TW200408879A - Liquid crystal display - Google Patents

Description

200408879 五、發明說明（l) 〈發明之範圍〉 ，· 本發明是有關一種液晶顯示器 防因像素中之離子所造成不正常之光】別疋關於一種藉由預 品質之液晶顯示器。 /、' ，而具有增進之螢幕 〈先前技藝之描述〉 相較於陰極射線管（之後以C r τ避&、 後以LCD稱呼）一般而言、有U量⑨晶顯示器（之 優點，並因此，1在眘& 薄構造和低能量耗損之 了 CRT。最进且、古\ 備之終端機和影像裝置方面代替 ；CRT最近，具有薄膜電晶體（之後以TFT稱呼），1祚a =矩:㈣狀排列之每一像素中之開關裝置稱：…實^ 視角 仗而預防彩色偏移並獲得高查皙总莖 被廣泛地使用為膝上型和桌作=，TF:_L“ 々示工生电細，以及作為電視螢幕。 極構：==、包:二具有形成在像素中之m和像素電 波美板以及二 匕3杉色濾波器和一計數電極之彩色濾 ^板以及插入基板間之液晶層。LCD根據加諸於像辛電 數電極之電壓，藉由驅動液晶分子，而解析出一預定電之‘ 第1圖為表示了在習見LCD中之像素構造。如圖所示 Ϊ2Ϊ排線2/扞垂直多數條數據排線4之排列。-閉極絕緣 (圖未不）乃插入前述二者之間，以達成電性絕緣。 — TFT 1 0在閘極排線2和數據排線4之交又處形成，以 母一像素之驅動。TFT 1 〇包括一形成著部分閘極 ^ 極電極、-形成在閘極電極上之圖樣形狀之半導二線之^ 示）’以及-形成來與半導體層之一部以= 200408879 五、發明說明（2) 電極（drain electrodes)4a 和 4b。源極電極（s〇urce electrodesMa 呈島形，而汲極電極（drain electr〇des)4b 為從 數據排線4延伸者。 片-保護層（圖未示）在成品表面形成。一由透明金屬例 如軋化錫銦（Indium Tin Oxide)所製造之像素電極6，在藉邊 接觸源極電極（source electrodes)4a之閘極排線2和數據線 4所、定義之像素區域中形成。像素電極6形成一矩形形狀， 而藉由在整個像素區域中之相同電壓形成相同電場。 一彩色濾波基板係與陣列基板相對排列，而位於宜 板包含分別形成對應陣列基板像素之：色、 ί 器（圖未示），而且在像素介面上，那即 疋’在閘極排線2和數據排線4上部位之上， 之像素，以及包括彩色據波器和黑色矩陣 形成計數電極（圖未示）之像素。 之整個&域上所 雖然在圖上並未表示，多數個液晶分子 板和彩色濾波基板之間。 真充在陣列基 然而，習見之LCD具有由於不正常光漏 問題，例如在LCD中之離子妨礙理想電 “氏螢幕口口質之 號電壓造成之殘像。 化加後，由失真信 那即是，在量產程序期間，離子被 子之LCD。並且，陣列基板之像素電極 到原先即含有離 電極以矩形形狀形成，以致於在整巴應波基板之計_ 同並不會有產生更密集電場之區域。一域中，因電壓相

第8頁 在本習見例中，當數據信號電壓被施加時，在像素中 200408879 五、發明說明（3) 離子被直流成 像素中。因此 光漏，例如殘 〈發明之總 因此，本 產生，並且本 防像素中之離 LCD 〇 為了要達 多數條閘極排 叉處形成以及 為 » 分之電壓（DC component voltage)均勻地吸附 ，造成液晶不理想之動作，由此產生不正常的 像等。 綸〉 發明乃在致力於解決習見技藝所發生之問題而 發明之目的之一，乃為了提供一種具有藉由預 子所ie成不正常之光漏’而增進螢幕品質之 於 成此目標， 線和數據排 一像素電極 成；一和陣列基板相結合 之彩色濾波 包括彩色濾 素區域相對應 矩陣、以及在 之计數電極； 和彩色濾波基 狀，並從而在 銳角端在 電極之邊緣上 而且，銳 至於本發 照下列依附圖 〈較佳具體 本發明之 以及一液晶 板間之液晶 其邊緣上形 鄰近數據排 形成。 角端被排列 明之詳細構 所作之說明 實施例之詳 較佳實施例 本發明 線相互 在由排 之彩色 器、形 波器和 層，其 分子， 成多數 線和閘 包含： 垂直排 線所定 遽波基 成和像 黑色矩 包含多 其中像 個銳角 極排線 一陣列 歹 ij 、一 義之像 板，在 素介面 陣之整 數個填 素電極 端0 基板，在其上 TFT在排線之交 素區域中形 其上形成和像 相對應之黑色 個表面上形成 充於陣列基板 具有矩形形 之一或更多數個像素 在黑色矩陣區域。 造、應用原理、作用與功效，則參 即可得到完全的了解。 細描述〉 現作較詳細之描述，其時施例依附

第9頁 200408879 五、發明說明（4) ^ # 圖說明。相同之參考標號貫穿使用於各圖和所提及之相同或 相似描述部分。 第2圖為根據本發明之LCD中之像素構造之頂視平面圖。 參照第2圖，多數條閘極排線2 2和數據排線24相互垂直妒 列 成 閘極絕緣層（圖未示）在閘極排線22和數據排線24間形 以由此電性絕緣。 一 T F T 3 0在閘極排線2 2和數據排線2 4之交叉處形成。丁 f 3 0包括形成一部分閘極排線之閘極電極、在閘極電極上形成 圖樣形狀之半導體層（圖未示）、以及和半導體層一邊和其 他邊之末端重疊之源/汲極電極（s〇urce/drain 成 elect^odes)24a 和 24b。源極電極（source electr〇des)24a 形 島狀形狀，並且汲極電極（drain electr〇des)24b形成從數姐 排線2 4延伸之形狀。 保漠層（圖未示）在生成之構造上形成，以保護^丁 30。由透明金屬例如IT0所製造之像素電極26，在由和源極 極(^ource electrodes)24a相接觸之閘極排線22和數據排線μ 所疋義之像素區域中形成。 :彩色濾波基板和陣列基板相對排列，由此在上部位之 i:ϊ ί濾波基板包含了形成和每一像素相對應之彩色濾波 ^ Ρ #不、在和像素介面相對應之閘極排線22和數據排 成之黑色矩陣32、以及在包括彩色渡波器和黑 色巨陣之查個區域上形成之計數電極（圖未示）。 波基數個液晶分子之液晶層填充於陣列基板和彩色遽

第10頁 200408879 五、發明說明（5) ' '" '一" 癱 像素電極26 —般形成矩形形狀，並從而在邊緣上形成多 數個銳角端。銳角端2 6 a在黑色矩陣3 2區域中形成，那即是， 在使，者從彩色濾波基板前方觀看LCD時被，該區域黑色矩 7保屢。銳角端2 6 a在鄰近閘極排線2 2或數據排線2 4之一或 多區域上，令人滿意地形成。 在本像素構造中’當數據信號電壓被施加在像素電極 =，在端角構成區域和其他區域（之後以『内部區域』稱 呼）形成具有不同電壓之電場。那即是，根據較小角度具有 避雷針性質而形成更密集電場之原理，在端角構成區域上形 成比在内部區域上更密集之電場。 在本實施例中’當數據信號電壓被施加到像素電極時， 在像素=之離子被移動到端角構成區域，在其上形成一更密 ，，電％ ’然後’離子被吸附在端角構成區域，㈤而產生數 號電壓之失真。然而，在端角構成區域被設置於黑色矩 P一之後，通過失真數據信號電壓之螢幕不會對使用者顯 不，那即是，在此區域由黑色矩陣保護。 因此，本發明能藉由誘導數據信號電壓失 陣無法向使用者顯示之區域，預防由於離子之不正常光：矩 如^所述，本發明之LCD在LCD中之離子被移到黑色矩陣内側 之後’能預防經由長時間驅動和施加直流成分之電壓(dc c〇mp〇nent v〇ltage)所產生之液晶驅 =營幕品質，而該等蝴實可以改進習見者之弊， =諸公開使用’合於專利法之規定，懇請賜予專利，實為 200408879

第12頁 200408879 圖式簡單說明 · 第1圖為習見LCD中像素構造之頂視平面圖。 第2圖為根據本發明之LCD中像素構造之頂視平面圖。 〈圖示中元件編號與名稱對照） 2 :閘極排線 4 :數據排線 4a、4b :汲極電極 6 :像素電極 10 TFT (薄膜電晶體） 12 黑色矩陣 22 閘極排線 24 數據排線 2 4 a、2 4 b :沒極電極 2 6 :像素電極 2 6 a :銳角端 30 : TFT (薄膜電晶體） 3 2 :黑色矩陣

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Claims (1)

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   六、申請專利範圍 種液晶顯示器 一陣列基板，在盆卜容激攸 士排列、一TFT乃在排線交叉處、/而且數據排線相互垂 定義之像素區域中形成； 素電極在由排線月 :和陣列基板相結合之彩㈣波基板，在其 和像素區域相對應之彩色濾波器、一對應 I ^成有 之黑色矩陣、且一計數電極乃形成在包含而：成 矩陣整個表面上；以及 色，慮波器和黑色 分子而被填充於陣列基板 且在其邊緣形成多數個銳 一液晶層，其包含多數個液晶 和彩色濾波基板之間， 其中像素電極具有矩形形狀， 角端。 2·如申請專利範圍第1項所述之液晶顯示器，发 角端在一或更多個鄰近數據排線或閘極排線 I、中所述姜兒 緣上形成。 跟素電極之邊 3·如申請專利範圍第1項所述之液晶顯示器，1 角端被排列在黑色矩陣區域中。 〃中所述銳

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