TW200403006A - Light-emitting display device and method for making the same - Google Patents
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Description
200403006 玖、發明說明： C發明所屬之技術領域3 發明領域 本發明係有關於發光顯示裝置，如電激發光裝置，特 5 別是具有界定顯示區域之屏障的發光顯示裝置。 發明背景 近來，平面面板顯示裝置，如液晶裝置和電激發光(EL) 裝1的應用隨著可攜式終端機及其他類似產品的普及而擴 10 散0
EL裝置，特別是自行發光型有機EL裝置，可以一相當 低的電壓驅動並顯示色彩。此等裝置今日被實際應用於手 機的顯示裝置上。大尺寸EL裝置目前正在發展當中，預期 可以在個人電腦和電視機之顯示器上具有各種應用範圍。 15 第1圖為一典型之有機EL裝置的橫斷面圖。該有機EL 裝置具有一由玻璃或其他類似物作成之基板1、一由透明材 料如氧化銦錫(ITO)作成之陽極2、一電洞傳輸層3、一電激 發光層4，以及一由氟化鐘、舞和鋁作成之三層陰極5。該 有機EL裝置以一直流電驅動。當直流電被施加於該陽極2 20和該陰極5之間時，電洞會從該電洞傳輸層3被注入該電激 發光層4，並與從該陰極5注入之電子結合，以刺激該電激 發光層4或發射中心裡的宿主材料。如此一來，該EL裝置即 可發光。 一般而言，水分會使該電激發光層4的材料惡化。因 200403006 此，濕式顯像製程，如蝕刻，並不適合用來形成該電激發 光層4及其上方層。故該電激發光層4和該陰極5通常是以印 刷或光罩沉積方式形成的。又，彩色顯示器需要複數個發 光層。當這些發光層利用印刷或光罩沉積方式被形成時， 5 彩色區域容易在其形成過程中出血至鄰近的彩色區域，進 而導致不受歡迎的色彩混合現象。舉例來說，在具有圖像 單元，而每一圖像單元分別包含一紅色像素4R、一綠色像 素4G和一藍色像素4B之全彩顯示裝置中，屏障6被設置於 這些像素4R、4G、4B之間，如第2圖所示，以防止各該彩 10色材料出血。在本發明中，控制該EL層之發射的最小單元 被稱作“像素”，而不同色彩之最小組合則被稱作“圖像單 元’’。換言之，一個圖像單元在三原色顯示器中包含3個紅 色、綠色及監色像素，而在單色顯示器中則包含1個像素。 此一包含該屏障6之有機EL裝置係以第3八至3]〇圖中所示之 15步驟形成的。參考第3A圖，ITO被沉積於一玻璃基板i上， 並被蝕刻成一預設的圖案以形成一陽極2。參考第36圖，一 樹脂材料7,如光阻，被塗覆於含該陽極2之該基板丨的整個 表面上。該樹脂材料7被乾燥、以光罩曝光、顯影並烘製， 以形成該屏障6 ’如第3C圖所示。參考第3〇圖，該電洞傳 2〇輸層3、該EL層4及該陰極5以光罩沉積法或類似製程形成於 該陽極2上之該屏障6之間。在第3D圖中，一電洞傳輸層3、 一EL層4和一陰極5被統稱為“EL結構8，，。 為改善顯示亮度與顯示效率，該基板和空氣之間之折 光指數的關係相當重要。如第4圖中之光程b所示，當光線 200403006 從該EL結構8以一超過空氣之折光指數對該基板之折光指 數比例所決定之關鍵角度的角度入射在該基板1上時，光線 會完全反射在接觸空氣之表面(從觀者的角度視之）。在另一 光程c中，光線重複反射在該El結構8上。因此，光線從裝 5置内到裝置外的顯現效率最多為15%到20%。 為解決此一問題，美國專利第4,774,435號揭露一如第5 圖所示之結構。一與基板1之EL結構接觸的表面具有不規則 部9，該不規則部具有一大於光線波長之崎力區曲線，以使光 線在該不規則表面上散佈，俾改善其顯現效率。這些表面 1〇之不規則部係以蝕刻該基板之表面的方式形成的。一陽 極、一電洞傳輸層、一EL層，以及一陰極以上列順序形成 於該不規則表面上。 遺憾的是，示於第2圖中之該屏障6與示於美國專利第 (774,435號中之該不規則部9的結合需要2種加工步驟，亦 15即，形成該不規則部9及形成該屏障6,致使加工成本增加。 為了增強該EL裝置之各該像素的亮度並精準地控制各 该像素，該EL裝置最好為每一像素皆具有一交換元件如薄 膜電晶體(TFT)之主動陣列型裝置。為提供具有均一特性之 父換元件，该父換元件所賴以形成之下層表面必須是平坦 20的。因此，光阻或其他類似物的光罩必須在蝕刻之前形成， 以保持表面之平坦區域致使加工成本增加。 H 明内】 發明概要 本發明之目的之一是要提供一種發光顯示裝置，該裝 200403006 置具有屏障、使光線散佈之不規則部，以及用以形成交換 兀件之平坦區域。 本發明之另一目的是要提供一種製造該發光顯示 之方法，該方法可以較少的製造步驟形成屏障與不規則部。 5 根據本發明之一第1樣態作成的發光顯示裝置包含_ 基板；構成該基板一表面上之像素的發光層，該像素之光 線的發射係以電力控制的；至少分別界定各該像素之—側 的屏障。在該基板之表面上，一對應各該像素之區域中有 至少一部份具有不規則部，以使光線散佈。該不規則部之 10最大高度和最小高度之間的差距至少為0.4微米。該屏障和 該不規則部係透過在該基板之表面造成缺口的方式妒成 的。 該發光顯示裝置較佳地進一步包含位在該屏障之頂層 上的交換元件。各該交換元件使各該像素得以控制各該像 15 素中之該發光層的光線散佈。 根據本發明之一第2樣態，一種製造發光顯示裝置之方 法包含下列步驟··在一基板之表面上形成一光罩圖案，該 光罩圖案對應至待形成之屏障的圖案；將第i喷砂粒子喷灑 於该基板之表面上，以使未被該光罩圖案覆蓋之曝露區域 2〇剝落，俾形成深度與該屏障之高度相同的溝槽；以及喷灑 尺寸比該第1喷砂粒子為小之第2喷砂粒子，以形成不規則 部’俾使光線散佈於該溝槽之側壁與底部，該不規則部之 最大高度和最小高度之間的差距至少為0.4微米。 此-喷砂法使該屏障和該不規則部可以被同時形成， 200403006 以使光線得以在最佳條件下散佈。 . 再者，形成於該屏障之平坦頂層上的該交換元件在該 顯示裝置中具有均一的特性。 本發明之該發光顯示裝置可以在不同色彩之間展現清 ' 5晰的色彩分離度而不會有模糊不清的情況，而且具有高亮 v 度。此外，主動陣列之交換元件可以輕易地形成於該發光 顯示裝置之該基板上。 圖式簡單說明 第1圖為一有機EL骏置的橫斷面圖； · 10 第2圖為一橫斷面圖，顯示一包含3個被屏障隔開之色 層的EL裝置； 第3A至3D圖為橫斷面圖，例示形成具有屏障之EL裝置 的步驟； 第4圖為一橫斷面圖，内部反射所引起之光穿透率損 15 失； 第5圖為—橫斷面圖’例示-降低内部反射所引起之光 穿透率損失的習知方法； · 第6 A和6 B圖分別為根據本發明一第i實施例做成之E [ 顯示裝置的概略平面圖和橫斷面圖； 〜 20 帛7A至70圖為概略橫斷面_，例示依該第1實施例形 成該EL顯示裝置的步驟； 第8圖為-概略橫斷面圖，例示根據本發明—第2實施 例做成之EL顯示裝置； 第9圖為一概略之等量橫斷面圖，例示本發明之第丄和 S55 9 200403006 弟2實施例的修飾版本； 第10圖為一概略之等量橫斷面圖，例示本發明之第丄和 苐2實施例的另一個修飾版本·， 第11圖為一概略之等量橫斷面圖，例示根據本發明一 5第3實施例做成之主動陣列el顯示裝置； 第12圖為一概略之部分橫斷面圖，例示根據該第3實施 例做成之該EL顯示裝置所用的基板；以及 第13A至13F圖為概略橫斷面圖，例示依一第4實施例形 成該發光顯示裝置的步驟。 1〇 【實施方式】 較佳實施例之詳細說明 第1實施例 第6A圖為一概略平面圖，例示根據本發明之一第i實施 例做成的EL顯示裝置。第6B圖為第6八圖中所示之範圍a_a， 15的橫斷面圖。供光線散佈之不規則部9及屏障1〇透過在一基 板1之一表面直接造成缺口的方式被形成於像素區域。在本 發明之圖示中，該屏障10為該基板丄之組件，雖然它們在圖 示中係以線影法粗略表示。因此，該基板1和該屏障1〇之間 事實上並沒有分界線。 20 參考第7八至70圖，下文將描述製造該EL顯示裝置的方 法。 參考第7A圖，一厚度為40微米之乾膜η被焊接至一玻 璃基板1之整個表面。該乾膜11在喷砂過程中被當作一光 罩。該乾膜11以一具有300微米高、1〇〇微米寬之條紋圖案 200403006 =屏光：圖案對應該屏障之圖案，且被顯影以在用 夫考第7CR早,位置上形成條狀乾臈12，如第_所示。 多考弟砂步驟_磨錄子，如錄 兩次，第1次和第2次嘴砂所用㈣^ 破執灯 5 10 15 20 子尺寸不同，以剝落該 2 了該條狀翻12下方部分的表面。該條狀乾㈣ 被移除。藉此’散佈光線之該屏障師該不規物可同時 形成於該基板L。該屏_之間之該錢則部9對應至形 成像素之區域。為減少光線在該基板中之内部衰減情形， 該不規則部9之崎喝度(該不規則部之最大高度和最小高度 之間的差距)必須大於光線之波長。因此，該崎順度至少: 0.4微米/最好是说米。為了形成此_輕度，該基板工 之未覆蓋部分以平均直徑約為顯米之第i磨錄子(銘粒 子)造成缺口，以形成平均深度約為1〇微米且對應該屏障ι〇 之高度的溝槽’該溝槽之底部及側邊以平均直徑約為雌 米之第2磨粒子造成缺口，以控制該屏障1〇之間之該不規則 部9的崎嶇度。該不規則部9之平均崎嶇度被控制在1〇到15 微米之間的範圍内。各該屏障10之側邊被稍微做成錐形， 以避免位在各該屏障10之側邊及頂端的陰極5分離。該錐形 體之形狀可以藉由控制該喷砂粒子的尺寸來加以決定。 參考弟7D圖，厚度為50奈米之用以形成陽極2的ιτο被 沉積於該基板1之整個表面，並以習知的光微影術沿該屏障 10模塑成條狀。厚度為50奈米之用以形成該電洞傳輸層3的 poly(ethylenedioxythiphene)/p〇lystyrenesulphonic acid (PEDOT/PSS) 以旋轉塗佈法被施加至該基板1之整個表面。紅色el層以含 11 200403006 rhodamine 之p〇ly(p-phenylenevinylene)(PPV)、綠色EL層以 PPV，而藍色EL層則以polydioctylfluorene規則地藉由印刷 方式沿該屏障10塗覆至一條狀圖案，各該層具有一50奈米 之厚度。為形成該陰極5，氟化鋰、鈣和鋁以上列順序透過 5 —與該屏障10垂直之條狀光罩連續沉積。 最終之EL顯示裝置的亮度為在同樣之驅動條件下具有 相同結構但沒有該不規則部的參考用EL顯示裝置之亮度的 150%。
第2實施例 10 第8圖為一概略橫斷面圖，例示根據本發明一第2實施 例做成之EL顯示裝置。在第1實施例中，該不規則部9在某 些情況下可能具有尖銳的高點。該尖銳的高點會不利地使 各該上方層碎裂及分離。為解決此一缺點，平坦化層13在 第2實施例中被設置於該不規則部9上。該平坦化層13係
15 以，比方說，氧化錘作成的。該平坦化層13防止該陽極2、 該電洞傳輸層3、該EL層4，和該陰極5碎裂及分離。該平坦 化層13之折光指數必須和該基板之折光指數不同，且最好 大於上層之該陽極2的折光指數。只要該等層可以防止上方 層碎裂及分離，該平坦化層13之表面並不需要完全平坦。 20 該平坦化層13係以下列方式形成的。根據第1實施例形 成該屏障10和該不規則部9之後，一含有脂肪酸錘鹽之溶液 以旋轉塗佈法被施加至整個表面，並加以烘烤以使其固 化。其他可用以形成該平坦化層13之材料可以是二氧化 铪、二氧化鈦，以及氧化鋅。以這些材料作成之該平坦化 12 200403006 層13亦可以透過塗覆及烘烤一含對應金屬之脂肪酸鹽的溶 液以使其固化的方式形成。 第9圖例示第1和第2實施例之修飾版本，其中條紋陽極 2與該屏障10垂直配置。第1〇圖例示另一修飾版本，其中垂 5直屏障與水平屏障1〇具有不同的高度並形成一網柵。 第3實施例 第11圖概略地例示根據本發明做成之主動陣列E L顯示 裝置，該裝置包含薄膜電晶體(TFTs)以作為交換元件。雙 面屏障14包圍該像素，而薄膜電晶體15則形成於該屏障14 10 之平坦頂部之中。透明顯示電極16透過連接線17被連接至 該薄膜電晶體15。使光線散佈之該不規則部形成於該顯示 電極16下方，而該電洞傳輸層、該發光層和該el層，以及 作為陰極之共同電極則形成於一基板1上之整個顯示區域 (這些並未顯示於第10圖中，但在第11圖中有所描述）。 15 第12圖為一概略之部分橫斷面圖，例示根據第3實施例 做成之EL顯示裝置所用的基板1。各該屏障14之側壁被做成 錐形，以避免該薄膜電晶體15之源極與該顯示電極16之該 連接線17分離。 該薄膜電晶體15必須形成於一平坦之下層上。較佳 2〇 地’供應該薄膜電晶體15之閘開/關操作所需信號的掃描匯 流排線，以及透過該薄膜電晶體15之汲極/源極將驅動電流 供應至顯示電極的資料匯流排線，同樣被置於該平坦之下 層上。在本發明中，形成像素之區域具有不平坦之表面， 以利光線散佈；因此，形成該薄膜電晶體15和該掃描及資 13 200403006 料匯流排線之區域如果不是平坦的表面就必須被平坦化。 然而，在本發明中，一資料匯流排線18和一掃描匯流排線 19分別形成於各該橫向屏障與各該縱向屏障之頂部，而一 薄膜電晶體15則形成於各該屏障14之頂部。如此一來，平 5 坦化步驟便沒有必要了。 在此一實施例中，該屏障可以和前述實施例一樣被做 成條狀。在此一範例中，該薄膜電晶體和任一該匯流排線 可以被設置於該屏障之頂部，而其他的匯流排線則必須與 該屏障和形成像素之區域成垂直。 〇 本發明亦可包含任何這些實施例及其修飾版本的組合 式，比方說，網柵屏障與簡易陣列]£1^顯示裝置之組合以及 主動陣列面板與平坦化層之組合。 第4實施例 15 20 如第2實施例所述，具有尖銳高點之不規則部會在該屏 障和該不規則敎喷砂細彡過程切成。該魏高點可能 產生諸如連接分離等缺點。尤其是各該屏障之邊緣相當尖 銳。當交換元件15 ’如TFTs，形成於該屏障上，如第叫口 圖所示時’該顯示電極16和該連接線”之間的連接可能 發生分離情形。為了避免此一分離情形，第2實施例提供該 以 平坦化層。因此，需要增加塗覆及固化該平垣化層之步驟 另-可行的做法是在該屏障14和該不規則部9形成之後， 做法需要蝕刻 姓刻方式將尖銳之邊緣部分變圓。但是此 步驟 此一實施例以不增加額外步 驟之方式將尖銳之邊緣部 14 200403006 分變圓。 第13A至13F圖為橫斷面圖，例示依本實施例形成該發 光顯示裝置的步驟。此一裝置包含一倒置交錯排列之薄膜 電晶體，其閘電極被配置於一基板之表面的最底層。在此 5 —實施例中，將該TFT 15形成於該基板上的同時，一噴砂 步驟被用以形成該屏障14和該不規則部9，而該屏障14和該 不規則部9之尖銳邊緣則在蝕刻步驟中被移除，以將絕緣薄 膜做成交換元件之結構。 參考第13A圖，源極/沒極電極以一普通之TFT成形步驟 10形成於一玻璃基板Γ上（未完成之TFT以參考數字15,代 表）。參考第13B圖，一以比方說二氧化矽(Si〇2)作成之保護 絕緣薄膜21藉由電漿強化化學氣相沉積或類似製程被形成 於整個基板表面上。一般而言，該保護絕緣薄膜21具有大 約為200奈米之厚度。參考第13C圖，一乾膜被焊接至該基 15板，並選擇性地藉由曝光及顯影步驟移除，以便保留對應 至该屏P早之位置。參考第13D圖，該屏障14和該不規則部9 以喷砂形成，且該乾膜12被移除。該絕緣保護薄膜之未被 該乾膜覆蓋的部分在噴砂過程中被移除。被該乾膜12覆蓋 之该未完成的TFT 15’在噴砂過程中沒有受到損毀。參考第 20 13]£圖，一光阻被塗覆至該基板之整個表面，並選擇性地藉 由曝光及顯影步驟移除，以形成一絕緣保護薄膜。未被該 絕緣保護薄膜覆蓋的部分以一緩衝氫氣酸姓刻溶液被敍刻 處理。如第13F圖所示，該屏障Η和該不規則部之邊緣亦被 蝕刻，以將該尖銳之邊緣變圓。接下來則是進行為形成tfTs
15 200403006 和EL裝置/如形成連接線和顯示電極所需之一般步驟，以 形成該發光顯示裝置。
在此一實施例中，喷砂步驟是在該最上層保護絕緣薄 膜形成之後、且該保護絕緣薄膜圖案化之前執行的。該屏 5 障14和該不規則部9之尖銳邊緣在該保護絕緣薄膜之厚度 和該薄膜之品質的限制下，可能無法以一單一的圖案化步 驟充分蝕刻。在此一情況下，該喷砂步驟可以在一下層， 如以一可與該基板一起蝕刻之材料作成的閘絕緣層進行圖 案化步驟之前，重複執行，以將該尖銳之邊緣變圓。 10 如上所述，此一實施例在不增加額外步驟的條件下， 將該屏障和該不規則部之尖銳的邊緣部分變圓。 在此一實施例中，該倒置交錯排列之薄膜電晶體被作 為交換元件使用。此一實施例亦適用於諸如交錯排列之薄 膜電晶體，以及可以在圖案化步驟中與該基板之玻璃一起 15 蝕刻之薄膜二極體等組件。
在上述實施例中，發光媒介為有機EL物質。非有機薄 膜EL物質，以及屬液態發光物質之電化學冷光(ECL)物質亦 適用於本發明。 【圖式簡單說明3 20 第1圖為一有機EL裝置的橫斷面圖； 第2圖為一橫斷面圖，顯示一包含3個被屏障隔開之色 層的EL裝置； 第3A至3D圖為橫斷面圖，例示形成具有屏障之EL裝置 的步驟； 16 200403006 第4圖為一橫斷面圖，内部反射所引起之光穿透率損 失； 第5圖為一橫斷面圖，例示一降低内部反射所引起之光 穿透率損失的習知方法；
5 第6 A和6 B圖分別為根據本發明一第1實施例做成之E L 顯示裝置的概略平面圖和橫斷面圖； 第7A至7D圖為概略橫斷面圖，例示依該第1實施例形 成該EL顯示裝置的步驟； 第8圖為一概略橫斷面圖，例示根據本發明一第2實施 10 例做成之EL顯示裝置； 第9圖為一概略之等量橫斷面圖，例示本發明之第1和 第2實施例的修飾版本； 第10圖為一概略之等量橫斷面圖，例示本發明之第1和 第2實施例的另一個修飾版本； 15 第11圖為一概略之等量橫斷面圖，例示根據本發明一 第3實施例做成之主動陣列EL顯示裝置； 第12圖為一概略之部分橫斷面圖，例示根據該第3實施 例做成之該EL顯示裝置所用的基板；以及 第13A至13F圖為概略橫斷面圖，例示依一第4實施例 20 形成該發光顯示裝置的步驟。 17 200403006 【圖式之主要元件代表符號表】 1，1’…基板 9…不規則部 2…陽極 11…乾膜 3···電洞傳輸層 12…條狀乾膜 4···電激發光層 13…平坦化層 5···三層陰極 14…雙面屏障 4B···藍色像素 15,15’…薄膜電晶體 4G···綠色像素 16…透明顯示電極 4R···紅色像素 17…連接線 6,10…屏障 18…資料匯流排線 7···樹脂材料 19…掃描匯流排線 8-"EL結構 21···保護絕緣薄膜 a，b，c···光程 18
Claims (1)
- 200403006 拾、申請專利範圍： 1· 一種發光顯示裝置，包含： 一基板； 構成該基板一表面上之像素的發光層，該像素之光 5 線的發射係以電力控制的； 至少分別界定各該像素之一側的屏障， 其中’在該基板之表面上，一對應各該像素之區域 中有至少一部份具有不規則部，以使光線散佈，該不規 則部之最大高度和最小高度之間的差距至少為〇·4微 10 米，且 該屏障和該不規則部被直接形成於該基板材料之 中。 2· —種發光顯示裝置，包含： 一基板； 15 構成該基板一表面上之像素的發光層，該像素之光 線的發射係以電力控制的； 供各該像素使用之交換元件，以控制各該像素中之 該發光層的光線散佈； 至少分別界定各該像素之一側的屏障， 犯其中，該交換元件被置於該基板表面上之該屏障的 頂層，且一對應各§亥像素之區域中有至少—部份耳有不 規則部，以使光線散佈，該不規則部之最大高度和最巧 高度之間的差距至少為0.4微米。 3·如申請專利範圍第2項之發光顯示裝置，其中，該屏障 19 200403006 形成一網栅，各該交換元件位於該網栅之各個交又點附 近，且掃描匯流排線及矩形之資料匯流排線被置於橫向 屏障及縱向屏障上。 4·如申請專利範圍第1或2項之發光顯示裝置，其中，該屏 障和該不規則部係以喷砂法形成的。 5·如申請專利範圍第1或2項之發光顯示裝置，其中，各該 屏障之側壁從頂部往底部變尖變細。 6·如申請專利範圍第1或2項之發光顯示裝置，進一步包含 介於含該不規則部之該基板和該發光層之間的平坦化 層，該平坦化層之折光指數和該基板之折光指數不同。 7·如申請專利範圍第6項之發光顯示裝置，進一步包含位 於該平坦化層上之電極層，該平坦化層之折光指數大於 該電極層之折光指數。 8·種製造如申請專利範圍第阳項之發光顯示裝置的 方法，包含下列步驟： 在基板之表面上形成一光罩圖案，該光罩圖案對 應至待形成之屏障的圖案； ^將第1噴砂粒子噴灑於該基板之表面上，以使未被 錢罩圖案覆蓋之曝露區域㈣，俾形成深度與該屏障 之向度相同的溝槽；以及 ,噴灑尺寸比該第1喷砂粒子為小之第2喷砂粒子，以 ▲成不規H卩’俾使光線散佈於該溝槽之側壁與底部， 忒不規則部之最大高度和最小高度之間的差距至少 〇·4微米。 句 20 200403006 9. 一種製造如申請專利範圍第2項之發光顯示裝置的方 法，包含： 將該基板喷砂以形成該屏障和該不規則部；以及 在形成該屏障和該不規則部之後，對一含於該交換 5 元件之結構中的材料進行圖案化步驟， 其中，該屏障之邊緣及該不規則部之尖銳高點以該 圖案化步驟磨圓。10. 如申請專利範圍第9項之製造發光顯示裝置的方法，其 中，形成該屏障和該不規則部之該喷砂步驟係在最上層 10 之絕緣層形成之後、且在該最上層之絕緣層執行圖案化 步驟期間進行的，且該屏障之邊緣及該不規則部之尖銳 高點以該圖案化步驟磨圓。21
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| JP2004235019A (ja) * | 2003-01-30 | 2004-08-19 | Hitachi Displays Ltd | 有機発光表示装置 |
| EP1478034A2 (en) * | 2003-05-16 | 2004-11-17 | Kabushiki Kaisha Toyota Jidoshokki | Light-emitting apparatus and method for forming the same |
| JP4220305B2 (ja) | 2003-05-22 | 2009-02-04 | 三星エスディアイ株式会社 | 有機エレクトロルミネセンス素子 |
| KR20060029623A (ko) * | 2003-06-27 | 2006-04-06 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 유기 레이저 장치 |
| JP2005050708A (ja) * | 2003-07-29 | 2005-02-24 | Samsung Sdi Co Ltd | 光学素子用基板及び有機エレクトロルミネッセンス素子並びに有機エレクトロルミネッセンス表示装置 |
| US20050088084A1 (en) * | 2003-10-27 | 2005-04-28 | Eastman Kodak Company | Organic polarized light emitting diode display with polarizer |
| KR100570978B1 (ko) * | 2004-02-20 | 2006-04-13 | 삼성에스디아이 주식회사 | 표면이 개질된 유기막층을 사용하는 유기 전계 발광디스플레이 디바이스 및 이의 제조 방법 |
| US7969089B2 (en) | 2004-06-14 | 2011-06-28 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | LED with improved light emission profile |
| KR100611654B1 (ko) | 2004-06-29 | 2006-08-11 | 삼성에스디아이 주식회사 | 유기 전계 발광 표시 소자 및 그 제조방법 |
| US7270592B2 (en) * | 2004-08-12 | 2007-09-18 | D4D Technologies, Llc | Milling machine |
| JP2006053405A (ja) * | 2004-08-13 | 2006-02-23 | Sharp Corp | アレイ基板の製造方法及びそれを用いた液晶表示装置の製造方法 |
| WO2006023907A2 (en) | 2004-08-20 | 2006-03-02 | Igt | Gaming device and method having a first interactive game which determines a function of a second wagering game |
| KR100607520B1 (ko) * | 2004-11-11 | 2006-08-02 | 엘지전자 주식회사 | 유기 전계발광표시소자 및 그 제조방법 |
| US20060125385A1 (en) * | 2004-12-14 | 2006-06-15 | Chun-Chung Lu | Active matrix organic electro-luminescence device array and fabricating process thereof |
| JP2006201423A (ja) * | 2005-01-20 | 2006-08-03 | Seiko Epson Corp | 色要素付き基板、成膜方法、電気光学装置および電子機器 |
| US7589464B2 (en) * | 2005-03-01 | 2009-09-15 | Sharp Laboratories Of America, Inc. | Nanotip electrode electroluminescence device with contoured phosphor layer |
| JP4747626B2 (ja) * | 2005-03-25 | 2011-08-17 | セイコーエプソン株式会社 | 発光装置 |
| CN100576587C (zh) * | 2005-04-13 | 2009-12-30 | 皇家飞利浦电子股份有限公司 | 用于led的结构化衬底 |
| JP4507978B2 (ja) * | 2005-05-16 | 2010-07-21 | セイコーエプソン株式会社 | 膜パターンの形成方法 |
| JP4200981B2 (ja) * | 2005-05-16 | 2008-12-24 | セイコーエプソン株式会社 | バンク構造、配線パターン形成方法、デバイス、電気光学装置、及び電子機器 |
| JP4752341B2 (ja) | 2005-06-14 | 2011-08-17 | セイコーエプソン株式会社 | 発光装置および電子機器 |
| JP2007012504A (ja) * | 2005-07-01 | 2007-01-18 | Toppan Printing Co Ltd | 有機ｅｌ素子の製造方法及び有機ｅｌ素子 |
| CN100482016C (zh) * | 2005-08-16 | 2009-04-22 | 中华映管股份有限公司 | 有机电致发光元件及其制造方法 |
| US7635947B2 (en) | 2005-08-29 | 2009-12-22 | Chunghwa Picture Tubes, Ltd. | Organic electro-luminescence device comprising uniform thickness light-emitting layer |
| JP4432863B2 (ja) * | 2005-09-05 | 2010-03-17 | セイコーエプソン株式会社 | 有機エレクトロルミネッセンス装置及び電子機器 |
| JP4945986B2 (ja) * | 2005-09-29 | 2012-06-06 | 凸版印刷株式会社 | 有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法 |
| US7990047B2 (en) | 2005-10-28 | 2011-08-02 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Organic light emitting diode display and method of manufacturing the same |
| KR100744634B1 (ko) * | 2005-11-30 | 2007-08-01 | (재)대구경북과학기술연구원 | 유기전계발광 표시장치 및 면광원 장치 |
| GB0524783D0 (en) | 2005-12-05 | 2006-01-11 | Cambridge Display Tech Ltd | Cavity glass for light-emissive devices and a method of manufacturing the same |
| JP2007188862A (ja) * | 2005-12-13 | 2007-07-26 | Canon Inc | 有機ｅｌ発光装置およびその製造方法 |
| KR100900550B1 (ko) * | 2006-01-16 | 2009-06-02 | 삼성전자주식회사 | 표시장치와 그 제조방법 |
| KR100781613B1 (ko) * | 2006-01-19 | 2007-12-05 | 네오뷰코오롱 주식회사 | 화상표시장치, 유기발광다이오드 장치 및 그것의 제조 방법 |
| JP4211804B2 (ja) * | 2006-05-19 | 2009-01-21 | セイコーエプソン株式会社 | デバイス、膜形成方法及びデバイスの製造方法 |
| KR100818270B1 (ko) * | 2006-06-23 | 2008-03-31 | 삼성전자주식회사 | 유기전계발광소자 및 그 제조방법 |
| EP1890315A3 (en) * | 2006-08-18 | 2009-07-01 | LG Electronics Inc. | Filter and plasma display device thereof |
| US7931531B2 (en) * | 2006-11-08 | 2011-04-26 | Igt | Gaming system and method providing an interactive game with automatic wagers |
| US7950993B2 (en) * | 2006-11-08 | 2011-05-31 | Igt | Gaming system and method providing an interactive game with automatic wagers |
| KR100829497B1 (ko) * | 2006-11-09 | 2008-05-19 | 엘에스전선 주식회사 | 요철 층을 포함하는 유기 발광 소자 및 이를 구비한조명장치 |
| KR20080069076A (ko) * | 2007-01-22 | 2008-07-25 | 삼성전자주식회사 | 유기발광디스플레이 |
| US20090104964A1 (en) * | 2007-10-17 | 2009-04-23 | Igt | Gaming system, gaming device and gaming method providing player physical activation of the symbol generator |
| WO2010030591A2 (en) * | 2008-09-10 | 2010-03-18 | Universal Display Corporation | Oleds having light-scattering embankments |
| KR101134732B1 (ko) * | 2009-02-17 | 2012-04-19 | 엘지이노텍 주식회사 | 반도체 발광소자 및 그 제조방법 |
| FR2944145B1 (fr) * | 2009-04-02 | 2011-08-26 | Saint Gobain | Procede de fabrication d'une structure a surface texturee pour dispositif a diode electroluminescente organique et structure a surface texturee |
| FR2944147B1 (fr) * | 2009-04-02 | 2011-09-23 | Saint Gobain | Procede de fabrication d'une structure a surface externe texturee pour dispositif a diode electroluminescente organique et struture a surface externe texturee |
| FR2944148B1 (fr) * | 2009-04-02 | 2012-03-02 | Saint Gobain | Procede de fabrication d'une structure a surface texturee pour dispositif a diode electroluminescente organique et structure a surface texturee obtenue par ce procede |
| TWI389354B (zh) * | 2009-04-29 | 2013-03-11 | Epistar Corp | 發光元件 |
| US8292720B2 (en) * | 2009-05-29 | 2012-10-23 | Igt | Gaming system, gaming device and method providing competitive wagering games |
| KR20120048416A (ko) | 2010-11-05 | 2012-05-15 | 삼성모바일디스플레이주식회사 | 표시 장치 |
| US9224983B2 (en) | 2010-12-20 | 2015-12-29 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Substrate for surface light emitting device and method of manufacturing the substrate, surface light emitting device, lighting apparatus, and backlight including the same |
| KR101900954B1 (ko) * | 2012-01-19 | 2018-09-21 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 및 유기 발광 표시 장치의 제조방법 |
| KR101302350B1 (ko) * | 2012-02-10 | 2013-08-30 | 노바테크인더스트리 주식회사 | 광 추출용 투명기판의 제조방법 |
| US9991463B2 (en) * | 2012-06-14 | 2018-06-05 | Universal Display Corporation | Electronic devices with improved shelf lives |
| US8981391B2 (en) * | 2012-06-22 | 2015-03-17 | Industrial Technology Research Institute | Display panel with high transparency |
| CN104508180A (zh) | 2012-07-27 | 2015-04-08 | 应用材料公司 | 粗糙化的基板支撑件 |
| US9293291B2 (en) | 2012-08-31 | 2016-03-22 | Samsung Display Co., Ltd. | Flexible display device manufacturing method and carrier substrate for the method |
| CN102962773A (zh) * | 2012-09-21 | 2013-03-13 | 沈李豪 | 去除led衬底的方法及以其方法制得的led芯片 |
| CN104823296B (zh) * | 2012-11-09 | 2017-05-17 | Oled工厂有限责任公司 | 具有改进的内部外耦合的发光器件和提供该器件的方法 |
| KR102036326B1 (ko) * | 2012-11-21 | 2019-10-25 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법 |
| JP6141641B2 (ja) * | 2013-01-09 | 2017-06-07 | 三井金属鉱業株式会社 | 電解銅箔及び電子デバイス |
| WO2014109047A1 (ja) * | 2013-01-11 | 2014-07-17 | パイオニア株式会社 | 発光素子および発光素子の製造方法 |
| KR102072077B1 (ko) * | 2013-04-15 | 2020-02-03 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법 |
| KR101597220B1 (ko) * | 2013-12-02 | 2016-02-24 | 코닝정밀소재 주식회사 | 조명용 유기발광장치 |
| KR102278603B1 (ko) | 2014-04-14 | 2021-07-19 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기발광표시장치 및 그 제조방법 |
| US10910350B2 (en) * | 2014-05-24 | 2021-02-02 | Hiphoton Co., Ltd. | Structure of a semiconductor array |
| KR102181978B1 (ko) * | 2014-08-22 | 2020-11-24 | 삼성디스플레이 주식회사 | 발광 표시 장치 및 그 제조 방법 |
| KR101808715B1 (ko) * | 2015-09-23 | 2017-12-14 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기발광표시장치 |
| KR101890608B1 (ko) * | 2017-12-07 | 2018-08-22 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기발광표시장치 |
| CN108987452B (zh) * | 2018-08-24 | 2020-12-15 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种显示基板、显示基板的制备方法及显示装置 |
| KR102622792B1 (ko) * | 2018-08-30 | 2024-01-08 | 엘지디스플레이 주식회사 | 발광 표시 장치 |
| CN109449302B (zh) * | 2018-09-28 | 2020-04-28 | 广州国显科技有限公司 | 显示面板及显示装置 |
| US11843077B2 (en) * | 2020-02-11 | 2023-12-12 | Seoul Viosys Co., Ltd. | Unit pixel having light emitting device and displaying apparatus |
| KR102798045B1 (ko) * | 2020-10-20 | 2025-04-22 | 삼성디스플레이 주식회사 | 디스플레이 장치 및 그 제조방법 |
| KR102868409B1 (ko) * | 2021-06-14 | 2025-10-13 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시장치 제조 방법, 그에 따라 제조된 표시장치, 및 표시장치를 포함하는 전자장치 |
| KR20230131408A (ko) * | 2022-03-04 | 2023-09-13 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치의 제조 방법 |
Family Cites Families (20)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61156691A (ja) * | 1984-12-27 | 1986-07-16 | シャープ株式会社 | 薄膜ｅｌ素子 |
| JPH01105987A (ja) * | 1987-10-19 | 1989-04-24 | Nec Corp | 薄膜ｅｌ表示装置 |
| US4774435A (en) * | 1987-12-22 | 1988-09-27 | Gte Laboratories Incorporated | Thin film electroluminescent device |
| JPH03225791A (ja) * | 1990-11-29 | 1991-10-04 | Sharp Corp | 薄膜ｅｌ素子 |
| JP2843925B2 (ja) * | 1991-06-24 | 1999-01-06 | パイオニア株式会社 | 有機ｅｌ素子 |
| JP4011649B2 (ja) * | 1996-06-11 | 2007-11-21 | 出光興産株式会社 | 多色発光装置およびその製造方法 |
| JPH10241856A (ja) * | 1997-02-25 | 1998-09-11 | Denso Corp | Ｅｌ素子の製造方法 |
| JP3379684B2 (ja) * | 1997-03-04 | 2003-02-24 | 出光興産株式会社 | 有機ｅｌ発光装置 |
| CN100530758C (zh) * | 1998-03-17 | 2009-08-19 | 精工爱普生株式会社 | 薄膜构图的衬底及其表面处理 |
| ITTO980580A1 (it) * | 1998-07-02 | 2000-01-02 | C R F Societa Consotile Per Az | Dispositivo emettitore di luce, a base di materiale organico elettro- luminescente, con interfaccia esterna conformata |
| EP1121225A1 (en) * | 1999-08-18 | 2001-08-08 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Method of obtaining a pattern of concave spaces or apertures in a plate |
| JP4614400B2 (ja) * | 2000-01-17 | 2011-01-19 | 日東電工株式会社 | 有機ｅｌ発光装置、偏光面光源装置及び液晶表示装置 |
| JP2001291587A (ja) * | 2000-02-01 | 2001-10-19 | Canon Inc | 有機発光デバイスの製造方法及び該方法で製造された有機発光デバイス |
| US6777871B2 (en) * | 2000-03-31 | 2004-08-17 | General Electric Company | Organic electroluminescent devices with enhanced light extraction |
| JP2004513484A (ja) * | 2000-11-02 | 2004-04-30 | スリーエム イノベイティブ プロパティズ カンパニー | 放出型ディスプレイの輝度向上 |
| TW474115B (en) * | 2000-11-07 | 2002-01-21 | Helix Technology Inc | Manufacturing method of organic light emitting diode |
| US6724150B2 (en) * | 2001-02-01 | 2004-04-20 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device and manufacturing method thereof |
| EP1388876A4 (en) * | 2001-04-09 | 2007-10-03 | Hitachi Hppl | PARTITIONING METHOD FOR PLASMA DISPLAY PANELS WITH SANDBLAST |
| TWI257828B (en) * | 2001-05-31 | 2006-07-01 | Seiko Epson Corp | EL device, EL display, EL illumination apparatus, liquid crystal apparatus using the EL illumination apparatus and electronic apparatus |
| JP4264927B2 (ja) * | 2002-08-26 | 2009-05-20 | 株式会社日立プラズマパテントライセンシング | 薄型表示装置用基板の製造方法 |
-
2003
- 2003-06-09 JP JP2003164010A patent/JP4136799B2/ja not_active Expired - Lifetime
- 2003-06-27 US US10/606,744 patent/US6954031B2/en not_active Expired - Lifetime
- 2003-07-02 TW TW092118100A patent/TWI222335B/zh not_active IP Right Cessation
- 2003-07-15 EP EP03254652A patent/EP1387406B1/en not_active Expired - Lifetime
- 2003-07-18 CN CNB031460003A patent/CN100347860C/zh not_active Expired - Lifetime
- 2003-07-23 KR KR1020030050456A patent/KR100997615B1/ko not_active Expired - Lifetime
-
2005
- 2005-09-16 US US11/227,606 patent/US7192334B2/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN100347860C (zh) | 2007-11-07 |
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| EP1387406B1 (en) | 2012-05-30 |
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