TW200414816A - Process for forming a multicolor display - Google Patents
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Description
200414816 ⑴ 玖、發_明 (發明說明應敘明:發明所屬之技術領域、先前技術、内容、實施方式及圖式簡單說明) 發明所屬之技術領域 本發明有關一種製造多色有機發光二極體(〇lEDs)之 方法。更尤其有關一種製造方法,其中以積體彩色過濾器 形成〇LED。 先前拮藝 以有機材料作為其發射元件之發光二極體由於其用於 顯示器技術之潛力而備受注意。其大部分型態中,該等二 極體利用孔洞注射電極(陽極)結合在一侧及藉電子注射 電極(陰極)結合在另一侧上之發射材料層,其中一種對於 其間施加電位時於發射層中產生之光透明。在該發射層及 電極之間可有其他層以促進電荷傳遞及電射注射。 因施加電力通過電觸點層而發光之有機電發光材料包 含有機分子如蒽、丁二婦、香豆素衍生物、吖丁啶及二苯 乙缔衍生物。例如參見丁ang之US專利4,3 56,429。可使用 金屬錯合物如銘之螯合類氧化物(oxin〇id)化合物,例如述 於Van Slyke之US專利5,047,6 87。半導體共軛之聚合物亦 發現可作為電發光材料。例如參見Friend等人之US專利 5,247,190、Heeger 等人之 US 專利 5,4〇8,1()9、及 Nakano 等 人之歐洲專利公報4 4 3 8 6 1。 就多色顯示器而言,可使用多發射材料且分別提出。然 而’此系統複雜且難以獲得有些所需色彩。此外,具單一 發射材料之二極體可與彩色過濾器使用。該彩色過濾器通 200414816
(2) 常由四種交替製造方法所製得:染料明膠、加顏料之光阻 劑、電沉積及印刷。加顏料之光阻劑方法一般較佳。然而 ,此需要數個(20-3 0)依序步驟及濕化學製程。此過濾器 可能昂貴且可能難以改變圖案。 發明内容 本發明有關一種形成多色顯示器之方法,包括: 使組裝選擇性暴露至熱中,該組裝包括供體元件及接受 體元件,該供體元件包括在主體擔體上之轉移層,其中該 轉移層包括至少.一種黏合劑及第一著色劑,及該接受體元 件包括擔體及影像接受層,因而轉移層部分轉移而在該接 受體元件之該影像接受層上形成所需圖案層; 施加透明第一電觸點層; 施加有機發光材料層;及 施加第二電觸點層。 視情況,可施加平面化層至該影像接受層上之圖案層。 典型具體例中,該視情況平面化層係施加至影像接受層 之圖案層上,該透明第一電觸點層施加至該平面化層上, 該有機發光材料施加至第一電觸點層上及第二電觸點施 加至第一電觸點層上。不存在平面化層中,該透明電觸點 層施加至影像接受層上之圖案層上。 或者,影像接受層上之圖案層在施加該視情況之平面化 層之前轉移至永久基材或在其不存在時則轉移至該透明 第一電觸點層。 實施方式 (3) 200414816
、衣據本發明’彩色過濾器元件係由熱轉移製程所製得, 接著覆蓋其他層以形成有機發光二極體。提供一種組裝, 匕括供體7L.件及接受體元件。該供體元件包括在主體擔體 <具有至少一種聚合黏合劑及第一著色劑之轉移層。該 接文體7C件包括擔體及視情況之黏著層。該組裝以對應於 斤而彩色過濾器圖案之圖案暴露至熱中,導致彩色圖案轉 7在接觉體疋件上。若需要,一或多個其他彩色圖案係藉 4轉移’使用具有含不同著色劑之轉移層之其他供體元件 而轉移至其上具有第一彩色影像之接受體元件。若使用 接文體7C件作為彩色過濾器之永久基材,則典型上接受體 兀件之擔體為二維穩定之透明材料如玻璃。若使用接受體 7L件作為中間轉移元件,則接受體元件擔體為可撓材料如 水對苯一曱酸乙二醇酯,及接受體元件上形成之圖案接著 可轉移至永久基材如玻璃上,在製程第二步騾中不使用過 量熱如藉層壓。所得彩色過濾器元件接著以平面化層、第 一電觸點層、發光層及第二電觸點層覆蓋,而形成發光裝 置U層可藉熱轉移、蒸發、擠出或溶液塗佈技術多 樣塗佈。 精桊贫明方法形成 <放兀衣罝之較佳具m列不於擾 孩裝置包括彩色過㈣元件(35)(由基材(22)所構成, 接受體擔體為坡璃)或永久基材(30)(其中於 影像自接受體元件轉移至永久基材如玻璃上)、彩色 益圖案(121)、及平面化層(4〇);陽極(5。) 注射層叫電發光層(7。);视情況之電子傳遞層: 200414816
(4) 及陰極(9 0)。 本發明方法之第一步驟為使包括供體元件及接受體元 件之組裝選擇性暴露至熱中。 圖2例舉使用於本發明方法之包括供體元件(1 0)及接受 體元件(20)之組裝(25)。 供體元件 供體元件(10)包括含至少一種聚合黏合劑及第一著色 劑之熱可顯影轉移層(12),主體擔體(14)及在主體擔體 (14)與轉移層(12)間之視情況之加熱層(16)。如圖2所示, 該主體擔體(14)可支撐加熱層(16)(若存在)及轉移層(12)。 1 .主體擔體 供體元件(10)之主體擔體(14)為二維安定之片材。典型 上,該供體元件(10)為可撓以促進隨後之製程步騾(如後 述)。該主體擔體(1 4)對雷射照射為透明而可使熱可顯影 層(1 2)曝光,如後述。 適合作為主體擔體(1 4)之透明可撓性薄膜實例包含例 如聚對苯二曱酸乙二醇酯(”聚酯”)、聚醚颯、聚醯亞胺、 聚(乙烯醇-共聚-乙縮醛)、聚晞烴或纖維素酯如纖維素乙 酸酯、及聚氯乙烯。典型上,該供體元件(10)之主體擔體 (14)為經電漿處理至可接受該視情況加熱層(16)。其他材 料可作為添加劑存在於該主體擔體上,只要不影響擔體之 基本功能。此添加劑實例包含塑化劑、塗佈助劑、流動添 加劑、滑動劑、抗光輪狀暈之試劑、抗靜電劑、界面活性 劑及其他已知用於薄膜調配物者。該主體擔體一般厚度為 200414816 1» 卜S密耳(25-200微米)範圍,較好3_5密耳(75-125微米)。 如圖2最佳可見,供體元件(1 〇)之視情況加熱層(1 6)之 功能為吸收用以使熱可顯影層(1 2)曝光及用以使該照射 轉務成熱之雷射照射(L)。該加熱層一般為金屬。 其他適宜材料之有些實例為第1 3、1 4、1 5及1 6族之過渡 食屬元素及金屬元素、其彼此之合金及其與第1及2族元素 之舍金’其對該熱可顯影層(12)較不具黏著性或可經處理 多比熱可顯影層(12)對基材(24)接受表面之黏著力更小 之黏著力且可吸收雷射波長。整個說明書中使用IUPAC編 號系統,其中該組群由左至右邊號為丨8 (化學物理之 crC手冊’第版’ 2000)。鎢(w)為適宜過渡金屬實例。 亦可使用14族之碳(非金屬元素)。 鎳、鋁、鉻及鎳釩合金為加熱層(16)之典型金屬。電子 束沉積之鎳為最佳,因已發現轉移層中著色劑可藉氧電漿 處禮而加速自鎳釋離,如後述。 此外,圖2中,該視情況加熱層(16)可為包括有機黏合 劑及紅外線吸收劑之有機層。適宜黏合劑實例為當加熱時 在普遍低溫加可分解者,如聚氯乙晞、氯化聚氯乙缔及硝 基纖維素。紅外線吸收劑實例為碳黑及紅外線染料。 加熱層(16)之厚度隨所用金屬之光學吸收性而定。對鉻 、鎳釩或鎳而T,以80-100埃之範圍較佳。約4〇_5〇埃厚 足鋁加熱層顯π鬲光學吸收。若使用碳,該加熱層可為約 5 0 0至約1,0 0 0埃。 -9- 200414816
⑹ 雖然較好具有單一視情況加熱層,但亦可具有一層以上 之加熱層,且不同層可具有相同或不同組成。 該視情況加熱層(1 6)可藉物理蒸氣沉積技術塗佈至該 主體擔體(1 4)上。”物理蒸氣沉積”代表在真空中進行之各 種沉積方法。因此,例如物理蒸氣沉積包含所有形式之濺 射,包含離子束濺射以及所有形式之真空沉積如電子束蒸 發及化學蒸氣沉積。可用於本發明之特定形式之物理蒸氣 沉積為i:f磁子濺射。鎳可經電子束沉積在主體擔體(14)上 。鋁可藉電阻加熱塗佈。鉻、鎳及鎳釩層可藉濺射或電子 束沉積而塗佈。 3 .轉移層 轉移層之至少一種聚合黏合劑為具有分解溫度小於或 等於3 5 0 °C且較好小於3 0 0 °C之聚合材料。該黏合劑需為可 自溶液或分散液成膜或固化者。具有熔點小於約2 5 0 °C或 可塑化成使玻璃轉移溫度<7 0 °C之程度之黏合劑較佳。然 而,熱可融合之黏合劑如蠟需避免作為唯一黏合劑,因此 黏合劑可能不耐久,但其可在降低頂層熔點中作為輔黏合 劑。 較好該聚合黏合劑在雷射曝光期間所達到之溫度下不 會自我氧化、分解或降解,因而可顯影成分及黏合劑完整 轉移而具改良之耐久性。適宜黏合劑實例包含苯乙烯與( 曱基丙埽酸)酯之共聚物如苯乙婦/曱基丙晞酸甲酯;苯乙 烯與烯烴單體之共聚物如苯乙婦/乙晞/ 丁烯;苯乙烯與丙 埽腈之共聚物;氟聚合物;(甲基)丙烯酸酯與乙烯及一氧 -10- 200414816
⑺ 化碳之共聚物;具有較高分解溫度之聚碳酸酯;(甲基) 丙婦酸§旨均聚物及共聚物;聚戚;聚胺基甲酸酯;聚醋。 上述聚合物之單體可為經取代或未經取代。亦可使用聚合 物之混合物。 轉移層之典型聚合物為(甲基)丙缔酸聚合物,包含(但 不限於)丙晞酸酯均聚物及共聚物、甲基丙烯酸酯均聚物 及共聚物、(甲基)丙烯酸酯嵌段共聚物及含其他輔單體類 型如苯乙晞之(甲基)丙晞酸酯共聚物。 特佳為可交聯之聚合黏合劑。可交聯聚合物為本技藝已 知且討論於例如US專利6,051,318。可交聯聚合黏合劑一 般包含一或多種具有可經歷游離基謗發或陽離子交聯反 應之側鏈基。可經歷游離基謗發交聯反應之側鏈基一般為 含有乙烯不飽和位置者,如單-及多-不飽和烷基;丙烯酸 及甲基丙烯酸及酯。有些例中,該側鏈交聯基可具感光性 ,如在側鏈桂皮醯基或N-烷基苯乙晞基吡啶鑌基之例般 。可經歷陽離子交聯反應之側鏈基包含經取代及未取代環 氧化物及吖丁啶基。黏合劑一般為具有此可交聯基之單體 之均聚物或共聚物。此單體實例包含(甲基)丙烯酸烯丙酯 、(甲基)丙晞酸縮水甘油酯、(甲基)丙烯酸羥基乙酯、( 曱基)丙烯酸等,而π (甲基)丙烯酸酯” 一詞代表丙晞酸酯 、甲基丙烯酸酯或其組合。 轉移層可視情況包含第二聚合黏合劑。該第二黏合劑為 具有分解溫度大於約3 9 5 °C之高分解溫度黏合劑。存在有 高分解溫度黏合劑可增加彩色過濾器層在進一步加工步 200414816
(8) 驟中之安定性。具有分解溫度大於約3 9 5 °C之適宜黏合劑 實例包含C 2至C 6聚伸烷氧化物及二醇。典型為聚氧乙烯 (PEO)(分解溫度約402 °C)及聚乙二醇(PEG)(分解溫度約 3 9 9 °C )。分解溫度大於約3 9 5 °C之黏合劑可以轉移層總重 之0至15重量%,較好3至15重量%且最好至少6重量%之量 存在於轉移層中。 另一具體例中,轉移層(1 2)之聚合黏合劑成分至少包括 第一及第二聚合黏合劑,其中第一黏合劑之Tg高於第二 黏合劑之T g。 轉移層之第一聚合黏合劑為具有分解溫度小於或等於 3 5 0 °C且較好小於約3 0 0 °C之聚合材料。第一黏合劑之Tg 比第二黏合劑之Tg至少高1 0 °C。較好第一黏合劑之Tg至 少7 0 °C。該黏合劑可自溶液或自分散液成膜或固化者。較 好第一聚合黏合劑在雷射曝光期間所達到之溫度下不會 自我氧化、分解或降解,因而著色劑及黏合劑可轉移而極 少或不降解。 第二聚合黏合劑為Tg至少比第一聚合黏合劑之Tg低10 °C者。較好Tg小於70°c。 典型上第一聚合黏合劑及第二聚合黏合劑均為可交聯 。可使用上述之可交聯黏合劑,但其需具有適當之相對 Tg、及分解溫度。轉移層之較佳之第一及第二聚合黏合劑 為(甲基)丙晞酸縮水甘油酯之共聚物。本技藝中已知此共 聚物之Tg可藉選擇適當單體而調整。通常,共聚物之丁g 可使用可形成具有低Tg之均聚物之單體而降低。此單體 -12- 200414816
(9) 實例包含(甲基)丙婦酸丁 S旨及丁二晞。相反地,共聚物之 Tg可使用可形成具高Tg之均聚物之單體而增加。此單體 實例包含(甲基)丙烯酸甲酯及苯乙烯。第一聚合黏合劑對 第二聚合黏合劑之比例一般在1 :1 0至1 0 : 1之範圍。 總聚合黏合劑濃度一般為轉移層總重之約1 5 _ 5 0重量0/〇 範圍,較好3 0 - 4 0重量%。 轉移層中之著色劑可為顏料分散液或非可昇華染料。較 好使用顏料分散液作為安定性及顏色密度之著色劑,且亦 作為高分解溫度之著色劑。分散液中之顏料較好選自具有 (1)高透明度,其中至少約80%之光可通過該顏料,及(2) 小粒徑之顏料,其中平均粒徑小於約1 00奈米。可用於本 發明之透明顏料有些實例包含RS Magenta 23 4-0〇7TM、GS Cyan 249-0592TM&RS Cyan 248-061,係購自 Sun化學公 司(Fort Lee, NJ) ; BS Magenta RT-3 3 3 Dtm、 Microlith Yellow 3G-WA™ ' Microlith Yellow 2R-WA™ > Microlith Blue YG-WA™> Microlith Black C-WA™> Microlith Violet RL-WA™> Microlith Red RBS-WA™' Cromophthal Red 3B 、Irgalite Blue GLO、及 Irgalite Green 6G,購自汽巴 (Ciba)(Newport,DE); Fanchon快速黃 5700,購自拜耳(匹 茲堡,PA);任何 Heucotech Aquis IITM 系列;任何 Heucosperse Aquis ΙΙΙτΜ 系列等。 轉移層中存在之著色劑量係選擇為使供體原件光學密 度在對紅色、藍色及綠色約1 . 0及約2 · 0之間,及對黑色約 3 . 0至約4 · 0之間。通常,著色劑存在量為該轉移塗料總重 •13- 200414816 (ίο) 之=20至約8〇重量%,—般約讪至約5〇重量%。 产當:料欲轉移時,通常存在有分散劑以達成最大顏色強 二明度及光澤。分散劑通常為有機聚合化合物且用以 刀離細顏料顆粒並避免 <僅〜 兄不,予及,规集。廣靶圍分散劑為商業 J後件。分散劑係依據顏 及、竹表面及組口物中其他成分之特 σ以選擇,如热知本技藏 、 仪农所操作君然而,適用於操作 焱明 < 一類分散劑為ΑΒ分散劑。該分散劑Α片段吸附至 顏料表I B片段延伸人其中分散有顏料之溶劑中。^ 段在顏料顆粒間提供障壁而對顆粒吸?1力具反作用且因 此避免凝集。該Β片段需具有與所用溶劑之良好相容性。 ΑΒ分散劑之選擇一般述於,,使用αβ嵌段聚合物作為非水 性塗料系統之分散劑·’,由Η · C · J a k u b a u s k a s所著,塗料技 術期刊,卷5 8,第73 6期,7 1-82頁。適宜之AB分散劑亦述於 U.K·專利 ι,339,930 及 U.S.專利 3,684,771; 3,788,996; 4, 〇70,388; 4,912,019;及4,032,698。可利用習知顏料分散 技術如輥磨、介質研磨、球磨、砂磨等。就彩色過濾器應 用而言,熱可顯影層之黏合劑聚合物亦可作為顏料之分散 劑。 其他物質可存在作為轉移層之添加劑,只要其不干擾該 層之基本功能。此添加劑之有些實例包含塗層助劑、塑化 劑、流動添加劑、滑動劑、抗光輪暈之藥劑、抗靜電劑、 界面活性劑及其他已知用於塗料調配物者。然而,較好使 該層中額外添加劑量最小,因其會不利地影響轉移至最終 擔體後之最終產物。 -14- 200414816
(π) 該轉移層通常厚度約〇 · 1至5微米,較好約ο · 1至1 · 5微米 。厚度大於約5微米通常較不佳’因為其需要過度能量以 有效轉移至該接受體。 雖然典型上具有單一轉移層,但亦可能具有一層以上之 熱轉移層,且不同層可具有相同或不同組成,只要其均具 有上述功能即可。組合之轉移層之總厚度需在上述範圍内。 該轉移層可以於適當溶劑中之分散液塗佈至供體之加 熱層(若存在)上或直接塗佈在擔體上。可使用任何適當溶 劑作為塗佈溶劑,只要其對該組裝性質無不利影響即可’ 可使用習知塗佈技術或印刷技術如凹版印刷。 噴射層(未示出)可視情況設在視情沉之加熱層(1 6)及 轉移層(1 2)之間,如本技藝已知者。該噴射層在加熱時分 解成氣態分子,提外額外之力而引起熱可顯影層(1 2)曝光 部分轉移至接受體元件(20)。可使用具有相對低分解溫度 (小於約3 5 0 °C,較好小於約32 5 °C,且更好小於約280°C ) 之水合物。當聚合物具有一個以上之分解溫度時,第一分 解溫度需低於3 5 0它。適宜之噴射層述於u s•專利 5,766,8 1 9,讓渡予本發明之受讓人。熱添加劑亦可提供 於噴射層中以擴大加熱層(16)中產生之熱效果,如本技藝 已知且述於U . s ·專利5,7 6 6,8 1 9。U · S .專利5,7 6 6,8 1 9併於本 又供參考。猎由提供額外分解路徑供產生氣態產物,可產 生額外拒斥力以助於該轉移過程。 視晴況在加熱層(16)(若存在)或擔體(14)及轉移 (12)間可設有釋 釋離裝置(未不出)。此可藉氧電漿處理該加 -15- 200414816
(12) 熱層(16)或該擔體(14)而完成。或者,釋離層可在塗佈轉 移層(12)之前,塗佈至該加熱層(16)(若存在)或擔體(14) 上。有些可用層包含六甲基二矽烷胺(HMDS)(得自Arch 化學公司,Norwalk CT)、二氯矽烷全氟癸烷(得自Gelest 公司,Tullytown,PA)、十三氟_1,1,2,2_四氫辛基_1_甲基 二氯矽烷(購自聯合化學技術公司,Bristol, PA)等◊釋離 裝置亦可為熱活化釋離材料。 接受體元# 圖2說明之接受體元件包括接受體擔體(22)及影像接受 層(24)及視情況之緩衝或釋離層(26)。 該接受體擔體(22)可由與供體元件之主體擔體相同材 料所製得。此外’霧濁材料如填入白色顏料如二氧化欽之 聚對苯二甲酸乙二醇酯或合成紙如丁yvek®紡絲黏合之聚 埽烴可作為該接受體擔體。接受體擔體(22)之典型材料為 聚對苯二甲酸乙二醇酯及聚醯亞胺。或者,當接受體元件 使用作為永久基材時,該接受體擔體可包含上述之透明塑 膠薄膜、玻璃及其複合物。一般使用薄玻璃基材。 影像接受層(2 4)可為例如聚碳酸酿、聚胺基甲酸g旨、聚 酯、聚氣乙烯、苯乙烯/丙烯腈共聚物、聚(己内酯)、乙 酸乙埽酯與乙埽及/或氯乙烯之共聚物、(甲基)丙烯酸酉旨 均聚物(如曱基丙婦酸丁酿)及共水物、及其混合物之塗層 。該影像接受層可以對所欲目的有效之任何量存在。通常 ,在塗層重量約1至約5克/米2時獲得良好結果。 除了影像接受層以外,該接受體元件在該接受體擔體及 -16 - 200414816
⑼ 影像接受層之間可視情況包含一或多種其他層。影像接受 層及該擔體間之一額外層為釋離層。在接受體元件為中間 轉移元件之中間轉移製程中,該釋離層可對接受體元件提 供所需黏著力平衡,因而影像接受層在曝光期間黏著至該 接受體擔體並與供體元件分離,但促進影像接受層與接受 擔體因轉移而分離,例如藉層壓彩色影像至永久擔體上。 該彩色影像因此介於永久擔體(如玻璃或偏極化元件)及 影像接受層之間。該影像接受層可作為LCD裝置之平面化 層。適合作為釋離層之材料實例包含聚醯胺、矽氧、氯乙 烯聚合物及共聚物、乙酸乙烯酯聚合物及共聚物及塑化聚 乙烯醇。該釋離層厚度可為1至50微米之範圍。為可變形 層之緩衝層亦可存在於接受體元件中,典型上在釋離層與 接受體擔體之間。組裝诗,該緩衝層可增加接受體元件與 供體元件間之接觸。適合作為緩衝層之材料實例包含苯乙 晞與晞烴單體之共聚物如苯乙烯/乙烯/ 丁烯/苯乙烯、苯 乙烯/ 丁烯/苯乙烯嵌段共聚物及其他彈性體。黏著層可存 在於緩衝層與释離層之間或緩衝層與影像接受層之間。適 當黏著劑實例包含熱溶融黏著劑如乙烯乙酸乙烯酯。適合 作為彩色過濾器陣列應用之接受體元件於U · S.專利 5,565,301(其併於本文供參考)中揭示為轉移元件。接受層 之典型聚合物為(甲基)丙烯酸聚合物,包含(但不限於)丙 晞酸酯均聚物及共聚物、甲基丙烯酸酯均聚物及共聚物、 (甲基)丙晞酸酯嵌段共聚物、及含其他輔單體類型如苯乙 烯之(甲基)丙烯酸酯共聚物。此外接受體元件揭示於U · S . -17- 200414816
(14) 專利5,5 3 4,3 8 7。一較佳實例為W a t e r P r ο 〇 f ®轉移片(由杜邦 公司銷售)。典型上,在包括乙烯多於乙酸乙烯酯之表面 層中具有乙晞/乙酸乙晞酯共聚物。 如圖2所示,供體元件(10)之轉移層(12)之外表面鄰近 於該接受體元件(20)之影像接受層(24)而形成組裝(25)。 真空及/或加壓可用以使該供體元件(1 0)與該接受體元件 (20)固定在一起而形成該組裝(25)。另一選擇為,使供體 元件(10)與接受體元件(20)以膠帶黏在一起並黏至該影 像裝置。亦可使用釘住/夾住系統。此外,供體元件及/ 或接受體元件表面可在塗佈期間藉層壓一無光澤聚乙烯 覆蓋片而粗糙化。此可藉促進供體元件(10)與接受體元件 (2 0)間之空氣排出,而改良供體元件(10)與接受體元件 (20)間之接觸平均均句度。 該組裝(2 5)接著經由該供體元件(10)於經選擇區域藉 熱或光形式照射(L)而曝光。如前述,該曝光圖案為彩色 過濾器之所需圖案。該視情況加熱層(1 6)或轉移層吸收該 照射(L),產生熱並引起該熱可顯影層(12)熱曝光部分轉 移至該接受體元件(20)。 曝光後,供體元件(10)自接受體元件(20)分離。此可藉 由使兩元件剥離開而進行。典型上需要極小剝離力;該供 體單體(10)可簡單地自該接受體元件(20)分離。可使用任 何習知人工或自動分離技術。 供體元件(10)與接受體元件(20)分離後,彩色影像轉移 至該接受體元件,同時熱顯影層(丨2)之該未曝光、不期望 -18- (15)200414816
部分仍留在該 照射(L)典型 J/cm2,較好約 生足以引起彩 使用熱印刷頭 用者)、直徑範 屬尖提供電流 解析度。 可使用各種 曝光。該雷射4 。特別有利者、 因其小的尺寸 節性而可提供 之二極體雷射 實驗室。亦可, 熱層(1 6)之吸, 若供體元件· (2 5)可便利地: 該轉移步驟 有不同顏色著 複進行,以製-永久基材,此 況,在永久基 未示出)。 供體元件上。 听』奴供高達約i 75 -5 00 mJ/cm2之雷射流量。亦可使用可產 色材料層轉移之熱之其他技術。例如,亦可 或具直徑範圍約50奈米(如原子力顯微鏡所 圍約5微米之金屬尖之顯微鏡陣列。對該金 以產生熱。以比雷射小之金屬尖可獲得較高 雷射使著色劑材料之熱可顯影轉移層〇之) ft好以紅外線、進紅外線或可見光區域發射 备以750至870奈米區域發射之二極體雷射, 、低成本、安定性、可靠性、粗硬性及易調 實質上义優點。最佳為在780至8 5 0奈米發射 。此雷射可得自聖喬斯〇八之SpecUa二極體 ί吏用其他類型之雷射,如本技藝已知,但Z 此需符合雷射之發射波長。 (10)及接受體元件(20)均為可撓,則組裝 裝設在圓桶上以加速雷色顯影。 可以帶有第—彩色影像(12,)及一或多個具 色以之不同供體元件之相同接收體元件重 睛多色彩彩色過濾器圖案。若接受體擔體為 可行成彩色過濾器(3 5),如圖3所示β視情 材如玻璃上在轉移前可存在有額外黏著層( * 19- 200414816 (16) 如圖4最佳所見,若接受體元件為中間轉移元件,則本 發明製程之次一步驟為使彩色影像(12,)自接受體元件轉 移至永久基材如玻璃。在接受體元件(20)上形成彩色影像 (1 2 )後(其可為單一色彩或多色彩影像),包含該彩色影像 (12’)之該接受體元件(20)與永久基材(3〇)接觸,如圖*所 示。基材(30)可包含主體元件(3 2)及黏著劑塗層(3 4)以增 進違圖案層(12 )對基材之黏著性。黏著劑塗層(34)可為適 苴之聚碳酸酯、聚胺基甲酸酯、聚酯、聚氯乙婦、苯乙婦 /丙埽腈共聚物:聚(己内酿)、乙酸乙埽g旨與乙缔及/或氣 乙烯之共聚物、(甲基)丙缔酸酯均聚物(如甲基丙烯酸丁 酯)、共聚物及其混合物。 重要地是相鄰該彩色影像之基材(3 〇)表面對彩色影像 (1 2f)之黏著力比比彩色影像及彩色接受層對接受體擔體 之黏著力更大。該基材(3 0)可為將可支撐後續層之任何材 料且傳遞藉LCD顯示器產生之光。適宜材料包含透明塑膠 薄膜(如上述)、剝離及複合物。以薄的玻璃基材較佳。可 使用薄如5 0微米之玻璃《厚度上限由終產品重量及所需性 質而設定。此厚度通常小於5毫米。 較好,彩色影像(12,)藉層壓轉移至基材(3〇)。可使用捏 夾或加壓層壓,如本技藝已知者。一般使用輥-對-輥 HRL-24層壓器(威明頓,DE之杜邦公司製造)以完成此層 壓。最小可用之壓力約30 psi。最大壓力決定為不期望污 染如塵削、可引起基材破裂之壓力。通常壓力需小於約 1 0,000 psi(約每平方公分1,〇〇〇公斤)。供體元件(1〇)與基 -20- 200414816 ⑼ 材(3 0)分離後’彩色影像(1 2,)轉移至基材而形成彩色過遽 器元件(35)。 本發明製程中次一步驟為對接受體元件(2 0)之影像接 受層或基材(30)上存在之圖案層(12,)施加視情況之平面 化層(40)或第一電觸點層(5〇)。 該視情況之平面化層(4 0)保護底下之彩色過濾器元件 且使表面平滑及/或水平。可作為平面化層之材料為悉知 且一般包含可叉聯或熱可固化之聚合物材料。適宜材料之 有些實例包含(甲基)丙烯酸至之均聚物及共聚物如聚丙 埽酸酯及聚甲基丙烯酸甲酯及其經取代類似物;苯乙烯及 (甲基)丙缔酸酯之共聚物如苯乙缔/甲基丙烯酸甲酯;苯 乙烯與晞烴單體之共聚物如苯乙婦/乙烯/丁烯;苯乙婦與 丙烯腈之共聚物;氟聚合物;(甲基)丙烯酸酯與乙晞及一 氧化碳之共聚物;聚碳酸酯、聚颯;聚胺基甲酸酯;聚酯 及聚酿亞胺。上述聚合物之單體可為經取代或未經取代。 亦可使用聚合物之混合物。亦可使用熱固性材料如環氧樹 脂及胺基樹脂。平面化層之較佳材料為甲基丙埽酸甲酯、 曱基丙烯酸丁酯、甲基丙晞酸及甲基丙烯酸縮水甘油酯之 共聚物。平面化層典型上使用低分子量聚合物,因其在應 力下增加流動性之故。或者,以著色劑材料之彩色影像 (121)所轉移之影像接受層(24)可作為平面化層之功能。 該視情況之平面化層(40)可使用任何習知塗体技術施 加。此技術為本技藝悉知且包含旋轉塗佈、澆轉、凹版印 刷及擠出塗佈製程。平面化層亦可以預形成薄膜層加至彩 -21- 200414816
(18) 色過濾器元件(3 5)而施加。本發明方法之次一步驟為施加 透明之第一電觸點層(5 0)。本文所述之f’透明” 一詞定義為 可使相關特定波長之光穿透至少約2 5 %,且較好至少約 5 0 %之量。 大部分裝置中,第一電觸點層一般為陽極。此一般為由 高功率函數材料所製得之導電層,最典型為具有功率函數 高於4.5 eV者。作為陽極之典型無機材料包含金屬如鋁、 銀、始、金、免、鎢、銦、銅、鐵、錄、鋅、錯等以及其 合金;第2、3及4族之金屬氧化物及混合之金屬氧化物如 氧化鉛、氧化錫、銦/氧化錫等;石墨;摻雜之無機半導 體如矽、鍺、鎵砷,等。如薄膜領域操作所悉知者,若該 層夠薄則可以金屬達成所認為程度之透明度。金屬一般厚 度在20至300埃之範圍;金屬/金屬氧化物混合物在高達 2500埃之厚度可為透明。 陽極材料一般藉上述蒸氣沉積技術塗佈。 第一電觸點層可如所需予以圖案化。例如,第一電觸點 層可為一系列形成電極線之平行條紋供顯示器位址出個 別像素。 在施加第一電觸點層材料之前,第一電觸點層可藉沉積 圖案化之掩模或光阻劑在平面化層上而以所需圖案施加 至整個彩色過濾器元件(35)上之平面化層(40)。或者,第 一電觸點層可以整層施加及隨後使用例如光阻劑及濕化 學蝕刻而圖案化。 第一電觸點層一般厚度約5 00埃至約5,000埃之範圍。 -22- 200414816
(19) 本發明方法之次一步驟係施加有機發光材料(70)層。該 發光材料可為任何有機電發光或其他有機發光材料。可使 用蒽、莕、菲、嵌二莕、苯并菲、二莕嵌苯、丁二烯如1,4 -一冬基丁二晞及四苯基丁二烯·、香豆素衍生物、0 丫 丁淀及 二苯乙烯如反式二苯乙烯,例如述於Tang之US專利 4,356,429及Van Slyke等人之US專利4,539,507,其併於本 文供參考。可使用金屬螯合之類氧化物化合物如AIQ3, 如Van Slyke之US專利5,〇47,687所述者。其他金屬錯合物 亦已知為電發光者。 此外,可使用半導體共軛之聚合物材料,如Friend等人 之 US 專利 5,247,190、Heeger 等人之 US 專利 5,408,109、及 Nakano等人之US專利5,317,169,其併於本文供參考。此 聚合物實例包含聚(對-伸苯基伸乙烯)(稱為PPV)及聚 (2,7-(9,9-二烷基芴)p以PPV較佳,因其生命期超過聚芴 。亦可使用電活化材料之混合物如發光聚合物之混合物。 小分子發光材料可以溶液使用前述塗佈技術施加至前 述層中’或可藉蒸汽沉積技術沉積。該聚合發光材料一般 藉塗佈技術施加。若存在孔洞傳遞層(5 〇 ),則發光層塗佈 至該孔洞傳遞層而非第一電觸點層。 本發明方法之/人一步驟為對發光材料(7〇)施加第二電 觸點層(90)。通常,第二電觸點層為陰極。該銦即可為比 裝置(100)之第一電觸點層(5〇)較低功率函數之任何金屬 或非金屬。第二電觸點層之材料可選自第1族之鹼金屬( 如Li、Cs)、第2族(鹼土)金屬、鑭系及婀系。可使用如鋁 •23- (20) 200414816
灯 紀及鋁較祛。 卿、W 〜” /入六組公又材。 第二電觸點層(9〇)可藉物理汽相沉積 片 销万法,及藉習知枯 術如上述有闕第一電觸點層(5 0)所诚 > 枯 、 7 又技術圖案化 加至發光有機材料(70)之圖案上。該笛— 罘一電觸點層可給顯 成垂直第一電觸點平行條紋之一系列平t ^ 、"圖 尔幻干仃條紋。若存不 子傳遞層(80),則第二電觸點層係沉積在在电 」评现層上而 非發光層。 第二電觸點層(90)典型厚度在5〇〇_5,〇〇〇埃範圍内。若陰 極為鋇或鈣,則厚度約5 0埃。此電觸點層典型上藉鋁覆業 因而陰極總厚度在500-5000埃之範圍。若陰極為釔或鋁風 則不需要覆蓋層且單一層本身厚度在5〇〇_5〇〇〇埃之範圍。 當需要具有電荷傳遞層(60),則此層係在第一電觸點層 (50)之後施加。當第一電觸點層為陽極,則電荷傳遞^ (60)為孔洞傳遞層,此層中之材料加速孔洞傳遞及/或發 光材料與陽極之間隙相符。 層(60)之孔洞傳遞材料已概述於例如γ· wang之 Kirk 〇thmer化學技術百科全書,第4版,卷18,第837-860 頁1 9 9 6,其併於本文供參考。可使用孔洞傳遞分子及聚 合物兩者。 償用之孔洞傳遞分子為:N,N、二苯基-N,Nf-雙(3 -甲基 苯基 X1,1、聯苯基]-4,4··二胺(TPD)、1,1-雙[(二-4 -甲苯 基胺基)苯基]環己烷(TAPC)、N,N’-雙(4-甲基苯基)-N,N,-雙(4-乙基苯基)^,广㈠^二甲基^苯基卜心心二胺 (ETPD)、肆·(3·甲基苯基)-^>^,小,-2,5-伸苯基二胺 -24- 200414816
(21) (PDA)、a-苯基-4-N,N-二苯基胺基苯乙婦(TPS)、對-(二乙 胺基)苯甲醛二苯基腙(DEH)、三苯基胺(TPA)、雙[4-(N,N-二乙基胺基)-2 -甲基苯基](4-甲基苯基)甲烷(mPMP)、1-苯基-3-[對-(二乙胺基)苯乙烯基][對-(二乙胺基)苯基] 吡唑啉(PPR或DEASP)、ι,2-反式-雙(9H-咔唑-9-基)環丁 燒(DCZB)、N,N,N’,N,-肆(4·甲基苯基)_(1,厂-聯苯基)-4,4,-二胺(TTB)及紫菜酸化合物如酞花氰銅。 慣用之孔洞傳遞聚合物為聚乙婦咔唑、(苯基甲基)聚矽 烷、聚苯胺、聚(3,4-伸乙二氧基噻吩)(,,!>£〇0丁”)及其捧 雜態。亦可藉由將孔洞傳遞分子如上述者摻雜入聚合物如 聚苯乙烯及聚碳酸酯中而獲得孔洞傳遞聚合物β 層(6 0)之小分子孔洞傳遞材料可使用上述塗佈技術自 落液施加至陽極層(5 0)上,或可藉蒸汽沉積技術沉積。該 聚合孔洞傳遞材料一般藉塗佈技術施加。孔洞傳遞層(6〇) 厚度在約1〇0至5〇⑽埃之範圍。 另一視情況層為電予傳遞層(80),位在有機發光材料及 陰極之間。電子傳遞材料可促進電子傳遞及/或發光材料 與陰極之間隙相符。 電子傳遞層(80)足電子傳遞材料實例包含金屬螯合之 類氧化物材料如叁(8-喳啉酮基_Νι〇8)鋁(AU3);繞菲啉為 主之化合物如2,9-二甲基-4,7_二苯基βΐ,ι〇•繞菲啉 (DDPA)或4,7-一苯基-no·繞菲啉(DpA)及唑化合物如 2- (4-聯苯基)-5-(4-第三丁基苯基w,3,4•噚二唑(ρΒ〇)及 3- (4-聯苯基M -苯基1(4·第三丁基苯基卜i,2,4•三 -25- (22) (22)200414816
(TAZ)。Μ電荷注射層(80)兼具有作為促進電子傳遞之功 能且亦可作為緩衝層或限制層以避免在層介面間激發之 捕捉。較好此層可促進電子移動且降低激發捕捉。 該電子傳遞層(80)可使用上述孔洞傳遞層(6〇)所述之 相同技術施加。電子傳遞層(80)厚度一般自約1〇〇至5〇〇〇 埃之範圍β 實例 下列實例說明本發明某些特徵及優點。其欲說明本發明 而非限制。所有百分比為重量計,除非另有說明β 實例1 使適當調配物藉狹缝模嘴塗佈至供體基材上形成轉移 層而製得紅、藍及綠供體元件。各調配物包含彩色顏料及 分散劑([69]nBA/MA/AA(45.5/45.5/9)//g-MMA/MAA(28.75/71 ·25)[31]),其中 //g意指聚合物之主鏈以所示側鏈接枝,69 wt%在主鏈及 31 wt%在側鏈。基材為4密耳(1 00微米)Melinex® 573聚酉旨 薄膜(Ε·Ι· du Pont de Nemours公司,威明頓,DE),其已藉 Cr加熱層錢射至.50 %穿透度(真空沉機公司,Louisville, KY)。四種供體調配物列於表1。該等塗層重量產生約1微 米厚、約14亳克/dm2之薄膜。 200414816 (23) 表1 材料 紅色溶 液 綠色溶 液 藍色溶 液 %重量 固成分(克) %重量 固成分(克) %重量 固成分(克) PEG,3 00MW - 1.98% 0.148 - - SDA-4927 2.00% 0.150 1.48% 0.111 2.00% 0.150 Z ony 1 F S A 0.50% 0.038 1.25% 0.094 0.50% 0.038 紅色, 60.06% 30.030 - - - - P:D = 2 綠色, 59.25% 29.626 P:D = 8 藍色, 60.00% 30.000 P:D = 4 黏合劑1 3.70% 0.841 5.41% 1.230 7.50% 1.705 黏合劑2 33.74% 7.668 30.63% 6.962 30.00% 6.818 水 - 11.274 - 11.830 - 11.290 總固成分% 100% 15.00% 50.00 克 100% 15.00% 50.00 100% 15.00% 50.00 黏合劑 1=MMA/BA/MAA/GMA/Sty(5:80:3:2:10) 黏合劑 2 = MMA/MAA/GMA/Sty(45/3/2/5 0) 紅色=講自Ciba之Cromophthal紅色3B之水性分散液,藍色 =購自C i b a之I r g a 1 i t e藍色G L 0之水性分散液,綠色= 購自Ciba之Irgalite綠色6G之水性分散液 PEG-300 =聚乙二醇,MW = 300 SDA-4927 =近-IR染料,CAS#1 624 1 1 -28-l,1H-苯并[e]w 哚啉鹽'2-[2-[2-氯-3-[[1,3-二氫-1,1-二甲基-3-(4-磺基丁 基)-2H-苯并[e]啕哚-2-亞基]亞乙基]-1-環己烯·1-基]乙埽 基]-1,1-二曱基-3-(4-磺基丁基)-,内鹽(9CI) P:D =顏料對分散劑之比例 -27- 200414816
(24) A A =丙晞酸 nB A=丙烯酸正丁酯 G M A ==甲基丙烯酸縮水甘油酯 MAA=甲基丙烯酸 MMA=甲基丙婦酿甲酯 使用(ironar⑧聚酯之擔體製備接受體元件及以乙烯-乙 酸乙晞酯共聚物之緩衝/釋離層及包括黏合劑1 :黏合劑2 為7 0 : 3 0重量比之乳膠摻合物之影像接受層所塗佈。該影 像接受層約1微參厚,塗層重量約13亳克/dm2。 三種供體色彩及接受體負載至購自Creo-Scitex公司 (Vancouver > 加拿大)之 CREO 3244 Spectrum Trendsetter 曝光單元之自動負載機中。 該組裝經供體元件之聚酯主體擔體曝光,圖案包括對應 於所需圖案之1 /4吋之平行線。該紅色供體首先顯影,接 著藍色接著為綠色。所有薄膜之負載及解負載係自動處理 β紅色在400 mJ/cm2曝光,藍色在450 mJ/cm2曝光及綠色 在350mJ/cm2曝光。最終影像為紅色、綠色及藍色線之重 複圖案,各為1/4吋寬。 彩色過濾器之玻璃基材係由2 ”平方之玻璃所製備 (Corning 1 737°F )。玻璃藉肥4及水洗滌,接著以去離子 水洗務,接著以異丙醇洗條,接著以去離子水洗務,接著 以氮氣乾燥。自1^]^八/:8八/1^八八/〇]^八(3 3 /5 5 / 1 〇/2)之乳膠 聚合物、0.1% Zonyl® FSA及6%丁基溶纖素於水中以5〇/〇 聚合物固成分製備。溶液旋轉塗佈至玻璃上,乾燥厚度約 -28· 200414816 (25) 0.1微米。 接受體元件上之彩色圖案接著使用Tetrahedron加壓層 壓器(丁etrahedron公司,聖地牙哥CA)層壓至破璃上。由 下至上,由1 /1 6 ”不銹鋼板、鐵氟隆⑧氟聚合物片、纖維強 化橡膠片、玻璃基材、具彩色圖案之接受體元件製備夾層 物,使得該彩色圖案相鄰坡璃基材之黏著層、纖維強化橡 膠片、鐵氣隆②氣水合物片、及不鐵鋼板。該爽層物至入 層壓器中,其預熱至175°F(85°C)。層壓器接著經歷1000 磅力之3次碰撞#環,接著在1 0,000磅力之固定循環歷時3 分鐘接著該力降至零。夾層物自層壓器中移開,及自該夾 層物分離該玻璃/彩色過濾器組裝。雖然該組裝仍然熱, 但自接受體元件剝除Cronar®擔體《該Elvax®緩衝層以擔 體移除,與其一起移除該Elvax®層。該影像接受層與彩 色過濾器圖案留在玻璃基材上,形成彩色過濾器元件。 if而化層 首先藉分別使MMA/BA/MAA/GMA/苯乙烯(5 :80:3 :2:1〇)之 水性乳膠塗佈在Melinex® 5 7 3聚酯之擔體片上成約5微米 乾厚而形成平面化層。此接著使用該Tetrahedron層壓器 層壓至該彩色過濾器元件。架構由下至上由1/16"不鏢鋼 板、鐵氟隆®片、纖維強化橡膠片、實例2之彩色過遽器 元件、平面化薄膜所構成之夾層物,使得該乳膠塗層相鄰 該玻璃基材上之彩色過濾器圖案、纖維強化橡膠片、鐵氟 隆⑧片、及不銹鋼板。該夾層物至入層壓器中,其預熱至 265下(13 5°C )。層壓器接著經歷1 000磅力之3次碰撞循環 -29- 200414816 (26) 分 物 層 夾 3 時該 歷自 環及 循, 定開 固移 之中 力器 碎壓 ο 層 o’ 自 10物 在層 著夾 接 。 , 零 著 接 鐘 分 至 降 力 該 璃 玻 該 裝彩 組化 器面 、 滤平以 過生1/ 色產烤 彩,烘 該 時 觀 中 背箱 酯烘 聚。C 除50剥7 接著 T接 溫器 室濾 至過 卻該 冷 。 裝器 組㈣膠 色乳 使 聯 交 極 陽 - 層 點 觸 電 - 第 以 洗 清 醇 丙 異 以 器 濾 過 色 彩 化 面 平 該 後 驟 步 化 面 平 燥 乾 中 流 氣To 氣(I 之物 和化‘ 中氧 在錫層 及銦射 洗著注 清接洞 水 孔 度 厚 至 積 沉 汽 蒸 以 層 埃 得自上述之ITO表面藉異丙醇及去離子水清洗,接著以 02電漿清潔劑處理2分鐘。 就孔洞注射層而言,使用3&}^1:〇11©?,聚(3,4-伸乙二氧 基嘧吩)(π P E D Ο Τ ’·)·之水溶液,總固體含量1 · 3重量0/〇,得 自拜耳(Leverkusen,德國Baytron® Ρ與聚苯乙烯續酸 (,,PSSA")之稀溶液混合,獲得2%固成分之溶液。使6〇克 Baytron⑧P、3.2克PSSA(30%水)及23.8克水混合製備87 克該溶液。 藉於氮氣中以20〇〇 RP Μ旋轉塗佈而在銦錫氧化物層上 塗佈該孔洞注射材料。乾燥塗層厚度約5 〇 〇埃β 發光層 製造超黃色發光劑(PDY 131)(購自 C〇vion公司 (Frankfurt,德國)之聚(經取代之伸苯基伸乙晞基))於甲苯 之0 · 6 5 w t %泛液。在氮氣中,此溶液旋轉塗佈在該孔洞注 -30- 200414816
(27) 射層中。該乾燥塗層厚度約1 ο 0 0埃。 第二電觸點層-陰極 就陰極而言,在1χ1(Γό托耳真空度下在發光層上端蒸汽 沉積Yb層。Yb層最終厚度約1 5 00埃。 接著於氮氣中測試該裝置。打開電壓約3 V。光相當亮 且色彩易見且易分辨。CIE座標示於下表2。 表2 色彩 CIE座標 X Y 紅色 0.5603 0.4295 綠色 0.2670 0.6816 藍色 0.1274 0.6801 圖式簡單說明 圖1為本發明發光裝置之概視圖。 圖2為包括供體元件及接受體元件而用於本發明方法之 组裝概視圖。 圖3說明圖2之接受體元件曝光及與供體元件分離後之 接受體元件,其中包括永久基材如玻璃之該接受體元件包 括依據本發明自供體元件之轉移層轉移過來之彩色影像 圖案層。 圖4說明圖2之接受體元件曝光及與供體元件分離後之 接受體元件,其中該接受體元件包括依據本發明自供體元 件之轉移層轉移過來之彩色影像圖案層且著色劑之圖案 層轉化至永久接受體上。 -31 - 200414816 (28) 圖式代表符號說明 10 供 體 元 件 12 轉 移 層 12f 彩 色 過 滤 器 圖 案 14 主 體 擔 體 16 加 熱 層 20 接 受 體 元 件 22,24,3 0 基 材 25 組 裝. 26 釋 離 層 32 主 體 元 件 34 黏 著 塗 層 35 彩 色 過 遽 器 元 件 40 平 面 化 層 50 陽 極 60 孔 洞 注 射 層 70 電 發 光 層 80 電 子 傳 遞 層 90 陰 極 100 裝 置
-32-
Claims (1)
- 200414816 拾、申請專利範圍 1. 一種形成多色顯示器之方法,包括: 選擇性使組裝暴露至熱中,該組裝包括供體元件及 受體元件,該供體元件包括在主體擔體上之轉移層, 其中該轉移層包括至少一種黏合劑及第一著色劑,及 該受體元件包括擔體及影像接受層,因而轉移層部分 轉移而在該受體元件之影像接受層上形成所需圖案層; 施加透明第一電觸點層; 施加有機發光材料層;及 施加第二電觸點層。 2 ·如申請專利範圍第1項之方法,其中該方法進一步包括 對影像接受層上之圖案層施加平面化層。 3 ·如申請專利範圍第1項之方法,其中該透明第一電觸點 層係施加至影像接受層之圖案層上,該有機發光材料 施加至第一電觸點層上及第二電觸點施加至第一電觸 點層上。 4 ·如申請專利範圍第2項之方法,其中平面化層係施加至 影像接受層之圖案層上,該透明第一電觸點層施加至 該平面化層上,該有機發光材料施加至第一電觸點層 上及第二電觸點施加至第一電觸點層上。 5 ·如申請專利範圍第1項之方法,其中該受體擔體為二維 安定之透明材料。 6.如申請專利範圍第5項之方法,其中該受體擔體為玻 200414816璃。 7.如申請專利範圍第1、2、3或4項之方法,進一步包括 自受體元件之圖案層轉移至永久基材上,產生圖案化 層夾在該影像接受層及永久基材之間。 8 ·如申請專利範圍第7項之方法,其中移除該受體擔體。 9 .如申請專利範圍第7項之方法,其中永久基材為二維安 定之透明材料。 1 0 ·如申請專利範圍第9項之方法,其中該二維安定之透明 材料為玻璃。. 1 1 .如申請專利範圍第1、2、3或4項之方法,其中該黏合 劑為可交聯聚合物。 1 2.如申請專利範圍第1、2、3或4項之方法,其中黏合劑 包括第一黏合劑及第二黏合劑,其中第一黏合劑之T g 比第二黏合劑之Tg高至少1 0 °C。 1 3 ·如申請專利範圍第1、2、3或4項之方法,其中該供體 元件進一步包括加熱層。 1 4 ·如申請專利範圍第1、2、3或4項之方法,其中該轉移 層進一步包括熱放大添加劑。 1 5 .如申請專利範圍第1、2、3或4項之方法,其中著色劑 為顏料分散液^ 1 6.如申請專利範圍第1、2、3或4項之方法,其中黏合劑 係選自丙晞酸酯均聚物、丙烯酸酯共聚物、甲基丙烯 酸酯均聚物、甲基丙基酸酯共聚物、甲基丙烯酸酯嵌 段共聚物及其與其他輔單體之共聚物所成之組群。 2004148161 7 ·如申請專利範圍第1 6項之方法,其中該其他單體為苯 乙晞。 1 8 ·如申請專利範圍第2或4項之方法,其中該平面化層係 選自甲基丙晞酸甲酯、甲基丙烯酸丁酯、甲基丙烯酸 及甲基丙烯酸縮水甘油酯所成之組群。 1 9 ·如申請專利範圍第1、2、3或4項之方法,其中第一電 觸點層為選自鋁、銀、鉑、金、鈀、鎢、銦、銅、鐵 、鎳、鋅、鉛;其合金;摻雜之無機半導體;第2、3 及4族之金屬·氧化物及第2、3及4族之之混合金屬氧化 物0 20·如申請專利範圍第1、2、3或4項之方法,其中該發光 材料為有機電發光材料。 2 1 ·如申請專利範圍第2 0項之方法,其中該發光材料係選 自蒽、莕、菲、嵌二莕、苯并菲、二莕嵌苯、丁二烯 、香豆素衍生物、吖丁啶、二苯乙烯、金屬螯合之類 氧化物化合物及半導體共軛之聚合物。 22·如申請專利範圍第1、2、3或4項之方法,其中該第二 電觸點層為選自第1族之鹼金屬、第2族(鹼土)金屬、 鑭系及婀系所成組群之陰極。 23 ·如申請專利範圍第1、2、3或4項之方法,進一步包括 在第一電觸點層及有機發光材料層之間之電荷傳遞層。 24.如申請專利範圍第23項之方法,其中電荷傳遞層包括 Ν,>Γ·二苯基-N,Nf-雙(3-甲基苯基)-[1,Γ -聯苯基 ]-4,4f-二胺、1,1-雙[(二-4-甲苯基胺基)苯基]環己烷、 200414816N,Nf-雙(4-甲基苯基)-N,N’-雙(4_乙基苯基 )-[1,Γ-(3,3’-二甲基)聯苯基]-4,4、二胺、肆- (3-甲基苯 基)->^3,^^,>^-2,5-伸苯基二胺、3-苯基-4-1>^二苯基 胺基苯乙晞、對-(二乙胺基)苯甲醛二苯基腙、三苯基 胺、雙[4-(Ν,Ν-二乙基胺基)-2 -甲基苯基](4 -甲基苯基) 甲烷、1-苯基-3-[對-(二乙胺基)苯乙婦基]-5-[對-(二乙 胺基)苯基]吡唑啉、1,2-反式-雙(9H-咔唑-9-基)環丁烷 (DCZB)、N,N,N,,N丨-肆(4-甲基苯基)-(1,1丨-聯苯基)-4,4丨-二胺及紫菜酸化合物所成組群之孔洞傳遞分子。 2 5 ·如申請專利範圍第2 3項之方法,其中電荷傳遞層包括 導電有機聚合物。 26.如申請專利範圍第25項之方法,其中該導電有機聚合 物為予聚苯乙婦磺酸摻合之聚苯胺或聚嘍吩。 2 7.如申請專利範圍第1、2、3或4項之方法,又包括在有 機發光材料及陰極之間之電子傳遞層。 2 8 ·如申請專利範圍第2 7項之方法,其中該電子傳遞層係 選自金屬螯合之類氧化物化合物;繞菲啉為主之化合 物及唑化合物。 29. —種形成多色顯示器之方法,依序包括: 選擇性使組裝暴露至熱中,該組裝包括供體元件及 受體元件,該供體元件包括在主體擔體上之轉移層, 其中該轉移層包括至少一種黏合劑及第一著色劑,及 該受體元件包括擔體及影像接受層,因而轉移層部分 轉移而在該受體元件之該影像接受層上形成所需圖案 200414816 層; 施加透明第一電觸點層; 施加有機發光材料層;及 施加第二電觸點層。 3 0 . —種形成多色顯示器之方法,依序包括: 選擇性使組裝暴露至熱中,該組裝包括供體元件及 受體元件,該供體元件包括在主體擔體上之轉移層, 其中該轉移層包括至少一種黏合劑及第一著色劑,及 該受體元件包括擔體及影像接受層,因而轉移層部分 轉移而在該受體元件之該影像接受層上形成所需圖案 層; 施加平面化層; 施加透明第一電觸點層; 施加有機發光材料層;及 施加第二電觸點層。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US34964002P | 2002-01-18 | 2002-01-18 | |
| US10/346,314 US20030180447A1 (en) | 2002-01-18 | 2003-01-17 | Process for forming a multicolor display |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| TW200414816A true TW200414816A (en) | 2004-08-01 |
Family
ID=23373321
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| TW092104524A TW200414816A (en) | 2002-01-18 | 2003-03-04 | Process for forming a multicolor display |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US20030180447A1 (zh) |
| EP (1) | EP1329955A3 (zh) |
| JP (1) | JP2003243167A (zh) |
| KR (1) | KR20030063200A (zh) |
| TW (1) | TW200414816A (zh) |
Families Citing this family (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100623694B1 (ko) | 2004-08-30 | 2006-09-19 | 삼성에스디아이 주식회사 | 레이저 전사용 도너 기판 및 그 기판을 사용하여 제조되는유기 전계 발광 소자의 제조 방법 |
| KR100611767B1 (ko) | 2004-08-30 | 2006-08-10 | 삼성에스디아이 주식회사 | 레이저 전사용 도너 기판 및 그 필름을 사용하여 제조되는유기 전계 발광 소자의 제조 방법 |
| US9530968B2 (en) * | 2005-02-15 | 2016-12-27 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting element and light emitting device |
| KR100761124B1 (ko) * | 2006-01-17 | 2007-09-21 | 엘지전자 주식회사 | 전계 발광 소자 |
| US8388790B2 (en) | 2006-07-21 | 2013-03-05 | Leonhard Kurz Stiftung & Co. Kg | Multilayered body comprising an electroconductive polymer layer and method for the production thereof |
| DE102008011185A1 (de) * | 2008-02-27 | 2009-09-03 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Verfahren zur Herstellung einer dotierten organischen halbleitenden Schicht |
| CN102453233B (zh) * | 2010-10-28 | 2013-10-02 | 海洋王照明科技股份有限公司 | 含金属卟啉-三苯胺有机半导体材料及其制备方法和应用 |
| CN102453234B (zh) * | 2010-10-28 | 2013-11-27 | 海洋王照明科技股份有限公司 | 金属卟啉-噻吩并噻二唑有机半导体材料及其制备方法和应用 |
| CN102453232B (zh) * | 2010-10-28 | 2013-11-27 | 海洋王照明科技股份有限公司 | 金属卟啉-吡咯并吡咯有机半导体材料及其制备方法和应用 |
| US9034674B2 (en) | 2011-08-08 | 2015-05-19 | Quarkstar Llc | Method and apparatus for coupling light-emitting elements with light-converting material |
| WO2013085731A2 (en) * | 2011-12-06 | 2013-06-13 | Cooledge Lighting, Inc. | Formation of uniform phosphor regions for broad-area lighting systems |
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-
2003
- 2003-01-17 EP EP03250291A patent/EP1329955A3/en not_active Withdrawn
- 2003-01-17 US US10/346,314 patent/US20030180447A1/en not_active Abandoned
- 2003-01-18 KR KR10-2003-0003509A patent/KR20030063200A/ko not_active Withdrawn
- 2003-01-20 JP JP2003011311A patent/JP2003243167A/ja active Pending
- 2003-03-04 TW TW092104524A patent/TW200414816A/zh unknown
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US20030180447A1 (en) | 2003-09-25 |
| EP1329955A3 (en) | 2006-06-14 |
| KR20030063200A (ko) | 2003-07-28 |
| EP1329955A2 (en) | 2003-07-23 |
| JP2003243167A (ja) | 2003-08-29 |
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