TW200803611A - Organic electroluminescent display device and method of fabricating the same - Google Patents

Description

200803611 九、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明係_-種有機電致發光顯示裝置，制係關於一種 可具有高亮度之頂部發光式有機電致顯示裝置及其製造方法。 【先前技術】 -般而言’有機電致發絲示裝置發祕透過以下步驟：首 先自陰極噴射電子及自陽極喷射電洞（hole)至一發光層，然後結 合電子與電洞產生激子，並轉變激子由激發態為基態。與液晶顯 示裝置不同，錢電致發細示技不需魏外的规，並因此 具有體積小以及重量輕之優點。 由於有機電致發絲示裝置財諸如低神雜、高亮度、 高響應時間、較輕重量及其他等優點，因此有機電致發光顯示裳 置月匕夠應用於各觀子產品，例如行動電話，個人數位助理，攝 錄像機’掌上個人電腦（pIamPC)等等。此外，由於有機電致發 光顯示裝置係透過簡單的製㈣製造，因而相比傳統液晶顯示裝 置，有機電致發光顯示裝置具有較低的生產成本。 依據驅動方式，有機電致發光顯示裝置可·為被動矩陣式 與主動矩陣式。被動矩陣式有機電致發光顯示裝置結構簡單且製 程不複雜。然而，被動矩陣式有機電致發光顯示裝置需要高功率 '肖耗，並且錄具魏大尺寸。此外’這麵示裝置形成的電線 越多，其開口率越低。 另方面’主動矩陣式有機電致發光顯示裝置具有高發光效 6 200803611 率及兩品質影像之優點。「第1圖」為習知技術之絲矩陣式有機 電致發光顯示裝置之剖視圖。 如「第1圖」所示，有機f致發絲示裝置1G包含相對設置 之第-基板12與第二基板28。第-基板12為透明且餘的，並 包含-陣列元件Μ與-有機電致發光二極體E，其中陣列元件14 包含複數個薄膜電晶體T，有機電致發光二極體E則包含一第一 二極體即第-電極16、-有機發光層18及—第二電極2〇。有機 發光層18係包含紅、綠、藍色其中之—。具有紅、綠或藍色之一 有機材料係沉積於每個畫素區域p中。 第二基板28包含粉末_之吸關22，吸濕劑22係形成用 一;除去有機電致發細讀置之喊面減。吸湖Μ設置於第 土，28之凹口，並且然後由膠帶25密封。一密封圖案％係設 置:第基板12與第二基板28之間，進而第一基板^與第二基 板28相互黏結。 自_16由透明金屬材料形成，因此 參考為底部_ _—雜16向下魏，這裡可 如知技術之有機電致發光顯錢置電路圖。 上。閘極=」=ΓΓ娜 其交又部。咖Γ 又，並且i關元件Ts形成於 70 Ts包含一閘極46、一源極56以及一汲極60。 200803611 閘極46係連接至閘極線42，源極56連接至資料線44並與汲極 60分離開。 一驅動元件TD係電連接至開關元件TS，驅動元件丁!)包含一 閘極68、一源極66以及一汲極63，驅動元件TD之閘極68係連 接至開關元件Ts。驅動元件Td由一 p型薄膜電晶體構成，並且一 儲存電谷CST係形成於驅動元件td之源極66與閘極68之間，驅 動疋件TD之汲極63係連接至有機電致發光二極體e之第一電極 16 (「第1圖」中）。此外，一電力線55連接至驅動元件凡之源 極66 〇 當來自閘極線42之閘極訊號被提供至開關元件Ts之閘極46 日:’來自資料線44之資料訊號係透過開關元件Ts❿提供至驅動 疋件TD之_ 68。然後，由鷄元件Td雜有機f致發光二極 ^ ’進而有機電致發光二鋪E發射光線。這種情況下，儲存 ST之儲存電顧於維持驅動元件td之閘極68之電壓水平。 二極體E::::S處於_狀態，也可以保持有機電致發光 層，^^件TS與驅動元件Td包含非轉或多钟之半導體 由非物成時，開關元件Ts與驅動元“可 之陣咖陣蝴電峨顯示裝置 8 200803611 如「第3 ffi」齡，线矩陣式有機電致發光齡裝置包含 開關元件ts、驅動元件Td以及儲存電容Cst位於基板32上晝素 區域p中。依照有機電致發光顯示裝置之特點，晝素區域p包含 多於一個的開關元件Ts與驅動元件td。 閘極線42與資料線44係形成於基板32上，並且其之間設置 有-閘極絕緣層（「第3圖」中未顯示）。畫素區域p由交叉的開 極線42與貧料線44所限定，電力線分形成於基板％上，並可 以平行且分離於閘極線42。 如上文所述，關元件Ts包含_ 46、絲層5G以及源極 及極6G。開關讀！^之閘極46係連接至閘極線犯，以及開 =兀件Ts之源極56連接至資料線44，_元件&之汲極⑼則 穿過-閘_魏64輕至轉元件L之閘極68。 ”驅動元件td包含閘極68、主動層62及源極的與汲極& 驅動凡件TD之源極66係穿過電力線接觸孔％連接至電力線分， ^動tl件1^之雜63係連接至第—電極％。此外，電力線％ ”夕佈圖35構成具有一閘極絕緣層之儲存電容 置 之間。 ^此外有機電致發光二極體£ (「第1圖」顯示）之第一電極 —4成於驅動轉Td上方，並透舰極接觸孔 65連接至驅動 70件Td之汲極63。 「第4圖」為「第3圖」 沿IV-IV線之剖視圖。 200803611 如「第4圖」所示，驅動元件Td與有機電致發光二極體£係 开7成於有機電致發光顯示裝置之基板32上。驅動元件td包含閘 極68、主動層62及源極66與汲極纪，有機電致發光二極體e包 3第一電極36、有機發光層38以及第二電極40。第一電極36透 過汲極接觸孔65接觸驅動元件td之沒極63，以及有機發光層％ 係設置於第一電極36與第二電極40之間，其中第一電極％與第 二電極40分別用作陽極及陰極。 儲存電容CST包含矽佈圖35作為第一儲存電極、電力線％ 作為第二儲存電極，並且兩者之間設置有—介電層。第二儲存電 極即電力線55係連接至驅動元件Td之源極66。 第5圖」為習知技術之有機電致發光二極體之剖視圖。 如「第5圖」顯示，有機電致發光二極體E係形成於基板％ 上，並包含第一電極36、有機發光層38以及第二電極40。雖然 「第5圖」中沒有顯示，但基板32包含陣列元件，例如「第4圖」 之驅動το件TD。第-電極36與第二電極4()係連接至「第損」 顯示之驅動元件Td，並且分別作為陽極與陰極。有機發光層％ 包含-電洞注射層（HIL) 38a、—電洞傳輸層（htl)通、一發 光材料層（EML) 38c、—電子傳輸層（ETL) 38d以及一電子注 射層（EIL) 38e。由於有機材料在電洞及電子之間具有不同的遷 移率，因此，電洞傳輸層（HTL)娜與電子傳輸層（etl)遍 用作改善發光效率。此外，電洞注射層（fflL)施與電子注射層 200803611 (EIL) 38e用作減少電洞和電子注射之能源障壁。 和’肖作陰極之第二電極4G係由低卫作函數之材料形成， 例如約（Ca)、銘（A1)、鎂（％)、銀（Ag)及鐘⑴）。並且， 用作陽極之第一電極36由透明金屬材料形成，例如氧化姻錫 • ⑽）以及氧化銦鋅（剛，其中沒有透明材料用於陰極。 — 纟於氧化銦錫（IT0)層透過賴方統積，因此由 理對有機發光層38造成的損抟，^ 、…又 双日]損壞，難於沉積虱化銦錫（ITO)層於 有機么光層38上。ϋ此，作為陽極之氧化銦錫（肋）層形成於 有機發光層38之下方’進而有機電致發光顯找置為底部發光類 β依知、自知触’底部發拉錢電致發光辭I置存在一些 2題:百先’底部發光式麵概發細示裝置導致亮度及開口 當包含_ 接至‘轉元件，耻轉元件應 3 ρ。一、樣則複雜化有機電致發光顯示裝置之f程。 極：二錄極形成於有機發光層之下方時，在製造過程中陽 '“备於4中’進而由於陽極與空氣反應所 致陽極與電子注射層之心_路_。 之祕層叫 【發明内容】 寥於以上的_，本翻的主要目的在雜供 11 200803611 。本發明之目的在於提供—種有機電致發光顯示裝置，其包含 ^衝層作為有機發光層之最高層，以防止陰極與有機發光層之 間發生短路。 1本毛月之其匕優點、目的及特徵，將在下文的説明中得 到闡月亚且本領域具有一般技術之技藝者可根據下文揭露之試 驗顯然瞭解本發明的部分特徵，或者透過實踐本發明而學習之。 有關本發_目的及其它優點，可賤過説明書及申請專利範圍 以及圖式特別指出的架構而實現和獲得。 口^為達上述目的，本發明所揭露之有機電致發光顯示裝 置包3弟-基板與第二基板、閘極線與資料線、—電力線、開關 钟與驅動元件、—第—電極叫靖層、—有機發光層以及一 弟二電極；於此’第—基板與第二基板係相對設置並包含複數個 晝素區域’難線與資料線互相交叉錄定複數個晝素區，電力 線平行且分離於難線，關元件與鶴元件在第-基板之複數 個晝素區_助連接，f — f錄於第—基板上並連接至驅動 轉’注射層位於第-電極上，有機發光層位於注射層上，第二 電極為透明導電材料，且位於有機發光層上。 、另外，本發明還提供了一種有機電致發光顯示裝置之製造方 法’包含以下步驟··形成互相連接之關元件與_元件於包含 有-晝素區域之第-基板上；形成—第—電極形成於驅動元件上 並連接至此鶴it件；形成—注射層於第—電極上；形成一有機 12 200803611 發光層於注射層上；形 層上；以及黏結一第二 -’·形成一透明導電材料之第二 第二基板至第一基板。 電極於有機發光 【實施方式】 餘配合圖式作最佳實施例詳細說

第6圖」為本發明之第一實施例之有機電致發光二極體之 剖視圖，歧「第7圖」為本發明之第二#補之錢電致發光 有關本發明之特徵與實作， 明如下。 在本發明中， 二極體之剖視圖。 如「第6圖」顯示，有機電致發光二極體e係形成於基板1〇〇 上。有機電致發光二極體E包含一第一電極132、一第一注射層 142a、一有機發光層144以及一第二電極148。第一注射層142a 形成於第一電極132上方，以及有機發光層144形成於第一注射 層142a與第二電極148之間。第一電極132與第二電極148分別 作為陰極及陽極，因此第二電極148相比第一電極132具有更大 的工作函數。第二電極148可以由氧化銦錫（ITO)或氧化銦鋅 (IZO)形成，第一電極132可由鈣（Ca)、鋁（A1)、鋁合金（AINd)、 鎂（Mg)、銀（Ag)及链（Li)其中之一形成。有機發光層144 13 200803611 可以為/、層結構，包含電子注射層（EIL)144a、電子傳輸層（ETL) 144b、發光材料層（eML) 144c、電洞傳輸層（HTL) 144d、電 洞注射層（HIL) 144e以及緩衝層144f。因此，電子注射層（EIL) 14如係形成於第—注射層142a與電子傳輸層（ETL) 144b之間。 當第二電極148係透過濺鍍方法沉積時，若沒有緩衝層144f， 則電/同/主射層（Hil) H4e將遭到損壞。換言之，在沉積第二電 極148之過程中’緩衝層财防止電洞注射層（皿）14知被損 壞。第二電極148由透明導電材料，例如氧化銦錫（ITO)或氧化 銦鋅（IZ〇)形成。由於緩衝層144f具有電洞注射層（fflL) 14如 之特f生以及抵抗透明導電材料沉積之财衝擊特性，因此緩衝層 麗可由銅駄菁（CuPC)或五氧化二鈒（V2Q5)形成。此外，: 於銅駄菁（CuPC)能夠形成於薄膜中，並具有低閨值電壓及高遷 移率’因此錢f致發細稀置包仙㈣（Cupc)之緩衝層 144f是有利的。銅酞菁（Cupc)也具有柔韌性。 θ 當電洞注射層（HIL) 144e由銅駄菁（Cupc)或五氧化二鈒 (v2〇5)形成時，有機發域144可具有不包含緩衝層顺之五 層結構。由於峨菁（CUPC)或五氧化二銳（VA)形成之電洞 =層（HIL) 144e在沉積第二電極148之過程中不會受到損壞， *此電洞注射層（HIL) 144e可同咖作緩衝層及電洞注射声。 第—注射層H2a解決了第-電極132與有機發光層144之間 之短路問題。在有機發光電致顯示裝置之製造過程中，一氧化層 14 200803611 〇L係形成於第一電極13 極说暴露於空氣中時，第。如上文所述，當由銘形成之第-電 成氧化層〇L於第一電極132上電極132與空氣發生反應，進而形 有機發光層144之間出 減層0L導致第一電極说與

不能工作。 鹏問題，並且有機電致發光二極體E 7經ϋ射層Ha ^成於第一電極132與有機發光層144之間 以解決短路問題，笫一、、t鉍拔^ 又間 /射層咖至少包含或驗金屬。驗金屬 弟電極132之材料具有更高的反應率，因此第-電極132 之電子透過弟-注射層142a而非氧化層〇l傳輸至電子注 (EIL)144a 中。 曰 如「第7圖」所示，當第一注射層泌由驗金屬形成時，有 般光層m可具有不包含電子注射層（皿）⑽之五層結構。 換言之，第二注射層142b^成於第一電極132的上方，並且包含 電子傳輸層（ETL)⑽、發储料層（EML)㈣、電洞傳輸 層（HTL) 144d、制注射層（HIL) 14如以及緩衝層iw之有 機發光層144係形成於第二注射们伽上。第二電極148形成於 緩衝層144fJi。在錢電致發光齡裝置之製造過財，氧化層 0L可以形成於第一電極132與第二注射層142b之間。然而，第 二注射層142b防止第一電極132與有機發光層144之間的短路問 題0 如上文所描述，第二電極148由諸如氧化銦錫（ιτο)或氧化 15 200803611 錮鋅⑽）之透明導電金屬形成，並且第一電極i32係由金屬材 料，例如!弓⑼、銘㈤、鎂（％)、銀㈤及鐘（⑴直 中-種形成。嫉由翻導紐_紅第二雜148係形成於 有機電致魏：繼⑽±，目縣自錢細144之發 射先線向上發出。_可參考為了轉發光式錢電致發光顯示裝 置，此_之顯示t置具有改進之開口率。 此外□為第電極1S2形成於有機電致發光二極體E之最 低層’亚且連接至基板廳上之驅動元件（「第7圖」中未顯示）， 所以驅動το件可包含_ n型非㈣_電晶體。因此，對有機電 致發光顯稀置之製程及生產成本有利。 「第8圖」為本發明之有機電致發絲示裝置之陣列基板之 平面示意圖。 如第8圖」顯示，在有機電致發光顯示裝置之陣列基板中， 間極線106、-貧料線126以及一電力線11〇形成於基板1〇〇上。 閘極線106與貝料線126互相交又以限定基板励上之複數個畫 素區域P。電力線110係平行於閘板線106，並與其分隔開。 開關it件Ts與驅動元件了㈣成於各個晝素區域p上，並互 相連接。開關辑Ts與驅動元件TD包含n型薄膜電晶體，開關 几件Ts之η型薄膜電晶體包含—閘極逝、—絲層m 一歐 姆接觸層（「第8圖」巾未顯示）以及源極ma與汲極mb。同 樣地’驅動辑1^11型細電晶體包含-陳1G4、-主動層 16 200803611 120a、-歐姆接觸（「第8圖」中未顯示）以及源極咖與沒 極124b。關元件^之祕122b係連接至驅動元件Τβ之間極 104，開關元件TS之開極102連接至閉極線腸，進而閘極訊號透 過閘極線1〇6而提供至開關元件Ts之閘極1〇2。開關元件L之源 極122a連接至資料線126，進而資料訊號透過資料線126而提供 至開關元件Ts之源極122a。 一閘極接墊（gate pad) 108形成於閘極線1〇6之一端，並且 -閘極接墊電極134接觸此閘極接塾1〇8。類似地，一資料接塾 U8形成於資料線π6之一端，並且一資料接塾電極13§與資料接 墊128接觸。此外，一電源接墊（p_r㈣）ιΐ4形成於電力線 ho的编，並且一電源接墊電極136接觸此電源接墊114。 一儲存電容cST包含-第-儲存電極112、—第二儲存電極 122c以及；丨電層（「第8圖」中未顯示）位於兩電極之間。第 -儲存電極112由電力線11〇延伸，以及第二儲存電極咖自開 關元件Ts之汲極122b處延伸。 第6圖」及「第7圖」之有機電致發光二極體£之第一電 極3△係幵v成於畫素區域p之整個表面上，並連接至驅動元件L 之没極124b。雖然「第8圖」中未顯示，但是「第6圖」及「第 7圖」之有機發光層142與「第6圖」及「第7圖」之第二電極 148形成於第一電極132上。第―電極132、有機發光層142 (「第 6圖」及「第7圖」中）以及第二電極148 (「第6圖」及「第7 17 200803611 圖」中）構成「第6圖」及「筮7同 丄 」夂弟7圖」顯不之有機電致發光二極 體E〇 開關元件Ts與轉树Td包含分祕有非晶教動層靡 及120a之n型薄膜電晶體。源極咖及ma她極咖及㈣ 可具有各獅狀，以改翔關元件Ts以及轉元件^之驅動特 性。 例如，如「第8圖」顯示，開關元件Ts之源極I22a為u狀， 以及開關源極TS之汲極122b為條狀。沒極122W系設置於〇形中 以獨立於此u形。鶴元件Td之祕124a及汲極⑽為環狀或 圓盤狀。雜124a為-圓錄，並且汲極⑽觀於源極12如 中。當源極122a及124a與汲極122b及124b具有上述結構時， 形成於源極122a與汲極122b之間以及源極124a與汲極124b之 間之通道區域，相比習知技術之通道區域，其具有更小的長度以 及更大的寬度。因此，藉由上述結構，可防止開關元件Ts以及驅 動元件TD損壞。 「第9A圖」、「第9B圖」、「第9C圖」以及「第9D圖」分別 為「第8圖」沿Ka-IXa ' IXb_IXb、IXoIXc及IXd-IXd線之剖視 圖。 如「第9A圖」顯示，一開關區S、一驅動以及一儲存區 C係限定於基板1〇〇之晝素區域p中。此外，一閘極區gr、一電 源區PR以及一資料區DR形成於晝素區域p之周邊。n型薄膜電 18 200803611 晶體之開關元件Ts以及驅動元件Td係分郷成於開關區 S及驅 動區D中。儲存電容CsT包含第—儲存電極112與第二儲存電極 心’並且_閘極絕緣層116位於兩電極之間，儲存電容&形成 於儲存區C中。第—儲存電極112與第二儲存電極既分別自「第 8圖」顯示之電力線⑽以及_树L之祕⑽延伸，並且 閘極絕緣層116用作介電層。 不透明材料之第一電極132形成於各個晝素區域P中驅動元 件TD上方，料過—第三接· CH3秘難動元件Td之沒極 第_、主^射層142，其包含弟—注射層142a(「第6圖」中）或 弟-注射層叫「第6圖」），係形成於第—電極132上。在注射 請形成於第—電極132上之前，第—電極132暴露於空氣中。 這種情況下，第—電極132與空氣發生反應，進而形成氧化層0L ^二電極m上。祕層0L導致第一電極132與有機發光層 弟7圖」及弟8圖」中）之間短路。由於氧化層〇l為非 H因此應當去除氧化層〇L。這將導致製糊增加。缺而， 如上續述’本發狀錢紐發細林置之注崎⑷可防 止因氧化層OL而導致的短路問題的出現。 然後’有機發光層144與第-雷搞 …_ 〜弟―電極148依次形成於第一電極 上。/、弟一電極132不同的是，第一雷 疋弟一電極148可形成於基板 100之正個表面上。第一電極132盥第— /、弟—電極148分別用作陽極及 陰極，並與有機發光層144組成「第6圖」及「第7圖」顯示之 19 200803611 有機電致發光二極體E。有機發光層144具有「第6圖」及「第7 圖」喊示之多層結構，一被動層130形成於第一電極I%與開關 元件Ts之間以及第一電極132與驅動元件td之間。 位於開關區s中之開關元件Ts包含閘極1〇2、間極絕緣層 116、主動層11如以及源極122a與汲極122b。同樣地，驅動區〇 中之驅動元件TD包含閘極1〇4、閘極絕緣層116、主動層12〇a以 及源極124a與汲極124b。開關元件Ts之汲極12此係透過一第一 接觸孔cm而連接至閘極104，汲極124b騎過一第二接觸孔 CH2以及第一儲存電極112連接至「第8圖」中電力線⑽。 在形成第-電極132之後，形成一岸14〇包圍晝素區域p，進 而相鄰晝素區域1>之_有機發光層144不會互相接觸。 如「第9B圖」所示，閘極接塾1〇8與閑極絕緣層ιΐ6、被動 層130以及閘極接塾電極134係形成於閑麵孤巾。間極接墊 108形成於「第8圖」中顯示之閘極線1〇6之端部，並且與「第 9A圖」之閘極102及刚形成於同_層且由相同材料形成。閑極 絕緣層116與被動層130具有一第四接觸孔ch4 134穿過第四接觸孔CH4接觸閘極接墊1〇8。 ，閘極接墊電極 如「第9C圖」顯示，電源接塾114與閑極絕緣層ιΐ6、被動 層130以及電源接塾電極136係形成於電源區PR中。電源接塾 U4形成於「第8圖」中電力線11〇之端部，並與「第8圖」之電 力線no形成於相同層並由相同材料形成m緣層116㈣ 20 200803611 動層130具有一第五接觸孔CH5，電源接墊電極136穿過第五接 觸孔CH5而接觸電源接墊114。 如「第9D圖」顯示，資料接墊128與閘極絕緣層116、被動 層130以及資料接墊電極138係形成於資料區DR中。資料接墊 128形成於「第8圖」顯示之資料線126的端部，並與「第8圖」 中資料線126形成於相同層且由相同材料形成。閘極絕緣層116 與被動層130具有一第六接觸孔CH6，資料接墊電極138穿過第 六接觸孔CH6接觸資料接墊128。 「第10A圖」至「第10E圖」為「第9A圖」部份之製程剖 視圖，以及「第11A圖」至「第11E圖」為「第9B圖」部份之 製程剖視圖。「第12A圖」至「第12E圖」為「第9C圖」部份之 製程剖視圖，以及「第13A圖」至「第13E圖」為「第9D圖」 部份之製程剖視圖。 如「第10A圖」、「第ι1Α圖」、「第12A圖」及「第13A圖」 所不’位於畫素區域P中的開關區S、驅動區d與儲存區C，以 及閘極區GR、電源區pR與資料區DR係限定於基板1〇〇申。開 關區S與驅動區D中的閘極1〇2及1〇4，儲存區c中的第一儲存 電極112 ’閘極區GR之閘極接墊1〇8以及電源區PR之電源接墊 114係藉由一圖案化光罩（圖中未顯示）透過沉積及圖案化一第一 導電金屬材料之方式形成於基板100上。同時，「第8圖」顯示之 閘極線106與電力線110也形成於基板100上。閘極接墊108係 21 200803611 位於閘極線106之端部，以及電源接墊114位於電力線11〇之端 部。第一儲存電極112自電力線11〇延伸，導電金屬材料包含鋁 (A1)、铭合金（AINd)、鉻（Cr)、鉑（Mo)、銅（Qi)及鈦（Ti) 組合中至少其中之一。 然後，透過沉積一第一無機絕緣材料而形成閘極絕緣層116 於基板100上。第一無機絕緣材料包含氧化矽（Si02)和氮化矽 (SiNx)至少其中之一。 接著，透過沉積與圖案化一固有非晶矽材料與一摻雜非晶矽 材料，以形成半導體層Π8以及半導體層12〇，其中半導體層118 位於開關區S中且包含主動層ii8a與歐姆接觸層iisb，半導體層 120位於驅動區d中且包含主動層i2〇a以及歐姆接觸層12〇b。半 導體層118與120分別對應於閘極1〇2及1〇4。 然後，透過圖案化閘極絕緣層116，以穿過閘極絕緣層116形 成第一接觸孔CH1與第二接觸孔CH2。第一接觸孔CIn及第二 接觸孔CH2暴露出驅動區D之閘極104與第一儲存電極112。 下面，如「第10B圖」、「第11B圖」、「第12B圖」及「第13B 圖」所示，位於開關區S與驅動區D中的源極122a以及124a， 位於開關區S與驅動區D中的汲極122b以及124b，位於資料區 D中的資料接墊128以及位於儲存區C中之第二儲存電極12九， 係透過沉積及圖案化一第二導電材料而形成於基板1〇〇上。同時， 「第8圖」顯示之資料線126形成於閘極絕緣層116上。第二導 22 200803611 電材料包含鋁（A1)、鋁合金（A1Nd)、鉻（Cr)、錮（M〇)、銅（Cu) 及鈦（τ〇組合中至少其中之一。開關區s之源極122a自資料線 126處延伸。開關區s中源極122a與汲極122b彼此分離開，並且 驅動區D中之源極124a及汲極124b也互相分離。第二儲存電極 122c自位於開關區s中之汲極mb延伸，開關區s之汲極 透過「第10A圖」顯示之第一接觸孔CH1接觸位於驅動區1)中的 閘極104。驅動區D之汲極124b透過「第10A圖」顯示之第二接 觸孔CH2接觸第一儲存電極112。 然後，透過除去開關區S之源極122a與汲極122b之間的歐 姆接觸層118b，以及驅動區D之源極124a與汲極124b之間的歐 姆接觸層120b，進而限定通道區。通道區暴露主動層n8a及 120a。這種情況下，為了減少通道區之長度或者增加通道區之寬 度’源極122a及124a可以為u形或環形，以及汲極i22b及124b 可以為條狀或圓盤狀。汲極122b與124b設置於其中並與源極122a 及i24a分離開。 接著，如「第10C圖」、「第lie圖」、「第12C圖」及「第13C 圖」所示，透過沉積一第二無機絕緣材料形成被動層13()於基板 1〇〇上。弟二無機絕緣材料包含氧化石夕（Si〇2)和氮化石夕（siNx) 至少其中之一。然後，透過圖案化被動層13〇進而穿過被動層13〇 形成第三接觸孔CH3、第四接觸孔CH4、第五接觸孔CH5以及第 接觸孔CH6。第三接觸孔CH3與第四接觸孔CH4分別暴露出 23 200803611 驅動區D之汲極124b以及閘極區GR之閘極接墊108，以及第五 接觸孔CH5與第六接觸孔CH6分別暴露出電源區PR之電源接墊 114以及貧料區DR之資料接塾128。 下面，如「第10D圖」、「第11D圖」、「第12D圖」及「第 13D圖」顯示，透過沉積以及圖案化一金屬材料，例如鋁和氮化 I呂’以形成第一電極132、閘極接墊電極134、電源接墊電極136 以及資料接墊電極138於被動層130上。透過第三接觸孔CH3以 及第四接觸孔CH4，第一電極132與閘極接墊電極134分別接觸 驅動區D之汲極124b與閘極接墊1〇8。電源接墊電極136與資料 接墊電極138則分別透過第五接觸孔CH5以及第六接觸孔CH6 接觸電源接墊114以及資料接墊128。 在形成弟一電極132之後，將其暴露於空氣中。第一電極132

與空氣反應，進而形成氧化層OL於第一電極丨32上。氧化層〇L 具有絕緣特性，並且大約為十几埃的厚度。當然，氧化層〇L係形 成於閘極接墊電極134、電源接墊電極136以及資料接墊電極138 上。 接著，透過沉積及圖案化一第三無機絕緣材料，形成岸14〇 於基板100上並圍繞晝素區域P。第三無機絕緣材料包含苯環丁烯 (BCB)和丙烯酸樹脂至少其中之—。由於岸14()圍繞晝素區域 p，因此位於晝素區域p中的第一電極132、閑極接塾電極134、 電源接墊電極136以及資料接墊電極138由岸14〇暴露出。岸14〇 24 200803611 防止位於相鄰晝素區域P中之有機發光層144 (見「第9A圖」顯 示）互相接觸。

然後，如「第10E®」、「第旭圖」、「第l2E圖」及「第13E ^ /主射層142係透過沉積以及圖案化一注射金屬材料之 • 方式形成於第—電極m上。注射金屬材料包含紹和驗金屬至少 • /、中之。如上文所述，包含鈣之鹼金屬相比第一電極具有更高 的反應率。 “隻开v成有機發光層144於注射層142。有機發光層144 具有電子捕層（EIL)顺、電子傳輸層（etl)丨她、發光材 料曰（ML) 144c、電洞傳輸層（HTL) 144心電洞注射層（皿） 144e以及緩衝層144f。換言之，如「第7圖」所示，當注射層⑷ 由驗金屬形成時，有機發光層⑷可以是不具有電子注射層（EIL) 144a之五層結構。此外，當緩衝層麗由銅醜菁（咖〇或五 氧化-飢（V2〇5)其中之一形成，有機發光層⑷可以是沒有緩 衝層顺之四層或五層結構。 然後，透過沉積及圖案化透明導電材料以形成第二電極148 於有觀^層M2上。翻導電材料為氧化銦錫（ΙΤ〇)或氧化銦 辞（ιζο)其中一種。第一電極132與第二電極刚、注射層⑷ 以及有機發光層144構成有機電致發光二極體E。 透過上述步驟製造具有陣列元件財機電致發光二極體之下 基板亚利用么封圖案黏接下基板與包含吸濕劑之上基板，進而 25 200803611 衣w本發明之頂部發光式有機電致發光顯示裝置。 雖然本發明以前述之較佳實施例揭露如上，然其並非用以限 定本t明，任何熟習相像技藝者，在不脫離本發明之精神和範圍 内田可作些許之更動與潤飾，因此本發明之專利保護範圍須视 本說明書所附之申請專利範圍所界定者為準。 【圖式簡單說明】 第1圖為習知技術之主動矩陣式有機電致發光顯示裝置之 視圖； ° 第2圖為習知技術之有機電致發光顯示裝置之電路圖； 第3圖為習知技術之主動矩陣式有機電致發光顯示裝置之陣 列元件之平面示意圖； 第4圖為第3圖沿IV-iv線之剖視圖； 第5圖為習知技術之有機電致發光二極體之剖視圖； 第6圖為本發明之第一實施例之有機電致發光二極體之剖視 圖； 第7圖為本發明之第二實施例之有機電致發光二極體之剖視

El · 圖， 第8圖為用於本發明之有機電致發光顯示裝置之陣列基板之 平面示意圖； 第9A圖、第9B圖、第9C圖及第9D圖分別為第8圖沿線 IXa_IXa、IXb_IXb、IXc_IXc 及 ixd-IXd 之剖視圖； 26 200803611 第10A圖至第10E圖為第9A圖部份之製程剖視圖； 第11A圖至第11E圖為第9B圖部份之製程剖視圖； 第12A圖至第12E圖為第9C圖部份之製程剖視圖：以及 第13A圖至第13E圖為第9D圖部份之製程剖視圖。 【主要元件符號說明】 10 有機電致發光顯示裝置 12 第一基板 28 第二基板 14 陣列元件 E 有機電致發光二極體 16 第一電極 18 有機發光層 20 第二電極 22 吸濕劑 25 膠帶 26 密封圖案 42 閘極線 44 資料線 32 基板 46 閘極 56 源極 27 200803611 60 没極 68 閘極 66 源極 63 汲極 55 電力線 50 主動層 62 主動層 35 矽佈圖 65 汲極接觸孔 38 有機發光層 36 第一電極 40 第二電極 38a 電洞注射層 38b 電洞傳輸層 38c 發射材料層 38d 電子傳輸層 38e 電子注射層 132 第一電極 142a 第一注射層 144 有機發光層 148 第二電極 200803611 144a 電子注射層 144b 電子傳輸層 144c 發射材料層 144d 電洞傳輸層 144e 電洞注射層 144f 緩衝層 OL 氧化層 106 閘極線 100 基板 110 電力線 126 資料線 P 畫素區域 Ts 開關元件 TD 驅動元件 102 閘極 118a 主動層 122a 源極 122b 汲極 104 閘極 120a 主動層 124a 源極 200803611 124b 汲極 108 閘極接墊 134 閘極接墊電極 128 資料接墊 138 資料接墊電極 114 電源接墊 136 電源接墊電極 Cst 儲存電容 112 第一儲存電極 122c 第二儲存電極 GR 閘極區 PR 電源區 DR 資料區 S 開關區 D 驅動區 C 儲存區 116 開關絕緣層 CHI 第一接觸孔 CH2 第二接觸孔 CH3 第三接觸孔 CH4 第四接觸孔 30 200803611 CH5 CH6 118 120 130 140 第五接觸孔 第六接觸孔 半導體層 半導體層 被動層 岸 31

Claims (1)

1. 200803611 十、申請專利範圍·· 〗· -種有機電致發光顯示裝置，包含有·· >基板與一弟一基板，係相對設置並包含複數個查 區域； 間極線與資料線，係互相交叉以限定複數個該畫素區域； 電力線，係平行且分離於該閘極線； 開關7L件與驅動元件，係在該第一基板之複數個晝素 内互相連接； A 一第—電極，位於該第一基板上並連接至該驅動元件； /主射層，位於該第一電極上，· 一有機發光層，位於該注射層上；以及 透明‘電材料之第二電極，係位於該有機發光層上。 2. 如申請專利範圍第〗項所述之裝置，其中該注射層包含 金屬。 双 3. 如申請專利範圍帛i項所述之裝置，更包含一緩衝層，係位於 該有機發光層與該第二電極之間。 4. 如申請專利範圍第3項所述之輕，其中該有機發光層包含位 於該注射層上之電子注射層、位於該電子注射層上之電子傳輸 層、位於該電子傳輸層上之發光材料層、位於該發光材料層^ 之電洞傳輸層以及位於該電洞傳輸層上之電洞注射層。 5. 如申請專利範圍第4項所述之裝置，其中該緩衝層防止該電洞 注射層被該第二電極損壞，以及自該第二電極注射一電洞至該 32 200803611 電洞注射層。 6·如申明專利範圍第3項所述之裝置，其中該緩衝層包含銅酞菁 (CuPC)或五氧化二釵（V2〇5)。 7·如申凊專利範圍帛6項所述之裝置，其中該有機發光層包含位 於該，主射層上之電子注射層、位於該電子注射層上之電子傳輸 層、位於該電子傳輸層上之發狀料層以及位於該發光材料層 上之電洞傳輸層。 如申π專利範圍第7項所述之裝置，該緩衝層防止該電洞傳輸 層被該第二電極損壞，以及自該第二電極注射一電洞至該電洞 傳輸層。 9.如申請專利範圍第2項所述之裝置，其中該有機發光層包含位 於該主射層上之電子傳輸層、位於該電子傳輸層上之發光材料 曰4於杯光材料層上之電洞傳輸相及位於該電洞傳輸層 上之電洞注射層。 Γ料利範㈣1項所述之裝置，更包含—贿電容與一介 料’該儲存電容包含-第1存電極與一第二儲存電極，該 電層位於鄉—儲存電極_第二儲存電極之間，其中該第 件=子=極以及該第二儲存電極分別自該電力線與該開關元 Π.如申請專利範圍第1 動元件包含一閘極、 項所述之裝置，其巾每個該_元件與驅 一半導體層以及互相分離之源極與沒極， 33 200803611 並且其中該關元件之汲極係連接至該鷄元件之閘極，該第 一電極連接至該驅動元件之汲極。 12.如申請專利翻第U項所述之裝置，其中該闕树與該驅 動兀件至少其巾之-的源極為U形或獅，以及糊關元件與 該鷄元件至少射之_驗極為條狀或圓盤狀。 13·如申請專利範圍第u項所述之裝置，更包含： 一閘極接墊，係位於該閘極線之一端； 一資料接墊，係位於該資料線之一端；以及 一電源接墊，係位於該電力線之一端。 14. 如申請專利範圍第13項所述之裝置，其中該簡線、該資料 接墊、該電力線以及該電源接塾係形成於同一層，且由相同材 料形成。 15. 如申請專職圍第U項所述之裝置，其中該半導體層包含非 晶碎。 16. 如申請專利範圍第i項所述之裝置，射該透明導電材料包含 氧化銦錫（ITO)或氧化銦鋅（IZ0)。 n.如申請專利範圍第1項所述之袭置，其中該第-電極包含工作 函數低於該第二電極之導電材料。 I8.如申請翻顏第17項所述之裝置，其中該導電材料包含銘 或氮化紹。 如申請專利範圍第i項所述 ^ ^ π 衣置，其中該第一電極係形成於 34 200803611 各個該畫素區域内，並且該第二電極形成於該第—基板之整個 表面上。 览如申請專利範圍第}項所述之裝置，其中該第一電極與該有機 發光層係透過該注射層沒有短路地互相電性連接。 21. -種有機電致發光顯示裝置之製造方法，係包含以下步驟： 形成互相連接之卩元件與轉元件於包含有—晝素區 域之第一基板上； 旦μ 形成-第-電_成_鶴元件上錢驗該驅動元 件； 形成一注射層於該第一電極上； 形成一有機發光層於該注射層上； 形成-透明導電材料之第二電極於該有機發光層上；以及 黏結一第二基板至該第一基板。 22. 如申請專利範圍第21項所述之方法，更包含形成一緩衝層於 該有機發光層上之步驟。 23. 如申請賴顧第21彻述之方法，其巾該形姻有機發光 層之步驟包含以下步驟： 形成一電子傳輸層於該注射層上； 形成一發光材料層於該電子傳輸層上；以及 形成一電洞傳輸層於該發光材料層上。 24·如申明專她U第23項所述之方法，其巾該形成該有機發光 35 200803611 層之步驟更包含形成一電子注射層於該注射層上以及形成一 緩衝層於該電洞傳輸層上之步驟。 36