TW200815309A - Ceramic substrate and fabricating method thereof - Google Patents

Description

200815309 九、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明係關於一種陶瓷基板之製造方法，特 別是關於一種提供無燒結收縮的陶瓷基板之製 造方法。 & • 【先前技術】 _ 近年來隨著可攜式資訊電子產品與行動通 訊產品朝著輕薄短小、多功能、高可靠度與低價 化的發展，高元件密度成為電子產品的發展趨 勢’是以線路中所使用的主動元件及被動元件也 夕朝向積體化、晶片化及模組化的方向發展，以 達到有效縮小線路體積，進而降低成本並提高產 品之競爭力。 低溫共燒陶瓷（Low Temperature Co_fired _ Ceramics，LTCC )技術之開發，使電子產品之體 積利用率提高得以實現，其主要係將電子元件包 括被動元件及主動元件與線路整合在一多層結 構中來達到積體化。如圖1所示，一種習知應用 於南頻無線通訊元件之低溫共燒陶瓷基板1，係 由複數個陶瓷薄板Π疊壓而形成之一多層結 構’各層或層與層之間具有導電層及電子元 件112例如電阻器、電容器或電感器等，導電層 藉由通孔（via) 113而可連接其他層導電層 5 200815309 111及電子元件112。其中導電層πι或電子一 件11 2係可利用例如厚膜印刷技術而形成於陶 瓷薄板11之表面，再經過多層加壓成形後在 於100(TC之溫度燒結而成。 低 然而，由於燒結製程可能因不同層間陶瓷 板11的收縮量不同，或燒結時因溶劑或黏結= 揮發而產生孔洞，往往導致陶瓷薄板丨丨 ^ a生收 、、、侣、扭曲、翹曲等形變問題，此現象在製造較# 之陶瓷薄板更甚顯著，且燒結所造成的陶瓷 : 收縮，會導致線路或整體基板的形變。同時^核 ;不同批_人生產的陶瓷基板收縮率亦有差異， :θ加線路設計與產品製程的困難，增加製^ 工限制應用範圍，且會影響低溫共燒其 板1的良率與可靠度。 免基 為解决上述問題，習知技術揭露以下之 收縮之方法·发 y 防止 制陶瓷薄柘1 1 丁俄娜力限 守攸U之收縮方向並抑制翹曲，铁 :式亚不適用於量產製程；其二，係將生胚片:: 附於一今厪&、 ^ Ιέ i屬板u進行燒結’該金屬板係包 械強度之全展点,， 你@機 用π柄斗 如翻或鎢等，以金屬片之束缚作 牛-生胚片發生χ方向收 於金屬片蛊座u % w而由 此1 ，、 片的熱膨脹係數差異，亦容易因 .^ 乂結後之低溫共燒陶瓷基板發生 破裂之隱憂；复-〆丄ϋ 起與 支’，、二，係於生胚片上下添加一 6 200815309 化鋁，於燒結時提供摩擦力以限制龙 再將氧化鋁去除以得陶瓷基板，然而此、後 造流程較複雜以致於不適於量產， 去之製 鋁殘留於基板之問題。 /、有氧化 有鑑於此，如何提供一種有效抑制收ρ 坦無翹曲以及克服習知技術缺點的陶次平 製造方法，乃為重要課題之 瓦土板之 【發明内容】 有鑑於上述課題，本發明之目的為提址 製造無燒結收縮、平坦無翹曲之陶:仏 種 Λ·Α· 瓦* ，p 制 程簡單與適合量產製程的陶瓷基板之製造方衣 緣是，為達上述目的，本發明係提 ^ ° 瓦基板之製造方法，其包括下列步搵匈 ^ ^ ± μ 從供—陶 一瓦溥板與一生胚片；堆疊該陶瓷薄板與生胚 :生胚片設置於陶究薄板上；以及進行燒結陶曼 薄板與生胚片’以共同形成陶瓷基板。 為達上述目的，本發明更提供另一種陶究芙 板之製造方法，其包括下列步驟：提供至少—= 一陶瓷薄板、至少一第二陶瓷薄板與至弟 u . % > m / 生胚 ，隹S該第一陶瓷薄板、生胚片與第二陶瓷 ^，使生胚片係夾置於第一陶瓷薄板及第二陶瓷 溥板，間；以及進行燒結該第一陶瓷薄板、生胚 片與該第二陶瓷薄板，以共同形成陶瓷基板。 7 200815309 承上所述’本發明之陶竟基板之製造方法 利用陶竟薄板設置於一生胚片上’使得於燒結過 程中陶瓷薄板得以提供一束缚作用予生胚片^ 抑制生胚片收縮。其中陶瓷薄板的個數可以為， 數個’且多個陶瓷薄板可為相同材質 ‘、、、複 、处為不同 材質。相較於習知技術，由於陶脊镇， U瓦/寻板與生肱片 的特性實質相同’因此本發明於燒結過程除了和 制收縮外，亦能夠避免發生翹曲而得到平^+ 瓷基板；另外，由於作為束缚作用之陶瓷薄板^ 為陶瓷基板之一部分，因而能夠省略去除+亦 /、 y驟 及避免異質殘留之隱憂，進而提高陶究基板之 率與可靠度。 * 良 【實施方式】 以下將參照相關圖式，說明依據本發明較佳 實施例之一種陶瓷基板之製造方法，其中相同的 元件將以相同的參照符號加以說明。 請參照圖2與圖3，圖2為依據本發明較佳實 施例之一種陶瓷基板之製造方法的流程圖，而圖3 為依據圖2之製造方法中之一種陶瓷基板之堆疊示音 圖。本發明較佳實施例之一種陶瓷基板之製造^ 法，其包括步驟 S1、S2、S21、S3、S31q^t 將詳細敘述各步驟之内容。 200815309 乂驟S 1係提供一陶瓷薄板3 1與一生胚片 1步驟Sl，在製備陶瓷薄板31與生胚片32 才〃中生胚片32係由混合至少一陶瓷材料及 "、、機黏結齊丨1 >另吝糾 , 、 4之漿枓，並加入一聚合黏結劑、一 塑化劑武~ 士* ^ 有機溶劑以調製適當黏度之漿料，利 用一刮刀而形成。

1曼材料係可選自一陶瓷粉體、一金屬氧化 物粉體、~ # A ^ 3金屬氧化物粉體或其組合。無機 ^劑係選自相對其他材質不具備化學活性，並具有燒 m低材料以及於燒結過程中為液相燒結 之物理特性。無機黏結劑係可為結晶或非結晶之 玻璃或玻璃陶瓷。聚合黏結劑係為聚乙二醇 (PEG)、聚乙烯縮丁醛（PVB)或聚乙烯醇 (PVA );塑化劑係為酸二丁醛（DBP )。有機溶 劑係為正丙醇、曱苯或乙醇。 而陶瓷薄板3 1之製備係利用二較高燒結溫 度之生胚片夾置較低燒結溫度之生胚片，以較低 燒結溫度進行燒結，使較低燒結溫度之生胚片進 而燒結為陶瓷薄板3丨，然較高燒結溫度之生胚 片未被燒結。詳細來說，首先係分別將較低燒結 溫度之陶瓷材料與無機黏結劑混合配製為一漿 料’將較高燒結溫度之陶瓷材料與無機黏結劑混 合配製為另一漿料，分別形成較低燒結溫度與較 高燒結溫度之生胚片後，依序堆疊該些生胚片， 9 200815309 使較高燒結溫度之生胚片夾置較低燒結溫度之 生胚片，再以一較低燒結溫度進行燒結，使得僅 有較低燒結溫度之生胚片被燒結為陶究薄板，而 較高燒結溫度之生胚片未燒結。 於此燒結過程中，較高燒結溫度之生胚片係 提供一加壓作用於較低燒結溫度之生胚片，最後 再經由去除未燒結的較高燒結溫度之生胚片的 步驟而得到細薄且平坦無翹曲之陶瓷薄板3 1。 其中陶瓷薄板31之製造過程中所需生胚片的製 備係如前所述，故不再贅述。 另外，本實施例提供之生胚片3 2或陶竟薄 板31係可預先打孔、填入導電材料及印有導電 線路。 步驟S2係堆疊陶瓷薄板3 1與生胚片32， 使生胚片32没置於陶兗薄板31上。於步驟S2 中，堆疊並使生胚片3 2貼附於陶竟薄板3 1之表 面，即生胚片32係設置於陶瓷薄板3 1上，以燒 結過之陶乾薄板3 1 ^^供一束缚作用於未燒纟士之 生胚片32，以降低後續燒結過程發生收縮之現 象。 在本實施例中，陶瓷薄板3 1與生胚片3 2之 間係以一黏結劑連結’黏結劑係以例如塗佈方气 形成於生胚片3 2或陶瓷薄板3 1之表面，再經= 對位貼合陶瓷薄板3 1與生胚片32。黏結劑係為 10 200815309 無機黏結劑例如玻璃或玻璃陶瓷，且玻璃係可為 結晶或非結晶型態。 於步驟S2之後，更包括壓合堆疊的陶瓷薄 板31與生胚片32之步驟S21，即以熱壓方式及 均壓方式壓合以使疊層更緻密，並防止陶瓷基板 3於後續燒結過程發生翹曲現象。 “ 而步驟S 3則是進行燒結，使陶瓷薄板3 1與 ~ 生胚片3 2共同形成陶瓷基板3。於步驟S 3中， ⑩ 係以生胚片3 2之燒結溫度共同燒結陶瓷薄板3 1 與生胚片3 2，以共同形成陶瓷基板3。在燒結過 程中，係利用陶瓷薄板3 1對生胚片32所產生之 束缚力，藉以製造出無燒結收縮並平坦無翹曲之 陶瓷基板3。 於步驟S 3之後，更包括測試陶瓷基板3之 特性的步驟S3 1，例如是利用儀器來測試燒結所 φ 得之陶瓷基板3的介電特性及品質特性等，包括 一介電常數（ε )與品質因子（Q )，藉此而可得 到符合規格要求之陶瓷基板3。 圖3所示之陶瓷基板3係以單層之陶瓷薄板 3 1與生胚片3 2堆疊來舉例，然而本發明並不限 定於此。例如：如圖4所示，陶竞基板4係由單 層之陶瓷薄板3 1與兩生胚片3 2堆疊而成，陶瓷 薄板係設置於兩生胚片32之間，利用已燒結過 之單層陶瓷薄板31同時提供一束缚作用於兩生 11 200815309 胚片32，藉以避免兩生胚片32在後續燒結過程 時發生收縮之現象。 或者，如圖5所示，陶瓷基板5係由單層之 生胚片32與雨陶兗薄板31堆疊而成，生胚片 32係夾置於兩陶瓷薄板3丨之間，亦即，兩陶瓷 薄板31係分別贴附生胚片32之兩相對表面，利 用兩陶瓷薄板3 1分別對生胚片32提供一束缚作 用，藉以避免生胚片32在後續燒結過程時發生 收縮之現象。 承上所述，不論是圖3、圖4或圖5 ,其陶 瓷薄板3丨與生胚片32之堆疊層數僅為舉例性， 本發明可依據f卩不之需求’交互疊置陶兗薄板3工 與生胚片32，以量產製造所需厚度的陶瓷基板。 請參照圖6，其為依據本發明較佳實施例之一種 陶瓷基板之製造方法所製造之陶瓷基板的剖面示意 圖。陶瓷基板6之表面或内部具有至少一電子元 件63或至少〆導電層64，且電子元件63包括 但不限於電容器、電阻器或電感器。當有複數個 導電層64設置時，在導電層64之間係可利用複 數個通孔（via) 65來使彼此電性導通。而本實 施例之陶瓷基板6例如是〆低溫共燒陶瓷 (LTCC )基板，並可應用於高精度之IC載板、 多晶片模組及耐候性電路板使用。 另外，請同時參照圖7與圖8所示，圖7為 200815309 依據本發明較佳實施例之另一種陶瓷基板 造方法的流程圖，而圖8為依據圖7之製造方 陶基板之堆疊示意圖。依據本發明較佳實 之另一種陶瓷基板之製造方法，其包括 Sr、S2’、δ2Γ、S3’、S31，至 S3,。步驟 S1， 七、至^ ~第一陶究薄板3 1、至少一第二陶 板33與至少一生胚片π。 與=—陶瓷薄板，使生胚片夾置於第一陶 及第一陶瓷薄板之間。如圖8所示，第一 ，3卜生胚片32、第二陶瓷薄板33、生胚 " 竟薄板3 1係依序堆疊。於s 2，步驟

包括步驟 q 9 1，· fsx、A

21 •壓合堆疊的第一陶瓷薄；I ,32與第二陶瓷薄板33。 f驟S3,係進行燒結堆疊的 成陶瓷美片”苐二陶瓷薄板33’以 包括二2。本實施例亦可於S2，步驟 更包括步C薄板生胚片於s3,步 各步驟之# i.測試陶瓷基板之特性。 造方法類=W貝麵方式及製備材料與圖： 述。在此^转^於上述實施例詳述’故： 一陶兗薄挺U1'意的是，束缚生胚片3 不相同之#併與第二陶瓷薄板33係可分‘ 貝，只要能夠來同樣達到抑制 之製 法中 施例 步驟 係提 瓷薄 胚片 薄板 瓷薄 32、 後更 31、 薄板 同形 後更 之後 由於 之製 再贅 之第 具有 置之 S2’係依序堆疊第

200815309 生胚片於燒結過程發生收縮之現象、 可。而第一陶莞薄板31、第二陶究薄板3 $、政果即 與生胚片32之材質相異。 其材質係 綜上所述，本發明之陶瓷基板之製造、^ 利用陶瓷薄板設置於一生胚片上，使f 乂方法係 程中陶瓷薄板得以提供一束缚作用^於燒結過 抑制生胚片收縮。其中陶瓷薄板的個數^胚片並 數個，且多個陶瓷薄板可為相同材質亦^以為複 材質。相較於習知技術’由於陶究薄板 的特性實質相同，因此本發明於燒結過程胚片 制收縮外，亦能夠避免發生翹曲而得到平=了抑 究基板；另外’由於作為束缚作用之陶f == 為陶曼純之一部分’因而能夠省略去除 及避免異質殘留之隱憂，進而提：： 率與可靠度。 攸 < 艮 以上所述僅為舉例性，而非為限制性者。任 何未脫離本發明《精神與範_，而董子 效修改或變更，均應包含 ς 每 3於後附之申請專利範圍 中 〇 【圖式簡單說明】 低溫共燒陶瓷基板的示意 圖1為一種習知之 圖 種陶莞基板之 圖2為㈣本發日錢佳實施例之- 14 200815309 製造方法的流程圖。 之堆::;圖圖5。為依據圖2之製造方”各種陶-繼 製造=6 H據本發明較佳實施例之—種陶1基板之 、:斤衣造之陶瓷基板的剖面示意圖。 之制^ J、為依據本發明較佳實施例之另—種陶究基板 衣k方法的流程圖。 圖。圖8為依據圖7之製造方法中陶兗基板之堆疊示意 t 70件符號說明】 I 低溫共燒陶瓷基板 II 陶瓷薄板 Ul、64導電層 112、 63電子元件 113、 65通孔 3 ' 4 Λ 5、6、8陶莞基板 31、3 3 陶兗薄板 32 生胚片 S1〜S3、S21、S31 流程步驟 SP〜S3’、S21’、S31，流程步驟 15

Claims (1)

1. 200815309 十、申請專利範圍·· 1、 一種陶瓷基板之製造方法，包括下列步驟： 提供一陶瓷薄板與一生胚片； 堆®該陶究薄板與該生胚片；以及 進行燒結該陶瓷薄板與該生胚片，以共同形成該 陶竟基板。 2、 如申請專利範圍第1項所述之製造方法，其中 於堆1"亥陶瓷薄板與該生胚片的步驟之後，更包括一步 驟： 壓合堆疊的該陶瓷薄板與該生胚片。 ^ 3、如申請專利範圍第2項所述之製造方法，其中 係以熱壓方式及均壓方式等方式壓合以使該陶瓷薄板 與該生胚片的疊層更緻密。 4 士申明專利範圍第1項所述之製造方法，其中 於進行燒結該陶瓷薄板與該生胚片的步驟之後，更包括 一步驟： 測试該陶瓷基板之特性。 5如申明專利範圍第4項所述之製造方法，其 該特性包括一介電常數及品質因子。 /、 16 1 、 如申請專利範㈣1項所述之製造方法，且 該陶兗薄板之製備係利用二較高燒結溫度之生胚片、 置較低燒結溫叙纽厂㈣域結溫度進行燒結 使較低燒結溫度之生胚片進而燒結為薄板。 7、 如申請專利範圍第！項所述之製造方法，其 200815309 :^胚片係包括至少—陶I材料及—無機黏結劑混合 而成。 8、如申請專利範圍第7項所述之製造方法，其中 ::瓦材料係選自一陶瓷粉體、一金屬氧化物粉體、一 禝5金屬氧化物粉體或其組合。 9如申请專利範圍帛7項所述之製造方法，其中 、機黏結劑係為玻璃或玻璃陶瓷。 如申明專利範圍第9項所述之製造方法，其 中该玻璃係為結晶或非結晶型態。 11如申睛專利範圍第7項所述之製造方法，其中 ^劑係選自相對其他材質不具備化學活性，並 相洁!°、°溫度低於該陶究材料以及於燒結絲中為液 相燒結之物理特性。 中該Γ、如巾請專利範11第7項所述之製造方法，其 劑。 更匕括i合黏結劑、一塑化劑或一有機溶 中兮丄3人、如中請專利範圍第12項所述之製造方法，其 ί pvn、口站、、"劑係為聚乙二醇（PEG )、聚乙烯縮丁醛 )或聚乙烯醇（PVA)。 H如中請專㈣圍fl2項所述之製造方法，其 μ 2化劑係為酸二丁醛（DBP )。 丄5如申請專利範圍第12項所述之製造方法，其 ^機溶劑係為正丙醇、曱苯或乙醇。 16、如申請專利範圍第1項所述之製造方法，其 17 200815309 中該陶曼基板之表面或内部具有至少—電子元件或至 少一導電層。 如申晴專利範圍第16項所述之製造方法，其 中忒電子7L件係為電容器、電阻器或電感器。 —18、如申請專利範圍第16項所述之製造方法，其 中若該陶瓷基板之表面或内部具有複數個導電層時，於 该些導電層之間係以至少-通孔（via)導通。 19如申睛專利範圍第ΐθ項所述之製造方法，其 中& t、之。亥生胚片或該陶瓷薄板係可預先打孔、填入導 電材料及印有導電線路。 A 20、^申請專利範圍第i項所述之製造方法，其 中该陶瓷薄板與該生胚片之間係以一黏結劑連結。 21如申請專利範圍第20項所述之製造方法，其 中忒黏結劑係為無機黏結劑。 22、 如申請專利範圍第21項所述之製造方法，其 中该無機黏結劑係為玻璃或玻璃陶瓷。 23、 如申請專利範圍第22項所述之製造方法，其 中该玻螭係為結晶或非結晶型態。 24如申請專利範圍第1項所述之製造方法，其 h亥陶莞基板係為—低溫共燒陶莞（LTCC)基板。 25、如申請專利範圍第工項所述之製造方法，其 中該陶究薄板之材質係與該生胚片之材質相異。 26·、如申請專利範圍帛1項所述之製造方法，其 中該陶瓷基板係由單層之該陶瓷薄板與兩生胚片堆疊 18 200815309 而成。 中該=專利範圍第1項所述之製造方法，其 :“反係由單層之該生胚片與兩陶瓷聶 而而1 2 3亥生胚片係夾置於該兩陶究薄板之間。且 28、如申請專利範圍第1項所述之製造方半甘 究薄板與該生胚片之數量均為複數時，該此陶 瓦溥板與該些生胚片係交互疊置。 — =徂-種陶兗基板之製造方法，包括下列步驟： “、至少一第一陶莞薄板、至少一 與至少一生胚片； 文/專扳 片，使m第—陶£薄板、第二陶㈣板與該生胚 薄板之間；以及第陶竞缚板及該第二陶竟 ^行燒結該第—陶㈣板、該生胚片與該第二陶 瓦/專板，以共同形成該陶瓷基板。 30、如申請專利範圍第29項所述之製 ㈣薄板、第二陶£薄板與該生胚片的 V私之後，更包括一步驟： 生胚片壓合堆疊的該第一陶竞薄板、第二陶㈣板與該 19 1 丨、如申請專利範圍第3〇項所述之製造方法，立 2 ^糸以熱塵方式及均屢方式等方式塵合以使該第一陶 瓦溥板、弟二陶瓷薄板與該生胚片的疊層更緻密。 3 32、如申請專利範圍第31項所述之製造方法，其 200815309 燒結該陶兗薄板與該生胚片的步驟之後，更包 測試該陶瓷基板之特性。 中二請專利範圍第32項所述之製造方法，复 中。乂特性1括—介電常數及品質因子。 、 34、如巾請專利範㈣29項所述之製造方法，复 亮::板之製備係利用二較高燒結溫 片、 燒^度之生胚片’以較低燒結溫度進行^ Ί燒由結溫度之生胚片進而燒結為該陶莞薄板。 中該生胚片°係==圍第29項所述之製造方法，其 合而成。,、夕陶瓷材料及一無機黏結劑混 中該請專利範圍第35項所述之製造方法，其 一複人入屬t斗係選自一陶瓷粉體、-金屬氧化物粉體、 至屬氧化物粉體或其組合。 中該Γ機^請專利範圍第35項所述之製造方法，其 /…、&站、、、口劑係為玻璃或玻璃陶瓷。 38如申請專難圍第η項所狀製造方法，盆 μ玻璃係為結晶或非結晶型態。 中該^如中請專利範圍第35項所述之製造方法，其 性^並具係選自相對其他材f不具備化學活 為液相燒結於該陶咖以及於燒結過程中 40、如申請專利範圍第35項所述之製造方法，其 20 200815309 中忒生胚片更包括_聚合黏結劑、一塑化劑或一有機溶 劑。 41如申睛專利範圍第40項所述之製造方法，其 中 Κ 5 4占、、口劑係為聚乙二醇（PEG )、聚乙稀縮丁酸 (PVB)或聚乙稀醇（PVA)。 > 42、如申請專利範圍第40項所述之製造方法，其 ， 中忒塑化劑係為酸二丁酸（DBP )。 43如申睛專利範圍第40項所述之製造方法，其 •中該有機溶劑係為正丙醇、曱苯或乙醇。 ^4如申睛專利範圍第29項所述之製造方法，其 :該第_是薄板之材質與該第二陶瓷薄板之材質係 Φ兮2如申請專㈣圍第29韻述之製造方法，其 少一導#面次内邛具有至少一電子元件或至 ^ 守％層。 中节Γ子如P專利範圍第45項所述之製造方法，其 =7子讀係為電容器、電阻器或電感器。 中若其申f專利範圍第45項所述之製造方法，其 該些導電層之間係以至少一：，數個導電層時’於 通孔（via)導通。 如申请專利範圍第45項 土 中提供之該生胚片或該陶 # 21之一方法，其 電材料及印有導電線路。反係可預先打孔、填入導 49、如申請專利範圍第29項所述之製造方法，其 21 200815309 薄板與該生胚片之間，以及該第二陶竟薄 生胚片之間，係以-黏結劑連结。 其 中該請專利範圍第49項所述之製造方法， / 4、、、口蜊係為無機黏結劑。 其 中該無機我Γ Μ專利耗圍第5G項所述之製造方法， 、、、4、、、°劑係為玻璃或玻璃陶瓷。 中 4申^專㈣圍第51項所述之製造方法， M J係為結晶或非結晶型態。 中該Γ咨Γ申請專利範圍第29項所述之製造方法， q -土板係為一低溫共燒陶瓷（LTCC)基板。 中兮笛4_、如中請專利範圍第29項所述之製造方法， 胚L::瓷薄板、該第二陶瓷薄板，其材質係與該 胚片之材質相異。 中如巾請專利範圍第29項所述之製造方法， 旦:=’麦薄板、該第二陶究薄板與該生胚片之 」-複數時’该些第一陶兗薄板、該些生胚片與該 弟二陶瓷薄板係依序交互疊置。 56、一種陶瓷基板，包括： ㈤瓷薄板與一生胚片，其中該陶瓷薄板與該生 糸經堆疊並進行燒結後，共同形成該陶瓷基板。 57、 如申請專利範圍第56項所述之陶瓷基板，其 、薄板與該生胚片係經堆疊後於進行燒結前，更 以壓合方式使該陶瓷薄板與該生胚片的疊層更緻密。 58、 如申請專利範圍第57項所述之陶瓷基板，其 22 200815309 中係以熱壓方式及均壓方式等方式壓合以使該陶瓷薄 板與該生胚片的疊層更緻密。 59、如申請專利範圍第56項所述之陶瓷基板，其 中進行燒結並共同形成該陶瓷基板後，便進行測試該陶 瓷基板之特性。 6〇、如申請專利範圍第59項所述之陶瓷基板，其 中该特性包括一介電常數及品質因子。 _ 61、如申請專利範圍第56項所述之陶瓷基板，其 中该陶瓷薄板之製備係利用二較高燒結溫度之生胚片 夾置較低燒結溫度之生胚片，以較低燒結溫度進行燒 結，使較低燒結溫度之生胚片進而燒結為該陶瓷薄板。 62如申请專利範圍第56項所述之陶瓷基板，其 中该生胚片係包括至少一陶瓷材料及一無機黏結劑混 合而成。 ‘ 63如申凊專利範圍第62項所述之陶瓷基板，其 •中忒P匈瓷材料係選自一陶瓷粉體、一金屬氧化物粉體、 一複合金屬氧化物粉體或其組合。 64如申睛專利範圍第62項所述之陶瓷基板，其 中該無機黏結劑係為玻璃或玻璃陶究。 、 65、如申請專利範圍第64項所述之陶瓷基板，其 中該玻璃係為結晶或非結晶型態。 上66、如申請專利範圍第62項所述之陶瓷基板，其 中。亥、無機黏結劑係選自相對其他材質不具備化學活 陡並具有燒結溫度低於該陶瓷材料以及於燒結過程中 23 200815309 為液相燒結之物理特性。 6 7、士由上 ^ 、°甲請專利範圍第62項所述之陶瓷基板，其 中°亥生胚片更包括-聚合黏結劑、-塑化劑或-有機溶 劑0 6 8、士 1 二 > $、〇甲請專利範圍第67項所述之陶瓷基板，另 中°亥艰合黏結劑係為聚乙二醇（PEG )、聚乙稀縮丁酸 (削）或聚乙烯醇（PVA)。 中該:化::二，'圍第6 7項所述之陶究基板1 1糸為酉夂二丁盤（DBP )。 中兮:〇德：申請專利範圍第67項所述之陶瓷基板，其 人'合劑係為正丙醇、甲苯或乙醇。 少一導雷μ表面或内部具有至少一電子元件或至 /子电層。 72、如申請專利 中該電子元件係為電容哭賴述之陶瓷基板，其 7. , ^ 电谷态、電阻器或電感器。 如申凊專利範圖楚 中若該m板之表面^ 項所述之陶£基板，其 該些導電層之間係以=内部具有複數個導電層時，於 74、 如申請專利範(vla)導通。 中提供之該生胚片或該 ，述之㈣基板，其 電材料及印有導電線路。免，專板係可預先打孔、填入導 75、 如申請專利範 中該陶兗薄板與該生弟56項所述之陶瓷基板，其 之間係以一黏結劑連結。 24 200815309 如巾請專利範圍第75項所述之陶究基板，其 中峨劑係為無機黏結劑。 士#—、 °申請專利範圍第76項所述之陶瓷基板，其 中該無機黏結劑传兔 d 1糸為玻璃或玻璃陶瓷。 士上78如申請專利範圍第77項所述之陶兗基板 ^玻&係為結晶或非結晶型態。 79如申請專利範圍第56項所述之陶瓷基板 及η竟基板係為一低溫共燒陶甍（ltcc)基板 士分80…如申請專利範圍第56項所述之陶究基板 以陶竟薄板之材質係與該生胚片之材質相異。 81、 如申請專利範圍第兄項所述之陶瓷基板，# 中該陶瓷基板係由單； 早肩之该陶瓷薄板與兩生胚片堆| 而成。 』82、 如巾請專㈣圍第56項所述之 中該陶瓷基板係由單声之兮座狀y Λ /、 早曰之该生胚片與兩陶瓷薄板堆疊 而成’而該生胚片係夾置於該兩陶£薄板之間。 83、 如申請專利範圍第兄項所 令當該陶莞薄板與該生胚片之數量灼^2基板其 戈售』t Θ之数里均為稷數時，該此陶 瓮溥板與該些生胚片係交互疊置。 一 其 其 其 其 84 種陶莞基板，包括 至少一第一陶莞薄板、至少一第二陶莞薄板盘至i胚片：二ί中該第一陶究薄板、第二陶莞薄板與該 生胚片係！堆璺並進行燒結後，丑 25 200815309 陶瓷薄板之間。 85、 如申請專利範圍第84項所述之陶瓷基板，其 中1亥陶瓷薄板與該生胚片係經堆疊後於進行燒結前，更 以壓=方式使該第一陶瓷薄板、第二陶瓷薄板與該生胚 片的疊層更緻密。 86、 如申請專利範圍第85項所述之陶瓷基板，其 中係以熱壓方式及均壓方式等方式壓合以使該第一陶 究薄板、第二陶瓷薄板與該生胚片的疊層更緻密。 87、 如申請專利範圍第86項所述之陶瓷基板，其 T進行燒結並共同形成該陶瓷基板後，便進行測試該陶 瓷基板之特性。 88、 如申請專利範圍第87項所述之陶瓷基板，其 中該特性包括一介電常數及品質因子。 > 89、如申請專利範圍第料項所述之陶瓷基板，其 中忒陶瓷濤板之製備係利用二較高燒結溫度之生胚片 夾置較低燒結溫度之生胚片，以較低燒結溫度進行燒 結，使較低燒結溫度之生胚片進而燒結為該陶瓷薄板。 二90、如申請專利範圍第料項所述之陶瓷基板，其 中该生胚片係包括至少―陶甍材料及—無機黏結劑混 合而成。 上91、如申請專利範圍第9〇項所述之陶瓷基板，其 中箱材料係、選自—陶变粉體、—金屬氧化物粉體、 一複合金屬氧化物粉體或其組合。 92、如申請專利範圍第9〇項所述之陶瓷基板，其 26 200815309 中該無機黏結劑係為玻璃或破璃陶究。 93、如申請專利範 中該玻璃係為結晶或非結晶型態J。、所述之陶兗基板，其 二二利:?Λ9°項所述之陶莞基板，其 ^係選自相對其他材質 性，並具有燒έ士、、W疮把# 貝个/、備化子/舌 為液相燒結之Γ理材料以及於燒結過程中 中該生胚片更包弟90項所述之陶兗基板，其 劑。 來5黏結劑、一塑化劑或一有機溶 ” 申請專利範圍第95項所述之陶瓷基板，其 r PVQ x ^ , π來G — ％ C PEG )、聚乙烯縮丁醛 )或4乙稀醇（P VA )。 中兮二?:巾請專㈣圍第95制述之㈣基板，其 〜 沖丨係為酸二丁酸：（DBP )。 :8如申請專利範圍第％項所述之陶究基板，其 q $機〉谷劑係為正丙醇、甲苯或乙醇。 '、 φ括Γ *申請專利範圍第84項所述之陶究基板，其 不：：：陶瓷薄板之材質與該第二陶瓷薄板之材質係 其中：究專範圍第84項所述之陶莞基板’ 土板之表面或内部具有至少一電子元件或 ^ ^ 等電層。 101、如申請專利範圍第100項所述之陶瓷基板， 27 200815309 其中該電子元件係為電 L ^ 勺电谷态、電阻器或電感器。 φ ^ 明專利範圍第100項所述之陶瓷基板， 時，於該些導電層之 =或内部具有複數個導電層 电曰之間係以至少一通孔（via)導通。 i由^03如申睛專利範圍第100項所述之陶兗基板’ 日供之4生胚片或該陶兗薄板係可預先打孔、埴入 導電材料及印有導電線路。 - 甘“1 °!、如申請專利範圍第84項所述之陶兗基板， ^ Λ第陶瓷薄板與該生胚片之間，以及該第二陶瓷 溥板與該生胚片之間，細—黏結劑連結。 105、如申請專利範圍第104項所述之陶瓷基板， /、中該黏結劑係為無機黏結劑。 ^06、如申請專利範圍第105項所述之陶瓷基板， /、中忒無钱黏結劑係為玻璃或玻璃陶瓷。 107、如申請專利範圍第10ό項所述之陶瓷基板， 其中邊玻璃係為結晶或非結晶型態。 1 〇8、如申請專利範圍第84項所述之陶瓷基板， ”中該陶瓷基板係為一低溫共燒陶瓷（LTCC )基板。 109、如申請專利範圍第84項所述之陶瓷基板， /、中，亥第—陶瓷薄板、該第二陶瓷薄板，其材質係與該 生胚片之材質相異。 、，11〇、如申請專利範圍第84項所述之陶瓷基板，其 富/弟陶究薄板、該第二陶兗薄板與該生胚片之數 曰句為複數時’該些第一陶究薄板、該些生胚片與該些 28 200815309 第二陶瓷薄板係依序交互疊置。 29