TW200814186A - Methods for reducing surface charges during the manufacture of microelectromechanical systems devices - Google Patents

Description

200814186 九、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明大體而言係關於微機電系統（MEms)，且更特定 言之，係關於干涉調變器及包含此等干涉調變器之顯示裝 置。 【先前技術】 ‘微機電系統（MEMS)包括微機械元件、致動器及電子器 件。可使用沈積、蝕刻及/或蝕刻掉基板及/或所沈積之材 料層之部分或添加層而形成電力及機電裝置的其他微機械 加工製程來製造微機械元件。一種類型之裝置被稱 為干涉調變器。如本文中所使用，術語干涉調變器或干.涉 光调變器意指一種使用光學干涉原理來選擇性地吸收及/ 或反射光的裝置。在一些實施例中，干涉調變器可包含一 對導電板，其中之一或二者可在整體或部分上為透明及/ 或反射的，且能夠在施加適當電信號之情況下發生相對運 • 動。在一特定實施例中，一板可包含一沈積於基板上之靜 止層’且另一板可包含一藉由一氣隙而與該靜止層分離之 金屬膜。如本文中較詳細地描述，一板相對於另一板之位 • 置可改變入射於該干涉調變器上之光之光學干涉。此等裝 ^ 置具有廣泛之應用，且在此項技術中利用及/或修改此等 類型之裝置之特徵以使得其特徵可用以改良現有產品並製 造尚未開發之新產品將大有裨益。 【發明内容】 本文中所描述之系統、方法及裝置各自具有若干態樣， 123123.doc 200814186 该等態樣中之單-態樣並非僅對其所要屬性負1。在不限 制此等系統、方法及裝置之範嘴之情況下，現將簡要論述 其較顯著之特徵。在考量此論述之後，請其在閱讀標題 為貝轭方式之部分之後，吾人將理解本文中所描述之特 徵如何提供優於既存技術之優勢。 在各種態樣中，提供用於製造微機電系統（mems)裝置 之方法’其中該等方法減少或防止電荷在該mems裝置之 或夕個、、Ό構兀件之表面上之積累。在一些態樣中，提供 用於餘刻犧牲層之方法，該等方法包括以下步驟：將犧牲 材料*路於氣相化學钱刻劑及電離氣體中，該電離氣體對 於犧牲材料大體上传非斜女| 係非蝕刻性的；及蝕刻犧牲材料，盆中 該钱刻_及移除犧牲材料之相t大部Α。 ” 在」員外悲樣中，提供用於製造MEMS裝置之方法， 其中該等方法包括以下步驟：在基板上沈積犧牲材料；在 犧牲材料上沈積結構材料；及㈣犧牲材料。該㈣涉及 將犧牲材料曝露於氣相化學餘刻劑及電離氣體中，其中該 電離氣體大體上不與犧牲材料反應。 在其他態樣中，在本文中掉

^ ^ 文中裝置，該等MEMS 衣置係根據包括以下步驟 方法而製造：在基板上沈積犧 牲材料，在犧牲材料上沈積& 、 况檟心構材料；及蝕刻犧牲材料。 =實施例中，職刻涉及將犧牲材料《於氣相化學姓 反應。 〃中該電離氣體大體上不與犧牲材料 在一些額外態樣中，提供 種設備 該設備包括根據本 123123.doc 200814186 文中所柄述之方法而製造的複數個则⑽裝置 施例中，該設備可進一步包 .。在各種實 /巴枯·一顯不窃；一處 。 經組態以處理影像資料且與該顯示器通信；及—""，其 置，其經組態以與該處理器通信。 5己憶體裝 在下文中會較詳細地描述此等及其他實施例。 【實施方式】 以下詳細描述係針對本發明之一些特定實施例。妙

本發明可以多種*同方式來實施。在此描 “、''而’ mi, Λ, ^ # 照 了諸 圖式，，、中在全文中相似部分由相似數字來表示。。 以下描述顯而易見，該等實施例可實施於經組態將^ 像之任何裝置中’無論是運動影像(例如，視訊)還Β員：衫 影像（例如，靜態影像）且無論是文字影像 步=止 更特疋5之，預期該等實施例可實施於各種電子裝置中〆 與其相關聯，該等電子裝置諸如（但不限於）行動電話、$ 線裝置、個人數位助理（PDA)、掌上型或攜帶型電腦了 GPS接收器/導航器、相機、Mp3播放器、攜帶型攝像:、 遊戲控制台、手錶、鐘錶、計算器、電視監視器、平板顯 不器、電腦監視器、自動顯示器（例如，里程計顯示器 等）、駕駛艙控制器及/或顯示器、攝像機視野顯示器（例 如’車輛中之後視攝像機之顯示器）、電子照片、電子看 板或標誌、投影儀、架構結構、封裝及美學結構（例如， 一件珠寶上之影像顯示器）。與本文中所描述之MEMS裝置 結構相似的MEMS裝置亦可用於非顯示器應用中，諸如電 子開關裝置。 I23123.doc 200814186 在右干h隹態樣中，提供 MEMS^ ^ U ’、;在干涉調變器或其他 置之製k期間減少或防 Γ，表面電荷"）之形W Μ + 止/、表面相關聯之電荷 )之形成的方法（相對於既存方 知例中’藉由在電離氣體存在之情只 賴牲材料來減少或防立;之：相：侧劑 雷物所 “乂‘地中和在餘刻製程期間產生之帶 電物質，該等帶電物

除。有㈣ 其他飯刻副產物一起被移 : 據本文巾岐供之方法來減少表面電冇產 生對MEMS萝i止方沬总山，冰 乂衣©兔何產 ^方法及由此#方法製造之MEMS裝置之— 或夕個態樣之改良。 在圖1中說明包含千涉 一卞涉MEMS顯不兀件之一干涉調變器 顯示态實施例。在此算梦罟Φ J备主名 隹此寺裝置中’像素處於明亮狀態或黑暗 狀態。在明亮(··接通”或"打開")狀態下，該顯示元件將較 大部分之人射可見光反射至使㈣。在黑暗（"切斷"或"紐 閉")狀態下’該顯示元件將極少入射可見光反射至使用 者。取決於實施例’"接通"及"切斷"狀態之光反射特性可 顛倒。MEMS像素可經組態以主要反射選定之色彩，進而 允許除黑色及白色外之彩色顯示器。 圖1為4田繪視覺顯示益之一系列像素中之兩個鄰近像素 的荨角視圖，其中母一像素皆包含一 MEMS干涉調變器： 在一些實施例中，干涉調變器顯示器包含一列/行陣列之 此等干涉調變器。每一干涉調變器皆包括一對反射層，該 等反射層以彼此距可變且可控距離而定位，以形成具有至 少一可變尺寸之光學共振腔。在一實施例中，該等反射層 123123.doc 200814186 中之者可在兩個位置之間移動。在第一位置（在本文中 被稱為放鬆位置）中，可移動反射層定位於距固定之部分 反射層之相對較遠距離處。在第二位置（在本文中被稱為 致動位置）中，可移動反射層定位得較緊密鄰近於該部分 反射層。取決於可移動反射層之位置，自兩個層反射之入 光發生相長或相消干涉，進而針對每—像素產生總體反 射或非反射狀態。 _ 圖1中之像素陣列之所描繪的部分包括兩個鄰近干涉調 變器12a與12b。在左側干涉調變器12a中，可移動反射層

Ma被說明為處於距光學堆疊16a預定距離處之放鬆位置 中"亥光子堆豐1 6a包括部分反射層。在右側干涉調變器 12b中可私動反射層14b被說明為處於鄰近於光學堆疊 16b之致動位置中。 t本文所參考，光學堆疊16a及16b(統稱為光學堆疊16) 通韦包含若干融合層(fused layer)，該等融合層可包括一 ⑩ 冑如氧化銦錫_)之電極層、—諸如鉻之部分反射層及 j透明介電質。&學堆疊16因此為導電的、料透明的且 p刀反射的，且可（例如）藉由將一或多個上述層沈積至透 明基板:〇上而製造。部分反射層可由部分反射之各種材料 /成諸如各種金屬、半導體及介電質。部分反射層可由 一或多個材料層形成’且其中該等層中之每一者皆可由單 一材料或材料之組合形成。 嫌在-些實施例中，光學堆疊之諸層被圖案化為平行條 π，且可形成如下文進一步描述之顯示裝置中之列電極。 123I23.doc 200814186 °穿夕動反射層14a、14b可形成為—（或多個）所沈積之金屬 層之-系列平行條帶（與列電極…、说正交），該或該等 層沈積於柱狀物18之頂部上且沈積於在柱狀物】8之間沈積 之介入_料上…虫刻掉犧牲材料時，可移動反射層 a 14b藉由所界定之間隙19而與光學堆疊心、咐分 離。高度導電且反射之材料(諸如銘)可用於反射層Μ，且 此等條帶可在顯示裝置中形成行電極。 在未施加電壓之情況下，空腔19保持在可移動反射層 ::與先學堆疊16a之間’其中可移動反射層W處於機械 糧：，如圖”之像素心所說明。然而，當電位差施 加至選定之列及行時’在對應像素中，在列電極及行電極 之交叉處形成的電容器開始帶電’且靜電力同時拉動該等 電極。若電壓足夠高，目| 則了私動反射層14a變形且被壓至 光學堆疊16上。光學堆聶以向^入 $ 16内之；丨電層（在此圖中未說明 可防止短路並控制層14與16之間的分離距離，如圖i之右 側像素⑽所說明。不管所施加之電位差之極性如何，此 行為皆保持相同。以此太4 控制反射與非反射像素狀 悲之列/订致動在許多方面類似於習知咖及其他顯示器技 術中所使用之方式。 孜 圖2至圖5 B說明了顯； ……、為應用中使用一陣列之干涉 器之一例示性方法及条从 _ ◦又 糸、、先。圖2為說明可併有本發 干態樣的電子裝置之—每加十么士 心右 ^ ^ 汽靶例之糸統方塊圖。在該例示性 貫施例中，該電子裝置包 置曰Η式夕曰 匕括處理裔21，其可為任何通用 日日“曰日片微處理器、，諸如ARM、penti聰⑧、 123123.doc 200814186

Pentium II⑧、Pentium A 、 8051、MIPS⑧、P〇wer PC⑧、AlPHA⑧；或任何特殊用途微 處理器’諸如數位信號處理器、微控器或可程式閘陣列。 如此項技術所習知，處理器21可經組態以執行一或多個軟 體模組。除執行作業系統外，處理器可經組態以執行一或 多個軟體應用程式，包括網路瀏覽器、電話應用程式、電 子郵件程式或任何其他軟體應用程式。 在一實施例中，處理器21亦經組態以與陣列驅動器22通 信。在一實施例中，陣列驅動器22包括將信號提供至顯示 陣列或面板30之列驅動器電路24及行驅動器電路26。圖1 中所°兒明之陣列之橫截面在圖2中由線1 -1展示。對於 Μ刪干涉調變器，列/行致動方案可利用圖3中所說明之 此等裝置之滯後特性。可能需要（例如）1〇伏特電位差以引 起可移動層自放鬆狀態變形至致動狀態。然而，當電壓自 此值降低時，可移動層隨著電壓下降回落至低於1〇伏特而 隹持-狀悲。纟圖3之例示性實施例中，可移動層不完全 至電•下降至低於2伏特。因此，在圖3中所說明之 存在約3 V至7 V之電壓範圍，其中存在所施加之 1 ϋ ’在㈣口内’該裝置穩定處於放鬆或致動狀 ::1自口在本文中被稱為"滞後窗口”或”穩定窗口 "。對 叶：使：二之滯後特徵之顯示陣列，列/行致動方案可經設 相使仔在_通_，選㈣中 於約10伏特之雷厭兰士 切H冢京破曝路 ^ ^ ，且待放鬆之像素被曝露於接近於 零伙特之電壓差中。在登 、後’该專像素被曝露於約5伏 123123.doc -12- 200814186 特之穩定狀態電壓差中使得該等像素保持在列選通使复所 處之任何狀態。在被寫入後，在此實例中，每一像素皆會 呈現3至7伏特之"穩定窗口 "内的電位差。此特徵使圖^ 所次明之像素設計在同一所施加之電壓條件下穩定於致動 或放鬆預存在狀態。因為該干涉調變器之每一像素（不管 處於致動狀態還是放鬆狀態)基本上為由固定及移動反： 層形成之電容器，所以可在幾乎不具有功率耗散之情況下 在滯後窗口内之電壓下保持此穩定狀態。若所施加之電位 係固定的，則基本上未有電流流動至像素中。 中’藉由根據丨第一列中之所致動之像素的所 本。“斷定行電極之集合而建立顯示圖框。接著將列脈 衝施加至歹"電極，進而致動對應於所斷定之行線之像 素。既而打電極之所斷定之集合被改變為對應於第二列中 之所致動之像素的所要集合。接著將脈衝施加至列2電 極，進而根據所斷定之行電極來致動列2中之適當像素。 列1像素不受列2脈衝之影響，且保持於其在列m衝期間 被設定之狀態中。可以順序方式將此過程重複用於整個系 列之列，以產生圖框。通常，藉由以每秒某所要數目之圖 =率來不斷重複此過程，而用新的顯示資料再新及/ 或更新圖框。用於驅動像素陣列之列電極及行電極以產生 顯示圖框之各種方牵亦為 案才為。人熟知，且可結合本發明而使 用0 圖4、从及56說明用於針對圖⑷幻陣列產生顯示圖框 的-可能之致動方案。圖4說明可用於展現旧之滞後曲線 123123.doc 200814186 之像素的行電壓位準與列電壓位準之可能集合。在圖4實 施例中，致動像素涉及將適當行設定為u將適當列 設定為+Δν，其可分別對應於_5伏特及+5伏特。放鬆像素 可藉由以下方式達成：將適當行設定為+U將適當列 • 歧為相同+Δν’進而在像素上產生零伏特之電位差。在 列電塵保持於零伏特之此等列中，該等像素穩定於其初始 所處之任何狀態’而不管行處於+Vbias還是-Vbias。亦如圖4 • +所說明’將瞭解’可使用與上文所述之極性相反的極性 之電塵，例如，致動像素可涉及將適當行設定為U 將適當列設定為-Δν。在此實施例中，釋放像素係藉由以 下方式達成：將適當行設定為υ將適當列設定為相 同-Δν，進而在像素上產生零伏特之電位差。 η圖5Β係展示施加至圖2之如陣列之—系列列信號及行信 唬的時序圖，其將產生圖5Α中所說明之顯示配置（盆令所 ί動之像素為非反射的)。在寫入圖5Α中所說明之圖框之 馨^該等像素可處於任何狀態，且在此實施例中，所有列 =於0伏特且所有行皆處於+5伏特。在具有此等所施加 狀能下。 有像素^穩定於其目前之致動或放鬆 在圖5Α圖框中，俊音 被致動 m丨 μ )、（，2)、（2,2)、（3,2)及（3,3) 及2設”、、達/此結果，在列1之"線路時間"期fa1，將行i 何像特’且將行3設定為+5伏特。此不會改變任 升至5伏特且回落至零之脈衝而選通列 123123.doc -14- 200814186 。此將致動（1，1)及（1，2)像素並放鬆（1，3)像素。陣列中之 其他像素不叉影響。為了按需要設定列2，將行2設定為

伏特，且將行丨及3設定為+5伏特。施加至列2之相同選通 接著將致動像素（2,2)及放鬆像素（2,im(2,3)。㈣，陣列 之其他像素不受影響。類似地藉由將行2及3設定為伏特 且將行1設定為+5伏特而設定列3。列3選通設定列3像素， 士圖5 A中所不。在寫入該圖框之後，列電位為零，且行電 位可保持於+5或_5伏特’既而顯示器穩定於圖之配置。 應瞭解’彳目同程序可用於數十或數百列及行之陣列。亦應 瞭解’在上文概述之一般原理之範圍内，可大幅改變用以 執行列及行致動之電壓的時序、順序及位準，1以上實例 僅為例示性的，且任何致動電壓方法皆可與本文中所描述 之糸統及方法一同使用。 圖6A及6B為說明顯示裝置糾之實施例的系統方塊圖。 裝置-可為(例如)蜂巢式電話或行動電話。然而，顯 :置40之相同組件或其輕微變化亦說明各種類型之顯示 裒置，諸如電視及攜帶型媒體播放器。 :1 丁虞置4〇包括外殼41、顯示器3〇、天線43、揚聲器 所=裝置4δ及麥克風46。外殼41通常由熟習此項技術 任各種製造方法（包括射出成型及真空成型）_之 " 此外，外殼41可由各種材料中之任一者f :組:括(:::，膠、金屬、玻璃、橡膠及陶莞i ““列中’外殼41包括可移除部分(未圖 與不同色彩、或含有不同標識、圖片或符號之 I23123.doc 200814186 其他可移除部分互換。 例示性顯示裝置4 0之顯示器3 〇可為各種顯示器中之任一 者，包括如本文中所描述之雙穩態顯示器。在其他實施例 中，顯示器30包括如上所述之平板顯示器（諸如電漿、 EL、0LED、STN LCD或TFT LCD)或非平板顯示器（諸如 CRT或其他管式裝置）’如熟習此項技術者所熟知。然而， 出於描述本實施例之目的，顯示器3〇包括干涉調變器顯示 器，如本文中所描述。 在圖6B中示意性地說明例示性顯示裝置4〇之一實施例之 組件。所說明之例示性顯示裝置4〇包括一外殼“且可包括 至少部分被封閉於其中之額外組件。舉例而言，在一實施 例中，例示性顯示裝置4〇包括網路介面27，網路介面”包 括耦接至收發器47之天線43。收發器47連接至處理器二 j理器2丨連接至調節硬體u。調節硬體。可經組態以調節 士 4旒（例如，對一彳§號進行濾波）。調節硬體Μ連接至揚 ^45轉克風46 1理器21亦連接至輸人裝置48及驅動 Π二制Μ 29。驅動器控制器29耦接至圖框緩衝器μ且耦接 至陣列驅動器22 ’陣列驅動器22又耦接至顯示陣列3〇。電 源5〇將電力提供至如由特定例示性顯示裝置術 所有組件。 1吓而之 網路介面27包括天線似收發器47 ’使得例示性顯示裝 40可經由網路而與一或多個裝置通信。在一實施例中， 、、面27亦可具有某些處理能力以減輕對處理器21之需 未。天線43為用於發射及接收信號的為熟習此項技術者戶^ 123123.doc -16- 200814186 知之任何天線。在一實施例中，該天線根據IEEe 802 11標 準（包括IEEE 802.11(a)、（b)或（g))來發射及接收!^信號。 在另一實施例中，該天線根據藍芽（bluetooth)標準來 發射及接收RF信號。在蜂巢式電話之情況下，天線經設計 以接收CDMA、GSM、AMPS或用以在無線蜂巢電話網路 中進行通信之其他已知信號。收發器47預處理自天線43接 收之仏號，使得其可由處理器2 1接收並進一步操縱。收發 1§ 47亦處理自處理器21接收之信號，使得其可經由天線43 自例示性顯示裝置40發射。 在替代實施例中，收發器47可由接收器代替。在另一替 代實施例中，網路介面27可由影像源代替，影像源可儲存 或產生待發送至處理器21之影像資料。舉例而言，影像源 可為記憶體裝置，諸如含有影像資料之數位視訊光碟 (DVD)或硬碟機或產生影像資料之軟體模組。 處理器21通常控制例示性顯示裝置4〇之總體操作。處理 器21接收資料（諸如來自網路介面27或影像源之壓縮影像 資料）並將資料處理為原始影像資料或處理為容易處理為 原始影像資料之袼式。處理器21接著將經處理之資料發送 至驅動器控制器29或發送至圖框缓衝器28以供儲存。原始 資料通常意指識別影像内每—位置處之影像特徵的資訊。 舉例而言’此等影像特徵可包括色彩、飽和度及灰階度。 在貝加例中5處理器21包括微控制器、C]pu或邏輯單 元以：制例示性顯示裝置4〇之操作。調節硬體52通常包括 及濾波器以用於將#號發射至揚聲器4 $及用於自麥 I23123.doc -17- 200814186 2 46接收㈣。調節硬體52可為例示性顯示裝置内之 #散組件或可併人於處理器21或其他組件中。 驅動II控制器29直接自處理器21或自圖框緩衝器28願取 ⑨处里裔2 1產生之原始影像資料且適當地重新格式化原始 影像資料以供高速傳輸至陣列驅動器22。具體言之，驅動 1制器29將原始影像資料重新㈣化為具有光栅狀格式 厂貝料/瓜，使彳于其具有適於跨越顯示陣列30而掃描之時間 、序接著，驅動裔控制器29將經袼式化之資訊發送至陣 列驅動器22。儘管驅動器控制器29(諸如L(：d控制器）通常 2為獨立積體電路（IC)而與系統處理器以相關聯，但此等 1工制為可以許多方式實施。其可作為硬體嵌入於處理器21 中、作為軟體嵌人於處理器21中，或以硬體與陣列驅動器 22完全整合。 次通常，陣列驅動器22自驅動器控制器29接收經格式化之 貝2，並將視訊資料重新格式化為一組平行波形，該組波 形每秒許多次地被施加至源自顯示器之X - y像素矩陣之數 百且有時甚至數千個引線。 在-實施例中，驅動器控制器29、陣列驅動器22及顯示 2列30對於本文中所描述之各種類型之顯#器中的任一者 皆為適用的。舉例而言’在一實施例巾，驅動器控制器” 為習知顯示器控制器或雙穩態顯示器控制器（例如，干涉 調變器控制器)。在另一實施例中’陣列驅動器。為習： 驅動器或雙穩態顯示器驅動器（例如，干涉調變器顯示 器）。在一實施例中，驅動器控制器29與陣列驅動器。整 123123.doc -18· 200814186 合在-起。此實施例在高度整合之系統（諸如蜂巢式電 活、手錶及其他小面積顯示器）中係通料。在又一實施 例中’顯示陣列3G為典型顯轉列或雙穩態顯示陣列（例 如，包括一陣列之干涉調變器之顯示器）。 輸入裝置48允許使用者控制例示性顯示裝置⑽之操作。 在-實施例中，輸人裝置48包括小鍵盤（諸如qw耐y鍵 盤或電話小鍵盤）、按叙、開關、觸敏螢幕、壓敏或熱敏 膜。在-實施例中，麥克風46為用於例示性顯示裝置4〇之 輸入裝置。當麥克風46詩將資料輸人至裝置中時，語音 命令可由使用者提供以控制例示性顯示裝置Μ之操作。 電源50可包括如此項技術中所熟知之各種能量儲存裝 置牛例而σ，在一貫施例中，電源5〇係可再充電電池 組’諸如鎳鎮電池組或鐘離子電池組。在另―實施例中， 電源5〇為可再生能源、電容器或太陽能電池(包括，塑膠 太陽能電池及太陽能電池塗料)。在又—實施例中，電源 5 0經組態以自壁上電源插座接收電力。 在-些實施财’如上料，控财程式絲留於可位 於電子顯示系統中之若干位置中之驅動器控制器中。在一 些情況下’控制可程式性駐留於陣列驅動器22中。熟習此 項技術者將認識到上述最佳化可實施於任何數目之硬體及/ 或軟體組件中且以各種組態來實施。 根據上述原理而操作之干涉調變器之結構的細節可大幅 變化。舉例而S，圖7Α至圖7Ε說明可移動反射層14及其 支撐結構之五個不同的實施例。圖7Α為圖丨之實施例之橫 123123.doc -19- 200814186 截面’其中金屬材料14之條帶沈積於正交延伸之支携物u 上。在圖7B中，可移動反射層14僅在繫栓32上在拐角處附 著至支撑物。在圖7C中，可移動反射層14自可變形層34懸 垂，可變形層34可包含可撓性金屬。可變形層34在可變形 層34之周邊周圍直接或間接地連接至基板2〇。此等連接在 本文中被稱為支撐柱。圖7D中所說明之實施例具有支撐柱 土 1、史形層34抵靠在該支撐柱塞42上。可移動反射層 14保持懸垂在空腔上（如在圖至圖％中），但可變形層μ =糟由填充在可變形層34與光學堆疊16之間的孔而形成支 撐柱。貫情為，支撐柱由平坦化金屬形成，該金屬用以形 成支f柱塞42。圖7Ε中所說明之實施例係基於圖7Dt所 不之只轭例，但亦可經調適以與圖7 A至圖％中所說明之 實施例及未圖示之額外實施例中之任—者—起運作。在圖 7E中所展示之實施例中，金屬或其他導電材料之額外層已 用於形成匯流排結構44。此允許信號沿干涉調變器之背面 路由▲進而消除可另外必須在基板2〇上形成的許多電極。 在諸如圖7中所屏+ +虚、 展不之m %例的實施例中，干涉調變哭 充當直視型裝置，1中 么 八中衫像係自透明基板20之正面看到， 该面與上面配置有調蠻 裔之面相反。在此等實施例中，反 射層14光學屏蔽干涉 _ ^ ^ ^ σ又裔在與基板20相反之反射層（包 括可變形層34)之 面景彡塑与像。皙 、°卩分。此允許屏蔽區域可在不負 〜曰〜像口口負之情況下 财之匯流排結構作。此屏蔽允許實現圖 器之機電特性(諸如定二、使調變器之光學特性與調變 或由此定址引起之移動）分離之能 123123.doc •20、 200814186 力。此可分離之調變器架構允許選擇用於調變器之機電態 樣及光學態樣之結構設計及材料並彼此獨立地作用。此 外，圖7C至圖7E中所展示之實施例具有由反射層14之光學 特性與其機械特性去耦導出之額外益處，其係藉由可變形 ★ 層34實現。此允許用於反射層14之結構設計及材料針對光 學特性最佳化，且用於可變形層34之結構設計及材料係針 * 對所要機械特性最佳化。 φ 在圖8A及圖卟中展示可變形層34之兩個可能組態，圖 8A及圖8B描繪自調變器背面觀看之圖，其亦可被看作圖ι 中所展不之調變器底部或圖7A至圖7E中所展示之調變器 頂部。在圖8A中，可變形層34係呈可撓性膜形式，該可撓 性膜在其拐角處係由支撐柱72a至72d支撐，支撐柱至 72d係錨定於基板2〇及/或基板2〇上之層中，諸如光學堆疊 16(見圖7之橫截面圖）中。在圖7D及圖冗中所說明之實施 例中，支撐柱72a至72d包括支撐柱塞42。可變形層34經由 _ 車乂大中央为面支撐物74及四個較小周圍支撐物76a至76d連 接至下伏反射層14(在圖8A中由虛線定界）。背面支撐物74 及周圍支撐物76a至76d可由與支撐柱塞42相同之平坦化材 料組成或由任何適當材料組成。可變形層34使反射層〗4懸 •垂於光學堆疊上。或者，在圖8]8中，可變形層34係經圖案 化而形成連接至每一支撐柱72a至72d之較薄線性接片78a 至78d。该等接片係藉由中心支樓物而附著至反射層 4圖$ A及圖8B之組態為許多可能性中之兩個替代例。 適用於本發明之干涉調變器可包含將所要移動自由度給予 123123.doc -21 - 200814186 反射層14並給予此移動之所要機械特徵之任何組態。

在若干態樣中，在本文中提供用於製造MEMS裝置（包括 但不限於干涉調變器）之方法，其中該等方法中MEMS製造 方法及/或由此等方法製成之MEMS裝置之一或多個態樣中 產生顯著改良。可結合半導體、積體電路及/或領域 中已知之任何數目之方法來實踐本文中所描述之方法。本 文中所提供之方法通常涉及一系列材料沈積、圖案化及蝕 刻步驟’以及各種額外步驟，諸如清潔、遮罩、移除、清 払雜充電、加熱、冷卻、移動、儲存、連接（例 如，連接至其他組件）、測試及類似步驟。舉例而言，在 美國專利第6，_，937號及美國專财請案第鹰侧51929 號中描述適當技術之實例。但是，用於製造特定裝置之方 法可能需要視（例如）所製造之裝置之類型及組態而大幅改 變既存方法。 。在MEMS震置之製造中的顯著問題在於與表面相關聯 術表面電荷，，)的積累，其可導致各種製造及/或效敍 題。舉例言，戶斤積累之表面電荷可吸引並固持干 MEMS裝置之光學' 機械及/或其他態樣之微粒污染物。 面電荷亦可導致靜電放電(ESD)事件，其可永久損壞負 或，、他組件。與表面電荷相關之問題可顯現為可汽 土產效率及/或產品品質之製造缺陷及/或顯現為可在^ ^後諸如產品封裝、運輸、儲存及/或使用階 糸統故障每复μ ^ } …4碭之Π潛在’，缺陷。潛在缺陷因（例如 /、、陷產品及診斷相關可靠性及/或效能問題之困難丨 123123.doc -22- 200814186 別有問題。 由既存方法製造之MEMS裝置通常積累大量表面電荷 進而需要額外處理步驟以移除此等表面電荷及/或減少其 有害效應。用於在細細裝置中處理表面電荷之各種方^ 在㈣技術（例如，在半導體製造技術）中係已知的。 而.，MEMS製造方法通常併有用於藉由將廳⑽裝置之 或夕個組件接地而對表面電荷進行放電的材料及/或产 置步驟。儘管接地可成功地消除一些表面電荷，但其他： 面電何(諸如與絕緣材料(例如，介電層，關聯《與結構上 不了接取之導電材料相關聯之表面電荷)並不易於藉由接 "亦可（例如）在，，無塵室"或其中之微環境中 曝露於電離空翕式Η 、 一電離氣體中，以便中和表面電荷。 雖然電離方法可有效地麵 # > 文地耗政一些表面電荷，但其他表面電 何抗中和，諸如駐留於與周圍環境隔離之表面上的電荷。 此外’表面電荷之積累及/或其後續中和可改變表面化學 性質或其他材料特性，[藉此負面影響臟S裝置之光 學、機械及/或其他特性。 ::工上述用於’肖除表面電荷之方法外，已開發寬廣範圍 ^衡來抵/肖或補償表面電荷對MEMS裝置之製造及操作 :2等方去包括（例如）額外層及塗層（例如，絕緣 曰、抗黏滞塗層）之併入、額外結構（例如，黏滞凸塊）之併 、皆知作乡數(例* ’致動電壓)之限制，及/或其他修 二此等方法通常係昂貴的、耗時的且僅為部分有效的。 因此’根據本文中所> 榀述之方法來防止表面電荷之積累可 I23123.doc -23- 200814186 提供對MEMS裝置及製造方法之大量改良。 在一些態樣中，經由本文中所提供之用於兹刻犧牲材料

之方法來減少或防止表面電荷於MEMS 且 < 一或多個έ士 構元件上之形成。在不限則^理論之情況下，咸: 電荷於MEMS裝置上之積累《主要_為摩擦帶電^此 在製造過程期間接觸且接著分離之兩個或兩個以上表:之 間發生電荷轉移。蝕刻製程對於表面電荷尤其有問題二 為其通常涉及移除與結構或其他材料大範圍接觸^犧牲^ 料。術語，，犧牲”根據其一般意義而在本文中— 述在製造MEMS裝置之過程中被移除之材料（例如，犧牲: 料）及/或包含此等材料之結構（例如，犧牲層）。在各種本 施例中’犧牲材料與構成MEMS裝置之結構材料之間的二 面接觸之分離（例如）經由電子在表面之間的供予及接受: 產生正電荷及貞電荷之局部區域而導致表面之摩擦帶電。 此外’經由化學㈣而產生之帶電物質以及帶電污染物可 吸收、凝聚（物理吸收）、化學吸收

予及收及/或另外黏附至MEMS 裝置之一或多個表面。 在某些態樣中’本文中所提供之方法藉由在電離氣體存 在之情況下以氣相化學蝕刻劑來蝕刻犧牲材料而防止或減 少表面電荷之形成及/或積累，#中電離氣體對於犧牲材 料及/或構成则MS裝置之材料較佳係大體上非㈣性的。 在不受特定理論限制之情況下’咸信在電離氣體存在之情 况下之蝕刻中和帶電物質(否則帶電物質將黏附至裝置之 -或多個表面）。在各種實施例中，㈣荷中和之物質大 123123.doc -24- 200814186 體上不黏附至MEMS裝置之表面，而是（例如）經由真空源 與姓刻製程之其他副產物一起被移除。與既存方法相比， 本文中所提供之方法可防止表面電荷之初始形成（與在形 成表面電荷後移除或補償表面電荷相對比）。有利地，本 文中所提供之方法可產生對職8製造方法之效率、成 衣時間$確度、複製性（例如，較低公差）及/或其 ::樣之改良。本文中亦提供具有降低含量之表面電荷： ”⑽裳置及包含此等裝置之线。在各種實施例中，此 =置及系統展現：對於由其他方法製造之裝置及系統的 乂之耐久性、可靠性、效能及/或其他態樣。 二：層及/或其他結構元件在本文中相對於其 凡件可破描述為”在 卜” . ......上（例如，在......上沈積或在…… 成）、在......之上”、·，在......上方"、"鄰近於”、"在 之間，，等。如本文中所使用，此等 接在·.·.·.上、在之卜* 丁口了-明直接及/或間 門榮 在......之上、在上方、鄰近於、在·.··..之 因為各種中間層及/或其他結構元件可在本文中所 構70件之間插入。類似地，本文中所述之結構元# (啫如基板或層）可包含單組件結構（例如，單芦 結構（例如，在具有或 自5夕組件 :個所述材料層之層板)。除上述涵義外，術二包含I 可表不一結構元件以將該結構元件與另一 上 近之任何方式而與該另一元件附著、連接、^隹持彼此接 關聯。被峨"在另-結構元件上，,：：構;=外相 I23123.doc -25- 200814186 水久地、不可逆地（等等)或可移除地、可分離地（等等）相 關聯。關於物件或元件之術語”一或多個"、"至>一"及類 似術語之使用不以任何方式指示在結合未使用此(等)術語 之情況下無物件或元件存在之潛在複數個配置。 如本文中所使用，術語”微機電系統（MEMS)裝置”通常 μ扎在製k之任何階段之任一此裝置，包括"預釋放"裝置 (例如，具有在後續處理步驟中經移除之一或多個犧牲層 • 《裝置）及”後釋放"裝置（例如，包含操作性裝置之結構二 件之波置）雖然可關於特定結構或裝置來描述各種實施 例，但本文中所提供之方法及產品不限於例示之裝置或任 何特疋類別之裝置，而是通常適用於任何相容之穿 置。 ’ 在一些較佳實施例中，由本文中所提供之方法製造之 MEMS裝置為干涉調變器，諸如圖〗至圖9中所說明之干涉 調變器。然而，本文中所提供之方法不限於此等裝置，而 • 是亦可適用於具有"顛倒"組態之干涉調變器（諸如美國專利 第6,650,455號中所描述之干涉調變器）、，，多態，，干涉調變 器（諸如美國專利公開案第20040240032號中所描述之干涉 調變器）及/或其他適當MEMS裝置。 •圖9A至圖9C為說明用於形成一陣列之干涉調變器之例 示性方法的若干步驟的橫截面圖，每一干涉調變器皆包含 安置於光學堆疊16上且經由支撐柱113而與光學堆疊“隔 開之可移動反射層14，支撐柱113大體上垂直於光學堆疊 16。支撐柱113、光學堆疊16及反射層14形成干涉腔= 123123.doc •26· 200814186 圖9A至圖9C之橫截面展示三個干涉調變器1〇〇(a)、1〇〇(b) 及100(c)之形成，三個干涉調變器1〇〇(a)⑽

在彩色顯不裝置中構成像素。在圖9C中展示由例示方法形 成之干涉調變器之最終組態。調變器1〇〇(a)、1〇〇(b)及 100(c)之干涉腔l10(a)、11〇(b)、n〇(c)之尺寸分別確定干 涉之性質及由每一調變器之反射光所得色彩。舉例而言， 調變器100(a)、l00(b)&100(c)具有變化高度（例如，在靜 止或放鬆狀恶下，可移動反射層丨4與光學堆疊〗6之間的距 離）之干涉腔H0(a)、110(13)及11〇(勹，其中空腔之高度與 所反射之光的波長相關。因此，在"RGB”像素實例中，具 有最大高度之空腔之調變器100(勾反射紅光，具有中間高 度之空腔之調變器100(b)反射綠光，且具有最小高度之: 腔之調變器1〇〇(〇反射藍光。其他色彩組合亦為可能的7 且亦可能使用黑色及白色像素。 在所說明之方法中，如圖9A中所示，在透明基板2〇上沈 積光學堆疊16。光學堆疊16通常包含若干整合層或融合 層，包括：電極層112,其藉由沈積適當材料而在基板2〇 上形成，諸如氧化銦錫（no);及部分反射層117，其藉由 沈積適當材料而在電極層112之頂部上开彡 ❿风’绪如絡。在 此處未展示之方法中’電極層112及部分反射層117可視顯 不器設計之需要而經圖案化並蝕刻以形成電極行、列及/ 或其他適用形狀。光學堆疊16通|亦包含在經圖案化之電 極層U2及部分反射層117上形成的介電層118。介電層 包含適當材料，諸如氧化石夕。在各種實施例中，使用二他 123123.doc -27- 200814186 材料來形成電極層、邱八 — a 反射層及/或介電層。在所說明 之實施例中’透明基板2G之觀看表面在基板20之”底部" 上’亦即’基板20之與光學堆疊16相反之面上。 在形成光學堆疊後，沈積第-犧牲層12〇,第-犧牲層 120可包含若干子層（例如，下文中所描述之子層㈣⑷、 120(b)及120(c))。在一些實施例中，在沈積第一犧牲層 120之則’在光學堆疊16上形成（例如）包含a地之鞋刻级 • 止層（未圖示）以保護光學堆疊16免受後續钕刻步驟。參看 圖9B’第-犧牲層12〇佔用可移動反射層14與光學堆疊μ 之間的空間’且因此第一犧牲層12〇之厚度對應於每一干 涉調變器⑽中之干涉腔11〇之尺寸。圖从說明藉由沈積、 製造及钕刻多個犧牲子層12〇⑷、12〇⑻及12〇⑷而在干涉 調變器_⑻、100⑻及100⑷中之每一者中產生具有可變 厚度之第一犧牲層120之例示性方法。在所說明之實施例 之步驟1中，沈積、遮罩並蝕刻第一子層120(a)以形成最左 • 側干涉調變器100(a)之第一犧牲層之部分。在步驟2及3. 中，沈積、圖案化並蝕刻第二犧牲子層12〇(b)以形成干涉 调變益100(a)及100(b)之第一犧牲層120之部分。最終，在 步驟4中，沈積第三犧牲子層12〇(c)以形成干涉調變器 100(a)、100(b)及100(c)之第一犧牲層！2〇之部分。第三子 層120(c)不需圖案化，因為其厚度被包括於構成像素之所 有三個干涉調變器100(a)、1〇〇(13)及100(c)中。因此，在圖 9A至圖9C中，最左側干涉調變器i〇0(a)之第一犧牲層12〇 包含子層120(a)、120(b)及120(c)之組合厚度，中間干涉調 I23I23.doc -28- 200814186 變器100(b)之第一犧牲層〗20包含子層12〇(b)及i2〇(c)之組 合厚度，且最右側干涉調變器】00(c)之第一犧牲層12〇包含 子層120(c)之厚度。 在本文中所提供之方法中使用多個子層來形成一或多個 犧牲層允許製造具有寬廣範圍之空腔尺寸之干涉調變器， 該等空腔尺寸（例如）取決於干涉調變器之所要光 特性。舉例而言，在顯示裝置中構成像素之鄰近干涉調變 器可具有對應於一個、兩個、三個或三個以上犧牲子層 (諸如圖9A至圖9C中之子層12〇⑷、12_)及12〇⑼之組: 厚度的干涉腔尺寸。此外’構成犧牲層之子層可具有不同 尺寸’進而允許包含此等子層之犧牲層之總厚度之額外可 變性。形成第-犧牲層120之該或該等子層之組合厚度的 範圍可寬廣地變化。在一此竇 二H軛例中，犧牲層120具有約 5 0 0埃至約5 〇，〇 〇 〇埃之4且人卢痒 、、口厗度，且更佳具有約幾千埃至 約10,000埃之組合厚度。 為了形成圖9B中所說明之預避 預釋放結構，在第一犧牲層 120(包含一個、兩個或三個 、 卞層）上沈積金屬層，且隨後圖 案化並蝕刻該金屬層以形成每一 母干涉调纟史盗之可移動反射 層14。在一些實施例中， 在弟一犧牲層120及金屬層（其隨 後形成反射層14)之間沈積第― 也 檟弟一蝕刻終止層（未圖示）以在金 屬層之圖案蝕刻期間保鳟筮 保羞弟—犧牲層120。接著在反射層 14上及在反射層14之間的 r θ _ 扃上（在弟一犧牲層120上）沈積 (且視需要，平坦化）第― M y 一最牲層122。隨後遮罩並蝕刻第二 犧牲層12 2以形成穿過第一塞 一羲牲層延伸至光學堆疊16(穿過 123I23.doc -29- 200814186 =犧牲層）之空腔，其中沈積結構材料（例如，聚 金屬或氧化物）以形士、士 # A ^ 如)藉由平扭化牛 3。支撐柱113通常具有(例 _ — 乂驟（例如，使用化學機械平坦化（CMP))(未 圖示）而達成的& 句一兩度。亦在反射層14與可變形層34之 曰》接36。接著，沈積、圖案化並蝕刻 如，如圖8A及沾中所示。 曰 如圖9B中所說明，可變形層叫支撐柱⑴與可移動反 ㈣Μ之間形成彈性連接。在一些實施例中1需要，在 可，k形層34上沈積第三犧牲層（未圖示）。餘刻犧牲層㈣及 122”釋放” 了干涉調變器，使得可移動反射層U藉由可變 形層34而懸垂於光學堆疊16上，如圖％中所說明。 在各種實施例中，钮刻細则裝置之一或多個犧牲層（諸 如，犧牲層12〇、122)及可變形層34上之可選犧牲層包含 在電離耽體存在之情況下將該（等）犧牲層曝露於氣相化學 舞刻劑中。在-些實施例中，MEMS裝置之與犧牲層接觸 或緊密接近之-或多個表面具有降低含量之固定電荷。舉 例而言，參看圖9C，根據本文中所提供之方法來㈣犧牲 層120防止曝露於干涉腔11〇之可移動反射層^、光學堆疊 16及/或支撐柱113之表面的充電。仍參看圖叱，在曝露於 第一犧牲層122之一或多個表面（包括可移動反射層14之上 表面、可變形層34之下表面及/或支撐柱113之表面）上亦可 減少表面電荷。有利地，本文中所揭示之方法在不需要大 體上偏離既存製造方法的情況下防止表面電荷及其有害效 應。此外，在一些實施例中，表面電荷在曝露於干涉腔之 I23123.doc -30- 200814186 一或多個表面上之減少消除凡 δ又计用於消除'減少或補償 表面電何之額外處理步驟，諸如沈積額外層或塗層。 ，習此項技術者將理解犧牲材料、氣相化學㈣劑及電 離氣體之選擇取決於各種 士、, ^包括用於沈積犧牲材料之 厂及條件（該等方法及條件可影響犧牲材料 化學特性）以及用於移除犧牲材料之银刻條件。孰習此^ =者亦將理解實際上所有材料在特定條件下皆為可姓刻 且材料在本文中被描述為選擇性可钕刻或抗姓刻的， ^刻劑及/或電離氣體被描述為非姓刻性的係為了在特 疋條件下與其他材料或氣體相比較。因此，在許多情況 下在又k條件下根據經驗來確定適當犧牲材料、飯刻劑 m離氣體。或者’適用於各種目的之钱刻齊卜犧㈣ 科組合在此項技術中係已知的及/或可購得的。 在=文中所提供之方法中使用的氣相㈣劑、電離氣體 及該（等）犧牲材料通常經選擇以使得使用本文中所提供之 化學餘刻方法，犧牲材料相#mems裝置之結構材料及/或 基板係選擇性可姓刻的。在一些較佳實施例中，氣相化學 餘刻劑對結構材料及/或基板係大體上非银刻性的。舉例 而言，在-些實施例中’氣相化學蝕刻劑以一速率蝕刻犧 ^亥速率係比結構材料及/或基板之姓刻速率大了 約5\、車交佳大了約1〇χ且更佳大了約椒。在其他實施例 中’氣相化學蝕刻劑在電離氣體存在之情況下對結構材料 及/或基板係大體上非蝕刻性的。 在些較佳實施例中，電離氣體對犧牲材料係大體上非 123123.doc -31 - 200814186 1虫刻性的。舉例而言，在一些實施例中，電離氣體以-速 车餘刻犧牲材料’該速率係比氣相化學㈣劑之㈣ 小了約肌或更小、更佳小了約40X或更小，且甚至更佳 小了約職或更小。使用對犧牲材料較佳係大體上非茲刻 性的電離氣體允許MEM⑼置在製造過程巾㈣於電離氣 體中達—延長時間。舉例而言，在—些較佳實施例I 则廳裝置在引人化學㈣劑之前並在整個_製程令係 =電離氣體中達一段時間以防止帶電物質在無電離氣 、子在下㈣。在其他實施例中，細廳裝置係'在沈積一 或多個犧牲層之前、期間及/或之後曝露在電離氣體中(例 ^乂防止因犧牲材料與結構材料及/或基板之間的接觸而 =擦電荷。較佳係使用大體上非餘刻性之電離氣體而 允：在不需要顯著改變既存製造方案之情況下執行本文中 方法。例如，在各種實施例中，在與無電離氣體. 月况下所使用之條件相同或大體類似之條件下，在 大Γ上非㈣性之電離氣體存在的情況下執行MEMS裝置 之衣造中的—或多個沈積及/或蝕刻步驟。 》雖然未党特定理論限制，但咸信在一些實施例中，電荷 :成之私度係與犧牲材料與結構材料間之接觸性質及程产 素I:塑舉例而言’在各種實施例中’電荷形成係受以下因 南:、面Μ之接觸面積及持續時間、分離之速率及方 二杜濕度及/或在表面·表面界面處之”接觸電阻"。在一些 二 ===:rr藉由本文所提供…： ，、甲在5亥荨條件中，氣相蝕刻 123123.doc -32- 200814186 劑自發地經由化學势 發性化學物質）而非藉由物理fr 一起自曰反應腔室移除之揮 離子麵1鐘等等）。因此=大"㈣（例如，藉由 定向）方式（盥純化風蝕刿纪 “土以大體上各向同性(非 乂义< 子蝕刻製程相符)來蝕刻犧牲層。 钱刻而在mJ 由在大體上非受激條件下執行 …、 蝕刻存在之情況下執行化學蝕刻。兴 例而$，#刻條件較佳uγ^ 子触亥i舉 程及叙…， 有足夠低之能量以在整個餘刻製 劑唯= MEMS裝置之任何後續步驟中將化學姓刻 中=氣相（例如’未轉化為電幻中。在各種實施例 在未將氣相姓刻劑曝露於激勵條件（諸如高溫、高 ^ Μ⑼^ UVum)'電磁能及/或能夠激勵氣 :、刻劑之其他條件)的情況下執行蝕刻製程。舉例而 言’在各種實施例中，在以下條件下執行根據本文中所提 供之方法之蝕刻：小於約100托之壓力、更佳小於約5〇托 之壓力且甚至更佳小於約10托之壓力;小於約賊之溫 度、更佳小於約15(TC之溫度且甚至更佳小於約⑽。c之溫 度；及/或歷時一小於約10分鐘之時間、更佳小於約5分鐘 <時間且甚至更佳小於約1分鐘之時間。 在一些實施例中，氣相化學蝕刻劑為惰性鹵化物（n〇ble halide)-氟化物氣體钍刻劑，諸如氟化氦、氟化氖、氣化 鼠 亂化氣、亂化iSL或亂化乳氣體。在一此較佳實施例 中’蚀刻劑為KrF2、XeF?、XeF4或XeF6，直中XeF2係尤甘 較佳的。在一些實施例中，氣相化學蝕刻劑係鹵素氟化物 123123.doc -33 - 200814186 乳體，諸如BrFx(例如，BrF、BrF3或BrF5)、C1FX(例如， C1F、C1F3或C1f5)、叫例如，％或⑹、《αχ(例如， _ 2)或"、、、且S。在其他實施例中，氣相化學钱刻劑包 含氣相酸（諸如，HF、HBr或HI)、氣化物或溴化物氣體（諸 2 BrIs BrC〗3或AIC13)，或上述餘刻劑之任何組 合。在-些實施例中，㈣劑進—步包含額外氣態成份

⑷士稀釋㈤）。舉例而言，氣相化學餘刻劑可與n2氣體 或另一惰性氣體（諸如Ar、Xe、He及類似氣體）組合。 在不具有經由物理製程之大量蝕刻的情況下，可藉由本 文中所提供之方法來化學蝕刻各種犧牲材料。舉例而言， 在各種實施例中，犧牲材料可包含多晶矽、非晶矽、氧化 石夕、氮化矽、鋁、欽

錘、铪、釩、鈕、鉻、鉬 猛、亡種聚合物(例如’有機聚合物），及/或其組合物。在 些貝加例中’犧牲材料包含犧牲層，諸如圖9B中之犧牲 層120 ’該犧牲層可由諸如化學氣相沈積π·)或低壓 CVD(LPCVD)之化學製程形成或由諸如物理氣相沈積 (刚)之其他製程形成。在一些較佳實施例中，犧牲層12〇 包含鉬、石夕、鈦或鎢，且使用諸如城之惰性鹵化物·氟 化物氣體蝕刻劑來蝕刻以釋放干涉調變器。 如上所述，犧牲材料及化學蝕刻劑之選擇可需要在界定 之條件下犧牲材料相對於各種結構材料之姓刻速率的經驗 確定。因此，本文中所描述之各種實例提供對此等材料之 選擇之普通準則’而不應被解釋為普遍可應用或窮舉可用 材料。在-些實施例中，（例如)藉由量測裝置之反射率或 123123.doc -34 - 200814186 蝕刻副產物之釋放來監視鍅 ^ 在其他實施例中， 行蝕刻達一固定時間，例如，弁义广办 允卉進 之蝕刿則！確定以提供所要程度 Γ=Γ性的持續時間。熟習此項技術者亦將理 ==刻速率可基於以下因素而變化:層之 厚度、周圍層之間距及方位、 ^ ^ A丄 触刻方向及其他因素。在各 種貫施例中，用於蝕刻犧 隹合 s之軋相蝕刻劑之量係足以按 所要速率（例如，至少i奈米 δ ^ ^ . , A ^ 且更佳至少5奈米/秒且甚 至更仏至；>、1 〇奈米/秒或更大、 更大）蝕刻犧牲材料之量。在各種 κ知例中，在本文中所描述 .,t ^ ^ 方去中使用之電離氣體之量 為約1重置％與約99重量 之間的蝕刻劑_電離氣體混合 物、且較佳小於約5 0重詈 直里/〇、或更佳小於約25重量％或甚 至更佳小於約1 〇重量〇/〇之蝕刻 d電離氧體混合物。孰習此 項技術者鑒於本文中所提供之 ....." + ^ 杈仏之教不將容易地藉由常規試驗 來確疋特定MEMS裝置之蝕刻劑· 類似者。 電離乳體比、蝕刻條件及 在各種實施例中，電離氣體為電離惰性氣體，諸如n2、

二Xe He及類似氣體。在—些較佳實施例中，電離氣 體對犧牲材料及/或構成MEM ,^ , b衮置之結構材料係大體上非 反應性的（例如，大體上非餘 生的）。在其他實施例中， 電離乳體在氣相化學蝕刻劑存 ,^ ^ μ 孖在之N況下對於此等材料係 大體上非#刻性的。電離氣體較佳包含帶正電之分子及帶 :電之分子以便在兹刻製程期間中和兩種類型之帶電物 貝。然而，在一些實施例中， 電離乳體可大體上或完全包 含V正電之分子或帶負電公 、电之刀子，例如，其中某一組份之 123123.doc -35 ^ 200814186 電離氣體先前已被確定為能有效地減少表面電荷。 用於產生電離氣體並將電離氣體傳遞至目標微環境之方 法與設備在此項技術中係已知的且在（例如）美國專利第 5,594,247號及第5,898,268號中予以描述。舉例而言，在一 些實施例中，惰性氣體由”電暈放電"方法電離，其中氣體 曝露於針狀電極中，在將電離電壓施加至針狀電極後該等 電極電離氣體分子。在_些實施例中，將負電壓施加至一 或多個電極’ &而主要產生正離子，而在其他實施例中， 施加正電壓而主要產生負離子。藉由混合如上所述而 產生之負性電離物質及正性電離物質及/或藉由將交流電 二施加至單一電極’較佳以經設計而最大化兩種物質之產 量的時間脈衝-暫停方案(例如，藉由最小化帶電物質之再 組合)y產生正離子與負離子之混合物。在各種實施例 中_，藉由施加真空、壓力及/或電磁力，及/或藉由此項技 術中已知之其他方法而將電離物質引導至含有MEMS裝置 :虫刻腔室或其他微環境。在一些實施例中，使用離子搶 子核在此項技術中係已知的且可購得）而將電離氣 體引入至蝕刻腔室。 在一些較佳實施例降 〜 Μ〖生乳體具有較低”電離能量”使 付/、在相對較低能量條件 ^ ^ ^ *件下（例如，在垓境溫度及壓力下）

谷易電離。在一此會#加A 二貝知例中，沁及Ar氣係尤其較佳的。在 ^ . 子源被置放得緊密接近於將用於電 何減少之區域，因為 &人& / 馮具有較低電離能量之氣體通常容易再 組合而形成不帶雷 、。此外’在其他實施例t，（例 123123.doc '36- 200814186 如）使用離子搶而使電離氣體分子向目標區域加速，使得 電離分子在其"半衰期"之大部分時間中位於蝕刻腔室中。

熟習此項技術者將理解MEMS裝置可取決於所製造之特 定裝置、所制之職及材料μ各種方切露於氣相 化學蝕刻劑及電離氣體中。舉例而言，已知許多方法及設 備在半導體、MEMS及積體電路領域中用於在裝置製造之 一或多個步驟期間控制圍繞裝置之微環境。舉例而^，在 其内執行-或多個特定處理步驟之獨立、密封之：環境 (例如’處理”工具”)中，可執行在则奶裝置之製造中的 各種步驟。 …"工王T轨仃很據本文中 所提供之方法之㈣’其允許氣體及微粒物質以受控方式 並以叉控速率被引入或自腔室移 ,、 王秒味馬了最小化表面電荷 之形成’氣相ϋ刻劑較佳按一方式 乃式入至餘刻腔室中，該 方式在無電離氣體存在之愔況 " 兄下最小化氣相蝕刻劑與犧牲 材料之接觸。因此，在一歧較佳杂 , 一1乂佳貝轭例中，在引入氣相蝕

刻劑之珂，將電離氣體I … 乱體放布在整個腔室中。舉例而言，電 離氣體可在蝕刻腔室中連續循 、衣且軋相蝕刻劑可滲入電離 乳體之循環中。在其他實施例 # 电 中乳相蝕刻劑及電離氣體 被一起引入至腔室中（例如，每一 ^ ^ ^ 母乳體可自獨立源流動至 共同官道中，該共同管道又日 在蝕μ眯—^^人 又將冼合物載運至蝕刻腔室）或 在蝕刻腔室中組合（例如，每一 宕由、^ 母軋體可自獨立源引入至腔 ,, 蝕刻劑為XeF2，xeF可（例 如）猎由將固態晶體維持於 至，皿而自該等晶體昇華來產 123123.doc -37- 200814186 生。 圖10說明例示性蝕刻設備1000，其包括反應腔室1〇1 〇， 該反應腔室1010具有載物台1012，待蝕刻之基板1〇14安裝 於該載物台1012上。載物台1012電接地以防止表面電荷形 成且對現有表面電荷進行放電。離子物質源1〇2〇將源氣體 (例如，氬氣）1022供應至離子搶1024，離子搶1〇24電離該 源氣體1022且將其作為離子束1〇3〇傳遞至反應腔室1〇1〇 中。氣體供應閥1026在源氣體電力及流量控制器1〇28之控 制下控制源氣體1 022自離子物質源丨〇2〇之流動。源氣體控 制器1028亦控制對離子搶1〇24之電力供應。離子搶1〇24產 生包含電離氣體1022之離子束ίο%，且將其引導至蝕刻基 板1014之曝露表面。蝕刻劑源1〇4〇在蝕刻氣體供應閥 1032a及1032b以及蝕刻氣體流量控制器1〇34之控制下將一 或多種餘刻氣體供應至反應腔室i 〇丨〇中。反應腔室〗〇丨〇連 接至排放泵（未圖示），該排放泵在排放泵閥1〇5〇之控制下 將真空壓力施加至反應腔室1〇1〇以促進蝕刻副產物之移 除。反應腔室1〇1〇亦連接至交換腔室1060，交換腔室1〇6〇 在對腔至101 0裝載或卸載餘刻基板（例如，丨〇丨4)期間使餘 刻腔室1010與外部環境隔離。各種離子物質源、離子搶、 蝕刻氣體源、控制器及類似者在此項技術中係熟知的，且 可自商業來源購得。 圖11說明類似於圖10中所展示之蝕刻設備的蝕刻設備 1100，其具有多個離子搶112〇以促進電離氣體在蝕刻腔室 1110内之傳遞及/或分布，從而允許同時處理多個基板 123123.doc -38- 200814186 1130 〇 圖12說明類似於圖10及圖u中所展示之設備的設備内之 蝕刻腔室1200，其中腔室12〇〇包含：第一子腔室121〇a， 其中產生電離氣體；及第二子腔室〗21 〇b，其中駐留於電 接地之載物台1242上之待钮刻之基板1240曝露於電離氣體 中。在子腔室1210a中，惰性氣體(例如，氬氣）曝露於由場 產生器1220產生之高壓中，進而將惰性氣體轉化為產生電 離氣體之電漿。在所說明之實施例中，電離氣體於子腔室 12 10a内之產生可獨立於電離氣體至餘刻基板I]如之流動 而受到控制。舉例而言，可藉由改變由場產生器122〇產生 之電壓及/或施加至截止栅極（cut-0ff grid) 1224a及1224b之 電壓來控制電離氣體之產生。在不限制於特定機制之情況 下，在一些實施例中，電壓對電極1222&及122孔之施加會 使子腔室1210a内之帶電粒子加速，帶電粒子會碰撞並電 離惰性氣體之分子以形成電漿。可藉由調整施加至截止栅 極1224a及1224b之電壓來控制氣體離子之產生。此控制程 度獨立於對電離氣體至子腔室121〇b之流動的控制，可藉 由改變施加至使子腔室121(^及121〇b分離之靜電加速柵極 1230之電壓來控制該流動。 本文中所提供之方法適用於在製造過程期帛減少議⑽ 裝置之接觸犧牲層之任何表面上的表面電荷。舉例而言， 參看圖9B ’在電離氣體存在之情況下餘刻犧牲層㈣及m 可減少曝露於干涉腔110之一或多個表面(包括可移動反射 層14之反射表面、光學堆疊16之所曝露之表面，及/或在 123123.doc -39- 200814186 反射層14之後（亦即，與觀看表面相反）之一或多個表面）上 之表面電荷中。 在一些較佳實施例中，本文中所提供之方法減少在干涉 調變1§之光學路徑内之一或多個表面（”光學活性”表面）上 之表面電荷。如上參看圖1而描述，干涉調變器通常自可 移動反射層14反射光，該光以各種角度干涉由光學堆疊16 反射之光，光學堆疊16對於入射光係部分反射且部分透射 的。因此，光學堆疊16之所曝露之表面及/或可移動反射 層14之反射表面具有某些光學特性（諸如反射、吸收及/或 透射特定波長之光的能力），該等光學特性與干涉調變器 之所要光學回應相符。因此，電荷及/或微粒污染物在干 涉調變器或其他MEMS裝置之—或多個光學活性表面上的 積累可干擾裝置之影像保真度、解析度、_比度及/或光 學效能之其他態樣。此外，補償光學活性表面上表面荷 可能為困難的’因為材料及結構組態受裝置之光學要求限 制因此，在各種較佳實施例中，防止電荷在一或多個光 學活性表面上形成可大體上改良MEMS裝置之效能。 在其他較佳實施例中，本文中所提供之方法減少在 衣置之操作期間可移動之一或多個表面(”機械活性" 表面)上之表面電荷。舉例而言，在一些實施例中，帶電 粒子可黏附至干涉調變器之機械層(例如，圖9B中之層34) 且局部地使其變形，藉此改變其機械特性中之—或多者， :如應變能及/或恢復力。如上所述，可變形層之機械特 對於確定干涉調變器之致動電壓、π滯後窗口 "及其他操 123I23.doc -40- 200814186 作參數係重要的。因此，防止雷 34)上在機械活性層（諸如層 ” 者改良干涉調變器及/或其他MEMS裝置之 效月6 。 在其他孝父佳貫施例中，本文中 绫M斗4夕.. ^彳，、之方法減少包含絕 、·泉材科之一或多個結構元件上之表面電荷。舉例而言，在 一些實施財，圖9B中之光學堆疊16包含㈣ H〇之絕緣層中。因為絕緣層 巾个勿經由接地而放電， =在絕緣層上出現之表面電荷成為表面靜電荷，表面靜 何可具有各種有害效應’如本文中所描述。有利地，根 康本文中所描述之方法在電離氣體存在之情況下以氣相化 學姓刻劑來韻刻犧牲材料（諸如構成犧牲層⑵之材料）防止 表面電荷於MEMS裝置之一或多個絕緣層上之形成。 在一些額外態樣中，提供由本文中所描述之方法製造之 MEMS裝置以及併有此等裝置之系統。具有減少量之表面 電荷之MEMS裝置可展現各種改良特徵，包括（但不限於） 減少之腐姓、侵姓及/或磨損、較佳光學及/或機械特性、 對製造公差之改良之依附，及其他所要特性。 处熟習此項技術者將理解上述設備及製造方法之改變係可 月b的，例如，添加及/或移除組件及/或步驟，及/或改變其 次序。此外，本文中所描述之方法、結構及系統適用於製 k其他電子裝置，包括其他類型之1^[]£1^§裝置，例如，其 他類型之光學調變器。 此外，儘管以上詳細描述已展示、描述並指出了本發明 破應用於各種實施例時的新穎特徵，但應理解，熟習此項 123123.doc •41 - 200814186 技術者可在亚不背離本發明之精神的情況下對所說明之裝 置或方法的形式及細節進行各種省略、替代及改變。如將 戢到的，可在並不提供本文中所述之所有特徵及益處的 /式内m %本發明，因為某些特徵可與其他特徵分離來使 用或實踐。 【圖式簡單說明】 圖1為描繪干涉調變器顯示器之一實施例之一部分的等 馨角現圖，其中第一干涉調變器之可移動反射層處於放鬆位 置’且第二干涉調變器之可移動反射層處於致動位置。 圖2為說明併有3x3干涉調變器顯示器之電子裝置之一實 施例的系統方塊圖。 圖3係圖1之干涉調變器之一例示性實施例的可移動鏡面 位置相對於所施加之電壓之關係的圖表。 圖4為可用以驅動干涉調變器顯示器之一組列電壓及行 電壓的說明。 • 圖5 A說明圖2之3x3干涉調變器顯示器中之顯示資料的一 例示性圖框。 圖5B說明可用於寫入圖5A之圖框之列信號及行信號的 一例示性時序圖。 圖6A及圖6B係說明包含複數個干涉調變器之視覺顯示 裝置之實施例的系統方塊圖。 圖7 A係圖1之裝置之橫截面。 圖7B係干涉調變器之替代實施例之橫截面。 圖7C係干涉調變器之另一替代實施例之橫截面。 】23123.doc -42- 200814186 圖7D係干涉調變器之又一替代實施例之橫截面。 圖7E係干涉調變器之額外替代實施例之橫截面。 圖8 A係說明可分離干涉調變器之底板支撐之實施例的示 意圖。 圖8B係說明可分離干涉調變器之底板之替代實施例的示 意圖。 圖9A展示在用於製造具有變化尺寸之干涉腔之干涉調變 器的方法的實施例中沈積、圖案化及蝕刻犧牲材料之多個 子層之一系列橫截面圖。 圖9B為展示在蝕刻犧牲層之前在製造之預釋放狀態下在 彩色顯示器中構成像素之三個鄰近干涉調變器之橫截面 圖。 圖9C為展示在藉由蝕刻犧牲層而釋放之後各自處於放鬆 狀態的圖9B之干涉調變器之橫截面圖。 圖10說明用於蝕刻MEMS裝置基板之設備，其供應有用 於減少及/或防止表面電荷之電離氣體。 圖11說明類似於圖10之設備之蝕刻設備，其有助於同時 處理多個MEMS裝置基板。 圖12說明蝕刻設備之内部腔室，其允許對電離氣體之產 生及其至MEMS裝置基板之傳遞進行獨立控制。 【主要元件符號說明】 12a 干涉調變器/像素 12b 干涉調變器/像素 14 可移動反射層 123123.doc -43 · 200814186

14a 可移動反射層 14b 可移動反射層 16 光學堆疊 16a 光學堆疊/列電極 16b 光學堆疊/列電極 18 柱狀物 19 間隙/空腔 20 透明基板 21 處理器 22 陣列驅動器 24 列驅動器電路 26 行驅動器電路 27 網路介面 28 圖框緩衝器 29 驅動器控制器 30 顯示陣列/顯示器 32 繫栓 34 可變形層 36 連接 40 顯示裝置 41 外殼 42 支撐柱塞 43 天線 44 匯流排結構 123123.doc -44- 200814186

45 揚聲器 46 麥克風 47 收發器 48 輸入裝置 50 電源 52 調節硬體 72a-72d 支撐柱 74 背面支撐物 76a-76d 周圍支撐物 78a-78d 線性接片 100a 干涉調變器 100b 干涉調變器 100c 干涉調變器 110 a 干涉腔 110b 干涉腔 110c 干涉腔 112 電極層 113 支撐柱 117 部分反射層 118 介電層 120 第一犧牲層 120a 犧牲子層 120b 犧牲子層 120c 犧牲子層 I23123.doc 200814186

122 第二犧牲層 1000 例示性餘刻設備 1010 反應腔室/蝕刻腔室 1012 載物台 1014 待蝕刻之基板 1020 離子物質源 1022 源氣體/電離氣體 1024 離子搶 1026 氣體供應閥 1028 源氣體電力及流量控制器 1030 離子束 1032a 蝕刻氣體供應閥 1032b 蝕刻氣體供應閥 1034 蝕刻氣體流量控制器 1040 1虫刻劑源 1050 排放泵閥 1060 交換腔室 1100 银刻設備 1110 蝕刻腔室 1120 離子槍 1130 基板 1200 蝕刻腔室 1210a 第一子腔室 1210 b 第二子腔室 123I23.doc -46- 200814186

1220 1222a 1222b 1224a 1224b 1230 1240 1242 場產生器 電極 電極 截止柵極 截止栅極 靜電加速柵極 待钱刻之基板 載物台 123123.doc -47-

Claims (1)

1. 200814186 十、申請專利範園： 1. 一種蝕刻一犧牲声 彳層之方法，該方法包含： 在一電離氣體存太 氣相化學蝕㈣中’丨“兄下’將-犧牲材料曝露於- 上非蝕岁丨站 該電離氣體對於該犧牲材料係大體 上非蝕刻性的；及 ，該蝕刻包含移除該犧牲材料之相當 其中该氣相化學蝕刻劑係一惰性氣 其中該犧牲材料係鉬。 其中該犧牲材料係非晶 其中該氣相化學虫刻劑 其中該電離氣體係選自 Xe、He及清潔乾燥空氣 其進一步包含：在該電 蝕刻該犧牲材料 大部分。 2·如請求項丨之方法， 體鼠化物餘刻劑。 3·如請求項】至2中任—項之方法 4·如請求項1至2中任一項之方法 石夕。 5. 如請求項1至2中任一項之方法 係 XeFa 〇 6. 如請求項1至2中任一項之方法 由以下氣體組成之群：N2、Ar (CDA) 〇 7. 如請求項1至2中任一項之方法 〜 之情況下，在將該犧牲:料曝二該:= 二：劑中之前，將該犧牲材料曝露於該電離氣體中。‘ 如“項1至2中任-項之方法，其進-步包含： 在基板上沈積該犧牲材料；及 在該犧牲材料上沈積一結構材料。 9 ·如请求項8之方法，盆中兮々 /、甲忒虱相化學蝕刻劑對於該結構 123123.doc 200814186 材料及該基板係大體上非蝕刻性的。 1 〇·如明求項8之方法，其中該氣相化學蝕刻劑在該電離氣 體存在之情況下對於該結構材料及該基板係大體上非蝕 刻性的。 11·如請求項8之方法，其中蝕刻該犧牲材料包含： 相對於該結構材料移除該犧牲材料之相當大部分；及

   形成一藉由一間隙與該基板隔開之結構層，該結構層 包S 5亥結構材料之至少一部分。 12·如味求項8之方法，其進一步包含：在沈積該犧牲材料 之前，將該基板曝露於該電離氣體中。 13 · 士明求項8之方法，其中沈積該犧牲材料進一步包含將 該基板曝露於該電離氣體中。 M· 一種製造一 MEMS裝置之产法，該方法包含： 在一基板上沈積一犧牲材料； 在該犧牲材料上沈積一結構材料；及 蝕刻該犧牲材料，該蝕刻包含在電離氣體存在之情況 下’將該犧牲材料曝露於—氣相化學#刻劑中，該電離 氣體與該犧牲材料大體上不反應。 15.如請求項丨4之方法，其進一步包含··在電離氣體存在之 十月況下，在將該犧牲材料曝露於該氣相化學蝕刻劑中之 鈿，將该犧牲材料曝露於該電離氣體中。 .如請求項U至！5中任_項之方法，其進一步包含：在沈 積該犧牲材料之前，將該基板曝露於該電離氣體中/^ 1 7 ·如請求項14至1 5中任一頂之古、1 1妓》# r 1項之方法，其中沈積該犧牲材料 123l23.doc 200814186 進一步包含將該基板曝露於該電離氣體中。 1 8 ·如晴求項14至1 5中任一項夕士、、ι ^ 、之方法’其中該飯刻進一步包 含大體上移除該犧牲材料以彡 载狂W行以形成一懸垂於該基板上之結 構層，該結構層包含該結構材料之至少一部分。 19 ·如請求項1 8之方法，立中命姓 /、T 4、、、σ構層可在一藉由第一距離 與纟亥基板隔開之第一位詈盘 MrU哲 乐诅置興糟由弟二距離與該基板隔 開之第二位置之間移動。

   20.如請求項19之方法，直φ兮έ士致 甲°亥、、Ό構層回應於該基板與該結 構層之間的第一電壓差而自兮楚 m ^ 电&左叩目°褒弟一位置移動至該第二位 置，且回應於該基板與該結構層之間的第二電壓差而自 該第二位置移動至該第—位置’該第二電壓差係低於該 第一電壓差。 21.如請求項20之方法，其中在電離氣體存在之情況下將該 犧牲材料曝露於該氣相化學蝕刻劑中減少第一電壓與第 二電壓之間的差。 ^ •女明求項1 8之方法，其中該結構層對於入射光係至少部 分反射的。 23.如請求項14至15中任一項之方法，其中該基板包含—反 射層，該反射層對於入射光係至少部分透射且至少部分 反射的。 24·如請求項23之方法，其中該結構層之至少一部分反射光 干涉該反射層之至少一部分反射光。 25·如請求項23之方法，其中該MEMS裝置係一干涉調變 器，該結構層在該第一位置與該第二位置之間的移動^ I23I23.doc 200814186 變該結構層之反射光對該反射層之反射光的干涉。 26·如請求項14至15中任一 甘士； 員之方法，其中在電離氣體存在 之m ’將該犧牲材料曝露㈣氣相化學钱刻劑 少該MEMS裝置之一或多個表面之淨電荷。 27.如請求項18之方法，其中在電離氣體存在之情況下，將 該犧牲材料曝露於該氣相化學姓刻劑中減少該細则裝 置之忒結構層與一或多個表面之間的黏滯。 2 8 ·如凊求項14至15中任一項之古、、土 . ^ τ饪項之方法’其中該氣相化學蝕刻 劑係一惰性氣體氟化物姓刻劑。 2 9·如睛求項14至1 5中任一謂夕古、、土 丄 甲饪項之方法，其中該犧牲材料包 鉑0 其中該犧牲材料包含 其中該氣相化學飫刻 其中該電離氣體係選 Xe、He及清潔乾燥空 其中蝕刻該犧牲材料 30.如請求項14至15中任一項之方法 非晶碎。 3 1·如請求項14至15中任一項之方法 劑係XeF2。

   32·如請求項14至15中任一項之方法， 自由以下氣體組成之群：N2、Ar、 氣（CDA)。 33. 法，其中將該犧牲材料曝 一離子搶對該犧牲材料施 如請求項14至15中任一項之方 露於該電離氣體中係包含藉由 加該電離氣體。 ，其中蝕刻該犧牲材料 進行。 3 4 ·如請求項14至15中任一項之方法 係在一小於約攝氏1 5 0度之溫度下 3 5·如請求項14至15中任一項之方法 123123.doc 200814186 ，其中在該電離氣體存 於該氣相化學#刻劑中 係在一小於約1 〇托之壓力下進行 36·如請求項14至15中任一項之方法 在之情況下，將該犧牲材料曝露 達一小於約5分鐘之時間。 37. 如請求項14至15中任一蹈夕士 a 員之方法，其中在該電離氣體存 在之情況下，將該犧牲材料曝露於該氣相化學蝕刻劑中 係包含： 形成該氣相化學蝕刻劑與該電離氣體之混合物·，及 將該混合物施加至該犧牲層。 38·如請求項14至15中任一 j苜夕士、+ ^ ^ 員之方法，其中在該電離氣體存 在之情況下，㉟該犧牲材料曝露於_氣相化學餘刻劑中 係包含·· 將該電離氣體施加至該犧牲材料；及 將该氣相化學蝕刻劑施加至該犧牲材料。 39·如凊求項38之方法，其中將該氣相化學钱刻劑及該電離 氣體依順序地施加至該犧牲材料。 4〇.如請求項39之方法’其中在將該氣相化學蝕刻劑施加至 。亥犧牲材料之丽，將該電離氣體施加至該犧牲材料。 41. 一種MEMS裝置，其係由如請求項1至4〇中任一項之方法 製造。 42· —種設備，其包含複數個如請求項412Mems裝置。 43·如請求項42之設備，其進一步包含： 一顯示器； 一處理器，其係經組態以與該顯示器通信，該處理器 123123.doc 200814186 係經組態以處理影像資料；及 一 $憶體裝置’其係經組態以與該處理器通信。 44.如請求項43之設備，其進一步包含一驅動器電路，該驅 動器電路係經組態以將至少一信號發送至該顯示器。 45·如睛求項44之設備，其進一步包含一控制器，該控制器 係經組恶以將§亥影像資料之至少一部分發送至該驅動器 電路。 46·如請求項43至45中任一項之設備，其進一步包含一影像 源模組，該影像源模組係經組態以將該影像資料發送至 該處理器。 47.如請求項46之設備，其中該影像源模組包含接收器、收 發器及發射器中之至少一者。 4 8 ·如睛求項4 3至4 5中任一項之設備’其進一步包含_輪入 裝置，該輸入裝置係經組態以接收輸入資料並將該輪人 資料傳送至該處理器。 123123.doc