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TW200409569A - Copper-clad laminate - Google Patents

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TW200409569A
TW200409569A TW92119691A TW92119691A TW200409569A TW 200409569 A TW200409569 A TW 200409569A TW 92119691 A TW92119691 A TW 92119691A TW 92119691 A TW92119691 A TW 92119691A TW 200409569 A TW200409569 A TW 200409569A
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TW
Taiwan
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copper
polyimide film
film
copper foil
clad laminate
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TW92119691A
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TWI298988B (en
Inventor
Kohji Narui
Nobuyuki Yamamoto
Toshihiko Anno
Original Assignee
Ube Industries
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Publication date
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Publication of TWI298988B publication Critical patent/TWI298988B/zh

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Description

200409569 (1) 玖、發明說明 【發明所屬之技術領域】 本發明係關於一種銅包之層壓板及製造層壓板之方法 【先前技術】 芳族聚醯亞胺薄膜具有良好的耐高溫性、良好的化學 抗性、高電絕緣性質及高機械強度,因此廣泛用於各種技 術領域。例如’芳族聚醯亞胺薄膜最好以連續芳族聚醯亞 胺薄膜/銅箔層壓板結構的形式而用於製造撓性印刷電路 板(FPC )、自動膠帶黏合(TAB )之載體膠帶、及引線 覆蓋晶圓(lead-on-chip )用膠帶。 芳族聚醯亞胺薄膜/銅箔層壓板可以藉由利用例如環 氧樹脂等習知黏著劑將聚醯亞胺薄膜與銅箔黏合而得。然 而,由於習知黏著劑的耐熱性低,因此所得之複合板無法 顯示出令人滿意的高耐熱性。 爲了解決上述問題,已經有各種黏合方法被提出。例 如,利用電鍍方式在芳族聚醯亞胺薄膜上形成一銅箔來製 造芳族聚醯亞胺薄膜/銅箔層壓板。不然就是將芳族聚H 亞胺溶液(例如芳族聚醯亞胺樹脂的前驅物溶液塗覆在金同 箔上,乾燥,及加熱以在銅箔上製造芳族聚醯亞胺薄膜。 芳族聚醯亞胺薄膜/銅箔複合板亦可以利用熱塑性聚 醯亞胺樹脂製得。 美國專利第4 5 4 3 2 9 5號揭露金屬薄膜以高黏合強度與 (2) (2)200409569 聚醯亞胺薄膜黏之金屬薄膜/芳族聚醯亞胺薄膜層壓板係 藉由在高黏合強度下結合(即利用加壓加熱的方式)金屬 薄膜與由高耐熱性基板薄膜和黏合在基板薄膜上之熱塑性 薄聚醯亞胺層所組成之複合的芳族聚醯亞胺薄膜而製備。 【發明內容】 [發明總論] 本發明之目的係提供一種銅包層壓板,其中銅箔與聚 醯亞胺薄膜間的黏合強度高,且具有高透明度,其中高透 明度係在利用蝕刻去除銅箔後測量。 本發明特徵在於銅包層壓板包括一表面粗糙度Rz爲 1微米或更小之銅箔及一在銅箔上的芳族聚醯亞胺薄膜, 其中銅箔以5 0 0 N/m或更高的黏合強度(T剝離強度) 黏合於聚醯亞胺薄膜,聚醯亞胺薄膜顯示在光波長600 nm時的光透射比爲40%或更高,濁度爲30%或更高,其 中光透射比及濁度係在蝕刻去除銅箔後測量。 本發明之銅包層壓板可以較佳由包括下列步驟的方法 製造= 製備一銅箔及一芳族聚醯亞胺薄膜,其中銅箔的表面 粗糙度Rz爲1微米或更低並具有一膠黏表面,芳族聚酿 亞胺薄膜包括一低於3 4 0 °c的溫度下沒有玻璃轉移溫度之 聚醯亞胺基板薄膜及至少一形成於聚醯亞胺基板薄膜上之 熱塑性聚醯亞胺薄膜,其中熱塑性聚醯亞胺薄膜具有 2 00-2 7 5 t之玻璃轉移溫度; (3) (3)200409569 將芳族聚醯亞胺薄膜的熱塑性聚醯亞胺薄膜放在銅箔 的膠黏表面上;及 在加壓的情況下,在高於熱塑性聚醯亞胺薄膜之玻璃 轉移溫度但是不高於4 0 〇。(:的溫度下加熱熱塑性聚醯亞胺 薄膜及銅箔。 本發明更提供一種銅包層壓板,包括一銅層及放在銅 層上的芳族聚醯亞胺薄膜,其中在於1 5 〇 t下加熱} 〇 〇 〇 小時後的黏合強度爲2 8 5 N/m或更高的條件下,將銅層以 5 ΟΟΝ/m或更高的黏合強度黏合於聚醯亞胺薄膜,聚醯亞 胺薄膜顯示光波長爲6 0 0 n m時的光透射比爲4 0 %或更高 ,濁度爲3 0 %或更高,其中光透射比及濁度係在蝕刻去 除銅層後測得。 發明之詳細說明 本發明之較佳具體體系係如下所述: (1 )聚醯亞胺薄膜之至少一側具有一熱塑性表面。 (2 )聚醯亞胺薄膜包括一在低於3 4 〇 °C的溫度下沒 有玻璃轉移溫度的聚醯亞胺基板薄膜,及至少一放在聚醯 亞胺基板薄膜上的熱塑性聚醯亞胺薄膜,其中熱塑性聚醯 亞胺薄膜的玻璃轉移溫度爲1 8 0 - 2 5 7 °C。 (3 )銅包層壓板顯示黏合強度爲2 8 5 N/m或更高, 黏合強度係在層壓板保持1 0 5 °C下1 0 0 0個小時後於銅箔 與聚醯亞胺薄膜之間測量。 (4 )銅包層壓板顯示銅箔與聚醯亞胺薄膜之間的初 (4) (4)200409569 始黏合強度爲8 0 %或更高,上述黏合強度係在層壓板保 持在150°C下1 000個小時後測量。 (5 )銅箔具有一膠黏表面。 (6 )銅箔的膠黏表面係藉由將偶合劑(例如矽烷偶 合劑)放在銅箔上產生。 (7 )銅箔係呈連續薄膜形式在長度方向上的光澤度 爲360%或更高,寬度方向上的光澤度爲310%或更高, 其中光澤度係在入射角60°測得。 本發明的銅包層壓板係使用低粗糙度(例如表面粗糙 度Rx爲1微米或更低)的銅箱。此等低粗f造表面可以藉 由在銅箔上以氧化處理形成黑化層(即,氧化銅層)或藉 由在銅箔上電鍍銅或鉻而產生。因此,銅箔或銅層可以包 含少量外來金屬。 銅箔較佳具有膠黏表面,其中膠黏表面係藉由利用有 機表面處理劑(例如偶合劑,像是矽烷-偶合劑)處理銅 箔表面而得。 表面上具有膠黏表面的銅箔之較佳的厚度爲5 -1 8微 米,尤其是9-1 2微米,因爲此等薄銅箔有利於形成精細 電路圖案。 市面上售有具膠黏表面的銅箔。膠黏銅箔的市售品的 例子包括 Mitsui Metal In dust 1. ies,Co.,Ltd.製造的低粗縫 度銅箔,厚度:12微米,無光表面上的表面粗糙度RZ: 〇 · 8微米,粗糙表面上的光澤度:3 1 9 % (就TD而言)( 橫向或寬度方向),374% (就MD而言)(機械方向或 (5) (5)200409569 縱向)F u r u k a w a c i r c u 11 F 0 i1,c 0 ·,L1 d .製造之低粗糙度銅 箔,厚度:12微米,無光表面上的表面粗糙度RZ:0.7 微米,粗糙表面上的光澤度:370% (就 TD而言), 393 % (就 MD 而言)’及 Nippon Electrolysis, Co., Ltd製造之低粗糙度銅箔(厚度:12微米,無光表面上的 表面粗糙度 Rz : 0.8微米,粗糙表面上的光澤度:3 70% (就TD而言),3 93 % (就MD而言)。 芳族聚醯亞胺薄膜較宜在至少一側上具有熱塑性表面 。更佳地,聚醯亞胺薄膜包括一在低於3 4 0 °C的溫度下沒 有玻璃轉移溫度之聚醯亞胺基板薄膜,及至少一形成於聚 醯亞胺基板薄膜上之熱塑性聚醯亞胺薄膜,熱塑性聚醯亞 胺薄膜的玻璃轉移溫度爲2 0 0 - 2 7 5 t:。前者聚醯亞胺基板 薄膜在以下稱爲高耐熱性聚醯亞胺薄膜。基板薄膜可以在 基板兩側上具有熱塑性聚醯亞胺薄膜。 熱塑性聚醯亞胺薄膜較佳形成於基板薄膜上,其形成 步驟包括將高耐熱性聚醯亞胺前驅物溶液及熱塑性聚醯亞 胺前驅物溶液共擠壓,將經共擠壓的前驅物溶液薄膜乾燥 ’及加熱經乾燥之薄膜,得到多層的聚醯亞胺薄膜。 熱塑性聚醯亞胺薄膜較佳從1,3-雙(4-胺基苯氧基苯 )(以下稱爲TPER) ,2,3,3,,4'-聯苯基四羧酸二酐( 以下稱爲a-BPDA )及3, 3,,4,4,-聯苯基四羧酸二酐(以 T稱爲s-BPDA )製得。下列組合也較宜用以得到熱塑性 聚醯亞胺薄膜:
1,3-雙(4-胺基苯氧基)2-二甲基丙烷(DANPG (6) (6)200409569 )及4, 4,-氧基二酞酸酐(〇DPA); 4,4 ^氧基二酞酸酐(〇 D P A )、苯均四酸酐(P M D A ) '和1,3-雙(4-胺基苯氧基苯); 1,3 -雙(3 -胺基苯氧基)苯及3,3、4,4 ^苯甲酮四 羧酸=酐;及 3,3^二胺基苯甲酮、1,3-雙(3-胺基苯氧基)苯及3, V,4, V-苯甲酮四羧酸二酐。 四羧酸二酐化合物的一部分可以被一或多個其他四羧 酸二酐取代,例如3,3、4,4、聯苯基四羧酸二酐或2 5 2 ~ 雙(3,4 -二羧基苯基)-丙烷二酐,其先決條件是取代的 結果基本上不會有損所得之聚醯亞胺薄膜。 二胺化合物的一部份可以被一或多個其他二胺化合物 取代,例如具多個苯環之芳族二胺,例如4,4 '-二胺基二 苯基醚、4,4'-二胺基苯甲酮、4,4'-二胺基苯基甲烷、25 2 —雙(4-胺基苯基)丙烷、4,V-雙(4-胺基苯氧基)苯、 4,4乂雙(4-胺基苯基)二苯基醚、4,雙(4-胺基苯氣 基)二苯基醚、4, 4^雙(4 -胺基苯氧基)二苯基甲烷、 及2, 雙[4_(胺基苯氧基)苯基]丙烷。 此外,二羧酸’例如酞酸或其衍生物或六氫酞酸或其 如生物,尤其是酞酸二酐,可以倂入用於製備熱塑性聚_ 55胺薄膜之起始化合物混合物。 高耐熱性聚醯亞胺薄膜可以從3,3 f 5 4,4 ^聯苯四續 酸二酐(s-BPDA )及對苯二胺(pPD ),及視需要的4 4、二胺基二苯基醚(DADE)及苯均四酸二酐(PMDA) (7) (7)200409569 製得。PPD/DADE (莫爾比)較佳爲ι〇0/0至85/15。s· BPDA/PMDA (莫爾比)較佳爲 100/0 至 50/5〇。 高耐熱性聚醯亞胺薄膜也可以從苯均四酸二酐、對苯 二胺(PPD )及^ 4'-二胺基二苯基醚(DADE )製得。 DADE/PPD (莫爾比)較佳爲90/10至10/90。 高耐熱聚醯亞胺薄膜也可以從3,4,V-苯甲酮四 羧酸二酐(BTDA ),苯均四酸二酐(PMDA )、對苯二胺 (PPD)及4,V-二胺二苯基醚(DADE)製得。四羧酸二 酐較宜包括20至90莫爾% BTDA及80至1 0莫爾% PMDA。二胺化合物較宜包括30至90莫爾%ppD及70至 10 莫爾 %DADE。 四羧酸二酐及二胺的芳環也可以具有一或多個取代基 ,例如氟、羥基、甲基及甲氧基。 四羧酸二酐化合物的一部份及二胺化合物的一部份可 以被一或多個其他四羧酸二酐及芳族二胺(例如4,4,-二 胺基二苯基甲烷)所取代,其先決條件是取代的結果基本 上不會有損所得之聚醯亞胺薄膜。 高耐熱性聚醯亞胺基板薄膜的線性膨脹係數(5 0 - 2 0 0 °C時M D,T D,及其平均値)較佳爲5 X 1 〇 ·6到2 5 X 1 (Γ6 c m / c m / °C 〇 高耐熱聚醯亞胺薄膜可以從上述單體,藉由任何無序 聚合反應,嵌段聚合反應,聚合物的摻和,及摻和的前驅 物(聚醯胺酸)的聚合反應製得。 用於高耐熱性聚醯亞胺及熱塑性聚醯亞胺的聚醯胺酸 -11- (8) (8)200409569 可以在有機溶劑(例如,N -甲基-2 -吡咯烷酮、N,N -二甲 基甲醯胺、N,N -二甲基乙醯胺、n,N—二乙基乙醯胺, 二甲亞砸、六甲基磷醯胺、N -甲基己內醯胺或甲酚)中製 備。這些有機溶劑可以單獨使用或混合使用。 爲了抑制聚醯胺酸的膠化作用,將〇 . 〇 -〗% (每份聚 醯胺酸之固體含量)磷系安定劑例如三苯基亞磷酸酯及磷 酸二苯酯加入聚醯胺酸溶液。爲了加速醯亞胺化反應,尤 其是在低溫進行反應的時候,可於聚醯胺溶液中加入鹼性 有機觸媒,例如咪π坐、2 -咪D坐、1,2 -二甲基咪D坐或2 -苯基 咪唑。有機觸媒通常的用量爲佔聚醯胺酸固體含量之 0.01-20重量%,較佳爲0.5-10重量%。 在利用共擠壓法製備包括一聚醯亞胺基板薄膜及一或 二個熱塑性聚醯亞胺薄膜的芳族聚醯亞胺薄膜時,基板薄 膜用的聚醯胺酸溶液及熱塑性聚醯亞胺薄膜用的一或二種 聚醯胺酸溶液同時從多狹縫噴嘴以溶液薄膜的形式擠壓至 暫時的載體(例如不銹鋼帶條)上,並加熱到1 00-200 °C 以使經擠壓之溶液薄膜乾燥,得到半固化的自支撐型複合 薄膜。擠壓步驟係爲已知。 半固化的自支撐型複合薄膜接著加熱到高於熱塑性聚 醯亞胺薄膜的玻璃轉移溫度,較佳爲3 0 0-50 (TC (由表面 溫度計測得的表面溫度),時間較佳爲1 -60分鐘,以使 半固化的複合薄膜乾燥及醯亞胺化。如此,獲得所要的具 聚醯亞胺基板薄膜及一或多個熱塑性聚醯亞胺薄膜的芳族 聚醯亞胺薄膜。 -12 - (9) (9)200409569 熱塑性聚醯亞胺薄膜較宜具有1 8 0-2 75 t ,更佳爲 200-27 5 °C,之玻璃轉移溫度,及較宜不會在低於3〇〇°C 的溫度下轉化成液體。此外,熱塑性聚醯亞胺薄膜在2 7 5 °C的彈性模數較宜爲在5 0 °C的彈性模數之0.0 0 0 2 - 0.2倍 〇 熱塑性聚醯亞胺薄膜的厚度較佳爲0.5 - 1 0微米,更 佳爲1 - 8微米。 高耐熱性聚醯亞胺基板薄膜的厚度較佳爲5 - 5 0微米 ’更佳爲5-40微米。 包括高耐熱性聚醯亞胺基板薄膜及熱塑性聚醯亞胺外 層薄膜的聚醯亞胺複合薄膜的厚度較佳爲7至5 0微米, 更佳爲7至約4 0微米。 聚醯亞胺複合薄膜較佳具有1 〇 X 1 〇 ·6 - 2 5 X 1 (Γ6 c m / c m / °C的線性膨脹係數(5 0 - 2 0 0 °C的M D、T D及其平均 數)。 如前所述,本發明的銅包層壓板可以利用包括下列步 驟的方法製得:將聚醯亞胺複合薄膜的熱塑性聚醯亞胺薄 膜放在銅箔(或銅層)上並在加壓的情況壓下以高於熱塑 性聚醯亞胺薄膜的玻璃轉移溫度但不高於4 〇 〇它的溫度加 熱熱塑性聚醯亞胺薄膜及銅箔(或銅層)。上述步驟較佳 利用已知的雙帶壓模機進行。在上述步驟裡,在銅箔及聚 醯亞胺複合薄膜同時預先加熱到大約]5 〇 - 2 5 0。(:而後插入 雙帶壓模機內,然後在高溫下加熱及冷卻後得到所要的銅 包層壓板。在雙帶壓層機裡,較佳的是加熱區域加熱到不 (10) (10)200409569 商於4 〇 〇 °c但是比熱塑性聚醯亞胺薄膜的玻璃轉移溫度高 2 0 °C,然後將加熱過的層壓板在冷卻區域中在加壓的情況 下以比熱塑性聚醯亞胺薄膜之玻璃轉移溫度低20 t,較 佳低3 0 t <,的溫度進行冷卻。 在製造所要之銅包層壓板的方法裡,銅箔及三層聚醯 亞胺複合薄膜可以承載於具光滑表面的薄膜上,例如高耐 熱性薄膜,宜爲芳族聚醯亞胺薄膜(例如Upilex S, Ube Industries, Ltd.製造)、氟系樹脂薄膜或銅箔捲。 包括銅箔及具膠黏表面的芳族聚醯亞胺薄膜之層壓板 通常係以連續薄膜的形式爲獲致。連續薄膜可以在分成預 定大小的薄膜後使用。 本發明之銅包層壓板可以捲筒形成儲存。經捲收之層 壓板可以不被纏繞,並且以已知方式鈾刻。經蝕刻之層壓 板可以進行去除彎曲的處理。 本發明之銅包層壓板可以用作爲 FPC、TAB、多層 FPC和撓曲剛性基質之基板。 本發明之銅包層壓板可以經由耐熱黏著劑層(厚度 5 - 5 0微米,較佳5 -1 5微米,更佳7 - 1 2微米)彼此組合, 得到多層銅包層壓板,例如2-20層銅包層壓板。耐熱性 黏著劑可以是環氧樹脂黏著劑、熱塑性黏著劑、或熱塑性 聚醯亞胺(或聚醯亞胺矽氧烷)與環氧化物的混合物。 銅包層壓板的蝕刻可以利用已知的方法進行,例如室 溫下使用氯化鐵水溶液將聚醯亞胺薄膜去除一部份或全部 銅箔的蝕刻步驟。 -ί 4 - (11) (11)200409569 本發明的銅包層壓板可以浸入大約2 8 0 °C焊料浴中大 約1 〇分鐘或經由耐熱性黏著劑黏合於其他銅包層壓板, 以供製備所要元件之用。 本發明的銅包層壓板在銅箔一部份或全部蝕刻後呈現 局透明度’因此可以容易以傳統之T A B安裝用的黏合機 械進行加工。 本發明更進一步以下列實施例說明之。在實施例裡, 物理特徵係由下列步驟測定。 (1 )表面粗糙度(Rz ):根據JIS B 06 0 1測定 (2 )光澤度:根據:Π S Z 8 7 4 1測定,取平均値 (3 )熱線性膨脹:TMA方法,於50-200°C測定的平 均値,溫度升高速度:5 t: /m i η,TD及MD的平均値( c m / c m / °C ) (4 )玻璃轉移溫度(Tg ):以動態黏彈性測量計測 定損失的正切峰溫度。 (5 )黏合強度:從銅包層壓板切下之樣片安裝於第 1圖所示之儀器中(1 : T剝離測量儀器,2 :銅箔,3 :聚 醯亞胺薄膜,4 :夾具,r :夾具),及根據Π S C 6 4 7 1以 5 0 m m m i η之十字頭(c r 〇 s s - h e a d )的速度測定T -剝離強 度(MD)。 (6 )光透射比:以90度角投射光線到薄膜(或以蝕 刻去除全部銅箔之銅包層壓板)上,以UV-2 100型裝置 (Shimazu Seisakusho Co·,Ltd.製造)測量的透射光。 (7 )濁度:根據.IIS K6714,使用直流電計算器 -If卜 (12) (12)200409569 HG M .2DP 口(Suga Testing Machine,Co·,Ltd.製造)’ 在薄膜(或以蝕刻去除全部銅箔之銅包層壓板)上進行測 量。 濁度(% ) = ( Td/Tt ) xl 00 (Td :散射光的透射比) (Tt :總光透射比) (8 )對準標記之觀察結果:使用展示圖案,藉由 Sinkawa Co.,Ltd.的 Inner Lead Bonder 1LT-110,在以倉虫 刻去除全部銅箔之銅包層壓板上以眼評估。 (9 )在以1 5 0 °C加熱後的黏合強度:將樣片放入具 通風系統之恆溫箱(在150 °C加熱)1 000小時,然後根據 J I S c 6 4 7 1所定義之方法,以 5 0 m m / m i η之十字頭( cross-head)的速度測量Τ剝離強度。 (1 〇 )總評估結果:AA :極佳,BB :良好,CC :不 滿意,D D ··不好 [製備用於製造高耐熱性聚醯亞胺之摻質溶液I] 在設有攪拌器及氮氣進料口之反應槽中,放入N-甲 基-2-吡咯烷酮,及對苯二胺與3,3,,4,聯苯基四羧酸 二酐(莫爾比:1 000 : 998 )的混合物,而其量爲使得到 含有18重量%之N-甲基-2-吡咯烷酮之組合溶液。然後將 所得混合物在5 (TC下攪拌3小時,得到一 2 5 °C的溶液黏 (13) (13)200409569 度爲大約1 5 〇 〇泊的棕色黏性聚醯胺酸溶液。該聚醯胺酸 溶液作爲摻質溶液I。 [製備用於製造高耐熱性聚醯亞胺之摻質溶液11 ] 在設有攪拌器及氮氣進料口之反應槽中,放入N-甲 基-2-吡咯烷酮,及1,3-雙(4 -胺基苯氧基)苯、2,3,3,, 4 -聯苯基四殘酸二酐及3,3、4,4 ^聯苯基四羧酸二酐(莫 爾比·· 1 00 : 2 0 : 8 0 )的混合物,而其量爲使得到含有18 重量% N -甲基-2 - D[t略院酮之組合溶液。另外,將〇 · 1 %磷 酸三苯酯(每份混合物)加入溶液中。然後將所得混合物 在25 °C下攪拌1小時’得到一 25 t的溶液黏度爲大約 1 1 〇 0泊的黏性聚醯胺酸溶液。該聚醯胺酸溶液作爲摻質 溶液11。 [聚醯亞胺複合薄膜的製備] 將摻質溶液I及摻質溶液11放入多歧管塑模裡進行 三薄膜擠壓。摻質溶液Π,摻質溶液I及摻質溶液II的 混合溶液同時從塑模擠壓出來並於不銹鋼帶載體上鑄模。 經鑄模之溶液薄膜係藉由使連續施用加熱到1 4 0 t的空氣 進行乾燥,得到固態薄膜。將固態薄膜從載體取出,並放 入加熱爐中,從2 0 0 °C逐漸加熱固態薄膜至3 2 0 °C。藉此 去除溶劑,並且使薄膜醯亞胺化,得到聚醯亞胺薄膜。針 對不同大小的塑模狹縫重複以上的步驟,得到下列二種聚 醯亞胺薄膜A及B。 !7 - (14) (14)200409569 [聚醯亞胺複合薄膜A] 厚度:熱塑性薄膜/高耐熱性薄膜/熱塑性薄膜的厚度 爲5微米/2 8微米/5微米(總共:3 8微米)
熱塑性薄膜的Tg :高於240°C 高耐熱性薄膜的Tg :高於3 40 °C 光透射比(波長:60 0 nm ) : 57% · 濁度:6 % -
線性熱膨脹係數(5 0-2 0 0 X: ) : 18 X ΙΟ'6 cm/cm/°C 體積電阻:3 X ΙΟ16 Ω .cm [聚醯亞胺複合薄膜B] 厚度:熱塑性薄膜/高耐熱性薄膜/熱塑性薄膜的厚度 爲4微米/17微米/4微米(總共:25微米) 熱塑性薄膜的Tg : 240 t: 高耐熱性薄膜的Tg :高於34(TC · 光透射比(波長:600 nm ) : 69% 濁度:4 %
線性熱膨脹係數(50-200°C ) : 18 X ΙΟ'6 cm/cm/°C 體積電阻:3 X ΙΟ16 Ω .cm · [實施例1] 聚醯亞胺複合薄膜A,低粗糙度黏著性銅箔(Mitsui M e t a 1 I n d u s t r i e s,C 〇 .,L t d,厚度:1 2 微米,粗糕表面上 -18 - (15) (15)200409569 的Rz : 0.8微米,粗糙表面上的光澤度:就TD而言3 1 9 %,就M D而言3 7 4 % )及保護性薄膜(u p i 1 e X )同時連 續提供到雙帶壓模機。這些材料連續預先加熱,在40 kg/cm2的壓力下,加熱至高達3 3 0 °C (預定的最高溫度) ,及冷卻到1 1 7 °C (最低溫度)2分鐘,得到本發明的連 續銅包層壓板(寬度:大約5 3 0 m m )。連續銅包層壓板 的物理特徵敘述如下: 黏合強度:1290 N/m 光透射比(波長:600 nm) :44% 濁度:2 7 % 對準標記的觀察:可看到
以150t熱處理1〇〇〇小時的黏合強度維持率:94% 總評估結果:AA
[實施例2] 重複實施例1的步驟,不同的是使用低粗糙度黏著性 銅范(Nippon Electrolysis,Co·,Ltd.,厚度:12 微米, 粗糙表面上的Rz : . 5微米,粗糙表面上的光澤度:就 TD而言370%,就MD而言393%),得到本發明之連續 銅包層壓板(寬度:大約5 3 0 mm)。連續銅包層壓板之 物理特徵敘述如下: 黏合強度:7 1 0 N/m 光透射比(波長:600 nm ) : 43% 濁度:2 8 % - 19- (16) (16)200409569 對準標記的觀察:可看到 以i5〇°c熱處理1〇〇〇小時的黏合強度維持率:82%
總評估結果:A A
[實施例3 ] 重複貫施例1的步驟,不同的是使用低粗|造度黏著性 銅范(Furuk awa Circuit Foil, C ο. 5 Ltd.,厚度:\ 2 微米 ' ,粗糙表面上的Rz : 0.7微米,粗糙表面上的光澤度:就 — TD而言370%,就MD而言393%),得到本發明之連續 銅包層壓板(寬度:大約5 3 0 mm)。連續銅包層壓板之 物理特徵敘述如下: 黏合強度:540 N/m 光透射比(波長:6 0 0 n m ) : 4 8 % 濁度:20% 對準標記的觀察:可看到 以1 5 0 °C熱處理1 0 0 0小時的黏合強度維持率:6 4 % Φ
總評估結果:B B
[實施例4 ] 重複實施例1的步驟,不同的是使用聚醯亞胺複合薄 · 膜B及低粗糙度黏著銅箔(NA-VLP,獲自Mitsui Metal Industries,Co.,Ltd·,厚度:1 2微米,粗糙表面上的Rz :0.6微米,粗糙表面上的光澤度··就T D而言3 3 9 % ’就 M D而言4 1 0 % ) ’得到本發明之連續銅包層壓板(寬度 -20 ~ (17) 200409569 ••大約5 3 0 mm)。連續銅包層壓板之物理特徵敘述如下 黏合強度:610 N/m 光透射比(波長·· 6 0 0 n m ) : 54% 濁度:22% 對準標記的觀察:可看到
以1 5 0 °C熱處理1 0 0 0小時的黏合強度維持率:1 〇 6 % 總評估結果:AA
[實施例5] 重複實施例1的步驟,不同的是使用低粗糙度黏著性 銅箱(HLS,Nippon Electrolysis,Co·,Ltd.,厚度:9 微 得到本發明之 連續銅包層壓 米’粗糙表面上的Rz : 0 · 8微米,粗縫表面上的光澤度: 就TD而言339%,就MD而言410% ) 連續銅包層壓板(寬度:大約5 3 0 mm) 板之物理特徵敘述如下: 黏合強度:8 1 6 N / m 光透射比(波長:6 0 0 n m ) : 4 3 % 濁度:2 8 % 對準標記的觀察:可看到 以isot熱處理1 000小時的黏合強度維持率:77%
總評估結果:AA
[實施例6] -21 - (18) (18)200409569 重複實施例1的步驟,不同的是使用低粗糙度黏著性 銅箔(FO-WS, Furukawa C i i. c u i t F o i 1,C 〇 .,L t d .,厚度: 12微米,粗糙表面上的Rz : 〇·7微米,粗糙表面上的光 澤度:就TD而言3 92 %,就MD而言4 0 3 % ),得到本 發明之連續銅包層壓板(寬度:大約5 3 〇 mm )。連續銅 包層壓板之物理特徵敘述如下: 黏合強度:5 60 N/m 光透射比(波長:6 0 0 n m ) : 6 1 % 濁度:1 4 % 對準標記的觀察:可看到
以150t熱處理1 000小時的黏合強度維持率:67% 總評估結果:B B
[比較實施例1 ] 重複實施例1的步驟,不同的是使用高粗糙度黏著性 銅箱(Mitsui Metal Industries, Co.,Ltd.,厚度:9 微米 ,粗糙表面上的Rz : 2.0微米),得到比較例之連續銅包 層壓板(寬度:大約5 3 0 mm)。連續銅包層壓板之物理 特徵敘述如下: 黏合強度:7 80 N/m 光透射比(波長:6 0 0 n m ) : 1 0 % 濁度:76%
對準標記的觀察:無法看到 總評估結果:B B -22- (19) (19)200409569 [比較實施例2 ] 重複實施例1的步驟,不同的是使用高粗糙度黏著性 銅 f白(Fur ukaw a Circuit Foil,Co.,Ltd.’ 厚度· 9 微米, 粗糙表面上的RZ : 1 . 9微米),得到比較例之連續銅包層 壓板(寬度:大約5 3 0 mm)。連續銅包層壓板之物理特 徵敘述如下: 黏合強度:7 4 0 N / m 光透射比(波長:6 0 0 n m ) :10% 濁度:7 6 %
對準標記的觀察:無法看到 總評估結果:DD
[比較實施例3 ] 重複實施例1的步驟,不同的是使用高粗糙度黏著性 銅范(SC12-25-00AE, Japan Steel Chemistry, Co.,Ltd.製 造),得到比較例之連續銅包層壓板(寬度:大約530 mm )。連續銅包層壓板之物理特徵敘述如下: 光透射比(波長:600 nm) : 2%
對準標記的觀察:無法看到 總評估結果:DD 【圖式簡單說明】 第1圖係說明測量以T剝離強度計算之黏合強度的 -23- (20) (20)200409569 方法。 【主要元件對照表】 1 : T剝離測量儀器 2 :銅范 3 :聚醯亞胺薄膜 4 :夾具 4、夾具
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Claims (1)

  1. (1) (1)200409569 拾、申請專利範圍 1 . 一種銅包層壓板,其包括一表面粗糙度Rz爲1微 米或更小之銅箔及一在銅箔上的芳族聚醯亞胺薄膜’其中 銅箔以5 00 N/m或更高的黏合強度黏合於聚醯亞胺薄膜, 聚醯亞胺薄膜顯示在光波長爲6 0 0 11 m時光透射比爲%或 更高4 0,濁度爲3 0 %或更局,光透射比及濁度係在以蝕 刻去除銅箱後測量。 ’ 2 ·如申請專利範圍第1項之銅包層壓板,其中聚醯 、 亞胺薄膜至少一側具有一熱塑性表面。 3.如申請專利範圍第2項之銅包層壓板,其中聚醯 亞胺薄膜包括一在低於3 4 0 °C的溫度下沒有玻璃轉移溫度 的聚醯亞胺基板薄膜,及至少一放在聚醯亞胺基板薄膜上 的熱塑性聚醯亞胺薄膜,其中熱塑性聚醯亞胺薄膜的玻璃 轉移溫度爲1 80-25 7°C。 4 ·如申請專利範圍第1項之銅包層壓板,其中銅包 層壓板顯示黏合強度爲2 8 5 N/m或更高,黏合強度係在層 鲁 壓板保持105 °C下1 00 0個小時後於銅箔與聚醯亞胺薄膜 之間測量。 5 ·如申請專利範圍第1項之銅包層壓板,其中銅包 ~ 層壓板顯示銅箔與聚醯亞胺薄膜之間的初始黏合強度爲 · 8〇%或更高,該黏合強度係在層壓板保持在150°C下1000 個小時後測量。 6 ·如申請專利範圍第1項之銅包層壓板,其中銅箔 具有一膠黏表面。 -25 - (2) (2)200409569 7 ·如申請專利範圍第6項之銅包層壓板,其中銅箔 的膠黏表面係藉由將偶合劑放在銅箔上產生。 8 .如申請專利範圍第6項之銅包層壓板,其中偶合 劑爲砂院偶合劑。 9.如申請專利範圍第1項之銅包層壓板,其中銅箔 係呈連續薄膜形式,在長度方向上的光澤度爲3 6 0 %或更 高,寬度方向上的光澤度爲310%或更高,其中光澤度係 在入射角60°測得。 1 0 · —種製造如申請專利範圍第1項之銅包層壓板的 方法,其包括: 製備一銅箔及一芳族聚醯亞胺薄膜,其中銅箔的表面 粗糙度Rz爲 1微米或更低並具有一膠黏表面,芳族聚醯 亞胺薄膜包括一在低於3 4 0 °C的溫度下沒有玻璃轉移溫度 之聚醯亞胺基板薄膜及至少一形成於聚醯亞胺基板薄膜上 之熱塑性聚醯亞胺薄膜,其中熱塑性聚醯亞胺薄膜具有 2 0 0 - 2 7 5 t之玻璃轉移溫度; 將芳族聚醯亞胺薄膜的熱塑性聚醯亞胺薄膜放在銅箔 的膠黏表面上;及 在加壓的情況下’在高於熱塑性聚醯亞胺薄膜之玻璃 轉移溫度但是不高於4 0 (TC的溫度下加熱熱塑性聚醯亞胺 薄膜及銅箔。 1 1 .如申請專利範圍第1 〇項之方法,其中加熱熱塑 性聚醯亞胺薄膜及銅箔之步驟以雙帶壓模機進行。 12.如申請專利範圍第1 〇項之方法,其中銅箔的膠 • 26- (3) (3)200409569 多占表面係籍由將偶合劑放在銅箱上產生〇 1 3 · —種銅包層壓板,其包括一銅層及放在銅層上的 芳族聚醯亞胺薄膜,其中在於丨5 〇它下加熱丨〇 〇 〇小時後 的黏合強度爲2 8 5 N / m或更高的條件下,將銅層以5〇〇 N/m或更高的黏合強度黏合於聚醯亞胺薄膜,聚醯亞胺薄 膜顯示在光波長爲6 0 〇 nm時的光透射比4 〇 %或更高,濁 度爲3 0 %或更高’其中光透射比及濁度係在蝕刻去除銅 層後測得。
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