TW200817798A - Liquid crystal display apparatus - Google Patents

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200817798 九、發明說明 【發明所屬之技術領域】 本發明係關於液晶顯示裝置，尤其是，與液晶材料呈 彎曲配向之主動矩陣型液晶顯示裝置相關。 【先前技術】 π兀件及 〇CB ( optically compensated bend)模式係 可實現廣視角及高速回應之液晶顯示模式。採用該等顯示 模式之液晶顯示裝置時，顯示影像之期間，在維持彎曲配 向之狀態下，改變背面電極及前面電極之附近之液晶分子 之傾角。其次，利用隨著該傾角變化而產生之液晶層之延 遲變化來顯示影像。 傳統上，π元件及OCB模式之液晶顯示裝置之起動時 ，必須對背面電極及前面電極之間施加數秒至數分間之數 伏特以上之電壓，使其產生從噴霧配向至彎曲配向之換位 。此種起始換位會妨礙π元件及OCB模式之應用。 非專利文獻1記載著不需要該起始換位之技術。具體 而言，對紫外線硬化單體及液晶材料之向列相混合物施加 起始化電壓，產生從噴霧配向至彎曲配向之換位。其次， 於該狀態下對前述混合物照射紫外線，形成高分子網格。 利用此方法所得到之液晶元件，在未施加電壓之狀態 下，液晶材料呈扭曲配向。某電壓以上時，扭曲配向及彎 曲配向之光學特性大致相等，此外，從扭曲配向至彎曲配 向之換位極爲快速。因此，該液晶元件無需起始換位。 -4- 200817798 此外’爲了得到賓主效應，有人提出利用由含有液晶 性單體之反應硬化性高分子材料及向列液晶所構成之液晶 材料之混合液，對電極間施加電場，並介由光遮罩照射紫 外線，來得到液晶性單體倂列立起於液晶層之厚度方向之 構造體之技術（專利文獻1 )。 [非專利文獻 1]T. Konno et al.，’’OCB-Cell Using Polymer Stabilized Bend AlignmentM? ASIA DISPLAY ?955 pp.581-583 [專利文獻1]日本特開2004-2 1 9948公報 【發明內容】 然而，將上述文獻之技術應用於例如主動矩陣驅動方 式之液晶顯示裝置時，例如，液晶顯示裝置承受到來自外 部之力時，容易發生顯示不均之問題。此外，因爲高分子 網格之影響，而有液晶之回應速度降低之問題。 因此，本發明之目的係在提供不需要使液晶材料呈彎 曲配向時之起始換位，且承受到來自外部之力時也不易發 生顯示不均之液晶顯示裝置。 本發明之液晶顯示裝置係具備：具備複數之掃描線、 與該等交叉之複數之信號線、對應於前述複數之掃描線及 前述複數之信號線之交叉部進行配列且利用前述掃描線所 供應之掃描信號控制開關切換動作之畫素開關、介由前述 畫素開關連結於前述信號線之畫素電極、以及覆蓋前述畫 素電極之第1配向膜之陣列基板；及含有與前述畫素電極 -5- 200817798 相對之相對電極、覆蓋前述相對電極之前述畫素電極側且 具備配設於與前述第1配向膜相對之位置之第2配向膜之 相對基板、以及被密封於前述第1配向膜及前述第2配向 膜之間且於未施加電壓狀態呈彎曲配向之含有高分子材料 及分子量低於該高分子材料之低分子液晶材料之液晶層； 且’前述液晶層具有：配設於前述陣列基板之前述第1配 向膜上之第1液晶層、配設於前述相對基板之前述第2配 向膜上之第2液晶層、以及配設於前述第丨液晶層及前述 第2液晶層間之第3液晶層，利用前述高分子材料及前述 低分子液晶材料構成前述第1液晶層及前述第2液晶層， 利用前述低分子液晶材料構成前述第3液晶層。 可提供無需使液晶材料呈彎曲配向時之起始換位，且 承受到來自外部之力時也不易發生顯示不均之液晶顯示裝 置。 【實施方式】 以下，參照圖面，針對本發明之形態進行詳細說明。 此外，各圖中，發揮相同或類似機能之構成要素賦予相同 參照符號，並省略重複說明。此外，圖面係其模式，厚度 及平面尺寸之關係、及各層之厚度之比率等與實際者不同 。此外，圖面之間，亦包含相互尺寸之關係及比率爲不同 之部份在內。 第1圖係本發明之一形態之液晶顯示裝置之槪略平面 圖。 -6 - 200817798 第2圖係可採用於第1圖之液晶顯示裝置之構造之一例之 槪略之部份剖面圖。 第1圖及第2圖之液晶顯示裝置係OCB模式之主動 矩陣型液晶顯示裝置。該液晶顯示裝置含有液晶顯示面板 1、與其相對配置之背光（未圖示）、以及連結於液晶顯 示面板1之掃描線驅動器2及信號線驅動器3。 液晶顯示面板1含有陣列基板1 0及相對基板2 0。陣 列基板1 〇及相對基板20之間，介在著框狀之密封層（未 圖示）。陣列基板1 〇、相對基板20、以及密封層所圍繞 之空間，充滿著含有高分子材料及低於其之低分子量之低 分子液晶材料之混合物，該混合物形成液晶層3 0。此外， 於陣列基板1 〇之外面上，依序配置著光學補償膜40及偏 光板50，於相對基板20之外面上，依序配置著光學補償 膜40及偏光板50。 陣列基板1 〇係包含例如玻璃基板及塑膠基板等之透 明基板1 〇 〇在內。 於透明基板1 00上，配置著掃描線1 01、及未圖示之 輔助電容線。掃描線1 01及輔助電容線係分別延伸於X方 向，而交互配列於與X方向交叉之Y方向（第2圖及第4 圖之圖面方向，以下亦相同）。 掃描線1 0 1及輔助電容線可以同一製程。此外，該等 之材料可以使用例如金屬或合金。該掃描線1 0 1之一部份 被當做薄膜電晶體（TFT : thin film transistor )之區域 內之薄膜電晶體之鬧極來使用。 200817798 掃描線1 ο 1及輔助電容線被絕緣膜1 02所覆蓋。絕緣 膜1 02可以使用例如矽氧化膜。 於絕緣膜102上，配列著對應於閘極之半導體層1〇3 。該等半導體層103分別與閘極交叉。半導體層1〇3係由 例如非晶矽所構成。此外，於各半導體層1 03上，形成未 圖示之通道保護層及歐姆層。 閘極、半導體層103、以及絕緣膜102當中之位於閘 極及半導體層1 〇 3之間之位置部份（閘極絕緣膜）形成薄 月吴電晶體。該等薄膜電晶體被利用做爲畫素開關104。 此外，本例時，畫素開關1 04係η通道薄膜電晶體， 更具體而言，係非晶矽η通道薄膜電晶體。然而，畫素開 關1 04並未受限於此，亦可使用多晶矽薄膜電晶體，亦可 以薄膜二極體等之其他開關切換元件來取代此種薄膜電晶 體。 於絕緣膜102上，更配置著信號線105a及源極105b 。信號線1 〇5a分別延伸於Y方向，而以對應於畫素開關 1〇4所形成之列配列於X方向。信號線l〇5a覆蓋含有畫 素開關104之半導體層103之汲極。亦即，信號線105a 之一部份連結於畫素開關1 〇4之汲極。 源極l〇5b係對應畫素開關104來配列。源極l〇5b具 有開關1 04之源極之機能，而且，與輔助電容線相對。源 極l〇5b、輔助電容線、以及介在於該等之間之絕緣膜1〇2 形成電容器106。 於絕緣膜1〇2上’更配置著濾色鏡1〇7。濾色鏡107 -8- 200817798 包含例如藍（B )、綠（G )、紅色（R )之著色層在內。 於濾色鏡107上，配列著畫素電極1〇8。該等畫素電 極108分別介由形成於濾色鏡1〇7之貫通孔連結至源極 10 5b。畫素電極108之材料可以使用例如ITO ( indium tin oxide) 〇 畫素電極108被配向膜109所覆蓋。配向膜109之附 近，液晶分子係具有相對較大之預傾角之例如5 °至1 0°之 傾斜配向。配向膜1 09係利用對例如由丙烯酸、聚醯亞胺 、尼龍、聚醯胺、聚碳酸酯、苯環丁烯聚合物、聚丙烯腈 、聚矽烷等所構成之有機膜實施摩擦等之配向處理所得到 。或者，配向膜1 〇9係利用例如矽氧化物之斜角蒸著所得 到。以成膜之容易性及化學安定性之觀點而言，以聚醯亞 胺、聚丙烯腈、及尼龍爲佳。本例時，配向膜1 09係使用 沿著Y方向摩擦之聚醯亞胺膜。 於絕緣膜1 02上，更配置著掃描信號輸入端子群（未 圖示）、影像信號輸入端子群（未圖示）。該等掃描信號 輸入端子及影像信號輸入端子分別連結於掃描線1 0 1及信 號線1 05a。該等端子之材料可以使用例如金屬或合金。 相對基板20係包含例如玻璃基板及塑膠基板等之透 明基板2 0 0在內。 於相對基板2 0上，形成著相對電極2 0 8。相對電極 208係與畫素電極108相對之共用電極。相對電極20 8之 材料可以使用例如ITO。 相對電極208被配向膜209所覆蓋。配向膜209可以 200817798 使用與配向膜l〇9相同之膜。本例時，配向膜209係使用 以與配向膜1 〇9相同方向進行摩擦之聚醯亞胺膜。 陣列基板1 〇及相對基板2 0係與該等之配向膜1 0 9及 209相對。於陣列基板1 〇及相對基板20之間，介在著框 狀之密封層（未圖示）。掃描信號輸入端子及影像信號輸 入端子位於密封層所形成之框之外側。密封層使陣列基板 1 〇及相對基板20互相貼合。密封層之材料可以使用環氧 系或丙烯酸系之接著劑。 於位於陣列基板1 0及相對基板20之間之密封層所形 成之框之外側，配置著未圖示之轉移電極。轉移電極將相 對電極2 0 8連結至陣列基板1 〇。 於陣列基板1 0及相對基板20之間，介在著粒狀隔離 件、或陣列基板1 0及相對基板20之至少一方更含有未圖 示之柱狀隔離件。該等隔離件係位於陣列基板1 0及相對 基板20之間之對應於畫素電極108之位置。形成厚度大 致一定之間隙。 陣列基板1 0、相對基板2 0、以及框狀之密封層所圍 繞之空間，充滿著含有高分子材料及分子量低於其之低分 子液晶材料之混合物。該混合物形成液晶層3 0。 高分子材料具有5000以上之平均分子量。此外，此 處之「平均分子量」係膠透層析所測定之數平均分子量。 高分子材料於液晶層3 0中形成高分子矩陣或高分子網格 〇 低分子材料具有1 000以下之分子量。低分子液晶材 -10- 200817798 料係例如介電各向異性爲正之向列液晶材料。 第3圖係第2圖所示之液晶層3 0之更具體之部份剖 面圖。 液晶層3 0如第3圖所示，具備配設於陣列基板1 0之 配向膜109上之鄰接區域之第1液晶層3〇a、配設於相對 基板20之配向膜209上之鄰接區域之第2液晶層30b、以 及第1液晶層3 0a及第2液晶層3 Ob所夾之第3液晶層 3 0c。液晶層3 0之詳細構成如後面所述。 畫素電極108、相對電極208、配向膜109及209、以 及液晶層30形成液晶元件3 00。各畫素含有畫素開關104 、液晶元件3 00、以及電容器1 06。此外，陣列基板1 〇、 相對基板20、以及介在於該等之間之液晶層30及密封層 形成液晶元件。 光學補償膜40係例如二軸性薄膜。該光學補償膜40 係使用雙折射爲負之一軸性化合物，例如使用含有以使光 學軸在X方向之垂直面內變化之方式來形成盤形液晶化合 物之彎曲配向之光學各向異性層者。 貼附於陣列基板1 0及相對基板20之光學補償膜40 之延遲之合計，例如，大致與液晶層3 0之ON狀態之延 遲相等。此時，光學補償膜40係以例如ON狀態之液晶 層30及光學補償膜40之積層體之延遲大致爲零之方式配 置。 偏光板5 0係以例如與該等透射軸大致正交之方式配 置。此外，各偏光板5 0係以例如該透射軸相對於X方向 -11 - 200817798 及γ方向大約成爲45°之角度之方式配置。 掃描線驅動器2及信號線驅動器3分別 號輸入端子及影像信號輸入端子。本例時， 係COG(chip on glass)安裝，然而，亦可 carrier package)安裝來取代。 未圖示之背光係配置於液晶顯示面板1 光從背面側對陣列基板1 〇進行照明。 前述液晶層3 0係以下述方法製造。 首先’以公知之方法製造第2圖所示之 於陣列基板1 0之配向膜1 〇 9上，形成柱狀 ，以公知之方法製造第2圖所示之相對基板 真空下，對該陣列基板10之配向膜109上 分子材料前驅體及低分子液晶材料之混合物 配向膜109及配向膜209相對之方式配置陣 相對基板20。此時，陣列基板1 〇及相對基本 用形成於陣列基板1 0上之柱狀隔離件控制 ’上述混合物亦可進一步添加光起始劑劑。 該狀態下，介由掃描信號輸入端子及影 子’對所有掃描線1 0 1施加使畫素開關1 0 4 之電壓，且對所有信號線1 0 5 a施加一定之 伏特）。同時，對相對電極20 8施加數伏特 壓。藉此’使夾於畫素電極1 0 8及相對電極 分子液晶材料成爲彎曲配向。其後，於該狀 物內之高分子材料前驅體產生聚合反應。該 連結於掃描信 驅動器2及3 以 TCP ( tape 之背面側。背 陣列基板1 0， 隔離件。此外 2 0。其次，於 ，滴下含有高 。其後，以使 〖列基板1 〇及 反20之距離利 成均一。此外 像信號輸入端 成爲ON狀態 電壓（例如0 以上之交流電 2 0 8之間之低 態下，使混合 聚合反應係例 -12- 200817798 如從陣列基板1 0側及相對基板20側對前述混合物照 外線來實施。紫外線之照射時間，係由照射紫外線之 所決定，然而，應爲例如3秒以上。此外，照射時間 時’高分子材料前驅體之聚合反應無法充分進行，無 彎曲配向安定化。 其後，分別對基板100、200之角部逐漸施力來 陣列基板1 0及相對基板20。結果，於配向膜1 09上 成由高分子材料及低分子液晶層所構成之第1液晶層 ，於配向膜209上，形成與第1液晶層30a相同構成 局分子材料及低分子液晶層所構成之第2液晶層3 0 b。 其次，於該第1液晶層3 Oa上，散佈直徑大於上 狀隔離件之高度之隔離件粒子。此外，於形成著該配 2 09之相對基板20之周邊部，除了注入口部份以外， 繞第2液晶層3 Ob之方式實施密封劑之框狀塗佈。以 膜1 09及配向膜209相對之方式貼合該等，施加荷重 時使密封劑硬化，製作第1液晶層3 0a及第2液晶層 之間具有空洞之單元。 其次，使該單元之內側成爲真空，注入低分子液 料，並阻塞單元之注入口，而製成液晶元件。結果’ 膜109之上，形成依序積層著第1液晶層30a、第3 層30c、第2液晶層30b之液晶層30。 其後，將光學補償膜40及偏光板5 0貼附於製成 晶元件。此外，對其安裝掃描線驅動器2及信號線驅 3來製作液晶顯示面板1，再對其組合背光等即完成 射紫 強度 太短 法使 剝離 ，形 30a 之由 述柱 向膜 以圍 配向 ，同 30b 晶材 配向 液晶 之液 動器 液晶 -13- 200817798 顯示裝置。 該製造方法時’使用商分子材料前驅體可使用例如具 有液晶性之單官能丙烯酸酯單體（分子內含有1個丙烯酸 性雙鍵之丙烯酸酯單體）等之液晶性丙烯酸酯單體。此種 丙烯酸酯單體可以使用例如下述化學式（1 )至（3 )所示 之化合物等。 【化1】

-14- 200817798 液晶層3 0內所含有之筒分子材料係例如以完整之中 生基（mesogenic group )爲側鏈而直接或間接地結合於高 分子骨架之側鏈型局分子液晶材料。側鏈型高分子液晶材 料可以使用例如下述化學式（4)至（6)所示之高分子等 【化2】

•“(4) …(5) -15- …<6) 200817798 第1液晶層3 0a及第2液晶層3 Ob內之高分子材料之 重量％構成，若高分子材料及低分子液晶之混合體之重量 爲1 0 0 %，則在於例如2 · 5 %至1 0 %之範圍內。高分子材料 之重量％若超過例如1 〇 %時，高分子材料之影響可能導致 光之漫射或妨礙液晶之電場回應或使對比降低。高分子材 料之重量％爲例如2 · 5 %以下時，於未施加電壓時，液晶材 料容易呈現噴霧配向，亦即，不易產生彎曲配向。 該液晶層3 0具有從陣列基板〗〇側依序爲第1液晶層 3〇a、第3液晶層30c、第2液晶層30b之積層構造。此外 ，第3液晶層30c幾乎不含有前述高分子材料。典型之第 3液晶層30c之構成，高分子材料以相對於第3液晶層 3〇c內之重量％在於0.5 %以下之範圍內爲佳。針對此點， 參照前述第3圖進行說明。 第3圖係未施加電壓時之液晶材料之配向狀態之槪略 剖面圖。圖中，參照符號3 0 1係低分子液晶材料，參照符 5虎3 0 2係側鍵型筒分子液晶材料（高分子材料）。 第1液晶層3 0 a及第2液晶層3 0 b內，因爲低分子液 晶材料3 0 1內含有高分子材料3 0 2，低分子液晶材料3 0 1 在未對畫素電極1 〇 8及相對電極2 0 8之間施加電壓之狀態 時’亦會呈彎曲配向。因此，可以不需要液晶顯示裝置之 起始換位。 此外’具備液晶性單體倂列立起於液晶層3 0之厚度 方向之構造體之液晶顯不裝置承受到外力時，例如，以手 指按壓貼附於相對基板2 0之偏光板5 0時，陣列基板1 〇 -16- 200817798 及相對基板2 0之間隔會以手指按壓之部份爲中心 ，而擾亂液晶之配向。通常，於陣列基板10及相 20之間，配設著隔離件粒子或柱狀隔離件，然而’ 力而產生彈性變形，陣列基板1 0及相對基板20之 暫時減少成例如起始値之一半程度。解除該外力時 1 0、2 0間之間隔會復原。此時，液晶層只以低分子 料構成時，因爲低分子液晶材料具有流動性，液晶 復原來之均一狀態。 另一方面，全體液晶層3 0含有高分子材料， 高分子材料使低分子液晶材料保持彎曲配向時，基ί 20間之間隔因爲外力而變窄時，高分子材料之構造 形。此時，解除外力，即使基板10、20間之間隔 因爲該已變形之高分子材料之影響，液晶配向亦無 ，或，復原較爲緩慢。結果，承受到該外力之部份 出顯示不均，而出現顯示不良。 此外，如第3圖所示，本發明時，液晶層3 0 陣列基板1 〇側依序爲第1液晶層3 〇a、第3液晶層 第2液晶層30b之積層構造，第1液晶層30a及第 層30b所夾之第3液晶層30c內幾乎未含有高分子 因此，即使因爲外力而使基板1 〇、2 0間之間隔變 爲第1液晶層30a所含有之高分子材料3 02、及第 層30b所含有之高分子材料3 02彼此不易接觸，而 生高分子材料之構造變形。結果，液晶顯示裝置承 自外部之力時，也不易出現顯示不均。 而變窄 對基板 因爲外 間隔會 ，基板 液晶材 配向恢 和J用該 反1 0、 可能變 復原， 法復原 會辨識 具有從 30c、 2液晶 材料。 窄，因 2液晶 不易產 受到來 -17- 200817798 此外，液晶元件之剖面方向之中央部，亦即，第3液 晶層3 0 c之部份含有高分子材料時，當改變施加於液晶層 3 0之電壓來實施液晶分子之開關切換時，液晶之流動會被 高分子材料妨礙，而會出現開關切換速度降低。然而，本 發明時，因爲第3液晶層30c幾乎未含有高分子材料，故 不會發生開關切換速度降低之情形。 第3圖係大致平行於Y方向延伸之直鏈狀之高分子骨 架之一例，高分子骨架亦可以延伸於任何方向。此外，高 分子骨架可以爲任意之構造。此外，高分子骨架亦可以分 岐。例如，高分子骨架亦可以具有二次元網目構造，或者 ，亦可以具有三次元網目構造。 此外，前述液晶層3 0亦可適用於第1圖及第2圖所 示之液晶顯示裝置以外之形態。 第4圖係其他變形例之液晶顯示裝置之槪略平面圖。 該液晶顯示裝置除了陣列基板1 〇及相對基板20採用以下 之構成以外，其餘具有與第1圖及第2圖之液晶顯示裝置 大致相同之構造，省略重複部份之說明。 亦即，第4圖之液晶顯示裝置時，於相對基板20之 基板200及相對電極208之間配置濾色鏡207來取代從陣 列基板1 〇省略之濾色鏡1 07。此外，第4圖之液晶顯示裝 置時，於信號線l〇5a及配向膜109之間，配置著黑矩陣 112。如上所示，亦可以採用color on array構造，或者， 亦可以採用black matrix on array構造。 此外，第4圖之液晶顯示裝置時，於濾色鏡207及相 -18- 200817798 對電極20 8之間亦可以配置平坦化層。因爲配置平坦化層 可以提高相對電極208之平坦性，可提高液晶材料之配向 度，且包含陣列基板1〇在內之構件及相對電極208之間 不易發生非期望之短路。 平坦化層之材料可以使用例如丙烯酸、聚醯亞胺、尼 龍、聚醯胺、聚碳酸酯、苯環丁烯聚合物、聚丙烯腈、聚 矽烷等之有機物。該等材料當中，以成本之觀點而言，以 丙烯酸等爲佳，以平坦性觀點而言，以苯環丁烯聚合物等 爲佳，以化學安定性之觀點而言，以聚醯亞胺等爲佳。 [實施例] 以下，針對本發明之實施例進行說明。 (實施例1 ) 本例係以以下之方法製作第1圖所示之液晶顯示裝置 。此外，本例時，陣列基板1 0及相對基板20係採用第5 圖所示之構造。第5圖所示之液晶顯示裝置，係將配設於 第4圖所示之信號線105a及配向膜109之間之黑矩陣112 配設於相對基板20之基板200及濾色鏡207之間，只有 此點相異，其他構成與第4圖相同。 製作陣列基板10時，首先，於玻璃基板100上，形 成掃描線1 0 1及輔助電容線（未圖示）。該等配線之材料 係使用鉻。 其次，以具有鉻氧化膜及氧化矽膜之積層構造之絕緣 -19- 200817798 膜1 0 2覆蓋該等配線、輔助電容線、及掃描線1 0 1。於該 絕緣膜1 02上，形成由非晶矽所構成之半導體層1 03 ’實 施該半導體層103之圖案化。其後，於半導體層1〇3上’ 形成由氮化矽所構成之通道保護層（未圖示）’於半導體 層103及通道保護層上，形成未圖示之歐姆層。 其次，於絕緣膜1 〇 2上，形成信號線1 0 5 a、源極 1 0 5 b、掃描信號輸入端子（未圖示）、以及影像信號輸 入端子（未圖示）。此外，於絕緣膜1 〇2上，形成畫素電 極 1 0 8。 製作相對基板20時，首先，於玻璃基板200上，形 成鉻膜，實施圖案化。藉此，得到黑矩陣。接著，於其上 ，使用分別混入紅色、綠色、藍色之顏料之感光性丙烯酸 樹脂，形成條狀之濾色鏡2 0 7。 其次，於濾色鏡207上，塗佈透明之丙烯酸樹脂，形 成未圖示之平坦化層（保護層）。其後。於平坦化層上， 利用ITO之濺鍍來形成相對電極2〇8。此外，於相對電極 208上，利用光刻法，形成高度3μιη且底面爲5μιηχ10μιη 之柱狀隔離件（未圖示）。該等柱狀隔離件之形成上，於 貼合陣列基板10及相對基板20時，係位於信號線105a 上。 洗淨畫素電極1 0 8及相對電極2 0 8後，於該等之上， 利用平版印刷塗佈聚醯亞胺溶液（日產化學製SE-529 1 ) 。利用熱板對該等塗膜實施9 0 °C、1分鐘之加熱，此外， 以2 0 0 °C實施30分鐘之加熱。如此，形成配向膜109及 -20- 200817798 209 ° 其次，於配向膜109及209，利用棉製之布進行摩擦 。該等之摩擦係以使相對於配向膜1 09之摩擦方向及相對 於配向膜209之摩擦方向於貼合陣列基板1 〇及相對基板 20時成爲相同之方向來實施。此外，各摩擦係使用毛尖之 直徑爲〇·1μιη至ΙΟμιη之棉製摩擦布，摩擦滾筒之旋轉數 爲500rpm，基板移動速度爲20mm/s，壓入量爲0.7mm， 摩擦次數爲1次。此外，摩擦後，利用以中性界面活性劑 爲主要成分之水溶液洗淨配向膜1 0 9及2 0 9。

其次，於真空下，對該配向膜1 09上滴下含有高分子 材料前驅體及低分子液晶材料之混合物。低分子液晶材料 係使用向列液晶組成物之MERCK JAPAN公司製E7，該 混合物中之濃度重量百分比爲9 5 %。高分子材料前驅體係 使用具有液晶性之丙烯酸酯單體 UCL-001 ( DIC

Corporation製），該混合物中之濃度爲4.95 % (重量％ ) 。此外，光起始劑劑係使用2,2-二甲氧基-2-苯基苯乙酮， 該混合物中之濃度爲0 · 0 5 % (重量％ )。 接著，以使配向膜1 0 9及2 0 9相對且該等摩擦方向相 同之方式配置陣列基板1 0及相對基板20。此時，陣列基 板1 〇及相對基板2 0，利用形成於陣列基板1 〇上之柱狀隔 離件而將距離控制於均一'之約3 μ m。 此狀態下’介由掃描信號輸入端子及影像信號輸入端 子，對所有掃描線1 0 1施加2 5 V之直流電壓，使所有畫素 開關104成爲ON狀態。此外，對所有信號線105a施加 -21 - 200817798 0V。同時，對相對電極20 8施加±5V之交流電壓。藉此， 夾於畫素電極1〇8及相對電極208之間之低分子液晶材料 成爲彎曲配向。此狀態下，從與陣列基板1 〇之形成配向 膜109之面相對之相反側，照射3分鐘之主波長爲3 65nm 且強度爲3.3mW/cm2之紫外線。藉此，高分子材料前驅體 互相聚合，形成含有高分子材料及低分子液晶材料之液晶 層。 其後，從基板1 〇、20之角部逐漸施力來剝離陣列基 板1 〇及相對基板2 0。藉此，前述液晶層被分割成2個， 於配向膜1 09上，形成由高分子材料及低分子液晶層所構 成之第1液晶層3 0 a，於配向膜2 0 9上，形成由高分子材 料及低分子液晶層所構成之第2液晶層3 Ob。 於該配向膜1 〇 9上，散佈直徑5 μ m之隔離件粒子。此 外，於形成該配向膜209之相對基板20之周邊部，除了 注入口部份以外，以圍繞第2液晶層3 Ob之方式實施環氧 系之密封劑之框狀塗佈。以配向膜1 09及配向膜209相對 且摩擦方向互相相同之方式貼合該等，施加荷重，同時使 密封劑硬化，製作第1液晶層3 0a及第2液晶層3 Ob之間 具有空洞之單元。 其次，將所得到之單元移入真空腔室內，使該單元之 內側成爲真空，從注入口注入低分子液晶材料（MERCK JAPAN公司製E7)。此外，以環氧系接著劑阻塞單元之 注入口。藉此，於配向膜1 09之上，形成依序積層著第i 液晶層30a、第3液晶層30c、第2液晶層30b且其中所 -22- 200817798 含有之低分子液晶材料於未施加電壓狀態呈彎曲配向之液 晶層30。此外’第3液晶層30c幾乎未含有高分子材料及 高分子材料則驅體。 其次，於陣列基板i 〇之外面，貼附光學補償膜4〇及 偏光板50，且於相對基板20之外面，貼附光學補償膜40 及偏光板5 0。此處’係採用於畫素電極1 0 8及相對電極 2 08之間施加5V之電壓之狀態之畫素電極108及相對電 極208之間之液晶層30、及貼附於陣列基板及相對基板之 合計2片之光學補償膜40之積層體之延遲在基板面內大 致爲零之設計。此外，偏光板5 0係以該等透射軸大致互 相正交且各透射軸相對於X方向及Y方向約爲45°之角度 之方式配置。 此外，將掃描線驅動器2及信號線驅動器3等連結至 陣列基板1 〇，組合液晶顯示面板及背光。如上所示，完成 液晶顯示裝置。 該液晶顯示裝置，以手指強力按壓液晶面板亦不會發 生顯示不均。此外，施加於畫素電極1 〇 8及相對電極2 0 8 之間之電壓之絕對値，ON狀態爲5V，OFF狀態爲〇V。 正面之對比比爲400 : 1，回應時間爲5ms。視野角（滿足 對比比爲1 〇 : 1以上且不會發生色調反轉之條件），上下 方向及左右方向皆爲70°以上。 (實施例2) 於陣列基板1 0及相對基板2 0上，分別形成配向膜 -23- 200817798 109及209，實施摩擦處理，其後，至洗淨配向膜1〇9及 2 0 9爲止’與實施例1相同。但是，柱狀隔離件之高度爲 1 . 5 μιη 〇 此外，準備2片於玻璃基板之一方之面形成由〗τ 〇所 構成之透明電極、及於該透明電極之上形成厚度約丨μηι之 TEFLON (登錄商標，以下相同）製之膜者。 於真空下’對該配向膜1 09上滴下含有高分子材料前 驅體及低分子液晶材料之混合物。低分子液晶材料係使用 向列液晶組成物之MERCK JAPAN公司製E7。高分子材 料前驅體係混合使用具有液晶性之丙烯酸酯單體UCI-001 (DIC Corporation製）及非液晶性之多官能丙烯酸酯單體 (分子內含有複數丙烯酸性雙鍵之丙烯酸酯單體） KAYARAD HX-220 (曰本化藥株式會社製），並添加著 2，2-二甲氧基-2-苯基苯乙酮做爲光起始劑劑。混合比重量 百分比方面，液晶E7爲95°/。，UCL-001爲4.7%，HX-220 爲0.25%，2,2 -二甲氧基-2-苯基苯乙酮爲0.05%。 接著，以使配向膜109及TEFLON膜相對之方式配置 陣列基板1〇及前述之形成TEFLON膜之基板。此時，陣 列基板1〇及形成TEFLON膜之基板，利用形成於陣列基 板1 0上之柱狀隔離件將距離控制於均一之約1 . 5 μιη。 該狀態下，介由掃描信號輸入端子及影像信號輸入端 子，對所有掃描線1 0 1施加25 V之直流電壓，使所有畫素 開關104成爲ON狀態。此外，對所有信號線l〇5a施加 0V。同時，對形成於形成著TEFLON膜之基板之透明電極 -24- 200817798 方也加±5V之父流電壓。藉此，夾於畫素電極及前述透明電 極之間之低分子液晶材料，因爲TEFLON膜上之液晶分子 成爲垂直於基板面之配向，而爲混合配向。該狀態下，從 陣列基板1 〇之形成著配向膜1 0 9之面之相反側，照射3 分鐘之主波長爲3 65nm且強度爲3.3mW/cm2之紫外線。 藉此，高分子材料前驅體互相聚合，而形成含有高分子材 料及低分子液晶材料之液晶層。 其後’從基板之角部逐漸施力來剝離陣列基板1 〇及 形成著TEFLON膜之基板。液晶層不會殘留於TEFLON膜 側，而附著於陣列基板側。藉此，於配向膜1 〇 9上，形成 由高分子材料及低分子液晶層所構成之第1液晶層30a。

同樣地，也形成第2液晶層3 0 b。亦即，在真空下， 對配向膜2 0 9上，滴下含有高分子材料前驅體及低分子液 晶材料之混合物。低分子液晶材料係使用向列液晶組成物 之MERCK JAPAN公司製E7。高分子材料前驅體係混合 使用具有液晶性之丙烯酸酯單體 UCL-001 ( DIC

Corporation製）及非液晶性之多官能丙烯酸酯單體（分 子內含有複數之丙烯酸性雙鍵之丙烯酸酯單體） KAYARAD HX-220 (日本化藥株式會社製），添加著2,2· 二甲氧基-2 -苯基苯乙酮做爲光起始劑劑。混合比重量百分 比方面，液晶 E7 爲 95%，UCL-001 爲 4.7%，HX-220 爲 0.25% ? 2,2- 一^甲氧基-2-苯基苯乙醒爲〇.〇5%。 接著，以使配向膜209及TEFLON膜相對之方式配置 相對基板20及前述之形成著TEFLON膜之基板。此時， -25- 200817798 相對基板20及形成著TEFLON膜之基板，利用散佈 TEFLON膜上之直徑1 ·5μιη之隔離件粒子，而將距離控 於均一之約1 . 5 μ m。 該狀態下，對相對電極2 0 8施加0 V。同時。對形 於形成著TEFLON膜之基板之透明電極施加±5V之交流 壓。藉此，夾於相對電極及前述透明電極之間之低分子 晶材料於未施加電壓狀態成爲彎曲配向之狀態，從形成 TEFLON膜之基板之形成著TEFLON膜之面之相反側， 射3分鐘之主波長爲3 6 5 nm且強度爲3.3mW/cm2之紫 線。藉此，高分子材料前驅體互相聚合，形成含有高分 材料及低分子液晶材料之液晶層。 其後，從基板之角部逐漸施力來剝離相對基板20 形成著TEFLON膜之基板。液晶層不會殘留於TEFLON 側，而附著於相對基板側。藉此，於配向膜209上，形 由高分子材料及低分子液晶層所構成之第2液晶層3 0b 以後之製程與實施例1說明者相同之方法，製作液 顯示裝置。 該液晶顯示裝置，即使以手指強力按壓液晶面板亦 會發生顯示不均。此外，施加於畫素電極1 0 8及相對電 2〇8之間之電壓之絕對値，ON狀態爲5V，OFF狀態爲 。正面之對比比爲400 : 1，回應時間爲5ms。視野角（ 足對比比爲1 0 : 1以上且不會發生色調反轉之條件）， 下方向及左右方向皆爲70°以上。 於 制 成 電 液 著 照 外 子 及 膜 成 晶 不 極 0V 滿 上 -26- 200817798 (比較例1 ) 本例時’除了液晶層由3有局分子材料及低分子液晶 材料之單一層所構成之點以外，其餘與實施例1說明之相 同之方法，製作液晶兀件。亦即，於陣列基板1 0及相對 基板2 0上，分別形成配向膜1 〇 9及2 0 9，實施摩擦處理， 其後，至洗淨配向膜1〇9及209爲止，與實施例1相同。 但是，柱狀隔離件之高度爲5μιη。 於形成著配向膜209之相對基板20之周邊部，實施 環氧系之密封劑之框狀塗佈。於真空下，對該配向膜1 〇 9 上，滴下含有高分子材料前驅體及低分子液晶材料之混合 物。此外，混合物之組成與實施例1相同。 接著，以使配向膜1 〇 9及2 0 9相對且摩擦方向相同之 方式貼合陣列基板1 〇及相對基板2 0，施加荷重，同時使 密封劑硬化。此時，陣列基板1 0及相對基板20之距離， 藉由形成於陣列基板1 〇上柱狀隔離件均一控制於約5 μηι 〇 該狀態下，介由掃描信號輸入端子及影像信號輸入端 子，對所有掃描線101施加25V之直流電壓，使所有畫素 開關104成爲ON狀態。此外，對所有信號線l〇5a施加 0V。同時，對相對電極施加±5V之交流電壓。藉此，夾於 畫素電極及相對電極之間之低分子液晶材料於未施加電壓 狀態呈彎曲配向。該狀態下，從陣列基板1 0之形成著配 向膜109之面之相反側，照射3分鐘之主波長爲365nm且 強度爲3.3mW/cm2之紫外線。藉此，高分子材料前驅體互 -27- 200817798 相聚合，形成含有高分子材料及低分子液晶材料之液晶層 〇 其次，於陣列基板1 〇之外面貼附光學補償膜40及偏 光板50，且於相對基板20之外面，貼附光學補償膜40及 偏光板50。此處，係採用於畫素電極108及相對電極208 之間施加5 V之電壓之狀態之畫素電極1 08及相對電極 208之間之液晶層30、及貼附於陣列基板及相對基板之合 計2片之光學補償膜40之積層體之延遲在基板面內大致 爲零之設計。此外，偏光板5 0係以該等透射軸大致互相 正交且各透射軸相對於X方向及Y方向約爲45°之角度之 方式配置。 此外，將掃描線驅動器2及信號線驅動器3等連結至 陣列基板1 〇，組合液晶顯示面板1及背光。如上所示，完 成液晶顯示裝置。 從形成於相對基板上之偏光板側以手指按壓該液晶顯 示裝置，該按壓部份會成爲噴霧配向，而可辨識出顯示不 均。此外，針對未以手指按壓之部份檢測回應時間，結果 ，爲 1 0 0 m s ° 【圖式簡單說明】 第1圖係本發明之一形態之液晶顯示裝置之槪略平面 圖。 第2圖係第1圖之液晶顯示裝置可採用之構造之一例 之槪略之部份剖面圖。 -28- 200817798 第3圖係第2圖所示之液晶層3 0之更具體之部份剖 面圖。 第4圖係其他變形例之液晶顯示裝置之槪略之部份剖 面圖。 第5圖係實施例之液晶顯示裝置之槪略之部份剖面圖 【主要元件符號說明】 1 :液晶顯不面板 2 :掃描基板驅動器 3 :信號驅動器 1 〇 :陣列基板 20 :相對基板 3 0 :液晶層 3 0 a :第1液晶層 3 0b :第2液晶層 3〇c :第3液晶層 40 :光學補償膜 5 〇 :偏光板 1 0 〇 :透明基板 1 〇 1 :掃描線 1 〇 2 :絕緣膜 1 0 3 ·半導體層 104 :畫素開關 -29- 200817798 1 〇 5 a :信號線 1 0 5 b :源極 106 :電容器 1 〇 7 :濾色鏡 1 0 8 :畫素電極 1 〇 9 :配向膜 1 1 2 :黑矩陣 200 :透明基板 2 0 7 :濾色鏡 20 8 :相對電極 2 0 9 :配向膜 3 0 0 :液晶元件 3 0 1 :低分子液晶材料 3 0 2 :高分子材料 -30

Claims (1)

1. 200817798 十、申請專利範圍 1. 一種液晶顯示裝置，其特徵爲具備： 陣列基板，具備複數之掃描線、與該等交叉之複數之 信號線、對應於前述複數之掃描線及前述複數之信號線之 交叉部進行配列且利用前述掃描線所供應之掃描信號控制 開關切換動作之畫素開關、介由前述畫素開關連結於前述 fg號線之畫素電極、以及覆蓋前述畫素電極之第1配向膜 ;及 液晶層’含有與前述畫素電極相對之相對電極、覆蓋 前述相對電極之前述畫素電極側且具備配置於與前述第1 配向膜相對之位置之第2配向膜之相對基板、以及被密封 於前述第1配向膜及前述第2配向膜之間且於未施加電壓 狀態呈彎曲配向之含有高分子材料及分子量低於該高分子 材料之低分子液晶材料；且 前述液晶層具有··配設於前述陣列基板之前述第1配 向膜上之第1液晶層、配設於前述相對基板之前述第2配 向腠上之第2液晶層、以及配設於前述第〗液晶層及前述 第2液晶層間之第3液晶層， 利用則述筒分子材料及前述低分子液晶材料構成前述 弟1液晶層及則述桌2液晶層’利用前述低分子液晶材料 構成前述第3液晶層。 2·如申請專利範園第1項所記載之液晶顯示裝置， 其中 前述高分子材料係具備5〇〇〇以上之平均分子量之高 -31 - 200817798 分子材料。 3 ·如申請專利範圍第1項所記載之液晶顯示裝置， 其中 則述高分子材料係以中生基（mesogenic group)爲側 鏈並直接或間接地結合於高分子骨架之側鏈型高分子液晶 材料。 4 ·如申請專利範圍第1項所記載之液晶顯示裝置， 其中 前述低分子液晶材料係具備iOOO以下之分子量之低 分子材料。 5 ·如申請專利範圍第1項所記載之液晶顯示裝置， 其中 則述低分子液晶材料係介電各向異性爲正之向列液晶 材料。 6·如申請專利範圍第1項所記載之液晶顯示裝置， 其中 前述第1液晶層中及前述第2液晶層中之前述高分子 材料之含有率在於2 · 5 %至1 〇 %之範圍內而構成。 7·如申請專利範圍第1項所記載之液晶顯示裝置， 其中 前述高分子材料係含有側鏈型高分子液晶材料。 -32-