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TW200816155A - Liquid crystal display device and inspection method for liquid crystal display device - Google Patents

Liquid crystal display device and inspection method for liquid crystal display device Download PDF

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TW200816155A
TW200816155A TW096121200A TW96121200A TW200816155A TW 200816155 A TW200816155 A TW 200816155A TW 096121200 A TW096121200 A TW 096121200A TW 96121200 A TW96121200 A TW 96121200A TW 200816155 A TW200816155 A TW 200816155A
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TW
Taiwan
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pixel
data line
unit
liquid crystal
voltage
Prior art date
Application number
TW096121200A
Other languages
English (en)
Other versions
TWI366815B (zh
Inventor
Hideaki Kawaura
Kazutoshi Shimizume
Naoki Ando
Kazuyuki Miyazawa
Katsuhisa Hirano
Noriaki Horiguchi
Osamu Akimoto
Original Assignee
Sony Corp
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Filing date
Publication date
Application filed by Sony Corp filed Critical Sony Corp
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Publication of TWI366815B publication Critical patent/TWI366815B/zh

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Description

200816155 九、發明說明 【發明所屬之技術領域】 本發明係關於液晶顯示裝置及液晶顯示裝置之檢查方 法。 【先前技術】 在顯不裝置的領域,近年來急速地發展裝置的薄型 化。接著,作爲薄型之顯示裝置,例如有液晶顯示裝置 (LCD;Liquid Crystal Display)廣泛地普及中。此種液晶顯 示裝置,因爲具有薄型、輕量以及低耗電之特長,特別是 常用於行動電話機、PDA(Personal Digital Assistants)、 筆型P C (個人電腦)、攜帶用電視等所謂行動機器。此 外,不限於行動機器,也被利用於家庭用電視或投影機 等。 於液晶顯示裝置的驅動方式,有主動矩陣方式與被動 矩陣方式。而最近以主動矩陣方式的液晶顯示裝置發展成 爲主流。此主動矩陣方式之液晶顯示裝置,係其被形成透 明的畫素電極與TFT(Thin Film Transistor;薄膜電晶體) 的基板(以下稱爲「TFT基板」),以及及於顯示區域全體 被形成一透明的電極之基板(以下稱爲「對向基板」)等二 基板被對向配置,而於這些基板間被封入液晶的面板構 造。 於此主動矩陣方式的液晶顯示裝置,被2次元排列爲 行列狀的各畫素,藉由打開/關閉(開關)控制開關元件之 -5- 200816155 TFT,對各畫素電極施加因應於色階的電壓(以下稱爲「色 階電壓」),使各畫素電極與對向基板的電極之間產生電 位差,藉此電位差使液晶的透過率改變即爲液晶顯示的原 理。 於TFT基板上,往各畫素電極供給色階電壓的複數 資料線,與供開關TFT之用的控制訊號施加於TFT的閘 極之複數閘極線被佈線爲矩陣狀。接著,於畫素顯示之1 圖框期間,將行列狀配置的各畫素介由閘極線以行單位依 序選擇,對此選擇之行的各畫素電極介由資料線施加色階 電壓而進行影像顯示。被施加至各畫素電極的色階電壓, 介由被接續於各TFT的輸出電極之電容元件保持到下一 次色階電壓被施加爲止。 此外,作爲液晶顯示裝置,將被配置於液晶面板的背 面側的背光作爲光源,由液晶面板的背面照射光進行顯示 的透過型液晶顯示裝置係屬一般。對比於此,最近有 LCOS(Liquid Crystal On Silicon)等反射型液晶顯示裝置 開始投入市場。此LCOS可以使用矽晶圓作爲基板,所以 與在玻璃基板上以多晶矽形成電路的透過型液晶顯示裝置 相比’具有可使用高性能的電晶體之優點。 然而’於這些液晶顯示裝置的製造階段,被2次元配 置爲行列狀的多數畫素之中也存在著因某些原因而成爲不 良的畫素。這種不良畫素太多的話,無法進行正常的影像 顯示。亦即’在液晶顯示裝置出貨前,必須要檢查畫素的 良否。在此畫素的檢查,採用實際驅動液晶面板,而將該 -6 - 200816155 顯示影像以畫像處理裝置解析判定畫素的良否,或者是藉 由直接目視判定畫素的良否。但是,這樣的手法,實際上 驅動液晶面板,而在影像顯示後判定畫素是否良好,所以 檢查要花很多時間。此外,畫素的良否之檢查,無法在對 TFT基板與對向基板之間隙注入液晶之前就進行。 此外’使用L SI測試器測定洩漏電流藉以判定畫素是 否良好的手法也被採用。藉此手法,可以測定到程度 的洩漏電流。然而’在LCOS等反射型液晶顯示裝置,被 接續於T F Τ的輸出電極的電容元件的電容値爲數十fF (飛 法拉,femto,1(Γ15)程度,例如將lov的訊號在5〇FF的電 容兀件保持1 0 m s e c的規格,洩漏電流的測定値必須要在 5 OpA以下。亦即,使用LSI測試器測定洩漏電流的手 法,無法檢查畫素是否良好。 此處’從前,係對成對的畫素分別寫入不同電壓之 後,將同一電壓對所有的資料線做爲基準電壓而施加進行 預充電,其後將保持於成對的畫素之電壓分別讀出至資料 線上進行比較,藉以進行畫素良否的判斷(例如參照專利 文獻1)。 [專利文獻1]日本專利特開2004 - 22655 1號公報 【發明內容】 [發明所欲解決之課題] 然而’在前述之從前技術,對資料線預充電基準電壓 時,僅預充電基準電壓而已,會因爲資料線的寄生電容等 200816155 的影響,而即使施加同一電壓做爲基準電壓,也無法使成 對的2條資料線的電位相等,所以在2條資料線上讀出而 比較保持於成對的畫素的電壓時,會有無法進行比較動 作,以及無法正確進行畫素良否的判定之問題。 在此’本發明之目的在於提供將保持於成對的畫素之 電壓讀出至2條資料線上而比較時,可以正確地進行該筆 要動作之液晶顯示裝置及液晶顯示裝置之檢查方法。 [供解決課題之手段] 爲了達成前述目的,本發明係於具備:具有畫素電晶 體、及被接續於該畫素電晶體的輸出電極之電容元件、以 及進行因應於被保持在該電容元件的電壓之色階顯示的液 晶胞(cell)之單位畫素被排列爲行列狀而成的畫素陣列 部’及被接續於前述畫素陣列部之各單位畫素之中,以畫 素列爲單位的第1畫素群之各單位畫素的輸入電極之第1 資料線,及被接續於前述畫素陣列部之各單位畫素之中, 以畫素列爲單位的第2畫素群之各單位畫素的輸入電極之 第2資料線之液晶顯示裝置,分別介由前述第1資料線對 前述第1畫素群之各單位畫素寫入第1測定訊號,介由前 述第2資料線對前述第2畫素群之各單位畫素寫入第2測 定訊號,接著對前述第1、第2資料線選擇性地供給特定 的直流電壓,之後使前述第1資料線與前述第2資料線短 路。接著,使前述第1資料線與前述第2資料線短路後, 分別由前述第1畫素群之各單位畫素將前述第1測定訊號 -8 - 200816155 讀出至前述第1資料線,由前述第2畫素群之各單位畫素 將則述第2測疋訊號讀出至前述第2資料線,於此讀出之 後比較則述第1資料線的電位與前述第2資料線的電位, 根據其比較結果進行前述畫素陣列部的檢查。 於則述構成之液晶顯示裝置的檢查,從第1畫素群之 各單位畫素將第1測定訊號由第1資料線讀出,及從第2 畫素群之各單位畫素將第2測定訊號由第2資料線讀出之 前,對第1、第2資料線供給特定的直流電壓,而且藉由 短路第1資料線與第2資料線,使成對的第1、第2資料 線之各電位成爲同電位。接著,於第1、第2資料線之各 電位成爲同電位的狀態,由第1、第2畫素群之各單位畫 素將第1、第2測定訊號讀出至第1、第2資料線,進行 比較這些成對的資料線之各電位的動作。 [發明之效果] 根據本發明,因爲於第1、第2資料線之各電位成爲 同電位的狀態,由第1、第2畫素群之各單位畫素將第 1、第2測定訊號讀出至第1、第2資料線,進行比較這 些成對的資料線之各電位的動作,所以可以正確地進行該 比較動作。 【實施方式】 [供實施發明之最佳型態] 以下,參照圖面詳細說明本發明之實施型態。 -9- 200816155 圖1係顯示相關於本發明之一實施型態之液晶 置的構成槪略之系統構成圖。相關於本實施型態之 元:¾置1,作爲驅動方式採用主動矩陣方式,如3 示’具有畫素陣列部1 0、閘極線驅動電路20、資 動電路30以及檢查電路40,同時除進行通常的影 之通常動作模式以外,還具備可進行單位畫素、閘 及資料線之良否的檢查之測試模式。 # 因而,液晶顯示裝置1,其具有至少一方爲透 枚基板(未圖示)對向配置,於這2枚基板間封入液 造’至少於一方的基板表面具有被分割爲矩陣狀的 素,於各畫素被配置電極(畫素電極)之構成。 (畫素陣列部) 畫素陣列部1 〇,係具有畫素電晶體5 i、被接 畫素電晶體51的輸出電極的電容元件52、以及進 ® 於被保持於該電容元件5 2的電壓的色階顯示的液| 之單位畫素50被2次元配置爲多數行列狀(m行 對此畫素陣列部1 0之m行η列的畫素排列,於各 被佈線閘極線5 4 · 1〜5 4 - m,於各畫素列被佈線資养 1 〜5 5 - η 〇 (單位畫素) 圖2係顯示單位畫素5 0之電路構成之一例 圖。如圖2所示,於畫素50,畫素電晶體5ι,控 顯示裝 液晶顯 3 1所 料線驅 像顯示 極線以 明的2 晶的構 早位畫 續於該 行因應 晶胞5 3 η 歹[])。 畫素行 f 線 5 5 - 之電路 制電極 •10- 200816155 (閘極電極)被接續於閘極線54(54- 1〜54-m),輸入電極被 接續於資料線5 5 (5 5- 1〜55·η)。作爲畫素電晶體51,例如 使用TFT(薄膜電晶體)。 電容元件52 —端被接在畫素電晶體5 1的輸出電極, 另一端接地。液晶胞(cell)53意味著畫素電極及與此對向 而形成的對向電極之間產生的液晶電容,畫素電極被接在 畫素電晶體5 1的輸出電極。液晶胞5 3的對向電極,藉由 一透明電極跨顯示區域全面被共通形成於各畫素。於此對 向電極,各畫素共通被施加共同電位Vcom。 於此單位畫素50,由資料線5 5 (5 5 - 1〜55-n)介由畫素 電晶體5 1對液晶胞52的畫素電極施加電壓時,藉由因應 於該施加電壓而改變液晶的偏光特性,而藉液晶胞52進 行因應於施加電壓的色階顯示。此施加電壓被保持於電容 元件52。亦即,畫素電晶體5 1關閉後,藉由被保持於電 容元件52的施加電壓而繼續維持液晶的反射量。 此處,畫素陣列部1 〇之各單位畫素之中,第奇數個 畫素列之各單位畫素50相當於第1畫素群,第偶數個畫 素列之各單位畫素5 0相當於第2畫素群。對應於此,被 接在第1畫素群之第奇數個畫素列之各單位畫素50的輸 入電極的資料線5 5 -1、5 5 -3.......相當於第1資料線,被 接在第2畫素群之第偶數個畫素列之各單位畫素50的輸 入電極的資料線55-2、55-4.......相當於第2資料線。 (閘極線驅動電路) -11 - 200816155 閘極線驅動電路2 0,係由垂直驅動器2 1所構 直驅動器21例如由移位暫存器電路所構成,介由 54-1〜54-m依序輸出以行單位進行選擇畫素陣列剖 各單位畫素50之垂直掃描訊號GATE。 (資料線驅動電路) 資料線驅動電路3 0,係由水平驅動器3 1、水 開關32-1〜32-n、顯示訊號供給電晶體33-1、33-2 訊號供給電晶體3 4 1、3 42、電壓供給控制電晶體 3 5-n以及反相器36所構成。 水平驅動器3 1,例如爲具有移位暫存器電路 適用邏輯電路之構成,測試訊號TEST爲接地位準 準(以下稱爲「L位準」)時,亦即在通常動作模式 存器電路動作,輸出依序選擇驅動水平選擇開關 32-n之第1水平開關驅動訊號DSW1〜DSWn,測 爲Η位準時,亦即在測試模式測試用邏輯電路動 出以特定的畫素列單位選擇驅動水平選擇開關3 2-] 之第2水平開關驅動訊號DSW。 水平選擇開關32-1〜32·η之中,對應於第奇 素列的水平選擇開關32-1、32-3、......被接繪於第 晝素列之資料線55-1、55-3.......與第1訊號供給 1之間,對應於第偶數個畫素列的水平選擇開關 32-4.......被接續於第偶數個畫素列之資料線55· 4 .........與第2訊號供給線3 7 - 2之間,回應於從水 成。垂 閘極線 10之 平選擇 、測定 35-1 〜 ,與測 之低位 移位暫 32-1 ~ 試訊號 作,輸 〜3 2 - η 數個畫 奇數個 、線 3 7 -32-2、 ,2、55-平驅動 -12- 200816155 器3 1輸出的第1或第2水平掃描訊號而成爲打開狀態。 在通常模式,影像顯示用訊號SIG介由顯示訊號供給 電晶體3 3 -1、3 3 -2共通被提供給第1、第2訊號供給線 37-1、3 7-2。顯示訊號供給電晶體33-1、33-2,在低(L) 位準的測試訊號TEST介由反相器36被施加至閘極電極 而成爲打開狀態,將影像顯示用訊號SIG對第1、第2訊 號供給線3 7 -1、3 7 -2共通供給。 • 另一方面,在測試模式,於第1訊號供給線37-1第 1測定訊號TSIG1介由測定訊號供給電晶體34-1被選擇 性供給,於第2訊號供給線37-2第2測定訊號TSIG2介 由測定訊號供給電晶體34-2被選擇性供給。測定訊號供 給電晶體34-1、34-2,在高(H)位準的測試訊號TEST被 施加至閘極電極而成爲打開狀態,將第1、第2測定訊號 TSIG1、TSIG2第1、第2訊號供給線37-1、37-2供給。 電壓供給控制電晶體3 5 _ 1〜3 5 -η被接續於資料線5 5 - ♦ 1〜5 5 -η之各個與電壓供給線3 8之間。於電壓供給限3 8 被提供特定的直流電壓Vguard。電壓供給電晶體35-1〜 3 5 -p,其各閘極電極被共通接續於控制線3 9,介由該控 制線39,高(H)位準的電壓供給控制訊號TOFF被施加至 閘極電極藉以成爲打開狀態,將直流電壓Vguard施加至 資料線55-1〜55-n。 (檢查電路) 檢查電路40,係由開關電路4 1-1〜4 Ι-p、感測擴大 -13- 200816155 器42-1〜42-p以及解碼器43所構成。 開關電路41-1〜41 ·ρ使相鄰的2條資料線55-1與 55-2、55-3與55-4.......成對地配置。亦即,開關電路 41- 1〜41-ρ之數Ρ成爲資料線55-1〜55-η的數目η的一 半。開關電路4 1 -1〜4 1-Ρ爲相同的電路構成,所以在 ‘此,以第1個開關電路4 1 -1爲例說明其具體的電路構 成。 # 開關電路41 ―1係由一方的接電分別被接續於資料線 55-1、55-2之各一端的開關44、45,及被接續於這些開 關44、45之另一方的接點間的開關46所構成。開關 44、45藉由被施加高(Η)位準的開關控制訊號Swa而成 爲打開(閉)狀態、使感測擴大器4 2 -1的反轉輸入端以及非 反轉輸入端分別以低阻抗對資料線5 5 -1、5 5 - 2接續的作 用。
開關46藉由被施加高(Η)位準的開關控制訊號SWB • 而成爲打開(閉)狀態而具有以低阻抗短路資料線5 5 -1、 5 5-2間的資料線箱(tank)手段之功能。藉由開關46短路 資料線55-1、55-2間,在資料線55-1、55-2間有電位差 的場合,資料線5 5 1、5 5 -2之各電位,亦即感測擴大器 42- 1之反轉輸入端以及非反轉輸入端之各電位成爲同電 位,具體而言,成爲短路前的資料線55-1、55-2的各電 位之中間電位。 如此’因爲開關4 6發揮短路資料線5 5 · 1、5 5 2間的 作用,所以開關46的配置位置不限於配置在開關44、45 -14- 200816155 與感測擴大器42-1之間。但是,將開關46配置於更接近 感測擴大器42-1的位置,不會受到資料線55-1、55-2的 寄生電容或配線電阻的影響,具有可使感測擴大器42-1 的反轉輸入端及非反轉輸入端之各電位成爲同電位的優 點。 感測擴大器42-1在開關電路41 1的開關44、45爲打 開(ON)狀態時,同步於致能(enable)訊號EN比較資料線 55-1、55-2的各電位檢測出其電位差,擴大該電位差而輸 出。感測擴大器42-2〜42-ρ也與感測擴大器42-1進行同 樣的動作。這些感測擴大器42-1〜42·ρ係比較第1資料 線之第奇數個資料線5 5 -1、5 5 - 3.......的電位與第2資料 線之第偶數個資料線55-2、55-4.......的電位之比較電 路。但是’作爲比較電路不限於感測擴大器42-1〜42-ρ 只要是可以比較第1資料線的電位與第2資料線的電位之 構成即可。 由感測擴大器42_1〜42-ρ輸出高(Η)位準或者低(L)位 準的檢測訊號,被輸入至解碼器43。解碼器43,把從感 測擴大器42-1〜42-ρ供給的檢測訊號暫時保持,將該保 持結果與期待値比較,如果如期待値則輸出檢查結果爲良 (ΟΚ) ’如果非期待値則輸出不良(NG)之檢查結果訊號 TOUT。 (感測擴大器及解碼器) 圖3係例如顯示第1個感測擴大器42-1及對應於此 -15- 200816155 的解碼器43之電路部分的具體電路例之電路圖。 如圖3所示,感測擴大器42-1,係由源極電極被共 通接續而成差動動作的Nch之差動對電晶體Ql、Q2,及 於這些差動對電晶體Q 1、Q2之各汲極電極分別被接續各 汲極電極的Peh之負荷電晶體Q3、Q4,及被接續於差動 對電晶體Ql、Q2之源極共通接續節點與接地之間的Nch 之電流源電晶體Q5,及被接續於負荷電晶體Q3、Q4之 源極共通接續節點與電源Vdd之間的Pch之電流源電晶 體Q6所構成。 電晶體Q 1、Q3之各閘極電極相互被共通接續,同時 被接續於電晶體Q2、Q4之汲極共通接續節點。電晶體 Q2、Q4之各閘極電極相互被共通接續,同時被接續於電 晶體Q1、Q3之汲極共通接續節點。接著,電晶體q 1、 Q3之汲極共通接續節點被接續於開關44之另一方的接 點,電晶體Q2、Q4之汲極共通接續節點被接續於開關45 之另一方的接點。於電流源電晶體Q5之閘極電極被施加 致能訊號EN。於電流源電晶體Q 6之閘極電極被施加致 能訊號ΕΝ之反轉訊號。 解碼器43之對應於感測擴大器42-1的電路部分43-1,係由觸發器(FF,flip-fl〇p)48與2輸入AND閘28所 構成。觸發器47暫時保持由感測擴大器42-1供給的高(H) 位準(邏輯「1」)或者低(L)位準(邏輯「〇」)之檢測訊號。 AND閘4 8,比較觸發器4 7的保持內容之邏輯「1」或邏 輯「0」與期待値「1」(或者「0」)。接著,2輸入之邏輯 -16- 200816155 一致時’亦即觸發器47的保持內容如期待値的話輸出良 (OK) ’ 2輸入之邏輯不一致時,亦即觸發器47的保持內 容不同於期待値的話輸出不良(NG)之値(H位準/L位準)之 檢查結果訊號TOUT。 (液晶顯示裝置的檢查) 以下具體說明相關於如以上所構成的本實施型態之液 晶顯示裝置1之畫素陣列部1 〇的檢查方法(根據本發明之 檢查方法),具體而言針對單位畫素50之良否的檢查、閘 極線54-1〜54-m以及資料線55-1〜55-n的短路或斷線等 的檢查。又,單位畫素5 0之良否的檢查,包括電容元件 5 2的良否檢查,與液晶胞5 3的良否的檢查。這些檢查, 藉由使用習知的L S I測試器來進行。 圖4係顯示液晶顯示裝置1與L SI測試器7 0之關係 之方塊圖。於本實施型態,由LSI測試器70對液晶顯示 裝置1輸入各種控制訊號,具體而言包括在資料線驅動電 路30使用的測試訊號TEST,第1、第 2測定訊號 TSIG、TSIG2以及電壓供給控制訊號TOFF,在檢查電路 40使用的開關控制訊號SWA、SWB以及致能訊號EN。 接著,由液晶顯示裝置1對LSI測試器70輸入檢查結果 訊號TOUT,基於該檢查結果訊號TOUT,LSI測試器70 進行單位畫素50的良否的判斷,或閘極線54-1〜54-m以 及資料線55-1〜55-n的短路或斷線等之有無的判斷。 LSI測試器70,內部具有CPU71以及記憶部72等, -17- 200816155 CPU71讀出被記憶於記憶部72等的檢查程式而實行,而 實行以下說明的功能,亦即供檢查單位畫素5 0的良否, 或閘極線54-1〜54-m以及資料線55-1〜55-n的短路、斷 線等之用的功能。 此處’以將檢查程式預先記憶於記憶部72等爲前 提’但也可能藉由通訊手段提供檢查程式而讀入記憶部 72,或是採用在CD — ROM等記憶媒體記錄檢查程式,使 該檢查程式透過LSI測試器70的記憶媒體驅動器(未圖示) 曰買入憶部7 2的方式。 又,單位畫素50的良否的檢查,或閘極線54-1〜54-ηι以及資料線55-1〜55-n的短路、斷線等的檢查,係在 製造工程於注入液晶之前的階段進行的。但是,針對液晶 胞5 3的良否的檢查,在注入液晶後的階段進行。任一場 合,針對檢查的動作而言基本上都相同。 以下,使用圖5之計時圖以及圖之動作說明圖來說明 根據LSI測試器70之CPU71的控制之下被執行的供單位 畫素50的良否的檢查,或閘極線54-1〜54-m以及資料線 5 5 -1〜5 5 -η的短路、斷線等的檢查之用的一連串的動作。 又,根據此CPU7 1之一連串的測定動作,以同步於 根據垂直驅動器21之垂直掃描以畫素行單位,使相鄰的 畫素列成對而進行。此處,爲了容易理解,如圖6所示, 以使某畫素行i之第1列、第2列的單位畫素50i-l、50i-2成對的場合爲例加以說明。 在圖5之計時圖,顯示測試訊號TEST、水平開關驅 -18- 200816155 動訊號DSW、電壓供給控制訊號TOFF、垂直掃描訊號 GATE、開關控制訊號SWA、SWB以及致能訊號EN之計 時關係。這些訊號,在測定開始前全部爲低(L)位準的狀 態。 首先,LSI測試器 70,在時刻tl 1使測試器訊號 TEST爲高(H)位準,同時將第1、第2測定訊號TSIG1、 TSIG2供給至液晶顯示裝置1。藉由測試器訊號TEST成 爲高(H)位準,訊號供給電晶體34-1、34-2成爲打開狀 態,將第1、第2測定訊號TSIG1、TSIG2供給至第1、 第2訊號供給線37-1、37-2。 此外,藉由測試訊號TEST成爲高(H)位準,水平驅 動器31對水平選擇開關32-1、32-2使共通之水平開關驅 動訊號DSW爲高(H)位準而使水平選擇開關32-1、32-2 爲打開狀態。藉此,第1、第2測定訊號 TSIG1、 TSIG2,由第1、第2訊號供給線37-1、37-2介由水平選 擇開關32-1、32-2施加於資料線55-1、55-2。 對資料線5 5 -1、5 5 - 2之第1、第2測定訊號T S IG 1、 tsig2之施加的同時(時刻tn),藉由根據垂直驅動器21 之垂直掃描,由垂直驅動器21對畫素行i之閘極線54“ 施加高(H)位準的垂直掃描訊號GATE。藉此’單位畫素 50i-l、5 0i-2之各晝素電晶體51成爲打開狀態’所以介 由該畫素電晶體51第1、第2測定訊號TSIG1、TSIG2被 施加至各電容元件5 2 此處,第1測定訊號TSIG1之電壓位準例如爲 -19- 200816155 5,0V,第2測定訊號TSIG2之電壓位準例如爲4.0V。但 是,這些電壓位準僅爲一例,並不以此爲限。此外,第 1、第2測定訊號TSIG1、TSIG2係直流電壓之類比訊 號。 第1、第2測定訊號TSIG1、TSIG2被施加至單位畫 素5 0i-l、5 0i-2之各電容元件52,藉此這些被預充電因 應於測定訊號TSIG1、TSIG2之電荷,第1、第2測定訊 號TSIG1、TSIG2的電壓位準被保持於各電容元件52。如 此進行,於單位畫素50i-l、50i-2,被寫入第1、第2測 定訊號TSIG1、TSIG2之電位位準。 其次,在對單位畫素50i-l、50i-2之第1、第2測定 訊號TSIG1、TSIG2之電壓位準的寫入之後,在時刻tl2 由垂直驅動器2 1對第i行之畫素行輸出的垂直掃描訊號 GATE由高(H)位準遷移至低(L)位準。藉此,單位畫素 50i-l、50i-2之各畫素電晶體51成爲關閉狀態,確定被 蓄積於各電容元件52的電荷量。 其次,在時刻11 3水平驅動器3 1,使水平開關驅動訊 號DSW成爲低(L)位準而使水平選擇開關32-1、32-2爲關 閉狀態,停止對資料線55-1、55-2之第1、第2測定訊號 TSIG1 、 TSIG2 的施力α 〇 與此同時(時刻tl 3),LSI測試器70,使電壓供給控 制訊號TOFF以及開關控制訊號SWA、SWB爲高(H)位 準。藉此,電壓供給控制電晶體35-1〜3 5-n成爲打開狀 態,特定的直流電壓Vguaird被施加至資料線55-1、55- -20- 200816155 2,同時開關電路4 11的開關44、45成爲打開狀態,該直 流電壓Vguard被施加至感測擴大器42-1的反轉輸入端以 及分反轉輸入端。此處,直流電壓Vguard例如爲3.0V。 進而,開關46,成爲打開狀態藉由短路資料線55_ 1、5 5 - 2間,以及感測擴大器4 2 -1的反轉輸入端一非反轉 輸入端間,使資料線55-1、55-2之各電位以及感測擴大 器42-1的反轉輸入端與非反轉輸入端之各電位爲同電 位,亦即進行使成爲電壓Vguard之均等化(equalize)動 作。 藉由此均等化動作使電路內的各部位,亦即資料線 55-1、55-2之各電位以及感測擴大器421的反轉輸入端以 及非反轉輸入端之各電位幾乎成爲一定(同電位)的階段之 時刻tl 4時LSI測試器70,使電壓供給控制訊號TOFF成 爲低(L)位準而使電壓供給控制電晶體3 5-1〜35-n成爲關 閉狀態。藉此,直流電壓Vguard之對資料線55-1、55-2 的施加被停止,於此狀態,藉由開關4 6的作用進行電路 內電位之進而更精密的均等化動作。 藉由進行這樣的均等化動作,感測擴大器42-1的反 轉輸入端以及非反轉輸入端之各電位成爲同電位,所以以 後,藉由感測擴大器42-1比較資料線55-1、55_2之各電 位時,可以確實進行其比較動作。 在均等化動作結束後之時刻tl 5,LSI測試器70,藉 由使開關控制訊號SWB爲低(L)位準,使開關電路ο」 的開關46爲關閉狀態,使資料線55-1與資料線55_2之 -21 - 200816155 間電氣獨立,同時使感測擴大器42-1的反轉輸入 反轉輸入端之間電氣獨立。 其次,在時刻11 6藉由根據垂直驅動器2 1之 的垂直掃描,由垂直驅動器21對畫素行i之閘極 施加高(H)位準的垂直掃描訊號GATE。藉此,單 50i-l、50i-2之各畫素電晶體51成爲打開狀態, 電容元件52之保持電壓介由畫素電晶體5 1被施力口 的2條資料線55-1、55-2。 此處,資料線55-1、55-2具有電容成分。又 實施型態,資料線55-1的電容値與資料線55-2的 相同,其電容値爲Cdata。此外,資料線55-1、55 容値Cdata,與電容元件52之電容値Cs相比極大 一例,Cs:Cdata=l:l〇〇。亦即,資料線 55-1、55-2 値Cdata,爲電容元件52之電容値Cs的100倍。 藉由均等化動作,在資料線55-1、55-2之各 分被保持3.0V(VgUard)。於此狀態,單位畫素 50i-2之各電容元件52的保持電壓讀出至資料線 55-2時,單位畫素 soi — 〗之電容元件52的保持 5·〇ν,單位畫素50i-2之電容元件52之保持 4.0V,所以由資料線55-1、55-2的電容値Cdata 元件5 2的電容値C s之電容比,資料線5 5 -1的電 3.05V,資料線55-2的電位成爲3.04V(由Q = C-V 55-1的電荷爲3 05 · Cs,資料線55-2之電荷爲3 04 · 其次,LSI測試器70,在成對的2條資料線 端與非 第2次 線 54-i 位畫素 所以各 至成對 ,於本 電容値 -2的電 。作爲 的電容 電容成 50i-l、 55]、 電壓爲 電壓爲 與電容 :位成爲 資料線 C s) 〇 55]、 -22- 200816155 局 爲 電 施 電 此 線 壓 而 來 之 容 容 -1 52 電 局 -2 部 的 5 5-2的電位確定的時刻tTl 7使致能(enable)訊號ΕΝ爲 (Η)位準而使感測擴大器42-1內的電流源電晶體Q5 Q6(參照圖3)成爲打開狀態。藉此,感測擴大器42 — i成 活化狀態,比較資料線5 5 1的電位與資料線5 5 -2的 位。 此處,在前述之例,資料線55-1的電位3.05V被 加至感測擴大器42-1的非反轉輸入端,資料線55_2的 位3.04V被施加至感測擴大器42-1的反轉輸入端。 時,感測擴大器4 2 -將資料線5 5 · 1的電位3 · 0 5 V與資料 5 5-2的電位3.04V之電位差Ο.οιν放大到最大振幅電 Vdd作爲邏輯「1」的比較結果輸出往解碼器43,具體 言輸出往對應於感測擴大器42-1的電路部分43-1。 資料線5 5 -1、5 5 -2之各電位的電位差,起因於本 應該爲相同電容値的單位畫素50i-l、單位畫素50i-2 各電容元件5 2的電容値C s與資料線5 5 -1、5 5 - 2的電 値Cdata之電容比的差異。接著,單位畫素5 0i-l的電 元件5 2有異常,其電容値〇8變小兩成時,資料線55 的電位成爲3.04V以下,單位畫素50i-2的電容元件 有異常而其電容値Cs增大兩成以上時,資料線55-2的 位成爲3 · 0 5 V以上。亦即,資料線5 5 1、5 5 -2的電位的 低關係逆轉。此時,感測擴大器4 2 1將資料線5 5 -1、5 5 的電位差作爲邏輯「〇」的比較結果往解碼器43的電路 分43-1輸出。 解碼器43之電路部分43-1,判定感測擴大器42-1 -23- 200816155 比較結果,是否與單位畫素50i-l、50i-2之各電容元件 5 2爲正常時之期待値「1」一致,將其判定結果作爲檢查 結果訊號TOUT供給至LSI測試器70。單位畫素50i-l、 5 0i-2之各電容元件52爲正常時,感測擴大器42—丨之比 較結果成爲邏輯「1」,所以AND閘4 8之輸出之檢查結 果訊號TOUT成爲高(H)位準(邏輯「1」)。另一方面,單 {αι畫素50i-l、50i-2之各電容兀^件52之任一^有異常時, 感測擴大器42-1之比較結果成爲邏輯「〇」,所以檢查結 果訊號TOUT成爲低(L)位準(邏輯「0」)。 LSI測試器70,接受來自解碼器43的檢查結果訊號 TOUT,可針對單位畫素50的全部將電容元件52之良 否,使畫素行單位相鄰的2個單位畫素成對地進行檢查。 又,在本例,將第1測定訊號TSIG1之電壓位準設 定爲比第2測定訊號TSIG2之電壓位準還要高,但將第 1、第2測定訊號TSIG、TSIG2之各電壓位準的高低關係 設定爲相反亦爲可能。在此場合,於解碼器4 3,單位畫 素50i-l、50i-2之各電容元件52爲正常時之期待値,爲 設定邏輯値「0」。亦即,期待値「1」/「0」,由對成對 的2條資料線5 5 -1、5 5 - 2施加的第1、第2測定訊號 TSIG1、TSIG2 所決定。 此外,設置切換第1測定訊號T SIG 1的電壓位準與 第2測定訊號TSIG2的電壓位準的電路,亦可採用分別 將第1測定訊號TSIG1的電壓位準供給至資料線554, 將第2測定訊號TSIG2的電壓位準供給至資料線55-2而 -24- 200816155 進行檢查之構成,以及分別將第2測定訊號TSIG2的電 壓位準供給至資料線55-1,將第1測定訊號TSIG1的電 壓位準供給至資料線5 5 -2而進行檢查之構成。藉由採用 此構成,可以更爲確實地判定單位畫素50i-l、50i-2之各 電容元件52之任一是否爲異常。 將到此爲止所說明之一連串的測定動作,作爲在液晶 注入前的階段之檢查而實行,如前所述可以針對單位畫素 5 0的電容元件52的良否(正常/異常)進行檢查。 此外,於在液晶注入前的階段之檢查,前述之一連串 的測定動作於各畫素行進行而對各畫素行的相鄰的2個單 位畫素寫入第1、第2測定訊號TSIG1、TSIG2之各電壓 位準時,發生無法寫入電壓位準的單位畫素的場合,可以 檢測出包含無法寫入的單位畫素的畫素列之資料線發生了 短路或者斷線。 針對資料線發生短路或者斷線的部位,寫入第1、第 2測定訊號TSIG1、TSIG2之各電壓位準的寫入動作,同 步於根據垂直驅動器2 1之垂直掃描而以畫素行單位進 行’所以發生無法寫入電壓位準的單位畫素的畫素行之位 置’可以檢測出爲資料線發生短路或斷線之部位。 此外,於在液晶注入前的階段之檢查,以所有資料線 5 -1〜5 5 -η係正常的作爲前提,前述之一連串的測定動 作’以全畫素列爲對象,不是使相鄰的2個畫素列成對而 於各畫素行進行,而是將全畫素列分割爲複數以該分割的 單位爲對象,使相鄰的2個畫素列成對而於各晝素行進 -25- 200816155 行,藉此對第1、第2測定訊號TSIGl、TSIG2之各電壓 位準寫入單位畫素50時,發生無法寫入電壓位準的單位 畫素的場合,因爲變成無法藉由垂直掃描訊號GATE使畫 素電晶體5 1打開,所以可以檢測出包含無法寫入的單位 畫素的畫素行之閘極線發生了短路或者斷線。 作爲一例,畫素列爲1920條(水平方向之畫素數爲 1 920),將全畫素列1 920以48條畫素列爲單位分割爲40 區域,於每個該分割區域重複40次前述之一連串的測定 動作,使相鄰的2個畫素列成對而於各畫素行實行,可以 在40個區域單位檢測出閘極線54-1〜54-m發生短路或斷 線的處所。 另一方面,所有的單位畫素50的電容元件52、所有 資料線55-1〜55-n以及所有閘極線54-1〜54-m是正常的 爲前提,於在液晶注入後的階段的檢查,藉由於各畫素行 進行前述之一連串的測定動作,也可以檢查單位畫素5 0 之電容元件42以外的良否。 亦即,液晶沒有依規定被注入,或是液晶混入異物, 或者畫素電極的圖案崩壞的場合,電容元件5 2的電容値 C s會改變。亦即,藉由前述一連串的測定動作檢測出有 異常的場合,因爲電容元件52爲正常,所以可以盼訂在 單位畫素有電容元件52以外的異常發生,亦即可判定有 液晶未依照規定注入、液晶混入異物、或者液晶電極的圖 案崩壞等異常。 如前所述,從第1畫素群(在前述之例,爲第丨列之 -26- 200816155 畫素群)之各單位畫素將第1測定訊號TSIG1由第1資料 線55-1讀出,及從第2畫素群(在前述之例,爲第2列之 畫素群)之各單位畫素50將第2測定訊號TSIG2由第2資 料線55-2讀出之前,對第1、第2資料線55-1、55-2供 給特定的直流電壓Vguard,而且藉由開關46短路第1資 料線55-1與第2資料線55-2,使成對的第1、第2資料 線55-1、55-2之各電位成爲同電位。 如此,因爲於第1、第2資料線55-1、55-2之各電位 成爲同電位的狀態,由第1、第2畫素群之各單位畫素50 將第1、第2測定訊號TSIG1、TSIG2讀出至第1、第2 資料線55-1、55-2,進行比較這些成對的資料線55-1、 5 5-2之各電位的動作,所以可以正確地進行該比較動 作。 特別是,相關於本實施型態之檢查手法,與測定洩漏 電流的手法不同’因爲是分別對成對的單位畫素寫入電壓 値相異的測定訊號TSIG1、TSIG2之後,對成對的資料線 55-1、55-2施加特定的直流電壓Vguard,且短路該資料 線55-1、55-2間進行均等化(equalize)動作之後,將保持 於成對的單位畫素之電壓分別讀出至資料線5 5 - 1、5 5 -2 上而進行比較的手法’所以即使是電容元件5 2的電容値 Cs爲數十FF程度的LCOS等反射型液晶顯示裝置,也可 以確實進行檢查。 此外,於檢查電路40的輸入段,·藉由設置選擇性切 離該檢查手段與第1、第2資料線55-1、55-2之間的電氣 -27- 200816155 接續的開關44、45,可以並行地進行對單位畫素50之第 1、第2測定訊號TSIG1、TSIG2的寫入動作與在檢查電 路4 0的檢查動作,所以可縮短一連串檢查所要的處理時 間。 進而,藉由使資料線短路手段之開關46配置於開關 44、45與感測擴大器41-1之間,而因爲開關46的配置 位置成爲更近於感測擴大器4 1 -1的位置,所以不會受到 資料線5 5 -1、5 5 -2的寄生電容或配線電阻的影響,可以 使感測擴大器42-1的反轉輸入端以及非反轉輸入端之各 電位成爲同電位。 【圖式簡單說明】 圖1係顯示相關於本發明之一實施型態之液晶顯示裝 置的構成槪略之系統構成圖。 圖2係顯示單位畫素之電路構成之一例之電路圖。 圖3係顯示第1個感測擴大器(sense-amp)及對應於此 的解碼器之電路部分的具體電路例之電路圖。 圖4係顯示液晶顯示裝置與LSI測試器之接續關係之 方塊圖。 圖5係供說明爲了進行檢查之一連串的測定動作之說 明之計時圖。 圖6係針對供進行檢查之一連串的測定動作之動作說 明圖。 -28- 200816155 【主要元件符號說明】 1 :主動矩陣方式液晶顯示裝置 1 〇 :畫素陣列部 20 :資料線驅動電路 2 1 :垂直驅動器 3 0 :資料線驅動電路 3 1 :水平驅動器 φ 32-1〜32-n :水平選擇開關 3 5 -1〜3 5 -η :電壓供給控制電晶體 4 0 :檢查電路 41- 1〜41-ρ :開關電路 42- 1〜42-ρ :感測擴大器 43 :解碼器 50 :單位畫素 5 1 :畫素電晶體 _ 5 2 :電容元件 53 :液晶胞(cell) 54(54- 1 〜54-m):閘極線 5 5 (5 5 - 1 〜55-n):資料線 70 : LSI測試器 -29-

Claims (1)

  1. 200816155 十、申請專利範圍 1. 一種液晶顯示裝置,其特徵爲具備: 具有畫素電晶體、及被接繪於該畫素電晶體的輸出電 極之電容元件、以及進行因應於被保持在該電容元件的電 _ 壓之色階顯示的液晶胞(cell)之單位畫素被排列爲行列狀 而成的畫素陣列部, 被接續於前述晝素陣列部之各單位畫素之中’以畫素 • 列爲單位的第1畫素群之各單位畫素的輸入電極之第1資 料線, 被接f賈於則述畫素陣列部之各卓位畫素之中’以畫素 列爲單位的第2畫素群之各單位畫素的輸入電極之第2資 料線, 介由前述第1資料線對前述第1畫素群之各單位畫素 寫入第1測定訊號,而介由前述第2資料線對前述第2畫 素群之各單位畫素寫入第2測定訊號之寫入手段, • 對前述第1、第2資料線選擇性地供給特定的直流電 壓之電壓供給控制手段, 在根據前述電壓供給控制手段供給電壓後使前述第1 資料線與前述第2資料線短路的資料線短路手段, 根據前述資料線短路手段使前述第1資料線與前述第 2資料線短路後,分別由前述第1畫素群之各單位畫素將 前述第1測定訊號讀出至前述第1資料線,由前述第2畫 素群之各單位畫素將前述第2測定訊號讀出至前述第2資 料線之讀出手段,以及 -30 - 200816155 根據前述讀出手段讀出之後比較前述第1資料線的電 位與前述第2資料線的電位,根據其比較結果進行前述畫 素陣列部的檢查之檢查手段。 2·如申請專利範圍第1項之液晶顯示裝置,其中 於前述檢查手段之輸入段,具有選擇性地切離該檢查 手段與前述第1資料線及前述第2資料線之間的電氣接續 的開關手段。 # 3 ·如申請專利範圍第2項之液晶顯示裝置,其中 前述資料線短路手段,被設於前述開關手段與前述檢 查手段之間。 4·如申請專利範圍第1項之液晶顯示裝置,其中 前述檢查手段,具有: 在根據前述讀出手段讀出之後,比較前述第1資料線 的電位與前述第2資料線的電位之比較手段,及 判定前述比較手段的比較結果是否與從前述第1、第 • 2測定訊號所想定的期待値一致之判定手段。 5 · —種液晶顯示裝置之檢查方法,係具備: 具有畫素電晶體、及被接續於該畫素電晶體的輸出電 極之電容元件、以及進行因應於被保持在該電容元件的電 壓之色階顯示的液晶胞(cell)之單位畫素被排列爲行列狀 而成的畫素陣列部, 被接續於前述畫素陣列部之各單位畫素之中,以晝素 列爲單位的第1畫素群之各單位畫素的輸入電極之第〗資 料線,以及 -31 - 200816155 被接續於前述畫素陣列部之各單位畫素之中, 列爲卓位的弟2畫素群之各單位畫素的輸入電極之 料線的液晶顯示裝置之檢查方法,其特徵爲具有: 分別介由前述第1資料線對前述第1畫素群之 畫素寫入第1測定訊號,及介由前述第2資料線對 2畫素群之各單位畫素寫入第2測定訊號之寫入步! 在前述寫入步驟寫入前述第1、第2測定訊號: 對前述第1、第2資料線選擇性地供給特定的直流彳 電壓供給步驟, 在前述電壓供給步驟供給電壓之後使前述第1 與前述第2資料線短路的短路步驟, 以前述短路步驟使前述第1資料線與前述第2 短路後,分別由前述第1畫素群之各單位畫素將前 測定訊號讀出至前述第1資料線,由前述第2畫素 單位畫素將前述第2測定訊號讀出至前述第2資料 出步驟,以及 在前述讀出步驟讀出之後比較前述第1資料線 與前述第2資料線的電位,根據其比較結果進行前 陣列部的檢查之檢查步驟。 6.如申請專利範圍第5項之液晶顯示裝置之相 法,其中 前述寫入的寫入步驟、前述電壓供給步驟、前 步驟、前述讀出步驟以及前述檢查步驟之一連串的 係前述畫素陣列部之全畫素列分割爲複數而以該分 以畫素 第2資 各單位 前述第 潔, 之後, S壓之 資料線 資料線 述第1 群之各 線之讀 的電位 述畫素 k查方 述短路 動作, 割的單 -32- 200816155 位爲對象,使相鄰的2個畫素列成對而於每畫素行進行。
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