200816350 ⑴ 九、發明說明 【發明所屬之技術領域】 本發明關於進行例如半導體晶圓或LCD玻璃基板等 基板之搬送、處理的基板搬送處理裝置。 【先前技術】 通常，於半導體裝置之製造中，欲於半導體晶圓或 LCD玻璃基板等基板之上形成iTO(Indium Tin Oxide)之 薄膜或電極圖案，而使用微影成像技術。於該微影成像技 術，係進行一連串之工程，亦即於基板塗布光阻劑，對所 形成之阻劑膜依據對應之特定電路圖案進行曝光，進行該 曝光圖案之顯像處理而於阻劑膜形成所要之電路圖案。 此種處理通常係將，在基板塗布阻劑液進行處理的阻 劑塗布處理單元、對阻劑塗布處理結束後之基板或曝光處 理後之基板進行加熱處理的加熱處理單元、對加熱處理後 之基板進行冷卻處理的冷卻處理單元、及於基板上供給顯 像液進行顯像處理的顯像處理單元等個別重疊多數段狀態 下被具備’於彼等各處理單元間之基板搬送、以及基板之 搬出入則藉由搬送裝置進行。 加熱處理結束後之基板未立即冷卻時，基板有可能被 過度加熱處理，而產生所謂過度烘烤引起之處理不良。因 此，具備使基板冷卻至特定溫度之前，使該基板待機進行 冷卻的前置冷卻處理單元，在多數基板搬送裝置分擔、搬 送基板，亦即在阻劑塗布處理單元、加熱處理單元之間， -4- 200816350 (2) 加熱處理單元與冷卻處理單元之間，以及前置冷卻處理單 元與冷卻處理單元之間進行基板之搬送（參照例如專利文 獻1)。 又，對應於各處理單元間之基板處理時間之時間差， 欲有效搬送基板，提升作業效率時，可於具備多數處理單 元的處理區塊與介面區塊之間、或介面區塊之內設置可收 納多數基板的多數段狀之基板收納部，藉由基板搬送裝置 由該基板收納部之2方向對基板收納部進行基板之收付（參 照例如專利文獻1)。 但是，因爲阻劑膜種類不同而存在例如於阻劑膜上下 側形成抗反射膜、或於阻劑膜上下之一方形成抗反射膜、 或有阻劑膜未形成抗反射膜之情況等不同之塗布形態，因 此依據每一批次不同而存在必要之塗布處理單元、加熱處 理單元、冷卻處理單元、前置冷卻處理單元等之塗布膜形 成單元中之處理條件互異之情況。此情況下，塗布處理單 元、加熱處理單元、冷卻處理單元設於同一處理區塊內之 構成中，因爲阻劑膜種類不同而使使用之單元不同，因此 基板之搬送流程亦不同。基板之搬送時序更爲複雜，因此 增加上述基板收納部中之基板之收納數目，使供作爲次一 處理之前之多數基板之待機設爲可能。 專利文獻1 :特開200 1 -5 73 3 6號公報（申請專利範圍、 段落0046、圖1、圖2) 專利文獻2 ··特開平9-74 1 27號公報（申請專利範圍、 段落 0042、0043、圖 1、圖 2) 200816350 (3) 【發明內容】 (發明所欲解決之課題） 但是，上述特開200 1 -5 73 3 6號公報與特開平9-74127 號公報揭示之裝置中，均於收納多數基板的多段狀或板架 狀載置部，垂直設立多數（例如3或4個）支撐銷，藉由彼等 支撐銷支撐基板，於基板搬送裝置之間進行基板之收付。 因此基板收納部中收納1片基板之空間之高度成爲需考慮 基板搬送裝置之收付的高度，裝置全體之高度導致無法增 加載置部之數目的問題。 本發明有鑑於上述問題，目的在於提供一種基板搬送 處理裝置，其可將基板收納部中之基板收納空間儘可能縮 小，可達成裝置之小型化、基板收納數目之增加，而且可 提升作業效率。 (用以解決課題的手段） 爲解決上述問題，本發明之基板搬送處理裝置，其特 徵爲具備：載具（carrier)區塊，配置有可收納多數基板的 載具（carrier);處理區塊，具備處理單元用於對由上述載 具取出之基板進行適當處理；基板搬送手段，使上述處理 區塊內由上述載具區塊被搬送之基板，可於上述處理單元 收付之至少垂直方向與水平方向移動；基板收納部，配置 於上述載具區塊與上述處理區塊之間，可收納多數基板； 及基板收付手段，可在和上述載具區塊之間進行基板之收 付，可於上述基板收納部收付之至少垂直方向與水平方向 -6 - 200816350 (4) 移動；上述基板收納部，係具備開口部可由上述基板搬送 手段與基板收付手段交叉之2方向進行基板之收付之同時 ，將支撐基板之下面的多數載置擱板互相隔開間隔而積層 :上述基板搬送手段及基板收付手段係形成爲，分別以在 上述載置擱板之厚度與斷面方向重疊之位置關係而對基板 收納部可以進退（申請專利範圍第1項）。此情況下，較好 是上述多數載置擱板之間隔形成爲較上述基板搬送手段及 基板收付手段之厚度窄（申請專利範圍第2項）。 依據此種構成，自基板收納部之2方向設置之開口部 起，基板搬送手段或基板收付手段分別進退於基板收納部 內，進入時藉由載置擱板之厚度與斷面方向重疊之位置關 係可於垂直方向移動（升降）進行基板之收付。此情況下， 藉由多數載置擱板之間隔形成爲較基板搬送手段及基板收 付手段之厚度窄，則可以儘可能縮小基板之收納空間。 又，申請專利範圍第3項之發明，係於申請專利範圍 第1或2項之基板搬送處理裝置中，上述處理區塊具備：塗 布膜形成用處理單元，用於在基板形成包含阻劑膜的塗布 膜；抗反射膜形成用處理單元，用於在基板塗布抗反射膜 用之藥液；及加熱處理單元，用於加熱、處理基板；上述 基板收納部具備冷卻板用於冷卻基板。 此情況下較好是構成爲，上述處理區塊係積層以下區 塊：使塗布膜形成用處理單元與加熱處理單元藉由基板搬 送手段之水平移動區域被區隔的塗布膜形成用單位區塊； 使在塗布膜下側形成抗反射膜的第1抗反射膜形成用單元 -7- 200816350 (5) 與加熱處理單元藉由上述基板搬送手段之水平移動區域被 區隔的第1抗反射膜形成用單位區塊；及使在塗布膜上側 形成抗反射膜的第2抗反射膜形成用單元與加熱處理單元 藉由上述基板搬送手段之水平移動區域被區隔的第2抗反 射膜形成用單位區塊；上述基板收納部具備應和上述塗布 膜形成用單位區塊、第1抗反射膜形成用單位區塊、第2抗 反射膜形成用單位區塊對應之被區隔爲多數的收納區塊之 同時，於各收納區塊具備多數載置擱板及冷卻板（申請專 利範圍第4項）。 依據此一構成，可對應於基板被塗布之阻劑膜種類及 各處理單元中之處理時間，可於阻劑膜之上下一方或雙方 形成抗反射膜，或者可以確保僅以阻劑膜未形成抗反射膜 時之次一處理前之基板之待機之同時，於基板收納部可冷 卻基板調整爲特定溫度。 又，申請專利範圍第5項之發明，係於申請專利範圍 第1至4項中任一項之基板搬送處理裝置中，上述載置擱板 ，係在自上述基板收納部之一側突入該基板收納部的板狀 臂部之前端部中被等分爲同心圓狀的3個位置，突設使基 板由板狀臂部表面僅稍微隔開間隙而支撐的銷之同時，使 該1個第1銷在基板收付手段進入基板收納部內之方向被平 行配置，上述基板搬送手段，係具備：在和上述第1銷以 外之第2及第3銷不干涉之範圍內使一方之彎曲臂片較另一 方之彎曲臂片更延伸於前端側的變形馬蹄形狀之臂部本體 之同時，在兩臂片之前端側下部及臂部本體之基部側下部 -8- 200816350 (6) 的3個位置設置支撐爪用於支撐基板。 依此構成，在支撐基板之3個銷所形成之最窄幅側使 基板搬送手段可以進退移動’可以將基板搬送手段之基板 支撐部之形狀設爲最小限之尺寸’可使基板之支撐及搬送 穩定化。又，相對於此，在支撐基板之3個銷所形成之最 寬幅側可以進退移動的基板收付手段，具備：在和基板收 付手段進入基板收納部內之方向被平行配置的第1銷以外 之第2及第3銷不千涉之範圍內使一方之彎曲臂片較另一方 之彎曲臂片更延伸於前端側的變形馬蹄形狀之臂部本體之 同時，在兩臂片之前端側下部及臂部本體之基部側下部的 3個位置設置支撐爪用於支撐基板，如此則，基板收付手 段之基板支撐部之形狀不需設爲必要以上之大小，可於基 板穩定化狀態進行支撐及搬送。 又，申請專利範圍第6項之發明，係於申請專利範圍 第1至5項中任一項之基板搬送處理裝置中，上述載置擱板 ，係由自上述基板收納部之一側突入該基板收納部的板狀 臂部形成，各板狀臂部彼此間介由間隔物，藉由連結構件 以可裝拆的方式被連結固定成爲積層狀。 依此構成，必要時可增減載置擱板之數目。 又，申請專利範圍第7項之發明，係於申請專利範圍 弟1至5項中任一項之基板搬送處理裝置中，設置基板檢測 用感測器’用於檢測上述基板收納部之各載置擱板中基板 之有無之同時，具備控制手段，可依據該基板檢測用感測 器檢測出之fe號’而控制基板搬送手段對上述基板收納部 •9- 200816350 (7) 之基板之收付動作。 依此構成，藉由基板檢測用感測器檢測上述基板收納 部之各載置擱板中基板之有無，將該檢測信號傳送至控制 手段，如此則，控制手段可辨識各載置擱板中基板之有無 ，依據控制手段之控制信號，可對未載置基板之載置擱板 進行基板之收付（搬送）。 【實施方式】 以下依圖面說明本發明最佳實施形態，其中本發明之 基板搬送處理裝置以半導體晶圓之阻劑塗布/顯像處理裝 置爲例說明。 圖1爲上述阻劑塗布/顯像處理裝置之一例之槪略平面 圖。圖2爲上述阻劑塗布/顯像處理裝置之槪略斜視圖。圖 3爲上述阻劑塗布/顯像處理裝置之槪略圖，僅將處理部之 單位區塊於平面狀態重疊表示之槪略構成圖。 上述阻劑塗布/顯像處理裝置具備：對密閉收納有例 如13片基板之半導體晶圓W(以下W(以下晶圓W)的載具 20進行搬出入的載具區塊S1;將多數、例如5個單位區塊 B1〜B5縱向配列而成的處理區塊S2 ;介面區塊S3 ;及曝 光裝置S4。 該阻劑圖案形成裝置100，如圖2所示，具備：載具區 塊S 1，用於搬出入以密閉式收納有多數基板之晶圓W的 載具20;處理區塊 S2，由多數、例如5個單位區塊B1〜 B5以縱配列構成；介面區塊S3 ;及曝光裝置S4。 -10- 200816350 (8) 於載具區塊S1設有：可載置多數（例如4個）載具20的 載置台21 ;由該載置台21觀察、設於前方壁面的開關部22 :介由開關部22，由載具20取出晶圓W之傳送臂C。該 傳送臂C構成爲，可於構成後述基板收納部的擱板單元 U5上設置之收付平台TRS1、TRS2之間進行晶圓 W之收 付的方式，可於水平之X、Y方向及垂直之Z方向自由移 動，並且可於垂直軸周圍自由旋轉、自由移動。 於載具區塊S 1之深側連接以筐體24包圍周圍的處理 區塊S 2。此例之處理區塊S 2係自下方側起分配爲，下段 側之2段爲進行顯像處理用的第1及第2單位區塊（DEV層 )B1、B2 ;進行阻劑膜下層側被形成之抗反射膜（以下稱第 1抗反射膜）之形成處理的成爲第1抗反射膜形成用單位區 塊之第3單位區塊（BCT層）B3 ;進行阻劑液之塗敷處理的 塗布膜形成用單位區塊之第4單位區塊（COT層）B4 ;及進 行阻劑膜上層側被形成之抗反射膜（以下稱第2抗反射膜） 之形成處理的成爲第2抗反射膜形成用單位區塊之第5單位 區塊（TCT層）B5。其中，DEV層Bl、B2爲顯像處理用的 單位區塊，BCT層B3、COT層B4、TCT層B5爲塗布膜 形成用的單位區塊。 說明第1〜第5單位區塊B(B1〜B5)之構成。彼等各單 位區塊B1〜B5具備：配置於前面側，對晶圓W塗敷藥液 的液體處理單元；配置於背面側，上述液體處理單元進行 之處理的前處理及後處理之進行用各種加熱單元等之處理 單元；及在配置於前面側之上述液體處理單元與配置於背 -11 - 200816350 (9) 面側之加熱單元等處理單元間進行晶圓W之收付用的專 用之基板搬送手段的主臂部Al、A3〜A5。 此例中，彼等單位區塊B 1〜B 5，係於各單位區塊b 1 〜B5間，使上述液體處理單元、加熱單元等處理單元、基 板搬送手段間之配置形成爲同樣佈局構成。其中，配置佈 局構成爲同樣意味著，各處理單元中載置晶圓W之中心 、亦即液體處理單元之晶圓W之保持手段的自旋夾頭之 中心或加熱單元之加熱板或冷卻板之中心相同。 DEV層Bl、B2爲同樣構成，此情況下，爲共通形成 。如圖1所示，該DEV層B1、B2，係於DEV層B1、B2 之大略中央，在DEV層Bl、B2之長度方向（圖中Y方向） ，形成晶圓W之搬送區域R 1 (主臂部A 1之水平移動區域） 用於連接載具區塊S1與介面區塊S3。 於搬送區域R 1之由載具區塊S 1側觀察到的兩側，在 由前方側（載具區塊S 1側）朝向深部側的右側，作爲上述液 體處理單元而設置2段之顯像單元31，其具備顯像處理用 之多數顯像處理部。各單位區塊，係自前側朝向深部側， 於左側依序將加熱系之單元設置多段之例如4個擱板單元 U 1〜U4，圖中將顯像單元3 1進行之處理的前處理及後處 理之進行用各種單元以多段例如各3段積層而構成。如此 則，藉由搬送區域R1使顯像單元31與擱板單元U1〜U4被 區隔，可於搬送區域R 1噴出洗淨空氣進行排氣，而抑制 該區域內之微粒子之浮游。 於上述前處理及後處理之進行用各種單元中，例如圖 -12- 200816350 (10) 4所示，包含：對曝光後之晶圓W進行加熱處理的稱爲後 段曝光烘乾單元等之加熱單元（PEB1)，及對顯像處理後之 晶圓W使飛濺水分而進行加熱處理的稱爲後段烘乾單元 等之加熱單元（POST1)。彼等加熱單元（PEB1、POST1)等 之各處理單元分別被收納於處理載具5 1內，擱板單元U 1 〜U4之處理載具51各3段被積層而構成，於面對各處理載 具51之搬送區域R1的面形成晶圓搬出入口 52。 於搬送區域R1設置主臂部A1，該主臂部A1構成爲 ，可於DEV層B 1內之全部模組（放置晶圓W之處）、例如 擱板單元U1〜U4之各處理單元、顯像單元31、擱板單元 U5之各部之間進行晶圓W之收付，因此構成爲可於水平 之X、Y方向及垂直之Z方向自由移動，可於垂直軸周圍 自由旋轉。 又，上述塗布膜形成用單位區塊B3〜B5均爲同樣構 成，和上述顯像處理用單位區塊Bl、B2爲同樣構成，參 照圖3、13、14說明具體之COT層B4之例如下：作爲液 體處理單元而設置對晶圓W進行阻劑液塗布處理的塗布 單元32，於COT層B4之擱板單元U1〜U4具備：對阻劑 液塗布後之晶圓W進行加熱處理的加熱單元（CLHP4)，或 提升阻劑液與晶圓W間之密接性的疏水化處理單元（ADH) ，和DEV層B 1、B 2爲同樣構成。亦即，構成爲使塗布單 元32、加熱單元（CLHP4)及疏水化處理單元（ADH)藉由主 臂部A4之搬送區域R4(主臂部A4之水平移動區域）被區隔 。於COT層B4，可藉由主臂部A4對擱板單元U5之第3收 -13- 200816350 (11) 納區塊10c之載置擱板BUF2、冷卻板CPL3(CPL4)、塗布 單元32、擱板單元U1〜U4之各處理單元進行晶圓W之收 付。又，疏水化處理單元（ADH)係於HMDS環境內進行氣 體處理者，可設於塗布膜形成用單位區塊B3〜B5之任一 〇 BCT層B3，係作爲液體處理單元而設置對晶圓W進 行第1抗反射膜之形成處理的第1抗反射膜形成單元3 3，於 擱板單元U1〜U4具備：對抗反射膜之形成處理後之晶圓 W進行加熱處理的加熱單元（CLHP3)，和COT層B4爲同 樣構成。亦即，構成爲使第1抗反射膜形成單元3 3及加熱 單元（CLHP3)藉由主臂部A3之搬送區域R3(主臂部A3之 水平移動區域）被區隔。於第3單位區塊B3，可藉由主臂 部A3對擱板單元U5之第2收納區塊10b之載置擱板BUF1 、冷卻板CPL1(CPL2)、第1抗反射膜形成單元33、擱板單 元U1〜U4之各處理單元進行晶圓W之收付。 又，TCT層B5，係作爲液體處理單元而設置對晶圓 W進行第2抗反射膜之形成處理的第2抗反射膜形成單元34 ，於擱板單元U1〜U4除具備對抗反射膜之形成處理後之 晶圓W進行加熱處理的加熱單元（CLHP5)或周邊曝光裝置 (WEE)以外，和COT層B4爲同樣構成。亦即，構成爲使 第2抗反射膜形成單元34及加熱單元（CLHP5)及周緣曝光 裝置（WEE)藉由主臂部A5之搬送區域R5(主臂部A5之水 平移動區域）被區隔。於TCT層B5，可藉由主臂部A5對 擱板單元U5之第4收納區塊10d之載置擱板BUF3、冷卻 •14- 200816350 (12) 板CPL5(CPL6)、第2抗反射膜形成單元34、擱板單元U1 〜U4之各處理單元進行晶圓W之收付。 於處理區塊S2，使在設於擱板單元U5之收付平台 TRS2與介面區塊S3側之擱板單元U6之間進行晶圓W之 收付的基板搬送手段之往復臂部A，配设爲可於水平之Υ 方向自由移動，及於垂直之Z方向自由升降。 又，往復臂部A之搬送區域與主臂部Al、A3〜A5之 搬送區域Rl、R3〜R5分別被區隔。 處理區塊S 2與載具區塊S 1間之區域成爲晶圓W之收 付區域R2，於該區域R2，如圖1所示，在傳送臂部C與 主臂部Al、A3〜A5、往復臂部A可以取用之位置設置基 板收納部之擱板單元U5之同時，具備對該擱板單元U5進 行晶圓W之收付的構成基板收付手段之收付臂部D。此 情況下，擱板單元U5被配置於主臂部Al、A3〜A5、往復 臂部A之水平移動方向（Y方向）之軸線上，於主臂部A1 、A3〜A5、往復臂部A之進退方向（Y方向）設置第1開口 部1 1之同時，於收付臂部D之進退方向（X方向）設置第2 開口部1 2。 擱板單元U5，係如圖3、5、6所示，以在各單位區塊 B1〜B5之主臂部Al、A3〜A5及往復臂部A之間進行晶圓 W之收付的方式，具備例如2個收付平台TRS1、TRS2， 另具備對應於單位區塊B 1〜B 5之應被區隔爲多數的收納 區塊10a〜10d之同時，於各收納區塊l〇a〜10d具備多數 載置擱板13，及冷卻板14(CPL1〜CPL6)，可於阻劑塗布 -15- 200816350 (13) 前調整晶圓W成爲特定溫度或抗反射膜形成處理前調整 晶圓W成爲特定溫度或曝光處理後將加熱處理之晶圓W 調整成爲特定溫度。 此情況下，第1收納區塊1 〇a對應於第1及第2單位區 塊Bl、B2(DEV層），第2收納區塊l〇b對應於第3單位區 塊B3(BCT層），第3收納區塊l〇c對應於第4單位區塊 B4(COT層），第4收納區塊l〇d對應於第5單位區塊 B5(TCT層）。又，如圖6所示，冷卻板14(CPL1〜CPL6)被 載置於，矩形狀底板1 5上立設之4個支柱1 6上架設之保持 基板17上。冷卻板14(CPL1〜CPL6)，可使用例如於冷卻 板14(CPL1〜CPL6)設置之冷媒通路內循環恆溫冷卻水的 水冷方式者，或水冷方式以外者。 如圖7-12所示，載置擱板13，係由自擱板單元U5之 一側突入該擱板單元U5內之多數的板狀臂部13a形成。此 情況下，板狀臂部13a具備例如前端以約120度角度分歧 之雙叉部13b。在包含雙叉部13b之板狀臂部13a之前端部 之等分爲同心圓狀的3個位置，突設使晶圓W由板狀臂部 1 3 a表面起僅隔開微小間隙例如約0.5 mm而支持的近接銷 18a〜18c之同時，使該1個第1銷18a和收付臂部d進入擱 板單元U5內之方向平行而配置。 又，上述說明中以載置擱板1 3之板狀臂部1 3 a具備雙 叉部1 3b。爲例，只要由第1開口部1 1進入之主臂部之臂部 本體80與由第2開口部12進入之收付臂部D之臂部本體60 不干涉則可爲任一形狀，例如可形成爲圓形狀。 -16- 200816350 (14) 又’板狀臂部13a，係以一端安裝於擱板單元U5之支 柱16而由擱板單元U5之一側突入擱板單元U5內被設置， 各板狀板狀臂部13a之基端部彼此間介由間隔物19a藉由 連結構件例如連結螺旋1 9b可裝拆地連結固定成爲積層形 狀（參照圖7 )。 如上述說明，使構成載置擱板13之板狀臂部13a，藉 由連結螺旋1 9b可裝拆地連結固定成爲積層形狀，如此則 ，可對應於處理時序過處理時間，容易增減載置擱板1 3之 段數、亦即板狀臂部1 3 a之數目。 又，如圖5所示，由擱板單元U5之載具區塊S1側將 特定流量之清淨氣體供給至擱板單元U5內。 上述收付臂部D具備：在和上述第1銷1 8 a以外之第2 銷18b及第3銷18c不干涉之範圍內使一方之彎曲臂片61較 另一方之彎曲臂片62更延伸於前端側的變形馬蹄形狀之臂 部本體60之同時，在兩彎曲臂片61、62之前端側下部及臂 部本體60之基部側下部的3個位置設置支撐爪63用於支撐 晶圓W。另外，臂部本體60之厚度hi與板狀臂部13a之厚 度h形成爲大略相同，收付臂部D進入擱板單元U5內時 ，臂部本體60以在板狀臂部13a之厚度h與斷面方向呈現 重疊而構成（參照圖12)。 如上述說明，藉由臂部本體60之厚度hi與載置擱板 1 3、亦即板狀臂部1 3 a之厚度h形成爲大略相同，則載置 擱板1 3彼此間之空間可以設爲’收付臂部D之臂部本體 60移動於垂直方向而在載置擱板13之近接銷18a〜18c之間 -17- 200816350 (15) 進行晶圓w之收付的最低限空間，可於有限空間內設置 更多載置擱板1 3。又，將收付臂部D形成爲，在和設於 載置擱板1 3之3個近接銷1 8 a〜1 8 c所形成之最寬幅側的第2 近接銷1 8b及第3近接銷18c不干涉之範圍內使一方之彎曲 臂片6 1較另一方之彎曲臂片6 2更延伸於前端側的變形馬蹄 形狀，如此則，收付臂部D之臂部本體60不需設爲必要 以上之大小，晶圓W可於穩定狀態下進行支撐，搬送。 又，如圖8所示，收付臂部D之具備彎曲臂片6 1、彎 曲臂片62、支撐爪63的臂部本體60，係沿基台64構成爲可 對擱板單元U5自由進退。又，基台64構成爲，藉由移動 機構，可沿支撐擱板單元U 5之底板1 5之第2開口部1 2之對 向面上被安裝之Z軸軌條而於Z方向自由升降。如此則 ，臂部本體60構成爲，可於X方向自由進退及自由升降 ，可於擱板單元U 5之各收納區塊1 0 a〜1 0 d、收付平台 TRS1、TRS2之間進行晶圓W之收付。該收付臂部D，係 依據後述控制部7 0之指令，藉由控制器（未圖示）被驅動控 制。 主臂部Al、A3〜A5及往復臂部A基本上爲同樣構成 ’以往復臂部A爲代表說明如下，如圖9所示，往復臂部 A具備馬蹄形狀之臂部本體80，該臂部本體8〇具有在和近 接銷18a〜18c所形成之最窄幅側的近接銷18a與18b及18c 不干涉的一對彎曲臂片81，同時，在各彎曲臂片81之前端 部及基部側下部的4個位置設置支撐爪8 2用於支撐晶圓W 。另外，臂部本體80之厚度h2與板狀臂部13a之厚度h， -18- 200816350 (16) 係和收付臂部D同樣，形成爲大略相同，收付臂部D進 入擱板單元U5內時，臂部本體8〇以在板狀臂部13a之厚度 h與斷面方向呈現重疊而構成（參照圖n)。 因此’和收付臂部D之情況同樣，載置擱板1 3彼此 間之空間可以設爲，往復臂部A之臂部本體80移動於垂 直方向而在載置擱板1 3之近接銷1 8 a〜1 8 c之間進行晶圓W 之收付的最低限空間，可於有限空間內設置更多載置擱板 1 3。又，往復臂部A爲，在馬蹄形狀臂部本體80的4個位 置設置支撐爪8 2，如此則，晶圓 W可於穩定狀態下進行 支撐，搬送。 又，多數載置擱板1 3之間隔，形成爲窄於收付臂部D 之臂部本體60之厚度hi及往復臂部A之臂部本體80之厚 度h2。因此，擱板單元U5內之收容空間可以盡量縮小， 可實現擱板單元U5內之晶圓W之收納片數或晶圓W之收 納片數少時可達成裝置之小型化。 又，主臂部Al、A3〜A 5爲同樣構成，以主臂部A1爲 代表說明如下，如圖4所示，具備臂部本體80，該臂部本 體8 0具有一對彎曲臂片8 1可支撐晶圓W之背面側周緣區 域，彼等彎曲臂片81係沿基台83構成爲可以互爲獨立自由 進退。又，基台83構成爲，藉由旋轉機構84 ’可於於垂直 軸周圍自由旋轉之同時，藉由移動機構8 5 ’可沿支撐擱板 單元U1〜U4之座部86之搬送區域R1之對向面上被安裝之 Y軸軌條8 7而於Y方向自由移動，而且可沿升降軌條8 8自 由升降。如此則，彎曲臂片8 1構成爲，可於X方向自由 -19- 200816350 (17) 進退，可於Y方向自由移動、自由升降及可於垂直軸周 圍自由旋轉，可於擱板單元U1〜U6之各單元或收付平台 TRS3、液體處理單元之間進行晶圓W之收付。該主臂部 Α1，係依據後述控制部70之指令，藉由控制器（未圖示）被 驅動控制。又，爲防止主臂部Α1、A3〜Α5之加熱單元之 儲存熱，可藉由寫入任意控制晶圓W之受取。 又，在處理區塊S2與介面區塊S3之鄰接區域’如圖1 、3所示，在主臂部A1、往復臂部Α可取用位置設置擱板 單元U6。如圖3所示，擱板單元U6係於各DEV層B1、 B2之主臂部A1之間進行晶圓W之收付，此例中，各DEV 層 ΒΓ、Β2具備收付平台ICPL，其具有在2個收付平台 TRS3與往復臂部Α之間進行晶圓W之收付的冷卻功能。 又，圖13爲彼等處理單元之佈局之一例。該佈局爲權 宜者，處理單元不限定於加熱單元（CLHP、PEB、POST) 、疏水化處理單元（ADH)、周緣曝光裝置（WEE)，可設置 其他處理單元，實際之裝置係考慮各處理單元之處理時間 等而決定單元之設置數。 於處理區塊S2之擱板單元U6之深部側，介由介面區 塊S3連接曝光裝置S4。於介面區塊S3具備介面臂部E， 可對處理區塊S2之DEV層Bl、B2之擱板單元U6之各部 及曝光裝置S4進行晶圓W之收付。介面臂部E，構成爲 介於處理區塊S2與曝光裝置S4之間之晶圓W的搬送手段 。此例中構成爲可對DEV層Bl、B2之收付平台TRS3、 ICPL進行晶圓W之收付的方式，可於水平之X、Y方向 -20- 200816350 (18) 及垂直之Z方向自由移動，可於垂直軸周圍自由旋轉。。 上述構成之阻劑塗布/顯像處理裝置，在5段積層之各 單位區塊B 1〜B 5之間，藉由收付臂部D，分別介由收付 平台TRS1、TRS2可以自由進行晶圓W之收付之同時，藉 由介面臂部E，介由顯像處理用之第1及第2單位區塊B1 、B2，可於處理區塊S2與曝光裝置S4之間進行晶圓W之 收付。 參照圖1-4及圖13說明上述構成之阻劑塗布/顯像處理 裝置之晶圓W之搬送處理態樣，於此說明於擱板單元U5 之收納區塊l〇a〜10d之最下段之第1收納區塊10a設置2段 之冷卻板CPL9、CPL10，於其上段之第2收納區塊10b設 置2段之冷卻板CPL1、CPL2及多數載置擱板13(BUF1)， 於其上段之第3收納區塊1 0c之主面設置2段之冷卻板 CPL3、CPL4及多數載置擱板13(BUF2)，於其上段之最上 段之第4收納區塊10d設置2段之冷卻板CPL5、CPL6及多 數載置擱板13(BUF3)。 (無抗反射膜之搬送處理形態） 首先，載具20被由外部搬入載具區塊S1，藉由傳送 臂部C由載具20內取出晶圓W，晶圓W藉由傳送臂部C 被搬送至擱板單元U5之收付平台TRS1之後，藉由收付臂 部D被搬送至擱板單元U5之第3收納區塊10c之冷卻板 CPL3，介由冷卻板CPL3被傳送至COT層B4之主臂部A4 。晶圓W藉由主臂部A4被搬送至疏水化處理單元（ADH) -21 - 200816350 (19) 進行疏水化處理之後，再度被搬送至擱板單元U5之第3收 納區塊1 0 c之冷卻板C P L 4，調整爲特定溫度。之後，藉 由主臂部A4由擱板單元U5被取出之晶圓W，係被搬送至 塗布單元32，於塗布單元3 2形成阻劑膜。形成阻劑膜之晶 圓W，係藉由主臂部A4被搬送至加熱單元（CLHP4)，進行 前置烘乾處理使溶劑由阻劑膜蒸發。之後，晶圓W藉由 主臂部A4被收納於擱板單元U5之第3收納區塊l〇c之載置 擱板BUF2，暫時待機。之後，收付臂部D進入擱板單元 U5之第3收納區塊l〇c之載置擱板BUF2受取晶圓W，傳送 至擱板單元U5之收付平台TRS2。之後，藉由往復臂部A 搬送至擱板單元U6之收付平台ICPL，之後，收付平台 ICPL之晶圓W藉由介面臂部E被搬送至曝光裝置S4進行 特定之曝光處理。 曝光處理後之晶圓W，藉由介面臂部E，爲將晶圓W 傳送至DEV層B1(或DEV層B2)，而被搬送至擱板單元 U6之收付平台TRS3，收付平台TRS3上之晶圓W被傳送 至 DEV層 B1(DEV層 B2)之主臂部 A1，於 DEV層 B1(DEV層B2)，首先，於加熱單元（PEB1)進行加熱處理 後，藉由主臂部 A1搬送至擱板單元 U6之冷卻板 CPL7(CPL8)，調整爲特定溫度。之後，晶圓W藉由主臂 部A1由擱板單元U6取出被搬送至顯像單元3 1塗布顯像液 。之後，藉由主臂部A1被搬送至加熱單元（POST 1)進行特 定顯像處理。進行特定顯像處理後之晶圓W ’欲將晶圓W 傳送至傳送臂部C，而被搬送至擱板單元U5之第1收納區 -22- 200816350 (20) 塊l〇a之冷卻板CPL9(CPL10)，調整爲特定溫度後，藉由 傳送臂部C回復至載具區塊S1載置之原來之載具20。 (阻劑膜下側形成抗反射膜之搬送處理形態） 首先，載具20被由外部搬入載具區塊S1，藉由傳送 臂部C由載具20內取出晶圓W。晶圓W藉由傳送臂部C 被傳送至收付臂部D之後，藉由收付臂部D被搬送至擱 板單元U5之第2收納區塊10b之冷卻板CPL1，介由冷卻 板CPL1被傳送至BCT層B3之主臂部A3。 於BCT層B3，藉由主臂部A3，依據第1抗反射膜形 成單元33 —加熱單元（CLHP3) —擱板單元 U5之第2收納區 塊10b之載置擱板BUF1之順序被搬送，形成第1抗反射膜 。第2收納區塊10b之載置擱板BUF1載置之晶圓W，藉由 收付臂部 D 被搬送至第3收納區塊10c之冷卻板 CPL3(CPL4)，調整爲特定溫度。 之後，第3收納區塊1 0c之晶圓W，藉由主臂部A4， 依據塗布單元32 —加熱單元（CLHP4) —擱板單元U5之第3 收納區塊l〇c之載置擱板BUF2之順序被搬送，於第1抗反 射膜上層形成阻劑膜。 之後，收付臂部D進入擱板單元U5之第3收納區塊 l〇c之載置擱板BUF2受取晶圓W，傳送至擱板單元U5之 收付平台TRS2。之後，藉由往復臂部A搬送至擱板單元 U6之收付平台ICPL，之後，收付平台ICPL之晶圓w藉 由介面臂部E被搬送至曝光裝置S4進行特定之曝光處理 -23- 200816350 (21) 曝光處理後之晶圓W，藉由介面臂部E，依據擱板單 元U6之收付平台TRS3 —加熱單元（PEB1) —擱板單元U6之 冷卻板CPL7(CPL8) —顯像單元31—加熱單元（POST1)之順 序被搬送，進行特定之顯像處理。進行顯像處理後之晶圓 W，欲將晶圓W傳送至傳送臂部C，而被搬送至擱板單元 U5之第1收納區塊10a之冷卻板CPL9(CPL10)，調整爲特 定溫度後，藉由傳送臂部C回復至載具區塊S1載置之原 來之載具20。 (阻劑膜上側形成抗反射膜之搬送處理形態） 首先，載具20被由外部搬入載具區塊S1，藉由傳送 臂部C由載具20內取出晶圓W。晶圓W藉由傳送臂部C 被傳送至擱板單元U5之收付平台TRS1後，藉由收付臂部 D被搬送至擱板單元U5之第3收納區塊10c之冷卻板CPL3 ，介由冷卻板CPL3被傳送至COT層B4之主臂部A4。晶 圓W藉由主臂部A4被搬送至疏水化處理單元（ADH)進行 疏水化處理之後，再度被搬送至擱板單元U5之第3收納區 塊l〇c之冷卻板CPL4，調整爲特定溫度。之後，藉由主 臂部A4由擱板單元U5被取出之晶圓W，係被搬送至塗布 單元32，於塗布單元32形成阻劑膜。形成阻劑膜之晶圓W ，係藉由主臂部A4被搬送至加熱單元（CLHP4)，進行前置 烘乾處理使溶劑由阻劑膜蒸發。之後，晶圓W藉由主臂 部A 4被收納於擱板單元U5之第3收納區塊l〇c之載置擱板 -24- 200816350 (22) BUF2，暫時待機。 之後，第3收納區塊1 0c之晶圓W藉由收付臂部D被 搬送至擱板單元 U5之第4收納區塊10d之冷卻板 CPL5(CPL6)，調整爲特定溫度之後，傳送至TCT層B5之 主臂部A5。於TCT層B5，藉由主臂部A5，依據第2抗反 射膜形成單元34 —加熱單元（CLHP 5)—擱板單元U5之第4 收納區塊l〇d之載置擱板BUF3之順序被搬送，形成第2抗 反射膜。此情況下，加熱單元（CLHP5)之加熱處理後被搬 送至周緣曝光裝置（WEE)，進行周邊曝光處理後，搬送至 擱板單元U5之第4收納區塊l〇d之載置擱板BUF3亦可。 之後，收付臂部D進入擱板單元U 5之第4收納區塊 l〇d之載置擱板BUF3受取晶圓W，傳送至擱板單元U5之 收付平台TRS2。之後，藉由往復臂部A搬送至擱板單元 U6之收付平台ICPL，之後’收付平台ICPL之晶圓W藉 由介面臂部E被搬送至曝光裝置S4進行特定之曝光處理 〇 曝光處理後之晶圓W，藉由介面臂部E，依據擱板單 元U6之收付平台TRS3 —加熱單元（PEB1) —擱板單元U6之 冷卻板CPL7(CPL8) —顯像單元31 —加熱單元（POST1)之順 序被搬送，進行特定之顯像處理。進行顯像處理後之晶圓 W，欲將晶圓W傳送至傳送臂部C，而被搬送至擱板單元 U5之第1收納區塊l〇a之冷卻板CPL9(CPL10) ’調整爲特 定溫度後，藉由傳送臂部C回復至載具區塊S1載置之原 來之載具20。 -25- 200816350 (23) (阻劑膜下側及上側形成抗反射膜之搬送處理形態） 於阻劑膜下側及上側形成抗反射膜時，可組合上述阻 劑膜下側形成抗反射膜之搬送處理與阻劑膜上側形成抗反 射膜之搬送處理，而於阻劑膜下側及上側形成抗反射膜。 亦即，首先，載具20被由外部搬入載具區塊S1，藉由傳 送臂部C由載具20內取出晶圓W。晶圓W藉由傳送臂部 C被傳送至收付臂部D之後，藉由收付臂部D被搬送至 擱板單元U5之第2收納區塊10b之冷卻板CPL1，介由冷 卻板CPL1被傳送至BCT層B3之主臂部A3。 於BCT層B3，藉由主臂部A3，依據第1抗反射膜形 成單元33 —加熱單元（CLHP3) —擱板單元U5之第2收納區 塊10b之載置擱板BUF1之順序被搬送，形成第1抗反射膜 。第2收納區塊10b之載置擱板BUF1載置之晶圓W，藉由 收付臂部 D被搬送至第3收納區塊1 0c之冷卻板 CPL3(CPL4)，調整爲特定溫度。 之後，第3收納區塊i〇c之晶圓w，藉由主臂部A3， 依據塗布單元32 —加熱單元（CLHP4) —擱板單元U5之第3 收納區塊l〇c之載置擱板BUF2之順序被搬送，於第1抗反 射膜上層形成阻劑膜。 之後’弟3收納區塊1 〇 c之晶圓W藉由收付臂部D被 搬送至擱板單元 U5之第4收納區塊10d之冷卻板 CPL5(CPL6)’調整爲特定溫度之後，傳送至TCT層05之 主臂部A5。於TCT層B5，藉由主臂部A5，依據第2抗反 -26- 200816350 (24) 射膜形成單元34 —加熱單元（CLHP 5 )—擱板單元U5之第4 收納區塊l〇d之載置擱板BUF 3之順序被搬送，於阻劑膜 上層形成第2抗反射膜。此情況下，加熱單元（CLHP 5)之 加熱處理後被搬送至周緣曝光裝置（WEE)，進行周邊曝光 處理後，搬送至擱板單元U5之第4收納區塊10d之載置擱 板B U F 3亦可。 之後，收付臂部D進入擱板單元U5之第4收納區塊 l〇d之載置擱板BUF3受取晶圓W，傳送至擱板單元U5之 收付平台TRS2。之後，藉由往復臂部A搬送至擱板單元 U6之收付平台ICPL，之後，收付平台ICPL之晶圓W藉 由介面臂部E被搬送至曝光裝置S4進行特定之曝光處理 〇 曝光處理後之晶圓W，藉由介面臂部E，依據擱板單 元U6之收付平台TRS3 —加熱單元（PEB1) —擱板單元U6之 冷卻板CPL7(CPL8) —顯像單元31—加熱單元（POST1)之順 序被搬送，進行特定之顯像處理。進行顯像處理後之晶圓 W，欲將晶圓W傳送至傳送臂部C，而被搬送至擱板單元 U5之第1收納區塊10a之冷卻板CPL9(CPL10)，調整爲特 定溫度後，藉由傳送臂部C回復至載具區塊S 1載置之原 來之載具20。 上述阻劑塗布/顯像處理裝置具備進行各處理單元之 程序（recipe)管理、晶圓W之搬送流程（搬送路徑）之時序 管理、各處理單元之處理或主臂部Al、A3〜A5、傳送臂 部C、收付臂部D、介面臂部E之驅動控制的電腦構成之 -27- 200816350 (25) 控制部70，藉由控制部70使用單位區塊B1〜B5搬送晶圓 W進行處理。 上述搬送流程之時序係用於指定單位區塊內之晶圓W 之搬送路徑（搬送順序）者，依據每一單位區塊B1〜B5、 依據形成之塗布莫種類作成，如此則，可以依據每一單位 區塊B1〜B5將多數搬送流程之時序儲存於控制部70。 依據形成之塗布膜而存在：對全部單位區塊B1〜B5 # 搬送晶圓W之模態；對進行顯像處理之單位區塊（DEV層
Bl、B2)、進行阻劑液塗布的單位區塊（COT層B4)、形成 第1抗反射膜的單位區塊（BCT層B3)搬送晶圓W之模態； 對進行顯像處理之單位區塊（DEV層Bl、B2)、進行阻劑 液塗布的單位區塊（COT層B4)、形成第2抗反射膜的單位 區塊（TCT層B5)搬送晶圓W之模態；及僅對進行顯像處 理之單位區塊（DEV層Bl、B2)搬送晶圓W之模態；因此 ，可依據控制部70之模態選擇手段，依據欲形成之塗布膜 種類選擇搬送晶圓 W之單位區塊之同時，由對應於每一 被選擇單位區塊而準備之多數搬送流程之時序選擇最適當 之程序（recipe)，如此則，可依據形成之塗布膜選擇使用 之單位區塊，可於該單位區塊，控制各處理單元或臂部之 驅動，而進行一連串處理。 於上述阻劑塗布/顯像處理裝置，將各塗布膜形成用 之單位區塊，及顯像處理用之單位區塊形成於不同區域， 分別設置專用之主臂部Al、A3〜A5及往復臂部A，因此 可減輕彼等主臂部Al、A3〜A5及往復臂部A之負擔。因 -28- 200816350 (26) 此，可提升主臂部A1、A3〜A5及往復臂部A之搬送效率 ，可提升作業效率。 藉由收付臂部D及主臂部A 1、A3〜A5及往復臂部A 之臂部本體60、80之厚度hi、h2與載置擱板13之板狀臂 部1 3 a之厚度h形成爲大略相同，如此則，收付臂部D及 主臂部Al、A3〜A5及往復臂部A之臂部本體60、80，分 別藉由載置擱板13之板狀臂部13a之厚度h與斷面方向重 疊之位置關係而形成爲可對擱板單元U5進退，因此不會 增加擱板單元U5之高度，可增加載置擱板13之數目，可 達成省空間化。 又，上述實施形態中，說明載置擱板1 3突設有支撐晶 圓W之近接銷18a〜18c，但是亦可取代近接銷18a〜18c改 於載置擱板1 3設置吸附孔，構成爲在吸附孔連接真空裝置 的真空吸附方式。 又，於上述實施形態中，亦可依據擱板單元U5之第2 收納區塊1 〇b〜第4收納區塊1 0d中各載置擱板1 3(BUF1〜 BUF3)之晶圓W之有無而將晶圓W搬送（收付）至擱板單元 U5。亦即，如圖1、1 4所示，於各載置擱板1 3設置例如靜 電容量式之基板檢測用感測器40，用於檢測晶圓W之有 無，將該基板檢測用感測器40檢測出之信號傳送至控制手 段之控制部70，藉由控制部70辨識擱板單元U5之第2收納 區塊1 〇b〜第4收納區塊1 〇d之晶圓W之收納狀況。依據控 制部70之控制信號驅動主臂部A3〜A5，將晶圓W搬送至 未載置晶圓W之空的載置擱板1 3亦可。如此則，可確實 -29- 200816350 (27) 進行晶圓W之收付（搬送），可提升作業效率。 又，上述實施形態中，說明本發明之基板搬送處理裝 置適用半導體晶圓之阻劑塗布/顯像處理系統之例，但本 發明之基板搬送處理裝置亦可適用於LCD玻璃基板之阻 劑塗布/顯像處理系統。 (發明效果） 如上述說明，依本發明之基板搬送處理裝置，藉由上 述構成可達成以下效果。 (1 )依申請專利範圍第1項之發明，自基板收納部之2 方向設置之開口部起，基板搬送手段或基板收付手段分別 進退於基板收納部內，進入時藉由載置擱板之厚度與斷面 方向重疊之位置關係可於垂直方向移動（升降）進行基板之 收付。因此，基板收納部之基板收納空間可以儘可能縮小 ’可達成裝置之小型化之同時，可增大基板之收納數目， 而且可提升作業效率。此情況下，藉由多數載置擱板之間 隔形成爲較基板搬送手段及基板收付手段之厚度窄，則更 能縮小基板之收納空間（申請專利範圍第2項）。 (2)依申請專利範圍第3、4項之發明，可對應於基板 被塗布之阻劑膜種類及各處理單元中之處理時間，可於阻 劑膜之上下一方或雙方形成抗反射膜，或者可以確保僅以 阻·劑膜未形成抗反射膜時之次一處理前之基板之待機之同 時’可冷卻加熱處理後之基板。因此，除上述（1 )以外， 更能對應於基板被塗布之阻劑膜種類及各處理單元中之處 -30- 200816350 (28) 理時間，有效進行複雜之處理。 (3) 依申請專利範圍第5項之發明，可以將基板搬送手 段之基板支撐部之形狀設爲最小限之尺寸，可使基板之支 撐及搬送穩定化之同時，基板收付手段之基板支撐部之形 狀不需設爲必要以上之大小，可於穩定化狀態進行基板之 支撐及搬送。因此，除上述（1)、（2)以外，更能在不增大 基板搬送手段及基板收付手段之條件下，於穩定化狀態進 行基板之支撐及搬送。 (4) 依申請專利範圍第6項之發明，必要時可增減載置 擱板之數目。因此，除上述（1)〜（3)以外，更能對應於基 板之搬送時程及處理時間之變更等，容易變更基板收納部 之載置擱板之數目。 (5) 依申請專利範圍第7項之發明，可藉由基板檢測用 感測器檢測基板收納部之各載置擱板中基板之有無，將該 檢測信號傳送至控制手段，如此則，控制手段可辨識各載 置擱板中基板之有無，依據控制手段之控制信號，可對未 載置基板之載置擱板進行基板之收付（搬送）。因此，除上 述（1 )〜（4)以外，更能確實進行對基板收納部之基板收付 【圖式簡單說明】 圖1爲本發明之基板搬送處理裝置適用之阻劑塗布/顯 像處理裝置之一例之槪略平面圖。 圖2爲上述阻劑塗布/顯像處理裝置之槪略斜視圖。 -31 - 200816350 (29) 圖3爲上述阻劑塗布/顯像處理裝置之槪略圖，僅將處 理部之單位區塊於平面狀態重疊表示之槪略構成圖。 圖4爲本發明之處理區塊之單位區塊（DEV層）之槪略 斜視圖。 圖5爲本發明之基板收納部與基板收付手段之槪略側 面圖。 圖6爲上述基板收納部之槪略斜視圖。 圖7爲本發明之載置擱板與冷卻板之一部分之分解斜 視圖。 圖8爲本發明之載置擱板與基板收付手段之槪略平面 圖。 圖9爲本發明之基板搬送手段與載置棚間之晶圓收付 狀態之槪略平面圖。 圖1 〇爲本發明之基板收付手段與載置棚間之晶圓收付 狀態之槪略平面圖。 圖11爲圖9之斷面斜視圖。 圖1 2爲圖1 0之斷面斜視圖。 圖13爲本發明之處理區塊之處理單元之一例之槪略斷 面圖。 圖14爲本發明之處理區塊之單位區塊（COT層）之槪略 平面圖。 【主要元件符號說明】 W :晶圓（基板） -32- 200816350 (30) A :往復臂部（基板搬送手段）
Al、A3〜A5 :主臂部（基板搬送手段） Bl、B2:第1、第2單位區塊（DEV層） B3 :第3單位區塊（BCT層） B4 :第4單位區塊（COT層） B5 :第5單位區塊（TCT層） C :傳送臂部 D :收付臂部 S 1 :載具區塊 S 2 :處理區塊
Rl、R3〜R5:搬送區域 R2 :收付區域 U1〜U4:擱板單元（處理單元） U5 :擱板單元 1 0 a〜1 0 d :收納區塊 1 1、1 2 :開口部 1 3 :載置擱板 1 3 a :板狀臂部 h :載置擱板（板狀臂部）之厚度 14 :冷卻板（CPL) 1 8a〜1 8c :近接銷（支撐銷） 1 9 a :間隔物 19b :連結螺旋 20 :載具 -33- 200816350 (31) 31 :顯像單元（處理單元） 32 :塗布單元（處理單元） 33 :第1抗反射膜形成單元（處理單元） 34 :第2抗反射膜形成單元（處理單元） 40 :基板檢測用感測器 6 0、8 0 :臂部本體 hi :臂部本體60之厚度 6 1 : —方之彎曲臂片 62 :另一方之彎曲臂片 63 :支撐爪 h2 :臂部本體80之厚度h2 -34-