對剞述導電性墨水5 〇施以熱處理並加以燒成, 如圖9所示,可形成佈線圖案40。作為燒成步驟,因與上 120583.doc -18- 200817830 述遮罩Μ之製造步驟中施行之處理相同,故省略其說明。 依據本實施型態之布線圖案40之製造方法,由於利用噴 墨法將遮罩圖案ΜΡ形成於希望之位置,故不需要如以往 一般在將遮光材料圖案化時另外需要之對應於圖案形狀之 一般非常昂貴之原版用遮罩,故可降低遮罩乂之製造成 本。故可利用此種低成本之遮罩撾以低成本製造佈線圖案 40 〇 Q 故不而要在遮罩之製造成本上造成大影響之原版用遮 罩’尤其在上述遮罩Μ為多品種且少量生產之遮罩之情 形,可大幅降低製造成本。因此,使用此種遮罩Μ時,可 以更低成本製造佈線圖案4〇。 又,遮罩圖案ΜΡ係以小於液滴7 a之噴出徑之間隔配 置’故可藉透過該遮罩圖案Mp間之紫外線,形成小於液 滴7a之喷出徑之寬度之親液圖案1〇8。故可利用具備此種 親液圖案108之前述遮罩乂而以低成本製造小於導電性墨 Q 水50之液滴徑之寬度之佈線圖案40。 又’也可使用本發明之佈線圖案之製造方法製造如圖i 〇 所示之佈線圖案之層積構造70。 此情形’在前述佈線形成用基板1 〇〇形成佈線圖案4〇 後,可將以絕緣膜60覆蓋佈線圖案4〇之步驟、在該絕緣膜 60施以疏液處理之步驟、利用以上述遮罩M,在前述絕緣 膜60之疏液處理面形成親液圖案(親液區域)1〇8,之步驟、 及在該親液區域1〇8’形成其他佈線圖案4〇,之步驟重複施 行,藉此形成佈線圖案之層積構造7〇。又,在圖1〇中,雖 120583.doc -19- 200817830 顯示將佈線圖案40、40’層積2層之情形,但,本發明之佈 線圖案之製造方法也可適應於層積3層以上之佈線圖案之 構造。 接著,一面參照圖式,一面說明有關電漿顯示器之製造 方法之一實施型態所製得之電漿顯示器。 圖11係電漿顯示器500之分解立體圖。此電漿顯示器5〇〇 係由互相對向地配置之玻璃基板(一方基板)5〇 1、玻璃基板 、 (他方基板)5〇2、及形成於此等之間之放電顯示部51〇所概 f 略構成。 放電顯示部510係由複數放電室516所構成,此等複數放 電室516中,紅色放電室516(R)、綠色放電室516(G)、藍 色放電室516(B)之3個放電室516成對被配置構成1個晝 素。在前述(玻璃)基板501之上面以特定間隔形成條狀之位 址電極511,以覆蓋該等位址電極511與基板501上面方式 形成有電介質層519。另外,在電介質層519上,以位於位 Q 址電極511、511間而沿著各位址電極511方式形成隔墙 515。又’在隔墻515中’形成有在其長側方向之特定位 置’也在與位址電極5 11成正交之方向以特定間隔被分隔 (省略圖示),基本上鄰接於位址電極511之寬方向左右兩側 之隔墙、與向正交於位址電極511之方向延伸設置之隔墙 所分隔之長方形狀之區域,以對應於此等長方形狀之區域 之方式形成放電室516,此等長方形狀之區域3個成對而構 成1個畫素。又,在被隔墙5 1 5所劃分之長方形狀之區域之 内側配置螢光體517。螢光體517係用於發出紅、綠、藍中 120583.doc -20- 200817830 之一色螢光,在紅色放電室516(R)之底部配置著紅色螢光 體517(R),在綠色放電室516(G)之底部配置著綠色螢光體 517(G),在藍色放電室516(B)之底部配置著藍色螢光體 517(B) 〇 其次,在前述玻璃基板502側,於正交於上述位址電極 5 11之方向,以特定間隔形成條狀之複數IT〇構成之透明顯 示電極512,並為彌補高電阻之ΙΤ〇而形成金屬構成之匯流 〇 排電極5 12a。而,以覆蓋此等之方式形成電介質層513, 並進一步形成MgO等構成之保護膜514。而,前述玻璃基 板501與玻璃基板5〇2之2基板係以使前述位址電極5丨丨…與 顯示電極512…互相正交狀態對向地相互被貼合,將玻璃 基板501、隔牆515、及形成於玻璃基板5〇2側之保護膜514 所包圍之空間部分排氣而封入稀有氣體,以形成放電室 516。又,形成於玻璃基板5〇2側之顯示電極512係以對各 放電室516各配置2個之方式形成。前述位址電極511與顯 Q 示電極5 12係被連接於省略圖示之交流電源,藉使各電極 通電,可在必要位置之放電顯示部510中激發螢光體517使 其發光,而施行彩色顯示。 在本實施型態之電漿顯示器之製造方法中,尤其可利用 上述佈線圖案之製造方法形成設於前述玻璃基板5 i側之 前述位址電極511、及形成設於前述玻璃基板502侧之前述 匯流排電極512a。 即,此等位址電極5 11及匯流排電極5 12a係將導電性墨 水喷出至利用上述遮罩Μ形成於玻璃基板501、5 02上之親 120583.doc •21- 200817830 液圖案,並加以燒成所形成。因此,可以低成本製造小於 前述導電性墨水之喷出徑之寬度之位址電極5丨丨及匯流排 電極512a’並可以低成本提供具備此等位址電極511及匯 流排電極512a之電漿顯示器500。 【圖式簡單說明】 圖1係一實施型態之遮罩之製造方法之步驟之說明圖。 圖2係接續在圖1後面之遮罩之製造方法之步驟之說明 圖。 〇 圖3係接續在圖2後面之遮罩之製造方法之步驟之說明 圖。 圖4係表示疏液化處理佈線形成用基板之步驟之圖。 圖5係在佈線形成用基板形成親液圖案之步驟之說明 圖。 圖6係表示紫外線照射裝置之概略構成之模式圖。 圖7係表示形成於佈線形成用基板上之親液圖案之圖。 Ο 圖8係表示在親液圖案配置導電性墨水之狀態之圖。 圖9係表示形成於佈線形成用基板上之佈線圖案之圖。 圖10係表示佈線圖案之層積構造之圖。 圖11係由實施型態之製造方法所得之電漿顯示器之立體 【主要元件符號說明】 20 光觸媒 30 親液圖案 40 佈線圖案 120583.doc -22- 200817830
50 500 511 512a A M MP P O 導電性墨水(導電性功能液) 電漿顯示器 位址電極 匯流排電極 功能墨水(遮光材料) 遮罩 遮罩圖案(遮光圖案) 玻璃基板(透光性基板) u 120583.doc -23-
Claims (1)
- 200817830 十、申請專利範圍: 1 · 一種遮罩之製造方法,其特徵在於包含: 在透光性基板之至少一方之面施以疏液處理之步驟; 在如述透光性基板之疏液處理面上,利用液滴喷出法 將遮光材料配置成希望之形狀之步驟;及 對該遮光材料進行燒成,在前述透光性基板上形成遮 光圖案之步驟者。 Ο2· —種佈線圖案之製造方法,其特徵在於包含: 遮罩形成步驟,其係在透光性基板之至少一方之面施 以疏液處理,在前述透光性基板之疏液處理面上,利用 液滴噴出法配置遮光材料,對該遮光材料進行燒成,藉 而在則述透光性基板上形成遮光圖案; 在基體之一方之面上施以疏液處理之步驟; 經由刚述遮罩,對前述基體之疏液處理面施行光照 射,將前述疏液處理面之一部分親液化,形成親液區: 之步驟; 在前述親液區域,利用液滴喷出法配置導電性功能液 之步驟,·及 對该導電性功能液進行燒成,形成佈線圖案之步驟。 3.2求項2之佈線圖案之製造方法,其中將以絕緣膜覆 盖前述佈線圖幸之并*駿? 1.,, /、 〃 、在该絕緣膜施以前述疏液處理 之步驟、利用以前述遮罩形成步驟所形成之料 述絕緣膜之疏液處理面形成前述親液區域之步驟及: 該親液區域形成其他佈線圖案之步驟重複施行,藉此= 120583.doc 200817830 成佈線圖案之層積構造。 4.如請求項2或3之佈線圖案之製造方法,其中在前述遮罩 形成步驟中,包含配置接受光照射而促進親液化之光觸 媒在前述遮光圖案之間而使其成為該遮光圖案之高度以 上之步驟;使前述光觸媒接觸於前述基體之疏液處理面 而配置前述遮罩,施行光照射,藉此形成前述親液區 域。 ^ 5· 一種電漿顯示器之製造方法,其係包含相互對向配置之 一對基板 '設於一方基板之位址線、及設於另一方基板 之匯流排電極之電漿顯示器之製造方法,其特徵在於包 含: 遮罩形成步驟,其係在透光性基板之至少一方之面施 以疏液處理,在前述透光性基板之疏液處理面上,利用 液滴喷出法配置遮光材料,對該遮光材料進行燒成,而 在前述透光性基板上形成遮光圖案; 〇 在前述一對基板中之至少一方的一方之面施以疏液處 理之步驟; 經由前述遮罩,對前述基板之疏液處理面施行光照 射’將前述疏液處理面之一部分親液化,形成親液區域 之步驟; 利用液滴喷出法,在前述親液區域配置導電性功能液 之步驟,及 對該導電性功能液進行燒成,形成前述位址佈線及匯 流排電極之至少一方之步驟。 120583.doc -2 -
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Cited By (1)
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Families Citing this family (51)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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| JP5246001B2 (ja) * | 2009-04-10 | 2013-07-24 | パナソニック株式会社 | 基板の加工方法および半導体チップの製造方法ならびに樹脂接着層付き半導体チップの製造方法 |
| US9296870B2 (en) * | 2009-07-27 | 2016-03-29 | The Trustees Of Columbia University In The City Of New York | Modification of surfaces with nanoparticles |
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| WO2012112853A1 (en) | 2011-02-18 | 2012-08-23 | Arizona Board Of Regents Acting For And On Behalf Of Arizona State University | Four coordinated platinum and palladium complexes with geometrically distorted charge transfer state and their applications in light emitting devices |
| US9238668B2 (en) | 2011-05-26 | 2016-01-19 | Arizona Board Of Regents, Acting For And On Behalf Of Arizona State University | Synthesis of platinum and palladium complexes as narrow-band phosphorescent emitters for full color displays |
| KR20130106677A (ko) * | 2012-03-20 | 2013-09-30 | 한국과학기술원 | 포토마스크 제조방법 |
| US9711741B2 (en) | 2012-08-24 | 2017-07-18 | Arizona Board Of Regents On Behalf Of Arizona State University | Metal compounds and methods and uses thereof |
| US9882150B2 (en) | 2012-09-24 | 2018-01-30 | Arizona Board Of Regents For And On Behalf Of Arizona State University | Metal compounds, methods, and uses thereof |
| US20150274762A1 (en) | 2012-10-26 | 2015-10-01 | Arizona Board Of Regents Acting For And On Behalf Of Arizona State University | Metal complexes, methods, and uses thereof |
| TWI617629B (zh) * | 2013-05-01 | 2018-03-11 | Jsr股份有限公司 | 具有凹圖案的基材的製造方法、組成物、導電膜的形成方法、電子電路及電子元件 |
| KR102349659B1 (ko) | 2013-06-10 | 2022-01-11 | 아리조나 보드 오브 리젠츠 온 비하프 오브 아리조나 스테이트 유니버시티 | 개질된 방출 스펙트럼을 갖는 인광성 네자리 금속 착물 |
| JP6804823B2 (ja) | 2013-10-14 | 2020-12-23 | アリゾナ・ボード・オブ・リージェンツ・オン・ビハーフ・オブ・アリゾナ・ステイト・ユニバーシティーArizona Board of Regents on behalf of Arizona State University | 白金錯体およびデバイス |
| US9224963B2 (en) | 2013-12-09 | 2015-12-29 | Arizona Board Of Regents On Behalf Of Arizona State University | Stable emitters |
| US10020455B2 (en) | 2014-01-07 | 2018-07-10 | Arizona Board Of Regents On Behalf Of Arizona State University | Tetradentate platinum and palladium complex emitters containing phenyl-pyrazole and its analogues |
| US10056567B2 (en) | 2014-02-28 | 2018-08-21 | Arizona Board Of Regents On Behalf Of Arizona State University | Chiral metal complexes as emitters for organic polarized electroluminescent devices |
| US9941479B2 (en) | 2014-06-02 | 2018-04-10 | Arizona Board Of Regents On Behalf Of Arizona State University | Tetradentate cyclometalated platinum complexes containing 9,10-dihydroacridine and its analogues |
| US9923155B2 (en) | 2014-07-24 | 2018-03-20 | Arizona Board Of Regents On Behalf Of Arizona State University | Tetradentate platinum (II) complexes cyclometalated with functionalized phenyl carbene ligands and their analogues |
| US9502671B2 (en) | 2014-07-28 | 2016-11-22 | Arizona Board Of Regents On Behalf Of Arizona State University | Tridentate cyclometalated metal complexes with six-membered coordination rings |
| US9818959B2 (en) | 2014-07-29 | 2017-11-14 | Arizona Board of Regents on behlaf of Arizona State University | Metal-assisted delayed fluorescent emitters containing tridentate ligands |
| WO2016025921A1 (en) | 2014-08-15 | 2016-02-18 | Arizona Board Of Regents On Behalf Of Arizona State University | Non-platinum metal complexes for excimer based single dopant white organic light emitting diodes |
| WO2016029137A1 (en) | 2014-08-22 | 2016-02-25 | Arizona Board Of Regents On Behalf Of Arizona State University | Organic light-emitting diodes with fluorescent and phosphorescent emitters |
| US9920242B2 (en) | 2014-08-22 | 2018-03-20 | Arizona Board Of Regents On Behalf Of Arizona State University | Metal-assisted delayed fluorescent materials as co-host materials for fluorescent OLEDs |
| US9865825B2 (en) | 2014-11-10 | 2018-01-09 | Arizona Board Of Regents On Behalf Of Arizona State University | Emitters based on octahedral metal complexes |
| US10033003B2 (en) | 2014-11-10 | 2018-07-24 | Arizona Board Of Regents On Behalf Of Arizona State University | Tetradentate metal complexes with carbon group bridging ligands |
| US9711739B2 (en) | 2015-06-02 | 2017-07-18 | Arizona Board Of Regents On Behalf Of Arizona State University | Tetradentate metal complexes containing indoloacridine and its analogues |
| US9879039B2 (en) | 2015-06-03 | 2018-01-30 | Arizona Board Of Regents On Behalf Of Arizona State University | Tetradentate and octahedral metal complexes containing naphthyridinocarbazole and its analogues |
| US10158091B2 (en) | 2015-08-04 | 2018-12-18 | Arizona Board Of Regents On Behalf Of Arizona State University | Tetradentate platinum (II) and palladium (II) complexes, devices, and uses thereof |
| US11335865B2 (en) | 2016-04-15 | 2022-05-17 | Arizona Board Of Regents On Behalf Of Arizona State University | OLED with multi-emissive material layer |
| US10177323B2 (en) | 2016-08-22 | 2019-01-08 | Arizona Board Of Regents On Behalf Of Arizona State University | Tetradentate platinum (II) and palladium (II) complexes and octahedral iridium complexes employing azepine functional groups and their analogues |
| WO2018071697A1 (en) | 2016-10-12 | 2018-04-19 | Jian Li | Narrow band red phosphorescent tetradentate platinum (ii) complexes |
| US11183670B2 (en) | 2016-12-16 | 2021-11-23 | Arizona Board Of Regents On Behalf Of Arizona State University | Organic light emitting diode with split emissive layer |
| KR102678967B1 (ko) | 2017-01-27 | 2024-06-26 | 아리조나 보드 오브 리젠츠 온 비하프 오브 아리조나 스테이트 유니버시티 | 피리도-피롤로-아크리딘 및 유사체를 사용하는 금속 보조 지연 형광 이미터 |
| US10516117B2 (en) | 2017-05-19 | 2019-12-24 | Arizona Board Of Regents On Behalf Of Arizona State University | Metal-assisted delayed fluorescent emttters employing benzo-imidazo-phenanthridine and analogues |
| US11101435B2 (en) | 2017-05-19 | 2021-08-24 | Arizona Board Of Regents On Behalf Of Arizona State University | Tetradentate platinum and palladium complexes based on biscarbazole and analogues |
| US11647643B2 (en) | 2017-10-17 | 2023-05-09 | Arizona Board Of Regents On Behalf Of Arizona State University | Hole-blocking materials for organic light emitting diodes |
| KR102718677B1 (ko) | 2017-10-17 | 2024-10-16 | 지안 리 | 표시 및 조명 분야용 단색성 이미터로서의, 바람직한 분자 배향을 갖는 인광성 엑시머 |
| US12037348B2 (en) | 2018-03-09 | 2024-07-16 | Arizona Board Of Regents On Behalf Of Arizona State University | Blue and narrow band green and red emitting metal complexes |
| WO2020018476A1 (en) | 2018-07-16 | 2020-01-23 | Jian Li | Fluorinated porphyrin derivatives for optoelectronic applications |
| CN113039486B (zh) * | 2018-11-14 | 2024-11-12 | 朗姆研究公司 | 可用于下一代光刻法中的硬掩模制作方法 |
| CN120762258A (zh) | 2018-12-20 | 2025-10-10 | 朗姆研究公司 | 抗蚀剂的干式显影 |
| US11878988B2 (en) | 2019-01-24 | 2024-01-23 | Arizona Board Of Regents On Behalf Of Arizona State University | Blue phosphorescent emitters employing functionalized imidazophenthridine and analogues |
| US11594691B2 (en) | 2019-01-25 | 2023-02-28 | Arizona Board Of Regents On Behalf Of Arizona State University | Light outcoupling efficiency of phosphorescent OLEDs by mixing horizontally aligned fluorescent emitters |
| TWI869221B (zh) | 2019-06-26 | 2025-01-01 | 美商蘭姆研究公司 | 利用鹵化物化學品的光阻顯影 |
| US11785838B2 (en) | 2019-10-02 | 2023-10-10 | Arizona Board Of Regents On Behalf Of Arizona State University | Green and red organic light-emitting diodes employing excimer emitters |
| US11314168B2 (en) | 2020-01-15 | 2022-04-26 | Lam Research Corporation | Underlayer for photoresist adhesion and dose reduction |
| CN113683625B (zh) | 2020-05-19 | 2025-06-10 | 亚利桑那州立大学董事会 | 用于有机发光二极管的金属辅助延迟荧光发射体 |
| US11945985B2 (en) | 2020-05-19 | 2024-04-02 | Arizona Board Of Regents On Behalf Of Arizona State University | Metal assisted delayed fluorescent emitters for organic light-emitting diodes |
| KR102781895B1 (ko) | 2020-07-07 | 2025-03-18 | 램 리써치 코포레이션 | 방사선 포토레지스트 패터닝을 패터닝하기 위한 통합된 건식 프로세스 |
| KR102673863B1 (ko) | 2020-11-13 | 2024-06-11 | 램 리써치 코포레이션 | 포토레지스트의 건식 제거를 위한 프로세스 툴 |
Family Cites Families (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2865578B2 (ja) * | 1994-10-25 | 1999-03-08 | 富士通株式会社 | レジストパターンの作成方法、その方法により得られるプリント配線板及びその作成装置 |
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| US6973710B2 (en) * | 2001-08-03 | 2005-12-13 | Seiko Epson Corporation | Method and apparatus for making devices |
| JP4068883B2 (ja) | 2002-04-22 | 2008-03-26 | セイコーエプソン株式会社 | 導電膜配線の形成方法、膜構造体の製造方法、電気光学装置の製造方法、及び電子機器の製造方法 |
| JP2004071473A (ja) | 2002-08-08 | 2004-03-04 | Dainippon Printing Co Ltd | パターンの形成方法 |
| JP2004311957A (ja) * | 2003-03-26 | 2004-11-04 | Seiko Epson Corp | デバイスとその製造方法及び電気光学装置並びに電子機器 |
| US7081322B2 (en) * | 2003-03-27 | 2006-07-25 | Kodak Graphics Communications Canada Company | Nanopastes as ink-jet compositions for printing plates |
-
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Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| TWI559074B (zh) * | 2014-09-10 | 2016-11-21 | 國立成功大學 | 光罩 |
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