TW200816056A - IC card and IC card socket - Google Patents

Description

200816056 九、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明係關於一種ic卡，特別是關於可分離地搭載薄型 記憶卡，而適用於重視互換性之1C卡的有效技術。 【先前技術】 本發明人檢討之技術，如在1C卡中，考慮以下之技術。 . 如有一種稱為SIM卡（用戶識別模組卡）的1C卡。SIM卡係

插入行動電話，用於識別使用者，而記錄契約者資訊的1C _ 卡。即使是不同方式之電話機，藉由換插共用之1C卡來使 用，仍可照樣繼續使用電話號碼及收費資訊，且作為GSM 卡，而以GSM行動電話來實現。SIM卡之外形尺寸，使用 1 5 mm X 25 mmx 0.76 mm之ID 000格式。亦即，平面尺寸為 15 mmx25 mm，厚度為0·76 mm程度。表面排列由 ISO/IEC78 16-3之端子位置與功能的規格而規定之外部介 面端子（IS07816介面端子）。 圖1(a)係顯示作為本發明之前提而檢討之Plug-_ inSIM(ID_000)之智慧卡的結構區塊圖，圖1(b)係顯示 IS07816上之端子分配之圖。 如圖1(a)所示，SIM卡作為保全1C晶片，而搭載包含 CPU、ROM、RAM、EEPROM 等之微電腦（SIC)。另夕卜， LA、LB之天線線圈及非接觸式介面係選擇性者，而可省 略0 如圖1(b)所示，在SIM卡之内側，IS07816介面端子配置 有C1〜C8的8個端子，IS07816端子分配係：C1為VCC(+電 119749.doc 200816056 源），C2 為 RES(重設），C3 為 CLK(時脈），C4，C6，C8 為 RSV(保留），C5為VSS(接地），C7為1/0(輸入輸出）。此處 之保留端子可用作實現USB介面，實現MMC，串聯介面， 或實現非接觸（非接觸卡）功能等的擴充端子。

圖2(a)係從作為本發明之前提而檢討之sim卡的SIC晶片 搭載側（圖1(b)之相反側）觀察之構造圖。圖2(b)係圖2(a)之 A-A’的剖面圖，圖2(c)係圖2(a)之B-B，的剖面圖。另外，圖 2(a)中，為了明確與圖1(|3)所示之18〇7816介面端子 C1 C 8二腔之溝及配置SIC晶片之位置的對應關係，而 以虛線作圖示。 如圖2(b)及圖2(c)所示，在背面具有IS〇7816之電極 (IS07816介面端子）的基板上搭載SIC晶片，SIC晶片之端 子與IS078 16之電極穿過基板上之開口部而引線接合。基 板上之SIC晶片藉由樹脂模塑而密封，形成卡外形之塑膠 與基板以雙面膠帶連接。另外，RSV端子在圖2(b)及圖 2(c)中’未與SIC晶片之端子連接。 另外，關於此種IC卡之技#，如揭示於專利文獻i之技 術等。 專利文獻！中揭示有：具有：微電腦、記憶卡控制器與 快閃記龍找卡模組。㈣卡额在卡基板之—表面， 露出複數個第-外部連接端子與複數個第二外部連接端 子’並具有：連接外部連接端子之微電腦，連接於 接端子之錢卡㈣11及連接於其記憶卡控制 器之快閃記憶體。卡基板之形狀與第—外部連接端子的配 119749.doc 200816056 置’技照ETSITS 102221 V4.4.0(2001-10)之plUg-in uiCC(通用 積體電路卡）之規格，或是具有互換性。第二外部連接端 子配置於第一外部連接端子按照前述規格之端子配置的最 小範圍之外，第一及第二外部連接端子的信號端子電性分 離。藉此，實現與SIM卡之互換性及對高速記憶體存取之 對應。 此外非專利文獻1中揭示有··關於一般智慧卡之技 術。 [專利文獻1]日本特開2005_322109號公報 [非專利文獻1]W. Raukl & W· Effing著，「智慧卡手冊 (Smart Card Handbook)」，第 2版，WILEY，P. 27-31 【發明内容】 [發明所欲解決之問題] 再者，就前述之1C卡的技術，經本發明人檢討結果，而 瞭解以下之情況。 7如，雖SIC上搭載有EEPROM等之非揮發性記憶體， 但是’依使用之方式，有時記憶體容量不足。《了擴充記 體谷里，如專利文獻丨所述，擴充記憶體亦考慮搭載快 閃記憶體，但是對全部之使用者，一律搭載固定化之記憶 體容量的快閃記龍，成本請過大。快閃記憶體等非揮 發性之擴充記憶體’須為記憶體容量之擴充性大，且配合 使用者之要求的記憶體容量及成本負擔者。 此外’須可強化記憶區域之安全功能、強化防竄改功能 及可對不同形狀之1C卡移植。 119749.doc 200816056 因此’本發明之目的為提供一種可在ic卡中，記憶體容 里之擴充性大，且配合使用者之要求的記憶體容量及成本 負擔’確保記憶體之安全及可擴大對不同1C卡及主機之移 植性的技術。 本發明之前述與其他目的及新型特徵，從本說明書之内 容及附圖即可明瞭。 [解決問題之技術手段]

本申凊案中揭示之發明中的代表性者之概要，簡單說明 如下。 亦即，本發明之Ic卡之特徵為：搭載有快閃記憶體，且 七述1C卡係可插入搭載保全ic之(用戶識別模 組）配接器及/或rninimcc(通用積體電路卡）配接器，藉由 前述ic卡插入前述SIM配接器或前述miniuicc配接器，9前 述SIM配接器或前述miniuicc配接器與前述冗卡成為一 體，作為附擴充記憶體之SIM或附擴充記憶體之 而動作，前述IC卡可自前述SIM配接器或前述論出叹配 接器實際上分離。 此外 个播入比卡時，可作為無增設記憶體之plug_ inSIM或minimcc的-般瞻卡（GSM卡）等而動作。此種情 況下’為了確保轉換配接器之實體性強度，係插入鱼心 相同形狀之塑膠卡的空白卡4白卡之形狀雖㈣卡相 等，但是係無記憶體容量之卡。 此外’本發明之IC卡之特徵為：其係搭载保全IC，作為 讀而動作者’且前述IC卡可插入搭載有快閃記憶體之快 119749.doc 200816056 :’記憶體卡’藉由前述快閃記憶 述快閃記㈣卡與前物卡 =IC卡中，則 之咖而動作，前述快閃記情體可自作相擴充記憶體 離。 u體卡可自耵述ic卡實體性分

此，本發明之IC卡之特徵為：其係搭载保全κ，作為 Π C而動作者’且前述lc卡可插人搭載有快閃記憶體 :快閃❹體卡’藉由前述快閃記憶體卡插人前述财 ;中=述㈣記‘《卡與前収卡成H作為附擴充 口己思之munmcc而動作，前述快閃記憶體卡可自前述IC 卡實體性分離。 本發明之1C卡藉由佈線錢連接智慧卡端子之信號與設 於快閃記憶體卡之信號，或是在信號間經由介面用半導體 連接來貝現PluS_lnSIM或miniUICC功能。以佈線直接連 接之情況下，快閃記憶體卡内須搭載保全功能。 此外，在介面用半導體中搭載保全微電腦功能，介面用 半導體使用保全命令之協定轉換，可省略保全功能。 此外’本發明之1C卡除了用於IS07816用之智慧卡之 外’對其他之記憶條（memory stick)PRO、SD卡、多媒體 卡、USB記憶體等，可藉由僅實體形狀之轉換，或是經用 介面轉換用之控制器的轉換配接器而轉換。 此外，本發明之快閃記憶體卡，為了判斷是否1C卡可正 確使用’亦可搭載機器認證功能。未被認證時，1C卡屬於 增設記憶體，無法使用快閃記憶體卡。 此外，可藉由機器認證之安全等級來區別：僅處理低度 119749.doc -10-

200816056 安全等級之資料或不安全之資料時，與處理高度安全資料 時。 此外，在本發明之快閃記憶體卡中包含安全功能時，亦 可進行密碼資料之交換、密碼資料之解讀及重要之機密鍵 等的交換。 此外’本發明之1C卡係搭载具有安全微電腦功能之保全 1C晶片，而作為SIM而動作之扣卡，且包含：第一部分， 其係具有第-厚度；及第二部分，其係設於前述第一部分 之内侧，且比前述第一厚度厚。 此外，本發明之Ic卡用插人槽，其係可共用地插入：第 - 1C卡’ Λ包含：第一部分，其係具有第一厚度；及第二 科，錢設於前述第—部分之内側，且比前述第一厚度 及第二IC卡，其包含：第三部分，其係具有前述第一 厚第四部分，其係設於前述第三部分之内側，且具 有]述第厚度，且具有壓人前述第-部分及前述第三部 分而可固定前述第—IC卡及前述第二IC卡之高度，且包含 具有不與前述第二部分接觸之寬度的壓板。 [發明之效果] 藉由本申請幸Φ相^ β疏nn i 月系中揭不之發明中的代表性者 果’簡早說明如下。 1C卡中’可成為記憶體容量之擴充性大 之要求的記憶體容量及成本負擔。 【實施方式] 而獲得之效 且配合使用者 以下 依據圖式詳細說明本發明之實施形態 。另外，說 119749.doc 200816056 明實施形態用之全部圖式力 I 口八在相同之構件上，原則上註記 目同之符號，並省略其重複之說明。 為了容㈣解本發明之特徵，係與本發明之前提技術比 較作說明。 (第一種實施形態） 圖3⑷係顯*作為本發明之前提錢討之ic卡的結構區 塊圖。

顯示於圖3(a)之1C卡係記载於前述專利文獻i之先前的一 體型SIM記憶體3G1。該SIM記憶體3()1由：搭載保全IC/快 閃記憶體控制器3.IC晶片，與快閃記憶體3〇3之1(：晶片 而構成。此外，SIM記憶體3(Η·由按照is〇/IEC7816 — 3規 格之IS07816介面端子^〜以，包含IS〇7816I/F(介面），而 與外部機器連接。 圖3(b)係顯示本發明一種實施形態之1(：卡的結構區塊 圖0 圖3(b)所不之1C卡係包含保全IC/快閃記憶體控制器3〇2 之1C曰曰片的SIM§己憶體配接器305。SIM記憶體配接器305 與前述先前之一體型SIM記憶體301同樣地，係經由按照 ISO/IEC7816-3規格之IS07816介面端子C1〜C8，包含 IS07816 I/F304，可與外部機器連接。此外，SIM記憶體 配接為305經由快閃卡I/F307，在包含快閃記憶體之快閃記 fe體卡306上，可經由與保持卡之插槽（sl〇t)電性地連接信 號之連接端子而連接。亦即，快閃記憶體包含於快閃記憶 體卡306中，該快閃記憶體卡306與81]^卡可實體性分離， 119749.doc -12- 200816056 並可藉由SIM記憶體配接器305而連接或分離。IS078 16 I/F304與快閃卡i/F3〇7亦可按照智慧卡Ι/F。 此外，快閃卡I/F亦可使用現有之記憶卡I/F，不過詳細 說明於後。現有之記憶卡I/F如有··記憶條pro、Sd卡、 多媒體卡、USB、TCP/IP、I2C、串聯通信介面（SCI)等之 串聯介面。 圖3(b)所示之本實施形態之IC卡的特徵如下·· (1) 快閃記憶體卡306與SIM記憶體配接器305可實體性 分離。亦即’可經由連接器機構而重複進行分離或結合。 也就是快閃記憶體卡306與SIM記憶體配接器305係可移動 者。 (2) 快閃卡I/F307可與IS07816 I/F304不同，如可使用上 述之記憶卡Ι/F或串聯Ι/F。 (3) SIM記憶體配接器305(Plug-inSIM尺寸）之内部可包 含快閃記憶體卡306。 (4) miniUICC配接器（miniUICC尺寸）之内部可包含快閃 記憶體卡306。 (5) 可安裝於現有記憶卡之轉換配接器，作為現有之記 憶卡來使用。現有之記憶卡如有：上述之記憶條微型、記 憶條Duo、記憶條。 (6) 藉由在現有記憶卡之轉換配接器上搭載介面轉換電 路’可作為SD(Secure Digital)卡（具有以SD卡協會予以規 格化之規格）、miniSD、MMC(Multi Media Card、Infine 119749.doc -13- 200816056 on Technolgies AG之登錄商標）、RS-MMC、USB等現有之 記憶卡來使用。 (7) 插入SIM記憶體配接器305之快閃記憶體卡306作為 受託裝置來認證。快閃記憶體卡306及SIM記憶體配接器 305相互進行機器認證，僅於適合時動作，未經認證時， 表示不適合，而無法使用或是拒絕、關機。 (8) 插入SIM記憶體配接器305之快閃記憶體卡306，亦 可搭載SIC(保全1C)，而作為Plug-inSlM、miniUICC之功 月b。即使不插入快閃記憶體卡3〇6時，SIm記憶體配接器 3 05仍作為一般sim而動作。此種情況下，在SI]V1配接器上 搭載保全微電腦。此外，不插入時，係插入不電性動作之 空白卡。就空白卡詳細說明於後。 (9) 搭載於SIM記憶體配接器305之半導體晶片搭載於自 SIM之外形除去快閃記憶體卡3〇6之區域的區域内。其在 miniUICC配接器之情況下亦同。 使用快閃卡I/F3 07之優點如下： (1) 快閃記憶體卡306中含有快閃記憶體控制用之控制器 曰曰片丨月况下，5己憶體管理容易。照樣使用NAND記憶體等 之快閃圮憶體I/F情況下，需要進行重寫次數管理、不良區 域管理及對接管理等，可確保記憶體可靠度。 (2) 可選擇配合使用者需要之記憶體容量。記憶體容量 之擴充性大，亦可變更記憶體容量。此外，由於可移動， 因此，自Plug-inSIM轉移為minimcc等亦容易。 (3) 可自標準化切離。可裝入ISO介面之下一代功能。 119749.doc -14- 200816056 亦即，由於分離新増了贿之下一代功能的介面與快閃記 隐體口此藉由插入新的介面配接器即可更新。此外，介 面缺陷標準化亦容易。 (4)快閃記憶體卡3〇6亦可具有SIM用之I/F與現有之記憶 卡用I/F兩者。藉由使用機器認證，僅使用適合目的之快閃 5己憶體卡，可防止其他因適合不良而發生之未知的問題及 女全性之崩解。機器認證中亦可使用快閃卡之保全功能 等。 圖4係顯示本發明一種實施形態之1C卡的使用形態之說 明圖。 如圖4所示，快閃記憶體卡3〇6係比先前之智慧卡薄的超 薄型記憶卡’ I包含：快閃記憶體晶片及控制快閃記憶體 晶片用之控制器晶片。 此外，該快閃記憶體卡306可插入Plug_inSIM配接器 3〇5a。將快閃記憶體卡3〇6插入piug_inSIM配接器3〇5^青況 下作為附擴充5己丨思體Plug-inSIM而動作。此種附擴充記 憶體Plug-inSIM之功能，係合併具有：可執行安全處理之 作為所謂1C卡的功能，及容量比IC卡大，且具有高功能之 作為所謂記憶卡功能的高功能性之加入者識別模組。亦 即，附擴充記憶體Plug-inSIM如可用作記憶有電話號碼及 電話薄等資訊的行動電話用卡。此外，附擴充記憶體phlg_ inSIM如可使用在信用卡、現金卡、etc(電子通行費收集 系統（Electronic Toll Collection System))系統用卡、定期票 或涊證卡等，於金融、交通、通信、流通及認證等要求高 119749.doc •15- 200816056

度女全性的各種領域上。此外，附擴充記憶體piug_inSIM 係形成亦可用作數位相機、筆記型個人電腦、攜帶式音樂 播放機、行動電話等要求可搬移性之攜帶型資訊機器的記 錄媒體。

Plug-inSIM配接|§ 305a之外形尺寸如與;§im卡相同，係 杈妝 ETSI TS 102 221 V4.4.0(2001-l〇)之piUg-in UICC(通 用積體電路卡）之規格，而為15 mmx25 mmx〇.76 mm。亦 即’平面尺寸為15 mmx25 mm，厚度為0.76 mm程度。厚 度允許在0.76 mm 士 0.08 mm之範圍，而可形成〇·84❿爪以下 之厚度。快閃記憶體卡306之外形尺寸比Plug-inSIM配接 器305a小，且厚度比piug>einSIM配接器3〇5ai〇 76mm薄。 不將快閃記憶體卡306插入PlUg_inSIM配接器3〇5a之情 況下，係插入空白卡401，而可作為先前之piug-inSIM而 動作。空白卡4〇1如藉由包含：聚氣乙烯（PVC)、聚碳酸 酉旨、聚烯（聚丙烯等）、聚對笨二甲酸乙二醇醋 (polyethylene terephthalate : ΡΕΊΓ)、聚對苯二 f 酸乙二醇 酯乙二醇（PET-G)或ABS(丙烯腈丁二烯苯乙烯樹脂）等材料 的塑膠而形成。此外，與上述之快閃記憶體卡3〇6不同， 不包含快閃記憶體晶片及控制器晶片等IC晶片。外形尺寸 與快閃δ己丨思體卡306同樣地形成。將本實施形態之piUg_ inSIM配接器3〇5a用作無記憶體擴充功能之先前的SIM卡情 況下，藉由預先插入此種空白卡401，與不插入任何卡之 情況比較，可確保Plllg_inSIM配接器3〇5a之強度。此時， 該空白卡401並非必要，即使不使用空白卡4〇ι，仍可使用 119749.doc -16· 200816056 本實施形態之？11^41181]^配接器3053作為無記憶體擴充功 能之先前的SIM卡，不過，考慮上述之強度確保時，使用 空白卡401更適合。 此外，亦可在空白卡40 1内内建控制器晶片，而准許 Plug-inSIM配接器305a動作。 此外，快閃記憶體卡306亦可插入miniUICC配接器 305b。將快閃記憶體卡306插入miniUICC配接器305b之情 況，係作為附擴充記憶體之miniUICC而動作。此處之 miniUICC配接器305b係按照miniUICC卡之外形規格，其 外形尺寸為15 mmx 12 mmx0.76 mm程度。亦即，平面尺寸 為1 5 mmx 12 mm，厚度為0.76 mm程度。 此外，與不將快閃記憶體卡306插入Plug-inSIM配接器 305a之情況同樣地，不將快閃記憶體卡306插入miniUICC 配接器305b之情況下，藉由插入空白卡401，可作為先前 之miniUICC而動作。空白卡401之結構及功能與上述之 Plug-inSIM配接器305a的例子相同。此外，亦可在空白卡 401内内建控制器晶片，而准許miniUICC配接器305b動 作。 再者，快閃記憶體卡306亦可插入對不同記憶卡I/F之配 接器，如插入記憶條微型配接器（memory stick micro adapter)3 05c。將快閃記憶體卡306插入記憶條微型配接器 305c情況下，係作為記憶條微型而動作。此時之配接器可 為僅轉換實體性尺寸者。此處所謂實體性尺寸轉換，係指 不具介面用控制器者。不同種類之記憶卡I/F亦可為USB、 119749.doc -17- 200816056 智慧卡、SD卡、MMC卡等之I/F。介面之協定及方式不同 日寸’需要搭載控制器之配接器。 圖5係顯示本實施形態之超薄型記憶卡之快閃記憶體卡 3〇6的構造外形圖。圖5⑷係快閃記憶體卡遍之表面的平 面圖，圖5(b)係快閃記憶體卡3〇6之背面的平關，圖叫 係快閃記憶體卡306之左側面圖，圖5⑷係快閃記憶體卡 3〇6之右側面圖，圖5(e)係快閃記憶體卡之前視圖，圖 _系快閃記憶體卡3〇6之後視圖。此外，圖」⑷係顯示快 閃記憶體卡306之表面側外觀的立體圖，圖5(h)係顯示快閃 記憶體卡306之背面側外觀的立體圖。 快閃記憶體卡3G6係超薄型之記憶卡，且在基板5〇1(佈 線基板5G1)之表面上搭載有複數個1C晶片。IC晶片如搭載 有·快閃記憶體晶片及控制快閃記憶體晶片用之控制器晶 片。此等1C晶片分別藉由引線接合，而與基板5〇1上之連 接知墊連接，連接焊墊經由形成於基板50丨之通孔，而與 配置於基板501背面之連接端子5〇3 (外部連接端子5〇3)電性 連接。此等快閃記憶體晶片、控制器晶片、引線接合及連 接焊墊藉由密封樹脂5〇2(模塑5〇2)覆蓋。 么封树月曰502如由環氧系樹脂及紫外線（uv)硬化樹脂等 之樹月曰，藉由射出成形而形成。密封樹脂502以形成於基 板501之表面’在基板5〇1與密封樹脂之間形成階差， 且兩側面之缺口 504(切溝504)露出之方式而設置。 形成於兩側面之缺口 5〇4，在將快閃記憶體卡3〇6插入上 述之Plug-inSIM配接器305a、minimcc配接器3〇5b或對不 119749.doc -18- 200816056 同種類記憶卡Ι/F之配接器時，係固定快閃記憶體卡3〇6用 者。此外，單獨使用快閃記憶體卡306時，亦為了使其在 外部裝置之插槽内固定而設置。 在快閃記憶體卡306前面側之基板501的背面設有複數個 連接端子503。各端子之功能如圖32所示，ν〇· 1係BS， • No·2係mow輸入輸出），Νο·3係DIOO(輸入輸出），Ν〇·4係 ： DI02(輸入輸出），Ν〇·5係INS，Νο.6係DI〇3(輸入輸出）， Νο·7 係 SCLK(時脈），Νο·8· VCC(電源），Ν〇·9 係 vss(接 _ 地）’1^〇.1〇及胸.11係1^01^『(1(保留）。此處之保留端子可 作為實現USB介面、MMC或實現串聯介面等的擴充端子來 使用。 此外，在基板501之背面，於上述連接端子5〇3的後面側 形成有複數個測試端子，不過，不特別圖示。該測試端子 於控制器晶片因靜電破壞等而導致無法記憶體控制動作 時’可自外部經由測試端子而直接進入控制快閃記憶體晶 φ 片。藉此，即使控制器晶片被破壞，若快閃記憶體晶片上 保留資料時，仍可輕易將其復原。通常該測試端子係藉由 絕緣性之密封或抗焊劑覆蓋，而無法使用。 圖6(a)〜(d)係顯示Plug-inSIM配接器305a的構造外形圖。 , 圖6(a)係Plug_inSIM配接器3〇5a之背面側的平面圖，圖6(b) 係Plug_inSIM配接器305a之表面侧的平面圖，圖6(c)係

Plug-inSIM配接器3〇5a之側面圖，圖6⑷係圖6(b)之C-C，剖 面圖。

Phig-inSIM配接器305a在基板6〇1之上，具有搭載保全 119749.doc -19- 200816056 IC /快閃§己憶體控制斋3 0 2等的模組區域6 〇 2，並在其上覆 蓋金屬板603。在基板601與金屬板603之間，有插入快閃 記憶體卡306用之空間，亦即插槽6〇4。在基板601之表面 配置有IS07816 I/F304用的複數個IS07816電極605。在插

槽604内，於基板601上配置有快閃用的複數個連 接端子606。連接端子606為了保證接觸確實性，亦可為各 端子具有複數個接點的多接點。此外，在Plug_inSIM配接 器305a之四個角落中的一個，有倒角部61〇，插槽6〇4配置 於倒角部610之相反側，保全IC/快閃記憶體控制器3〇2等 配置於倒角部610側。 金屬板603之頂端部607經過絕緣處理。經過此種絕緣處 理，可在將Plug-inSIM配接器305a插入主機機器時，防止 對主機機器形成電性短路。金屬板6〇3亦可覆蓋模組區域 602王體。基板6〇1與金屬框導軌結合，進行械性保 持。藉由密封樹脂而模塑一體形成時，消除與基板邊界 609之階差，在實用上形成平坦化。金屬框導軌及金屬 板603之四角（角落）形成圓形或倒角，以減低對主機機器插 入、拔出之損傷。此時之曲率半徑（R)可為任意之值。 圖7係顯示在Phg-inSIM配接器305a中插入快閃記憶體 卡306後之外形的平面圖。 虛線之。卩分係快閃記憶體卡306插入時的位置。另外， ^閃§己憶體卡306之連接端子503與Plug-inSIM配接器305a 之連接端子606亦 可具有使用快閃 以虛線註記。Plug-inSIM配接器305a中亦 記憶體卡306之缺口 504的凹凸之機械閂 H9749.doc 200816056 鎖及止脫或卡檢測用之存在檢測sw。圖中係藉由基板 5 01保持快閃記憶體卡306，並藉由導入piug_inSIM配接器 305a之插槽部而插入。此時，密封樹脂5〇2自金屬板6〇3之 開口部露出。快閃記憶體卡3〇6之連接端子5〇3與piug_ inSIM配接器305a之連接端子606接觸，而確保電性導通。 * 圖8係詳細記載圖6(b)之Plug-inSIM配接器305a之C-C，剖 : 面圖的剖面圖。圖8(a)係插入快閃記憶體卡3〇6前之圖，圖 8(b)係插入快閃記憶體卡3〇6後之圖。 _ 在佈線層及佈線基板等之基板601上，具有：搭載了保 全ic/快閃記憶體控制器302等之IC晶片，及被動元件、主 動7L件等之晶片零件8〇丨的模組區域6〇2，及藉由錫焊或焊 接等而接合之連接端子606。圖中顯示為焊錫6 i i。連接端 子606設於PlUg_inSIM配接器3〇5a之前面側的模組區域6〇2 與設於後面側之階差部613之間。該階差部613以密封樹脂 而幵y成並與氆封树月曰5 0 2同時形成。此外，該階差部6 13 φ 亦可在基板50 1上附階差而設置，亦可使用膠帶等之絕緣 材料而形成。 在連接端子606之頂端與基板6〇1之間具有端子脫離空間 612(開口 612)。藉由設有此種空間612，而如圖^(…所 示，於插入快閃記憶體卡3〇6時，即使藉由快閃記憶體卡 3〇6之連接端子503擠壓piug_inSIM配接器3〇化之連接端子 606，仍可確保其區域。亦即，設計成階差部η)與模組區 域602之距離比連接端子之長度長。 在基板601之表面配置有複數個IS〇7816電極6〇5。在模 119749.doc -21 - 200816056 組區域6〇2之上具有金屬板603等。該金屬板603之表面與 前述之頂端部607同樣地，亦可塗敷絕緣樹脂。此種情況 下，將Plug-inSIM配接器305a插入主機機器時，可防止對 主機機器之電性短路。 如圖8(b)所示，在Plug-inSIM配接器305a中插入快閃記 憶體卡306後，Phig-inSIM配接器305a之連接端子6〇6與快 閃記憶體卡306之連接端子503接觸，連接端子606向基板 601側彎曲，來確保電性接觸確實性。 圖9係顯示PlUg-insiM配接器305a之接線例圖。 在Plug-inSIM配接器305a内搭載有保全IC/快閃記憶體控 制器3 02等1C晶片，及電容、電阻、線圈等被動元件或主 動TL件等的晶片零件801。另外，保全IC/快閃記憶體控制 器3 02等之1C晶片亦可為1個晶片或複數個晶片。此外，此 等1C晶片302及晶片零件801係藉由密封樹脂而密封，來確 保其形狀與強度。 保全IC/快閃記憶體控制器無須具有保全微電腦功能， 有時亦可僅為協定轉換用之控制器。此外，在記憶卡中搭 載保全1C功能時，亦可僅為無控制器之佈線連接轉換。亦 即’係指形成端子轉換配接器。 在 Plug-inSIM 配接器 305a 内，IS07816 I/F304 用之複數 個IS07816電極605與快閃卡I/F3〇7用之複數個連接端子 606，係與保全IC/快閃記憶體控制器3〇2等之ic晶片及晶 片零件801接線。另外，晶片零件801之佈線省略。圖9係 顯示兩層部線之例，不過亦可為3層以上之佈線。此外， 119749.doc -22- 200816056 佈線亦可由金屬框或藉由擠壓之金屬佈線引導框架而形 成。該金屬佈線框以絕緣樹脂模塑等而形成。 IS07816電極605中，VCC係VCC電源端子，RES係重設 端子，CLK係時脈端子，RSV係保留端子，VSS係接地端 子，I/O係輸入輸出端子。連接端子606中，BS係匯流排狀 ： 態（bus state)端子，DIOO、DI01、DI02、DI03 係資料輸 : 入輸出端子，INS係插入（insert)檢測端子，SCLK係系統時 脈端子，VDD係VDD電源端子，VSS係接地端子，RSV係 _ 保留端子，且基本上與記憶條PRO具有互換性。此外，保 留端子作為ETSI等之功能擴充端子，可依希望之目的來使 用。 另外，保全IC/快閃記憶體控制器302之安裝，可藉由引 線接合、倒裝晶片、基板埋入等來連接。此外，亦可對應 於附擴充端子ISO焊墊。 此外，連接端子606之表面須以金電鍍等來確保電性接 觸性。 圖10係顯示miniUICC配接器305b之構造的外形圖。 圖10(a)係miniUICC配接器305b之背面側的平面圖，圖 〜 係miniUICC配接器305b之表面側的平面圖，圖10(c) 係miniUICC配接器305b之側面圖，圖10(d)係圖10(b)之D-剖面圖。此外，圖i〇(e)係顯示miniUICC配接器305b之 背面側外觀的立體圖，圖10(f)係顯示miniUICC配接器 3〇5b之表面側外觀的立體圖。 miniUICC配接器305b在基板1001内内建保全IC/快閃記 H9749.doc -23- 200816056 憶體控制器302，並以金屬框導軌1002覆蓋其上。在基板 1001與金屬框導轨1002之間具有插入快閃記憶體卡306用 之空間，亦即插槽1〇〇3。在基板1001之表面配置有 IS07816 I/F304用之複數個IS07816電極1004。在插槽1〇〇3 内，於基板1001上配置有快閃卡I/F307用之複數個連接端 子1005。連接端子1005為了保證接觸確實性，亦可為經過 金電鍍處理，或是每一端子具有複數個接點的多接點。 此外’保全IC/快閃記憶體控制器302可形成埋入基板内 部’或模塑於基板上之三明治狀構造。圖中之虛線表示連 接、子5 0 3與連接端子1 〇 〇 5之接觸。此外，快閃記憶體卡 3 06之側面的厚度薄之部分（此處為基板1〇〇1)插入插槽之導 執中而保持。此時，密封樹脂502自金屬板603之開口部露 出。 此外’金屬框導軌1002之頂端與前述piug-inszM配接器 305a之情況同樣地，為了防止不慎對主機機器造成電性短 路，亦可以絕緣性之樹脂來覆蓋。此外，該金屬框導軌 1002及前述金屬板603，為了確保強度，係以金屬板為基 本而構成，不過，亦可使用強度高之塑膠樹脂替換該金屬 板而形成。 圖11係顯示在miniUICC配接器305b中插入快閃記憶體卡 306後之外形的平面圖。 虛線之部分係插入快閃記憶體卡306時之位置。 minilHCC配接器305bt，亦可設置使用前述快閃記憶體卡 306之缺口 504的機械閃鎖來防止脫離，或是亦可設置存在 119749.doc 200816056 檢測sw。 __示記憶條微型配接器3G5e之構造的外 12(a)係記憶條微型配接器3〇5c之表面的平，:回 係記憶條微型配接b θ ，圖12(b) ㈣配接&3G5e之背面的平面圖，圖 條微型配接器305c之側面圖。 ,、" 記憶條微型配接器305e中具有插 之薄型卡插入部_及缺口㈣等。…:體卡3〇6用 寻。己條微型配接考

Γ:2Γ藉由金屬框而構成。該金屬框亦可藉由絕緣樹 月:塗敷表面而形成。此外，了金屬框之外，亦可由強度 冋之塑膠樹脂來形成。此外，亦可以金屬框構成保持快閃 記憶體卡306之表面及側面用的薄之部分，而以塑膠模塑 之插入成形僅形成頂端部及厚的部分。 圖13係』不對錢條微型配接器3仏安裝快閃記憶體卡 ^06之方法的外形圖。圖13⑷顯示安裝快閃記憶體卡306之 刖，圖13(b)顯示安裝快閃記憶體卡3〇6之後。 基板501在c憶條微型配接器3〇5〇之側面的〕字型之部 分被導引及保持。密封樹脂502收納於卡插入部1201内。 亦即，該記憶條微型配接器3〇5c僅進行實體性之幾何學尺 寸的轉換。 此外係在插入方向之側面導引快閃記憶體卡30ό，不 過對應於缺口 504 $ #八w t ^ υ4之#为亦可形成於記憶條微型配接器 305c之側面側。 此外’在该記憶條微型配接器305c之側面側不設置對應 於快閃圮憶體卡306之缺口 5〇4的部分情況下，快閃記憶體 119749.doc •25- 200816056 卡3〇6之缺口 504被記憶條微型配接器305c之金屬框堵塞而 不露出。 (弟一種實施形態） 本貝施形悲顯不在第一種實施形態所示之快閃記憶體卡 306中增设連接端子14〇1的快閃記憶體卡之例。其他結 構及效果與月ί』述之第一種實施形態相同，因此省略其說 明。 圖14係顯示對記憶條微型配接器3〇氕安裝其他快閃記憶 體卡之方法的外形圖。圖14(a)顯示安裝快閃記憶體卡Μ? 之鈾，圖14(b)顯示安裝快閃記憶體卡3〇7之後。 女衣於。己fe條彳政型配接器3〇5c之快閃記憶體卡係增 設了連接端子1401者。亦gp，在快閃記憶體卡3〇7之後面 側配置有第2行之連接端子14G1。本第2行之連接端子ΐ4〇ι 亦可用作8位元之資料寬的擴充用端子，亦可用於sd卡之 I/F、MMC卡之I/F或保全IC卡之I/F。各端子之功能如可顯 示於圖33及圖34。 圖33所示之例中，將第丨行之端子No·1〜ll作為對應於記 憶體棒之I/F的端子配置，將第2行之端子No·l2〜2o作為對 應於SD卡之I/F的端子配置。亦即，第玉行端子之⑽^為 BS，Νο·2為DI01(資料輸入輸出），Ν〇·3為DI〇〇(資料輸入 輸出），Νο·4為DI〇2(資料輸入輸出），版5為測，版6為 DI03(資料輸入輸出），Νο·7為SCLK(時脈），ν〇·8為 VCC(電源），Νο·9為VSS(接地），N〇1〇u〇u為保留 (Reserverd)。此外，第2行之端子的N〇i2為保留 119749.doc -26- 200816056 (Reserverd) ’ ν〇·13 為 Dl〇2(資料輸入輸出），No l4 為 DI03(資料輸入輸出），N〇.15為cmd(命令），為 vcc(電源）’如17為CLK(時脈），N〇 i8為vss(接地）， N〇·19為DIOO(資料輸入輸出），Νο·20為DI01(資料輸入輪 出）。 、 此外，圖34所示之例，係成為對應於8位元對應之記憶 條的I/F的端子配置。亦即，N〇1為BS，Ν〇_2為DI〇l(資料 輸入輸出），Νο·3為DIOO(資料輸入輸出），νο·4為DI〇2(資 料輸入輸出），Ν〇·5為INS，Νο·6為DI03(資料輸入輸出）， Νο·7 為 SCLK(a夺脈），Νο·8為 VCC(電源），Νο·9 為 VSS(接 地），^^〇.10〜12為保留（1^861^以），：^〇.13為〇1〇&(資料輪 入輸出），1^〇.14為010七（資料輸入輸出），^0.15〜18為保留 (Reserverd)，Νο·19 為 DIOc(資料輸入輸出），Ν〇·2〇 為 DI〇d(資料輸入輸出）。此處，保留端子與前述第一種實施 形恶之圖3 2所示的連接端子同樣地，可用作實現u $ b介 面、MMC或實現串聯介面等的擴充端子。 此外，本實施形態中亦與前述第一種實施形態同樣地， 亦可設置測試端子，不過，不特別圖式。測試端子之功能 與前述之實施形態相同。測試端子之配置位置係設於第i 行之端子與第2行之端子間的區域。此等測試端子與前述 第一種實施形態同樣地，通常藉由絕緣性之密封或抗焊劑 覆蓋，而無法使用。 (第三種實施形態） 圖1 5係顯示前述第一種實施形態之快閃記憶體卡3〇6的 119749.doc -27- 200816056 其他構造例之快閃記憶體卡308的外形圖。 圖15(a)係快閃記憶體卡3〇8之表面的平面圖，圖^(^係 快閃記憶體卡308之背面的平面圖，圖15(c)係快閃記憶體 卡308之左側面圖，圖15(幻係快閃記憶體卡3〇8之右側面 圖，圖15(e)係快閃記憶體卡3〇8之前視圖，圖15⑴係快閃 記憶體卡308之後視圖。此外，圖15(g)係顯示快閃記憶體 卡308之表面側外觀的立體圖，圖15(h)係顯示快閃記憶體 卡308之背面側外觀的立體圖。 圖15之快閃記憶體卡3〇8係對圖5之快閃記憶體卡3〇6， 稍微縮小卡表面之前面侧的模塑5〇2之區域，以基板5〇1露 出之方式設置與基板501之階差，並在模塑5〇2側之基板 501上增設SIM用之連接端子15〇1者。 該快閃記憶體卡308與Plug-inSIM配接器及miniuICc配 接器之連接，在後述之第四種實施形態中，以圖17之說明 來詳細描述。 其他之結構及效果與前述第一種實施形態相同，因此省 略其說明。 (第四種實施形態） 圖16係顯不前述第三種實施形態之快閃記憶體卡3〇8的 其他構造例之快閃記憶體卡309的外形圖。 圖16(a)係快閃記憶體卡3〇9之表面的平面圖，圖16(|^係 快閃記憶體卡309之背面的平面圖，圖16(c)係快閃記憶體 卡309之左側面圖，圖16((1)係快閃記憶體卡3〇9之右側面 圖，圖16(e)係快閃記憶體卡3〇9之前視圖，圖16(f)係快閃 119749.doc • 28 - 200816056 記憶體卡309之後視圖。此外，圖16(g)係顯示快閃記憶體 卡309之表面侧外觀的立體圖，圖i6(h)係顯示快閃記憶體 卡309之背面侧外觀的立體圖。 圖16之快閃記憶體卡309係對圖15之快閃記憶體卡3〇8， 在基板501之表面側增設連接端子1601者。亦即，在快閃 記憶體卡309之後面側配置有第2行之連接端子1601。本第 2行之連接端子1601亦可用作8位元之資料寬的擴充用端 子’亦可用於SD卡之I/F、MMC卡之I/F或保全1C卡之i/f。 此外’各端子之功能與前述第二種實施形態中說明者相 同，可獲得相同之效果。此外，其他結構及效果與前述第 一種實施形態相同，因此省略其說明。 圖17係顯示前述第一種實施形態所示之piug_inSIM配接 器305&其他構造例的？111§_丨11811^配接器3〇5(1之外形圖。 圖17(a)係Plug-insiM配接器305d之背面側的平面圖，圖 17(b)係P1Ug-inSIM配接器3〇5d之表面側的平面圖，圖17(勾 係Plug-inSlM配接器305d之侧面圖，圖17⑷係圖17(b)之E_ E’剖面圖。 圖17之PlUg_msiM配接器305d，係對應於如圖15及圖16 之快閃記憶體卡308、309，在兩面具有連接端子之卡者。 圖17之PlUg]nSIM配接器3〇5d係對圖kPlug_inSIM配接器 305a ’將連接端子606變更成連接端子17〇1者。連接端子 1701於插入快閃記憶體卡3〇8、3〇9時，與快閃記憶體卡 308、309之連接端子15 01接觸。該連接端子與圖6之連接 端子606的形狀不同，其一端被模組區域6〇2内之密封樹脂 119749.doc -29- 200816056 覆蓋而固定，在厚度方向上’另一端設於比Plug-inSIM配 接器305d之中心高的位置（接近背面侧之位置）。 此外，在金屬板603上開設有孔1702。該孔1702於插入 快閃記憶體卡308、309時，連接端子1701在厚度方向上移 動，因此金屬板603與連接端子1701接觸，可能造成電性 短路。因此，係以金屬板603與連接端子1701不接觸之方 式，而在金屬板603之一部分設有開口部。 此外，金屬板603與前述第一種實施形態同樣地，亦可 以絕緣樹脂塗敷其表面。此種情況下，即使金屬板603與 連接端子1701接觸，仍可防止電性短路。 圖18係顯示前述第一種實施形態所示之miniUICC配接器 305b之其他構造例的miniUICC配接器305e的外形圖。 圖18(a)係miniUICC配接器305e之背面侧的平面圖，圖 18(b)係miniUICC配接器305e之表面側的平面圖，圖18(c) 係miniUICC配接器305e之侧面圖，圖18(d)係圖18(b)之F-F*剖面圖。此外，圖18(e)係顯示miniUICC配接器305e之背 面側外觀的立體圖，圖18(f)係顯示miniUICC配接器305e之 表面側外觀的立體圖。 圖18之miniUICC配接器305e，係對應於如圖15及圖16之 快閃記憶體卡308、309，在兩面具有連接端子之卡者。圖 18之miniUICC配接器305e係對圖10之miniUICC配接器 3 05b，將連接端子1005變更成連接端子1801者。連接端子 1801於插入快閃記憶體卡308、309時，與快閃記憶體卡 3〇8、3〇9之連接端子15〇1接觸。此外，在金屬框導軌1〇〇2 119749.doc -30- 200816056 上開設有孔18〇2。該孔1802之功能與前述之孔17〇2相同。 此外，該miniUICC配接器305e之框導執1〇〇2與前述之金屬 板603同樣地，可藉由絕緣樹脂塗敷其表面，而可辦得相 同之效果。 (第五種實施形態） 圖19係顯示前述第一種實施形態之快閃記憶體卡3〇6的 其他構造例之快閃記憶體卡3 10的外形圖。

圖19(a)係快閃記憶體卡310之表面的平面圖，圖i9(b)係 快閃記憶體卡310之背面的平面圖，圖19(c)係快閃記憶體 卡310之左側面圖，圖19(d)係快閃記憶體卡31〇之右側面 圖，圖19(e)係快閃記憶體卡310之前視圖，圖i9(f)係快閃 記憶體卡310之後視圖。此外，圖19(g)係顯示快閃記憶體 卡3H)之表面侧外觀的立體圖，圖19(h)係顯示快閃記^體 卡3 1 0之背面侧外觀的立體圖。 圖19之快閃記憶體卡31〇係對圖5之快閃記憶體卡， 擴大模塑502之區域’消除與基板5〇1之階差，而使模塑 1901與基板501形成相同尺寸者。該構造如將複數個卡— 起模塑成板狀，而後，藉由噴水或雷射等切斷，將複數個 卡予以單片化，而獲得快閃記憶體卡310。此時，由於可 藉由平面狀之空腔加以模塑成型，因此製程容易。、° 此外：亦可不以密封樹脂’而以佈線基板形 。此時’保全職快閃記憶體之控制器晶片成為埋入 s亥佈線基板内部的構造。 其他之結構及效果與前返之第—種實施形態相同，因此 119749.doc 200816056 省略其說明。 (第六種實施形態） 圖2〇係顯示前述第五種實施形態之快閃記憶體卡31〇的 其他構造例之快閃記憶體卡311的外形圖。 圖释)係快閃記憶體卡311之表面的平面圖，圖2〇⑻係 快閃記憶體卡311之背面的平面圖，圖释)係快閃記憶體 卡3 11之左側面圖，圖2〇(句係快閃記憶體卡3 11之右側面 圖，圖20(e)係快閃記憶體卡311之前視圖，圖2〇⑺係快閃 記憶體卡311之後視圖。此外，圖20(g)係顯示快閃記憶體 卡311之表面侧外觀的立體圖，圖20(h)係顯示快閃記憶體 卡3 11之背面側外觀的立體圖。 圖20之快閃記憶體卡31〗係對圖19之快閃記憶體卡3 ， 在基板501之表面側增設連接端子16〇1者。亦即，在快閃 記憶體卡311之後面側配置有第2行之連接端子ΐ6〇ι。各端 子之功能與前述之第二種實施形態中說明者相同，且可獲 付相同之效果。此外，其他之結構及5欠果與前述之第五種 實施形態相同，因此省略其說明。 (第七種實施形態） \ 圖21係顯示前述第一種實施形態之快閃記憶體卡3〇6的 其他構造例之快閃記憶體卡312的外形圖。 圖21 (a)係快閃§己憶體卡3 12之表面的平面圖，圖21 (b)係 快閃記憶體卡312之背面的平面圖，圖21(e)係快閃記憶體 卡312之左側面圖，圖21((1)係快閃記憶體卡312之右側面 圖圖21 (e)係快閃記憶體卡3 12之前視圖，圖21 (f)係快閃 119749.doc -32 - 200816056 記憶體卡312之後視圖。此外 卡3 12之表面側外觀的立體圖 卡3 12之背面側外觀的立體圖 圖21 (g)係顯示快閃記憶體 圖21(h)係顯示快閃記憶體 圖21之快閃記憶體卡312係對圖5之快閃記憶體卡綱， 在卡表面之前面側的模塑5〇2中設置階差，作為模塑 2101。杈塑21〇1之階差設於連接端子5〇3之内側部分。藉 此，可防止使用者之手指觸及plug_inSiM配接器及 miniUICC配接器的連接端子6〇6。

如本實施形態之快閃記憶體卡312，減少卡表面之前面 侧的密封樹脂厚度之卡，及前述第三及第四種實施形態之 在卡表面的前面側不形成密封樹脂的卡，其特徵為：於插 入Plug-inSIM配接器或111丨11出1(：(：：配接器時，可以金屬框覆 蓋其丽面側。在該覆蓋之部分的正下方形成piug_inSiM^& 接器或miniUICC配接器之連接端子時，可覆蓋該連接端子 之一部分或全部。藉此，可保護連接端子，避免在插入快 閃圮憶體卡時等，因指甲造成破損或落下時之障礙物。如 本實施形態之快閃記憶體卡312用的配接器，係使用圖18 之miniUICC配接器3〇5e時，miniUICC配接器305e之連接 端子1801可藉由除了孔18〇2之金屬框1〇〇2覆蓋。此外，本 實施形態之快閃記憶體卡3 12用的配接器係使用圖1〇之 miniUICC配接器3〇5b時，由於在快閃記憶體卡312之表面 的前面側設有階差，因此可將金屬框丨〇〇2向後面側延長， 而延長至覆蓋連接端子1005之位置。 此外’其他結構及效果與前述之第一種實施形態相同， I19749.doc -33- 200816056 因此省略其說明。 (第八種實施形態） 圖22係顯示前述第七種實施形態之快閃記憶體卡3 η的 其他構造例之快閃記憶體卡3丨3的外形圖。

圖22(a)係快閃記憶體卡313之表面的平面圖，圖22卬）係 快閃記憶體卡313之背面的平面圖，圖22(c)係快閃記憶體 卡313之左側面圖，圖22(d)係快閃記憶體卡313之右側面 圖，圖22(e)係快閃記憶體卡⑴之前視圖，圖22⑴係快閃 記憶體卡313之後視圖。此外，圖22(g)係顯示快閃記憶體 卡313之表面側外觀的立體圖，圖22(h)係顯示快閃記憶體 卡3 1 3之背面側外觀的立體圖。 圖22之快閃記憶體卡313係對圖21之快閃記憶體卡312， 在基板501之表面側增設連接端子16〇1者。亦即，在快閃 記憶體卡313之後面側配置有第2行之連接端子“Μ。各端 子之功能與前述之第二種實施形態中說明者相同，且可獲 得相同之效果。此外’其他之結構及效果與前述之第七^ 實施形態相同，因此省略其說明。 (第九種實施形態） 圖23係顯示前述第一種實施形態之快閃記憶體卡鳩的 其他構造例之快閃記憶體卡314的外形圖。 圖_系快閃記憶體卡314之表面的平面圖 =閃記憶體卡川之背面的平面圖，圖23⑷係快閃記憶體 4之左侧面圖，圖23⑷係快閃記憶體卡314之右側面 圖，圖23(e)係,_己憶體卡川之前視圖，圖邮)係快閃 119749.doc -34· 200816056 記憶體卡314之後視圖。此外，圖23(g)係顯示快閃記憶體 卡314之表面側外觀的立體圖，圖23(h)係顯示快閃記憶體 卡3 14之背面侧外觀的立體圖。 圖23之快閃記憶體卡314，對圖5之快閃記憶體卡3〇6， 在卡表面之右側面側及左側面側的模塑5〇2中設置階差， 作為模塑2301。 此時，欲增加快閃記憶體卡306之容量情況下，考慮層 積快閃記憶體晶片等的辦法。此外，亦考慮藉由層積快閃 。己憶體晶片與控制器晶片’而增大快閃記憶體晶片之面 積。但是，此種情況下，由於卡全體之厚度實體地變厚， 因此須減少基板5〇1之厚度。因&，如本實施形態，藉由 在卡表面之右側面侧及左側面側之模塑中設置階差，於插 入Plug-inSIM配接器及minimcc配接器時，可保持快閃記 憶體卡3 14兩侧面之強度。 其他結構及效果與前述之第一種實施形態相同，因此省 略其說明。 (第十種實施形態） 圖24係顯示前述第九種實施形態之快閃記憶體卡的 其他構造例之快閃記憶體卡3丨5的外形圖。 圖24⑷係快閃記憶體卡出之表面的平面圖，圖24⑻係 快閃記憶體卡315之背面的平面圖，圖24⑷係快閃記憶體 卡3丨5之左側面圖，圖24(d)係快閃記憶體卡315之右側面 圖圖24(e)係决严45己憶體卡315之前視圖，圖2咐)係快閃 隐體卡3 15之後視圖。此外，圖24(g)係顯示快閃記憶體 119749.doc -35 - 200816056 卡315之表面侧外觀的立體圖，圖24(h)係顯示快閃記憶體 卡3 1 5之背面側外觀的立體圖。 圖24之快閃記憶體卡315係對圖23之快閃記憶體卡3 14， 在基板501之表面側增設連接端子16〇1者。亦即，在快閃 記憶體卡315之後面側配置有第2行之連接端子ΐ6〇ι。各端 子之功能與前述之第二種實施形態中說明者相同，且可獲 得相同之效果。此外，其他之結構及效果與前述之第九種 實施形態相同’因此省略其說明。 (第十一種實施形態） 圖25係顯示前述第九種實施形態之快閃記憶體卡ΜΑ的 其他構造例之快閃記憶體卡316的外形圖。 圖25⑷係快閃記憶體卡316之表面的平面圖，圖25⑻係 快閃記憶體卡316之背面的平面圖’圖25⑷係快閃記憶體 卡316之左侧面圖，圖25((1)係快閃記憶體卡316之右側面 圖，圖25(e)係快閃記憶體卡316之前視圖，圖乃⑺係快閃 記憶體卡316之後視圖。此外’圖25(g)係顯示快閃記憶體 卡316之表面側外觀的立體圖，圖25(h)係顯示快閃記憶體 卡3 16之背面侧外觀的立體圖。 圖25之快閃記憶體卡316係對圖23之快閃記憶體卡儿6， 在卡表面之前面側的模塑23〇1中設置階差，作為模塑 洲。對該模塑細之階差的㈣，與前述第七種實^形 態所示之模塑2101的階差之說明相同，且可獲得相同之效 果。其他結構及效果與前述之第九種實施形態相同> 省略其說明。 119749.doc -36 - 200816056 (第十二種實施形態） 圖26係顯示前述第十一種實施形態之快閃記憶體卡316 的其他構造例之快閃記憶體卡317的外形圖。 圖26⑷係快閃記憶體卡317之表面的平面圖，圖26(b)係 快閃記憶體卡317之背面的平面圖’圖26⑷係快閃記憶體 卡317之左側面圖，圖26(句係快閃記憶體卡3丨7之右側面 圖’圖26⑷係快閃記憶體卡317之前視圖，圖係快閃 記憶體卡317之後視圖。此外，圖26(g)係顯示快閃記憶體 卡317之表面側外觀的立體圖，圖26(h)係顯示快閃記憶體 卡3 1 7之背面側外觀的立體圖。 圖％之快閃記憶體卡317係對圖乃之快閃記憶體卡316， 在基板501之表面側增設連接端子16〇1者。亦即，在快閃 記憶體卡317之後面側配置有第2行之連接端子ΐ6〇ι。各端 子之功能與前述之第二種實施形態中說明者相同，且可獲 得相同之效果。此外’其他之結構及效果與前述之第^ 種實施形態相同，因此省略其說明。 (第十三種實施形態） 圖27係顯示前述第一種實施形態之快閃記憶體卡裏的 其他構造例之快閃記憶體卡318的外形圖。 圖27⑷係快閃記憶體卡318之表面的平面圖，圖27_ 快閃，己憶體卡川之背面的平面圖，圖27(e)係快閃記憶體 卡318之左側面圖，圖27⑷係快閃記憶體卡川之右側面 圖’圖27⑷係快閃記憶體卡318之前視圖，圖27(f)係快閃 記憶體卡川之後視圖。此外，圖27(g)係顯示快閃記憶體 119749.doc -37- 200816056 卡318之表面側外觀的立體圖，圖27(h)係顯示快閃記憶體 卡3 18之背面側外觀的立體圖。 /圖2 7之快閃記憶體卡3丨8係對圖5之快閃記憶體卡3 〇 6， 形成使卡表面之前面側的模塑502之區域向後面側後退的 ft』701亦即，係以基板501露出之方式，而設置模塑 2701與基板5〇1之階差。對該階差之目的， 實施形態所示之模塑21〇1的階差之說明相同 同之效果。其他結構及效果與前述之第一

同，因此省略其說明。 與前述第七種 ’且可獲得相 種實施形態相 (第十四種實施形態） 圖28係顯示前述第十三種實施形態之快閃記憶體卡318 的其他構造例之快閃記憶體卡3 19的外形圖。

圖28(a)係快閃記憶體卡319之表面的平面圖，圖“（^係 快閃記憶體卡319之背面的平面圖，圖28⑷係快閃記憶體 卡319之左側面圖，圖28((1)係快閃記憶體卡319之右側面 圖，圖28(e)係快閃記憶體卡319之前視圖，圖28⑴係快閃 記憶體卡319之後視圖。此外，圖28(g)係顯示快閃記憶體 卡319之表面側外觀的立體圖，圖28(h)係顯示快閃記憶 卡3 19之背面侧外觀的立體圖。 · 圖28之快閃記憶體卡3 19係對圖25之快閃記憶體卡37， 在基板501之表面側增設連接端子16〇1者。亦即，在快閃 記憶體卡319之後面側配置有第2行之連接端子⑽}。各端 :之功能與前述之第二種實施形態中說明者相$，且可獲 侍相同之效果。此夕卜，其他之結構及效果與前述之第十三 119749.doc -38- 200816056 種實施形態相同，因此省略其說明。 (第十五種實施形態） 圖29係顯示可插入本專利發明之各種實施形態中記載之 快閃記憶體卡的智慧卡（ID-1)轉換配接器305f之構造的外 形圖。 1 圖29(a)係智慧卡（ID-1)轉換配接器305f之表面的平面 : 圖，圖29(b)係智慧卡（ID-1)轉換配接器305f之側面圖，圖 29(c)係圖29(a)之G-G’剖面圖。 • 圖29之智慧卡（ID-1)轉換配接器305f如係智慧卡用。圖 29之智慧卡（ID-1)轉換配接器305f具有在基板601上搭載： 保全IC/快閃記憶體控制器302及晶片零件801等的模組區 域602，且金屬板603覆蓋其上。在基板601與金屬板603之 間具有插入快閃記憶體卡3〇6用之空間，亦即插槽604。此 外，在插槽604之連接器部中有空間2901。藉由該空間 2901，連接端子可在厚度方向上來回。 在基板601之表面配置有IS07816 I/F304用的複數個 IS07816電極605。在插槽604内，於基板601上配置有快閃 卡I/F307用的複數個連接端子606。連接端子606為了保證 - 接觸確實性，亦可為金（Au)電鍍，或各一端子具有複數個 接點的多接點。 (第十六種實施形態） 其次，說明在本專利發明之各種實施形態中記載之 Plug-inSIM配接器及miniUICC配接器的保全IC(SIC)與各種 實施形態中記載之快閃記憶體卡之間的保全區域之資料安 119749.doc -39- 200816056 全性的確保。 圖30係顯示本發明第一種實施形態之1C卡的系統結構例 之區塊圖。 以下說明SIC搭載之Plug-inSIM配接器305a，將插入之 快閃記憶體卡306的記憶區域作為保全記憶區域，而實現 v 安全之動作的方法。 ; SIC302a與快閃記憶體卡306係經由連接端子來進行資料 及命令的交換，因此，與一般通信電路相同，需要採取防 • 止竊聽等的安全通信對策。 在Plug-inSIM配接器305a之SIC302a内部及快閃記憶體 卡306之控制器3001内部，依需要而包含在安全上必要之 稱為TRM(抗竄改模組（Tamper Resistant Module))的防竄改 區域。 在該TRM區域内包含以下之資訊： (a)安全上必要之各種證明文件方面：包含一般證明通 信路徑正確之認證局（CA)的路徑證明文件及證明密碼之基 本鍵正確的證明文件等。此處將SIC302a之證明書類作為 A，將控制器3001之證明書類作為B。 • (b)各種保全鍵：以SIC302a及控制器3001將未普遍公 • 開之機密鍵及公開鍵分別作為J，K。此等依需要亦可包含 複數個。 (c)密碼種：SIC302a及控制器3001為了在每次不同之 通信對話中產生暫時之密碼代碼，通常密碼種分別包含L， Μ。暫時之代碼產生：分別内建於SIC302a及控制器3001 119749.doc -40 - 200816056 的在碼’與藉由密瑪產生電路（圖上未顯示）而產生之始終 具有隨機性的暫時之密碼。 ⑷密碼運算電路··將藉由賦予之代碼進行密碼處理， 或㈣解讀之運算電路分別作為F，G。宜使運算電路存在 於防竄改區域，而非參數區4，以防止來自外部之錯誤解 貝及刀析此外，此等係檢查附證明文件之公開鍵的正當 或疋進行相互認證上必要之密碼運算。 其次，說明保全區域之使用例。 以下說明將SIC302a需要之程式及資料讀入快閃記憶體 卡306之保全區域的方法。 (1) SIC302a宜進行確認快閃記憶體卡3〇6可否真正地使 用的機器認證。其中，81(：3〇2&將機器認證命令，亦可使 用一般之信任裝置（Trusted Device)的方法。此外，為記憶 條PRO之h況，亦可按照幻閘（Magic gate)或其安全強化之 命令體系的使用。為SD卡、MMC卡之情況，亦可按照保 王忑fe卡之使用。再者，使用公開鍵密碼法，並使用證明 文件與公開鍵，不致被第三者竊聽而可確認。 此外，亦可直接或是予以膠囊化而間接地使用按照智慧 卡ISO/IEC78 16的APDU(應用協定資料單元）。此處所謂膠 囊化’係指將APDU包入欲使用之命令中來收發。 (2) 而後，SIC302a可將快閃記憶體卡3〇6中加密之資料 照樣寫入儲存快閃記憶體卡306之保全資料的記憶區域 中’或是自其讀取。保全資料區域並非必須，即使寫入一 般之記憶區域仍可實現，不過，由於不宜輕易地删除、被 119749.doc -41 - 200816056 格式化或移動及複製，因此，在限 甘限制、控制此等的音義 上，而表現為保全資料區域。此時，即使在快閃記情體卡 中形成保全專用之記憶體分區’以—般命令進行非對岸之 記憶體管理，仍可對應。不過，命令 p 7之對話，為了確保安 全性，茸使用暫時之對話鍵作交換。 (3) 此時’控制器職完全無須解讀训助之保全資 料時，只須照樣在保全區域中寫人或讀取加密之資料即 可。密碼解讀係由SIC302a内部的密碼運算器來處理。這 是除了保全資料之儲存批告丨丨夕冰 仔控制之外，與控制器3001完全無關 的情況。 (4) 若由其他SIC或其他快閃記憶體卡應用幻⑶&之保 全資料時’可採用以下之方法。叱將保全資料之解讀用 鍵’使用控制器之公開鍵加密後傳送至控制器。此時使用 之控制器的公開鍵附力^;蛾& A间埏附加…證局之證明文件，μ。使用儲存 ^ Μ等之…五局的公開鍵’驗證控制器之公開鍵的正統 f後使用才安全。不過，TRM無須儲存公開鍵。藉此， 則可將解讀用之鍵安全地傳送至可信任之經過機器認證 的快閃記憶體卡（否則’以最後取得機器之公開鍵，採用 同樣方法予以加密’控制器無法解讀）。以控制器之公開 > 114之解#用的機被鍵，在控制器内部之TRM區域中解 讀，並安全地儲存。 其他之SIC或其他之快閃記憶體卡需要前述⑷之保 全=料時快閃記憶體卡移丨，而插人其他pi—趣配 。niUICC配接器或記憶卡配接器，相互進行機器認 119749.doc -42- 200816056 證。認證後，使用自其他SIc或其他 八„ ^ Xm厌閃圮憶體卡傳送之 A開鍵，將控制器之TRM内部保存 後％*你 用鍵予以加密後 、广’、’傳送經其機密鍵加密後之資料。藉此，其他狀 閃記憶體卡可以在内部解讀後傳送之本身的機密 鍵解頃密碼資料。 其次，說明記憶區域之限制（保全區域之分類卜 圖^系顯示快閃記憶體卡3〇6之記憶體映射—）圖。 吕己k體之分配係分類成以下的4個情況： (情況1)僅SIM可使用B區域之情況 (情況2)B區域為SIM與快閃記憶體卡均可共同地使 情況 = 3)B區域之B，區域與B，，區域分別由_與快閃記憶 體卡使用之情況 (情況4)(情況1)與（情況2)之合成 記：體分配由控制器管理’不過，有以下之方法：⑴ 卡格式化時，依控制器之内部條件分配區域；⑺出貨時格 式化’來分配區域；（3)依保全命令，於滿㈣別之條㈣ 分配等。藉由記憶恤之保全命令中規定之方法，保全區 域之格式化、資料讀取/寫人及顯示/不顯示來管理操 權限°亦即’可安裝—般使用者無法操作之規格/、 保全記憶區域B係考慮：⑴照樣記錄加密之資料 錄加密後之資料與加密鍵’ (3)於⑺項之情況，以加心 將資料予以解密’對其他機器產生另外之加密鍵:姑 加密資料等’依安全之等級來利用。此時，加密鍵亦；採 119749.doc •43 - 200816056 取記錄於控制器内部之特別區域（TRM)等的安全對策。 控制器與SIM之SIC進行機器認證，僅於可信任而放心 時可使用（防止不正當記憶卡之混入）。此外，藉由在快閃 記憶體卡上搭載SIC，可進行SIC具有之SIM功能的替換。 此外，亦可將保全處理功能（認證功能、加密處理器等）之 專用的保全處理進一步簡化、共處理器化。 (第十七種實施形態） 圖35係顯示先前之Plug-inSIM卡的構造之外形圖，（a)係 底面圖，（b)係平面圖，（c)係右側面圖，（d)係前視圖。如 圖35所示，先前之Plug-inSIM卡具有縱25 mm，橫15 mm，厚 度0.76 mm之構造，且在一方之面上配置有IS07816電極 3 501。此外，四個角落的1個有倒角部3502。 圖36係顯示本發明第十七種實施形態之Plug-inSIM卡的 概略構造之外形圖，（a)係底面圖，（b)係平面圖，(c)係右 側面圖，（d)係前視圖。如圖36所示，在本發明第十七種實 施形態之Plug-inSIM卡的一方之面上配置有IS078 16電極 3601。此外，四個角落之一個有倒角部3602。本第十七種 實施形態之Plug-inSIM卡具有縱25 mm，橫15 mm之構 造，且具有：厚度0.76 mm之部分，與厚度Τ(Τ>0·76 mm) 之部分3603。厚度T之部分3603以縱L(L<25 mm)，橫 M(M<15 mm)之概略長方形而構成，僅一面接觸於Plug-inSIM卡之輪廓線。厚度T之部分3603中，橫Μ之部分比左 右兩側之輪廓線位於内側，其兩側之厚度為0 · 76 mm。藉 由該兩側之厚度0 · 76 mm的部分觸及插入槽之壓入部分， 119749.doc -44 - 200816056 先妯之Plug-inSlM卡與本第十七種實施形態之plug_inS][M 卡可共用插入槽。此外，與先前之Plug-inSIM卡比較，本 第十七種實施形態之plug_inSIM卡包含··厚之部分與薄之 口P刀由於具有階差，因此手容易抓住。此外，可在厚之 部分的内部安裝由於厚度厚而安裝困難的零件。 圖3 7係顯示本發明第十七種實施形態之piug_inSiM卡的 概略構造之剖面圖。圖37係在厚度丁之部分36〇3的内部安 裝：水晶振盪器3701與SIC晶片3702等之例。 如圖37所示，本第十七種實施形態之Plug-inSIM卡如 由··水晶振盪器3701、SIC晶片3702、佈線基板3703、樹 脂罩3704、樹脂模塑3705、IS078 16電極3601等而構成。 在佈線基板3703上的厚度T之部分3603内部搭載有：水晶 振盪裔3701與SIC晶片3702。水晶振盪器3701與佈線基板 3 703上織佈線圖案焊接連接。S][C晶片37〇2與佈線基板 3703上之佈線圖案引線接合連接，並以樹脂模塑37〇5予以 樹脂密封。此等零件以樹脂罩37〇4覆蓋。 圖38係顯示本發明第十七種實施形態之？11^_丨1181]^卡的 概略構造之剖面圖。圖38係在厚度τ之部分3603的内部安 裝層積之記憶體晶片3801之例。 如圖38所示，本第十七種實施形態之plug-inSIM卡如 由：層積之記憶體晶片3801、SIC晶片3702、佈線基板 3703、樹脂罩3704、樹脂模塑3705、IS07816電極3601等 而構成。在佈線基板3703上之厚度T的部分3603内部搭載 有層積之記憶體晶片3801。在厚度0.76 mm之部分搭載有 119749.doc -45- 200816056

Sic晶片3702。層積之記憶體晶片38()1及训晶片咖係與 佈線基板则上之佈線圖案引線接合連接，並以樹脂模塑 3705樹脂密封◊此等零件以樹脂罩37〇4覆蓋。 、

對先前之PlUg-inSIM卡的厚度〇76 mm，為了搭載大容 量記憶體’而層積搭载記憶體晶片時，為了 usb_i/f對 應’而搭載水晶振盈器、陶£振盪器等有厚度之零件情況 下，有時超過先前之SIM卡厚度〇76 mm。因此，藉由形 成在PlUg-inSIM卡之厚度方向，局部比SIM卡之厚1 〇·% mm厚之卡，而將此等零件搭載於較厚的部分，即可實現 格載大容量記憶體之SIM，及對應於usb_i/f的MM。另 外’ s己憶體晶片亦可不層積而僅為丨片。此種情況的優點 為：由於Plug-inSIM卡之一部分較厚，因此容易抓住。 (第十八種實施形態） 圖39係顯示本發明第十八種實施形態之一部分厚之 Plug-inSIM配接器的概略構造之外形圖，（a)係背面圖，（b) 係左側面圖，（c)係平面圖，（d)係右側面圖，（e)係底面 圖，（f)係前視圖。如圖39(e)所示，本發明第十八種實施 形態之一部分厚之Plug_inSIM配接器的一方之面（基板 3906)上配置有IS078 16電極3901。此外，四個角落之一個 有倒角部3902。本第十八種實施形態<piug_inSIM配接器 具有與前述第十七種實施形態之Plu卜inSIM卡大致相同之 形狀及尺寸。不過，本第十八種實施形態之piug_inSIM配 接器包含收納記憶卡用的插槽3903。本第十八種實施形態 之Plug-inSIM配接器包含：厚度〇·76 mm之部分39〇4與厚 119749.doc -46- 200816056 度Τ(Τ>0·76 mm)之部分3905。厚度Τ之部分3905以縱 L(L<25 mm)，橫M(M<15 mm)之概略長方形而構成，僅一 面接觸於Plug-inSIM配接器之輪廓線。厚度T之部分3905 中，橫Μ之部分比左右兩側之輪靡線位於内側，其兩側之 厚度為0.76 mm。藉由該兩側之厚度0.76 mm的部分3904觸 及插入槽之壓入部分，先前之Plug-inSIM卡與前述實施形 態之Plug-inSIM配接器與前述實施形態之Plug-inSIM卡與 本第十八種實施形態之一部分厚的Plug-inSIM配接器可共 用插入槽。此外，與前述實施形態之Plug-inSIM卡比較， 本第十八種實施形態之Plug-inSIM配接器包含：厚之部分 與薄之部分，由於具有階差，因此手容易抓住。 一般普及之小型記憶卡有：記憶條（memory stick)(商標） 微型之一種記憶卡的M2、及一種小型SD記憶卡（商標）之 微型SD(mic;roSD ;商標）等。此等小型記憶卡之卡厚度為 1.2 mm(M2)及1.0 mm(微型SD)程度。另外，前述實施形態 中說明之Plug-inSIM配接器及Plug-inSIM卡之厚度為0.76 mm程度。因此，前述實施形態中說明之Plug-inSIM配接器 中無法收納先前之M2及微型SD等的記憶卡。 因此，如本第十八種實施形態所示，藉由將Plug-inSIM 配接器形成在SIM配接器之厚度方向局部比SIM配接器之 厚度0.76 mm厚的配接器，可實現可搭載M2、微型SD等之 記憶卡的Plug-inSIM配接器。 此時，Plug-inSIM配接器中，變厚之部分藉由將不與插 入槽之SIM卡壓入、定位等之機構干擾的區域增厚，卡壓 119749.doc -47- 200816056 入部分形成與先前之Plug-inSIM卡相同厚度，可共用先前 之Plug-inSIM卡與插入槽。 圖40係顯示本發明第十八種實施形態之一部分厚之 Plug-inSIM配接器的概略結構之剖面圖（插入記憶卡之 前），圖4 1係顯示本發明第十八種實施形態之一部分厚之 Plug-inSIM配接器的概略結構之剖面圖（插入記憶卡之 後）。本發明第十八種實施形態之一部分厚之Plug-inSIM配 接器如由：基板3906、IS07816電極3901、樹脂模塑 4001、上壓蓋4002、SIC晶片4003、晶片零件4004及連接 端子4005等構成。SIC晶片4003係具備：保全功能（SIC)與 記憶卡介面功能之晶片，且藉由接合引線4006而與基板 3 906上的佈線引線接合。晶片零件4004係被動元件及主動 元件。上壓蓋4002包含金屬板等，且具有可搭載標準記憶 卡之階差。連接端子4005藉由錫焊或焊接等而接合於基板 3906上的佈線。在上壓板4002之具有厚度之厚的部分之插 槽3903内插入記憶卡4101。 (第十九種實施形態） 圖42係顯示本發明第十九種實施形態之一部分厚之 Plug-inSIM配接器（對應微型SD)的構造之外形圖，（a)係底 面圖，（b)係平面圖，（c)係右側面圖，（d)係前視圖。圖42 顯示在一部分厚之Plug-inSIM配接器4205中插入微型SD卡 4204之圖。如圖42所示，在本發明第十九種實施形態之一 部分厚之Plug-inSIM配接器4205的一方之面上配置有 IS Ο 7 8 1 6電極4 2 0 1。此外，四個角落之一個有倒角部 119749.doc -48- 200816056 4202。上壓蓋4203之部分變厚。Plug-inSIM配接器4205具 有與前述第十八種實施形態之Plug-inSIM配接器大致相同 的形狀及尺寸。在Plug-inSIM配接器4205之上壓蓋4203下 部之插槽内插入微型SD卡4204。 圖43係顯示本發明第十九種實施形態之一部分厚之 Plug-inSIM配接器（對應微型SD)的除去上壓蓋之構造的外 形圖，（a)係平面圖，（b)係右側面圖，（c)係前視圖。圖43 顯示在一部分厚之Plug-inSIM配接器4205中插入微型SD卡 4204之圖。藉由Plug-inSIM配接器4205之插槽内的連接端 子4301與微型SD卡4204之端子接觸，兩者電性連接。 圖44、圖45及圖46係顯示在本發明第十九種實施形態之 一部分厚之Plug-inSIM配接器（對應微型SD)中插入微型SD 卡之狀態的立體圖，圖44顯示插入之前，圖45顯示插入中 途，圖46顯示插入之後。如圖44、圖45及圖46所示，在 Plug-inSIM配接器4205之上壓蓋4203下部的插槽内插入微 型 SD卡 4204。 (第二十種實施形態） 圖47係顯示一般之M2記憶卡的外形圖，（a)係左側面 圖，（b)係平面圖，（c)係右側面圖，（d)係前視圖。如圖47 所示，一般之M2記憶卡包含：厚度約1.2 mm之部分4701 與厚度0.6 mm之卡插入導執部分4702。 圖48係顯示本發明第二十種實施形態之M2記憶卡的外 形圖，（a)係左側面圖，(b)係平面圖，（c)係右侧面圖，(d) 係前視圖。如圖48所示，本第二十種實施形態之M2記憶 119749.doc -49- 200816056 卡由·厚度0.6 mm之卡插入導轨部分4802與相同厚度之部 分4801而構成。藉由如此構成，可使用與一般之m2相同 的記憶卡插入槽，且可減少搭載於前述實施形態之plug_ inSIM配接器時的整體厚度。 (第二十一種實施形態） 圖49係顯示本發明第二十一種實施形態之一部分厚之 Plug-inSIM配接器（對應M2)的構造之外形圖，（a)係平面 圖’⑻係右側面圖，⑷係前視圖。如圖49所示，在本發 明第一十一種實施形態之一部分厚的Plug-inSIM配接器之 一方之面（圖49(a)之内侧）上配置有IS〇7816電極49〇1。此 外’四個角落之一個有倒角部4902。此外，在收納M2記 憶卡用的插槽4903内部配置有與M2記憶卡之端子接觸而 形成電性連接用妁複數個連接端子49〇4。此外，在插槽 4903之兩端設有固定M2記憶卡用之記憶卡壓板49〇5。本 第一十一種實施形態之Plug-inSIM配接器具有與前述第十 八、十九種實施形態之Plug_inSIM配接器大致相同的形狀 及尺寸。 圖50係顯示在本發明第二«一種實施形態之一部分厚之 Plug-inSIM配接器中插入一般之]^2記憶卡後的狀態之外形 圖，（a)係平面圖，（b)係右側面圖，（c)係前視圖。如圖5〇 所示，在Plug-inSIM配接器之插槽中插入圖47所示之一般 M2記憶卡5001，藉由記憶卡壓板49〇5壓入卡插入導軌部 分4702，而固定M2記憶卡5〇〇1。 圖51係顯示在本發明第二十一種實施形態之一部分厚之 119749.doc 200816056

Plug-inSIM配接器中插入前述第二十種實施形態之M2記憶 卡後的狀態後之外形圖，（a)係平面圖，（b)係右側面圖， (c)係前視圖，（d)係比較用之插入一般“2記憶卡後的右側 面圖。如圖51所示，在piug_inSIM配接器之插槽内插入圖 48所示之韵述第二十種實施形態之μ]記憶卡5丨〇丨，並藉 由纪憶卡壓板4905壓入卡插入導軌部分48〇2，而固定M2 各己憶卡5101。插入m2記憶卡後之piug_inSIM配接器的厚 度，於插入A述第二十種實施形態之M2記憶卡5丨〇丨（厚度 約0.6 mm)後，如圖51(b)所示，成為tl，於插入一般iM2 記憶卡5001(厚度約丨.2 mm)後，如圖51(幻所示，成為q。 另外，tl<t2。 在M2圯憶卡對應之Plug_inSIM配接器中插入前述第二十 種實施形態之厚度為〇·6 mm之M2記憶卡5101時，M2記憶 卡之卡插入導軌部分4802係與卡插入導執部分4702相同厚 度，可與一般之M2記憶卡5〇〇丨同樣地插入。插入後之 Plug-inSIM配接器的厚度（tl)，對插入一般M2記憶卡時之 厚度（t2)，並無比Plug_inSIM配接器之卡壓入部分高的部 分變薄。另外，記憶卡壓板49〇5亦可為覆蓋記憶卡全體之 構造。 (第二十二種實施形態） 圖52係本發明第二十二種實施形態之1〇卡用插入槽的外 形圖，⑷係平面圖，（b)係右側面圖，⑷係前視圖。本第 二十二種實施形態之ic卡用插入槽如由：基板52〇1，設於 基板5201兩側之卡壓板52〇2，安裝於基板中央之孔的部分 119749.doc -51- 200816056 之複數個接點5203等而構成。卡壓板5202係壓入前述實施 形態之Plug-inSIM卡及Plug-inSIM配接器等之1C卡而固定 用者。接點5203係與設於前述實施形態之Plug-inSIM卡、 Plug-inSIM配接器等之IS07816電極接觸，而電性連接用 者。 圖53係顯示在本發明第二十二種實施形態之1C卡用插入 槽中插入一部分厚之Plug-inSIM配接器（或卡）後的狀態之 外形圖，（a)係平面圖，（b)係右側面圖，（c)係前視圖。圖 53中，插入之1C卡的一例，係顯示第十九種實施形態之 Plug-inSIM配接器4205，不過，亦可為第十七種實施形態 之Plug-inSIM卡，及第十八、第二十一〜二十二種實施形 態之Plug-inSIM配接器。 圖54係顯示在本發明第二十二種實施形態之1C卡用插入 槽中插入厚度為0.76 mm之Plug-inSIM配接器（或卡）後的狀 態之外形圖，（a)係平面圖，（b)係右侧面圖，（c)係前視 圖。圖54中，插入之1C卡的一例，係顯示第一種實施形態 之Plug-inSIM配接器305a，不過，亦可為先前之Plug-inSIM卡等。 為了搭載微型SD卡、M2記憶卡等，藉由就Plug-inSIM 配接器（或卡）增厚之部分，將不與卡壓入部分干擾的區域 增厚，卡壓入部分與先前之Plug-inSIM卡形成相同厚度 (0.76 mm)，可實現先前之Plug-inSIM卡或前述實施形態之 Plug-inSIM配接器（或卡）上均可使用的共用插入槽。 另外，亦可將前述實施形態分別予以適切的組合。 119749.doc -52- 200816056 以上係依據其實施形態來具體說明本發明人之發明，不 過，本發明並不限定於前述實施形態者，在不脫離其要旨 之範圍内，當然可作各種變更。 (產業上之可利用性） 本發明可利用於1c卡及電子機器等的製造業中。 【圖式簡單說明】 圖1(a)係顯不作為本發明之前提而檢討之sim卡的結構 區塊圖，（b)係顯示端子分配之圖。

圖2(a)係彳文作為本發明之前提而檢討之卡的Μ。晶片 t合載側（圖1(b)之相反側）觀察之構造圖。圖2⑻係圖2⑷之 的uj面圖，圖2(c)係圖2(約之的剖面圖。 圖3(a)係顯示作為本發明之前提而檢討之ic卡的結構區 塊圖’（b)係顯示本發明一種實施形態之⑴卡的結構區塊 圖0 圖4係顯示本發明—種實施形態之1(：卡的使用形態之說 明圖。 圖5係顯示本發明一種實施形態之快閃記憶體卡的構造 外形圖。圖5⑷係快閃記憶體卡3〇6之表面的平面圖，圖 5⑻係快閃記憶體卡寫之背面的平面圖，圖叫係快閃記 憶體卡306之左側面圖，圖5⑷係快閃記憶體卡鳩之右側 面圖’ _係快閃記憶體卡3〇6之前視圖，圖5⑴係快閃 記憶體卡306之後視圖。此外，圖5(g)係顯示快閃記憶體卡 3〇6之表面側外觀的立體圖，_係顯示快閃記憶體卡 306之背面側外觀的立體圖。 119749.doc -53· 200816056 圖6係顯示本發明一種實施形態之plug_inSIM配接器的 構造外形圖。圖6(a)係Plug-inSIM配接器305a之背面側的 平面圖，圖6(b)係PlUg-inSIM配接器305a之表面側的平面 圖’圖6(c)係PlUg-insiM配接器305a之侧面圖，圖6(d)係圖 6(b)之C-C，剖面圖。 圖7係顯示在本發明一種實施形態之piug_inSI]y[配接器 中插入快閃記憶體卡後之外形的平面圖。 圖8(a)，（b)係顯示本發明一種實施形態之piug-insijy[配 接器的構造之縱剖面圖。 圖9係顯示本發明一種實施形態之plug_inSIM配接器的 接線例圖。 ， 圖ίο係顯示本發明一種實施形態之miniuicc配接器之構 造的外形圖。圖配接器3〇5b之背面側的 平面圖’圖10(b)係miniuicc配接器305b之表面側的平面 圖’圖10((：)係111111丨1；1(：：(：配接器3〇5b之側面圖，圖1〇((1)係 圖10(b)之D-D’剖面圖。此外，圖1〇(匀係顯示miniuICc配 接裔305b之背面侧外觀的立體圖，圖1〇⑴係顯示 miniUICC配接器3〇5b之表面側外觀的立體圖。 圖11係顯示在本發明一種實施形態之mhiujcc配接器中 插入快閃記憶體卡後之外形的平面圖。 圖12係顯示本發明一種實施形態之記憶條微型配接器的 構仏之外形圖。圖12(勾係記憶條微型配接器3〇5〇之表面的 平面圖，圖12(b)係記憶條微型配接器3〇5c之背面的平面 圖，圖12(c)係記憶條微型配接器3〇兄之側面圖。 119749.doc -54- 200816056 圖13(a)、（b)係顯示對本發明一 型配接哭客狀拖M 只知形恶之記憶條微 …σσ女衣陕閃圮憶體卡之方法的外形圖。 圖14⑷、⑻係顯示對本發明其他實施形態之記憶條微 ^•配接㈢安裝其他快閃記憶體卡之方法的外形圖。〃 圖15係顯示本發明其他實施形態之快閃記憶體卡 構造例之外形圖。圖15⑷係快閃記憶體卡地之表面的平 面圖115(b)係快閃記憶體卡之背面的平面圖，圖

15(c)係快閃記憶體卡·之左側面圖，w 15⑷係快閃記憶 體卡308之右側面圖，圖15(e)係快閃記憶體卡3〇8之前^ 圖’圖15(f)係快閃記憶體卡之後視圖。此外，圖15(g) 係顯示快閃記憶體卡3〇8之表面側外觀的立體圖，圖15化） 係顯示快閃記憶體卡308之背面側外觀的立體圖。 圖16係顯示本發明其他實施形態之快閃記憶體卡的其他 構造例之外形圖。圖16(a)係快閃記憶體卡3〇9之表面的平 面圖，圖16(b)係快閃記憶體卡3〇9之背面的平面圖，圖 16(C)係快閃記憶體卡309之左侧面圖，圖16(d)係快閃記憶 體卡309之右側面圖，圖i6(e)係快閃記憶體卡3〇9之前視 圖’圖16(f)係快閃記憶體卡309之後視圖。此外，圖16(g) 係顯示快閃記憶體卡309之表面側外觀的立體圖，圖16(h) 係顯示快閃記憶體卡309之背面側外觀的立體圖。 圖丨7係顯示本發明其他實施形態之PlUg-inSI]y^&接器其 他構造例的外形圖。圖l7(aM^、Plug_inSIM配接器305d之背 面侧的平面圖，圖l7(b)係plug-inSIM配接器305d之表面侧 的平面圖，圖17(c)係Plug-inSIM配接器305d之側面圖，圖 119749.doc -55- 200816056 17(d)係圖 17(b)之E_E4j 面圖。 圖18係顯示本發明其他實施形態之miniUICC配接器其他 構造例的外形圖。圖18(a)係miniUICC配接器305e之背面 侧的平面圖，圖18(b)係miniUICC配接器305e之表面側的 平面圖，圖18(c)係miniUICC配接器305e之側面圖，圖 1 8(d)係圖1 8(b)之F-F’剖面圖。此外，圖1 8(e)係顯示 miniUICC配接器305e之背面側外觀的立體圖，圖1 §⑴係顯 示miniUICC配接器305e之表面側外觀的立體圖。 圖19係顯示本發明其他實施形態之快閃記憶體卡的其他 構造例之外形圖。圖19(a)係快閃記憶體卡31〇之表面的平 面圖’圖19(b)係快閃記憶體卡310之背面的平面圖，圖 19(c)係〖夬閃6己憶體卡31〇之左側面圖，圖19(句係快閃記憶 體卡310之右側面圖，圖19(〇係快閃記憶體卡31〇之前視 圖，圖19(f)係快閃記憶體卡31〇之後視圖。此外，圖19^) 係顯示快閃記憶體卡310之表面側外觀的立體圖，圖19化） 係顯示快閃記憶體卡310之背面侧外觀的立體圖。 圖20係顯示本發明其他實施形態之快閃記憶體卡的其他 構造例之外形圖。圖2〇(a)係快閃記憶體卡3丨〖之表面的平 面圖，圖20(b)係快閃記憶體卡311之背面的平面圖，圖 2〇⑷係快閃記憶體卡311之左側面目，圖2〇(d)係快閃記憶 體卡311之右側面圖，圖2〇(幻係快閃記憶體卡31丨之前視 圖’圖2〇(f)係快閃記憶體卡311之後視圖。此外，圖20(g) 係顯示快閃記憶體卡311之表面側外觀的立體圖，圖娜) 係顯示快閃記憶體卡311之背面側外觀的立體圖。 119749.doc -56- 200816056 圖21係顯示本發明其他實施形態之快閃記憶體卡的其他 構以例之外形圖。圖21(a)係快閃記憶體卡312之表面的平 面圖，圖21(b)係快閃記憶體卡312之背面的平面圖，、圖 2—1⑷係快閃記憶體卡312之左側面圖，圖2i(d)係快閃記憶 體卡312之右侧面圖，圖21(e)係快閃記憶體卡312之前視 圖’圖21(f)係快閃記憶體卡312之後視圖。此外，圖μ) 係顯示快閃記憶體卡312之表面側外觀的立體圖，圖21(:) 係顯示快閃記憶體卡312之背面侧外觀的立體圖。 圖22係顯示本發明其他實施形態之快閃記憶體卡的其他 構造例之外形®。圖22⑷係快閃記憶體卡313之表面的平 面圖’圖22(b)係快閃記憶體卡313之背面的平面圖，圖 22⑷係快閃記憶體卡313之左側面圖，圖22⑷係快閃記憶 體卡313之右侧面圖，圖22(e)係快閃記憶體卡313之前視 圖，圖22(f)係快閃記憶體卡⑴之後視圖。此外，圖以⑻ 係顯示快閃記憶體卡313之表面側外觀的立體圖，圖Μ⑻ 係顯不快閃記憶體卡313之背面側外觀的立體圖。 圖23係顯示本發明其他實施形態之快閃記憶體卡的其他 構造例之外形圖。圖23卜)係快閃記憶體卡314之表面的平 面圖:圖23(b)係快閃記憶體卡314之背面的平面圖，圖 23⑷係快閃記憶體卡314之左側面圖，圖23⑷係快閃記憶 體卡314之右側面圖，圖23(e)係快閃記憶體卡μ#之前視 圖’圖23(f)係快閃記憶體卡314之後視圖。此外，圖Μ⑷ 係顯示快閃記憶體卡314之表面側外觀的立體圖，圖23(h) 係顯示快閃記憶體卡314之背面側外觀的立體圖。 119749.doc -57- 200816056

圖24係顯示本發明其他實施形態之快閃記憶體卡的其他 構造例之外形圖。圖24(&)係快閃記憶體卡315之表面的平 面圖，圖24(b)係快閃記憶體卡315之背面的平面圖，圖 24⑷係快閃記憶體卡315之左側面圖，圖24(句係快閃記： 體卡315之右側面圖，圖24(e)係快閃記憶體卡315之前視 圖’圖24(f)係快閃記憶體卡爪之後視圖。此外，圖2灿 係顯示快閃記憶體卡315之表面側外觀的立體圖，圖24化） 係顯示快閃記憶體卡315之背面側外觀的立體圖。 圖25係顯示本發明其他實施形態之快閃記憶體卡的其他 構造例之外形圖。圖25⑷係快閃記憶體卡316之表面的平 面圖’圖25(b)係快閃記憶體卡316之背面的平自圖，圖 25(c)係快閃記憶體卡3 16之左側面圖，圖25⑷係快閃記憶 體卡316之右側面圖，圖25(6)係快閃記憶體卡3丨6之前視 圖’圖25(f)係快閃記憶體卡316之後視圖。此外，圖乃⑻ 係顯示快閃記憶體卡316之表面側外觀的立體圖，圖2啊 係顯示快閃記憶體卡316之背面側外觀的立體圖。 圖％係顯示本發明其他實施形態之快閃記憶體卡的其他 構每例之外形圖。圖26⑷係快閃記憶體卡m之表面的平 面圖’圖26(b)係快閃記憶體卡317之背面的平面圖，圖 %⑷係快閃記憶體卡317之左側面圖，圖％⑷係快閃記憶 體卡3丨7之右側面圖，圖26(幻係快閃記憶體卡3 圖’⑽_快閃記憶體卡317之後視圖。此外，圖26(g) 閃記憶體卡317之表面側外觀的立體圖，圖26(h) '、‘，'，不、閃記憶體卡317之背面側外觀的立體圖。 119749.doc •58- 200816056 圖27係顯示本發明其他實施形態之快閃記憶體卡的其他 構造例之外形圖。圖27⑷係快閃記憶體卡318之表面2平 面圖:圖27〇>)係快閃記憶體卡318之背面的平面圖，圖 27⑷係快閃記憶體卡318之左側面目，圖27⑷係快閃記情 體卡318之右側面圖，圖27(〇係快閃記憶體卡318之前^ 圖，圖27(f)係快閃記憶體卡318之後視圖。此外，圖27=) 係顯示快閃記憶體卡318之表面側外觀的立體圖，圖27=) 係顯示快閃記憶體卡318之背面側外觀的立體圖。 圖2 8係顯示本發明其他實施形態之快閃記憶體卡的其他 構造例之外形圖。圖28(勾係快閃記憶體卡3 ι>9之表面的平 面圖，圖28(b)係快閃記憶體卡319之背面的平面圖，圖 28(c)係快閃記憶體卡319之左側面圖，圖28(幻係快閃記憶 體卡319之右側面圖，圖28(匀係快閃記憶體卡319之前視 圖，圖28(f)係快閃記憶體卡319之後視圖。此外，圖28(g) 係”、、員示〖夬閃Z憶體卡3 19之表面側外觀的立體圖，圖2&(匕） 係顯示快閃記憶體卡3丨9之背面側外觀的立體圖。 圖29係顯示本發明其他實施形態之智慧卡轉換配接器之 構造的外形圖。圖29(a)係智慧卡（ID-1)轉換配接器305f之 表面的平面圖’圖29(b)係智慧卡（ID-1)轉換配接器305f之 側面圖’圖29(c)係圖29(a)之G-G，剖面圖。 圖3 0係顯示本發明其他實施形態之1(3卡的系統結構例之 區塊圖。 圖3 1係顯示本發明其他實施形態之快閃記憶體卡的記憶 體映射（map)之圖。 H9749.doc -59- 200816056 圖32係記載本發明一種實施形態之快閃記憶體卡的連接 端子之功能的概略圖。 圖33係記載本發明其他實施形態之快閃記憶體卡的連接 端子之功能的概略圖。 圖34係δ己載本發明其他實施形態之快閃記憶體卡的連接 端子之功能的概略圖。 圖35係顯示先前之piug-inSIM卡的構造之外形圖，（勾係 底面圖，（b)係平面圖，（c)係右侧面圖，（d)係前視圖。 圖36係顯示本發明第十七種實施形態之ρι吨_inSiM卡的 構造之外形圖，⑷係底面圖，⑻係平面圖，⑷係右側面 圖，（d)係前視圖。 圖37係顯示本發明第十七種實施形態之〜七鹽卡的 概略構造之剖面圖。 圖38係顯tf本發明第+七種實施形態之plug_inSIM卡的 概略構造之剖面圖。 圖39係顯示本發明第十八種實施形態之一部分厚之 Plug-inSIM配接器的概略構造之外形圖，⑷係背面圖，⑻ 係左側面圖，⑷係平面圖，⑷係右側面圖，⑷係底面 圖，（f)係前視圖。 圖40係顯示本發明第十八種實施形態之一部分厚之 Plug-inSIM配接器的概略結構之剖面圖（插入記憶卡之 刖）。 圖41係顯示本發明第十八種實施形態之一部分厚之 Plug-inSIM配接器的概略結構之剖面圖（插入記憶卡之 119749.doc -60 - 200816056 後）。 圖42係顯示本發明第十九種實施形態之一部分厚之 Plug-mSIM配接器（對應微型（MiCr〇)SD)的構造之外形圖， (a)係底面圖，（b)係平面圖，（e)係右側面圖，（d)係前視 圖。 圖43係顯示本發明第十九種實施形態之一部分厚之 Plug-inSIM配接器（對應微型SD)的除去上壓蓋之構造的外 形圖，（a)係平面圖，（b)係右側面圖，（c)係前視圖。 圖44係顯示在本發明第十九種實施形態之一部分厚之 Plug-inSIM配接器（對應微型SD)中插入微型SD卡之狀態 (插入前）的立體圖。 圖4 5係顯示在本發明第十九種實施形態之一部分厚之 Plug-mSIM配接器（對應微型SD)中插入微型犯卡之狀態 (插入中途）的立體圖。 圖46係顯示在本發明第十九種實施形態之一部分厚之 Plug-mSIM配接器（對應微型SD)中插入微型§〇卡之狀態 (插入後）的立體圖。 圖47係顯不-般之M2記憶卡的外形圖，⑷係左側面 圖’ (b)係平面圖，⑷係右側面圖，⑷係前視圖。 圖48係顯示本發明第二十種實施形態之M2記憶卡的外 开y圖’（a)係左侧面圖，（b)係平面圖，⑷係右側面圖，⑷ 係前視圖。 圖49係顯示本發明第二十一種實施形態之一部分厚之 ~七隨配接器（對應M2)的構造之外形目，⑷係平面 119749.doc -61 - 200816056 圖，（b)係右側面圖，（e)係前視圖。 ^係⑼員示在本發明第二十一種實施形態之一部分厚之 g inSlM配接益中插入一般之奶記憶卡後的⑯態之外形 圖，⑷係平面圖’ (b)係右側面圖，⑷係前視圖。 圖51係顯示在本發明第二十一種實施形態之一部分厚之 Plug inSIM配接裔中插入前述第二十種實施形態之M2記憶 卡後的狀‘%後之外形圖，⑷係平面圖，⑻係右側面圖， ⑷係前視目’⑷係t匕較用之插入一般記憶卡後的右側 面圖。 圖52係本發明第二十二種實施形態之…卡用插入槽的外 形圖’（a)係平面圖，（b)係右側面圖，⑷係前視圖。 圖53係顯不在本發明第二十二種實施形態之…卡用插入 槽中插入一部分厚之piug_inSiM配接器（或卡）後的狀態之 外形圖’（a)係平面圖，係右側面圖，係前視圖。 圖54係顯示在本發明第二十二種實施形態之…卡用插入 槽中插入厚度為〇·76 mm之Phig4nSIM配接器（或卡）後的狀 態之外形圖，⑷係平面圖，係右側面圖，⑷係前視圖。 【主要元件符號說明】 301 302 302a 303 304 305 SIM記憶體

保全IC/快閃記憶體控制器 SIC 快閃記憶體 IS07816 I/F SIM記憶體配接器 1197491.doc -62-

200816056 305a、305d、4205 305b 、 305e 305c 305f 306、308、309、310、311、 312、313、314、315、316、 317 、 318 、 319 307 401 501 、 601 、 1001 、 3906 、 5201 502 503 、 606 、 1005 、 1401 、 1501 、 1601 、 1701 、 1801 、 4005 ' 4301 、 4904 504 、 1202 602 603 604 、 1003 、 3903 > 4903 605 、 1004 、 3501 、 3601 、 390卜 420卜 4901 607 608 、 1002 609

Plug-inSIM配接器 miniUICC配接器 記憶條微型配接器 智慧卡（ID-1)轉換配接器 快閃記憶體卡 快閃卡I/F 空白卡 基板(佈線基板） 密封樹脂（模塑） 連接端子（外部連接端子） 缺口（切溝） 模組區域 金屬板 插槽 IS07816 電極 頂端部 金屬框導執 基板邊界 119749.doc -63 - 200816056

610 、 3502 、 3602 、 3902 、 4202 、 4902 倒角部 611 焊錫 612 - 2901 空間（開口） 613 階差部 801 、 4004 晶片零件 1201 卡插入部 17021802 1901 、 2101 、 2301 、 2501 、 2701 模塑 3001 控制器 3603 > 3905 厚度T之部分 3701 水晶振盈 3702 、 4003 SIC晶片 3703 佈線基板 3704 樹脂罩 3705 - 4001 樹脂模塑 3904 厚度0.76 mm之部分 4002 、 4203 上壓蓋 4006 接合引線 4101 記憶卡 4204 微型SD卡 4701 厚度約1 ·2 mm之部分 4702 、 4802 卡插入導軌部分 119749.doc -64- 200816056 4801 相同厚度之部分 4905 記憶卡壓板 5001 、 5101 M2記憶卡 5202 卡壓板 5203 接點 CLK 時脈端子 I/O 輸入輸出端子 LA、LB 天線線圈 RES 重設端子 RSV 保留端子 SIC 微電腦 tl、t2 厚度 vcc VCC電源端子 vss 接地端子

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Claims (1)

1. 200816056 十、申請專利範圍： 1. 一種1C卡，其特徵為：搭載有快閃記憶體晶片，且 前述1C卡可插入plug-inSIM配接器及/或miniUICC配接 3S · σσ ， 藉由前述1C卡插入前述plug-inSIM配接器或前述 ' miniUICC配接器，前述？11^41131]^配接器或前述 miniUICC配接器與前述1C卡成為一體，作為附擴充記憶 體之SIM或附擴充記憶體之miniUICC而動作； φ 前述1C卡可自前述plug-inSIM配接器或前述miniUICC 配接器實際上分離。 2. 如請求項1之1C卡，其中前述1C卡包含： 複數個連接端子；及 前述快閃記憶體晶片； 前述連接端子插入前述plug-inSIM配接器或前述 miniUICC配接器時，與前述SIM配接器或前述miniUICC 配接器電性連接。 ® 3.如請求項2之1C卡，其中前述1C卡進一步包含控制前述 快閃記憶體晶片用的控制器晶片。 > 4.如請求項3之1C卡，其中前述plug-inSIM配接器及 ' miniUICC配接器包含具有安全微電腦功能之保全1C晶 片。 5. 如請求項4之1C卡，其中前述保全1C晶片埋入前述plug-inSIM 配接器及 miniUICC 配接 器之基板中。 6. 如請求項3之1C卡，其中前述快閃記憶體晶片及控制器 119749.doc 200816056 晶片被模塑覆蓋。 7·如請求項2之1C卡，其中前述1C卡進一步包含具有安全 微電腦功能之保全1C晶片。 8·如請求項1之1C卡，其中前述1C卡之厚度比前述SIM配接 器之厚度薄。 " 9.如請求項8之1C卡，其中前述1C卡之厚度係0.84 mm以 \ 下。 10·如請求項1之1C卡，其中前述SIM配接器之平面尺寸係15 Φ mmx25 mm，前述miniUICC配接器之平面尺寸係15 mmx 12 mm 〇 11. 如請求項1之1C卡，其中前述1C卡可轉換成記憶條 (memory stick)PRO、SD卡、多媒體卡、USB、TCP/IP、 I2C或串列介面通信（SCI)之介面。 12. 如請求項1之1C卡，其中前述1C卡包含：複數個第一連 接端子與複數個第二連接端子； 前述第一連接端子係用於與plug-inSIM或miniUICC之 第一介面的端子； 前述第二連接端子係用於與記憶條PRO、SD卡、多媒 . 體卡、USB、TCPAP、I2C或串列介面通信（SCI)之第二 介面的端子。 13. 如請求項12之1C卡，其中前述第一介面與前述第二介面 之協定的一部分或全部不同。 14. 如請求項1之1C卡，其中前述1C卡與前述plug-in SIM配接 器或前述miniUICC配接器進行相互的機器認證，僅於認 119749.doc 200816056 證完成的情況下，作為plug-inSIM或miniUICC之增設各己 憶體而作用。 15·如請求項14之1C卡，其中前述1C卡之認證係按照記憶條 PRO、MMC或SD卡之使用。 16·如請求項14之1C卡，其中前述1C卡之認證係使用按照智 慧卡之 ISO/IEC7816的 APDU。 17. —種1C卡’其特徵為：其係搭載具有安全微電腦功能之 保全1c晶片，作為SIM而動作者，且 前述1C卡可插入搭載有快閃記憶體晶片之快閃記憶體 卡； 月’J述快閃記憶體卡可自前述1(：卡實際上分離。 18·如明求項17之ic卡，其中藉由前述快閃記憶體卡插入前 述1C卡中，前述快閃記憶體卡與前述IC卡成為一體，作 為附擴充記憶體之SIM而動作。 19_如請求項17之1(3卡，其中包含：

   搭載有前述保全1C晶片之基板； 禮封别述基板上之前述伴全a κ从松 W k 1示王日日片的模組區域；及 插入前述快閃記憶體卡用之插槽； 與如述快閃記憶體卡雷峻表技 署—“ ^卞以生連接用之複數個連接端子 置於别述插槽内。 20.21. 如請求項19之1°卡，其中前述保全扣 位置，配置於靠近倒角部。如請求項17之1C卡，其中前述1(：卡 mmx25 mni 〇 晶片對前述插槽之 之平面尺寸係j 5 ί 19749.doc 200816056 22. 如請求項21之1C卡，其中前述1C卡之厚度係0.84 mm以 下。 23. —種1C卡，其特徵為：其係搭載具有安全微電腦功能之 保全1C晶片，作為miniUICC而動作者，且 前述1C卡可插入搭載有快閃記憶體晶片之快閃記憶體 卡； 前述快閃記憶體卡可自前述1C卡實際上分離。 24. 如請求項23之1C卡，其中藉由前述快閃記憶體卡插入前 述1C卡中，前述快閃記憶體卡與前述1C卡成為一體，作 為附擴充記憶體之miniUICC而動作。 25·如請求項24之1C卡，其中包含： 内建有前述保全1C晶片之基板；及 插入前述快閃記憶體卡用之插槽； 與前述快閃記憶體卡電性連接用之複數個連接端子係 配置於前述插槽内。 26.如請求項23之1C卡，其中前述1C卡之平面尺寸係15 mmx 12 mm ° 27·如請求項26之1C卡，其中前述1C卡之厚度係0.84 mm以 下。 28. —種1C卡，其特徵為：其係搭載具有安全微電腦功能之 保全1C晶片，作為SIM而動作者，且包含： 第一部分，其係具有第一厚度；及 第二部分，其係設於前述第一部分之内側，且比前述 第一厚度厚。 119749.doc 200816056 29. 如請求項28之1C卡，其中前 之弟一厚度係〇.76 30. 如請求項28之1C卡，其中a、，丄 ——— 八中在W述第：部分之内部搭载有 mm 水晶振盪器。 其中在前述第 部分之内部搭載有 31.如請求項28之1C卡 層積之記憶體晶片 32·如請求項28之1C卡，其中前 l卞在刖述弟二部分之內 部具有插槽，可將搭载有纪愔 ^ 奸… 乂有°己隐體晶片之記憶卡插入前述 猶槽内， 前述記憶卡可自前述Ic卡實際上分離。 33·如清求項32之1C卡，JL φ 1 八平精由刚述記憶卡插入前述1〇卡 中，前述記憶卡與前述Ic卡成 取馮體，作為附擴充記憶 體之SIM而動作。 34. 如請求項；33之1C卡，i中兪、μ / /、干則逃化卡係微型SD卡或M2 記憶卡。 35. -㈣卡用插人槽，其特徵為：其係可制地插入： 弟- 1C卡，其包含:第_部分，其係具有第一厚度； 及第二部分，其係設於前述第一部分之内側，且比前述 第一厚度厚；及 第一 1C卡，其包含：第三部 >，其係具有前述第一厚 度；及第四部分，其係設於前述第三部分之内侧，且具 有前述第一厚度；且 具有壓入前述第一部分及前述第三部分而可固定前述 第Ic卡及鈾述第二卡之高度，且包含具有不與前述 第二部分接觸之寬度的卡壓板。 119749.doc 200816056 3 6.如請求項35之1C卡用插入槽，其中前述第一厚度係0.76 mm °

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