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TW200817703A - Chip testing device and system - Google Patents

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TW200817703A
TW200817703A TW095137100A TW95137100A TW200817703A TW 200817703 A TW200817703 A TW 200817703A TW 095137100 A TW095137100 A TW 095137100A TW 95137100 A TW95137100 A TW 95137100A TW 200817703 A TW200817703 A TW 200817703A
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Description

17703 九、發明說明: 【發明所屬之技術領域】 本發明是-種晶片測試裝置 號判斷測試結果的晶片測試裝置。疋—種利用回授信 【先前技術】 萄晶片製造完成後,會對晶片 片的運作是否正確。然而如果要對賴’用以判斷晶 則需要的時間非常多,因此晶片測二進打完整的測試, 入-測試信號,並從腳位的輪出信號晶:輸 圖為-習知的晶片測試裝置的方塊 疋曰確。、弟1 内11内具有複數個測試單元15,每」;二。:元片:試裝置 正反器12以及一及閘13。舉例來說正反二:,括-一腳位的輸出信號,其輸出端 。口 日日片中 -,其中及閘㈣-輸::接接―收^ 13:輸出爾至一次級的及間的—輸入端;= ;置因 11運作時:晶片的腳位被設定輪出-邏輯高準位= =大此正反&12輸出的信號亦為邏輯高準位的信 日,控制信號S1亦被設定為邏輯高準位信號,因此及閑:: 的輸出信號亦為邏輯高準位信號。利用這樣的測 若信號S2不為邏輯高準位信號,則表示晶片中至 固 腳位的輸出信號錯誤’由於無法得知哪個腳位的輪出 發生錯誤,因此只能透過顯示襄置14的狀態來判斷錯: 位的位置。顯示裝置14通常為一發光二極體或任何可 兩種邏輯狀態的裝置。在第1圖的測試裝置中,若顯: 〇 119-A21625TWF(N2);Princeton9510;brent 6 200817703 =料’則表示對應的腳位並無輸出邏輯高準 位,因此利用此種方法需要極大的電路 ΪΓ能得知該些腳位的輸出信號發生錯誤, :法知一個腳位發生錯誤,因此,在使用上較為 片測第另—習知的晶片測試裝置的方塊示意圖。晶 u内具有複數個測試單元15,每一 二=的在第2圖中,-或間2! .Η 口σ '輸出為。备晶片测試裝置11運作時,曰 ==定輸出一邏輯低準位的信號, : ;=,邏輯低準位的信號。此時便可藉由讀ί 、类、M es_ 有—個腳位的輪出信號錯誤,此時亦只於 "^、、不裊置14來判斷錯誤腳位的位置。者n S3位於 邏輯低準位時,表干曰H 士〃 i田b虎S3位於 示裝置14通常A —:中母一卿位的輸出測試正確。顯 態的裝置。在二τ:;=㈣ 擇接收測試單元15的輸出仲^八一了透過多工益17選 為輸入信號,以進行測試。々一輸入端輸入的信號 正 確,以=的方式可以測試晶片的輸出資料是否止 位時,且:二::輪出資料全為邏輯高準位與邏輯低準 収的結果並不4完全表示晶片是正常的。例 〇119-A2I625TWF(N2);Princet〇n95I〇;brem 7 200817703 如若有晶片中某一腳位與電源線VDD短路,則利用第1 圖的測試裝置便無法測試出該腳位的錯誤。因此,一種能 改善習知測試裝置的缺點,且可以進行更複雜的晶片測試 步驟的晶片測試裝置是必需的。 【發明内容】 本發明提供一種晶片測試裝置,具有複數個測試單 元,包括一選擇器、一正反器、一第一缓衝器、一顯示裝 置以及一第二缓衝器。該選擇器,受控於一控制信號,具 有一第一輸入端、一回授輸入端以及一第一輸出端。該正 反器,具有一第二輸入端,一時脈輸入端以及一第二輸出 端,其中該第二輸入端耦接該第一輸出端,該時脈輸入端 接收一時脈信號。該第一緩衝器,用以將該輸出資料轉換 為一高電壓資料。該顯示裝置,耦接該第一缓衝器,用以 表示該高電壓資料的邏輯狀態。該第二緩衝器,耦接該第 一緩衝器,用以將該高電壓資料轉換為一低電壓資料,並 傳送至該回授輸入端。 本發明更提供一種晶片測試系統,包括一測試裝置、 一晶片以及一控制單元。該晶片測試裝置,具有複數個測 試單元,包括一選擇器、一正反器、一第一緩衝器、一顯 示裝置以及一第二缓衝器。該選擇器,受控於一控制信號, 具有一第一輸入端、一回授輸入端以友一第一輸入端。該 正反器,具有一第二輸入端,一時脈輸入端以及一第二輸 出端,其中該第二輸入端耦接該第一輸出端,該時脈輸入 0119-A21625TWF(N2);Princeton9510;brent 8 200817703 端接收-時脈信號。該第-緩衝器,用以將該輸出資 換為-高電壓資料。該顯示裝置,輕接該第—緩衝哭 以表示該高電壓資料的邏輯狀態。該第二緩衝哭,輕接1 第一緩衝器,用以將該高電壓資料轉換為一低電厣資以 並傳送至該回授輸入端。該晶片,具有複數個腳位,、 每-該腳位耗接-該測試單元的該第—輸入端。該控制 ^控制該晶片自每-該腳位輸出—測試信號,並比較該 測式信號與該每一該測試單元的低電屢資料是否相同。μ 【實施方式】 ‘第3圖為根據本發明之—晶片測試裝置的— 方塊示意圖。晶片測試裳置3 ^中 、1勺 -測試單元包括一多:=中試單元,每 器32具有U,㈣說,多工 端-I —回授輸入端以及-第-於屮 «控制第-輸二】一:=;:, 端的信號。正反哭33接你夕, 、口^或5亥回授輪入 ,暫存正反器33的輪二:否第輪^ :門鎖S5 34的輪出資料 動;用《提 第二缓衝器37則用《降低二:二:示褒置36。 位’並傳回至多工哭 、、友t 35的輸出資料的電 各夕即 口口 乂的回授輪入端。 二::…SI輪入端接收並傳送測試信號至正
Wh(N2),Prlncet〇n951〇;brem 工工 200817703 反器33後,控制信號Cj控制多工器32,使第一輸出端輸 出回授輸入信號端的貢料,此時再自正反為中讀取由弟二 正反器37傳回的回授資料,並與測試信號比較,便可知道 測試結果是否正確。此外,亦可藉由顯示裝置36來判斷測 試資料與第一緩衝器35的輸出資料是否相同。在本實施例 中,顯示裝置36為一發光二極體,當該第一緩衝器35的 輸出資料位於邏輯高準位時,顯示裝置36發光,當第一緩 衝器35的輸出資料位於邏輯低準位時,則顯示裝置36不 發光。 在第3圖中,正反器33a可透過多工器32a選擇其輸 入信號。多工器32a接收一外部信號與緩衝器,如第一缓 衝器35,的輸出信號,並根據控制信號C2來選擇何者輸 入正反器33a。在本實施例中,外部信號可透過多工器38 來選擇正反器33的輸出信號或另一外部輸入信號,以輸入 至多工器32a。 在本實施例中,第一緩衝器35與第二緩衝器37皆由 兩個反相器串聯組成,且正反器33可能為D型正反器、JK 型正反器或RS型正反器。 於一實施例中,本發明之資料輸入方式可以為串列方 式或並列方式,當使用串列方式時,利用輸入端將資料依 序輸入正反器12,直至每個正反器都具有收到資料時,再 將全部資料輸出。當使用並列方式時,則可利用每各正反 器之資料輸入端同時輸入多各資料,使每各正反器都接收 到貢料。 0119-A21625TWF(N2);Princeton9510;brent 10 第4圖為根據本發明的一晶片 方塊示意圖。晶片測試系 ^系,的-實施例的 =空輪-。晶片測試裝置4心 -,其中每-測試單元接收晶禮個測試單 號。在第4圖中,θ μ . 的一腳位的一輪出信 3 的每一卿位的輸出信號,並在第—時門:控制晶片41中 試裝置42接你曰μ 1 守間週期内使得晶片測 二時間週 圖中控制信號CI與多:出信號 再自每一、、_一 A二2的運作方式’此時控制單元 早兀勺正反器,如第3圖中的正反器33,中 碩,試結果,並與測試信號進行比較。利用這樣的運作, 才制單元43便可控制晶片41輸出更複雜的測試信號,而 不限習知只能輸出〇或】的測試信號,如此以來也可 以提咼晶片的測試正確率。 0119-A21625TWF(N2);Princeton9510;brent 11 200817703 【圖式簡單說明】 第1圖為一習知的晶片測試裝置的方塊示意圖。 第2圖為另一習知的晶片測試裝置的方塊示意圖。 第3圖為根據本發明之一晶片測試裝置的一實施例的 方塊示意圖。 第4圖為根據本發明的一晶片測試系統的一實施例的 方塊示意圖。 【主要元件符號說明】 11、 31〜晶片測試裝置 12、 33〜正反器 13〜及閘 14、36〜顯示裝置 21〜或閘 32、32a、38、17〜多工器 34〜閂鎖器 35〜第一緩衝器 37〜第二緩衝器 41〜晶片 42〜晶片測試裝置 43〜控制單元 0119-A21625TWF(N2);Princeton9510;brent 12

Claims (1)

  1. 200817703 卞、π諝寻利範園: 裝置’具有複數個測試單元,包括: -回授輸入端以及—第—輪出端'…有-弟-輸入端、 一正反器,耦接於該選擇 時脈輸入端以及一第二輸出,甘:有—弟二輸入端,-第-輸出端,該時脈輸入端接而收:日:二第;輪入端編妾該 用以於該第二輸出端輸出—輸出資J編虎,該正反器係 一第一緩衝器,耦接於該$ G π m 轉換為一高電壓資料並加以輸出;二卩將該輸出資料 資料轉該第:_,將該高㈣ —,二授輪入端。 更包括一閃鎖器,㈣妾、^之曰曰片測試裝置’其中 暫存該輸出資料。 正反"、及該第-緩衝器、,用以 札制h號用以控制該第一輪 ”中 號或該回授輸入端的信號。 月』〃輸入端的信 今第It請專利範圍帛1項所述之晶片測試裝置,复中 5.如申請專利範圍第?;=相器組成。 該正反器為d型正反器。、u之3日片m置,其中 專利範圍帛1項所述之晶 肩正反态為RS型正反器。 、衣1,其中 A2l625TWF(N2);Princeton9510;brent 13 200817703 7. 如申請專利範圍第1項所述之晶片測試裝置,其中 該正反器為JK型正反器。 8. 如申請專利範圍第1項所述之晶片測試裝置,其中 另包含一顯示裝置,耦接該第一緩衝器,用以顯示該高電 壓資料。 9. 如申請專利範圍第8項所述之晶片測試裝置,其中 當該高電壓資料為邏輯高準位時,該顯示裝置導通,當該 高電壓資料為邏輯低準位時,該顯示裝置不導通。 10. —種晶片測試系統,包括: 一測試裝置,具有複數個測試單元,包括: 一選擇器,受控於一控制信號,具有一第一輸入端、 一回授輸入端以及一第一輸出端; 一正反器,耦接於該選擇器,具有一第二輸入端,一 時脈輸入端以及一第二輸出端,其中該第二輸入端耦接該 第一輸出端,該時脈輸入端接收一時脈信號,該正反器係 用以於該第二輸出端輸出一輸出資料; 一第一缓衝器,耦接於該正反器,用以將該輸出資料 轉換為一局電壓貢料’並加以輸出,以及 一第二緩衝器,耦接該第一緩衝器,用以將該高電壓 資料轉換為一低電壓資料,並傳送至該回授輸入端; 一晶片,具有複數個腳位,其中一該腳位耦接於該測 試單元的該第一輸入端;以及 一控制單元,耦接於該晶片,用以控制該晶片自該腳 位輸出一測試信號,並比較該測試信號與該低電壓資料是 0119-A21625TWF(N2);Princeton9510;brent 14 200817703 否相同。 測試項之晶片測試系統,其中該 器,用以暫存二接於該正反器及該第-緩衝 他J 該第—輸出端輸出該第-輸入端的 m“授輪人端的信號。 *叛入化的 令4.ΓΓ利範圍第10項所述之晶片測試系統,苴 元自田^正只!^端輸出該回授輸入端的信號時,該控制單 二反^買取並比較該測試信號與該低電壓資料。 中兮第如中睛專利範圍第ig項所述之日日日片測試系統,其 中•-緩衝器與該第二緩衝器由兩個反相器組成。 t申請專利範圍第i 0項所述之晶片測試系統,置 一顯示裝置,輕接該第一緩衝器,用以顯示該高 口中請專利範圍第15項所述之晶片測試系統,其 中當该馬電壓資料為邏輯高準位時,該顯示裝置導通,去 該高電壓資料為邏輯低準位時,該顯示裝置不導通。田 17.如申請專利範圍第1〇項所述之晶片測試系統,其 中該正反器為D型正反器、JK型正反器或RS型正反器二 〇119-A21625TWF(N2);Princeton9510;brent
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Families Citing this family (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102200565B (zh) * 2010-03-23 2015-08-12 重庆重邮信科通信技术有限公司 一种芯片测试装置
US9911470B2 (en) 2011-12-15 2018-03-06 Nvidia Corporation Fast-bypass memory circuit
US9435861B2 (en) 2012-10-29 2016-09-06 Nvidia Corporation Efficient scan latch systems and methods
US9842631B2 (en) 2012-12-14 2017-12-12 Nvidia Corporation Mitigating external influences on long signal lines
US10141930B2 (en) 2013-06-04 2018-11-27 Nvidia Corporation Three state latch
JP2015001774A (ja) * 2013-06-13 2015-01-05 富士通株式会社 半導体集積回路及びその処理方法
US9525401B2 (en) 2015-03-11 2016-12-20 Nvidia Corporation Low clocking power flip-flop
US10048893B2 (en) * 2015-05-07 2018-08-14 Apple Inc. Clock/power-domain crossing circuit with asynchronous FIFO and independent transmitter and receiver sides
US10365325B2 (en) 2017-08-22 2019-07-30 Micron Technology, Inc. Semiconductor memory device
CN112005544A (zh) * 2018-06-14 2020-11-27 惠普发展公司,有限责任合伙企业 具有错误状态hid通知的会议
WO2020042906A1 (en) 2018-08-31 2020-03-05 Changxin Memory Technologies, Inc. Test methods, tester, load board and test system
CN108732489B (zh) * 2018-08-31 2023-09-05 长鑫存储技术有限公司 测试方法、测试设备、测试载板及测试系统
US11005475B1 (en) * 2020-01-06 2021-05-11 Innolux Corporation Emission driver and pump unit
CN118227388B (zh) * 2024-01-11 2024-08-27 江苏满旺半导体科技股份有限公司 一种基于人工智能的芯片数据自检系统及方法

Family Cites Families (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6295621B1 (en) * 1993-04-22 2001-09-25 Medtronic, Inc Apparatus for detecting output bond integrity in a display driver circuit
US5621740A (en) * 1993-05-14 1997-04-15 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Output pad circuit for detecting short faults in integrated circuits
US5732091A (en) * 1994-11-21 1998-03-24 Texas Instruments Incorporated Self initializing and correcting shared resource boundary scan with output latching
US6694465B1 (en) * 1994-12-16 2004-02-17 Texas Instruments Incorporated Low overhead input and output boundary scan cells
US5666497A (en) * 1995-03-08 1997-09-09 Texas Instruments Incorporated Bus quieting circuits, systems and methods
US6055659A (en) * 1999-02-26 2000-04-25 Texas Instruments Incorporated Boundary scan with latching output buffer and weak input buffer
US5656953A (en) * 1995-05-31 1997-08-12 Texas Instruments Incorporated Low overhead memory designs for IC terminals
JPH1096759A (ja) * 1996-09-24 1998-04-14 Nec Eng Ltd 半導体集積回路、及び半導体集積回路の故障検出方法
KR100499740B1 (ko) * 1996-12-13 2005-09-30 코닌클리케 필립스 일렉트로닉스 엔.브이. 제1및제2클록도메인을포함하는집적회로및그러한회로를테스트하는방법
US6199182B1 (en) * 1997-03-27 2001-03-06 Texas Instruments Incorporated Probeless testing of pad buffers on wafer
US6266793B1 (en) * 1999-02-26 2001-07-24 Intel Corporation JTAG boundary scan cell with enhanced testability feature
KR100505662B1 (ko) * 2002-12-30 2005-08-03 삼성전자주식회사 칩 사이즈를 감소시키는 스캔 테스트 회로를 구비한반도체 장치, 및 그 테스트 방법

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