TW200816378A - Metal line in semiconductor device and method for forming the same - Google Patents

Description

200816378 九、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明係關於一種製造半導體裝置之方法，且更特定 言，係關於一種使用鑲嵌製程在快閃記憶體裝置中形成金 屬線之方法。 ' 【先前技術】

Ο 在製造小於60 nm之快閃記憶體裝置時，若使用嫣㈤作 為位元線，則可能難以獲得適合於快閃記憶體裝置之操作 特性之桿式電阻。已介紹使用銘⑷）或（Cu)替代鶴來形成 金屬線之方法續*此問題。通f，使用_成金屬線之 方法包括沈積!呂且接著執行反應性離子蝕刻(rie)製程。 然而，可能難以獲得經均句蝕刻之表面。此外，當使用 则製程形成金屬線時，底部界面上可能會出現二耗。 ^此’當金屬線之關鍵尺寸（CD)較小日夺，可能難以實施銘 線。使用鎮後製程形成包括銅之金屬線。鎮嵌製程具有之 電子遷移特性通常優於幻聰程的電子遷移特性。 =嵌製程通常用以形成包括銅心之金屬線。阻障金屬 务 上以減J銅或鋁至絕緣層中之擴 放。若與包括鋁之金屬線（下 形成包括銅之金屬線(下文中= 線時，使用賴程 凓梦壯 文中稱為鋼線）可提供較好的電子 之擴2及車乂好的穩定性。然而，在形成銅線時，由於銅 性而通常需要用於形成銅線之獨立的工作空間及 & 意’銅在用作絕緣層之石夕或基於氧化物之材料 122304.doc 200816378 中具有快的擴散速度。 與之相比，因為鋁線可形成比銅線緻密之層，所以使用 鑲嵌製程形成之鋁線可提供優點。同樣，鋁可能不會擴散 至矽或絕緣層中。然而，鋁線與銅線相比較不穩定且因此 具有變小的電子遷移特性。因此，鋁線可能易於腐蝕。尤 其，在與包括不為鋁之金屬之阻障金屬層的接觸區域處可 能出現向阻障金屬層供應電子之電蝕。此特性可能增加金 屬線之桿式電阻且不利地影響裝置之可靠性。 在執行用於電隔離相鄰鋁線之CMp製程之後，執行清潔 製程以移除研磨漿殘餘物及在CMp製程期間產生之研磨副 產物。清潔製程通常使用基於氨（NH3)或基於氟化氫 之清潔溶液，而清潔溶液在化學上會損害鋁線且會出現電 蝕。因此，期望有可用於在清潔製程期間減少電蝕之改良 的清潔溶液。圖1說明在執行CMp製程之後在清潔製程期 間在鋁線與阻障金屬層之間產生的電蝕（稱為，，c”）之顯微視 圖。 【發明内容】 本發明之一實施例提供一種在半導體裝置中之金屬線及 形成金屬線之方法。具有本發明之金屬線之半導體裝置可 將使用鑲散製程時在用於形成金屬線之金屬層與阻障金屬 層之間的接觸區域處之電蝕予以減少。 根據本發明之一態樣’在半導體裝置中提供—金屬線。 該金屬線包括：-絕緣層，其具有形成於其中之溝槽•，一 形成於絕緣層及溝槽上之阻障金屬層；形成於㈣ 122304.doc 200816378 上之金屬層，其中該金屬 心、认八Μ 增填充溝槽；及一抗電飯層，其 先成於金屬層與阻障金屬層之間的界面上。 根據本發明之另一態樣， 八ΜΑ 、一種用於在半導體裝置中 形成孟屬線之方法。該方 匕括·拎供一包括一絕緣層之 基板’该絕緣層具有形诸 、 β中之複數個溝槽；在絕緣層 及溝槽上形成一阻障金眉展· 屬戶.在第…阻障金屬層上形成第-金 在弟了金屬層上形成第二金屬其中該第二金屬 層填充溝槽，及使用哉_ ρ * …、氣私在阻JI早金屬層與第二金屬層之 間的界面上形成抗電敍層。 根據本發明之又一離样，担 …樣提供一種用於在半導體裝置中 形成金屬線之方法。該方法 匕彷·知供一包括一絕緣層之 基板’該絕緣層具有开4点、％甘+ 曰/、虿烙成於其中之複數個溝槽；在絕緣層 及溝槽上形成一阻障今屬Μ Ώ上 * 1早孟屬層，及在阻障金屬層上形成一包 括第一金屬之金屬層，續冬厘麻古 以孟屬層填充溝槽，其中在形成該 金屬層時供應包括第二全屬夕@ M丨、，士。立人裔 孟屬之軋體以在阻障金屬層與金屬 ί. 層之間的界面上形成抗電餘層。 【實施方式】 本發明之實施例係針對—種在半導體裝置中之金屬線及 升y成立屬線之方法根據本發明之實施例，當使用鑲後製 程形成金屬線時，在阻障金屬層與金屬層之間的界面上形 成杬電蝕層。抗電蝕層包括一包含金屬層之材料之合金 層。因此，可減少在阻障金屬層與金屬層之間的界面處之 電I虫。 在金屬層之平坦化製程期間使用PH值在大約4至大約6之 122304.doc 200816378 範圍内父動的弱酸性研磨漿。因此，可減少阻人 金屬層之間的電蝕。藉由將金屬腐蝕抑制劑添：：去：： 水清潔溶液中’使得清潔溶液之ρΗ值可在大約8 之範圍内變動，可進-步減少電-。換言之，在平心；： 红之後執仃的清潔製程期間，維持清潔溶液為驗又 參看圖式，所說明之層及區域之厚度經助液。 Ο 釋田弟—層被稱為，，在第二層上，，或，，在基板上"時，发。 意謂第—層直接形成於第二層《基板上，冑其 二 ί=Τ第一層與基板之間。此外’相同或類似的泉 考數子在本發明之各巾始終表以同 > 同或類似的元件。 & 圖2Α至圖2D說明根據本發明之第_實施例之用於 導體裝置中形成金屬線之方法之橫截面圖。 、 參看圖2Α’第-絕緣圖案2〇、㈣終止層21及第二 圖案22形成於包括複數個傳導層（未圖示）之基板（未圖 上。具體而言，第一絕緣層形成於基板上。第—絕緣二 括基於氧化物之材料。基於氮化物之層形成於第一絕^層 上。基於氮化物之層充當㈣光罩，使得第—絕緣層可: 選擇性蝕刻。第二絕緣層形成於基於氮化物之層上。第2 絕緣層包括基於氧化物之材料，該基於氧化物之材料具I 不同於基於氮化物的層之選擇性。舉例而言’第二絕緣層 可包含TSi〇2、正石夕酸四乙酉旨（ietraethyi 〇rth〇s出㈣曰 職）、冑密度f聚（膽）或纟經摻#之石夕酸鹽玻璃 (USG)。第二絕緣層可包括藉由使用旋塗方法或化學氣拍 】223 04.doc 200816378 沈積（CVD)方法形成之低k介電層。第二絕緣層可形成至在 大約10 0 A至大約2，5 0 0 A之範圍内變動之厚戶：。 第二絕緣層、基於氮化物之層及第一絕緣層之若干部分 經#刻以形成溝槽23。因此，形成第二絕緣圖案22、餘刻 • 終止層21及弟一絕緣圖案2 〇。使用兩個餘刻製程形成溝槽 • 23。第一蝕刻製程在基於氮化物之層上方停止蝕刻。藉由 第二蝕刻製程來蝕刻第一絕緣層。溝槽23可形成至在大約 1，5〇〇 A至大約3,000 A之範圍内變動之深度。 參看圖2B，阻障金屬層24形成於所得結構上。阻障金屬 層24可包括堆疊結構’該堆疊結構包含鈦（丁丨）/氮化鈦 (TiN)、Ti/TiN/Ti、鈕（Ta)/氮化鈕（TaN)、Ta/TaN/Ta、Ti/氮

化鈦砍（TiSiN)或Ti/TiSiN/Ti。詳言之，可使用cvd方法或 物理氣相沈積（PVD)方法而形成阻障金屬層24。考慮到阻 障金屬層24之階梯覆蓋特性，阻障金屬層24在水平方向上 可形成至大約80 A或更小之厚度。具有相對較小的厚度之 〇 銅層25可形成於阻障金屬層24之表面輪廓上。可使用pvD 方法將銅層25形成至大約50 A或更小之厚度。 參看圖2C，鋁層27在銅層25(圖2B)上形成為具有相對較 大的厚度’使得I呂層27填充溝槽23(圖2B)。可使用CVD方 - 法而形成鋁層27。 執行熱製程28以在紹層27與阻障金屬層24之間形成链銅 (AlCu)合金層25A。銅層25與鋁層27藉由在熱製程28期間 產生的熱而反應以形成AlCu合金層25A。因此，根據本發 明之第一實施例，歸因於形成於鋁層27與阻障金屬層24之 122304.doc -10- 200816378 間的界面上之AlCu合金層25A，可減少在鋁層27與阻障金 屬層24之間的界面處之電|生。 因為A1具有較強的提供電子之陽極傾向，故AlCu合金層 25A可減少電蝕。當A1與具有比A1強的陰極傾向之以組合 時’電子遷移特性改良，藉此減少電蝕。 參看圖2D，執行CMP製程以在溝槽23(圖2B)中形成彼此 電隔離之複數個金屬線29。金屬線29各自包含一經圖案化

U 之阻障金屬層24A、一經圖案化之AlCu合金層25B及一經 圖案化之銘層27A。重要之舉係在CMP製程期間控制研磨 漿之pH值及組合物，以便減少鋁層27之表面上的孔蝕以及 阻障金屬層24之界面上的電蝕。舉例而言，CMp製程包括 使鋁氧化且接著使用pH值在大約4至大約6之範圍内變動的 研磨漿來移除經氧化之鋁。具體而言，添加大約2重量％ 至大約6重$ %之氧化劑以使鋁氧化。使用矽膠或基於氧 化鋁（Αία)之研磨顆粒來移除經氧化之鋁。舉例而言，在 CMP製程中使用之氧化劑可包括過氧化氫(h2〇2)、 _〇3)3或過蛾酸（〇rth〇peri〇dicacid，H5i〇6)。因此，根據 本發明之第—實施例’當使用鑲嵌製程形成鋁線時，在 CMP製程期間可防止鋁線之腐蝕。 =行清潔製程以移除研磨漿殘餘物及在CMp製程期間產 潔二 =:::清潔製程期間使用去離子水-)清 蝕。與如 颯乂 π圖案化之鋁層27A之腐 牛例而言，在清潔製程期間 度可+ w门便用之清潔溶液之溫 又了、准持在大約30t;至大約8〇。 、、隹符上述溫度以最大化 122304.doc 200816378 清潔反應特性之增強效應。可添加金屬腐蝕抑制劑加至 DIW清潔溶液以維持DIW清潔溶液之大約8至大約之 值（亦即維持DIW清潔溶液作為驗性溶液）。diw清潔溶 液之濃度可在大約50重量％至大約8〇重量％之範圍内變 • 動。 ‘ 當使用沒食子酸甲酯（methyl gallate)作為金屬腐蝕抑制 劑時，沒食子酸甲酯經由沒食子酸甲酯之〇H基團與形成 於經圖案化之鋁層27A上之基於氧化物的層之化學組合而 在經圖案化之鋁層27A之表面上進行吸收。因此，形成鋁 及不可溶螯合物之化合物。歸因於此化合物，可避免氯 (C1)·離子的吸收及藉由DIW之分散，且可保護形成於經圖 案化之鋁層27A上之基於氧化物之層。藉由最初使用包括 DIW之清潔溶液，可最小化用於執行使用mw之清潔製程 之時間週期。當添加沒食子酸甲酯時，沒食子酸甲酯之濃 度可在大約0.01重量％至大約1〇重量％之範圍内變動。 〇 在清潔製程期間可替代金屬腐蝕抑制劑而使用用於移除 聚合物之有機型雜質或胺類肼。肼使聚合物之主鏈斷開以 改良基於氧化物之I合物或基於金屬的聚合物之移除效 率。肼之濃度可在大約1 〇重量。/。至大約5 〇重量％之範圍内 變動。可替代金屬腐蝕抑制劑而添加少量氟化氫（HF)以有 效地私除研磨漿殘餘物及在研磨製程期間產生的研磨副產 品。添加預定量的HF，使得經圖案化之鋁層27A不會受到 損害。舉例而言，HF之量可在幾ppm(百萬分之一）至幾百 ppm之範圍内變動。 122304.doc -12· 200816378 根據本發明之第一實施例，當使用鑲嵌製程形成鋁線 時，鋁線在CMP製程之後執行的清潔製程期間不會受到腐 蝕。在下文中使用關於鋁之電蝕之化學式來描述典型電蝕 之原理。

通常，當鋁層之表面暴露於空氣時，非晶形氧化物層形 成於表面上以保護表面。然而，當諸如（8〇4)2·離子或C1·離 子之陰離子存在於鋁層或周邊層上時，陰離子與非晶形氧 化物層反應，導致形成水溶性鹽。當CK離子存在於鋁層上 時，cr離子可移動至非晶形氧化層。因此，難以防止A1/ 離子移動至銘層之表面。因此，可能會出現鋁坑洞。因 此，鋁層之腐蝕的第一步驟可為Ci-離子穿透非晶形氧化物 層。因此，可移除形成於鋁層表面上之水溶性鹽，從而暴 露銘層表面。如以下化學式1中所示之陽極材料溶解銘層 表面。換言之，Al3 +溶解鋁層表面以引起坑洞。化學式i為 關於鋁層之陽極化學式。 [化學式1]

Al —Al3++3e· A13++H20-^A1(0H)2++H+ Α1(ΟΗ)2++Η2Ο^Α1(ΟΗ)2++Η+ ai(oh)2++h2o—ai(oh)3+h+ ai(oh)3+h2o—Al(OHV+H+ xAl3++yH20~>Alx(〇H)y3x*y+yH+ 與之相比’如以下化學式2中所示，在包括於鋁層中的 銅、或組態阻障金屬層之Ti或TiN之表面處可能會出現陰 極反應。因此，可能會產生在水中之氧的分解或氫氧化物 122304.doc -13- 200816378 屬層之陰極化學式。 [化學式2] 之電解。化學式2為關於阻障金 2H20+2e—20ΗΓ+Η2 〇2+H20+2e-—>40Η· Ο

Α1/離子之化學反應在含水溶劑中不容易出現。可藉由 Α1/離子與水反應以形成水解種類之相互反應而控制化學 反應。Α1之溶解性及所產生的氫氧之溶解性視溶液值 而定。因此，溶液中之Α1的濃度隨著溶液之ρΗ值自酸性改 變至鹼性而快速改變，藉此形成占顯著穩定的種類，其中 ΑΙ3離子在酸性條件下可能不會改變且αι(〇η)4離子在鹼性 條件下可能不會改變。 圖3Α至圖3C說明根據本發明之第二實施例之用於在半 V體裝置中形成金屬線之方法之橫截面圖。本發明之第二 貫施例描述不同於第一實施例之用於形成A1Cu合金層之方 法在第一貝施例中，在形成鋁層之前形成銅層，且在形 成鋁層之後執行熱製程以形成A1Cu合金層。在第二實施例 中’在形成鋁層的同時供應銅源氣體，而非形成獨立的銅 層。下文中’茶看圖3A至圖3C簡要描述根據第二實施例 之用於形成半導體裝置之方法。因為本發明之第二實施例 使用大體上與在第一實施例中描述之條件相同的條件(形 成MCu合金層之方法除外)，所以可省略某些詳細描述。 蒼看圖3A，第一絕緣圖案3〇、餘刻終止層31及第二 圖案1成於包括複數個傳導層（未圖示）之基板（未圖示） 上。具體而言，第一絕緣層形成於基板上。基於氮化物之 層作為钱刻光罩开彡+ 乂成於苐一絕緣層上。第二絕緣層形成於 122304.doc -14- 200816378 基於氮化物之層上。第二絕緣層包括基於氧化物之材料 該基於氧化物之材料具有不同於基於氮化物的層之選擇 性。 ' 第二絕緣層、基於氮化物之層及第一絕緣層之若干部八 經餘刻以形成溝槽。因此，形成第一絕緣圖案3 /、 、触刻終 ’ 止層31及第二絕緣圖案32。阻障金屬層33形成於所得結構 上。阻障金屬層33可包括一堆疊結構，該堆疊結構包含 () Ti/TiN 、Ti/TiN/Ti 、Ta/TaN 、Ta/TaN/Ta 、Ti/TiSiN 或 Ti/TiSiN/Ti。 參看圖3B，鋁層35形成於阻障金屬層33上且填充溝槽。 在一實施例中，使用CVD方法形成鋁層35。在形成鋁層胃35 的同時供應銅源氣體，使得A1Cu合金層36形成於阻障金屬 層33與結層35之間的界面上。在一實施例中，形成Μα合 金層36且接著使用CVD方法形成具有在大約2〇〇 A至大約 1，000 A之範圍内變動的厚度之鋁層以填充溝槽。使用 Ο 方法形成包括大約〇·3%至大約1%之銅之主體鋁層至在大 約1，000 Α至大約5,000 Α之範圍内變動的厚度。根據本發 明之第二實施例，可藉由形成於鋁層35與阻障金屬層33之 間的界面上之AlCu合金層36來減少在鋁層％與阻障金屬層 33之間的界面處可能出現之電#。因為有較強的提供 電子之陽極傾向，所以A1Cu合金層36可減少電蝕。當刈與 具有比A1強的陰極傾向之“組合時，電子遷移特性改良， 藉此減少電蝕。 參看圖3C，執行CMP製程以在溝槽中形成彼此電隔離之 122304.doc 200816378 Ο Ο 複數個金屬線37。金屬線37各自包含—經圖案化之阻障全 屬層3从、一經圖案化之㈣35Α及—經圖案化之规以 金層说。在CMP製程期間控制研磨漿之ρΗ值及組合物以 減少鋁層35之表面上的孔蝕以及阻障金屬層％之界面上的 電钱。典型CMP製程包括使銘氧化且接著使用阳值在大約 4至大約6之範圍内變動的研磨漿來移除經氧化之鋁。且體 而言，添加大約2重量％至大约6重量％之氧化劑以使紹氧 化。使用石夕谬或基於氧化铭⑷2〇3)之研磨顆粒來移除經氧 化之紹。因此’根據本發明之第二實施例，當使用鎮嵌製 程形成銘線時，在CMP製程期間可減少銘線之腐蝕。 執行清潔製程以移除研磨漿殘餘物及在CMp製程期間產 生的研磨副產品。使用基於溶劑之清潔溶液或基於卿之 =絮溶：：：止經圖案化之銘層35A之腐姓。當使用基於 月4 ;谷液時，可添加金屬腐钱抑制劑以將清潔溶液 。、pH值、.隹持在大約8至大約i〇之範圍内。亦可添加胺類肼 或HF。因此，根據本發明之第二實施例，當使用鑲嵌製程 〆成鋁線時，在執行CMp製程之後的清潔製程期間可減少 銘線之腐ϋ。根㈣二實施狀抗電似應之輕大體上 與以上關於本發明的第一實施例所描述之原理相同。 根據本發明之第—及第二實施例，半導體I置中之金屬 線包括一形成於在阻障金屬層與用於形成金屬線之金屬層 勺界面上之抗電餘層（例如，A1CU合金層），該阻障金 ^成於具有7冓槽之絕緣層上，該金屬層形成於阻障金 屬層上以填充溝槽。抗電蝕層包括一包含金屬層之材料之 122304.doc -16- 200816378 合金層。金屬層包括具有較強的陽極傾向之A1。人金声勹 括AlCu合金層，其包含具有較強的陰極傾向之α與A!之 組合。 雖然已關於指定實施例描述本發明，但對於熟習此項技 術者而言顯而易見，可進行各種改變及修改而不會背離如 在以下申請專利範圍中定義的本發明之精神及範疇。 【圖式簡單說明】 圖1說明當使用鑲嵌製程形成鋁線時在習知的清潔製程 期間在⑽與阻障金屬層之間產生的電狀顯微視圖f 、圖2A至圖2D說明根據本發明之第一實施例之用於在半 導體裝置中形成金屬線之方法之橫截面圖。 圖3A至圖3C說明根據本發明之第二實施例之用於在半 導體裝置中形成金屬線之方法之橫截面圖。 【主要元件符號說明】 20 第一絕緣圖案 21 蝕刻終止層 22 第二絕緣圖案 23 溝槽 24 阻障金屬層 24A 經圖案化之阻障金屬 25 銅層 25A 銘鋼合金層 25B 經圖案化之AlCu合金 27 症呂層 122304.doc -17- 200816378 27A 經圖案化之鋁層 28 熱製程 29 金屬線 30 第一絕緣圖案 31 14刻終止層 32 第二絕緣圖案 3 3 阻障金屬層 33A 阻障金屬層 3 5 鋁層 35A 經圖案化之鋁層 3 6 AlCu合金層 36A 經圖案化之AlCu合金層 37 金屬線 C 電蝕 122304.doc -18-

Claims (1)

1. 200816378 十、申請專利範圍： 1·種在一半導體裝置中之金屬線，該金屬線包含： 一絕緣層’其具有形成於其中之溝槽； 阻p早金屬層，其形成於該絕緣層及該等溝槽上； 至屬層’其形成於該阻障金屬層上，其中該金屬層 填充該等溝槽；及 一抗電餘層，其形成於該金屬層與該阻障金屬層之間 的一界面上。 2 ·如明求項1之金屬線，其中該抗電蝕層包含一合金層， 該合金層包括該金屬層之一材料。 3·如請求項2之金屬線，其中該金屬層之該材料包含鋁 (A1)。 4·如請求項2之金屬線，其中該合金層包含一 A1Cu合金 層。 5 ·如晴求項1之金屬線，其中該阻障金屬層包含一堆疊結 構’該堆疊結構選自由鈦（Ti)/氮化鈦（TiN)、Ti/TiN/Ti、 组（Ta)/氮化鈕（TaN)、Ta/TaN/Ta、Ti/氮化鈦矽（TiSiN)及 Ti/TiSiN/Ti組成之群。 6· 一種用於在一半導體裝置中形成一金屬線之方法，該方 法包含： 提供一包括一絕緣層之基板，該絕緣層具有形成於其 中之複數個溝槽； 在該絕緣層及該等溝槽上形成一阻障金屬層； 在該阻障金屬層上形成一第一金屬層； 122304.doc 200816378 在該第一金屬層上形成一第二金屬層，其中該第二金 屬層填充該等溝槽；及 使用一熱製程在該阻障金屬層與該第二金屬層之間的 一界面上形成一抗電蝕層。 7 ·如請求項6之方法，其中該抗電餘層包含一合金層’該 合金層包括該第一金屬層與該第二金屬層之組合的材 料。

   U 8.如請求項6之方法，其中該第一金屬層包含一第一金屬 且該第二金屬層包含一第二金屬，該第一金屬與該第二 金屬具有相反的極性。 9·如請求項6之方法，其中該第一金屬層包含銅（Cu)且該第 二金屬層包含鋁（A1)。 10·如請求項6之方法，其中該阻障金屬層包含一堆疊結 構’該堆疊結構包含一選自由鈦（Ti)/氮化鈦（TiN)、 Ti/TiN/Ti、鈕（Ta)/氮化鈕（TaN)、Ta/TaN/Ta、Ti/氮化鈦 矽（TiSiN)及Ti/TiSiN/Ti組成之群的材料。 11 ·如清求項6之方法，其在形成該抗電蝕層之後進一步包 含： 對°亥第一金屬層執行一化學機械研磨（CMP)製程以隔 離5亥第二金屬層之相鄰部分；及 執行一清潔製程。 1 2 ·如請求項j： 人 、 / ’中執行該CMP製程包含使該第二 至屬層氧化且使用一 u一卜 研磨I移除形成於該絕緣層上的該 經氣化之第二金屬層之 曰（4刀，該研磨漿具有一在大約4 122304.doc 200816378 至大約6之範圍内變動的{)11值。 13.如明求項12之方法，其中該cMp 舌旦。/ r _ 狂匕3，恭加一大約2 至大約6重量%之氧化劑以使該第二金屬層氧化， 該研磨聚包含石夕膠或基於氧化銘之研磨顆粒。 η.如請求㈣之方法，其中執行該清潔製程包含向―去離 子水清潔溶液添加選自由一金屬腐蝕抑制劑、—胺類肼 (amine_based hydrazine)及 i 化氫（hf)組成之群中的一

   Ο 者，使得該清潔溶液為一鹼性溶液。 士月求員14之方法，其中該金屬腐蝕抑制劑包含沒 酸曱酉旨。 乂 16· —種用於在一半導體裝置中形成一金屬線之方法，該方 法包含： / 八匕括絕緣層之基板，該絕緣層具有形成於盆 中之複數個溝槽； 、/' 在忒絕緣層及該等溝槽上形成一阻障金屬層；及 在该阻障金屬層上形成一包括一第一金屬之金屬層， 該金屬層填充該等溝槽； 其中在形成該金屬層時供應一包括一第二金屬之氣 體，以在該阻障金屬層與該金屬層之間的一界面上形成 一抗電餘層。 17·如请求項16之方法，其中該抗電㈣包含一合金層，該 合金層包括該第一金屬與該第二金屬之一組合。 18·如請求項16之方法，其中該第一金屬與該第二金屬具有 相反的極性。 122304.doc 200816378 19·如請求項16之方法，其中該第一金屬包含鋁（Α1)且該第 二金屬包含銅（Cu)。 20·如请求項丨6之方法，其中該阻障金屬層包含一堆疊結 構’該堆疊結構包含一選自由鈦（Ti)/氮化鈦（TiN)、 Tl/丁1N/Ti、鈕（Ta)/ 氮化鈕（TaN)、Ta/TaN/Ta、Ti/ 氮化鈕 石夕（TiSiN)及Ti/TiSiN/Ti組成之群的材料。

   ϋ 21·如請求項16之方法，其進一步包含，在形成該金屬層之 後·· 對該金屬層執行一化學機械研磨（CMP)製程以隔離該 金屬層之相鄰部分；及 執行一清潔製程。 22.如請求項21之方法，其中執行該CMp製程包含使該金屬 層氧化且使用一研磨漿移除形成於該絕緣層上的該經氧 化之金屬層之部分，該研磨漿具有一在大約4至大約6之 範圍内變動的pH值。 23. 如請求項22之方法，其中該CMp製程包含添加—大μ 重量％至大約6重量％之氧化劑以使該金屬層氧化，該研 磨漿包含矽膠或基於氧化鋁之研磨顆粒。 24. 如請求項21之方法，其中執行該清潔製程包含向一 子水清潔溶液添加選自由一金編抑制劑 及氟化氫（HF)組成之群中的一 頰肼 驗性溶液。 * 溶液為一 25·如請求項24之方法 酸甲酯。 其中該金屬腐蝕抑制 劑包含沒食子 122304.doc