TW200816591A - Thermal shutdown circuit and method - Google Patents

Description

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Fi-uo-u/j 21368twd3.doc/n 九、發明說明： 【發明所屬之技術頜域】 本發明是有關於一種保護裝置及方法，且特別是有關 於一種溫度保護裝置及方法。 【先前技術】 圖1繪示為習知之熱斷電電路(Thermal Shutdown Circuit)的電路圖，是由美國專利第US5737170號專利所提 出。請參照圖1，在習知之熱斷電電路100中，電阻103 和1〇4形成一分壓電路，用來將偏壓VBG進行分壓後，再 送至BJT電晶體1〇5的基極端。 由於BJT電晶體的導通電壓具有負溫度特性，因此， 當週邊溫度每上升1°C，BJT電晶體的導通電壓(yBE)就會 約下降2mV。藉此，圖1中的週邊溫度上升到一臨界溫度 值時，將會使得BJT電晶體1〇5導通，進而關閉電子系統 120來達到溫度保護的目的。 上述之方式，是假設偏壓Vbg在零溫度係數的前提下 ( 操作]然而在實際的操作狀況下，偏壓VBG可能會具有正 *度係數或是貞溫度係數。因此，偏壓vBG可能會隨著溫 度的變化而有所漂移，因此會有誤動作的產生。例如，週 邊溫度還沒到達臨界溫度時，由於偏塵VBG的漂移而造成 BJT電晶體105提前導通，或是已經超過了臨界溫度，而 BJT電晶體1〇5還沒有導通，這都可能造成電子系統⑽ 的損壞。 另外’不僅偏壓vBG會隨著溫度漂移，BJT電晶體1〇5 5 200816591 ri-wu-u/3 21368t\vd3.doc/n 也會因為製程的關係，導致導诵+ 0 ^ ^ 通電壓和週邊溫度可能不會 疋線性的關係。也就是說，♦彳

&几田週邊溫度上升rc時，BJT 電晶體105的導通電壓可能合 电j此會小於2mV，也有可能超過 2mV。以上種種的誤差，都會 ^m .^ | ^ 曰¥致習知之熱斷電電路100 無法有效地對電子系統12〇進行溫度保護。 因此’提供-種可靠之保護裝置，乃為現今重要的 課題之一。 【發明内容】 有鑑於上述課題，本發明主要目的是提供一種保護裝 置及方法，可以有效地對f子系統進行溫度保護。 另外’本發明另-目的是提供一種具有較佳抗雜訊功 能之保護裝置及方法。 緣是，為達上述之目的，本發明提供一種保護裝置， $括-第-溫度感測元件、-第二溫度感測元件和一比較 單元。其中，第一溫度感測元件可以接收一第一電流訊號， 以產生一第一電壓訊號。而第二溫度感測元件則接收一第 一電流訊號，並且產生一第二電壓訊號。藉此，比較單元 則是比較第一電壓訊號和第二電壓訊號而產生一保護訊 號。 在本發明的實施例中，第一溫度感測元件是一正溫度 感測元件，例如是一正溫度係數電阻。相對地，第二溫度 感測元件則是一負溫度感測元件，例如是負溫度係數電阻。 另外，第一電流訊號和第二電流訊號實質上是相等的 6 200816591 ^l-U〇-u/J 21368twd3.doc/n 電流訊號。 從另一角度來看，本發明提供另一種保護裝置， ㈣行溫度賴。本發明所提供之保護裝 置度感測模組和—比較料。射，溫度感測模 ^疋用來輸出會隨著溫度而變化之―第—電屢訊號和一第 二電壓訊號。而比較單元則是比較第—電塵訊號和第二電 麗訊號’並產生-保護訊號至電子系統，以決定電子 是否正常運作。 在本發明的實施例中，第一電壓訊號之電壓值會隨著 ，境溫度的上升而增加，而第二電壓訊號之電壓值則隨著 環境溫度的上升而下降。 另外，溫度感測模組包括一電流鏡電路、一正溫度係 數電阻和一負溫度係數電阻。其中，電流鏡電路可以產生 相同電流值給正溫度係數電阻和負溫度係數電阻，以產 生第一電壓訊號和第二電壓訊號。 另外，比較單元會將第一電壓訊號減去第二電壓訊號 以產生比較值。當比較值大於一第一預設電壓時，則比較 單元會致能一中斷訊號，以使電子系統中斷操作。反之， 當比較值小於一第二預設電壓時，則比較單元會禁能中斷 訊號，以使電子系統可以正常運作。其中，第一預設電壓 大於第二預設電壓。 從另一觀點來看，本發明提供一種熱斷電方法，包括 產生一第一電壓訊號，而此第一電壓訊號之電壓值隨環境 溫度的上升而增加，另外產生一第二電壓訊號，而此第二 200816591 Fl-UO-U/3 21368twd3.doc/n 電壓訊號之電壓值則隨環境溫度的上升而降低。此外，本 發明會比較第一電壓訊號和第二電壓訊號，而產生一保護 訊號，並且依據此保護訊號而決定是否使一電子系統正常 運作。 從另一觀點來看，本發明也提供一種晶片，包括一保 護裝置和一控制裝置。在本發明的實施例中，保護裝置具 有一正溫度係數電阻、一負溫度係數電阻和一比較單元。 其中，正溫度係數電阻可以接收一第一電流訊號，並且產 生一第一電壓訊號。另外，負溫度係數電阻可以接收一第 —電流訊號，並且產生一第二電壓訊號。藉此，比較單元 可以比較第一電壓訊號和第二電壓訊號，以產生一保護訊 號。因此，控制裝置可以依據此保護訊號而控制晶片是否 停止運作。 由於本發明是將一具有正溫度係數的電壓訊號和一具 有負溫度係數的電壓訊號進行比較，再依據比較結果來決 又疋否使電子系統正常運作。因此，能有效地對電子系統 進行溫度保護。 為讓本發明之上述和其他目的、特徵和優點能更明顯 易懂，下文特舉較佳實施例，並配合所附圖式，作詳細說 明如下。 【實施方式】 以下將參照相關圖式，說明依本發明較佳實施例之 保護裝置和方法，其中相同的元件將以相同的參照符號 加以說明。 8 200816591 ΡΊ-06-073 21368twd3.doc/n 請麥閱圖2所示，為本發明之較佳實施例之一種保護 t置’適於對一電子系統進行過溫保護。本實施例之保護 裝置200,包括一溫度感測模組2〇2和一比較單元2〇4。^ 中’溫度感測模組202的輸出送至比較單元2Q4。萨此了 比較單元204就可以依據溫度感測模組2〇2的輸出^產生 一保護訊號SD，而決定是否使電子系統22〇正常運作。 請繼續參照圖2，溫度感測模組2〇2會產生一第一電 壓訊號V+和一第二電壓訊號v_，二者分別具有正溫度^ 數和負溫度係數的特性。當溫度感測模組2〇2將輸出第一 電壓訊號v+和第二電壓訊號v_送至比較單元2〇4時，比 較單元204將會進行第一電壓訊號v+與第二電壓訊號v_ 的比較工作，以產生保護訊號SD來控制電子系統22〇。 圖3為圖2中之第一電壓訊號V+和第二電壓訊號^ 隨溫度變化之示意圖。請合併參照圖2和圖3，於本實施 例中，比較單元204將電壓訊號V+與電壓訊號V_進行比 較後，將會產生中斷訊號SD，來決定是否使電子系統22〇 維持正常運作或是中斷。 從圖3中可以很清楚看到，由於第一電壓訊號V+具 有正溫度係數的特性，第一電壓訊號V+之電壓值會隨著 環境溫度的上升而增加。相對地，由於第二電壓訊號v_ 具有負溫度特性，因此第二電壓訊號v_之電壓值會隨著環 境溫度的上升而減少。在本實施例中，當環境溫度在臨界 溫度T1時，第一電壓訊號V+和第二電壓訊號V—會具有相 同的電壓值。而當環境溫度超過臨界溫度T1時，第一電 200816591 n-uo-u/^2l368twd3.doc/n 壓訊號v+會大於第二電壓訊號，因此比較單元2〇4將 第一電壓訊號V+與第二電壓訊號V-進行比較後(例如將第 一電壓訊號V+減去第二電壓訊號v_)，則得到一正比較 值，即為保護§fL號SD，使電子系統220中斷運作。 相對地，當環境溫度小於臨界溫度Ti時，比較單元 204將第一電壓訊號v+與第二電壓訊號v_進行比較後， 此時得到一負比較值，此時電子系統22〇維持正常運作。 須注意者，雖然在本實施例中，保護訊號；5D為正比較值， 但不限定於此，在其他實施例中，保護訊號SD亦可為負 比車乂值，可依據電子系統2〇〇所須的訊號來決定保護訊號 SD為正值或是負值，如果保護訊號SD想要為負值時，只 需要在比較單元204後面多接一級反相器單元即可。 如圖4所示’為圖2中之保護裝置之電路示意圖。本 貫施例中之溫度感測模組202包括一電流鏡電路402、一 第一溫度感測元件R1和一第二溫度感測元件R2。 其中，第一溫度感測元件R1與第二溫度感測元件R2 的其中一端共同接地，另一端則分別接收由電流鏡電路 402所產生的第一電流訊號η與一第二電流訊號12，以分 別產生第一電壓訊號V+和第二電壓訊號V-，並且送至比 較單元204。在1C晶片製作實施例中，第一溫度感測元件 R1可由一正溫度係數電阻來貫現’例如^一 ρ+材質的電 阻。第二溫度感測元件R2則可由一負溫度係數電阻來實 現，例如一 HR POLY1材質的電阻。此外，在本實施例中， 當環境溫度未到達T1時，第二溫度感測元件R2之電阻值

200816591 π-υο-υ/3 21368twd3.doc/n 會大於第一溫度感測元件R1之電阻值。 本實施例之電流鏡電路搬具有兩_ ：406 ° ^ J PM〇S t 404 4〇： 體406的源極端共_接—電壓源，而觸 電: 的閉極端與動S電晶體楊的閘極端彼此轉^且搞 接至-控制早％ 4G3，以提供—電壓至觸 之^端，使得第—電流訊號„及第二電流訊㈣ 貫貝上相4，另外，PM0S電晶體404的汲極端耦接至第 -溫度感測το件R1的—端，而PM〇s電晶體偏的沒極 端則耦接至第一溫度感測元件R2的一端，因此，第一溫 度感測兀件R1和第二溫度感測元件R2流經相同之電流 值0 另外，比較單元204是利用磁滯比較器來實現，因為 磁滯比較器具有較佳抗雜訊干擾功能，因此，對於第一溫 度感測元件R1和第二溫度感測元件R2之些微製程的漂移 所導致的影響將可以減低到最小。 如圖5所示，為一種磁滯比較器之工作原理示意圖。 其中，磁滯比較器之正輸入端與負輸入端的差值大於一第 一預定電壓(例如，V1+AV)時，磁滯比較器之輸出v〇為 一正電壓。反之，磁滯比較器之正輸入端與負輸入端的差 值小於一第二預定電壓(例如，Vl-AV)時，則輸出Vo為 一負電壓，而當正輸入端與負輸入端的差值不大於第一預 定電壓或是不小於第二預定電壓時，則輸出Vo維持先前 狀態。因此，假設圖4中的比較單元204是利用磁滯比較 11 200816591 π-υο-υ/J 21368twd3.doc/n 為來貫現時’當磁滯比較器將第一電壓訊號v+和第二電 壓訊號V-進行比較時，兩者之差值必須大於一預設電壓 時，才會產生保護訊號SD，當產生保護訊號SD時表示目 刖周圍環境溫度可能已經太高，因此產生中斷的訊號，相 對地，當磁滯比較器偵測到第一電壓訊號v+和第二電壓 訊號y-之差值小於預設電壓時，代表環境溫度正常，所以 電子系統會正常的運作。其中我們使用磁滞比較器最主要

的原因是為了免除因外界雜訊的干擾所帶來的影響，所 以，本發明可財效地減低元件因為製程些微的漂移而造 成電氣漂移所產生的影響。 再者，-般而言雜訊可能來自電壓源端或者是接地端 種二Ϊ保ίΐ置系統’造成電子系統誤動作發生。針對此 種問4，本貫施例之保護裝置2〇〇中，π 測元軸為同時接收到茲 =起疋-共模的雜訊，可以藉由比 ^^403 PM ^ + ^ 實現。J:中，ΡΜ〇Μ 〇S電晶體408以及一電阻R3來 侧和獅之源極與麵電晶體 :閘極嫩PM0S電晶體4〇4和4 :電:曰：⑽ :曰體福之汲極端和閘極端 12 200816591 r ι-υυ-υ/3 21368twd3.doc/n PMOS電晶體404、406和40δ是採用電流鏡方式的接法， 所以流經第一溫度感測元件IU、第二溫度感測元件&2和 電阻R3之電流Ik、II和12實質上相等。 另外，請參閱圖7所示，在其他實施例中，第一溫度 感測元件R1與第二感測元件R2也可選用不同溫度係數的 正溫度感測元件，或是選用不同溫度係數的負溫度感測元 件。在圖7中，可以很清楚看到，第一電壓訊號V1與第 一電壓訊號V2都具有不同溫度係數之正溫度的特性，兩 者在/JBL度T2時，具有相同之電壓值，其他動作原理如同 上述’在此不加以資述。 請參閱圖8所示，為本發明之較佳實施例之一種熱斷 電方法，可實施於上述之保護裝置2〇〇,以對電子系統22〇 進行溫度保護。本實施例之熱斷電方法，包括下列步驟， 首先，如步驟S601是提供第一電壓訊號V+和第二電壓訊 號V-，其中第一電壓訊號v+和第二電壓訊號可由溫度 感測模組202產生，且第一電壓訊號V+具有正溫度係數 的特性’第二電壓訊號V-則是具有負溫度係數的特性。 接著’如步驟S603所述，比較單元204比較第一電 壓訊號V+和第二電壓訊號V-，其比較方式是將第一電壓 訊號減去第二電壓訊號。 再者’如步驟S605所述，比較兩者之差值是否大於 一預設電壓值，當差值大於預設電壓值時，執行步驟 S607，反之執行步驟S6〇9。 其中，如步驟S607所述，送出保護訊號SD，使電子 13 200816591 ri-w〇-u/i 21368twd3.doc/n 系統中斷運作。如步驟S609所述，電子系統維持正常運 作。 另外，本發明更揭露一種晶片具有一保護裝置及一控 制裝置。其中，保護裝置如同上述之保護裝置2〇〇，具有 相同元件及功效，在此不加以贅述。於本實施例中，當周 圍環境溫度過高時，保護裝置產生一保護訊號至控制裝 置，使得控制晶片停止運作，以達到溫度保護之功效。 _ 綜上所述，本發明至少有以下優點： ‘ 1·藉由正溫度係數元件與負溫度係數元件所產生的電 壓訊號，本發明可以精確地對一電子系統進行溫度保護。 2·由於本發明可以利用磁滯比較器來實現比較單元， 因此本發明可以當元件在製程上有產生些微誤差時，還能 有效地對電子系統進行溫度保護功能。 3·由於本發明是採用共模輸入的技術，因此本發明可 以有效地避免雜訊所帶來的影響也就是說具有較強的抗雜 訊干擾之功能。 D 雖然本發明已以較佳實施例揭露如上，然其並非用以 限定本發明’任何熟習此技藝者，在不脫離本發明之精神 和lli圍内’當可作些許之更動與潤飾，因此本發明之保護 範圍當視後附之申請專利範圍所界定者為準。 【圖式簡單說明】 圖1為習知之保護裝置的電路圖。 圖2為依照本發明之較佳實施例之一種保護裝置的電 路方塊圖。 14 200816591 fi-uo-u/3 21368twd3.doc/n 圖3為圖2中之第一電壓 變化之示意圖。 訊號和第二電壓訊號隨溫度 圖4，圖2中之保魏置較佳實施例之電路示意圖。 圖5為-種磁概難之卫作原理示意圖。 圖6為圖2中之保魏置另—較佳實施例之電路示意 圖7為第一電壓訊號和第 一示意圖。 —電壓訊號隨溫度變化之另 之一種保護裝置方法 圖8為依照本發明之較佳實施例 的步驟流程圖。 【主要元件符號說明】 100、200 :保護裝置 103、104 :電阻 105 : BJT電晶體 202 :溫度感測模組 204 :比較單元 402 :電流鏡電路 403 :控制單元 404、406、408 : PMOS 電晶體 R1 :第一溫度感測元件 R2 :第二溫度感測元件 R3 :電阻 SD :中斷訊號 V+、VI :第一電壓訊號 15 200816591 ri-uu-u/j 21368twd3.doc/n V-、V2 :第二電壓訊號

Vo :輸出

Ik、II、12 :電流 S601、S603、S605、S607、S609 :保護方法之步驟流 16

Claims (1)

1. 一第二PM0S電 閘極端執接至該第 200816591 π-υο-υ/J 21368twd3.doc/n 十、申請專利範圍： 1.一種保護裝置，包括： 一第一溫度感测元件，接收一第一電流訊號，旅依據 該第一電流訊號以產生一第一電壓訊號； 一第二溫度感測元件，接收一第二電流訊號，炎依據 該第二電流訊號以產生一第二電壓訊號；以及 一比較單元，比較該第一電壓訊號與該第二電壓訊 號，以產生一保護訊號。 2·如申請專利範圍第1項所述之保護裝置，其中該第 一溫度感測元件為一正溫度感測元件，該第二溫度感測元 件為一負溫度感測元件。 3.如申請專利範圍第1項所述之保護裝置，其中該第 -電流訊號實質上相等於該第二電流訊號。 ♦ 4·如申請專利範圍第1項所述之保護裝置，更包括一 電流鏡電路’用以產生該第—電流訊號與該第二電流訊號。 5·如申凊專利範圍第4項所述之保護裝 其中該電 流鏡電路包括： 一控制單元； 第PM0S電晶體，其一源極端♦馬接一電壓源，其 「閘極端_該控制單心其—汲極端轉接該 第一溫度感 Ί 卩輸出料_電流減給該第_溫度感測元件； 晶體，其一源極端耦接該電壓源，其 一 PM0S電晶體之該閘極端，其一汲 17 200816591 n-v,u-u/3 21368Uvd3.doc/n 二電流訊號 ，其中該控 極端則耦接該第二溫度感測元件，以輸出該第 給該第二溫度感測元件。 6·如申請專利範圍第5項所述之保護裝置 制單元具有： -第三PMOS電晶體’其-源極端她該電壓 一閘極端耦接該第二PM〇s電晶體之該閘極端，复一、、" 端摩馬接該閘極端；以及 /及極

   一電阻，其一端耦接該第三 蠕，其一另一端接地。 PMOS電晶體 之該及極 7·如申請專利範圍第1項所述之保護裝置，复 較單元為一磁滞比較器。 ,、^亥比 8·如申請專利範圍第7項所述之保護裝置，其上 第一電壓訊號與該第二電壓訊號之差值大於一預、执^該 時，該比較單元產生該保護訊號。 、叹甩壓

   9·如申凊專利範圍第1項所述之保護裝置，其# 一溫度感測元件為一正溫度係數電阻，其一端接j也，忒第 —端接收該第一電流訊號。 另 10·如申請專利範圍第9項所述之保護裝置，其 # 二溫度感測元件為一負溫度系數電阻，其一端接地，u亥第 —端接收該第二電流訊號。 另 11·如申請專利範圍第1〇項所述之保護裝置，其 正溫度係數電阻為》一 p+材質的電阻。 I2·如申請專利範圍第11項所述之保護裝置，其中該 負溫度係數電阻為一 HR POLY1材質的電阻。 Μ 18 200816591 π-υο-υ/J 21368t\vd3.doc/n “13·如申凊專利範圍第1〇項所述之保護 環境溫度未達到一預定、、w译士 申當 電阻之電阻 適於對-電子系統進行溫度保護， 丁貝义μ度日寸，該負溫度係數 值大於该正溫度係數電阻之電阻值 14· 一種保護裝置， 該保護裝置包括： 一溫度感測模組， 電壓訊號， —用以輸出一第一電壓訊號和一第二 弟—電壓訊號與該第二電壓 值會隨著環境溫度而變化；以及 电孟汛號之电反 =單元’比較該第一電壓訊號二 唬，亚產生一保護訊號至該電 一 ° 是否正常運作。 m统’叫定該電子系統 帛，其中該 第二電壓訊號之電壓值;該 一電流鏡電路，用以產生— 流訊號，其中該第一電物卜Γ氣流訊號及一第二電 號； 电机汛戒貫質上相等於該第二電流訊 一正溫度係數電阻，其中— 鳊接地，另一端接收該第 一電肌心虎並產生邊第-電壓訊號；以及 一雷=度:2阻:其中-端接地，另一端接收該第 一電/，丨LcfU虎，並產生该第二電壓气號 Π.如申請專利範圍第16項所^_置，其中該 19 200816591 --^/3 2l368twd3.doc/n 電流鏡電路包括： 一控制單元； 第一 PMOS電晶體，其一源極端耦接_電壓源，1 一閘極端_雜制單元，其—汲極端輪該正溫声ς ，以輸出該第—電流訊號給該正溫度^數電 —第二Ρ Μ 0 S電晶體，其一源極端耦接該電壓源，i 一閘極端耦接至該第一 PM0S電晶體之該閘極端，豆—ς 極端則麵接該負溫度係數電阻之-端’以輸出該第2雷L 5孔號給該負溫度係數電阻。 /;IL 18.如申請專利範圍第17項所述之保護 控制單元具有： /、中该 -第三PMOS電晶體，其-源極端域該電壓源，1 -間極端_該第二PM〇s電晶體之該閘 ' 搞 端耦接該閘極端；以及 响，、及極 二電，’其—端祕該第三ρ_電晶體之該 ^，其一另一端接地。 、19·如申請專利範圍第16項所述之保護裝置， 正溫度係數電阻為一 P+材質的電阻。 20.如申請專利範圍帛16項所述之保護 負溫度係數電阻為一HRPOLY1材質的電阻。，、Τ 5亥 值大於該正溫度係;;:;;阻:負溫度係數電阻之電阻 20 200816591 P i-U6-U/3 21368twd3.doc/n 2。2·如申請專利範圍第14項所述之保護裝置，其中該 比較單元包括一磁滞比較器。 23.如申請專職圍第22項所述之倾裝置，其中當 該第-電㈣號與該第二電壓訊號之差值大於 壓，該比較單域生魏觀號，且該電子純依據該保 護訊號而中斷操作。 ;24^·種賴方法，適於對—電子“進行溫度保護， 而该保遵方法包括下列步驟： 提供®電壓成波，而該第一電壓訊號之電壓值隨 環境溫度的上升而增加； 胃產生-第二電壓訊號，而該第二電壓訊號之電壓值隨 ^境溫度的上升而降低； 比較該第-電壓訊號和該第二電壓訊號，而產生一保 護訊號；以及 依據該保護訊號而決定是否使該電子系統正常運作。 25.如申凊專利範圍帛24項所述之保護方法，其中產 生該保護訊號之步驟，更包括將該第—電壓訊號減去該第 二電壓訊號。 26·如申請專利範圍第a項所述之熱斷電方法 ，更包 括下列步驟：當該第—龍訊號和麟二電壓訊號之差值 大於-預設電壓時’則產生該保護訊號。 27· —種晶片，包括： 一保濩裝置，具有一正溫度係數電阻、一負溫度係數 電阻及-比較單元，其巾該正溫度係數電阻接收—第一電 21 200816591 r i-uo-u/i 21368twd3.doc/n 流訊號’並產生-第—電壓訊號，該負溫度係數電阻接收 一第二電流訊號，並產生―第二電壓訊號，及該比較單元 比較該第-電壓訊號和該第二電壓訊號，以產生—保護訊 號，以及 一控制裝置’依據該保護訊號，控制該晶片停止運作。 28. 如巾請專利範圍第27項所述之晶片，其中該保護 t置更具有—電流鏡電路，用以產生該第—電流訊號與該 弟一電流訊號。

   29. 如申請專利範圍第28項所述之晶片，其中該電流 鏡電路包括： 一控制單元； 第一 PMOS電晶體，其一源極端耦接一電壓源，其 帝閘極端耦接該控制單元，其一汲極端耦接該正溫度係數 私阻，以輸出該第一電流訊號給該正溫度係數電阻；以及 _ 一第二PMOS電晶體，其一源極端耦接該電壓源，其 極端耦接至該第_ pM〇s電晶體之該閘極端，其一汲 極端則輕接該負溫度係數電阻，以輸出該第二電流訊號給 该負溫度係數電阻。 郎一 30·如申請專利範圍第27項所述之晶片，其中該比較 單元為一磁滯比較器。 $ 31·如申請專利範圍第3〇項所述之晶片，其中當該第 兒壓訊號與該第二電壓訊號之差值大於一預設電壓，該 比較單元產生該保護訊號。 32·如申請專利範圍第27項所述之晶片，其中該正溫 22 200816591 r ι-υυ-υ/3 21368t\vd3.doc/n 又'端接地，一另—端接收該第一電流訊號° =#專利範圍第27項所述之晶片，其中該負溫 又\/阻L其一端接地，一另一端接收該第二電流訊號0 •如申明專利範圍第27項所述之晶片，其中該正溫 度係數電阻為一 ρ+材質的電阻。 35·如申請專利範圍第27項所述之晶片，其中該負溫 度係數電阻為一 HR POLY1材質的電阻。 36·如申請專利範圍第27項所述之晶片，其中當環境 j未達到-肢溫度時，該貞溫度係數電阻之電阻值大 於忒正溫度係數電阻之電阻值。 23