200815118 九、發明說明 【發明所屬之技術領域】 本發明係關於洗淨裝置及洗淨方法，尤其是，與用以 洗淨半導體裝置臀造裝置之狹小空間之洗淨裝置及洗淨方 法相關。 【先前技術】 通常，對半導體裝置用之晶圓等之基板實施既定處理 之基板處理裝置，具備用以收容基板實施既定處理之處理 室（以下，稱爲「腔室」）。該腔室內，會因爲既定處理所 發生之反應生成物，而產生附著物。該等附著之附著物會 成爲浮遊之粒子，該粒子附著於基板表面時，利用該基板 所製造之製品，例如，半導體裝置時，會發生配線短路， 而降低半導體裝置之產率。因此，爲了除去腔室內之附著 物，利用作業者之人工作業實施腔室內之濕洗等之維護。 然而，面對腔室內之伸縮管及排氣系零件等之狹小空 間之構成零件時，因爲利用上述之作業者之人工作業難以 進行維護，長時間持續使用該基板處理裝置時，於面對該 狹小空間之構成零件會堆積附著物。該堆積之附著物所導 致之粒子會侵入基板之處理空間並附著於基板之表面。例 如，於面對歧管附近之狹小空間之構成零件，堆積於該構 成零件之附著物若剝離，會被配設於該歧管附近之排氣泵 之旋轉葉片反彈，該反彈之粒子侵入基板之處理空間’而 使該粒子附著於基板之表面（例如，參照專利文獻1)。 -4 - 200815118 因此，傳統以來，爲了除去堆積於面對上述伸縮管及 排氣系零件等之狹小空間之構成零件之附著物，利用市販 之吸麈器，例如，利用只具有吸引口之吸麈器來吸引附著 物。 [專利文獻1]日本特願2006-00 5 3 44號 【發明內容】 然而，利用上述市販之吸麈器吸引附著物時，無法吸 引除去較大之附著物，而只能吸引除去微細之附著物，亦 即，難以充份實施面對狹小空間之構成零件之洗淨。因此 ，長時間使用基板處理裝置，會使該微細附著物堆積於面 對狹小空間之構成零件，而發生如上所述之該堆積之附著 物所產生之粒子附著於基板表面之問題。 爲了解決上述問題，藉由更換或分解面對伸縮管或排 氣系零件等之狹小空間之構成零件，來實施面對狹小空間 之構成零件之維護，然而，該維護有費時、浪費勞力及成 本之問題。 本發明之目的係在提供可有效率且充份洗淨面對狹小 空間之構成零件之洗淨裝置及洗淨方法。 爲了達成上述目的，申請專利範圍第1項所記載之洗 淨裝置，除去附著於構造物之附著物來洗淨該構造物之洗 淨裝置，係除去附著於構造物之附著物之洗淨裝置，其特 徵爲具備：將混合存在著氣體狀態之物質與液體及固體之 任一狀態之前述物質相同之物質之混合體朝前述附著物噴 -5- 200815118 出之噴出部；及吸引該被噴出之混合體及該混合體所噴出 之前述附著物之吸引部。 申請專利範圍第2項所記載之洗淨裝置係如申請專利 範圍第1項所記載之洗淨裝置，其中，前述噴出部之噴出 口係形成於前述吸引部之吸引口內。 申請專利範圍第3項所記載之洗淨裝置係如申請專利 範圍第2項所記載之洗淨裝置，其中，更具備同時連結著 前述噴出部及前述吸引部之泵，前述泵具有對應前述噴出 部之第1葉輪及前述吸引部之第2葉輪，前述第1葉輪與前 述第2葉輪爲同軸配置，前述第1葉輪之各葉片之傾斜角與 前述第2葉輪之各葉片之傾斜角爲相反。 申請專利範圍第4項所記載之洗淨裝置係如申請專利 範圍第1項所記載之洗淨裝置，其中，前述吸引部之吸引 口配置於前述噴出部之噴出口之附近。 ’ 申請專利範圍第5項所記載之洗淨裝置如申請專利範 圍第1至4項中之任一項所記載之洗淨裝置，其中，前述噴 出部係由筒狀構件所構成，該噴出部位於噴出口附近而具 有頸縮形狀。 申請專利範圍第6項所記載之洗淨裝置係如申請專利 範圍第1至5項中之任一項所記載之洗淨裝置，其中，前述 噴出部更具有將經過加熱之氣體噴向前述附著物之加熱氣 體噴出部，前述吸引部吸引該被噴出之經過加熱之氣體及 該經過加熱之氣體所噴出之前述附著物。 申請專利範圍第7項所記載之洗淨裝置係如申請專利 -6 - 200815118 範圍第1至6項中之任一項所記載之洗淨裝置，其中，前述 噴出部更具有對氣體賦予振動並噴向前述附著物之振動賦 予氣體噴出部，前述吸引部吸引該被噴出之振動賦予氣體 及該振動賦予氣體所噴出之前述附著物。 申請專利範圍第8項所記載之洗淨裝置係如申請專利 範圍第1至7項中之任一項所記載之洗淨裝置，其中，前述 噴出部更具有將單極離子噴向前述附著物之單極離子噴出 φ 部，前述吸引部於吸引口更具有用以發生與前述單極離子 之極爲逆極之電場之逆電場發生部，且吸引前述被噴出之 單極離子及該單極離子所噴出之前述附著物。 申請專利範圍第9項所記載之洗淨裝置係如申請專利 範圍第1至8項中之任一項所記載之洗淨裝置，其中，前述 噴出部更具有將電漿噴向前述附著物之電漿噴出部，前述 吸引部吸引該被噴出之電漿及該電漿所噴出之前述附著物 〇 • 申請專利範圍第1 〇項所記載之洗淨裝置係如申請專利 範圍第1至9項中之任一項所記載之洗淨裝置，其中，前述 噴出部更具有拭除前述附著物之刷部，前述吸引部吸引該 刷部所拭除之前述附著物。 申請專利範圍第11項所記載之洗淨裝置係如申請專利 範圍第1至10項中之任一項所記載之洗淨裝置，其中，前 述噴出部更具有實施前述構造物之除菌之除菌裝置。 爲了達成上述目的，申請專利範圍第1 2項所記載之洗 淨方法’係除去附著於構造物之附著物來洗淨該構造物之 200815118 洗淨方法，其特徵爲具有：將混合存在著氣體狀態之物質 及與液體及固體之任一狀態之前述物質相同之物質之混合 體朝前述附著物噴出之噴出步驟；及吸引該被噴出之混合 體及該混合體所噴出之前述附著物之吸引步驟。 申請專利範圍第1 3項所記載之洗淨方法係如申請專利 範圍第1 2項所記載之洗淨方法，其中，更具有將經過加熱 之氣體噴向前述附著物之加熱氣體噴出步驟，前述吸引步 驟吸引該被噴出之經過加熱之氣體及該經過加熱之氣體所 噴出之前述附著物。 申請專利範圍第1 4項所記載之洗淨方法係如申請專利 範圍第1 2或1 3項所記載之洗淨方法，其中，更具有對氣體 賦予振動並噴向前述附著物之振動賦予氣體噴出步驟，前 述吸引步驟吸引該被噴出之振動賦予氣體及該振動賦予氣 體所噴出之前述附著物。 申請專利範圍第1 5項所記載之洗淨方法係如申請專# 範圍第12至14項中之任一項所記載之洗淨方法，其中，胃 有將單極離子噴向前述附著物之單極離子噴出步驟、& $ 以發生與前述單極離子之極爲逆極之電場之逆電場發 驟，前述吸引步驟吸引前述被噴出之單極離子及該單極II 子所噴出之前述附著物。 申請專利範圍第1 6項所記載之洗淨方法係如申請專利j 範圍第12至15項中之任一項所記載之洗淨方法，其中，更 具有將電漿噴向前述附著物之電漿噴出步驟，前述吸引# 驟吸引該被噴出之電漿及該電漿所噴出之前述附著物。 -8- 200815118 申請專利範圍第1 7項所記載之洗淨方法係如申請專利 範圍第12至16項中之任一項所記載之洗淨方法，其中，更 具有利用刷部拭除前述附著物之附著物刷除步驟，前述吸 引步驟吸引該刷部所拭除之前述附著物。 申請專利範圍第1 8項所記載之洗淨方法係如申請專利 範圍第12至17項中之任一項所記載之洗淨方法，其中，更 具有實施前述構造物之除菌之除菌步驟。 依據申請專利範圍第1項所記載之洗淨裝置及申請專 利範圍第1 2項所記載之洗淨方法，因爲將混合存在著氣體 狀態之物質與及與液體及固體之任一狀態之前述物質相同 之物質之混合體朝附著於構造物之附著物噴出，利用該混 合體之粘性力、物理衝擊、及捲入等，可從該構造物剝離 該混合體所噴到之附著物。其次，因爲吸引該被噴出之混 合體及該混合體所噴出之附著物’可以吸引從上述構造體 剝離之附著物，因此’可以除去無法只以吸引來除去之微 細附著物。藉此，可以充份洗淨面對基板處理裝置內之狹 小空間之構成零件，因此，可以防止所製造之半導體裝置 之產率降低。 依據申請專利範圍第2項所記載之洗淨裝置’因爲噴 出部之噴出口形成於吸引部之吸引口內’於吸引口可確實 吸引該噴出口所噴出之混合體及該混合體所噴出之附著物 ，且柯以實現洗淨裝置之構成簡化。 依據申請專利範圍第3項所記載之洗淨裝置’因爲於 同時連結著噴出部及吸引部之具有對應該噴出部之第1葉 -9- 200815118 輪及對應該吸引部之第2葉輪之泵，同軸配置著著該第1葉 輪與該第2葉輪，且，該第1葉輪之各葉片之傾斜角與該第 2葉輪之各葉片之傾斜角爲相反，故噴出部可噴出氣體且 同時可利用吸引部吸引氣體，此外，可以實現泵之小型化 〇 依據申請專利範圍第4項所記載之洗淨裝置，因爲吸 引部之吸引口配置於噴出部之噴出口之附近，吸引口可確 實地吸引該噴出口所噴出之混合體及該混合體所噴出之附 著物。此外，因爲噴出部及吸引部之配置具有高自由度， 故可效率且確實地除去附著於面對更狹小空間之構造物之 微細附著物。 依據申請專利範圍第5項所記載之洗淨裝置，因爲由 筒狀構件所構成之噴出部位於噴出口附近而具有頸縮形狀 ，故該噴出部所噴出之氣體於該噴出口附近可以進行加速 。結果，可使該氣體之一部份於噴出口附近霧化，且可利 用該氣體之加速來形成衝擊波。 依據申請專利範圍第6項所記載之洗淨裝置及申請專 利範圍第1 3項所記載之洗淨方法，因爲對附著於構造物之 附著物噴出經過加熱之氣體，利用該經過加熱之氣體之熱 應力等，可從該構造物剝離該經過加熱之氣體所噴到之附 著物。其次，因爲吸引該被噴出之經過加熱之氣體及該經 過加熱之氣體所噴出之附著物，可以吸引從上述構造體剝 離之附著物，因此，可以更有效率地除去微細附著物。 依據申請專利範圍第7項所記載之洗淨裝置及申請專 -10- 200815118 利範圍第1 4項所記載之洗淨方法，對氣體賦予振動（脈動 或脈衝等）並噴向附著於構造物之附著物，利用藉由該被 賦予振動之氣體之該氣體中之分子之激烈物理衝突等，可 以從該構造物剝離該被賦予振動之氣體所噴到之附著物。 其次，吸引該被噴出之被賦予振動之氣體及該被賦予振動 之氣體所噴出之附著物，可以吸引從上述構造體剝離之附 著物，因此，可以更有效率地除去微細附著物。 φ 依據申請專利範圍第8項所記載之洗淨裝置及申請專 利範圍第1 5項所記載之洗淨方法，因爲對附著於構造物之 附著物噴出單極離子，可以利用該單極離子使該單極離子 所噴出之附著物帶單極之電。其次，於吸引口發生與該單 極離子之極爲逆極之電場，且吸引該被噴出之單極離子及 該單極離子所噴出之附著物，故可利用引力從上述構造體 剝離帶該單極之電之附著物，且吸引該剝離之附著物，因 此，可以更有效率地除去微細附著物。 • 依據申請專利範圍第9項所記載之洗淨裝置及申請專 利範圍第1 6項所記載之洗淨方法，因爲對附著於構造物之 附著物噴出電漿，可以利用該電漿，尤其是，該電漿中之 自由基之化學反應，從該構造物剝離該電漿所噴出之附著 物。其次，因爲吸引該被噴出之電漿及該電漿所噴出之附 著物，而可吸引從上述構造體剝離之附著物。因此’可以 更有效率地除去微細附著物。 依據申請專利範圍第1 0項所記載之洗淨裝置及申請專 利範圍第1 7項所記載之洗淨方法，因爲拭除附著於構造物 -11 - 200815118 之附著物，可以從該構造物剝離該附著物。其次，因爲吸 引該拭除之附著物，而可吸引從上述構造體所剝離之附著 物，因此，可確實地除去附著物。 依據申請專利範圍第11項所記載之洗淨裝置及申請專 利範圍第1 8項所記載之洗淨方法，因爲實施構造物之除菌 ，而可實施構造物之殺菌。結果，可以防止基板處理裝置 內細菌增殖所導致之污染物質之發生。 【實施方式】 以下，參照圖面，針對本發明之實施形態進行說明。 首先，針對應用本發明之實施形態之洗淨裝置之基板 處理裝置進行說明。 第1圖係應用本發明之實施形態之洗淨裝置之基板處 理裝置之槪略構成之剖面圖。 第1圖中，對半導體裝置用之晶圓W(以下，簡稱爲「 晶圓 W」）實施電漿處理，例如，實施反應性離子鈾刻 (Reactive Ion Etch.ing)處理之触刻處理裝置之構成之基板 處理裝置1 0，具備由金屬，例如由鋁或不鏽鋼所構成之腔 室Π做爲處理室。 該腔室11內，載置著例如直徑爲300mm之晶圓 W， 且，配置著可與該載置之晶圓 W —起於腔室11內上下昇 降之做爲載置台之下部電極1 2、及以與該下部電極1 2相對 之方式配置於腔室11之天花板部且對腔室11內供應後述處 理氣體之蓮蓬頭1 3。 -12 - 200815118 下部電極12介由下部整合器15連結著下部高頻電源14 ，下部高頻電源14對下部電極12供應既定之高頻電力。此 外。下部整合器1 5，降低來自下部電極1 2之高頻電力之反 射且使該高頻電力對下部電極1 2之入射效率爲最大。 於下部電極1 2之內部上方，配置著利用靜電吸著力吸 著晶圓W之ESC16。ESC16內建著由電極膜層積所形成之 ESC電極板17，該ESC電極板17電性連結著直流電源18 。ESC1 6利用直流電源18對ESC電極板17施加直流電壓而 發生之庫侖力或Johnsen-Rahbek力將晶圓W吸著保持於 其上面。此外，於ESC16之周緣配設著由矽（Si)等所構成 之圓環狀之聚焦環20，該聚焦環20使發生於下部電極12上 方之電漿朝晶圓W收斂。 於下部電極12之下方，配置著從該下部電極12之下部 朝下方延伸之支持體23。該支持體23支持著下部電極12， 藉由旋轉未圖示之滾珠螺桿實施下部電極1 2之昇降。此外 ，支持體23之周圍覆蓋著伸縮管40而與腔室11內之環境進 行隔離。此外，伸縮管40(構造物）之周圍，分別覆蓋著伸 縮管罩24、25，於該伸縮管40附近形成非常狹窄之狹小空 間。 於腔室11之側壁，配設著晶圓W之搬出入口 26及排 氣部27(構造物）。利用配設於基板處理裝置10附近之具備 LLM(載置鎖定模組）（未圖示）之搬送臂（未圖示），介由搬 出入口 26實施晶圓W對介腔室11內之搬出入。排氣部27 連結於由排氣歧管、APC(Automatic Pressure Control)閾 -13 - 200815118 、DP(Dry Pump)、TMP(Turbo Molecular Pump)等（全部未 圖示）所構成之排氣系，將腔室11內之空氣等排出外部。 此外，於排氣部2 7附近，形成非常狹窄之狹小空間。 該基板處理裝置1 〇，對腔室1 1內搬入晶圓W時，下 部電極12下降至與搬出入口 26相同之高度，對晶圓W實 施電漿處理時，下部電極1 2上昇至晶圓W之處理位置。 此外，第1圖係將晶圓W搬入腔室11內時之搬出入口 26及 下部電極12之位置關係。 此外，蓮蓬頭1 3具有面對下部電極1 2上方空間之處理 空間 S之具有多數氣體通氣孔28之圓板狀之上部電極 (CEL)29、及配置於該上部電極29之上方且以可自由裝卸 之方式支持著上部電極2 9之電極支持體3 0。此外，面對上 部電極29之處理空間S當中之相當於外周部之面，係爲配 置於腔室Π內之天花板部之圓環狀構件之遮蔽環35之內周 部所覆蓋。遮蔽環35係由例如石英等所構成，用以從電漿 保護用以將配置於上部電極29之外周部之該上部電極29螺 固於腔室1 1之天花板部之螺絲（未圖示）。 ， 上部電極29，介由上部整合器32連結著上部高頻電源 3 1，上部高頻電源3 1，對上部電極29供應既定之高頻電力 。此外，上部整合器32，降低來自上部電極29之高頻電力 之反射且使該高頻電力對上部電極29入射效率爲最大。 於電極支持體30之內部，配設著緩衝室33，該緩衝室 33連結著處理氣體導入管（未圖示）。從處理氣體導入管對 緩衝室33導入例如氧氣（〇2)、氬氣（Ar)、以及四氟化碳 -14- 200815118 (cf4)之單獨或組合所構成之處理氣體，該導入之處理氣 體介由氣體通氣孔2 8供應給處理空間S。 於該基板處理裝置10之腔室11內，如上面所述，對下 部電極12及上部電極29施加高頻電力，藉由該施加之高頻 電力於處理空間S利用處理氣體發生高密度之電漿，而產 生離子或自由基等所構成之電漿。該等生成之電漿，藉由 聚焦環1 9收斂至晶圓W表面，對晶圓W表面實施物理或 化學鈾刻。 此外，於該基板處理裝置1 〇之腔室1 1內，於上述蝕刻 時，發生反應生成物等，該反應生成物附著於腔室11內之 各構成零件，例如，附著於伸縮管40或排氣部27。 其次，針對本發明之實施形態之洗淨裝置進行說明。 本實施形態之洗淨裝置，尤其適用於上述基板處理裝置內 之面對狹小空間之構成零件之洗淨。 第2(A)圖係本發明之實施形態之洗淨裝置之槪略構成 之槪念圖。 此外，將第2(A)圖之右方稱爲「右側」，將左方稱爲 「左側」。此外，第2(B)圖係第2(A)圖之泵之葉輪之槪略 構成圖。 第2(A)圖中，洗淨裝置100具有：框體（未圖示）所圍 繞之本體120 ;由從本體120內部貫通上述框體可向右側自 由彎曲地延伸之後述吸引管112及噴出管114所構成之二重 管噴嘴110;連結於本體120內部之噴出管114，將氣體供 應裝置（未圖示）所供應之後述既定氣體供應給噴出管114 -15- 200815118 之氣體供應配管140 ;連結於本體120內部之吸引管1 12 ’ 將吸引管II2內之吸引氣體排氣至外部之氣體排氣配管150 ;以及配設於該氣體排氣配管150之途中且配設於本體120 之外部之除害裝置130。 此外，本體120內部，於二重管噴嘴11〇從左側依序配 設著第2 (B)圖所示之泵1 2 4、粒子除去過濾器1 2 2、粒子監 視器1 2 1。此外，二重管噴嘴1 1 〇，於泵1 24之左側’噴出 管1 14貫通吸引管1 12之側面而分岐出吸引管1 12，藉此， 噴出管114及吸引管112成爲單獨之配管。 泵124如第2(B)圖所示，其中心具有中心軸127，該中 心軸127藉由來自連結於該中心軸127之馬達（未圖示）之旋 轉驅動力而進行圖中之逆時針方向旋轉。此外，於中心軸 127之周圍，以等角間隔配設著從該中心軸127朝半徑方向 之外側延伸之複數葉片126a，該中心軸127及複數葉片 126a構成噴出葉輪124a，該噴出葉輪124a介設於二重管 噴嘴1 10之噴出管1 14。於該葉片126a，配設著以分別藉由 逆時針方向旋轉而使噴出管114內之氣體從第2(A)圖中之 左側流向右側爲目的之傾斜角。 此外，泵124，具有接合於各葉片126a之半徑方向外 側之端部且以環繞於各葉片126a之方式配置之環狀軸128 。此外，於環狀軸1 28之周圍，以等角間隔配設著從該環 狀軸128朝半徑方向之外側延伸之複數葉片125a，該環狀 軸128及複數葉片125a構成吸引葉輪124b，該吸引葉輪 124b介設於二重管噴嘴1 1〇之吸引管1 12。於該葉片125a -16- 200815118 ，配設著分別藉由逆時針方向旋轉而使吸引管1 1 2內之氣 體從第2(A)圖中之右側流向左側爲目的之與配設於上述葉 片1 2 6 a之傾斜角爲相反之傾斜角。 藉此，泵124可對噴出管114噴出氣體且同時利用吸引 管112吸引氣體。此外，泵124，因爲吸引葉輪124b及噴 出葉輪124a係同軸配置，故可實現泵124之小型化。 此外，本實施形態時，環狀軸128未接合於內側之各 葉片1 2 6 a而連結於上述中心軸所連結之馬達以外之其他 馬達（未圖示），藉由調整來自各馬達之旋轉驅動力，可以 使內側之葉片126a及外側之葉片125a個別地任意旋轉。 藉此，可以任意調整噴出管114所噴出之氣體之噴出力、 及吸引管1 12之氣體吸引力之強弱。 粒子除去過濾器122，用以除去吸引管1 12內之吸引氣 體中之粒子。粒子監視器1 2 1，例如，利用雷射光漫射法 來監視吸引管112內之吸引氣體中之粒子量。藉由監視該 吸引氣體中之粒子量，可以檢測出後述之洗淨處理終點。 除害裝置1 3 0，內部具有活性碳等，利用該活性碳吸著吸 引氣體所含有之有機物及有害物。 第3(A)圖係第2(A)圖之二重管噴嘴110之前端部之槪 略構成之放大剖面圖，第3(B)圖係該二重管噴嘴110之前 端部之槪略構成之立體圖。此外，第3(A)圖係利用二重管 噴嘴110洗淨附著於構造物50表面之粒子P時之說明圖。 此外，面對狹小空間之構造物（構成零件）相當於伸縮管40 及排氣部27，此處，爲了說明上之方便，利用一般化之構 -17- 200815118 造物50進行說明。 第3(A)圖中，二重管噴嘴Π0具有噴出管114、及環繞 該噴出管114之吸引管112，噴出管114之噴出口 114a係形 成於吸引管11 2之吸引口 112a內。噴出管114，於其噴出 口 1 14a附近具有頸縮部1 14b，使利用氣體供應配管140所 供應且利用泵1 24加速至既定流速之既定氣體於該頸縮部 1 14b進一步獲得加速。結果，該頸縮部1 14b之噴出管1 14 內之氣體壓力急速降低，藉由該氣體之斷熱膨張而使該氣 體中之一部份凝固，而使該氣體之一部份霧化。此外，氣 體因爲加速而形成衝擊波。藉此，噴出管114將含有由氣 體及與該氣體爲相同之物質所構成之霧氣之衝擊波噴向附 著於構造物50表面之粒子P。 本實施形態時，爲了從噴出管114噴出含有霧氣之氣 體，上述未圖示之氣體供應裝置係供應含有容易霧化之成 份之氣體。此外，本實施形態之洗淨裝置1 〇〇，因爲主要 係使用於大氣壓下及常溫下，噴出管114所噴出之氣體， 以於大氣壓下及常溫下，爲氣體或液體且融點及沸點之溫 度間隔較狹窄之昇華性及揮發性較強之氣體爲佳。從氣體 供應裝置對噴出管1 1 4內供應之氣體，例如，係氮、氬、 二氧化碳、水、乙醇。 此外，於外部诙無疏狀態之環境下，噴出管1 14所噴 出之氣體之速度，從噴出口 114a至約20mm程度之範圍爲 最大，本發明者已利用數値模擬等進行確認，以將從噴出 口 114a至構造物50之距離L2設定成20mm以下爲佳。此外 -18- 200815118 ，噴出管π 4所噴出之氣體含有有害物質時，爲了減少對 外部環境之氣體釋放量，以將從吸引口 1 12a至構造物50 之距離設定成10mm以下爲佳。因此，二重管噴嘴11〇 之前端部，以吸引管112之吸引口 112a從噴出管114之噴 出口 114a突出l〇mm程度之形狀爲佳。 以下，針對利用本發明之實施形態之洗淨裝置之洗淨 處理進行說明。 第4圖，係利用本發明之實施形態之洗淨裝置之洗淨 處理之步驟圖。 第4圖中，首先，從二重管噴嘴110之噴出管11 4之噴 出口 1 14a朝附著於構造物50表面之粒子P噴出含有氣體 及由與該氣體相同之物質所構成之霧氣A之衝擊波（第 4(A)圖）。 其次，附著於構造物50表面之粒子P，因爲該氣體之 粘性力、該氣體之物理衝擊、霧氣A之物理衝撃、以及 霧氣A之捲入等，而從構造物50表面剝離（第4(B)圖）。 其次，從構造物50表面剝離之粒子P，從吸引口 112a 被吸引至吸引管112並供應給氣體排氣配管150而排氣至外 部（第4(C)圖）。 依據第4圖之洗淨處理，從噴出口 1 1 4a將含有氣體及 由與該氣體相同之物質所構成之霧氣A之衝擊波噴向粒 子P，粒子因爲該氣體之粘性力等而剝離，並被吸引口 112a吸引，故可除去無法單純以吸引除去之微細粒子P( 附著物）。藉此，可以確實對基板處理裝置10內之面對狹 -19- 200815118 小空間之構成零件實施洗淨，因此，可以防止最終之製造 半導體裝置之產率之降低。 此外，因爲產生氣體及由同一物質所構成之霧氣，於 氣體，無需特別混入容易凝固之其他物質，氣體之處理更 爲容易，此外，可以實現氣體供應裝置之構成之簡化。 其次，針對利用本發明之實施形態之洗淨裝置之變形 例之洗淨處理進行說明。以下所示之洗淨裝置之變形例’ φ 亦可以爲於上述吸引管1 12之內部具有噴出管1 14之構成， 追加以下之構成之構成。 第5(A)圖及第5(B)圖係利用本發明之實施形態之洗淨 裝置之第1變形例之洗淨處理之步驟圖。 首先，從噴嘴210之加熱氣體噴出管214之噴出口 214a 朝附著於構造物5 0表面之粒子P噴出利用配設於氣體供應 配管1 40之途中之加熱單元1 4 1進行加熱之加熱氣體（第 5 ( A)圖）。 # 其次，被加熱氣體所噴到之粒子P，因诙該氣體之熱 應力等而從構造物50表面剝離，並從吸引口 112a被吸引 至吸引管1 12而排氣至外部（第5(B)圖）。 依據第5(A)圖及第5(B)圖之洗淨處理，從噴出口 214a 對粒子P噴出加熱氣體，粒子P因爲該氣體之熱應力等而 剝離，並被吸引口 1 12a所吸引，可以更有效率地除去微 細粒子P。 第5(C)圖及第5(D)圖係利用本發明之實施形態之洗淨 裝置之第2變形例之洗淨處理之步驟圖。 -20- 200815118 首先，利用配置於噴嘴310之振動賦予氣體噴出管314 之噴出口 314a之超音波發生裝置315對氣體賦予振動，從 振動賦予氣體噴出管314之噴出口 314a對附著於構造物50 表面之粒子P噴出振動賦予氣體（第5(C)圖）。 其次，振動賦予氣體所噴到之粒子P，因爲對該氣體 賦予振動而使振動賦予氣體中之分子產生激烈之物理衝突 等，而從構造物50表面剝離，並被吸引口 1 12a吸引至吸 引管1 12而排氣至外部（第5(D)圖）。 依據第5(C)圖及第5(D)圖之洗淨處理，從噴出口 314a 對粒子P噴出振動賦予氣體，利用分子之激烈物理衝突等 使粒子剝離，並被吸引口 1 12a吸引，可更有效率地除去 微細粒子P。 第6(A)圖及第6(B)圖係利用本發明之實施形態之洗淨 裝置之第3變形例之洗淨處理之步驟圖。 首先，從噴嘴410之單極離子噴出管414之噴出口 414a 對附著於構造物50表面之粒子P噴出單極離子供應配管 142所供應之單極離子1(第6(A)圖）。 其次，單極離子I所噴到之粒子P，因爲單極離子I 而帶單極之電，因爲配設於吸引管112之吸引口 112a附近 之電極板415(逆電場發生部）所發生之與該單極離子I爲 逆極之電場之引力而從構造物5 0表面剝離，並從吸引口 1 12a被吸引至吸引管1 12而排氣至外部（第6(B)圖）。 依據第6(A)圖及第6(B)圖之洗淨處理，從噴出口 414a 對粒子P噴出單極離子I，利用該單極離子I使粒子P帶 -21 - 200815118 電，且利用與單極離子I爲逆極之電場之引力使該粒子p 剝離，利用吸引口 112a進行吸引，可更有效率地除去微 細粒子P。 此外，水處理時，若考慮粒子p附著於吸引管112之 配設於吸引口 112a附近之電極板41 5而使該電極板41 5之 引力降低，亦可藉由於該電極板415連結振動子或加熱器 等，來防止該粒子P之附著。 第6(C)圖及第6(D)圖係利用本發明之實施形態之洗淨 裝置之第4變形例之洗淨處理之步驟圖。 首先，從噴嘴510之自由基噴出管514之噴出口 514a 介由大氣電漿發生裝置515發生電漿，將該電漿，尤其是 ，該電漿中之自由基噴向附著於構造物50表面之粒子P( 第6(C)圖）。 其次，自由基所噴到之粒子P，因爲該自由基之化學 反應而從構造物50表面剝離，並被吸引口 1 12a吸引至吸 引管112而排氣至外部（第6(D)圖）。 依據第6(C)圖及第6(D)圖之洗淨處理，從噴出口 514a 對粒子P噴出介由大氣電漿發生裝置515所發生之電漿中 之自由基，藉由該自由基之化學反應使粒子P剝離，並被 吸引口 112a吸引，可更有效率地除去微細粒子P。 第7(A)圖係本發明之實施形態之洗淨裝置之第5變形 例之主要部位之槪略構成之放大剖面圖。 第7(A)圖中，噴嘴610具有：噴出管614、環繞該噴出 管614之吸引管112。噴出管614，於其噴出口 614a，具有 -22- 200815118 旋轉刷615，該噴出管61 4使旋轉刷61 5進行旋轉且拭除附 著於構造物50之粒子P，同時噴出氣體，可確實推刷粒子 P且對該粒子P噴出氣體。藉此，可使粒子P剝離，因此 ，可確實除去粒子P。 第7(B)圖係本發明之實施形態之洗淨裝置之第6變形 例之主要部位之槪略構成之放大剖面圖。 第7(B)圖中，噴嘴710具有：噴出管714、及環繞該噴 出管714之吸引管112。噴出管714，於其噴出口 714a附近 ，具有低壓水銀燈7 1 5，該噴出管7 1 4，從低壓水銀燈7 1 5 對構造物50照射波長254nm程度之紫外線且對粒子P噴出 氣體。藉此，可除去粒子P且可實施構造物50之殺菌，因 此，亦可防止附著於構造物50之細菌之增殖所造成之污染 物質之發生。 第8(A)圖係本發明之實施形態之洗淨裝置之第7變形 例之主要部位之槪略構成之立體圖。 第8(A)圖中，二重管噴嘴810具有：具扁平形狀之噴 出管814;及具有與該噴出管814相同之扁平形狀，環繞該 噴出管814之吸引管812;且，噴出管814之噴出口 814a， 形成於吸引管812之吸引口 812a內。藉此’執行上述各洗 淨處理，可除去微細粒子P。此外，因爲二重管噴嘴8 1 0 係由具有扁平形狀之噴出管814及吸引管812所構成，具有 適合刮取之形狀，可以利用二重管噴嘴之前端部實施構造 物之刮取洗淨。 第8 (B)圖係本發明之實施形態之洗淨裝置之第8變形 -23- 200815118 例之主要部位之槪略構成之放大剖面圖。 如第8(B)圖所示，亦可以爲非噴出管91 4及吸引管912 之二重管構造，而爲將吸引管912之吸引口 912a配設於噴 出管914之噴出口 914a附近之構成。本變形例時，亦可實 施上述各洗淨處理來除去微細附著物。此外，本變形例時 ，因爲噴出管91 4及吸引管912之配置自由度較高，對於附 著於面對更狹窄之狹小空間面之構造物之微細粒子P，亦 可有效率且確實地除去。 上述之實施形態時，係針對應用本發明之基板處理裝 置爲半導體裝置製造裝置之鈾刻處理裝置時進行說明，然 而，適用本發明之基板處理裝置並未受限於此，亦可應用 於其他利用電漿之半導體裝置製造裝置，例如，CVD( Chemical Vapor Deposition) 、 PVD(Physical Vapor Deposition)等之成膜處理裝置。此外，本發明亦可應用於 離子注入處理裝置、真空搬送裝置、熱處理裝置、分析裝 置、電子加速器、FPD(Flat Panel Display)製造裝置、太 陽電池製造裝置、或物理量分析裝置之蝕刻處理裝置、成 膜處理裝置等之具有狹小空間之基板處理裝置。 此外，本發明不但適用於基板處理裝置，亦可應用於 醫療器具之洗淨裝置等。
明 說 單 簡 式 圖 rL 第1圖係應用本發明之實施形態之洗淨裝置之基板處 理裝置之槪略構成之剖面圖。 -24- 200815118 第2 (A)圖係本發明之實施形態之洗淨裝置之槪略構成 之槪念圖，（B)係第2(A)圖之泵之葉輪之槪略構成圖。 第3(A)圖係第2(A)圖之二重管噴嘴之前端部之槪略構 成之放大剖面圖，（B)係該二重管噴嘴之噴出口及吸引口 之槪略構成之立體圖。 第4圖係利用本發明之實施形態之洗淨裝置之洗淨處 理之步驟圖。 φ 第5(A)及（B)圖係利用本發明之實施形態之洗淨裝置 之第1變形例之洗淨處理之步驟圖，（C)及（D)係利用本發 明之實施形態之洗淨裝置之第2變形例之洗淨處理之步驟 圖。 第6(A)及（B)圖係利用本發明之實施形態之洗淨裝置 之第3變形例之洗淨處理之步驟圖，（C)及（D)係利用本發 明之實施形態之洗淨裝置之第4變形例之洗淨處理之步驟 圖。 φ 第7(A)圖係本發明之實施形態之洗淨裝置之第5變形 例之主要部位之槪略構成之放大剖面圖，（B)係本發明之 實施形態之洗淨裝置之第6變形例之主要部位之槪略構成 之放大剖面圖。 第8(A)圖係本發明之實施形態之洗淨裝置之第7變形 例之主要部位之槪略構成之立體圖，（B)係本發明之實施 形態之洗淨裝置之第8變形例之主要部位之槪略構成之放 大剖面圖。 -25- 200815118 【主要元件符號說明】 S :處理空間 W :晶圓 A :霧氣 1 :單極離子 P :粒子
1 〇 :基板處理裝置 27 :排氣口 40 :伸縮管 5 〇 :構造物 1〇〇 :洗淨裝置 1 1 0 :二重管噴嘴 1 12 :吸引管 1 14 :噴出管 124 ··泵 124a :噴出葉輪 124b :吸引葉輪