TW200814275A - Chip carrier with a signal collection tape and manufacturing method thereof - Google Patents

Description

200814275 九、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明係有關於一種晶片承載器，特別係有關於一種 具訊號匯集膠帶之晶片承載器及其製作方法。 【先前技術】 如第1圖所示，習知之晶片承載器1〇〇係用以承載一 晶片500，該晶片承載器1 〇〇係具有一電源環i i 〇、一接 地環120、一晶片承座130及複數個内引腳14〇，該電源 環110與該接地環120像設置於該晶片承座13〇與該些内 引腳140之間，並且圍繞該晶片承座13〇，而該晶片5〇〇 係設置於該晶片承座130，且該晶片500係藉由複數個銲 線700電性連接至該電源環11〇、該接地環12〇及該些内 引腳140，惟習知之該電源環11〇與該接地環12〇之設計 具有應用上的缺失，其原因之一是會導致連接該晶片5〇〇 與該電源環110、該接地環12〇及該些内引腳14〇之該些 φ 鮮線700的數量及長度增加，並相對增加製作成本；另一 原因是由於該電源環11 〇與該接地環120係設置於該晶片 承座130與該些.内引腳140之間，使得該晶片500與該些 内引腳140之間的距離被拉長，而無法在短距離内完成電 性連接’其係會造成使用該晶片承載器1 〇〇之封裝體體積 無法縮小。 【發明内容】 本發明之主要目的係在於提供一種晶片承載器，係用 以承載一晶片，其包含一承載板及至少一訊號匯集膠帶， 200814275 > « 該承載板係具有-表面、_晶片承座及複數個内引腳，該 些内引腳係圍繞該晶片承座，該訊號匯集膠帶係設置於該 ^ ㈣板之該表面，並電性連接該晶片。本發明係藉由該訊 • 號匯集膠帶取代習知之電源環及接地環之設言十，不僅可節 省該晶片承載器之製作成本，t可大幅縮短辉、線長度及 封裝體體積縮小。 本發明之次一目的係在於提供一種晶片承載器，其中 ㈣號匯«帶係設置㈣晶μ承座，用以電性連接該晶 _ 片與該些内引腳。 本發明之再一目的係在於提供一種晶片承載器，其中 該訊號匯集膠帶係設置於該些内引腳，用以電性連接該晶 片。 依據本發明之一種晶片承載器，其包含一承載板及至 少一訊號匯集膠帶，該承載板係具有一表面、一晶片承座 及複數個内引腳，該些内引腳係圍繞該晶片承座，該訊號 _ 匯集膠帶係設置於該承載板之該表面，並電性連接該晶 片。 依據本發明之一種晶片承載器之製作方法，其包含提 供一承載板，該承載板係具有一表面、一晶片承座及複數 個内引腳，該些内引腳係圍繞該晶片承座；以及設置至少 一訊號匯集膠帶於該承載板之該表面。 依據本發明之一種晶片承載器，其包含一承載板及至 少一訊號匯集膠帶，該承載板係具有一表面、一晶片承載 區及複數個手指，該些手指係圍繞該晶片承載區，該訊號 200814275 並電性連接該晶 匯集膠帶係設置於該承載板之該表面 片0 依據本發明之一種晶片承載器之製作方法，其包含提 供一承載板，該承載板係具有—表面、—晶片承載區及複 數個手指，該些手指係圍繞該晶片承載區；以及設置至少 一訊號匯集膠帶於該承載板之該表面。 依據本發明之一種訊號匯集膠帶，其包含一底層及一 導接層’該底層係具有—黏膠層及—絕緣層，該絕緣層係 形成於該黏膠層上，該導接層係形成於該底層之該絕緣層 上，該導接層係具有一金屬層及一電鍍層，該電鍍層係形 成於該金屬層上。 依據本發明之一種訊號匯集膠帶之製作方法，其包含 提供一底層，該底層係由一黏膠層及一絕緣層所組成，該 系巴緣層係形成於該黏膠層上；以及設置一導接層於該底層 之該絕緣層上，該導接層係由一金屬層及一電鑛層所組 成，該電鍍層係形成於該金屬層上。 【實施方式】 請參閱第2圖’其係本發明之第一較佳實施例，一種 曰曰片承載器2 0 0，係用以承載一晶片5 〇 〇，該晶片承載器 200係包含有一承載板210及至少一訊號匯集膠帶22〇， 在本實施例中，該承載板210係為導線架（]Lead Frame)， 該承載板210係具有一表面211、一晶片承座212及複數 個内引腳213，該晶片承座212係用以設置該晶片500， 該些内引腳2 13係圍繞該晶片承座2 12，該訊號匯集膠帶 200814275 220係設置於該承載板210之該表面211，並藉由至少一 銲線700電性連接該晶片500，該訊號匯集膠帶220除了 可取代習知之電源環（Power Ring)及接地環（Ground Ring) 外’更可大幅縮短該鲜線7 0 0之長度，在本實施例中，該 訊號匯集膠帶220係設置於該晶片承座212，用以電性連 接該晶片500與該些内引腳213，或者，請參閱第3圖， 在另一實施例中，該訊號匯集膠帶220係可設置於該些内 引腳213，而原先由該晶片500欲連接至電源環或接地環 之銲線700係可匯集至該訊號匯集膠帶220，再經由該訊 唬匯集膠帶220與其它導接元件（如内引腳213)作電性連 接，如此可節省製作電源環或接地環所需耗費之成本與時 間，更可讓使用該晶片承載器200之封裝體體積縮小。 睛再參閱第3圖，在本實施例中，該訊號匯集膠帶 係包含一底層221及一導接層222，該底層221係具有一 黏膠層221A及一絕緣層221B，該絕緣層。⑺係^成於 該黏膠層221八上，該訊號匯集膠帶22〇係藉由該黏膠層 221A與該晶片承座212或該些内引腳213連接，該絕緣 層221B係用以電性絕緣該導接層222與該晶片承座川 或該些内引腳2U，較佳地，該黏膠層221A與該絕緣層 221B之厚度#介於5微米至⑽微米之間。該導接層⑵ 係形成於該底層221之該絕緣層221B上，該導接層222 係具有-金屬層223及一電鑛層224，且該導接層^係 可為具圖案化之線路層，該電鍍層224係形成於該金屬層 223上，在本實施你丨φ ^ „ 曰 貫也例令，該金屬層223係為鋼簿以作為電 200814275 •〖生傳導層，該金屬層223係具有一膠層223A，該金屬層 223係可藉由該膠層223A與該底層221結合，或者，在 另貝％例中，該金屬層223係可以無電電鍍法或濺鍍法 方式直接形成於該底層221之該絕緣層22ib上，其中以 無電電鍍法所形成之該金屬層223之厚度係可小於ι奈 米且較仏地，該金屬層223之厚度係介於〇· ι奈米至28 微米之間，該電鍍層224係由一鎳層224A及一金層224B • 所組成，該金層224B係形成於該鎳層224A上，其中該鎳 層224A係用以增加該金層224b與該金屬層223之接著強 度，且較佳地，該鎳層224A之厚度係介於〇1微米至2〇 微米之間，而該金層224B之厚度係介於01微米至5微 米之間。 關於本發明第一較佳實施例之該晶片承載器2〇〇之製 作方法請參閱第4A至4B圖所示。首先，請參閱第4A圖， k供一承載板210’如導線架（Lead Frame)，該承載板2 1〇 _ 係具有一表面211、一晶片承座212及複數個内引腳213, 該些内引腳213係圍繞該晶片承座212;接著，請參閱第 4B圖，設置至少一訊號匯集膠帶220於該承載板21〇之該 表面211，在本實施例中，該訊號匯集膠帶22〇係形成於 該晶片承座212，用以電性連接該晶片500與該些内引腳 213，或者，在另一實施例中，該訊號匯集膠帶22〇係可 形成於該些内引腳213。 另外，關於該訊號匯集膠帶220之製作方法請參閱第 5A至5B圖所示。首先，請參閱第5A圖，提供一底層221， 200814275 •該底層221係由一黏膠層221A及一絕緣層221B所組成， 該絕緣層221B係形成於該黏膠層221A上；接著，請參閱 第5；B圖，形成一導接層222於該底層221之該絕緣層 〜 上，該導接層222係為導電材質，在本實施例中，該導接 層222係由一金屬層223及一電鍍層224所組成，且該導 接層222係可為具圖案化之線路層，該電鍍層224係形成 於該金屬層223上，藉由上述之製作方法，即可製作^成 本發明之該訊號匯集膠帶22〇。 請參閱第6圖，其係本發明之第二較佳實施例，一種 晶片承載器300,係用以承載一晶片5〇〇,該晶片承載器 3 00係包含有一承載板3 1〇及至少一訊號匯集膠帶gw， 在本實施例中，該承載板310係為基板（Substrate)，該承 載板310係具有一表面311、一晶片承載區312及複數個 手指313，該晶片承載區312係用以設置該晶片5〇〇，該 些手指3 13係圍繞該晶片承載區3 i2，該訊號匯集膠帶32〇 _ 係設置於該承載板3 1 〇之該表面3 11，並藉由至少一鮮線 700電性連接該晶片500，該訊號匯集膠帶32〇除了可取 代習知之電源環（P〇wer Ring)及接地環（Gi〇und Rin幻外， 更可大幅縮短該銲線700之長度，在本實施例中，該訊號 匯集膠帶320係設置於該晶片承載區312，用以電性連接 該晶片500與該些手指313，或者，請參閱第7圖，在另 一實施例中，該訊號匯集膠帶32〇係可設置於該些手指 313，而原先由該晶片500欲連接至電源環或接地環之銲 線7〇〇係可匯集至該訊號匯集膠帶320，再經由該訊號匯 200814275 ‘集膠帶320與其它導接元件（如手指313)作電性連接，如 此可節省製作電源環或接地環所需耗費之成本與時間，更 可讓使用該晶片承載器300之封裝體體積縮小。 關於本發明第二較佳實施例之該晶片承載器3〇〇之製 作方法請參閱第8A至8B圖所示。首先，請參閲第8A圖， 提供一承載板310,如基板（Substrate)，該承載板31〇係具 有一表面311、一晶片承載區312及複數個手指η)，該 些手指313係圍繞該晶片承載區312 ;接著，請參閱第 圖，設置至少一訊號匯集膠帶32〇於該承載板3i〇之該表 面3 11 ’在本實施例中，該訊號匯集膠帶32〇係形成於該 晶片承載區312，用以電性連接該晶片5〇〇與該些手指 313，或者，在另一實施例中，該訊號匯集膠帶gw係可 形成於該些手指3 13。 本發明之該晶片承載器3〇〇係藉由該訊號匯集膠帶 320取代習知之電源環及接地環之設計，不僅可節省該晶 片承載器300之製作成本，更可大幅縮短該鲜線7⑽之長 度及讓封裝體體積縮小。 、 、本發明之保護範圍當視後附之申請專利範*圍所界定 2為準’任何熟知此項技藝者，在不脫離本發明之精神和 辄圍内所作之任何變化與修改’均屬於本發明 圍。 又祀 【圖式簡單說明】 第 1 圖·習知晶片承載器之結構示意圖。 第2 圖·依據本發明之第一較佳實施例，一種晶片 11 200814275 承载器之結構示意圖。 第3圖：依據本發明之一具體實施例，一種晶片承 載器之結構示意圖。 弟4A至4B圖·依撼+綠 踝本fx明之弟一較佳實施例，一種晶片 承載器之製作方法流程圖。 第5 A至5B ® ·依據本發明之第一較佳實施例，一種訊號 匯集膠帶之製作方法流程圖。 第6 圖·依據本發明之第二較佳實施例，一種晶片 承載器之結構示意圖。 第7 圖：依據本發明之一具體實施例，一種晶片承 載器之結構示意圖。 第8A至8B圖：依據本發明之第二較佳實施例，一種晶片 承载器之製作方法流程圖。 【主要元件符號說明】 100 晶片承載器 110 電源環 120 接地環 130 晶片承座 140 内引腳 200 晶片承載器 210 承載板 211表面 212 晶片承座 213 内引腳 220 訊號匯集膠帶 221 底層 221A 黏膠層 221B 絕緣層 222 導接層 223 金屬層 223A 膠層 224 電鑛層 224A 鎳層 224B 金層 300 晶片承栽器 12 200814275 310 承載板 311 表面 312 313 手指 320 訊號匯集膠帶 500 晶片 700 鲜線 片承載區 13

Claims (1)

1. 200814275 十、申請專利範圍： 1、 一種晶片承載器，係用以承載一晶片，其包含： 一承載板，其係具有一表面、一晶片承座及複數個内 引腳，該些内引腳係圍繞該晶片承座；以及 至少一訊號匯集膠帶，係設置於該承載板之該表面， 並電性連接該晶片。 2、 如申請專利範圍第丨項所述之晶片承載器，其中該承 載板係為導線架（Lead Frame)。 如申明專利範圍第1項所述之晶片承載莽，其中該訊 號匯集膠帶係設置於該晶片承座。 4、 如申請專利範圍第i項所述之晶片承載器，其中該訊 號匯集膠帶係設置於該些内引腳。 5、 如申請專利範圍第1項所述之晶片承載器，其中該訊 #u匯集膠帶係由一底層及-導接層所組成，該導接層 係形成於該底層上。 6二申請專利範圍第5項所述之晶片承載器，其中該底 ㈢係具有一黏膠層及一絕緣層，該絕緣層係形成於該 黏膠層上。 7、 如申請專利範圍第6項所述之晶片承载器，其中該黏 膠層之厚度係介於5微米至30微米之間。 8、 φ 4 請專利範圍第6項所述之晶片承載器，其中該絕 緣層之厚度係介於5微米至30微米之間。 如申睛專利範圍第5項所述之晶片承载器，其中該導 接層係具有一金屬層及-電鍍層，該電鍍層係形成於 200814275 10 11 如申請專利範圍第Q 屬層之厚度係介於〇Γ:述之晶片承載器，其中該金 如申凊專利範圍第9 Ί 屬層係為mi。、述之日日片承載器，其中該金

   如申睛專利範圍第1 1 金屬層係具有_膠層。 13、如申請專利範圍第 項所述之晶片 9項所述之晶片 鍍層係由一鋅 鲽層及一金層所組成 鎳層上。 承载器 其中該 承載器，其中該電 該金層係形成於該 14、 16、

   13項所述之晶片承载器，其中該 0·1微米至20微米之間。 13項所述之晶片承载器，其中該 0·1微米至5微米之間。 係用以承載一晶片，其包含·· 如申請專利範圍第 鎳層之厚度係介於 如申請專利範圍第 金層之厚度係介於 一種晶片承載器， 一承載板，其係具有一表面 手指，該些手指係圍繞該晶 至少一訊號匯集膠帶，係設 並電性連接該晶片。 、一晶片承载區及複數個 片承載區；以及 置於該承載板之該表面， 17、如申請專利範圍第16項所述之晶片承載器，其中該 承載板係為基板（Substrate)。 1 8、如申請專利範圍第丨6項所述之晶片承載器，其中該 訊號匯集膠帶係設置於該晶片承載區。 19、如申請專利範圍第16項所述之晶片承載器，其中該

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   訊號匯集膠帶係設置於該些手指。 如申請專利範圍第b ^ s ^ 所述之晶片承載器 «孔乃虎匯集膠帶儀由一 „ ^ y ’、 底層及一導接層所組成 層係形成於該底層上。圍第2°項所述之晶片承載器，兵τ 該二層I:黏膠層及-絕緣層，該絕緣層係形成於 22、 如申請專利範 錢居 固弟21項所述之晶片承載器 , ^ η孓5微米至30微米之間 23、 如申請專利範 浐 項所述之晶片承載器 、巴、、曰之厚度係介於5微米至30微米之間 專利範圍第2°項所述之晶片承載器，其中該 接層係具有一金屬 、屬層及一電鍍層，該電鍍層係形成 於该金屬層上。 25如申请專利範圍第 人P 24項所述之晶片承載器，其中該 金屬層之厚度係介认Λ _ 糸；丨於0·1奈米至28微米之間。 26、 如申請專利範圍第 A ρ 弟24項所述之晶片承載器，其中該 金屬層係為鋼箱。 27、 如申請專利範圍第 岡弟26項所述之晶片承載器，其中該 金屬層係具有一膠層。 28 如申请專利範圍繁 间弟24項所述之晶片承載器，其中該 電鍍層係由一鎳岸 〃 9及一金層所組成，該金層係形成於 該錄層上。 29、如申請專利範圍第 图弟28項所述之晶片承載器，其中該 20 21 其中該 該導接 其中該 其中該 其中該 16 (§) 200814275 鎳層之厚度係介於0.1微米至20微米之間。 如申着專利乾圍第28項所述之晶片承載器，其中該 金層之厚度係介於〇1微米至5微米之間。 -種晶片承載器之製作方法，其包含： 提供一承載板，該承載板係具有一表面、-晶片承座 及複數個内引腳，#此+ w . ^二内引腳係圍繞該晶片承座；以 及 設置至少—訊號匯集膠帶於該承載板之該表面。 如申請專利範圍第31項所述之晶片承載器之製作方 法，其中該承載板係為導線架（LeadFrame)。 如申請專利範圍第31頊 、 項所述之曰日片承载器之製作 法，其中該訊號匯集膠帶係形成於該晶片承座。 2申明專利辄圍第31項所述之晶片承栽器之製作方 法，其中該訊號匯集膠帶係形成於該些内引腳。方 35、 如申請專利範圍第μ 、所述之曰日片承載器之製作太 法，其中該訊號匯集膠帶产 乍方 木膠▼係由一底層及一導接 成，該導接層係形成於該底層上。 “斤組 36、 如申請專利範圍第35 、所述之日曰片承載器之製作古 法，其中該底層係具有一 作方 黏膠層及一絕緣層，兮妙 層係形成於該黏膠層上。 ^、、、巴緣 37、 如申請專利範圍第35 唄所述之曰日片承載器之 法，其中該導接層係具有_ 作方 百金屬層及一電鍍層，# 鍍層係形成於該金屬層上。 該電 38、 如申請專利範圍第3 項所述之晶片承載器之製作方 30 31 32 33 34 17 200814275 法，其中該金屬層之厚度係介於01奈米至28微来之 間。 、 如申請專利範圍第37項所述之晶片承載器之製作方 法’其中該金屬層係為銅箔。 如申請專利範圍第39項所述之晶片承载器之製作方 法，其中該金屬層係具有一膠層。 如申请專利範圍第37項所述之晶片承載器之製作方 # *，其中該電鑛層係由-鎳層及-金層所組成，該金 層係形成於該鎳層上。 42、 一種晶片承載器之製作方法，其包含： 提供一承載板，該承載板係具有一表面、一晶片 ϋ及複數個手指，該些手指係圍繞該晶片承載 及 乂 a 又置至少一汛號匯集膠帶於該承載板之該表面。 43、 如"專利範圍第42項所述之晶片承載器之製作方 法，其中該承載板係為基板（Substrate)。 如申請專利範圍第42項所述之晶片承載器之製作方 法，其中該訊號匯集膠帶係形成於該晶片承載區。 如申請專利範圍第42項所述之晶片承載器之製作方 法，其中該訊娩匯集膠帶係形成於該些手指。 如申請專利_ 42項所述之晶片_之製作方 法，其中該訊號匯集膠帶係由一底層及一導接層所級 成，該導接層係形成於該底層上。 V 如申请專利範圍第46項所述之晶片承載器之製作方 39 40 41 44 45 46 47 18 200814275 . 法，其中該底層係具有一黏膠層及一絕緣層，^ 嗓絕繞 層係形成於該黏膠層上。 、 48、 如申請專利範圍第46項所述之晶片承載器之製作 法其中該&接層係具有一金屬層及一電鍍層，兮“ 鍍層係形成於該金屬層上。 μ電 49、 如申請專利範圍第48項所述之晶片承載器之製作方 法，其中該金屬層之厚度係介於奈米至28微方 _ 5G、如中請專㈣圍第48項所述之晶片承載器之製作方 法’其中該金屬層係為銅落。 51、 如申請專利範圍第50項所述之晶片承載器之製作方 法’其中該金屬層係具有一膠層。 52、 如申請專利範圍第48項所述之晶片承載器之製作方 法，其中該電鍍層係由一鎳層及一金層所組成，該金 層係形成於該鎳層上。 _ 5 3、一種訊號匯集膠帶，其包含： 一底層，其係具有一黏膠層及一絕緣層，該絕緣層係 形成於該黏膠層上；以及 一導接層，其係形成於該底層之該絕緣層上，該導接 層係具有一金屬層及一電鍍層，該電鍍層係形成於該 金屬層上。 54、 如申請專利範圍第53項所述之訊號匯集膠帶，其中 該金屬層之厚度係介於〇·1奈米至28微米之間。 55、 如申請專利範圍第53項所述之訊號匯集膠帶，其中 19 200814275 該金屬層係為銅箔。 56、 如申請專利範圍第5 5項 ’所述之訊號匯集膠帶，其中 該金屬層係具有一膠層。 57、 如申請專利範圍第5 3 該電鍍層係由一鎳層及 於該鎳層上。 ,所述之訊號匯集膠帶，其中 〜金層所組成，該金層係形成

   5 8、如申請專利範圍第5 7 該鎳層之厚度係介於〇 S9、如申請專利範圍第57 該金層之厚度係介於〇 如申請專利範圍第5 3 項所述之訊號匯集膠帶，其中 1微米至20微米之間。 $所述之訊號匯集膠帶，其中 1微米至5微米之間。 項所述之訊號匯集膠帶，其中 該黏膠層冬厚度係介於 61、如申請專利範圍第53 該絶緣層之厚度係介於 5微米至30微米之間。 項所述之訊號匯集膠帶’其中 5微米至3 0微米之間。 62、一種訊號匯集膠帶之製作方法，其包含

   提供一底層，該底層係由一黏膠層及一絕緣層所組 成，該絕緣層係形成於該黏膠層上；以及 形成一導接層於該底層之該絕緣層上，該導接層係為 導電材質。 63、 如申请專利範圍第62項所述之訊號匯集膠帶之製作 方法其中該導接層係由一金屬層及一電鑛層所組 成，該電錄層係形成於該金屬層上。 64、 如申請專利範圍第63項所述之訊號匯集膠帶之製作 方法，其中該金屬層係為鋼箔。

   20 200814275 65 66、 、如申請專利範圍第64項 方法，甘、…L之訊號匯集膠帶之製 方法其中該金屬層係具有一膠層。 1作 申明專利乾圍第63項所述之訊號匯集膠帶之製作 方法’其中該電鍍層係由一鎳層及一金層所組成，該 金層係形成於該鎳層上。