TW200426817A - Recording media with super-resolution near-field structure, reproducing method and reproducing device therefor - Google Patents

Description

200426817 五、發明說明（1) 【發明所屬之技術領域】 且特關於-種記錄有資訊的唯讀型記錄媒體， 取之記；ii::;利用超解析近接場構造而能夠光學讀 置。、有貝的唯讀型記錄媒體、讀取方法及再生裝 【先前技術】

Disk使D= ΐ數位多功能光碟(Digi tal Wsati le 产資Μ 作為記錄影像資訊或電腦資料的高密 腦程式的唯讀型記錄媒體（例如DVD_R〇M)係/有電^ ^電 用 '可簡便的散佈大容量資訊的手段。作為日*所使 預先Ϊ Ϊ:Ϊ I賣型記錄媒體中的資訊是作為標示(凹坑)而 带射## 5 I反上。在讀取該資訊時，利用再生裝置照射 :’碟中’並以光檢測器捕捉由標示列造成之反 變弱；如果，古t例來說，⑹果有標示的話，反射光束會 、”，ϋ果/又有標示的話，反射光束會變強。 ffl i 3 5Ϊ Ϊ項型記錄媒體中可以記錄的資訊量是由利 .^ ^ "夠讀取的標示（凹坑）的尺寸來決定。如果標示 次却几66六^寸可以^小的1^，就可以提高光碟中能夠記錄 Ά ^ 在一枚光碟中就可以記錄更多的資訊。 一，2裝置能夠讀取之標示的尺寸是由各種因素所決 疋·田1因再生裝置的光學系統之鑑別限度（Resolution t所造成的限制影響較大。光學系統之鑑別限度 (RL )可以利用邏輯的數學式（丨）計管之 200426817 五、發明說明（2) RL = λ /(4 X ΝΑ) 數學式（1 ) 其中，；I為雷射光束的波長；NA為對物透鏡的開口 數。 一般而έ ’在使用紅色雷射光之情況下，又= 635nm、ΝΑ=〇·6，由數學式（1)推導出RL= 26 5nm。而且， 在使用月色雷射光之情況下，A =40511111、NA=0.65，由 數學式（1 )推導出RL = 1 56nm。亦即，使用紅色雷射光的 碟再生裝置，對於長度265 nm以下的標示（凹坑）讀取是有 困難的。而且，使用波長短之青色雷射光的光碟再生裝 置對於長度i56nm以下的標示（凹坑）讀取是有困難的。 圖1所繪示為在基板上只具有由銀所構成之反射層 驾知唯4型5己錄媒體’其標示長度與載波雜訊比 (Carrier-to-Noise Ratio ， CNR)的關係圖。使用5〇nm 、 70nm、10〇nm作為標示深度而分別測定之。測定所使用 再生裝置之鑑別限度為RL = 2 65nm。 如圖1所示，如果標示的長度為29〇nm以上的話， 雜訊比（CNR)為40dB以上，作為記錄資訊的標示（凹坑〆 讀取是良好的。但是，當標示長度小於此值，發 訊比（CNR)會急速的惡化。標示的長度為26 5題（亦即，再^ 生裝置之鑑別限度），載波雜訊比（CNR)為16心；標示 度為250nm以下，載波雜訊比（CNR)幾乎為〇。 、作為，*上述數學式⑴決定的再生裝置的鐵別限度 更進一步提升的習知技術，超解析近接場構造 (Super-Resolution Near-fleld Structure ^ 13440pif.ptd 第8頁 200426817 五、發明說明（3)

Super-RENS)受到注目，而應用在相變化記錄方式之光碟 中。（例如：Applied Physics Letters, ν〇ΐ·73，No· 15，Oct· 1 998” 及” japanese J〇urnal 〇f AppHed

Physics, Vol. 39, Part I, No. 2B, 2000 pp 980-98 1 n )。 ’ 超解析近接場構造係為在光碟中形成特殊的罩幕層， 在再生資訊時，利用由罩幕層產生的表面離體子 (Plasmon)的構造。超解析近接場構造包括銻（sb)透過型 及銀氧化物（AgOx)分解型等。銻（Sb)透過型，由銻（Sb)形 成的罩幕層因雷射光束引起相變化而會變成透明。另一方 面，銀氧化物（AgOx)分解型，形成罩幕層的銀氧化物 (AgOx)會因雷射光束而分解銀與氧，在分解的銀表面產生 離體子。 圖2所繪示為利用習知超解析近接場構造之記錄型光 碟的紀錄原理示意圖。 如圖2所不，記錄媒體是在透明的聚碳酸酯層丨丨丨上依 序堆疊以ZnS-Si02或SiN等之介電材料形成之第一介電層 112-1、以銻（Sb)或銀氧化物（Ag〇x)形成的罩幕層113、以 ZnS-Si〇2或S i N等之介電材料形成之作為保護層之用的保護 層114、以GeSbTe等形成的記錄層115、以ZnS —Si〇2或SiN等 之介電材料形成之第二介電層112 — 2而構成。 々在此’在罩幕層11 3為銻（Sb)的情況下，保護層114及 第一介電層112-1為SlN ;在罩幕層113為銀氧化物（Ag〇x) 的炀況下，保護層114及第一介電層丨為以3 —Si〇2。保

第9頁 13440pif.ptd 200426817 五、發明說明（4) 的情況下，保護層114及第一介電層112-1為ZnS-Si02。保 遵層114為防止罩幕層113與記錄層115之反應，且在再生 資訊時成為近接場的作用場所。在罩幕層丨丨3為銻（Sb)的 情況下，藉由雷射光束，銻（Sb)產生相變化而變透明；在 罩幕層113為銀氧化物（Ag〇x)的情況下，藉由雷射光束， 銀氧化物（Ag〇x)會分解銀與氧，分解的銀會產生局部離體 子。 從具有約1 0〜1 5mW程度之輸出功率的雷射1 1 7照射雷 射光束’以聚焦透鏡11 8聚焦後，照射至記錄媒體。記錄 層11 5之受到雷射光束照射的區域，加熱至約6 0 0 °C以上之 >JDZL度而相變化成非晶質’且吸收係數會變小。此時，記錄 層115之受到雷射光束照射的區域中，銻（Sb)的結晶產生 變化’或者準可逆反應性的銀氧化物（Ag〇x)會分解。在罩 幕展的此區域，由於對記錄層具有探針的功用，而能夠進 行鑑別限度以下的微小標示的再生。 [非專利文獻 1] Applied Physics Letters，Vol. 73, No· 15， 〇ct. 1998 [非專利文獻2] Japanese Journal of Applied Physics， Vol· 39， Part I， No. 2B， 2000， pp· 980-981 但是，在唯讀型記錄媒體的情況下，預先在基板上形 成標示’其與記錄型記錄媒體的層的結構並不相同。而 且’必須要只以2mW〜3mW程度的弱雷射光束之照射及能夠 使超解析近接場構造的效果出現。於是，對於唯讀型記錄

13440pif.ptd 第 10 頁 200426817 五、發明說明（5) 媒體而5 ，實jg黑截、a έ士播夕’皮雜訊比（C N R)之村粗 結構之決定會是個問題。 何枓的選定及堆疊 【發明内容】 有鐘於上述問題， 超解析近接場構造以實5 = 尤是在提供一種利用 體。而I，本發明的再—间載”比的唯讀型記錄媒 媒體讀取資訊的方法===提供一種從此唯讀型記錄 由）主由η 入丹生裝置。 申$專利範圍第1項 的唯讀型記錄媒體，复、θ °己載的毛月，係為記錄有資訊 於上述基板的上述表^疋由表面°己錄有上述資訊的基板、 上述反射層上形成的第j由相變化物質形成的反射層、於 金屬氧化物形成的罩幕；丨電層、於上述第一介電層上由 u力乂幻皁幕層所構成。 相鬱：：！請專利範圍第1項的發明而言，由於設置有由 相變化物質形成的反射 田於认置有由 層、由金屬氧化物形成;射層上形成的第-介電 接場構造的㈣，且罩幕f，因此可以產生超解析近 裝置的光學鑑別限度波雜訊比⑽)㈣ 斑= i=乾圍第2項所記載的發明，其中在上述基板 IΦ"、曰之間更設置有第二介電層，即使設置有第二 ”電也可以使超解析近接場構造作用。 4 S ΛΑ I專利乾圍第3項所記載的發明，上述罩幕層含有 金屬的奈米粒子（nan〇particle)。 太對於申凊專利範圍第3項的發明而言，上述罩幕層内 的不米粒子產生超解析近接場構造的作用，而能夠以高載

第11頁 ZUU4Z0817 五、發明說明（6) 波雜訊比（CNR)讀取再生裝詈从 (凹坑）。 的光學鑑別限度以下的標示 申請專利範圍第4項及第q 罩幕層之金屬氧化物係為貴金】所記載的發明，形成上述 係為白金氧化物（Pt0x)、金梟f虱化物。此貴金屬氧化物 (AgOx)、飽氧化物（Pd〇x) = =UuOX)、銀氧化物 對於上述的發明而言，蕻士^ 金屬t脊铷叮r;错由適當的選擇形成罩幕層的 至屬虱化物，可以使超解析近接場構造作用。 果篡Γ#ί。圍第6項及第7項所記載的發明，形成上述 墓展二，金屬乳化物係為高融點氧化物，而且形成上述罩 幕層的而融點氧化物係為鎢氧化物（w〇x)。 ，於上述的發明而言，藉由適當的選擇形成罩幕層的 金屬氧化物，可以使超解析近接場構造作用。 申請專利範圍第8項所記載的發明，形成上述反射層 之相變化物質為銀•銦•銻•碲化合物（AgInSbTe， AIST)、碳（c)、鍺•銻•碲化合物（GeSbTe)、鍺（Ge)、鎢 ⑺、鈦（Τι)、矽（Si)、鎂（Mg)、鋁（A1)、鉍（Bi)、鎳 (Ni)、鈀（Pd)、碲（Te)任一種。 對於申請專利範圍第8項的發明而言，藉由適當的選 擇形成反射層的相變化物質，可以使超解析近接場構造作 用。 申請專利範圍第9項所記載的發明，上述資訊係為形 成於基板表面上之標示。 申請專利範圍第1 〇項所記載的發明，上述罩幕層之庳

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第12頁 200426817 五、發明說明（7) 度為1· 5nm以上、1〇· 〇nm以下；第一介電層之厚度為1〇nm 以上、60nm以下；上述反射層之厚度為l〇nm以上、8〇nm以 下。 對於申請專利範圍第1 0項的發明而言，藉由適當的選 擇罩幕層、第一介電層及反射層的厚度，可以產 近接場構造的作用。 析 申請專利範圍第丨丨項所記載的發明，在上述罩幕層 上’更設置有第三介電層。 由铁ί利範圍第12項所記載的發明’係為光學的讀取 '。月1竓圍第1項記載的記錄媒體中所記錄的資訊的方 4法5mW其中照射上述記錄媒體的雷射光束之強度為"㈣至 對於申請專利範圍第1 2項的發明而言，適备&選椹 丄，己錄媒體的雷射光束之強[能夠以= °貝取再生裝置的光學鑑別限度以下的標示 ” :請專利範圍第13項及第14項所記載 射光束從上述記錄據种认# ^ 上述荜 射，都能夠以古#、古雜的基板側照射，還是從資訊侧照 別卩Ρ _ 載波雜訊比（CNR)讀取再生裝置 別限度以下的標示。 夏的允学鐘 中凊專利範圍第1 5項戶斤 申請專利範圍第1項士己恭、° x ，糸為光學的讀取 生裝置，其中Ξ射員強己产載A，媒體中所記錄的資訊的再 對於申= f :调雷射光束。 錄媒體所具有的超解析項的叙明而S ,適當的利用記 析近接場結構’能夠以高載波雜訊比

13440pif.ptd 第13頁 200426817 五、發明說明（8) (CNR)讀取再生梦罟& Α譆士欢的光學鑑別限度以下的標示。 易懂，下文特舉一輕ί和其他目的、特徵和優點能更明顯 說明如下。 佳貫施例，並配合所附圖式，作詳細 【實施方式】 二配合參照圖式，說明本發明之實施例。 会士構立丨I而ρΓ不為本發明之一實施例之Super —RENS R0M的 、口 ϋ田回。圖3所示的Super-RE NS ROM 1是在基板i〇上 依序堆叠第-介雷 且系一；丨電層2〇、反射層30、第一介電層40、覃i 層50、第三介電層6〇而構成。 曰U罩幕 y基板例如是由透明的聚碳酸酯形成。在基板1 〇的表 ，形成，示（凹坑）（未圖示）°Super-RENS ROM中記錄的 貢訊係藉由標示的有無而表現成數位信號。例如是基板表 面上形成的凹部作為標示而記錄。基於標示的長度及深 度，來自標示的反射光的強度會改變。 在形成有標示的表面上，依序形成第二介電層2〇等。 第二介電層20、第一介電層40、第三介電層60是以 ZnS-Si02專介電材料形成的。在本實施例中，各介電層之 厚度分別為Onm〜60nm、10nm〜60nm、Onm〜200nm。 反射層3 0是以融點4 0 0 °C〜9 0 0 °C的相變化物質形成 的，其是由例如融點為6 0 0 °C之銀•銦•銻•碲化合物 (AglnSbTe，AIST)形成的。而且，反射層30也可以是由碳 (C)、鍺•銻•碲化合物（GeSbTe)、鍺（Ge)、鎢（W)、鈦 (Ti)、矽（Si)、鎂（Mg)、鋁（A1)、鉍（Bi)、鎳（Ni)、鈀

13440pif.ptd 第14頁 200426817 五、發明說明（9) ----- (Pd)、碲（Te)專南融點物質形成的。反射層3〇的厚度為 1Onm〜80nm 〇 另一方面，罩幕層50是由金氧化物（AuOx)、白金氧化 物（PtOx)、銀氧化物（Ag〇x)、|巴氧化物（pd〇x)等之貴金屬 氧化物或嫣氧化物（w〇x)等高融點金屬氧化物形成的。 罩幕層5 0例如是利用反應性濺鍍法形成的。例如在形 成材質為白金氧化物（Pt0x)的罩幕層5〇之情況下，在真^ 容器中注入氬氣（Ar)及氧氣（〇2)，以白金作為靶材而進行 藏鑛的話，可以形成材質為白金氧化物（pt〇x)的罩幕層丁 50。罩幕層50的厚度為1.5 nm〜10.0 nm。 在罩幕層中，也可以形成貴金屬、高融點金屬的奈米 粒子’而可以利用超解析近接場構造的作用。奈米粒子例 如是在上述以反應性濺鍍法形成罩幕層之後，例如利用反 應性離子蝕刻法還原罩幕層而形成之。藉由還原形成罩幕 層之白金氧化物（pt Οχ)中的氧，可以形成白金（pt)的奈 粒子。 一而且，在下述的測定中（除了圖7的情況以外），如圖3 所示，從Super-RENS ROM的基板1〇側朝向第3介電層μ之 方向，照射與基板10垂直的雷射光束（從基板側照射）。但 是，在圖7所示的測定中，係為與圖3所示的方向相反的方 向，亦即從Super-RENS ROM的第3介電層6〇朝向基板1〇之 方向，照射與基板10垂直的雷射光束（從資訊側照射）。 圖4所繪示作為本發明實施例之圖丨所示之Super-RENS ROM的標示長度對載波雜訊比（Carrie卜tQ_NQise RatiQ，

第15頁 200426817 五、發明說明（10) CNR)的關係圖。在標示深度為5〇nm、7〇nnl、1 〇〇nm三種情 況下測定得到的結果。 光學系統之鑑別限度（RL)為26 5nm。在凹坑深度為 50nm及70nm的情況下，即使標示長度為15〇nin，CNR也為 4 0 dB以上’表不出良好的特性。即使在凹坑深度為丨〇 〇ηπι 的情況下’標示長度為150nm，CNR為36dB。 為了作比較，而將只具有由銀形成的反射層、且不具 有罩幕層的试樣的測試數據也表示出來。在此情況下，標 示長度、RL在250nm以下，CNR變成近似於〇，判斷無法讀 取標不。 圖5為繪示本發明之實施例的Super_RENS R〇M讀取雷 射強度（Pr)對載波雜訊比（Carrier-to-Noise Ratio， CNR)的關係圖。標示長度（凹坑長度）為15〇ηιη，標示深度 (凹坑深度）為50nm，線速度為2m/sec。 證明Pr為1 mW以下，讀取信號之載波雜訊比 (Carrier-to-Noise Ratio，CNR)約為 OdB，Pr 為超過 lmff ’ 5貝取^號之載波雜訊比（Carrier-to-Noise Ratio， CNR)快速的改善。pr在ι· 9mw〜2· 5mW的範圍内，CNR為 4OdB以上，表示可以良好的讀取Super-RENS ROM中記錄的 資訊。 圖6為繪示本發明之實施例的Super-RENS ROM線速度 對載波雜訊比（Carrier-to - Noise Ratio，CNR)的關係 圖。測定使用的Super-RENS ROM標示長度（凹坑長度）為 150nm，標示深度（凹坑深度）為70nm。對於2m/sec〜6m/sec

13440pif.ptd 第16頁 200426817 五、發明說明（11) 的各個的各線速度，在尋執伺服的狀態下，測定反射光之 CNR。使用的雷射光束強度在線速度為2m/sec的情況時為 2 m W ;在其他的情況時為3 m W。結果，C N R在全部的線速度 都固定在約40dB。在線速度最慢之2m/sec的情況下，即使 雷射光束的強度降低，CNR也是約38dB，表示可以良好的 讀取Super-RENS ROM中記錄的資訊。 圖7(a)及圖7(b)為表示從Super-RENS ROM讀取的信號 分別在頻率區域及時間區域的測定結果照片圖。此測定是 在凹i几丨木度50nm、線速度2m/sec、雷射光束強度2mw、雷 射光束波長635nm、對物透鏡開口數〇· 60等條件下進行。 而且在圖7(a)的標示（凹坑）長度為I50nm、並從中心 37· 1 nm之部分進行測定。結果，由頻率區域的測定結果來 看，CNR為41· 47dB。圖7(a)的標示（凹坑）長度為I50nm、 並從中心3 7 · 1 nm之部分進行測定。結果，由頻率區域的測 定結果來看，CNR為41.47 dB。圖7(b)的標示（凹坑）長度為 4 0 0nm、並從中心51· 2nm之部分進行測定。結果，CNR為 5 2 · 8 5dB。證明即使標示長度為1 5 〇 nm那樣短，也可以得到 足夠高的CNR。 圖8(a)及圖8(b)為表示從Super-RENS ROM與習知的光 碟ROM讀取的信號分別在頻率區域及時間區域的測定結果 照片圖。此測定是在凹坑長度4〇〇nm、凹坑深度1 〇〇nm、線 速度2111/36(：、雷射光束強度211^、雷射光束波長63511111、對 物透鏡開口數0. 6 0等條件下進行。圖8 (a)為測定 Super-RENS ROM。結果，由頻率區域的測定結果來看，

13440pif.ptd 第17頁 200426817 五、發明說明（12)

CNR為58· 5dB。圖8(b)為測定習知的光碟R〇M。結果，CNR

為 54.5dB °Super-RENS ROM 的 CNR較習知的光碟 ROM 的 CNR 約高4dB，表示Super-RE NS ROM的優越性。 圖9(a)及圖9(b)與圖8(a)及圖8(b)相同，其為表示從

Super-RENS ROM與習知的光碟R〇M讀取的信號分別在頻率 區域及時間區域的測定結果照片圖。此測定是在凹坑長度 4 0〇11111、凹坑深度5〇11111、線速度2111/3 6(3、雷射光束強度 2mW、雷射光束波長635nm、對物透鏡開口數〇· 60等條件下 進行，其不同點在於凹坑深度由l〇〇nm變成50nm。圖9(a) 為測定Super-RENS ROM。結果，由頻率區域的測定結果來 看’ CNR為52· 85dB。圖9(b)為測定習知的光碟R〇M。結 果 ’CNR 為 51.05dB °Super-RENS ROM 的 CNR較習知的光碟 ROM的CNR約高1· 8dB，表示Super-RENS ROM的優越性。 而且’即使對Super-RENS ROM進行再生，在罩幕層與 反射層中也觀察不到擴散反應。 圖1 〇所繪示為本發明之一實施例2Super —RENS R〇M 1 在利用雷射光束照射以讀取出資訊的情況下，標示長度與 CNR的關係圖。在此測定中，如上述一樣，以與圖3所示的 相反方向’亦即以從Super-RENS ROM 1的第3介電層朝向 基板的方向’照射與基板1 〇垂直的雷射光束（從資訊側照 射）。 對於標示深度為5 0 nm與1 0 0 nm的兩種情況進行測定。 光學系統的鑑別限度（RL)為2 6 5nm。在標示深度為 5〇nm與l〇〇nm的情況下，即使標示長度為15〇nifl，CNR為

第18頁 200426817 五、發明說明（13) 3 5dB以上，並不像圖4所示從基板側照射的情況那樣，也 顯示出足夠良好的特性。 為了作比較，而將只具有由銀形成的反射層、且不具 有罩幕層的試樣的測試數據也表示出來。在此情況下，標 示長度、RL在250nm以下，CNR變成近似於〇，判斷無法讀 取標示。

如此，在Super-RENS ROM中記錄的資訊可以從基板側 及資訊側之任一側進行讀取。利用此種特性，重複堆疊圖 3的堆疊結構而形成的Super-RENS ROM中記錄的資訊可以 從基板側及資訊側兩者進行讀取，而可以在一牧 Super-RENS ROM中記錄更高密度的資訊。 本發明 表面記錄有 形成的反射 述第 設置 一介 解析 取再 限定 和範 範圍 一介電 有由相 電層、 近接場 生裝置 雖然本 本發明 圍内， 當視後 你钓錄有 上述資訊的 層、於上述 層上由金屬 變化物質形 由金屬氧化 構造的作用 的光學鏗別 發明已以較 ’任何熟習 當可作些許 附之申請專 資訊的 基板、 反射層 氧化物 成的反 物形成 ，且能 限度以 佳實施 此技藝 之更動 利範圍 讀取專 於上述 上形成 形成的 射層、 的罩幕 夠以高 下的標 例揭露 者，在 與潤飾 所界定 用紀錄媒體，其是由 基板上由相變化物質 的第一介電層、於上 罩幕層所構成。由於 於反射層上形成的第 層，因此可以產生超 載波雜訊比（CNR)讀 示（凹坑）。 如上’然其並非用以 不脫離本發明之精神 ’因此本發明之保護 者為準。

200426817 圖式簡單說明 ，j所繪示為習知唯讀型記錄媒體的標示長度與載波 θί1 ^ arri—er〜t〇 —Noise Ratio，CNR)的關係圖。 圖2所繪不為利用超解析近接場構造之記錄型光碟的 紀錄原理示意圖。 圖3所繪不為本發明實施例之Super_RENS r〇m的結構 剖面圖。 一圖4所繪示作為本發明實施例之唯讀型記錄媒體的標 不長度對載波雜訊比（Carrier-t〇 —N〇ise Rati〇，cnr)的 關係圖。 圖5為繪示本發明實施例之唯讀型記錄媒體的讀取雷 射強度（Pr)對載波雜訊比（Carrier —t〇_N〇ise Rati〇， C N R )的關係圖。 、圖6為綠示本發明實施例之唯讀型記錄媒體的線速度 對載波雜訊比（Carrier-to-Noise Ratio，CNR)的關係 圖。 圖7(a)及圖7(b)為表示從sUper-RENS ROM讀取的信號 分別在頻率區域及時間區域的測定結果照片圖。 圖8(a)及圖8(b)為表示從sUper 一 RENS ROM與習知的光 碟ROM讀取的信號分別在頻率區域及時間區域的測定結果 照片圖。 圖9(a)及圖9(b)為表示從sUper — RENS ROM與習知的光 碟ROM讀取的信號分別在頻率區域及時間區域的測定結果 照片圖。 圖1 0所繪示為本發明實施例之Super —RENS R〇M 1在利

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第20頁 200426817 圖式簡單說明 用雷射光束照射以讀取出資訊的情況下，標示長度與CNR 的關係圖。 【圖式標示說明】 1 :唯讀型記錄媒體 10 :基板 20、112-2 :第二介電層 3 0 :反射層

40、112-1 :第一介電層 50、113 :罩幕層 6 0 ··第三介電層 1 11 :聚碳酸酯 11 4 :保護層 I 1 5 ··記錄層 II 7 :雷射光源 11 8 :聚焦透鏡

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Claims (1)

1. 200426817 六 申請專利範圍 係為記錄有 次π μ #種超解析近接場構造之記錄媒體 資訊的唯讀刮4 μ 鄉鄉脰 一 t s己錄媒體，包括·· 該反射層是由 一 ^板’在一表面上記錄有該資訊； *日縿/μ仏射層，設置於該基板的該表面上 相變化物質形成的； 二第一介電層，設置於該反射層上； 罩幕層’設置於該第一介電上，該罩幕 屬氧化物形成的。 由金 二 2 ·如申請專利範圍第1項所述之超解析近接場構造之 記錄媒體’其中更包括一第二介電層，設置於在該基板與 該反射層之間。 /、 3 ·如申請專利範圍第1項所述之超解析近接場構造之 §己錄媒體，其中該罩幕層含有金屬的奈米粒子。 4 ·如申請專利範圍第1項所述之超解析近接場構造之 記錄媒體，其中形成該罩幕層之金屬氧化物包括貴金屬氧 化物。 5 ·如申請專利範圍第4項所述之超解析近接場構造之 記錄媒體，其中形成該罩幕層之貴金屬氧化物包括白金氧 化物（PtOx)、金氧化物以⑽义）、銀氧化物（Ag〇x)、鈀氧化 物（P d 0 X )之任一種。 6 ·如申請專利範圍第丨項所述之超解析近接場構造之 記錄媒體，其中形成該罩幕層之金屬氧化物包括高融點氧 化物。 7 ·如申請專利範圍第6項戶斤述之超解析近接場構造之

   1344〇pi f .ρΜ

   第2 200426817 六、申請專利範圍 記錄媒體，其中形成該罩幕層之高融點氧化物包括鎢氧化 物（WOx) 〇 8 ·如申請專利範圍第1項所述之超解析近接場構造之 記錄媒體，其中形成該反射層之相變化物質包括銀•銦· 銻•碲化合物（AglnSbTe，AIST)、碳（C)、鍺•銻•碑化 合物（GeSbTe)、鍺（Ge)、鎢（W)、鈦（Ti)、矽（Si)、鎂 (Mg)、鋁（A1)、鉍（Bi)、鎳（Ni)、鈀（Pd)、碲（Te)任一 種。 9 ·如申請專利範圍第1項至第7項其中任一項所述之超 解析近接場構造之記錄媒體，其中該資訊由形成於該基板 表面上之標示所記錄。 I 0 ·如申請專利範圍第1項至第7項其中任一項所述之 超解析近接場構造之記錄媒體，其中該罩幕層之厚度為j. 5nm以上、ι〇· 0nm以下；該第一介電層之厚度為“㈣以 上、60nm以下；該反射層之厚度為i〇nm以上、8〇ηπι以下。 II ·如申請專利範圍第1項至第7項其中任一項所述之 超解析近接場構造之記錄媒體，其中更包括一第三介電 層’設置於該罩幕層上。 > 1 2 · —種再生方法，係為光學的讀取申請專利範圍第1 項§己載的唯讀型記錄媒體中所記錄的資訊的再生方法，其 中”、、射4 °己錄媒體的一雷射光束之強度為1. 5 m W至4. 5 m W。 1 3 ·如申請專利範圍第丨2項所述之再生方法，其中從 A σ己錄媒體的基板側照射該雷射光束。 1 4 ·如申請專利範圍第丨2項所述之再生方法，其中從

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   第23頁 200426817 六、申請專利範圍 該記錄媒體的資訊側照射該雷射光束。 1 5. —種再生裝置，係為光學的讀取申請專利範圍第1 項記載的唯讀型記錄媒體中所記錄的資訊的再生裝置，照 射強度為1.5mW至4.5mW的雷射光束。

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