TW200803449A - Image sensing device and package method therefor - Google Patents

Description

200803449 九、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 尤其係與一影像感 本發明係與一影像感測裴置有關， 測裝置的封裝結構及其製造方法有關。

【先前技術】 P 、，隨者光電產品的曰新月異，對影像感測器的需求不斷 加。而目前常見的影像感測器可分為。⑶⑽卿 Coined DeVlce，感光輕合元件）與⑽s(c⑽

Meta卜0xlde Semiconduct〇r，互補性氧化金屬半導體）兩 大類'然而’無論是或⑽s影像感測器，均是一種半 導體感測tl件，用以將所❹㈣的祕轉換成電能後，再 藉由類比/數位轉換器（咖，Anal〇g t0 Digital

Co而ter)將電子訊號#換為數位訊號，再傳輸至處理晶 片進行訊號處理’最後形成數位影像輸出。而ggd影像感 測器與CMOS影像感測器在結構上的最大不$，即為縱設 置的位置和數量上的不同。 另方面。在貫際應用上，不論是CCD或CMOS影像感 測器，都是由複數個CCD或CMOS影像感測元件而形成一個 影像感測陣列，其中，每一個影像感測器通常稱之為畫素 或像兀。對一影像感測器而言，畫素的多寡是影響該影像 感測器成像品質的最主要原因之一。一般來說，影像^测 器所包含的晝素越多，所呈現的影像品質就越清晰。因此， 隨著半導體製程技術的迅速發展，在同一感測區域内製造 出包含更多晝素的影像感測元件，已是本領域中可以輕易 5 200803449 達到的一項製程技樹。 然而，高晝素的影像感測裝置在製造技術上已經相當 成沾，然而，在同一感测區域内的容納越來越多的感測元 件卻開始衍生出另一個問題。請參閱第1圖，其係為習知 的一感測元件陣列的示意圖。如圖中所示，該影像感測元 件陣歹】1 〇係包括一弟一微透鏡（mi cro 1 ens) 11 a、一第 一微透鏡lib、一第三微透鏡lic，一第一彩色濾光片12a、 _ 一第二彩色濾光片12b、一第三彩色濾光片12c，一遮光層 13 ^一 IC堆疊層14，以及一第一感光二極體15a、一第二 感光二極體15b、一第三感光二極體15c。在正常的情況 下，一第一入射光l7a經過該第二微透鏡nb之後，應該 直接投入到該第二感光二極體15b上；然而，當入射光線 度又大日可’ 一車父大角度的第二入射光17b便可能經過 乂第一U透鏡lib之後，入射到與該第二感光二極體15匕 相鄰的另-個感光二極體15a，因此開始產生成像干擾， 鲁此:為光學串音（optlcalcr〇sstalk)效應。而隨著光感 測衣置上晝素的增加，這種光學串音效應將會變得更加明 為了有效地解決前述的光學串音效應所衍生的問題， /白知的技術巾’如美國專利公告號us6,8〇3,25〇中，並 =過在光❹m域巾增設—互簡鏡組的方式來達到提 : 射效率的效果。請參閱第2目，其係為具互補 =的影像感測元件的結構示意圖。如圖中所二 感測峨包含一基板21，其上具有一光感測區域：像 6 200803449 ;第：：：質層23,其上包含-第-導體層24a、24b，一 上包含一第二導體層，、以及 ；： *色濾光層28及-微透鏡29設置於最 =該微透鏡29係為—凸透鏡，用以提高入射光束的集 而該微透鏡29搭配下方的第—間隙2?所形成的 …則可進—步形成—互補的雙微透鏡組，具有將大 弋：的：射光木束為小角度的效果，然而這種光線集束的 效果亚無法達成調整入射光束的主光入射角（cra，

y gie)的功效。因此，這樣的結構設計對於改善光學 牟曰效應的效果有限。況且，如前所述的雙微透鏡組的凹 面^構係形成於-第二介電層25上，此職準的感測元件 的/造技射S麟增加—道㈣結難造技術，造成額 外的製造成本負擔。而為了有效克服上述的光學串音效 應，本案中請人亦於中華民國95年9月27日提出「影像 感應=置與其製造方法」之台灣專利申請（第_⑶謂 號申=案）’其係透過—微稜鏡之設置，達到修正入射光線 光角（CRA)之目的’以降低晝素之間的光學干擾（串 曰效應）。錢利用微稜鏡之設置達到降低晝素之間光學干 擾之技術内容同時也列為本案的主要參考文獻。 ^另一方面’在習知技藝中，常見的影像感測裝置的封 衣:構亦可此經過特定的設計方式而具有提昇入射光束之 集光^率的效果。請參㈣3圖中，其係表示-種習知的 =測I置之封叢結構。如圖中所示，該影像感測裝置之封 衣、、、^構30係包含—基板3丨，該基板係具有一影像感測元 200803449 件陣列32，且該影像感測元件陣列32上更包含一微透鏡 陣列33，用以提昇入射該影像感測元件3〇之光線的集光 效率。该影像感測元件陣列32及其微透鏡陣列33則是封 裝於一玻璃蓋板34與該基板μ之間，而且該基板31與該 玻璃蓋板34係藉由一間隔層（spacer layer) 35的高= 來維持該基板31與該玻璃蓋板34之間的距離，然目前產 品中的該間格層的高度通常會維持在三十至五十微米之 間，而該高度遠大於該感測元件陣列32與該微透鏡陣列 # 33所對應的晝素尺寸及光學系統焦深，因此這樣的封聚模 組設計並不符合光學元件趨向輕薄短小的設計需求。、 職是之故，中請人鑑於習知技術中，—影像感測装置 之感測元件晝素間常常存在鮮干擾的問題，且該影 測衣置之封組也面臨不易微小化之缺失，遂經過悉^ 私兵研九，並—本㈣不捨之精神，終構思出本案 ^感應裝置與其封裝方法」，以克服影像感測裝置之1述=

【發明内容】 模电種影像感測裝置之封裝模組，該封 二門Ρ: S J板、一第一微光學元件陣列、-蓋板以 而^ 乂 該基板上係具有—光電轉換元件陣列 。弟元.件陣列係形成於該光電轉換元件陣列 列元係具有—第二微光學陣列與該第—微光學 _對排列，而該間隔層則是設置於該蓋板與該基 8 200803449 ❿

根據上述構想 稜鏡陣列。 根據上述構想 透鏡陣列。 根據上述構想 透鏡陣列。 根據上述構想 稜鏡陣列。 根據上述構想 根據上述構想 件陣列的晝素尺寸 根據上述構想，其中該蓋板上更包含至少一透梦 (leilS Set)，以構成該影像感測^ 根據上述構想，其中該光學成像系統更具有_隹加 圍，且該間距係控制在該光學成像系統的 = ί_)範圍之内。 Pth y本發明之又一構想係提出一種影像感測光學系統， :以象$測光學系統係包含一影像感測裝置之封裝模組以 -透鏡組’其中該影像感測裝置之封裝模組進_步包含 基板、一第一微光學元件陣列、一蓋板以及一間隔層。 根據上述構想，其中該基板上更具有一光電轉換元 陣列，该第一微光學元件陣列係形成於該光電轉換元件丨 列，上，而該蓋板上則具有一第二微光學陣列與該第一4 光學陣列元件相對排列，且該間隔層則是設置於該蓋板J 其中該第-微光學元件陣列係為 其中該第—微光學元件陣列係為 其中該第二微光學元件陣列係為 其中該第二微光學元件陣列係為 其中該蓋板係由—透光材料所構成。 其中該間隔層高度係為該光學轉換天 微 微 微 微 200803449 5亥基板的接合彦 光學陣列間的_:門以^該第一微光學陣列與該第二微 之上，用以使入I兄則疋e又置於該蓋板 影像感測装置模^ 感測光學系統的—光線成像於該 棱鏡逑構想’其中該第-微光學元件陣列係為—微 透鏡陣想’其中該第—微光學元件陣列係為-微 • 根據上述構想，其中該笫-押杏興-从± 透鏡陣列。 、T°亥弟一檨先學兀件陣列係為一微 根據上述構想，其中 稜鏡陣列。 哀弟—被先學兀件陣列係為-微 一透光材料所構成。 範圍，且該間距係控制 内。 心、、、’木（depth 〇i focus)範圍 的晝述構想’其中該間距係為該光學轉換元件陣列 法，構想係提出—種封裝影像感測裝置的方 ⑴；H/、包含下列步驟：⑴提供—基板及—蓋板； 土反上形成一光電轉換 轉換元.件陣列上成成 十平幻…於及先电 板上形成-第二微光件陣列；⑷於該蓋 該上蓋，以使該第一鱼以及⑸接合該基板與 文九予兀件陣列與該第二微光學元件 10 200803449 陣列相對排列。 根據上述構想，其中該第二 — 導體製程形成於該蓋板上。 μ子兀陣列係以類半 根據上述構想，其中在接合該基板 時，更包含开4赤一 π昆 一 Μ上皿的步驟 一間距。㈣層’以控制該基板與該蓋板之間的 根據上述構想，其中該間距係為該光電轉換元件陣列 的單位畫素尺寸。 包和狹兀仵陣列

根據上述構想，其中更包含在該蓋板上形成至少—透 =Uens set)之步驟’以構成該影像感測裝置的光學 成像系統。 根據上述構想，其中該光學成像系統具有一焦深 (depth of f0cus)範圍，且該間距係控制在該焦爸 之内。 本發明得藉由下列之圖式及詳細說明，俾得一更 之了解·· 彳 【實施方式】 請參閱第4圖（A)及第4圖⑻，其係表示本發明之 一構想中，利用增設一微菱鏡（micr〇prism)而達到修整 大角度的光線入射角之示意圖。如第4圖（A)中所示，習 知的一影像感測裝置之單一畫素結構4〇設計係如前述第工 圖中的感測元件陣列1〇的畫素結構一樣，具有一微透鏡 (micro lens) 41、一 1C堆疊層42以及感光層43 ;而如 第4圖（A)中所示，雖然該微透鏡41之設計能具有一定 200803449 程度的集光效果，然而當入射光線的角度變大時（也就是 主光入射角（CRA)增加時），光線投射在該感光層43上= 位置會越往感光層的外側偏移，而當主光角的角度大過某 一特定值後，入射的光線就會偏移到該畫素的感光43層之 外側而投射到其相鄰的晝素上，因而產生所謂的光學^音 (optical crosstalk)效應。而透過如第4圖（B)所示 的晝素結構設計，在該畫素結構4〇上方增設一微稜鏡 (micro Prism) 45結構，使大角度的主光入射角（cra)在 •經過該微稜鏡45時，先修整成較小的入射角，可以有效避 免相鄰晝素之間的干擾情況。因此，這種雙微光學鏡组的 設計係為本發明之主要構想之一。 弟5圖（A)及第5圖（B)則是圖 另外 ----- · ·祝明本發 明之另-構想中’利用增設—微透鏡（mi⑽i咖）以修 整大角度的光線入射角之示意圖。在第5 B (A)，一影像

感測裝置的晝素結構40係類似如第4圖⑴中的影像感 測裝置之晝素結構4G之設計，具有一微透鏡（_。 4：!、一 1C堆豐層42以及感光層43 ;而其入射光線的主光 入射角變大時，光線投射在該感光層43上的位置同樣會越 往感光層的外侧偏移。而在第5圖⑻中，該感測裝置之 單-晝素結構40係類似第4圖⑻中的晝素結構設計， 只不過祕稜鏡45的設計係由另—微透鏡（mi⑽ 46結構所取代。而從第4圖⑴中的光線人射路徑圖可 該微透鏡46結構同樣具有使大角度的主光人射角（_ 在經過該微透鏡46時先修整成較小的入射角之功用，因此 12 200803449 能有效避免相鄰晝素之間的干擾情況。因此，在本發明之 目的中係為藉由所設計的雙微光學鏡組（其可為微棱鏡、 微凸透鏡或微料鏡的任意組合）而達膽整主光入射角 的角度以及對人射光束產生集束效果之目#，以有效避免 光學串音效應的產生。 —由於本發明係建構在影像感測裝置的雙微光學鏡組設 上’本案之發明人更進—步提出將該雙微光學鏡 、、、刀別设計在-影像感測裝置的封裝蓋板與其⑦晶圓基板 ’以再進-步達到將影像感測裝置之封裝模組有效微小 之目的。下面將針對本發明之前述構想的封裝模組之設 计，進一步詳細說明。 壯第6圖⑴，其係表示本發明的―種影像感測 衣置封衣體實關。如圖巾料，該影像感 測裝置封裝模組刚主要係包含一基板1Q1及_ #板1〇2, ，在該基板m與該蓋板⑽的接合處則是藉由―間隔層 2㈣1〇3來控制該控制該基板1〇1與該蓋板1〇2之 曰、距_。此外’在該基板1〇1上更具有一光電感測層 ，厂係由減個光電轉換元件（通f係為⑽s感測元 、或CCD感測兀件）戶斤組成的光電轉換陣歹Q，而且該光電 感：層104上更形成有一第一微光學元件陣列服：其中 该乐-微光學㈣亦包含複數個微凹透鏡，且使得個 微凹透鏡係對應-個或數個光電轉換元件，以提昇尸射到 ，-光電轉換元件之光線的集束效果。另—方面，：該蓋 板102通常糸由-透光材料所構成，其上形成有一第二微 13 200803449 光學元件陣列106，與該第一 万丨#上 孥兀件陣列105相對排 ^，，、中该弟二微光學元件陣列1 P 供（ 平夕j 106亦包含稷數個微凹透 鏡（concave 1 ens )，且每一個外冊、采处〆Li 一 凹透鏡係對應該第一微光 學7L件陣列105的每一微 尤 ㈣*凹透鏡’以使入射該第一微光學 :件陣列105的每一微凹透鏡之光束能先經過該第二微光 :兀件陣列106的微凹透鏡調整其主光入射角（cra)，以 達到改善光學串音效應的效果。 赢 在本發明之第—具體實施例的—影像感測裝置封裝模 1且100的另一替代具體實施例中，如第6圖（B)中所示， U感測裝置封裝模組11〇與前述第一具體實施例中的 影像感測裝置封裝模組100同樣係包含一蓋板1〇2、一間 隔層103 光電感測層1 及形成於其上之一第一微光 件陣列105以及與該第一微光學元件陣列相對排二的 一第二微光學元件_ 1G6。而該影像感測裝置封裝模組 11〇與影像感測裝置封裝模組100所不同者在於該影 鲁測^置封裝模組110中的該光電感測層104係存在於一晶 ，等級（waferlevel)之基板上1〇1上，因此該影像感測 I置封裝模組110得利用晶圓級的晶片封裝技術

Level CSP)進行，以進一步有效縮減該影像感測裝置封裝 模組的封裝體積。 請繼續參閱第7圖（A)，其係表示本發明的—種影像 感測裝置封裝模組之第二具體實施例。與前述第一具體實 施例中的影像感測裝置封裝模組100相較，根據本發明之 第二具體實施例中的影像感測裝置封裝模组120同樣具有 14 200803449 與幾乎相同的構件及配置 測層_上的第—微=2/'不過當中形成在光電感 學元件陣列相對排列的；:二:”°5以及與該第-微光 數個微凸透鏡(convex] '先冬元件陣歹"⑽中採用複 如第7圖⑻:形成其微光學陣列。此外， 1㈣另-個替代且雕=示該影像感測裝置封裝模組 替代實施例相同，；月;；二'與中前述根據第6圖⑻的 裝模組130俜使㈣影像_裝置封

Cwaferlevel ^ ^ # „ 裝模組_寻利用土曰圓級二因此該影像感測裝置封 用曰曰函級的晶片封裝技術Uato LeVel 封裝體積丁。’以進一步有效縮減該影像感測裝置封裝模組的 請繼續參閱第8圖⑴及（β)所示，其係表示本發 二象Π置封裝模他 』曰代仏例。與前述第一及第二具體實施例 ίΖ置封裝模組1〇0及120相較，如第8圖⑷‘的 =像感測裝置封裝模組14〇同樣具有與與前述實施例幾乎 目同:構件及配置方式，只不過當中形成在光電感測層⑽ 的乐-微光學元件陣列1Q5係採用複數個微凸透 ^其微光學陣列，而形成於該蓋板⑽上且與該第—微光 :兀件陣列相對排列的第二微光學元件陣列⑽中則 ，數個微稜鏡（micr〇prism)來形成其微光學陣列。:如 第8圖（B)所示影像感測裝置封裝模組15〇則是對應第& 圖（A)中的影像感測封裝模組140、且類似於前述根據第 15 200803449 6圖（B)及第7圖（β)中的影像感測裝置封裝模組ι1〇 及130，使該光電感測層1〇4形成於一晶圓等級（wafer level)之基板上1〇1上，因此該影像感測裝置封裝模組 150得利用晶圓級的晶片封裝技術（wafer Levei CSP)進 打，以進一步有效縮減該影像感測裝置封裝模組的封裴體 積0 在前述第一到第三具體實施例及其替代的具體實施例 中，該第一微光學元件陣列105與該第二微光學元件陣列 106上的微透鏡或微菱鏡可以視製程或應用情況而加以任 意組合，不當限定於前述所列舉的具體實施例的實施方 式。此外，忒影像感測封裝模組1Q0 —15〇中的間隔層103 咼度可以控制在使該第一微光學元件陣列105與該第二微 光學元件陣列106的一間距維持在相當於該光電轉換元件 陣列1G4的每-畫素之畫素尺寸大小，以進—步有效縮減 該影像感測封裝模組100 —150的封裝體積。 請繼繽芩閱第9圖，其係表示根據本發明之第四具體 實施例的一種影像感測光學系統。如第9圖中所示，該影 像感測光學糸統200係包含如前述體實施例中所述的影像 感測裝置之封裝模組110以及一透鏡組。如前所述， °亥衫像感測I .置之封裝模組Π 0係由形成在一晶圓上的一 基板101以及-蓋板102所組成，其中，在該基板1〇1上 具有-光電轉換元件陣列104,且在光電轉換元件陣列1〇4 之上則形成有一第一微光學元件陣列1 〇 3。另一方面 ， 影像感測裝置之封裝模組110的蓋板1〇2上則具有一第二 16 200803449 ==列!⑽與該第一微光學陣列元件ι〇3相對排列， 廢=板102與該基板m之間的接合處則形成有一間隔 用以控制该弟—微光學陣列105與該第二微光學 命之間的—間距。另外’該透鏡組2G1-2G3則形成 反1Q2之上’用以使入射該影像感測光學系統的一 、4成像於該影像感測裝置之封裝模組11G中。藉由上述 t景Γ象相光學系統細的設計，該影像感測封裝i组no =隔層1G3高度可以調整成使該f _微光學元件陣列 ㈣第二為光學元件_⑽的—間距維持在該透鏡 、'且的—焦深（depth # fQeus)範圍之内，以進一步 有效縮減該影像感測封裝模組110的封裝體積。 、在車父佳具體實施例中，該影像感測光學系統200更 包含1光材料2G2，設置在該透鏡組2Q1的周圍，以避 免在該，鏡組201中傳輸的光線反射到該透鏡組201之 外j雙到外界光線入射的干擾，而在該影像感測裝置之 封衣模、、且110周圍則是設置有一隔絕電磁遮罩（腿I)材料 別2以阻隔電磁波的干擾。另外，在其他替代實施例中， 1像感測裝置之封裝模組11Q ±的第—與第二微光學陣 J田/、、、:可以視情況需要替代為微凸透鏡或微稜鏡的型態， 以獲得改善光學串音效應的最佳效果。 狀★綜合以上所述，本發明係提出一種影像感測裝置之封 裝模組及藉由該種影像感測裝置之封裝模組與至少一透鏡 =戶轉成的影像感測光學系統。而且，上述之影像感測封 衣杈組及其所構成的影像感測光學系統的製作方法係相容 17 200803449 程專導體製程、積體光學製程以及半導體封裝製 列，以ΓΓ該光電轉換元件陣列及該第一微光學元件陣 基板盘應::亥第二光學元件陣列能分別形成於該 树二ί 過接合(bondlDg)製程完成該影像 ?封:':組或其光學系統的封裝程序。然而，必須說明的 :發明:僅用以說明本發明之較佳實施方式，然而 本夢明'不x限於該上述之各項具體實施方式；且

技藝之人任w 女附申㈣觀圍所欲保護者。 【圖式簡單說明】 意=圖係表示根據習知技術中的—種感測元件陣列的示 種具有互補透鏡組的 第2圖係表示根據習知技術中的一 影像感刻元件的結構示意圖。 種感測裝置之封裝結 第3圖係表示根據習知技術中的一 構不意圖。

第4圖⑴及（B)係表示利用 整大角度的光線入射角之示意圖。 $曰°又一微菱鏡而達到修 微透鏡而達到修 第5圖（A)及（B )係表示利用辦一 整大角度的光線入射角之示意圖。曰° 一具體實施 二具體實施 第6圖⑴及（B)係表示根據本 例的影像❹樣置封裝模組之結構示意圖。 第7圖（A)及（β)係表示根據本發明之第 例的影像感測裝置封裝模組之結構示意圖。 18 200803449

:旦及⑻係表示根據本發明之第三具體實施 例的衫像感測裝置職模組之結構示責圖。 感=學圖=示根據本發明之第四具體實― 【主要元件符號說明】 10 影像感測元件陣列 lla-llc微透鏡 12a - 12c彩色濾光片 15a-15c感光二極體 21 基板 23 第一介電質層 25 第二介電質 層

27 29 40 41 43 101 103 105 間隙 微透鏡 13 遮光層 14 1C堆疊層 17a，b入射光 20 影像感測元件 22 光感測區域 24a，b第一導體層 26a，b第二導體層 28 彩色濾光層 46 微透鏡 影像感測裝置之單一晝素結構 微透鏡 42 1C堆疊層 感光層 45 基板 102 間格層 弟一微光學元件陣列1 〇 6 1〇〇^15° 影像感測裝置封裝模組 200 影像感測光學系統201透鏡組 202遮光材料 隔絕電磁遮罩材料 微棱鏡 蓋板 光電感測層 第二微光學元件陣列 19

Claims (1)

1. 200803449 、申請專利範園： 一景;^像感測裝置之封裝模組，其包含· 基板’其上具有一光 第 電轉換元件陣列，· 列之上 微光學元件陣列’形成於該光 電轉換元件陣 微光 -盍板’其上具有一第二微 學陣列元件相對排列；以及 早歹I、成弟 ㈣；::二置放於該蓋板舆該基板的接合處，用以 才工制5亥基板與该盍板之間的一間距。 2. =申請專利範_!項所述的封裝模組，其中 光學70件陣列係為—微稜鏡陣列。 "" 3. 範圍第1項所述的封裝模組，其中該第一微 先于兀件陣列係為一微透鏡陣列。 4. 如申請專·圍第〗項所述的封 光學元件_係為-微透鏡陣列。ί亥弟一被 5. 如申請專利範圍第1項所述的封裝模組， 微光學元件陣列係為-微稜鏡陣列。一 6. :申=專利範圍第」項所述的封裝模組，其中該蓋板係 甶一透光材料所構成。 申π專利範圍第1項所述的封裝模組，其中該蓋板上 含至少_透鏡組（lens set)，以構成該影像感測 8衣置的光學成像系統。 ’如申請專利範7項所述的封裝模組，其中該光學成 '、、先更具有—焦深（depth of iocus)範圍，且該間 20 200803449 距係控制在該光學成像系統的焦深範圍之内。 9.如申請專利範圍第i項所述的封裝模組，其中光電轉換 元件陣列係具有複數個晝素，而該間距係與該晝素 相等。 ~ ^ t 10· —種影像感測光學系統，其包含： 一影像感測裝置之封裝模組，其包含： 一基板，其上具有一光電轉換元件陣列； 鲁 一第一微光學7G件陣列，形成於該光電轉換元 件陣列之上； ' I板，其上具有一第二微光學陣列與該第一 微光學陣列元件相對排列；以及 一間隔層，置放於該蓋板與該基板的接合處， 用以控制該第一微光學陣列與該第二微光學陣列 間的一間距；以及 透鏡組，設置於該蓋板之上，用以使入射該影像 • 感測光學系統的一光線成像於該影像感測裝置之封裝 模级中。 u·如申請專利範圍第丨〇項所述的影像感測光學系統，其 中該第一微光學元件陣列係為一微稜鏡陣列。 12·如申請專利範圍第1〇項所述的影像感測光學系統，其 中。亥第一微光學元件陣列係為一微透鏡陣列。 13·如申請專利範圍第10項所述的影像感測光學系統，其 中该第二微光學元件陣列係為一微透鏡陣列。 11如申請專利範圍第10項所述的影像感測光學系統，其 21 200803449 中^二微光學元件_料_微稜鏡陣列。 5.=料鄉㈣H)項料的料❹枝學线，发 中邊盍板係由一透光材料所構成。 、 16·Π = :則第1〇項所述的影像感測光學系統，其 彳光學系統具有—焦深(一“" 靶圍，且該間距係控制在該焦深範圍内。 •ΐΓΐΓ範㈣1G項料的f彡像制光學諸，发 :晝=等元件陣列係包含一 ΐδ·-種=裝一影像感測裝置的方法，其包含下列步驟： k供一基板及一蓋板； 於該基板上形成一光電轉換元件陣列； 陣列於該光電轉換元件陣列上成成-第-微光學元件 於該蓋板上形成一第二微光學元件陣列；以及 ，合該基板與該上蓋，以使㈣—微光學^件障列 /、Μ弟—微光學元件陣列相對排列。 191申=利範圍第18項所述的方法，其中該第二微光 予7L件陣列係以類半導體製程形成於該蓋板上。 .如申請專利範圍第18項所述的方法，其中在接 該上蓋的步驟時，更包含形成-間隔層，以控制ί 基板與該蓋板之間的一間距。 人 士申明專利乾圍第20項所述的方法，其中該光學轉換 兀件陣列更包含複數個晝素，且該間距係控制在該^素 22 200803449 尺寸的大小。 22· ^申請專利範圍第18項所述的方法，其中更包含在該 盍板上形成至少一透鏡組Uenssei)之步驟，以^ 該影像感測裝置的光學成像系統。 我 23.如申請專利範圍第22項所述的封裝模組，其中該光鐵 系像系統具有一焦深（depth of focus)範圍，且兮門 距係控制在該焦深範圍之内。

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