TW200408816A - Anisotropic conductive connector and electrically conductive paste constitution, probe member, wafer inspection apparatus and wafer inspection method - Google Patents

Description

200408816 Π) 玖、發明說明 【發明所屬之技術領域】 本發明係有關於一種使用在在晶圓的狀態下對被形成 在晶圓之多個的積體電路進行電氣檢查的向異導電性連接 器及用來得到該向異導電性連接器的導電性電糊組成物， 具備該向異導電性連接器的探針構件、以及具備該探針構 件的晶圓檢查裝置以及使用該探針構件的晶圓檢查方法， 更詳細地說係有關於一種針對例如直徑在8英吋以上的晶 圓，且在被形成在此之積體電路中的被檢查電極的總數爲 5,〇〇〇個以上者，適合使用在在晶圓的狀態下對該積體電 路進行電氣檢查的向異導電性連接器及用來得到該向異導 電性連接器之導電性電糊組成物、具備該向異導電性連接 器的探針構件、以及具備該探針構件之晶圓檢查裝置以及 使用該探針構件之晶圓檢查方法。 【先前技術】 一般在半導體積體電路裝置的製程中，乃在例如由矽 所構成的晶圓形成多數的積體電路，之後’藉著針對該些 的積體電路分別檢查基礎的電氣特性而進行選出具有缺陷 之積體電路的探針試驗。接著則藉由切斷該晶圓而形成半 導體晶片，將該半導體晶片收容在適當的封裝物內加以封 裝。更且，藉著針對被封裝之半導體積體電路裝置分別在 高溫環境下檢查其電氣特性’而進行選出具有潛在的缺陷 之半導體積體電路裝置的burn - in試驗。 (2) (2)200408816 在如此之探針試驗或burn - in試驗等之積體電路的電 氣檢查中則使用用來使檢查對象物中之被檢查電極分別在 電氣上連接到測試機的探針構件。該探針構件已知有由根 據與被檢查電極的圖案呈對應的圖案而形成有檢查電極的 檢查用電路基板與被配置在該檢查用電路基板上的向異導 電性彈性體片所構成者。 上述的向異導電性彈性體片以往即已知有各種的構造 ，例如在特開昭5 1 — 93 3 93號公報中已揭露有將金屬粒子 均勻地分散在彈性體中而得到之向異導電性彈性體片（以 下稱爲「分散型向異導電性彈性體片」），又，在特開昭 5 3 - 1 4 7 7 7 2號公報中則揭露有由藉由將導電性磁性粒子不 均勻地分佈在彈性體中，而在厚度方向延伸的多個的導電 部、以及將該些彼此絕緣的絕緣部所構成的向異導電性彈 性體片（以下稱爲「偏在型向異導電性彈性體片」）。更 且，在特開昭6 1 - 25 0906號公報則揭露有一在導電部的表 面與絕緣部之間形成有段差的偏在型向異導電性彈性體片 〇 此外，由於偏在型向異導電性彈性體片是根據與所要 檢查之積體電路之被檢查電極的圖案呈對應的圖案而形成 導電部，因此相較於分散型向異導電性彈性體片，即使對 於被檢查電極的配列間距，亦即，相鄰之被檢查電極的中 心間距離小的積體電路等，就能夠以局的信賴性來達成電 極間之電氣連接乙點乃較有利。 對於如此之偏在型向異導電性彈性體片而言，在與檢 -6- (3) 200408816 查用電路基板以及檢查對象物的電氣連接作業中，必須 特定的位置關係相對於該些加以保持固定。 然而’向異導電性彈性體片是一柔軟且容易發生變 的東西，因此其操作性低。又，近年來伴隨著電氣製品 小型化或是高密度配線化，使用在此的積體電路裝置會 電極數目增加，電極的配列間距變得更小而高密度化的 向。因此在針對檢查對象物的被檢查電極進行電氣檢查 ’因此很難對偏在型向異導電性彈性體片進行對位以及 持固定。 又，在burn - in試驗中’即使是暫時地實現針對積 電路裝置與偏在型向異導電性彈性體片之所需要的對位 及保持固定時，若是接受由溫度變化所造成的熱履歷過 ’則由於熱膨脹常數在構成作爲檢查對象之積體電路裝 的材料（例如矽）與構成偏在型向異導電性彈性體片的 料（例如矽膠）之間乃有很大的差異，因此在偏在型向 導電性彈性體片的導電部與積體電路裝置的被檢查電極 間會產生偏移，因此會有電氣的連接狀態產生變化而無 維持安定的連接狀態的問題。 爲了要解決此問題，乃提出一由具有開口的金屬製 框架板、以及被配置在該框架板的開口，而其周緣部爲 框架板的開口緣部所支撑之向異導電性片所構成的向異 電性連接器（參照特開平1 1 一 40224號公報）。 該向異導電性連接器一般則依下而製造。 如圖2 3所示，準備好由上模8 0以及與此成對之下模 以 形 的 有 傾 時 保 體 以 程 置 材 異 之 法 的 該 導 8 5 (4) (4)200408816 所構成的向異導電性彈性體片形成用的金屬模，除了將具 有開口 91的框架板90定位而配置在該金屬模內之外，亦將 由將具有磁性的導電性粒子分散在藉由硬化處理而成爲彈 性高分子物質之高分子物質形成材料中而成的成形材料供 給到框架板90之包含開口 91以及其開口周緣部的領域而形 成成形材料層95。在此，在成形材料層95中所含有的導電 性粒子P則處於被分散在該成形材料層95中的狀態。 上述之金屬模中的上模80以及下模85，則具有由根據 與所要成形之向異導電性彈性體片之導電部的圖案呈對應 的圖案而形成的多個的強磁性體層8 1、8 6、以及在已形成 有該些強磁性體層8 1、8 6之位置以外的位置所形成的非磁 性體層82、8 7所構成的成形面，而將對應的強磁性體層8 1 、8 6配置成彼此相向。 此外，在上模80的上面以及下模85的下面則例如配置 有一對的電磁鐵，藉著讓其作動，可以在成形材料層95， 在位於上模8 0的強磁性體層8 1與和此對應之下模8 5的強磁 性體層8 6之間的部分，亦即，成爲導電部的部分，將較此 以外的部分爲大之強度的磁場作用在該成形材料層95的厚 度方向。結果，被分散在成形材料層9 5中的導電性材料5 P ，則集合在該成形材料層9 5中被作用有大的強度的磁場的 部分，亦即，位在上模8 0的強磁性體層8 1與和此對應之下 模8 5的強磁性體層8 6之間的部分，更且，則配向並排在厚 度方向。此外，在該狀態下，由藉著進行成形材料層9 5的 硬化處理而在配向並排在厚度方向的狀態下含有導電性粒 (5) 200408816 子P之多個的導電部、以及使該些導電部彼此絕緣 部所構成的向異導電性彈性體片，則在其周緣部爲 的開口緣部所支撑的狀態下被形成，進而則製造出 電性連接器。 根據該向異導電性連接器，由於向異導電性彈 爲金屬製的框架板所支撑，因此不易變形而容易操 ，藉由事先在框架板形成定位用標誌（例如孔）， 體電路裝置的電氣連接作業中很容易針對該積體電 進行對位以及保持固定。又，藉著使用熱膨脹常數 爲構成框架板的材料，由於向異導電性片的熱膨脹 架板所限制，因此即使是接受由溫度變化所造成的 過程時，也可以防止偏在型向異導電性彈性體片的 與積體電路裝置的被檢查電極發生偏移，而能夠安 持良好的電氣連接狀態。 但是在針對被形成在晶圓的積體電路所進行的 驗’以往乃採用將晶圓分割爲已形成有多個積體電 如1 6個或3 2個的積體電路的多個區域，而針對形成 域之所有的積體電路一次進行探針試驗，而依序對 域中所形成的積體電路進行探針試驗的方法。 此外’近年來爲了要提升檢查效率以及降低成 要求針對形成在晶圓的多數積體電路中例如64個写 或全部的積體電路一次進行探針試驗。 另一方面，在b u r η — i η試驗中，由於作爲檢查 積體電路裝置係微小且不便於操作，因此要針對多 的絕緣 框架板 向異導 性體片 作，又 則在積 路裝置 小者作 會爲框 熱履歷 導電部 定地維 探針試 路中例 在該區 其他區 本，乃 ^ 1 2 4 個 對象的 個的積 -9- (6) (6)200408816 體電路裝置個別地進行電氣檢查而需要長時間’因此檢查 成本變得相當的高。根據此一理由，乃提出一針對被形成 在晶圓上的多個的積體電路，在晶圓的狀態下一次進行該 些 burn — in試驗的 WLBI ( Waffer Label Burn - In )試驗。 然而，當作爲檢查對象的晶圓例如爲直徑在8英吋以 上的大型晶圓，而其被檢查電極的數目在5，〇 〇 〇以上，特 別是在1 0，0 0 0以上時，由於各積體電路中的被檢查電極的 間距極小，因此若使用以上的向異導電性連接器作爲用在 探針試驗或WLBI試驗的探針構件時，則會有以下的問題 〇 亦即，爲了要檢查直徑例如爲8英吋（約20 cm )的晶 圓，則向異導電性連接器必須要使用其向異導電性彈性體 片的直徑爲8英吋左右者。然而，該向異導電性彈性體片 是一整體的面積大的東西，但由於各導電部微細，且導電 部表面的面積相對於該向異導電性彈性體片表面的比例小 ，因此很難確實地製造出該向異導電性彈性體片。結果在 製造向異導電性彈性體片時，其良品率會劇烈地降低，逐 使得向異導電性彈性體片的製造成本上升，進而會導致檢 查成本增加。 又，當使用以上的向異導電性連接器作爲用於採針試 驗的探針構件時會有以下的問題。 向異導電性彈性體片中的導電性粒子一般則使用在例 如由鎳等的強磁性體所構成的芯粒子的表面形成例例如由 全等的高導電性金屬所構成的被覆層。 -10- (7) (7)200408816 此外，在探針試驗中，如上所述，乃利用一將晶圓分 割爲2個以上的區域，針對所分割的各區域，針對形成在 該區域的積體電路一次進行探針試驗的方法，但是當針對 以高的集成度形成在直徑爲8英吋或1 2英吋之晶圓上的 積體電路進行探針試驗時，則必須針對一個晶圓進行多次 的檢查處理過程。因此，爲了要針對多數的晶圓進行探針 試驗，則所使用的向異導電性彈性體片必須要求是一對於 反覆使用的耐久性高者。然而，以往的向異導電性彈性體 片，當經過多次反覆地使用時，由於導電性粒子中的芯粒 子會露出到表面，因此，會使得該導電性粒子的導電性顯 著地降低，而很難維持所需要的導電性。 又，當使用以上的向異導電性連接器作爲用於WLBI 試驗的探針構件時，則會有以下的問題。 在WLBI試驗中，向異導電性彈性體片，其導電部會 爲作爲檢查對象之晶圓中的被檢查電極與檢查用電路基板 的檢查用電極所挾壓，而在此狀態下長時間地被暴露在高 溫環境下。然而當在此嚴苛的條件下反覆地使用向異導電 性彈性體片時，則由於構成導電性粒子中之芯粒子的強磁 性體會移到形成被覆層的高導電性金屬中，因此會導致該 導電性粒子的導電性顯著地降低，逐無法維持所需要的導 電性。 又，向異導電性彈性體片，其導電部爲晶圓中的被檢 查電極與檢查用電路基板的檢查用電極所挾壓，因此形成 該導電部的基材會變形成被壓縮在厚度方向而延伸在面方 -11 - (8) (8)200408816 向。結果，由於導電性粒子會隨著基材的變形而移動，而 使得該導電性粒子的鏈鎖成爲彎曲的狀態。更且，在此狀 態下，藉由將向異導電性彈性體片暴露在高溫環境下，會 會導致形成導電部的基材大大地膨脹，由於導電性粒子會 隨著基材的膨脹而移動，逐會導致導電性粒子之鏈鎖的狀 態發生變化。此外，當向異導電性彈性體片反覆地使用在 WLB I試驗中時，則在構成導電部的基材會產生永久的應 變’更且，由該永久應變使得導電性粒子的鏈鎖產生混亂 的結果會變得無法維持所需要的導電性。 又，構成晶圓的材料，例如是矽的線熱膨脹係數爲 3·3 X ΙΟ· ό/ Κ左右，另一方面，構成向異導電性彈性體 片的材料，例如矽膠的線熱膨脹係數爲2.2 X 1 (Γ4 / Κ左右 。因此，例如在25 °C下，在將直徑分別爲20 cm的晶圓以 及向異導電性彈性體片從2〇t加熱到1 20 °C時，理論上雖 然晶圓的直徑的變化只有0.0066 cm，但向異導電性彈性 體片之直徑的變化可達到0.44 cm。 如此般，當在晶圓與向異導電性彈性體片之間在面方 向上之熱膨脹的絕對値產生大的差距時，則即使是藉由具 有與晶圓的線熱膨脹係數同等之線熱膨脹係數的框架板來 固定向異導電性彈性體片的周邊部，在進行WLBI試驗時 ’則很難防止在晶圓的被檢查電極與向異導電性彈性體片 的導電部產生偏移。 又，用在WLBI試驗的探針構件，則已知有由將向異 導電性彈性體片固定在由例如具有與晶圓之線熱膨脹係數 -12- 200408816 Ο) 同等之線熱膨脹係數的陶瓷所構成的檢查用電路基板上而 成者（請參照例如特開平7 — 2 3 1 01 9號公報、特開平8 — 5 6 6 6號公報）。對於該探針構件，其中將向異導電性彈性 體片固定在檢查用電路基板的手段則例如考慮藉由螺絲等 機械式地固定向異導電性彈性體片的周邊部的手段，藉由 接著劑等來固定的手段。

然而藉由螺絲等來固定向異導電性彈性體片之周邊部 的手段’則基於與固定在上述框架板同樣的理由很難防止 在晶圓的被檢查電極與向異導電性彈性體片的導電部之間 發生偏移。

另一方面’藉由接著劑等來固定的手段，爲了要確實 地達成對於檢查用電路基板的電氣連接，則必須將接著劑 只塗佈在向異導電性彈性體片的絕緣部，而使用在WLB I 試驗中的向異導電性彈性體片，由於導電部的配置間距小 ，而相鄰的導電部間的相離距離小，因此實際上很難如此 做。又，藉由接著劑來固定的手段，則當向異導電性彈性 體片發生故障時，則無法只將該向異導電性彈性體片更換 爲新的，而必須將包含檢查用電路基板在內的探針構件整 個加以更換，結果會導致檢查成本增加。 【發明內容】 本發明即有鑑於以上之問題，其第1目的在於提供一 種針對在晶圓的狀態下對被形成在晶圓之多個積體電路進 行電氣檢查時所使用的向異導電性連接器，當作爲檢查對 -13- (10) (10)200408816 象的晶圓例如爲8英吋以上的大面積’而在所形成之積體 電路中的被檢查電極的間距小時’也能夠很容易對該晶圓 進行對位以及保持固定，又，即使是經過多次反覆地使用 ，也能夠維持良好的導電性，且對於反覆使用的耐久性高 ，可得到長的使用壽命的向異導電性連接器。 本發明之第2目的係除了上述第1目的外，提供一即使 是反覆地使用在高溫環境下的試驗時’即使經過長時間也 能夠維持良好的導電性、熱的耐久性高，且可以得到長的 使用壽命之向異導電性連接器。 本發明之第3目的係除了上述目的外，提供一即使對 於由溫度變化所造成之熱履歷等的環境的變化’也能夠安 定地維持良好之電氣連接狀態的向異導電性連接器。 本發明之第4目的在於提供一適用在形成上述向異導 電性連接器中之彈性向異導電膜的導電性電糊組成物。 本發明之第5目的在於提供一即使作爲檢查對象的晶 圓例如8英吋以上的大面積，且在所形成之積體電路中的 被檢查電極的間距小時，也容易對該晶圓進行對位以及保 持固定，又，即使是反覆地使用在高溫環境下時，經過長 時間也能夠維持良好的導電性、熱的耐久性高，且可得到 長的使用壽命的探針構件。 本發明之第6目的在於提供一使用上述的探針構件， 而在晶圓的狀態下針對形成在晶圓之多個積體電路進行電 氣檢查之晶圓檢查裝置以及晶圓檢查方法。 本發明之第7目的在於提供一在針對以高的集成度形 -14- (11) (11)200408816 成在直徑爲8英吋或1 2英吋的晶圓上的積體電路進行探針 試驗時，對於反覆使用的耐久性高的向異導電性連接器以 及探針構件。 本發明之第8目的在於提供一在針對以高的集成度形 成在大面積的晶圓上而具有突起狀電極的積體電路進行電 氣檢查時，對於反覆使用的耐久性高之向異導電性連接器 以及探針構件。 本發明之向異導電性連接器，其主要係一針對形成在 晶圓上的多個積體電路在晶圓的狀態下進行該積體電路之 電氣檢查時所使用的向異導電性連接器，其特徵在於： 係由針對在被形成在作爲檢查對象之晶圓上的全部或 一部分的積體電路中之已配置了被檢查電極的電極領域形 成分別在厚度方向延伸之多個向異導電膜配置用孔的框架 板、與被配置在該框架板之各向異導電膜配置用孔內，而 爲該向異導電膜配置用孔的周邊部所支撑的多個彈性向異 導電膜所構成， 上述彈性向異導電膜分別是由彈性高分子物質所形成 ，而是由具有對應於在被形成在作爲檢查對象之晶圓的積 體電路中的被檢查電極而配置，而密集地含有具有磁性的 導電性粒子而在厚度方向延伸的多個連接用導電部、以及 讓該些連接用導電部互相絕緣之絕緣部的功能部、與呈一 體地被形成在該功能部的周緣，而被固定在上述框架板中 之異方向性導電膜配置用孔之周緣部的被支撑部所構成。 在上述彈性向異導電膜之連接用導電部中所含有的導 -15- (12) (12)200408816 電性粒子，則是在具有磁性的芯粒子的表面被覆有高導電 性金屬，高導電性金屬相對於該芯粒子的比例則在1 5質量 %以上，且根據下式（1 )而算出，而由高導電性金屬所 構成之被覆層的厚度t在50 nm以上。 公式（l)t=〔l/(Sw.p) ] X [ N/ ( 1 - N)〕 〔但是，t爲由高導電性金屬所構成之被覆層的厚度 (m ) 、Sw爲芯粒子的BET比表面積（m2/kg) 、p爲高 導電性金屬的比重（kg/ m3 ) 、N表示（高導電性金屬的 質量/導電性粒子整體的質量）的値。〕 本發明之向異導電性連接器，導電性粒子，則以下所 示的電阻値R的値在〇 · 3 Ω以下。 電阻値R:藉著將導電性粒子0.6 g與液狀橡膠0.8 g實 施混練而調製出膏狀組成物，將該膏狀組成物配置成彼此 依〇 . 5 mm的相離距離而面對地配置在直徑分別爲1 mm的 一對的電極之間，讓0.3 T的磁場作用在該一對的電極之 間’而在該狀態下放置到直到該一對的電極間的電阻値成 爲安定爲止時的該電阻値。 本發明之向異導電性連接器，導電性粒子的B E T比表 面積爲10〜5 00 m2/ kg。 本發明之向異導電性連接器，前述框架板的線熱膨脹 係數在3 χΙΟ·5/ K以下。 又，形成彈性向異導電膜的彈性高分子物質是一附加 型液狀矽膠的硬化物，在i 5 〇艽下的壓縮永久應變在1 〇 % 以下，且DurometerA硬度爲1〇〜60。 -16- (13) (13)200408816 又，形成彈性向異導電膜的彈性高分子物質，其 Durometer A硬度爲 25 〜40。 又，形成彈性向異導電膜的彈性高分子物質，其撕裂 強度爲8 KN/ m以上。 本發明之導電性電糊組成物，其特徵在於： 含有可硬化的矽膠，與在具有磁性之芯粒子的表面被 覆高導電性金屬而成的導電性粒子，上述導電性粒子，其 高導電性金屬相對於芯粒子的比例在1 5質量％以上，且根 據以上記載的公式而算出，由高導電性金屬而構成之被覆 層的厚度t在50 nm以上。 該導電性電糊組成物是一用來形成上述向異導電性連 接器中之彈性向異導電膜的導電性電糊組成物。 本發明之探針構件，其主要係一針對被形成在晶圓上 之多個積體電路，在晶圓的狀態下進行該積體電路之電氣 檢查時所使用的探針構件， 具備有：根據與在被形成在作爲檢查對象之晶圓上之 積體電路中的被檢查電極的圖案呈對應的圖案，而在表面 形成有檢查電極的檢查用電路基板、與被配置在該檢查用 電路基板的表面之上述的向異導電性連接器。 本發明之探針構件，在向異導電性連接器中的框架板 的線膨脹係數在3 X 1 (Γ 5 / K以下，而構成檢查用電路基 板的基板材料的線膨脹係數在3 xl (Γ5 / K以下。 又，在向異導電性連接器上配置有由絕緣片、與將該 絕緣片貫穿於其厚度方向而延伸，而根據與被檢查電極的 -17- (14) (14)200408816 圖等呈對應的圖案而配置之多個電極構造體所構成的片狀 連接器。 本發明之晶圓檢查裝置，其主.要係一針對被形成在晶 圓上之多個積體電路，在晶圓的狀態下進行該積體電路的 電氣檢查之晶圓檢查裝置，其特徵在於： 具備有上述的探針構件，經由該探針構件而達成針對 被形成在作爲檢查對象之晶圓上的積體電路的電氣連接。 本發明之晶圓檢查方法，其特徵在於： 將被形成在晶圓上之多個的積體電路分別經由上述的 探針構件而在電氣上與測試器連接，而對被形成在該晶圓 上的積體電路進行電氣檢查。 根據以上的向異導電性連接器，係對應於被形成在作 爲檢查對象之晶圓上的全部或一部分的積體電路中已配置 了被檢查電極的電極領域而形成多個的向異導電膜配置用 孔，由於在各該向異導電膜配置用孔配置有彈性向異導電 膜，因此很難變形且容易操作，在與晶圓的電氣連接作業 中，針對該晶圓很容易進行對位以及保持固定。 又，在彈性向異導電膜的連接用導電部中所含有的導 電性粒子，由於其高導電性金屬相對於芯粒子的比例在1 5 質量％以上，而由該高導電性金屬所構成的被覆層的厚度 t在5 0 nm以上，因此即使是經過多次反覆地使用，也能夠 抑制在導電性粒子中的芯粒子露出在表面，結果能夠確實 地維持所需要的導電性。 又’在高溫環境下反覆地使用時，則即使使用來構成 -18- (15) 200408816 導電性粒子中的芯粒子的材料移到高導電性金屬中時，由 於在§亥導電性粒子的表面仍存在高比例的闻導電性金屬’ 因此能夠防止該導電性粒子顯著地降低。

又，用來形成彈性向異導電膜的彈性高分子物質是一 附加型液狀矽膠的硬化物，其在1 5 0 °c下的壓縮永久應變 在10%以下，且Durometer A硬度爲10〜60，藉此，即使 是多次反覆地使用時，也可以抑制在連接用導電部產生永 久應變，藉此可以抑制在連接用導電部中之導電性粒子的 連鎖產生混亂，而更能確實地維持所需要的導電性。 更且，用來形成彈性向異導電膜的彈性高分子物質， 藉著使用Durometer A硬度爲25〜40者，即使是在高溫環 境下反覆地使用在試驗時，也可以抑制在連接用導電部產 生永久應變，而能夠抑制在連接用導電部中之導電性粒子 的連鎖產生混亂，結果經過長的時間後也能夠確實地維持 所需要的導電性。

由於被配置在各該向異導電膜配置用孔的彈性向異導 電膜的面積小，因此很容易形成各彈性向異導電膜。又， 面積小的彈性向異導電膜，即使是接受到熱履歷處理，由 於在該彈性向異導電膜之面方向上的的熱膨脹的絕對量小 ，因此藉著使用線熱膨脹係數小者作爲構成框架板的材料 ，則可確實地藉由框架來限制在彈性向異導電膜之面方向 上的熱膨脹。因此，即使是針對大面積的晶圓進行WLBI 試驗，也能夠安定地維持良好的電氣連接狀態。 -19- (16) (16)200408816 【實施方式】 以下則針對用於實施本發明的形態詳細地說明° 〔向異導電性連接器〕 圖1爲表示本發明之向異導電性連接器之一例的平面 圖、圖2爲將圖1所示之向異導電性連接器的一部分加以放 大表示的平面圖、圖3爲將圖1所示之向異導電性連接器中 之彈性向異導電膜加以放大表示的的平面圖、圖4爲將圖1 所示之向異導電性連接器中的彈性向異導電膜加以放大表 示的說明用斷面圖。 圖1所示之向異導電性連接器是一針對例如已形成有 多個積體電路的晶圓，在晶圓的狀態下對該積體電路之各 自的電氣檢查來使用者，如圖2所示，具有分別貫穿於厚 度方向而延伸之多個的向異導電膜配置用孔1 1 (以虛線來 表不）的框架板1 0。該框架板〗0的的向異導電膜配置用孔 1 1則是對應於已配置了形成在作爲檢查對象的晶圓之全部 的積體電路中的被檢查電極的電極領域而形成。而在厚度 方向具有導電性的彈性向異導電膜2 0則在被支撑在該框架 板1 〇之該向異導電膜配置用孔丨丨的周邊部的狀態下，且與 相鄰的彈性向異導電膜互相獨立的狀態下被配置在框架板 1 0的各向異導電膜配置用孔i丨內，又，在本例的框架板1 〇 ’當在後述的晶圓檢查裝置中使用減壓方式的加壓機構時 ’則形成有用以讓位在該向異導電性連接器與和此相鄰之 構件之間的空氣流通的空氣流通孔1 5。更且，則形成有用 -20- (17) (17)200408816 於作爲檢查對象之晶圓以及檢查用電路基板的定位的定位 孔16。 彈性向異導電膜20是由彈性高分子物質所形成，如圖 3所示，具有由在厚度方向（在圖3中爲與紙面呈垂直的方 向）延伸的多個的連接用導電部22、與被形成在該連接用 導電部22之各自的周圍，而使該連接用導電部22互相絕緣 的絕緣部2 3所構成的功能部2 1，該功能部2 1則被配置成位 在框架板1 0的向異導電膜配置用孔1 1。在該功能部2 1中的 連接用導電部22，則是一根據與在被形成在作爲檢查對象 之晶圓之積體電路中的被檢查電極的圖案呈對應的圖案來 配置，而在該晶圓的檢查中在電氣上與該被檢查電極連接 者。 在功能部2 1的周緣，則被固定支撑在框架板1 〇中之向 異導電膜配置用孔1 1的周緣部的被支撑部2 5及與該功能部 2 1呈一體地連續地被形成。具體地說，在該例中的被支撑 部2 5則被形成爲雙股狀，而如把持著框架板1 〇中之向異導 電膜配置用孔1 1的周邊部般在密接的狀態下被固定支撑。 在彈性向異導電膜2 0的功能部2 1中的連接用導電部2 2 ，則如圖4所示乃密集地包含有如配向排列在厚度方向之 具有磁性的導電性粒子P。相較於此，絕緣部23則完全或 幾乎不含有導電性粒子P。在該例中，在彈性向異導電膜 20中的被支撑部25則含有導電性粒子P。 又，在圖示的例子中，在彈性向異導電膜20中之功能 部2 1的兩面，則在連接用導電部2 2以及其周邊部分所在的 -21 - (18) 200408816 位置則形成有從以外的表面而突出的突出部24。 框架板1 〇的厚度雖然因其材質而異，但最好是2 5 6 0 0 /i m，又，更好是 4 0 〜4 0 0 // m。 當該厚度不到25 // m時，則無法得到對於使用向異 電性連接器時爲必要的強度，而容易成爲耐久性低者。 ，也無法獲得能夠維持該框架板1 0之形狀之程度的剛性 而成爲向異導電性連接器的處理性低者。另一方面，當 度超過600 // m時，則形成在向異導電膜配置用孔1 1的 性向異導電膜20的厚度會變得過大，而很難獲得在連接 導電部22中的良好的導電性以及在相鄰之連接用導電部 之間的絕緣性。 在框架1 〇之向異導電膜配置用孔1 1之面方向的形狀 及尺寸則根據作爲檢查對象之晶圓的被檢查電極的尺寸 間距以及圖案來設計。 構成框架板10的材料，只要是具有該框架板10不容 產生變形’而能夠安定地維持其形狀之剛性者即可，而 未特別加以限制，例如可以使用金屬材料、陶瓷材料、 脂材料等的各種的材料。當例如以金屬材料來構成框架 1 〇時，則也可以在該框架板i 〇的表面形成絕緣性覆膜。 構成框架板1 0的金屬材料的具體例則可以是鐵、銅 鎳、鉻、鈷、鎂、錳、鉬、銦、鉛、鈀、鈦、鎢、鋁、 、鉑、鈀等的金屬或是由2種以上組合而成的合金或合 鋼等。 構成框架板1 0的樹脂材料的具體例則可以是液晶共 導 又 厚 弓早 用 2 2 以 易 並 樹 板 金 金 聚 -22- (19) (19)200408816 物（polymer )、聚醯亞胺樹脂等。 又’框架板1 0可以藉由後述的方法，而容易讓在彈性 向異導電膜20中的被支撑部25含有導電性粒子p，最好至 少向異導電膜配置用孔1 1的周邊部，亦即，用來支撑彈性 向異導電0吴2 0的部分是一具有磁性者，具體地說是一其飽 和磁化在0 · 1 W b / m 2以上者。特別是就容易製作該框架板 1 0乙點’則最好框架板1 〇整個是由磁性體來構成。 構成如此之框架板1 〇的磁性體的具體例則可以是鐵、 鎳、銘、或該些磁性金屬的合金、或該些磁性金屬與其他 的金屬的合金、或合金鋼等。 又’當將向異導電性連接器用於W L B I試驗上時，則 構成框架板1 0的材料最好使用線熱膨脹係數在3 χ丨〇·5 / K 以下者，最好是一 1χ1〇·7〜ΐχΐο-5/κ，又，更好是 1 〇-6 〜8 X 1 (Γ6 / Κ。 該材料的具體例可以是不脹鋼等的不脹鋼型合金、 elinvar等elinvar型合金、超級不脹鋼、鈷、42合金等的磁 性金屬的合金或合金鋼等。 彈性向異導電膜2 0的全部的厚度（在圖示的例子中爲 在連接用導電部22中的厚度）最好是50〜2,000//m，再 好是70〜1，〇〇0// m，更好是8〇〜5〇〇// m。若厚度在5〇 // m以上時，則可以得到具有足夠的強度的彈性向轉導電 膜2〇。另一方面，若厚度在2,〇〇〇 # m以下，則確鹭可以 得到一具有所需要之導電性特性的連接用導電部2 2。 突出部24的突出高度最好其總計要在該突出部24之厚 -23- (20) (20)200408816 度的10%以上，再好是20%以上。藉著形成具有如此之突 出高度的突出部2 4，由於可以用小的加壓力將連接用導電 部2 2充分地加以壓縮，因此確實能得到良好的導電性。 又，突出部24的突出高度最好是在該突出部24的最短 寬度或直徑的100%以下，再好是70%以下。藉著形成具 有如此之突出高度的突出部24，由於在該突出部24被加壓 時不會發生彎曲的情形，因此確實能夠得到所期待的導電 又，被支撑部2 5的厚度（在圖示的例子中爲雙股部分 之其中一者的厚度）最好是5〜250#m，再好是10〜150 //m，更好是 15 〜100//m。 又，被支撑部25並不是一定要被形成爲雙股狀’也可 以只被固定在框架板1 〇的一面。 形成彈性向異導電膜20的彈性高分子物質最好是具有 架橋構造之耐熱性的高分子物質。爲了要得到上述架橋高 分子物質而使用的硬化性的高分子物質形成材料雖然可以 使用各種的材料，但最好是液狀矽膠。 液狀矽膠雖然可以是附加型或是縮合型，但最好是附 加型液狀矽膠。該附加型液狀矽膠是一藉由乙烯基與Si -Η結合的反應而硬化者，雖然可以是一由含有乙烯基以及 Si - Η結合兩者的聚矽氧烷所構成之單液型（單成分型） 者、或由含有乙烯基的聚矽氧烷以及含有Si - Η結合的聚 矽氧烷所構成之雙液型（雙成分型）者，但在本發明中最 好是使用雙液型的附加型液狀矽膠。 -24- (21) (21)200408816 附加型液狀矽膠最好是使用在2 3 °C下的粘度爲1 〇 〇〜 1，250 Pa· S者，再好是150〜800 Pa· S，更好是250〜500 P a · S。當該粘度不足1 〇 〇 P a · S時，則爲了得到後述之彈 性向異導電膜2 0的成型材料’則在該附加型液狀砂膠中的 導電性粒子容易產生沈降’而無法得到良好的保存安全性 ，又，當平行磁場作用在成型材料層時，則導電性粒子不 會配向排列在厚度方向’而有時很難以一致的狀態來形成 導電性粒子的鏈鎖。另一方面’當該粘度超過1250 Pa· S時’由於所得到的成型材料的粘度高，因此有時很難在 金屬模內形成成形材料層’又，即使讓平行磁場作用在成 形材層，導電性粒子也不會充分地移動，因此有時很難讓 導電性粒子配向排列在厚度方向。 該附加型液狀砂膠的粘度可以藉由B型粘度計來測 量。 在藉著以液狀矽膠的硬化物（以下稱爲「矽膠硬化物 」）來形成彈性向異導電膜2 0時，該矽膠硬化物在1 5 〇 t 下的壓縮永久應變最好是在1 〇 %以下，再好是8 %以下， 更好是在6%以下。當該壓縮永久應變超過1〇%時，則當 所得到的向異導電性連接器反覆地使用多次時，或在高溫l 環境下反覆地使用時，則在連接用導電部22容易發生永久 應變，因此在連接用導電部22中之導電性粒子的鏈鎖產生 混亂的結果，則會很難維持所需要的導電性。 在此，矽膠硬化物的壓縮永久應變則可以藉由依據 JIS K 6249的方法來測量。 -25- (22) (22)200408816 又，形成彈性向異導電膜20的矽膠硬化物，最好在23 °C下的Duro meter A硬度在10〜60，再好是15〜60，更好 是20〜60。當該Durometer A硬度不足10時，則當被加壓 時，則讓連接用導電部22彼此絕緣的絕緣部23容易過度地 產生應變，有時很難維持連接用導電部22間之所需要的絕 緣性。另一方面，當D u r 〇 m e t e r A硬度超過6 0時，由於爲 了要連接用導電部22給予適當的應變則必須要藉由相當大 的荷重來產生加壓力，因此容易使例如作爲檢查對象的晶 圓產生大的變形或破壞。 又，矽膠硬化物，當使用Durometer A硬度在上述之 範圍外的東西時，則當多次反覆地使用所得到的向異導電 性連接器時，容易在連接用導電部22產生永久應變，因此 ，在連接用導電部22中之導電性粒子的鏈鎖產生混亂的結 果，會導致很難維持所需要的導電性。 更且，當將向異導電性連接器使用在高溫環境下的試 驗例如WLBI試驗時，則形成彈性向異導電膜20的矽膠硬 化合物最好是一在該23 °C下的Durometer A硬度爲25〜40 者。 當矽膠硬化物使用Durometer A硬度在上述範圍以外 者，當將所得到的向異導電性連接器反覆地使用在高溫環 境下的試驗上時，則容易在連接用導電部22產生永久應變 ，因此，在連接用導電部2 2中之導電性粒子的連鎖產生混 亂的結果，會導致很難維持所需要的導電性。 在此，砂膠硬化物的Durometer A硬度則可藉由根據 -26- (23) 200408816 JI S K 6 2 4 9的方法來測量。 又，形成彈性向異導電膜2 0的矽膠硬化物’最好其 23 t下的撕裂強度在8 kN/m以上，更且’最好是在 k N / m以上，更好是在1 5 k N / m以上，又，特好是在 kN/ m以上。當該撕裂強度不足8 kN/ m時，則當對彈 向異導電膜20給予過度的應變時，則容易導致耐久性降 〇 在此，矽膠硬化物的撕裂強度則可以藉由根據 JI S K 6 2 4 9的方法來測量。 具有該特性的附加型液狀矽膠則可以使用在市面上 販售之信越化學工業株式會社製的液狀矽膠「KE 2000 系列、「KE 1 95 0」系列。 在本發明中，爲了要讓附加型液狀矽膠硬化，可以 用適當的硬化觸媒。具體地說可以使用氯化鉑以及其鹽 鉑一含有不飽和基矽氧烷錯合物、乙烯基矽氧烷與鉑的 合物、鉑與1，3二乙烯基四甲基矽氧烷的錯合物、三有 基膦或亞磷酸鹽與鈾的錯合物、乙醯基乙酸鹽鉑螫合物 環狀二烯與鉑的錯合物等之周知的東西。 硬化觸媒的使用量雖然可以考慮硬化觸媒的種類， 他的硬化處理條件而適當地加以選擇，但是通常相對於 加型液狀矽膠100重量％爲3〜15重量％。 又，附加型液狀矽膠的目的在於提高附加型液狀矽 的觸變性（thixotropy )、調整粘度、提高導電性粒子 分散安定性、或得到具有高的強度的基材，因此有必要 在 10 2 0 性 低 所 使 錯 機 其 附 膠 的 包 -27- (24) (24)200408816 含通常的氧化矽粉、膠態氧化矽、氣凝膠、氧化鋁等的無 機塡充材料。 該無機塡充材料的使用量雖然未特別加以限制，但是 當大量地使用時，由於無法充分地藉由磁場來達成導電性 粒子的配向，因此反而不好。 彈性向異導電膜20中的連接用導電部22以及包含在被 支撑部25的導電性粒子P則使用在具有磁性的芯粒子（以 下也稱爲「磁性芯粒子」）的表面被覆有高導電性金屬者 〇 用來得到導電性粒子P的磁性芯粒子最好其數平均粒 徑爲3〜4 0 // m。 在此，磁性芯粒子的數平均粒徑係指藉由雷射繞射散 亂法所測得者。 若上述的數平均粒徑在3 // m以上時，則容易得到-容易產生加工變形、電阻値低且連接信賴性高的連接用導 電部22。另一方面，若上述的數平均粒徑在40 // m以下時 ，則容易形成微細的連接用導電部22，又，所得到的連接 用導電部22容易具有安定的導電性。 又，磁性芯粒子，其BET比表面積最好是1〇〜5 00 m2 /kg，再好是 20 〜500 m2/kg，特好是 50 〜400 m2/kg。 若該BET比表面積在10 m2/kg以上時，由於可以鍍 敷該磁性芯粒子足夠的大，因此可以確實地對該磁性芯粒 子鍍敷所需要的量。因此，除了可以得到導電性大的導電 性粒子P外，在該導電性粒子P之間，由於接觸面積足夠大 -28- (25) (25)200408816 ，因此可以得到安定且高的導電性。另一方面，若該bet 比表面積在5 00 m2/ kg以下時，則該磁性芯粒子不會成爲 脆弱，在施加物理性的應力時很少被破壞，而能保持安定 且高的導電性。 又’磁性芯粒子最好其粒徑的變動係數在5 〇 %以下， 再好是在40%以下，更好是在3〇%以下，特別是在2〇%以 下。 在此’粒徑的變動係數是由公式：（cj/Dn) χίοο (但是σ表不粒徑的標準偏差的値、〇 n表示粒子的數平 均粒）而求得。 若上述粒徑的變動係數在5 0 %以下時，由於粒徑的均 一性大，因此能夠形成導電性的變動小的連接用導電部22 〇 構成磁性芯粒子的材料雖然可以使用鐵、鎳、鈷，藉 由銅、樹脂來被覆（coating )該些金屬而成者，其飽和磁 化最好使用〇·1 Wb/m2以上’再好是〇·3 Wb/m2以上，特 好是0.5 Wb/ m2以上者。具體地說可以是鐵、鎳、鈷、或 該些的合金。 若飽和磁化在0.1 Wb/ m2以上時，則在藉由後述的方 法來形成該向異導電膜2 0的成形材料層中容易讓導電性粒 子P移動，藉此，在成爲該成形材料層中之連接用導電部 的部分可以確實地讓導電性粒子P移動而形成導電性粒子P 的鏈鎖。 爲了要得到連接用導電部2 2而使用的導電性粒子p則 -29- (26) (26)200408816 是一在上述的磁性芯粒子的表面被覆有高導電性金屬者。 在此，所謂的「高導電性金屬」係指在0 °C下的導電 常數在以上者。 該高導電性金屬可以使用金、銀、铑、鉑、鉻等，其 中就在化學上安定且具有高的導電常數的觀點來看最好是 使用金。 導電性粒子P，則高導電性金屬相對於芯粒子的比例 〔（高導電性金屬的質量/芯粒子的質量）x 1 0 0〕設在 15質量％以上，最好是設成25〜35質量％。 若高導電性金屬的比例不足1 5質量％時’當在高溫環 境下反覆地使用所得的向異導電性連接器時’則該導電性 粒子P的導電性顯著降低的結果會導致無法維持所需要的 導電性。 又，導電性粒子P則藉由以下的公式（1 )而算出。由 高導電性金屬所構成之被覆層的厚度t設爲50 1：1111以上’最 好是1〇〇〜200 nm。 t= [l/(Sw · p )]x[N/(l - N)] ......公式（1) (但是t爲由高導電性金屬所構成的被覆層的厚度1 m )，Sw爲芯粒子的BET比表面積（m2/kg) 、口爲高導電 性金屬的比重（kg/ m3 ) 、>^爲（高導電性金屬的重量/ 導電性粒子整體的重量）的値。 以上的公式則依下而導出。 (i )若將磁性芯粒子的重量設爲MP ( kg )時’則磁 性芯粒子的表面積S ( m2 )可根據 -30- (27) (27)200408816 S = S w · M p ......公式（2) 而求得。 (ii )若將由高導電性金屬所構成的被覆層的重量設 爲m ( kg )時，則該被覆層的體積V ( m3 )可根據 V = m/ p ......公式（3 ) 而求得。 (iii )在此，若假設被覆層的厚度沿著導電性粒子的 整個表面爲均一時，則t二V/ S，若將以上的公式（2 )以 及公式（3 )代入於此，則被覆層的厚度t可根據 t=(m/p)/(Sw· Mp)= a/(Sw· p · Mp)......公式（4) 而求得。 (iv )又，由於N爲被覆層的質量相對於導電性粒子 整體的質量的比，因此，該N的値可根據 N=m/ (Mp+m)......公式（5) 而求得。 (v)若以Mp來除去公式（5)之右邊的分子·分母 時 則N二（m/Mp) / (1+m/Mp)，若兩邊皆來上（

1 + m / Mp )時，貝IJ N(l+m/Mp) = m/Mp N+N(m/Mp)二 m/Mp，若將 N(m/Mp)移到右 邊時 貝丨jN=m/Mp— N(l+m/Mp) = (m/Mp) ( 1 — N )，若兩邊除以（1 一 N )時， -31 - (28) (28)200408816 貝丨_] N/ ( 1 — N )二 m / Mp 因此，磁性芯粒子的重量MP可根據

Mp = ηι/[Ν/( 1 - N)] = m( 1 — N)/N ......公式（6) 而求得。 (vi )因此，若將公式（6 )代入公式（4 )時’則可 以導出 t = 1 / [ S w · ρ · (1— N) / N〕 =〔1/ (Sw· ρ )〕x〔N/ (1— N)〕 若該被覆層的厚度〖在50 nm以上時，則當在高溫環境 下反覆地使用該向異導電性連接器時，構成磁性芯粒子的 強磁性體即使移至構成被覆層的高導電性金屬中’由於在 該導電性粒子P的表面存在有高比例的高導電性金屬’因 此，該導電性粒子P的導電性不會顯著地降低，而能維持 所期待的導電性。 又，導電性粒子P的BET比表面積最好是10〜5 00 m2 / kg。 若該BET代表面積在10 m2/kg以上時，由於被覆層 的表面積足夠大，因此能夠形成高導電性金屬的總重量大 的被覆層，因此，除了能夠得到導電性大的粒子外，在該 導電性粒子P之間，由於接觸面積足夠大，因此能夠得到 安定且高的導電性。另一方面，若該BET比表面積在500 m2/ kg以下時，則該導電性粒子不會成爲脆弱，在施加物 理性的應力時很少被破壞，因此能保持安定且高的導電性 -32- (29) (29)200408816 又，導電性粒子P的數平均粒徑最好是3〜40 // m，又 更好是6〜2 5 // m。 藉著使用如此的導電性粒子P，所得到的彈性向異導 電膜20會容易產生加壓變形，又，對於該彈性向異導電膜 20中的連接用導電部22，在導電性粒子P之間也可以得到 充分的電氣接觸。 又’導電性粒子P的形狀，雖然未特別限制，但就能 夠容易散佈在高分子物質成形材料中乙點來看，最好是球 狀、星星狀、或由該些凝集而成的2次粒子所構成的塊 狀者。 又，導電性粒子P最好是一以下所示的電阻値R在〇 . 3 Ω以下者，再好是0. 1 Ω以下者。 電阻値R :藉由將導電性粒子0.6 g與液狀橡膠0.8 g實 施混練而調製出電糊組成物，將該電糊組成物配置在依據 0 · 5 mm的相離距離而配置成彼此面對面而直徑分別爲i mm的一對的電極之間，讓〇 · 3 T的磁場作用在該一對的電 極之間，而在此狀態下放到該一對之電極間的電阻値成爲 安定爲止時的該電阻値。 具體地說，該電阻値R乃依下來測量。 圖5爲用來測量電阻値R的裝置，7丨爲用來形成試料室 S的陶瓷製的單元（cell)，是由筒狀的側壁材72、與分 別在中央具有貫穿孔73 Η的一對的蓋材73所構成，74爲具 有導電性的一對的磁鐵，具有分別配合於從表面而突出之 蓋材7 3之貫穿孔7 3 Η的形狀的電極部7 5，在該電極部7 5被 -33- (30) (30)200408816 嵌合在蓋材73的貫穿孔73 Η的狀態下被固定在該蓋材73。 76爲電阻測量機，被連接到一對的磁鐵74。單元7 1的試料 室S是呈直徑dl爲3 mm、厚度d2爲0.5 mm的圓板狀，而蓋 材73的貫穿孔73 Η的內徑，亦即，磁鐵74的電磁部75的直 徑r爲1 m m。 此外，將上述的電糊組成物塡充在單元7 1的試料室S ，在磁鐵74的電磁部75之間，一邊讓0.3 T的平行磁場作 用在該試料室S的厚度方向，而一邊藉由電阻測量機7 6來 測量磁鐵74之電極部75之間的電阻値。結果，被散佈在電 糊組成物中的導電性粒子則藉由平行磁場的作用而集合在 磁鐵74的電極部75之間，更且，則如排列在厚度方向般地 實施配向，隨著該導電性粒子的移動，在磁鐵74之電極部 7 5之間的電阻値降低後即成爲安定狀態而測量此時的電阻 値。從讓平行磁場作用在電糊組成物開始到在磁鐵74之電 極部7 5之間的電阻値達到安定狀態爲止的時間雖然是因導 電性粒子的種類而異，但通常是將在讓平行磁場作用在電 糊組成物後經過5 0 0秒後的電阻値測量作爲電阻値。 若該電阻値R在的〇 . 3 Ω以下時，則確實可以得到具 有高的導電性的連接用導電部22。 導電性粒子P的含水率最好是在5質量％以下，再好是 3質量％以下，更好是2質量％以下，特好是1質量％以下 。藉著滿足該條件，在調製成形材料或形成彈性向異導電 膜2 0時，在進行硬化處理時可以防止或抑制氣泡產生。 又，導電性粒子P可以是表面經矽烷耦合劑等的耦合 -34- (31) (31)200408816 劑所處理者、或是藉著以耦合劑來處理導電性粒子P的表 面，而使該導電性粒子P與彈性高分子物質的接著性變高 ’結果’所得到的彈性向異導電膜2 0，其在反覆使用時的 耐久性變高。 耦合劑的使用量’雖然在不影響到導電性粒子P之導 電性的範圍內可以適當地加以選擇，但耦合劑相對於導電 性粒子P的表面的被覆比例（耦合劑的被覆面積相對於導 電性粒子之表面積的比例）最好是5 %以上的量，再好上 述的被覆率爲7〜100%，更好是10〜100% ,特別是20〜 1 0 0 %的量。 該導電性粒子P可例如藉由以下的方法而得到。 首先，藉由一般的方法將強磁性體材料實施粒子化、 或是準備在市面上販賣的強磁性體粒子，藉著針對該粒子 實施分級處理而調製出具有所需要之粒徑的磁性芯粒子。 在此，粒子的分級處理則可例如藉由空氣分級裝置、 音波篩選裝置等的分級裝置來進行。 又，分級處理的具體的條件則根據作爲目標之磁性芯 粒子的數平均粒徑、分級裝置的種類等而適當地被設定。 接著則以酸來處理磁性芯粒子的表面，更且，例如藉 著以純水來洗淨來除去存在於磁性芯粒子之表面的骯髒、 異物、氧化膜等的雜質，之後，則藉由將高導電性金屬被 覆在磁性芯粒子的表面而得到導電性粒子。 在此，在處理磁性芯粒子的表面時所使用的酸可以是 鹽酸。 -35- (32) 200408816 而將高導電性金屬被覆在磁性芯粒子之表面的方法 然可以使用無電解鍍敷法、置換鍍敷法等’但並不限定 該些方法。 又，在將高導電性金屬被覆在磁性芯粒子的表面上 際，由於因爲粒子凝集而會產生粒徑大的導電性粒子， 此最好是因應必要進行導電性粒子的分級處理’藉此， 確實地得到具有所期望之粒徑的導電性粒子。 用於實施導電性粒子之分級處理的分級裝置，則可 是一在調製上述磁性芯粒子之分級處理中所使用的分級 置。 在功能部2 1之連接用導電部22中之導電性粒子P的 有比例，其體積百分率爲10〜60%、最好是15〜50%。 比例不足1 0 %時，則有時無法得到電阻値足夠小的連接 導電部22。另一方面，當比例超過60 %時，由於所得到 連接用導電部2 2容易變得脆弱，因此有時連接用導電部 無法得到必要的彈性。 又，在被支撑部25中之導電性粒子P的含有比例雖 是因在用於形成彈性向異導電膜2 0之成形材料中的導電 粒子的含有比例而異，但就可以確實地防止在位於彈性 異導電膜20之連接用導電部22中位在最外側的連接用導 部22含有過剩的量的導電性粒子p乙點，最好是與在成 材料中之導電性粒子的含有比例相等、或在其之上，又 就可得到具有足夠強度的被支撑部2 5乙點，則體積比例 好是在3 0 %以下。 雖 於 之 因 能 以 裝 含 當 用 的 22 然 性 向 電 形 ， 最 -36- (33) (33)200408816 上述的向異導電性連接器則例如依下而製造。 首先’針對在作爲檢查對象之晶圓上所形成之全部的 積體電路中已配置了被檢查電極的電極領域，製作出由已 形成了向異導電膜配置用孔1 1的磁性金屬所構成的框架板 1 0。在此，形成框架板1 0之向異導電膜配置用孔1 1的方法 則例如可以利用蝕刻法等。 接者’ 1周製出由將具有把性的導電性粒子散佈在被硬 化而成爲彈性高分子物質之高分子物質形成材料、最好是 附加型液狀矽膠中而形成的導電性電糊組成物。此外，如 圖6所示，準備好用來形成彈性向異導電性膜的金屬模6 〇 ，根據所需要的圖案，亦即，所要形成的彈性向異導電膜 的配置圖案，將作爲彈性向異導電膜用的成形材料塗佈在 該金屬模60中之上模61以及下模的各成形面而形成成形材 料層2 0 A。 在此，若具體地該金屬模60，則該金屬模60是將上模 61以及與其成對的向下模65彼此面對面地配置而構成。 在上模61中，如圖7中放大表不般，在基板62的下面 ，則根據與所要形成之彈性向異導電膜20的連接用導電部 22的配置圖案呈對稱的圖案形成有強磁性體層63，而在該 強磁性體層63以外的位置則形成有非磁性體層64，藉由該 些強磁性體層63以及非磁性體層64而形成成形面。又，在 上模6 1的成形面則對應於所要形成的彈性向異導電膜20中 的突出部而形成有凹部64a。 另一方面，在下模65，則在基板66的上面根據與所要 -37- (34) (34)200408816 形成之彈性向異導電膜20的連接用導電部22的配置圖案相 同的圖案而形成強磁性體層67，而在該強磁性體層67以外 的位置形成非磁性體層68，藉由該些強磁性體層67以及非 磁性體層6 8而形成成形面。又，在下模6 5的成形面則對應 於所要形成之彈性向異導電膜20中的突出部24而形成凹部 6 8 a ° 上模61以及下模65中之基板62、66最好是由強磁性體 所構成，該強磁性體的具體例則例如是鐵、鐵-鎳合金、 鐵一鈷合金、鎳、鈷等的強磁性金屬。該基板6 2、6 6的厚 度最好是0.1〜50 mm，最好是表面平滑在化學上經過脫脂 處理 '或在機械上經過硏磨處理者。 又，用來構成上模61以及下模62中之強磁性體層63、 67的材料可以使用鐵、鐵一鎳合金、鐵—鈷合金、鎳、鈷 等的強磁性金屬。該強磁性體層6 3、6 7的厚度最好是1 0 # m以上，可以讓具有足夠之強度分佈的磁場作用在成形 材料層2 0 A，結果，能夠讓導電性粒子高密度地集合在該 成形材料層20A中之成爲連接用導電部22的部分，而得到 具有良好之導電性的連接用導電部22。 又，用來構成上模6 1以及下模62中之非磁性體層64、 6 8的材料，雖然是可以使用銅等之非磁性金屬、具有耐熱 性的高分子物質等，但就可以藉由光石印的方法容易地形 成非磁性體層64、68乙點，則最好是使用可藉由放射線產 生硬化的高分子物質，其材料可以是丙烯系的乾式薄膜光 阻劑、環氧系的液狀光阻劑、聚醯亞胺系的光阻劑等的光 -38- (35) (35)200408816 阻劑。 將成形材料塗佈在上模6丨以及下模65之成形面的方法 最好是使用網版印刷法。根據該方法，很容易根據所需要 的圖案來塗佈成形材料，且可以塗佈適量的成形材料。 接著’如圖8所示，在已形成了成形材料層20A之下 模65的成形面上，除了經由間隔件（Spacer ) 69a將框架 板1 〇對位加以配置外，也經由間隔件69b將已形成了成形 材料層20A的上模61在該框架板1〇上實施對位加以配置， 更且，藉著將該些加以重合，如圖9所示，在上模61與下 模65之間形成作爲目標形態（所要形成之彈性向異導電膜 2 0的形態）的成形材料層2 〇 A。在該成形材料層2 0 A中， 如圖10所示’如散佈在整個的成形材料層20 A中的狀態含 有導電性粒子P。 如此般，藉著將間隔件69a、6 9b配置在框架板10與上 模6 1及下模之間，除了可以形成作爲目標形態的彈性向異 導電膜外，也防止相鄰的彈性向異導電膜彼此產生連結， 因此能夠確實地形成彼此呈獨立的多數的彈性向異導電膜 〇 之後，在上模61中的基板62的上面以及在下模65中的 基板66的下面則例如配置一對的電磁鐵，藉著讓其作動， 而由於上模6 1以及下模6 5具有強磁性體層6 3、6 7，因此在 上模61的強磁性體層63與和其對應的下模65的強磁性體層 67之間則形成具有較其周邊領域爲大之強度的磁場。結果 ，在成形材料層20A中，被分散在該成形材料層20A中的 -39- (36) (36)200408816 導電性粒子P，如圖1 1所示，會集合在位於上模6 1的強磁 性體層63與和此對應之下模65的強磁性體層67之間之成爲 連接用導電部2 2的部分而排列在厚度方向地實施配向。在 以上的說明中，由於框架板1 0是由磁性金屬所構成，因此 ，在上模6 1以及下模6 5分別與框架板1 0之間形成強度較其 附近爲大的磁場的結果，會使得位在成形材料層2 0 A中的 框架板1 〇的上方以及下方的導電性粒子P不會集合在上模 61的強磁性體層63與下模65的強磁性體層67之間，而會被 維持保持在框架板1 〇的上方以及下方。 此外，在此狀態下，藉著讓成形材料層20 A實施硬化 處理，而在導電性粒子P以排列在厚度方向而實施配向的 狀態下包含在彈性高分子物質中而構成的多個的連接用導 電部22，其中藉由完全或幾乎不存在導電性粒子P的高分 子彈性物質所構成的絕緣部2 3而彼此被絕緣的狀態下配置 而成的功能部2 1、與和該功能部2 1的周邊呈連續，且一體 地被形成之在彈性高分子物質中含有導電性粒子P的被支 撑部25所構成的彈性向異導電膜20，則是在該被支撑部25 被固定在框架板1 〇之向異導電膜配置用孔1 1的周邊部的狀 態下被形成而製造出向異導電性連接器。 以下，作用在成形材料層20A之成爲連接用導電部22 的部分以及成爲被支撑部25的部分的外部磁場的強度最好 平均爲〇 . 1〜2 · 5泰斯拉（t e s 1 a )的大小。 成形材料層20A的硬化處理雖然可根據所使用的材料 而適當地選擇，但通常是藉由加熱處理來進行。當藉由加 -40- (37) (37)200408816 熱來進行成形材料層2 0 A的硬化處理時，則可以在電磁鐵 設置加熱器。具體的加熱溫度以及加熱時間則考慮構成成 形材料層2 0 A的高分子物質形成材料等的種類、導電性粒 子P的移動所需要的時間等因素來適當地選擇。 根據以上的向異導電性連接器，則在彈性向異導電膜 2 0，在具有連接用導電部22的功能部2 1的周緣形成有被支 撑部2 5，由於該被支撑部2 5係被固定在框架板1 0之向異導 電膜配置用孔11的周邊部，因此不容易變形而容易使用， 在進行與作爲檢查對象的晶圓之電氣連接作業時，則容易 針對該晶圓實施對位以及保持固定。 又，在彈性向異導電膜20的連接用導電部22中所含的 導電性粒子，其高導電性金屬相對於芯粒子的比例在1 5質 量％以上，而由該高導電性金屬所構成之被覆層的厚度t 爲50 nm以上，因此即使是經過多次反覆地使用，也能夠 抑制導電性粒子P中的芯粒子露出到表面，結果，能夠確 實地維持所需要的導電性。 又，當在高溫環境下反覆地使用時，則即使構成導電 性粒子P中的芯粒子的材料移到高導電性金屬中時，由於 高導電性金屬是以高的比例存在於該導電性粒子的表面， 因此能夠防止該導電性粒子的導電性顯著地降低。 又，用來形成彈性向異導電膜20的彈性高分子物質則 使用一附加型液狀矽膠的硬化物，其在1 5 0 °C下的壓縮永 久應變在10%以下，且Durometer A硬度爲10〜60者’即 使是多次反覆地使用，也能夠抑制在連接用導電部22產生 -41 - (38) (38)200408816 永久應變，藉此，可以抑制連接用導電部2 2中的導電性粒 子的鏈鎖發生混亂，而更能夠確實地維持所需要的導電性 〇 更且，用來形成彈性向異導電膜2 0的彈性高分子物質 則使用Durometer A硬度爲25〜40者，即使在高溫環境下 反覆地使用在試驗，例如WLBI試驗中，也能夠抑制在連 接用導電部22發生永久應變，藉此，可以抑制在連接用導 電部22中之導電性粒子的鏈鎖產生混亂，而經過長時間也 能夠確實地維持所需要的導電性。 又，框架板1 0的向異導電膜配置用孔1 1則分別是針對 於在作爲檢查對象之晶圓上所形成之全部的積體電路之已 配置了被檢查電極的電極領域而形成，由於被配置在各該 向異導電膜配置用孔1 1的彈性向異導電膜20的面積可以小 ，因此很容易形成各彈性向異導電膜20。又，面積小的彈 性向異導電膜20，即使是已接受熱履歷過程，由於在該彈 性向異導電膜20之面方向上的熱膨脹的絕對量小，因此藉 著使用線熱膨脹係數小者作爲用來構成框架板1 〇的材料， 則在彈性向異導電膜20之面方向的線膨脹可藉由框架板確 實地被限制。因此，即使是針對大面積的晶圓進行WLB I 試驗，也能夠安定地維持良好的電氣連接狀態。 又，上述的向異導電性連接器，則在形成其彈性向異 導電膜20時，例如藉著讓磁場作用在成形材料層20A中之 成爲被支撑部2 5的部分，在導電性粒子P存在於該部分的 狀態下，藉著該成形材料層20A進行硬化處理而得到，因 -42- (39) (39)200408816 此，存在於在形成材料層20A中之成爲被支撑部25的部分 ’亦即，位在框架板1 0之向異導電膜配置用孔1 1的周邊部 的上方以及下方之部分的導電性粒子P不會集合在成爲連 接用導電部22的部分，結果能夠防止在所得到的彈性向異 導電膜20之連接用導電部22中，其中位在最外側的連接用 導電部22含有過量的導電性粒子p。因此，由於不需要減 少在成形材料層20 A中之導電性粒子P的含量，因此，除 了彈性向異導電膜20之全部的連接用導電部22可以確實地 得到良好的導電性外，與相鄰的連接用導電部22之間也能 夠確實地獲得絕緣性。 又，由於在框架板1 0形成定位孔1 6，因此很容易針對 作爲檢查對象的晶圓或檢查用電路基板進行對位。 又’由於在框架板1 0形成空氣流通孔1 5，因此，在後 述的晶圓檢查裝置中，當利用藉由減壓方式者來作爲推壓 探針構件的機構時，則當對室（chamber )內部實施減壓 時’存在於向異導電性連接器與檢查用電路基板之間的空 氣會經由框架板1 0的空氣流通孔1 5被排出，藉此，由於可 以讓向異導電性連接器與檢查用電路基板確實地密接，因 此能夠確實地達成所需要的電氣連接。 〔晶圓檢查裝置〕 圖1 2爲表示利用本發明之向異導電性連接器之晶圓檢 查裝置之一例之構造的槪略內容的說明用斷面圖。該晶圓 檢查裝置是一針對被形成在晶圓上之多個的積體電路，在 -43 - (40) (40)200408816 晶圓的狀態下進行該積體電路之電氣檢查者。 圖1 2所示的晶圓檢查裝置乃具備有可進行作爲檢查對 象之晶圓6的被檢查電極7與測試器之電氣連接的探針構件 1。該探針構件1，如圖Π中放大表示般，具備有根據與作 爲檢查對象之晶圓6的被檢查電極7的圖案呈對應的圖案， 而在表面（在圖中爲下面）形成有多個檢查電極31的檢查 用電路基板3 0，在該檢查用電路基板3 0的表面則設有圖1 〜圖4所示之構造之向異導電性連接器2而使其彈性向異導 電膜20中的連接用導電部22分別與檢查用電路基板30的檢 查電極3 1對應連接，而在該向異導電性連接器2的表面（ 在圖中爲下面），根據與作爲檢查對象之晶圓6的被檢查 電極7的圖案呈對應的圖案，而在絕緣片4 1配置了多個電 極構造體42而成的片狀連接器，則設成使該電極構造體42 分別與向異導電性連接器2之彈性向異導電膜20中的連接 用導電部22對應連接。 又，在探針構件1中的檢查用電路基板3 0的背面（在 圖中爲上面），則設有可將該探針構件1朝下方推壓的加 壓板3，而在探針構件1的下方設有用於載置作爲檢查對象 之晶圓6的晶圓載置台4，而加熱器5分別連接到加壓板3以 及晶圓載置台4。 用來構成檢查用電路基板3 0的基板材料可以使用以往 周知的各種的基板材料。其具體例爲玻璃纖維補強型環氧 樹脂、玻璃纖維補強型酚樹脂、玻璃纖維補強型聚醯亞胺 樹脂、玻璃纖維補強型二馬來醯亞胺三嗪樹脂等的複合樹 -44- (41) (41)200408816 脂材料、玻璃、二氧化矽、氧化鋁等的陶瓷材料等。 又，當構成用來進行WLBI試驗的晶圓檢查裝置時’ 則最好使用線膨脹係數爲3 X 1 (Γ 5 / K以下者’再好是1 χ1()_7 〜1χ10_5/κ：，特好是 lxl〇_6 〜6xl〇'6/K。 該基板材料的具體例可以是Ρ IL Ε X (登錄商標）玻 璃、石英玻璃、氧化鋁、氧化鈹、碳化矽' 氮化鋁、氮化 棚等。 若具體地說明探針構件1中的片狀連接器4 0時，則該 片狀連接器4 0具有柔軟的絕緣片4 1，在該絕緣片4 1則根據 與作爲檢查對象之晶圓6的被檢查電極7的圖案呈對應的圖 案，而將在該絕緣片4 1的厚度方向延伸而由多個金屬所構 成的電極構造體彼此離開地配置在該絕緣片4 1的面方向。 電極構造體42則是藉由一貫穿絕緣片41的厚度方向而 延伸的短路部4 5將露出於絕緣片4 1之表面（在圖中爲下面 )的突起狀的表面電極部43與露出在絕緣片41之背面的板 狀的背面電極部4 4彼此呈一體地連結而構成。 絕緣片4 1只要是一具有絕緣性的柔軟的東西即可並未 特別加以限定，例如是由聚醯亞胺樹脂、液晶聚合物（ polymer )、聚酯、氟系樹脂等所構成的樹脂片、將已含 浸有上述樹脂的片等用在由編織纖維而成的片（cross ) 〇 又，絕緣片4 1的厚度，雖然該絕緣片4 1只要是柔軟即 可並未特別加以限定，但最好是1 0〜5 0 // m，又，再好是 1 0 〜2 5 // m 〇 -45- (42) (42)200408816 構成電極構造體42的金屬可以使用鎳、銅、金、銀、 鈀、鐵等，電極構造體42可以整體由單一的金屬所構成1 或2種以上的金屬的合金所構成、或由2種以上的金屬積層 而成。 又，在電極構造體42的表面電極部43以及背面電極部 44的表面，就防止該電極部氧化以及得到接觸電阻小的電 極部乙點，最好是形成金、銀、鈀等之在化學上安定且具 有高導電性的金屬被膜。 電極構造體42中的表面電極部43的突出高度，就可以 針對晶圓6的被檢查電極7達成安定的電氣連接乙點，最好 是15〜50/zm，再好是15〜30//m。又，表面電極部43的 直徑雖然是根據晶圓6的被檢查電極的尺寸以及間距而設 定’但例如是3 0〜8 0 // m，最好是3 0〜5 0 // m。 電極構造體42的背面電極部44的値徑雖然可較短路部 45的直徑爲大，且較電極構造體42的配置間距爲小，因此 最好儘可能要大。藉此，對於向異導電性連接器2的彈性 向異導電膜20中的連接用導電部22可以確實地達成安定的 電氣連接。又，背面電極部44的厚度，則就強度足夠高， 且可得到優良的反覆耐久性乙點，最好是2 0〜5 0 // m，再 好是3 5〜5 0 // ηι。 電極構造體42中的短路部45的直徑，則就可得到足夠 局的強度乙點，最好是3 0〜8 0 # m，再好是3 0〜5 0 // m。 片狀連接器40可例如依下而製造。 亦即’準備好在絕緣片4 1上積層金屬層而成的積層材 -46- (43) (43)200408816 料，針對該積層材料的絕緣片4 1，則藉由雷射加工、乾倉虫 刻加工等根據與所要形成之電極構造體4 2的圖案呈對應的 圖案而形成貫通在該絕緣片4 1之厚度方向的多個的貫穿孔 。接著’藉著針對該積層材料實施共石印以及鍍敷處理， 除了在絕緣片4 1的貫穿孔內形成與金屬層呈一體地被連結 的短路部4 0外，也在該絕緣片4 1的表面形成與短路部4 5呈 一體地被連結的突起狀的表面電極部43。之後，藉著針對 積層材料中的金屬層實施乾蝕刻處理而除去其一部分，而 形成背面電極部44且形成電極構造體42，進而得到片狀連 接器40。 在該電氣式檢查裝置中，乃將作爲檢查對象的晶圓6 載置在晶圓載置台4上，接著，藉著以加壓板3將探針構件 1徑下方加壓而使得在該片狀連接器40之電極構造體42中 的表面電極部43分別與晶圓6的被檢查電極7接觸，更且， 則藉由該表面電極43分別對晶圓6的被檢查電極7實施加壓 。在此狀態下，向異導電性連接器2之彈性向異導電膜2 0 中的連接用導電部22則分別爲檢查用電路基板30的檢查電 極3 1與片狀連接器40的電極構造體42的表面電極部43所挾 壓而被壓縮在厚度方向。藉此，在該連接用導電部22的厚 度方向形成導電路徑，結果達成晶圓6的被檢查電極7與檢 查用電路基板3 0的檢查電極3 1的電氣連接。之後，藉由加 熱器5經由晶圓載置台4以及加壓板3而將晶圓6加熱到所設 定的溫度，在此狀態下針對該晶圓6中的多個積體電路實 施所需要的電氣檢查。 -47- (44) 200408816 根據該晶圓檢查裝置，由於經由具有上述之向異導電 性連接器2的探針構件1，來達成針對作爲檢查對象之晶圓 6的被檢查電極7的電氣連接，因此，即使被檢查電極7的 間距小，也可以很容易針對該晶圓進行對位以及保持固定 ’又，即使在經過多次反覆地使用時，或反覆地使用在高 溫環境下的試驗，例如W L B I試驗時，則可以長時間地安 定地進行所需要的電氣檢查。

又，向異導電性連接器2中的彈性向異導電膜20是一 本身的面積小的膜，即使是接受到熱履歷過程，由於在該 彈性向異導電膜20的面方向的熱膨脹的絕對量小，因此藉 著使用線熱膨脹係數小者作爲構成框架板1 〇的材料，則在 彈性向異導電膜20之面方向的熱膨脹可確實地爲框架板所 制。因此，即使是針對大面積的晶圓進行WLB I試驗，也 能夠安定地維持良好的電氣連接狀態。

圖1 4爲表示利用本發明之向異導電性連接器的晶圓檢 查裝置之其他例子之構成之槪略內容的說明用斷面圖。 該晶圓檢查裝置則收容有作爲檢查對象的晶圓6 ’具 有上面開口的箱形的室（chamber ) 50，在該室50的側壁 則設有用於將該室5 0之內部的空氣加以排氣的排氣管5 1 ’ 在該排氣管5 1則例如連接有真空泵等的排氣裝置（未圖示 )° 在室5 0上則如呈氣密地封塞佳該室5 〇之開□般地配置 有構造與圖1 2所示之晶圓檢查裝置中的探針構件1相同的 探針構件1。具體地說，具有彈性的0型環5 5則呈密接地 -48- (45) (45)200408816 配置在室5 0之側壁的上端面上’探針構件1則將其向異導 電性連接器2以及片狀連接器4 0收容在室5 0內’且將其檢 查用電路基板3 0中的周邊部配置成與0型環5 5呈密接’更 且，檢查用電路基板3 0則藉由設在其背面（在圖中爲上面 )的加壓板3而朝下方被加壓。 又，在室5 0以及加壓板3則連接有加熱器5。 在該晶圓檢查裝置中，藉著驅動被連接到室50之排氣 管5 1的排氣裝置，而將室5 0內部減壓到例如1，〇 〇 〇 P a以下 ，結果，探針構件1會藉由大氣壓而朝下方被加壓。藉此 ，由於Ο型環5 5產生彈性變形，而使得探針構件1朝下方 移動，因此，晶圓6的被檢查電極7會分別爲片狀連接器4 0 的電極構造體4 2的表面電極部4 3所加壓。在此狀態下’向 異導電性連接器2之彈性向異導電膜2 0中的連接用導電部 22則分別被檢查用電路基板30的檢查電極31與片狀連接器 40的電極構造體42的表面電極部43所挾壓而被壓縮在厚度 方向，藉此而達成晶圓6的被檢查電極7與檢查用電路基板 3 〇的檢查電極3 1的電氣連接。之後，藉由加熱器5經由5 0 以及加壓板3將晶圓6加熱到所設定的溫度，在此狀態下針 對該晶圓6中的多個積體電路分別實施所需要的電氣檢查 〇 根據該晶圓檢查裝置可以得到與圖1 2所示之晶圓檢查 裝置同樣的效果，更且，由於不需要大型的加壓機構，因 此可以使檢查裝置整體達成小型化，即使作爲檢查對象的 晶圓6的直徑例如爲8英吋以上的大面積時，則也可以以均 -49- (46) 200408816 勻的力量來推壓整體該晶圓6。又，由於在向異導電性連 接器2的框架板1 0形成空氣流通孔1 5，因此，在對室5 0的 內部實施減壓時，則存在於向異導電性連接器2與檢查用 電路基板3 0之間的空氣會經由向異導電性連接器2中之框 架板1 〇的空氣流通孔1 5而排出，藉此，由於可以確實地讓 向異導電性連接器2與檢查用電路基板3 0密接，因此能夠 達成所需要的電氣連接。

(其他的實施形態） 本發明並不限定於上述的實施形態，也可以加上以下 之各種的變化。 (1 )針對向異導電性連接器，在彈性向異導電膜20 也可以除連接用導電部22以外形成在電氣上未被連接到晶 圓中之被檢查電極的非連接用導電部。以下則針對具有已 形成有非連接用導電部之彈性向異導電膜的向異導電性連 接器加以說明。

圖1 5爲將在本發明之向異導電性連接器之其他例子中 的彈性向異導電膜加以放大表示的平面圖。該向異導電性 連接器的彈性向異導電膜2 0 ’則在其功能部2 1根據與被 檢查電極的圖案呈對應的圖案呈2列並排地配置有在電 氣上被連接到作爲檢查對象之晶圓的被檢查電極，而在厚 度方向（在圖I5中與紙面呈垂直的方向）上延伸的多個的 連接用導電部2 2，該些連接用導電部2 2則分別細密地包含 有被配向排列在厚度方向之具有磁性的導電性粒子，而藉 -50- (47) (47)200408816 由完全或幾乎未含有導電性粒子的絕緣部23而相互地被絕 緣。 此外’在連接用導電部2 2並排的方向上，在位於最外 側的連接用導電部22與框架板1 〇之間則形成在電氣上未被 連接到作爲檢查對象之晶圓的被檢查電極，而在厚度方向 延伸的非連接用導電部26。該非連接用導電部26則密集地 包含有被配向並排在厚度方向之具有磁性的導電性粒子， 藉由完全或幾乎未含有導電性粒子的絕緣部2 3而與連接用 導電部2 2彼此被絕緣。 又，在圖示的例子中，在彈性向異導電膜20的功能部 21的兩面，則在連接用導電部22及其周邊部分所在的位置 以及非連接用導電部26及其周邊部分所在的位置則形成從 該些以外的表面而突出的突出部2 4以及突出部2 7。 在功能部2 1的周緣則與該功能部2 1 —體地呈連續地形 成被框架板10中的向異導電膜配置用孔11的周邊部所固定 支撑的被支撑部2 5。在該被支撑部2 5含有導電性粒子。 其他的構成則基本上乃與圖1〜圖4所示之向異導電性 連接器的構成相同。 圖1 6爲將在本發明之向異導電性連接器之又一其他例 子中的彈性向異導電膜加以放大表示的平面圖。對於於該 向異導電性連接器的彈性向異導電膜2 0，則在其功能部2 1 根據與被檢查電極的圖案呈對應的圖案呈並排地配置在於 電氣上被連接到作爲檢查對象之晶圓的被檢查電極，而在 厚度方向（在圖16中爲與紙面呈垂直的方向）上延伸的多 -51 - (48) (48)200408816 個的連接用導電部22，該些連接用導電部22則分別密集地 包含有被配向並列在厚度方向之具有磁性的導電性粒子， 而藉由完全或幾乎未含有導電性粒子的絕緣部23而互相被 絕緣。 在該些連接用導電部2 2中，其中位在中央彼此相鄰的 2個連接用導電部22則依據較其他彼此相鄰之連接用導電 部22間的相離距離更大的相離距離而被配置。此外，在位 於中央彼此相鄰的2個連接用導電部22之間則形成在電氣 上未被連接到作爲檢查對象之晶圓的被檢查電極，而在厚 度方向上延伸的非連接用導電部26。該非連接用導電部26 則分別密集地包含有被配向並排在厚度方向之具有磁性的 導電性粒子，而藉由完全或幾乎未含有導電性粒子的絕緣 部23而與連接用導電部22互相被絕緣。 又’在圖示的例子中，在彈性向異導電膜2 0之功能部 2 1的兩面’則在連接用導電部22及其周邊部分所在的位置 、以及非連接用導電部26及其周邊部分所在的位置形成從 該些以外的表面突出的突出部24以及突出部27。 在功能部2 1的周緣則與該功能部2丨一體呈連續地形成 爲框架板1 0的向異導電膜配置用孔丨丨的周邊部所固定支撑 的被支撑部2 5 ’在該被支撑部2 5則包含有導電性粒子。 至於其他具體的構成，基本上則與圖1〜圖4所示之向 異導電性連接器的構成相同。 圖1 5所示的向異導電性連接器以及圖丨6所示之向異導 電性連接器’則取代圖7所示的金屬模，而根據與所要形 -52- (49) (49)200408816 成的彈性向異導電性膜20的連接用導電部22以及非連接用 導電部26的配置圖案呈對應的圖案而形成強磁性體層，在 該強磁性體層以外的位置，藉著使用由已形成有非磁性體 層的上模以及下模所構成的金屬模，而與製造上述圖1〜 圖4所示之向異導電性連接器的方向同樣地來製造。 亦即，根據該金屬模，例如在上模之基板的上面以及 下模之基板的下面配置一對的電磁鐵，藉著讓其作動而使 得被分散在該成形材料層中成爲功能部2 1的部分的導電性 粒子集合在成爲連接用導電部22的部分以及成爲非連接用 導電部26的部分而配向排列在厚度方向，另一方面，位在 成形材料層之框架板1 0的上方以及下方的導電性粒子則維 持被保持在框架板1 0的上方以及下方。 此外，在此狀態下，藉著讓成形材料層實施硬化處理 ，而在導電性粒子配向排列在厚度方向的狀態下包含在彈 性高分子物質中而構成的多個的連接用導電部22以及非連 接用導電部26，在藉由完全或幾乎未含有導電性粒子的高 分子彈性物質所構成的絕緣部23而互相被絕緣的狀態下所 配置而成的功能部2 1、與和該功能部2 1的周邊呈連續地一 體而形成，而在彈性高分子物質中含有導電性粒子而成的 被支撑部25所構成的彈性向異導電膜20，則是在該被支撑 部2 5被固定在框架板1 〇之向異導電膜配置用孔1 1之周邊部 的狀態下被形成，進而製造出向異導電性連接器。 圖1 5所示之向異導電性連接器中的非連接用導電部26 ，則在形成彈性向異導電膜20時，藉著讓磁場作用在成形 -53- (50) (50)200408816 成材料層中成爲非連接用導電部26的部分，讓存在於位在 成形材料層之最外側之成爲連接用導電部2 2的部分與框架 板1 〇之間的導電性粒子集合在成爲非連接用導電部2 6的部 分’在此狀態下藉著對該成形材料層實施硬化處理而獲得 。因此，在形成該彈性向異導電膜2 0時，導電性粒子不會 過剩地集合在位在成形材料層之最外側之成爲連接用導電 部22的部分。因此，即使所要形成的彈性向異導電部20具 有比較多的連接用導電部2 2，也能夠確實地防止在位於該 彈性向異導電膜2 0之最外側的連接用導電部含有過量的導 電性粒子。 又，圖1 6所示之向異導電性連接器中的非連接用導電 部2 6，則在形成彈性向異導電膜2 0時，藉著讓磁場作用在 成形材料層中之成爲非連接用導電部26的部分，而使得存 在於成形材料層中依據大的相離距離而配置之相鄰的2個 成爲連接用導電部22的部分之間的導電性粒子集合在成爲 非連接用導電部26的部分，在此狀態下對該成形材料層實 施硬化處理而獲得。因此，在形成該彈性向異導電膜20時 ，則導電性粒子不會過剩地集合在成形材料層中依據大的 相離距離而配置之相鄰2個成爲連接用導電部22的部分。 因此，即使所要形成的彈性向異導電膜20具有2個以上依 據大的相離距離而配置的連接用導電部22，也能夠確實地 防止在該些連接用導電部22含有過量的導電性粒子。 (2 )對於向異導電性連接器而言，彈性向異導電膜 20的突出部24並非是必須，也可以是一面或兩面爲平坦面 -54- (51) (51)200408816 者，或是形成凹部者。 (J )也可以在彈性向異導電膜2 〇中的連接用導電部 22的表面形成金屬層。 (4 )在製造向異導電性連接器時，當使用非磁性者 作爲框架板10的基材時，則讓磁場作用在成形材料層2〇A 中成爲被支撑部2 5之部分的方法，則可以是一將磁性體鍍 覆在該框架板1 0之向異導電膜配置用孔；!丨的周邊部、或是 塗佈磁性塗料而讓磁場作用的方法、或是對應於彈性向異 導電膜20的被支撑部25而在金屬模60形成強磁性體層而讓 磁場作用的方法。 (5 )在形成成形材料層時，並非一定要使用間隔件 (S p a c e r )，也能夠利用其他的方法在上模及下模與框架 板之間確保用來形成彈性向異導電膜的空間。 (6 )對於探針構件而言，片狀連接器4 〇並非是必須 ，也可以讓向異導電性連接器2中的彈性向異導電膜20與 作爲檢查對象的晶圓接觸而達成電氣連接。 (7 )本發明的向異導電性連接器，其中框架板的向 異導電膜配置用孔係對應於已配置了被形成在作爲檢查對 象之晶圓之一部分的積體電路中之被檢查電極的電極領域 而被形成，也可以在各向異導電膜配置用孔配置彈性向異 導電膜。 根據該向異導電性連接器，可將晶圓分割成2個以上 的區域，而針對所分割的各區域’針對被形成在該區域之 積體電路一次實施探針試驗。 -55- (52) (52)200408816 亦即’本發明之向異導電性連接器或使用本發明之探 針構件的晶圓的檢查方法，並不一定需要針對被形成在晶 圓之全部的積體電路一次實施。 在Burn-in試驗中，由於對各積體電路所需要的檢查 時間會長到數小時，因此若針對被形成在晶圓之全部的積 體電路一次實施檢查時，則可以得到高的時間上的效率， 而對於探針試驗，由於各積體電路所需要的檢查時間短至 數分鐘，因此即使將晶圓分割成2個以上的區域，而針對 所分割的各區域，針對被形成在該區域的積體電路一次實 施探針試驗，也能夠得到足夠高的時間上的效率。 如此般，針對被形成在晶圓的積體電路，若根據針對 被分割的各區域進行電氣檢查的方法，則在針對以高的集 成度而形成在直徑8英吋或1 2英吋的晶圓上的積體電路實 施電氣檢查時，相較於針對全部的積體電路一次實施檢查 的方法，可以減少所使用之檢查用電路基板的檢查電極數 目以及配線數目，藉此能夠降低檢查裝置的製造成本。 因此，本發明的向異導電性連接器或本發明的探針構 件，由於是一針對反覆使用的耐久性高者，因此針對被形 成在晶圓的積體電路，當使用在針對所分割之各區域實施 電氣檢查的方法時，由於向異導電性連接器發生故障而更 換爲新的東西的頻率變小，因此能夠降低成本。 (8 )本發明的向異導電性連接器或本發明的探針構 件，除了用於檢查已形成有具有由鋁所構成之平面狀的電 極之積體電路的晶圓外，也可以用於檢查已形成有具有由 -56- (53) (53)200408816 金或焊錫等所構成之突起狀電極（bump )之積體電路的 晶圓。 由金或焊錫等所構成的電極，由於相較於由鋁所構成 的電極係一在表面難以形成氧化膜者，因此在檢查已形成 有具有如此突起狀電極之積體電路的晶圓時，不需要以必 須要刺破氧化膜的大的荷重來加壓，因此可以不使用片狀 連接器，在讓向異導電性連接器的連接用導電部直接接觸 於被檢查電極的狀態下來實施檢查。 當在讓向異導電性連接器的連接用導電部直接接觸於 作爲被檢查電極的突起狀電極的狀態下.進行晶圓的檢查時 ，若反覆地使用該向異導電性連接器時，則藉由以突起狀 電極來對其連接用導電部進行加壓而發生摩損或永久性地 產生壓縮變形的結果，在該連接用導電部，由於電阻增加 或是針對被檢查電極發生連接不良，因此必須以高的頻率 將向異導電性連接器更換成新的。 又，若根據本發明的向異導電性連接器或本發明的探 針構件，由於是一對於反覆使用的耐久性高者，因此即使 作爲檢查對象的晶圓的直徑爲8英吋或1 2英吋，而以高的 集成度形成有積體電路者，經過長時間也能維持所需要的 導電性，藉此，由於將向異導電性連接器更換成新的頻率 變少，因此能夠降低檢查成本。 以下雖然是針對本發明之具體的實施例來說明，但本 發明並不限定於以下的實施例。 〔磁性芯粒子〔A〕的調製〕 -57 - (54) (54)200408816 使用市面上販售的鎳粒子（Westaim社製、「FC 1000 」），而如下述般地調製磁性芯粒子〔A〕。 藉由日淸Engineering株式會社製的空氣分級機「 Tubro classifier TC - 15N」），根據比重 8.9、風量 2.5 m3 / m i η、轉子迴轉數1，6 0 0 r p m、分級點2 5 /z m、鎳粒子的 供給速度1 6 g / m i η的條件針對2 k g的鎳粒子實施分級處 理而蒐集1 . 8 k g的鎳粒子，更且，根據比重8.9、風量2.5 m3 / m i η、轉子迴轉數3，0 0 0 r p m、分級點1 0 // m、鎳粒子 的供給速度14 g/ min的條件針對1·8 kg的鎳粒子實施分級 處理而蒐集1.5 kg的鎳粒子。 接著，則藉由筒井理化學機器株式會社製的音波篩選 器「SW — 20AT形」針對由空氣分級機所分級的120 g的鎳 粒子再加工以分級處理。具體地說從上依序重疊了 4段直 徑分別爲200 mm、開口直徑爲25 μ m 、20从m 、16 μ m 以及8// m的4個飾網，而在各飾網各投入直徑2 mm的10 g 的陶瓷球，以55 Hz、12分鐘以及125 Hz、15分鐘的條件 實施分級處理，而將所蒐集到的鎳粒子回收到最下段的篩 網（開口直徑8 // m )。將該操作合計進行2 5次而調製出 1 10 g的磁性芯粒子〔A〕。 所得到的磁性芯粒子〔A〕，其數平均粒徑爲1 0 /Z m 、粒徑的變動係數爲10%、BET比表面積爲0.2 xlO3 m2 / kg、飽和磁化爲0.6 Wb/ m2。 · 〔磁性芯粒子〔B〕〜磁性芯粒子〔I〕的調製〕 •58- (55) 200408816 除了變更空氣分級機以及音波篩選器的條件外’則與 調製磁性芯粒子〔A〕同樣地調製出以下的磁性芯粒子〔 B〕〜磁性芯粒子〔I〕。 磁性芯粒子〔B〕：

數平均粒徑12 # m、粒徑的變動係數爲40 %、BET比 表面積爲0.1 xlO3 m2/kg、飽和磁化0.6 Wb/m2’而由 鎳所構成的磁性芯粒子。 磁性芯粒子〔C〕： 數平均粒徑10 // m、粒徑的變動係數1〇%、BET比表 面積0.3 8 X 1 0 3 m2/ kg、飽和磁化〇·6 Wb/ m2，而由鎳 所構成的磁性芯粒子。 磁性芯粒子〔D〕：

數平均粒徑1 0 # m、粒徑的變動係數1 5 %、BET比表 面積爲0.15 xlO3 m2/kg、飽和磁化〇.6 Wb/m2，而由 鎳所構成的磁性芯粒子。 磁性芯粒子〔E〕： 數平均粒徑8 // m、粒徑的變動係數3 2 %、B E T比表 面積0.05 xlO3 m2/kg、飽和磁化〇·6 Wb/m2，而由鎳 所構成的磁性芯粒子。 -59- (56) (56)200408816 磁性芯粒子〔F〕（比較用）： 數平均粒徑6 // m、粒徑的變動係數4 0 %、B E T比表 面積0.8 xlO3 m2/kg、飽和磁化〇.6 Wb/m2，而由鎳所 構成的磁性芯粒子。 磁性芯粒子〔G〕： 數平均粒徑1 〇 V m、粒徑的變動係數2 0 %、B E T比表 面積爲0.008 xlO3 m2/ kg、飽和磁化0.6 Wb/m2，而由 鎳所構成的磁性芯粒子。 磁性芯粒子〔Η〕比較用： 數平均粒徑8 // m、粒徑的變動係數2 5 %、Β Ε Τ比表 面積爲0.02 xlO3 m2/kg、硫黃元素濃度〇·1質量％、氧 化元素濃度0.6質量％、碳元素濃度，0·12重量％、飽和磁 化0 · 6 Wb / m2，而由鎳所構成的磁性芯粒子。 磁性芯粒子〔I〕： 數平均粒徑爲45 // m、粒徑的變動係數爲33%、BET 比表面積爲〇·8 xlO3 m2/kg、飽和磁化〇.6 Wb / m2’而 由鎳所構成的磁性芯粒子。 〔導電性粒子〔a〕的調製〕 將1 00 g的磁性芯粒子〔A〕投入到粉末鍍覆裝置的處 理槽內，更且，則加入2 L的〇 . 3 2 N的鹽酸水彳谷液加以攪 (57) (57)200408816 拌逐得到含有磁性芯粒子〔A〕的漿料。藉著在常溫下將 該漿料攪拌3 0分鐘而進行磁性芯粒子〔A〕的酸處理’之 後則靜置1分鐘讓磁性芯粒子〔A〕沈澱而除去上層液。 接著，則將2 L的純水加到已實施酸處理的磁性芯粒 子〔A〕，在常溫下攪拌2分鐘，之後則靜置1分鐘讓磁性 芯粒子〔A〕沈澱而除去上層液。藉著將該操作更反覆實 施2次而完成磁性芯粒子〔A〕的沈淨處理。 此外，將金的含有比例爲2 g / L之2 L的金鍍敷（ c 〇 a t i n g )液加到已經實施了酸處理以及洗淨處理的磁性芯 粒子〔A〕，藉著將處理層內的溫度昇溫到90 °C加以攪拌 而調製成漿料。在此狀態下一邊攪拌漿料而一邊對磁性芯 粒子〔A〕進行金的置換鍍敷。之後則將漿料一邊放冷一 邊靜置讓粒子沈澱而除去上層液，藉此調製出本發明用的 導電性粒子〔a〕 將2 L的純水加到如此所得到的導電性粒子〔a〕，在 常溫下攪拌2分鐘，之後則靜置1分鐘讓導電性粒子〔a〕 沈澱而除去上層液。將該操作再反覆進行2次，之後加入 已加熱到9 (TC的2 L的純水加以攪拌，以濾紙過濾所得到 的漿料而回收導電性粒子〔a〕。藉由已設定在9(TC的乾 燥機對該導電性粒子〔a〕實施乾燥處理。 所得到的導電性粒子〔a〕，其數平均粒徑爲1 2 // m 、BET比表面積爲〇· 1 5 X 1 〇3 m2/ kg、被覆層的厚度t爲 1 1 1 ηηι、（形成被覆層之金的質量）/(導電性粒子〔a 〕整體的質量）的値N爲0.3、電阻値R爲0.02 5 Ω。 -61 - (58) (58)200408816 〔導電性粒子〔a 1〕的調製〕 除了將在金鍍敷液中之金的含有比例變更成5 g / L外 ’其他則與調製導電性粒子〔a〕時相同地調製出用於比 較之導電性粒子〔a 1〕。 所得到之導電性粒子〔a 1〕，其數平均粒徑爲丨2 # m 、BET比表面積爲0.17 xl〇3 m2/kg、被覆層的厚度t爲 3 5 nm、（形成被覆層之金的質量/導電性粒子〔al〕整 體的質量）的値N爲0.12、電阻R爲0.13 Ω。 〔導電性粒子〔b〕的調製〕 除了取代磁性芯粒子〔A〕而改探磁性芯粒子（；B彳 外’其他則與在調製導電性粒子〔a〕時同樣地調製& # 發明用的導電性粒子〔b〕。 所得到的導電性粒子〔b〕，其數平均粒徑爲1 3 & m 、BET比表面積爲0.08 X 1 〇3 m2/ kg、被覆層的摩度1爲 129 nm、（形成被覆層之金的質量）/(導電性粒子〔b 〕整體的質量）的値N爲0.2、電阻値R爲0.1 Ω。 〔導電性粒子〔c〕以及導電性粒子〔c 1〕的調製〕 除了取代磁性芯粒子〔A〕而改採磁性芯粒子〔c〕 ，更變在金鍍覆液中之金的含有比例外，其他則與在調製 導電性粒子〔a〕時同樣地調製出以下的導電性粒子〔c〕 以及導電性粒子〔c 1〕。 -62- (59) 200408816 導電性粒子〔C〕（本發明用） 是一數平均粒徑爲14// m、BET比表面積爲〇. 103 m2/ kg、被覆層之厚度t爲2 9 9 nm、（形成被 金的質量/導電性粒子〔c〕整體的質量）的値N爲 電阻値R爲0 · 1 2 Ω的導電性粒子。 導電性粒子〔C 1〕（比較用）： 是一數平均粒徑爲12gm、BET比表面積爲0. 103 m2/ kg、被覆層的厚度t爲103 nm、（形成被 金的質量/導電性粒子〔c 1〕整體的質量）的値爲 電阻値R爲0 . 1 4 Ω的導電性粒子。 〔導電性粒子〔d〕以及導電性粒子〔d 1〕的調製〕 除了取代磁性芯粒子〔A〕而改採磁性芯粒子 ，變更在金鍍覆液中之金的含有比例外，其他則與 導電性粒子〔a〕時同樣地調製出以下的導電性粒3 以及導電性粒子〔d 1〕。 導電性粒子〔d〕（本發明用）： 是一數平均粒徑爲12// m、BET比表面積爲〇. 103 m2/kg、被覆層的厚度t爲134 nm、（形成被 金的質量）/ (導電性粒子〔d〕整體的質量）的 0.28、電阻値R爲0·15 Ω的導電性粒子。 015 X 覆層之 0.18、 0 3 5 X 覆層之 0.07 ^ 〔D〕 在調製 1 〔 d〕 0 12 X 覆層之 値N爲 -63- (60) 200408816 導電性粒子〔d 1〕（比較用） 是一數平均粒徑爲14 // m、BET比表面積爲〇· 14 X 103 m2/ kg、被覆層的厚度t爲43 lim、（形成被覆層之金 的質量）/ (導電性粒子〔d 1〕整體的質量）的値N爲 〇 · 1 1、電阻値R爲0 .1 Ω的導電性粒子。 〔導電性粒子〔e 1〕的調製〕 除了取代磁性芯粒子〔A〕而改採磁性芯粒子〔E〕 ，變更在金鍍敷液中之金的含有比例外，其他則與在調製 導電性粒子〔a〕時同樣地調製出以下的導電性粒子〔e 1 導電性粒子〔e 1〕（比較用）

是一數平均粒徑爲l〇//m、BET比表面積爲0·03 X 103 m2/ kg、被覆層的厚度t爲54 nm、（形成被覆層之金 的質量）/ (導電性粒子〔e 1〕整體的質量）的値N爲 0.0 5、電阻値R爲0 . 1 5 Ω的導電性粒子。 〔導電性粒子〔Π〕的調製〕 除了取代磁性芯粒子〔A〕而改採磁性芯粒子〔F〕 ，變更在金鍍敷液中之金的含有比例外，其他則與在調製 導電性粒子〔a〕時同樣地調製出以下的導電性粒子〔Π -64- (61) (61)200408816 導電性粒子〔Π〕（比較用） 是一數平均粒徑爲7从m、BET比表面積爲〇·7 χίο3 m2/ kg、被覆層的厚度t爲35 nm、（形成被覆層之金的質 量）/ (導電性粒子〔f 1〕整體的質量）的値N爲0 · 3 5、 電阻値R爲0 · 3 3 Ω的導電性粒子。 〔導電性粒子〔g 1〕的調製〕 除了取代磁性芯粒子〔A〕而改採磁性芯粒子〔G〕 ’變更在金鍍敷液中之金的含有比例外，其他則與在調製 導電性粒子〔a〕時同樣地調製出以下的導電性粒子〔g 1 導電性粒子〔g 1〕（比較用） 是一數平均粒徑爲11μ m、BET比表面積爲〇.006 X 1〇3 m2/kg、被覆層的厚度1爲54 nm、（形成被覆層之金 的質量）/ (導電性粒子〔g 1〕整體的質量）的値N爲 〇 · 〇 1、電阻値R爲〇 · 1 8 Ω的導電性粒子。 〔導電性粒子〔h 1〕的調製〕 除了取代磁性芯粒子〔A〕而改採磁性芯粒子〔H〕 ，變更在金鍍敷液中之金的含有比例外，其他則與在調製 導電性粒子〔a〕時同樣地調製出以下的導電性粒子〔hl -65 - (62) (62)200408816 導電性粒子〔h 1〕（比較用） 是一數平均粒徑爲10// m ' BET比表面積爲0.01 X 1 03 m2/ kg、被覆層的厚度t爲23 nm、（形成被覆層之金 的質量）/ (導電性粒子〔h 1〕整體的質量）的値N爲 0 · 0 1、電阻値R爲0.0 8 Ω的導電性粒子。 〔導電性粒子〔i 1〕的調製〕 除了取代磁性芯粒子〔A〕而改採磁性芯粒子〔I〕， 變更在金鍍敷液中.之金的含有比例外，其他則與在調製導 電性粒子〔a〕時同樣地調製出以下的導電性粒子〔i 1〕 導電性粒子〔i 1〕（比較用） 是一數平均粒徑爲46/ζηι、BET比表面積爲0.56 x 103m2/kg、被覆層的厚度t爲9.7nm、（形成被覆層之金 的質量）/ (導電性粒子〔i 1〕整體的質量）的値N爲 〇 · 1 3、電阻値R爲〇 . 〇 7 Ω的導電性粒子。 將所調製之導電性粒子的特性以及使用在該導電性粒 子之磁性芯粒子的特性則整理表示在以下的表1。 -66- 200408816 (ό3) s Μ iH 電阻 (Ω ) 0.025 Η ο 0.12 0.015 | 0.13 0.14 r-H 0.15 0.33 0.18 0.08 0.07 (金的質量） m ^ 4H 榧1 $ « Iff S S rn (Ν Ο 0.18 i 0.28 0.12 0.07 0.11 0.05 0.35 0.01 0.01 0.13 被覆層的 厚度(nm) r-H τ—Η 〇\ (Ν r~H 299 寸 m r i ^T) s r-H 5 ^T) (N 卜 σ< w 雛 BET比表面積 (m2/g) m Ο τ—( X τ-Η ο 0.08χ 1 0 3 0.015x1 03 0.12x 1 03 0.17x1 03 0.035x 1 03 0.14x1 03 0·03χ 1 03 0.7x1 03 0.006x 1 0 3 0.01x1 03 0·56χ 1 0 3 數平均粒 徑(V m) (Ν 寸 CN <N CN 寸 〇 卜 o 所使用之磁性芯粒子的特性 飽和磁化 (Wb/m2) ν〇 Ο ο ν〇 Ο o 〇 VO o v〇 o o o 〇 VO o Ο BET比表面積 (m2/g) 0.2χ 1 03 m Ο ι i X r-H Ο 0.038χ 1 03 0.15x 1 03 0.2x 1 0 3 0.038x 1 03 0.15x1 03 0.05x1 03 〇 r-H 各· O 0.008x 1 0 3 0.02x 1 0 3 0.8x1 03 粒徑的變動 係數(％) ο ο ο o o tn (N m o (N cn m 數平均粒 徑(# m) ο (Ν ο o o o o oo Ό o oo 種類 g r^i g Γ—1 W r~i Ei 〇 :巨 導電性粒 子 s Γ—1 2, r_ i r-H r~" T3 r~ r i ,<υ r— C 1~ ^ r— ! £ ' r-~i - 特餾浮旺

- 6? (64) 200408816 〔高分子物質形成材料〕 經硬化而成爲彈性高分子物質的高分子物質形成# _ 則準備有具有以下表2所示之特性的雙液型的附加型液& 矽膠。 〔表2〕 粘度（Pa · s) 硬化物 A液 B液 壓縮永久應 變（％) Durometer A硬度 撕裂強度 (kN/m) 矽膠（1) 250 250 5 32 25 矽膠（2) 500 500 6 42 30 矽膠（3) 1000 1000 6 52 35 在上述表2所示之附加型液狀矽膠的特性則依下來測 量。 (1 )附加型液狀矽膠的粘度： 根據Β型粘度計來測量在23;t2°c下的粘度。 (2 )矽膠硬化物的壓縮永久應變： 以使雙液型的附加型液狀矽膠中的A液與B液成爲等 量的比例加以攪拌混合。接著’將該混合物流入到金屬模 ，在針對該混合物藉由減壓進行完脫泡處理後’在1 2 〇 °C 、3 0分鐘的條件下進行硬化處理，藉此製作出厚度1 2 · 7 -68 - (65) (65)200408816 mm、直徑29 mm而由矽膠化合物所構成的圓柱體，針對該 圓柱體根據2〇〇 °C、4小時的條件進行後處理。將如此所得 到的圓柱體當作試驗片來使用，而依據JIS K 6249來測量 在1 50±2°C下的壓縮永久應變。 (3 )矽膠硬化物的撕裂強度： 藉由與上述（1 )相同的條件來進行附加液狀矽膠的 硬化處理以及後處理，藉此而製作出厚度爲2.5 mm的片。 藉由針對該片進行擊穿而製作出月牙（crescent )形的試 驗片。而依據JIS K 624 9來測量在23 ±2 °C下的壓縮永久應 變 〇 (4) Durometer A硬度： 將5個與上述（3)同樣地製作出的片重疊在一起，而 將所得到的積層體當作試驗片來使用，而依據JIS K 6249 來測量在23±2°C的Durometer A硬度。 〔製作試驗用晶圓〕 如圖1 7所示，在直徑爲8英吋的矽（熱膨脹係數3 · 3 X 1 Ο·6 / K )製的晶圓6上形成合計5 96個尺寸分別爲6.5 mm X 6.5 mm之正方形的積體電路L。形成在晶圓6之積體 電路L，則分別如圖1 8所示，在其中央具有被檢查電極領 域A，在該被檢查電極領域A，則如圖1 9所示，依據1 2 0 // m的間距將26個分別在縱方向（在圖1 9中爲上下方向） -69- (66) 200408816 的尺寸爲200// m、橫方向（在圖19中爲左右方向）的尺 寸爲8 0 // m之矩形的被檢查電極7配列成二列（一列的被 檢查電極7的數目爲1 3個）。在縱方向上相鄰的被檢查電 極7之間的相離距離爲45 0 // m。又，在26個被檢查電極7 中，2個2個地在電氣上彼此連接。該晶圓6整體的被檢查 電極7的總數爲1 5 4 9 6個。以下則將該晶圓稱爲「試驗用晶 圓W1」。

又，在直徑爲6英吋的矽製的晶圓上形成合計225個尺 寸分別爲6.5 mmx6.5 mm之正方形的積體電路L。形成在 晶圓之積體電路，則在其中央具有被檢查電極領域，在該 被檢查電極領域，則依據1 〇〇 V πι的間距將5 0個分別在縱 方向的尺寸爲100// m、橫方向的尺寸爲50// m之矩形的 被檢查電極配列成二列（一列的被檢查電極的數目爲25個 )。在縱方向上相鄰的被檢查電極之間的相離距離爲3 5 0 //m。又，在50個被檢查電極中，2個2個地在電氣上彼此 連接。該晶圓6整體的被檢查電極的總數爲1 1 2 5 0個。以下 則將該晶圓稱爲「試驗用晶圓W2」° (實施例1 ) 根據圖20以及圖2 1所示的構成，依據以下的條件製作 出具有5 96個對應於上述試驗用晶圓W1中的各被檢查電極 領域而形成的向異導電膜配置孔而直徑爲8英吋的框架板 〇 該框架板1 0的材質爲鈷（飽和磁化1 .4 wb / m2、線熱 -70- (67)200408816 膨脹係數5 向異導 2 1中爲左右 及圖2 1中爲 在位於 中央位置則 β 111 。 (2 )間隔f 依據以 中的被檢查 膜成形用的 該間隔 β m 〇 與各被 寸爲2 5 00 // (3 )金屬| 根據圖 作出彈性向 在該金 6 m m的鐵戶 據與試驗用 而配置有由 xl(T6/ K)，其厚度爲 60/z m。 電膜配置用孔1 1分別其橫方向（在圖2 0以及圖 方向）的尺寸爲1800// m、縱方向（在圖20以 上下方向）的尺寸爲6 0 0 // m。 在縱方向相鄰之向異導電膜配置用孔11之間的 形成有圓形的空氣流入孔15，其直徑爲1000 I ( Spacer) 下的條件製作出2個具有對應於試驗用晶圓W1 電極領域而形成之多個貫穿孔的彈性向異導電 間隔件。 件的材質爲不銹鋼（SUS 304)，其厚度爲20 檢查電極領域呈對應的貫穿孔，其橫方向的尺 m、縱方向的尺寸爲1 4 0 0 // m。 7以及圖2 2所示的構成，依據以下的條件而製 異導電膜成形用的金屬模。 屬膜中的上模6 1以及下模6 5則分別具有由厚度 于構成的基板62、66，在該基板62、66上則根 晶圓W 1中的被檢查電極的圖案呈對應的圖案 鎳所構成之連接用導電部形成用的強磁性體層

-71 - (68) 200408816 6 3 ( 6 7 )以及非連接用導電部形成用的強磁性體層6 3 a (

6 7 a )。具體地說，連接用導電部形成用的強磁性體層6 3 (6 7 )的各尺寸分別爲6 0 /z m (橫方向）X 2 0 0 // m (縱 方向）X 1 0 0 // m (厚度），而依據1 2 0 // m的間距將2 6個 的強磁性體層6 3 ( 6 7 )在橫方向配列成二列（一列的強磁 性體層63 ( 67 )的數目爲1 3個，而在縱方向上相鄰的強磁 性體層63 ( 67 )之間的相離距離爲450 // m )。又，在強 磁性體層6 3 ( 6 7 )並列的方向上，在位於最外側之強磁性 體層63 ( 67 )的外側則配置有非連接用導電部形成用的強 磁性體層63a ( 67a)。各強磁性體層63a ( 67a)的尺寸則 爲8 0 # m (橫方向）X 3 0 0 // m (縱方向）X 1 0 0 // m (厚 度）。

此外’已形成有26個連接用導電部形成用的強磁性體 層63 ( 6 7 )以及2個非連接用導電部形成用的強磁性體層 63a ( 67a )的領域，則針對試驗用晶圓W1中的被檢查電 極領域合計形成5 9 6個，整體基板共形成有1 5 4 9 6個的連接 用導電部形成用的強磁性體6 3 ( 6 7 )以及1 1 9 2個的非連接 用導電部形成用的強磁性體層6 3 a ( 6 7 a )。 又，非磁性體層64 ( 6 8 )則是藉由讓乾式薄膜光阻材 料作硬化處理而形成，而連接用導電部形成用的強磁性體 層63 (67)所在的凹部64&(68&)的各尺寸爲70//111(橫 方向）X 2 1 0 // m (縱方向）X 2 5 “ nl (深度），而非連 接用導電部形成用的強磁性體層63 a ( 67a )所在的凹部 6 4 b ( 6 8 b )的各尺寸則爲9 0 β ηΊ (橫方向）X 2 6 0 // m ( -72- (69) 200408816 縱方向）X 2 5 // m (深度），而在凹部以外之部分的厚度 爲125// m (凹部部分的厚度100//m)。 (4 )彈性向異導電膜 利用以上的框架板、間隔件以及金屬模，而如以下般 地在框架板形成彈性向異導電膜。

將3 0重量部的導電性粒子〔a〕添加到1 00重量部的矽 膠（1 )加以混合，之後，藉由減壓實施脫泡處理而調製 出導電性電糊組成物。將該導電性電糊組成物當作「電糊 (1 — a )」。 藉由網版印刷將調製作爲彈性向異導電膜用的成形材 料的電糊（1 - a )塗佈在上述之金屬模的上模以及下模的 表面而根據所要形成之彈性向異導電膜的圖案形成成形材 料層，經由下模側的間隔件將框架板定位且重疊在下模的 成形面上，更且，則經由上模側的間隔件將上模定位且重 疊在該框架板上。

此外，針對被形成在上模以及下模之間的成形材料層 ，在位於強磁性體層之間的部分，則一邊藉由電磁鐵將2T 的磁場作用在厚度方向，且一邊根據10(TC、1小時的條件 實施硬化處理，而在框架板的各向異導電膜配置用孔形成 彈性向異導電膜，更且則製造出向異導電性連接器。以下 則將該向異導電膜連接器稱爲「向異導電性連接器C 1」。 若針對所得到的彈性向異導電膜具體地說明時，則各 彈性向異導電膜的橫方向的尺寸爲25 00 // m、縱方向的尺 -73- (70) (70)200408816 寸爲1 40 0 // m。在各彈性向異導電膜的功能部則根據1 20 // m的間距將26個的連接用導電部在橫方向配列成二列（ 一列的連接用導電部的數目爲1 3個、在縱方向相鄰的連接 用導電部之間的相離距離爲4 5 0 // m，各連接用導電部的 橫方向的尺寸爲6〇a m、縱方向的尺寸爲200" m、厚度 爲150 // m，而在功能部的絕緣部的厚度爲100 // m。又， 在位於橫方向之最外側的連接用導電部與框架板之間則配 置有非連接用導電部。各非連接用導電部的縱方向的尺寸 爲300# m、厚度爲150// m。又在各彈性向異導電膜中之 被支撑部的厚度（雙股部分之其中之一者的厚度）爲20 II m 〇 當調查所得到之向異導電性連接器C 1的各彈性向異導 電膜之連接用導電部中的導電性粒子的含有比例時，則針 對全部的連接用導電部之體積比例約爲3 0 %。 又，當觀察彈性向異導電膜的被支撑部以及功能部中 的絕緣部時，則確認出在被支撑部存在有導電性粒子，且 確認出在功能部的絕緣部幾乎不存在導電性粒子。 (5 )檢查用電路基板 基板材料使用氧化鋁陶瓷（線熱膨脹係數爲4.8x1 (Γ6 / K )，根據與試驗用晶圓W 1中之被檢查電極對應的圖案 而製作出已形成有檢查電極的檢查用電路基板。該檢查用 電路基板是一整體的尺寸爲30 cmx30 cm的矩形，而其檢 查電極的橫方向的尺寸爲60// m、縱方向的尺寸爲200 .74- (71) 200408816 μ m。以下則將該檢查用電路基板稱爲「檢查用電路基板 T1」° (6 )片狀連接器

準備好由將厚度爲15/z m的銅層積層在厚度20〇v m 之由聚醯亞胺所構成之絕緣片的一面所構成的積層材料’ 藉著針對該積層材料中的絕緣片實施雷射加工’而根據與 試驗用晶圓W 1中的被檢查電極的圖案呈對應的圖案而形 成貫穿在該絕緣片之厚度方向而直徑分別爲3 〇 v m的 15496個的貫穿孔。接著，藉著針對該積層材料實施光石 印以及鍍鎳處理，除了在絕緣片的貫穿孔內形成呈一體地 被連接到銅層的短路部外，在該絕緣片的表面也形成呈一 體地被連結到短路部之突起狀的表面電極部。該表面電極 部的直徑爲4 0 // m，而距絕緣片的表面的高度爲2 0 // m。 之後，則針對積層材料的銅層實施光蝕刻處理而除去其一 部分，藉此形成70// m x210// m之矩形的背面電極部， 更且，藉著針對表面電極部以及背面電極部實施鍍金處理 而形成電極構造體，進而製作出片狀連接器。以下則將該 片狀連接器稱爲「片狀連接器Μ 1」。 (7 )試驗1 將試驗用晶圓W 1配置在具備有電熱加熱器的試驗台 ，將向異導電性連接器C 1如使其各連接用導電部位在該試 驗用晶圓W 1的被檢查電極上般地配置在該試驗用晶圓W 1 -75- (72) (72)200408816 上’此外則將檢查用電路基板T 1如使其各檢查電極位在該 向異導電性連接器C 1的連接用導電部上般地配置在該向異 導電性連接器C 1上，更且，則使檢查用電路基板Τ 1朝下 方地以3 2 kg的荷重來加壓（施加在每個連接用導電部的 荷重平均爲2 g )。此外，在室溫（2 5 °C )下，針對檢查 用電路基板T1中的1 5 496個的檢查電極依序測量經由向異 導電性連接器C 1以及試驗用晶圓W 1彼此在電氣上被連接 之2個檢查電極之間的電阻，將所測得的電阻値的2分之1 的値記錄作爲向異導電性連接器C 1中之連接用導電部的電 阻（以下稱爲「導通電阻」），而求取導通電阻在1 Ω 以上之連接用導電部的數目。將以上的操作稱爲「操作（ 1 ) j 〇 接著，則將對檢查用電路基板T 1加壓的荷重變更成 1 2 6 k g (施加在每個連接用導電部的荷重平均約爲8 g ) ’之後，將試驗台加熱到1 2 5 °C，在試驗台的溫度安定後 ，則與上述的操作（1 )同樣地測量向異導電性連接器C 1 中之連接用導電部的導通電阻，而求取導通電阻在1 Ω 以上之連接用導電部的數目。之後，在此狀態下放置1個 小時。將以上的操作稱爲「操作（2 )」。 接著將試驗台冷卻到室溫，之後則解除針對檢查用電 路基板的加壓。將以上的操作稱爲「操作（3 )」。 此外，以上述的操作（1 )、操作（2 )以及操作（3 )當作1個週期，合計連續進行5 0 0個週期。 在上述中，在針對連接用導電部的導通電阻在1 Ω -76- (73) (73)200408816 以上之形成在晶圓上之積體電路進行電氣檢查時，則實際 上很難使用。 將以上的結果表不在以下的表3。 (8 )試驗2 在被配置在試驗台的試驗用晶圓W 1上配置片狀連接 器Μ 1，且使其表面電極部位在該試驗用晶圓W 1的被檢查 電極上，在該片狀連接器Μ 1上則配置有向異導電性連接 器C 1，且使其連接用導電部位於片狀連接器Μ 1的背面電 極部上，更且，則將檢查用電路基板Τ1朝下地以63 kg的 荷重（施加在每個連接用導電部的荷重平均約爲4 kg)來 加壓，其他則與上述試驗台1同樣地來測量連接用導電部 的導通電阻，而求取導通電阻在1 Ω以上的連接用導電 部的數目。 將以上的結果表示在下述表4。

(實施例2 ) 除了取代導電性粒子〔a〕而改採導電性粒子〔b〕外 ，其他則與實施例1同樣地調製出導電性電糊組成物。將 該導電性電糊組成物稱爲「電糊（1 一 b )」。 除了取代電糊（1 一 a )而改採電糊（1 一 b )外，其他 則與實施例1同樣地製造出向異導電性連接器。以下則將 該向異導電性連接器稱爲「向異導電性連接器C2」。 當調查所得到之向異導電性連接器C2的各彈向向異導 -77- (74) (74)200408816 電膜之連接用導電部中的導電性粒子的含有比例時，則針 對全部的連接用導電部的體積比例約爲3 0 %。 又，當觀察彈性向異導電膜的被支撑部以及功能部中 的絕緣部時，則確認出在被支撑部存在有導電性粒子，而 在功能部的絕緣部幾乎不存在導電性粒子。 除了取代向異導電性連接器C 1而改採向異導電性連接 器C2外，其他則與實施例1同樣地進行試驗1以及試驗2， 且將結果表示在以下的表3以及表4。 (實施例3 ) 除了取代導電性粒子〔a〕而改採導電性粒子〔c〕外 ，其他則與實施例1同樣地調製出導電性電糊組成物。將 該導電性電糊組成物稱爲「電糊（1 一 c )」。 除了取代電糊（1 一 a )而改採電糊（1 一 c )外，其他 則與實施例1同樣地製造出向異導電性連接器。以下則將 該向異導電性連接器稱爲「向異導電性連接器C3」。 當調查所得到之向異導電性連接器C3的各彈向異導電 膜之連接用導電部中的導電性粒子的含有比例時，則針對 全部的連接用導電部的體積比例約爲30%。 又，當觀察彈性向異導電膜的被支撑部以及功能部中 的絕緣部時，則確認出在被支撑部存在有導電性粒子，而 在功能部的絕緣部幾乎不存在導電性粒子。 除了取代向異導電性連接器C1而改採向異導電性連接 器C3外，其他則與實施例1同樣地進行試驗1以及試驗2， -78- (75) (75)200408816 且將結果表示在以下的表3以及表4。 (實施例4 ) 除了取代導電性粒子〔a〕而改採導電性粒子〔d〕外 ’其他則與實施例1同樣地調製出導電性電糊組成物。將 該導電性電糊組成物稱爲「電糊（1 — d )」。 除了取代電糊（1 一 a )而改採電糊（1 一 d )外，其他 則與實施例1同樣地製造出向異導電性連接器。以下則將 該向異導電性連接器稱爲「向異導電性連接器C4」。 ® 當調查所得到之向異導電性連接器c 4的各彈向異導電 膜之連接用導電部中的導電性粒子的含有比例時，則針對 全部的連接用導電部的體積比例約爲3 〇 %。 又’當觀察彈性向異導電膜的被支撑部以及功能部中 的絕緣部時，則確認出在被支撑部存在有導電性粒子，而 在功能部的絕緣部幾乎不存在導電性粒子。 除了取代向異導電性連接器C 1而改採向異導電性連接 | 器C4外’其他則與實施例1同樣地進行試驗丨以及試驗2， 且將結果表示在以下的表3以及表4。 (比較例1 ) 除了取代導電性粒子〔a〕而改採導電性粒子〔a 1〕 外，其他則與實施例1同樣地調製出導電性電糊組成物。 將該導電性電糊組成物稱爲「電糊（1 一 a 1 )」。 除了取代電糊（1 一 a )而改採電糊（1 一 a 1 )外，其 -79- (76) (76)200408816 他則與實施例1同樣地製造出向異導電性連接器。以下則 將該向異導電性連接器稱爲「向異導電性連接器C 1 1」。 當調查所得到之向異導電性連接器c 1 1的各彈向異導 電膜之連接用導電部中的導電性粒子的含有比例時，則針 對全部的連接用導電部的體積比例約爲3 0 %。 又’當觀察彈性向異導電膜的被支撑部以及功能部中 的絕緣部時’則確認出在被支撑部存在有導電性粒子，而 在功能部的絕緣部幾乎不存在導電性粒子。 除了取代向異導電性連接器C 1而改採向異導電性連接 器C 1 1外，其他則與實施例1同樣地進行試驗1以及試驗2， 且將結果表不在以下的表3以及表4。 (比較例2 ) 除了取代導電性粒子〔a〕而改採導電性粒子〔c 1〕 外，其他則與實施例1同樣地調製出導電性電糊組成物。 將該導電性電糊組成物稱爲「電糊（1 一 c 1 )」。 除了取代電糊（1 — a )而改採電糊（1 一 c 1 )外’其 他則與實施例1同樣地製造出向異導電性連接器。以下則 將該向異導電性連接器稱爲「向異導電性連接器C 1 2」° 當調查所得到之向異導電性連接器C 1 2的各彈向向異 導電膜之連接用導電部中的導電性粒子的含有比例時’則 針對全部的連接用導電部的體積比例約爲30% ° 又，當觀察彈性向異導電膜的被支撑部以及功能@ + 的絕緣部時，則確認出在被支撑部存在有導電性粒子’而 -80- (77) (77)200408816 在功能部的絕緣部幾乎不存在導電性粒子。 除了取代向異導電性連接器C 1而改採向異導電性連接 器C 1 2外，其他則與實施例1同樣地進行試驗1以及試驗2 ’ 且將結果表不¾:以下的表3以及表4。 (比較例3 ) 除了取代導電性粒子〔a〕而改採導電性粒子〔d 1〕 外，其他則與實施例1同樣地調製出導電性電糊組成物。 將該導電性電糊組成物稱爲「電糊（1 — d 1 )」。 除了取代電糊（1 — a )而改採電糊（1 一 d 1 )外，其 他則與實施例1同樣地製造出向異導電性連接器。以下則 將該向異導電性連接器稱爲「向異導電性連接器C 1 3」。 當調查所得到之向異導電性連接器C丨3的各彈向異導 電膜之連接用導電部中的導電性粒子的含有比例時，則針 對全部的連接用導電部的體積比例約爲3 〇 %。 X ’當觀察彈性向異導電膜的被支撑部以及功能部中 白勺Μ，緣^時’則確認出在被支撑部存在有導電性粒子，而 在功能部的絕緣部幾乎不存在導電性粒子。 除了取代向異導電性連接器C 1 3而改採向異導電性連 接器C2外’其他則與實施例1同樣地進行試驗1以及試驗2 ’且將結果袠示在以下的表3以及表4。 (比較例4 ) 除了取代導電性粒子〔a〕而改採導電性粒子〔e i〕 -81 - (78) (78)200408816 外，其他則與實施例1同樣地調製出導電性電糊組成物。 將該導電性電糊組成物稱爲「電糊（1 一 e 1 )」。 除了取代電糊（1 一 a )而改採電糊（1 一 e 1 )外，其 他則與實施例1同樣地製造出向異導電性連接器。以下則 將該向異導電性連接器稱爲「向異導電性連接器c 1 4」。 當調查所得到之向異導電性連接器C 1 4的各彈性向異 導電膜之連接用導電部中的導電性粒子的含有比例時，則 針對全部的連接用導電部的體積比例約爲30%。 又，當觀察彈性向異導電膜的被支撑部以及功能部中 的絕緣部時，則確認出在被支撑部存在有導電性粒子，而 在功能部的絕緣部幾乎不存在導電性粒子。 除了取代向異導電性連接器C 1而改採向異導電性連接 器C 1 4外，其他則與實施例1同樣地進行試驗1以及試驗2， 且將結果表示在以下的表3以及表4。 (比較例5 ) 除了取代導電性粒子〔a〕而改採導電性粒子〔fl〕 外’其他則與實施例1同樣地調製出導電性電糊組成物。 將該導電性電糊組成物稱爲「電糊（1 一 Π )」。 除了取代電糊（1 一 a )而改採電糊（1 一 Π )外，其 他則與實施例1同樣地製造出向異導電性連接器。以下則 將該向異導電性連接器稱爲「向異導電性連接器C 1 5」。 當調查所得到之向異導電性連接器C 1 5的各彈向異導 電膜之連接用導電部中的導電性粒子的含有比例時，則針 -82- (79)200408816 對全部的連 又，當 的絕緣部時 在功能部的 除了取 器C 1 5外，； 且將結果表 (比較例6 ) 除了取 外，其他則 將該導電性 除了取 他則與實施 將該向異導 當調查 電膜之連接 對全部的連 又，當 的絕緣部時 在功能部的 除了取 器C 1 6外，； 且將結果表 接用導電部的體積比例約爲30%。 觀察彈性向異導電膜的被支撑部以及功能部中 ’則確認出在被支撑部存在有導電性粒子，而 絕緣部幾乎不存在導電性粒子。 代向異導電性連接器C丨而改採向異導電性連接 $他則與貫施例1 R樣地進行試驗1以及試驗2， 示在以下的表3以及表4。 代導電性粒子〔a〕而改採導電性粒子〔g 1〕 與實施例1同樣地調製出導電性電糊組成物。 電糊組成物稱爲「電糊（1 一 g 1 )」。 代電糊（1 一 a )而改採電糊（1 一 g 1 )外，其 例1同樣地製造出向異導電性連接器。以下則 電性連接器稱爲「向異導電性連接器C 1 6」。 所得到之向異導電性連接器C 1 6的各彈向異導 用導電部中的導電性粒子的含有比例時，則針 接用導電部的體積比例約爲3 0 %。 觀察彈性向異導電膜的被支撑部以及功能部中 ，則確認出在被支撑部存在有導電性粒子，而 絕緣部幾乎不存在導電性粒子。 代向異導電性連接器C 1而改採向異導電性連接 _他則與實施例1同樣地進行試驗1以及試驗2， 示在以下的表3以及表4。

-83- (80) (80)200408816 (比較例7 ) 除了取代導電性粒子〔a〕而改採導電性粒子〔h j〕 外，其他則與實施例1同樣地調製出導電性電糊組成物。 將該導電性電糊組成物稱爲「電糊（1 一 h 1 )」。 除了取代電糊（1 一 a )而改採電糊（1 — h 1 )外，其 他則與實施例1同樣地製造出向異導電性連接器。以下則 將該向異導電性連接器稱爲「向異導電性連接器C 1 7」。 當調查所得到之向異導電性連接器C 1 7的各彈向向異 導電膜之連接用導電部中的導電性粒子的含有比例時，則 針對全部的連接用導電部的體積比例約爲3 0 %。 又，當觀察彈性向異導電膜的被支撑部以及功能部中 的絕緣部時，則確認出在被支撑部存在有導電性粒子，而 在功能部的絕緣部幾乎不存在導電性粒子。 除了取代向異導電性連接器C 1而改採向異導電性連接 器C 1 7外’其他則與實施例1同樣地進行試驗丨以及試驗2， 且將結果表示在以下的表3以及表4。 (比較例8 ) 除了取代導電性粒子〔a〕而改採導電性粒子〔i 1〕 外’其他則與實施例1同樣地調製出導電性電糊組成物。 將該導電性電糊組成物稱爲「電糊（1 一 i 1 )」。 除了取代電糊（1 — a )而改採電糊（1 一 i 1 )外，其 他則與實施例1同樣地製造出向異導電性連接器。以下則 -84- (81) (81)200408816 將該向異導電性連接器稱爲「向異導電性連接器c 1 8」。 當調查所得到之向異導電性連接器C 1 8的各彈向向異 導電膜之連接用導電部中的導電性粒子的含有比例時，則 針對全部的連接用導電部的體積比例約爲3 0 %。 又，當觀察彈性向異導電膜的被支撑部以及功能部中 的絕緣部時，則確認出在被支撑部存在有導電性粒子，而 在功能部的絕緣部幾乎不存在導電性粒子。 除了取代向異導電性連接器C 1而改採向異導電性連接 器c 1 8外，其他則與實施例1同樣地進行試驗1以及試驗2， 且將結果表不在以下的表3以及表4。

-85- (82)200408816 表3 週期數 導通電阻在1Ω以上之連接用導f 1部的數目[個] 1 20 50 100 200 300 400 500 實施例1 室溫，32kg 0 0 0 0 0 0 0 0 125°C，126kg 0 0 0 0 0 0 0 0 實施例2 室溫，32kg 0 0 0 0 34 96 218 602 125°C，126kg 0 0 0 0 8 26 76 188 實施例3 室溫，32kg 0 0 0 0 0 70 248 1036 125°C，126kg 0 0 0 0 0 24 84 372 實施例4 室溫，32kg 0 0 0 0 0 0 0 0 125°C，126kg 0 0 0 0 0 0 0 0 比較例1 室溫，32kg 0 0 242 698 404 1328 2918 — 125〇C，126kg 0 0 36 74 234 538 982 1538 比較例2 室溫，32kg 0 0 74 88 382 1004 2104 — 125°C，126kg 0 0 42 54 198 418 842 1378 比較例3 室溫，32kg 0 0 0 28 78 104 732 1538 125°C，126kg 0 0 0 16 42 372 544 1172 比較例4 室溫，32kg 0 0 0 0 108 318 1298 4984 125〇C?126kg 0 0 0 0 36 104 458 1634 比較例5 室溫，32kg 0 0 0 0 258 1014 3270 — 125〇C?126kg 0 0 0 0 88 346 1032 3078 比較例6 室溫，32kg 0 0 48 116 458 1824 — — 125〇C，126kg 0 0 18 42 158 574 2014 — 比較例7 室溫，32kg 0 598 2612 7054 — — — — 125〇C?126kg 0 198 894 2364 一 — — — 比較例8 室溫，32kg 0 0 24 42 138 504 1218 2514 125〇C? 126kg 0 0 16 24 72 372 694 1238

-86- (83)200408816 表4 週期數 導通電阻在1Ω以上之連接用導f 1部的數目[個] 1 20 50 100 200 300 400 500 實施例1 室溫，63kg 0 0 0 0 0 0 0 0 125°C，126kg 0 0 0 0 0 0 0 0 實施例2 室溫,63kg 0 0 0 0 16 48 150 374 125°C, 126kg 0 0 0 0 10 24 80 202 實施例3 室溫，63kg 0 0 0 0 0 50 164 754 125〇C?126kg 0 0 0 0 0 22 90 362 實施例4 室溫，63kg 0 0 0 0 0 0 0 0 125〇C，126kg 0 0 0 0 0 0 0 0 比較例1 室溫，63kg 0 0 78 92 132 194 294 532 125〇C?126kg 0 0 52 68 102 172 262 414 比較例2 室溫，63kg 0 0 44 92 344 806 2514 — 125〇C?126kg 0 0 32 54 232 442 1318 2594 比較例3 室溫,63kg 0 0 0 14 58 154 376 1214 125°C，126kg 0 0 0 10 44 102 302 710 比較例4 室溫，63kg 0 0 0 0 58 216 924 3174 125°C，126kg 0 0 0 0 34 102 454 1596 比較例5 室溫，63kg 0 0 0 0 166 702 2066 — 125°C，126kg 0 0 0 0 82 352 1016 3014 比較例6 室溫，63kg 0 0 36 84 314 1154 4058 — 125〇C?126kg 0 0 18 44 162 568 2002 — 比較例7 室溫，63kg 0 146 596 1046 4564 — — — 125〇C,126kg 0 204 904 2402 — — — — 比較例8 室溫，63kg 0 0 26 48 106 242 518 1936 125〇C?126kg 0 0 12 32 82 196 426 1518

-87- (84) (84)200408816 由表3以及表4的結果可知，若根據實施例1〜實施例3 的向異導電性連接器C 1〜向異導電性連接器C4，即使在 彈性向異導電膜中的連接用導電膜的間距小，也可以在該 連接用導電部處得到良好的導電性，又，即使是對由溫度 變化所造成之熱履歷過程等的環境的變化，也能夠安定地 維持良好的電氣連接狀態，更且，即使是在高溫環境下反 覆地使用，也經確認出經過長時間也能維持良好的導電性

(實施例5 ) (1 )框架板 根據以下的條件，而製作出具有對應於上述之試驗用 晶圓W2的各被檢查電極領域而形成之22 5個向異導電膜配 置孔的直徑爲6英吋的框架板。 該框架板的材質爲鈷（飽和磁化1.4 Wb/ m2、線膨脹 係數爲5 xl(T6 /K)、厚度爲80//m。 各向異導電膜配置用孔，其橫方向的尺寸爲2 740 # m 、縱方向的尺寸爲6 0 0 // m。 在位在縱方向相鄰之向異導電膜配置用孔之間的中央 位置則形成有圓形的空氣流入孔，其直徑爲1 〇〇〇 // m。 (2 )間隔件（Spacer ) 根據以下的條件而製作出2個具有對應於試驗用晶圓 W2的被檢查電極領域而形成之多個貫穿孔的彈性向異導 -88- (85) (85)200408816 電膜形成用的間隔件（Spacer)。 該些間隔件的材質爲不銹鋼（SUS 3 04 )，其厚度爲 3 0 μ m 〇 與各被檢查電極領域對應的貫穿孔，在其橫方向的尺 寸爲3 5 0 0 β m、縱方向的尺寸爲丨4 〇 〇 # ηΊ。 (3 )金屬模 根據以下的條件製作出彈性向異導電膜成形用的金屬 模。 該金屬模的上模以及下模分別是由厚度爲6 mm的鐵 所構成的基板，在該基板上則根據與試驗用晶圓W2之被 檢查電極的圖案呈對應的圖案而配置有由鎳所構成之連接 用導電部形成用的強磁性體層以及非連接用導電部形成用 的強磁性體層。具體地說，連接用導電部形成用的各強磁 性體層的尺寸爲5 0 // m (橫方向）X 1 0 0 // m (縱方向） X 1 0 0 // m (厚度），而依據1 〇〇 # nl的間距在橫方向被配 列成二列（一列的強磁性體層的數目爲2 5個、在縱方向相 鄰之強磁性體層之間的相離距離爲3 5 0 // m )。又，在強 磁性體層排列的方向，在位於最外側之強磁性體層的外側 則配置有非連接用導電部形成用的強磁性體層。該強磁性 體層的尺寸爲50 // m (橫方向）X 2 00 // m (縱方向）X 100/z m (厚度）。 此外，已形成有50個的連接用導電部形成用的強磁性 體層以及2個的非連接用導電部形成用的強磁性體層的領 -89- (86) (86)200408816 域，則對應於試驗用晶圓W2中的被檢查電極領域合計形 成225個，因此整個基板共形成1 1 2 5 0個的連接用導電部形 成用的強磁性體層以及4 5 0個的非連接用導電部形成用的 強磁性體層。 又，非磁性體層則藉著讓乾式薄膜光阻層實施硬化處 理而形成，而連接用導電部形成用的強磁性體層所在之凹 部的各尺寸則是5 0 // m (橫方向）X 1 0 0 // m (縱方向） X 3 0 a m (深度），而非連接用導電部形成用的強磁性體 層所在之凹部的各尺寸則是50//m (橫方向）x200/zm (縱方向）X 3 0 // m (深度），而凹部以外的部分的厚度 爲1 3 0 /z m (凹部部分的厚度爲1 0 0 // m )。 (4 )彈性向異導電膜 利用以上的框架板、間隔件以及金屬模，如以下般地 在框架板上形成彈向異導電膜。 在上述的金屬模的上模以及下模的表面，則藉由網版 印刷而塗佈與實施例1同樣地調製而成的電糊（1 - a )以 作爲彈性向異導電膜用的成形材料，而根據所要形成之彈 性向異導電膜的圖案而形成成形材料層，經由下模側的間 隔件將框架板實施定位而重疊在下模的成形面上，更且， 則經由上模側的間隔件將上模實施定位而重疊在該框架板 上。 此外，針對被形成在上模以及下模之間的成形材料層 ’在位於強磁性體層之間的部分，一邊藉由電磁鐵讓2 T的 -90- (87) (87)200408816 磁場作用在厚度方向，一邊則在1 0 0 °C、1個小時的條件下 實施硬化處理，而在框架板之各向異導電膜配置用孔形成 彈性向異導電膜，進而製造出向異導電性連接器。以下則 將該向異導電性連接器稱爲「向異導電性連接器C2 1」° 若針對所得到的彈性向異導電膜具體地說明時’則各 彈性向異導電膜的橫方向的尺寸爲3 5 0 0 # m、縱方向的尺 寸爲1 4 0 0 μ m。在各彈性向異導電膜的各功能部則依據 1 00 // m的間距將50個的連接用導電部在橫方向配列成二 列（一列的連接用導電部的數目爲2 5個，在縱方向相鄰之 連接用導電部之間的相離距離爲3 5 0 // m )，各連接用導 電部的橫方向的尺寸爲5 0 // m、縱方向的尺寸爲1 〇 〇 // m 、厚度爲2 0 0从m，在功能部之絕緣部的厚度爲1 4 0 // m。 又，在橫方向，在位於最外側之連接用導電部與框架板之 間則配置有非連接用導電部。各非連接用導電部的橫方向 的尺寸爲5 0 // m、縱方向的尺寸爲2 0 0 // m、厚度爲2 0 0 // m。又，在各彈性向異導電膜中的被支撑部的厚度（二 股部分之其中一個的厚度）爲3 0 // m。 當調查在所得到之向異導電性連接器C2 1之各彈性向 異導電膜的連接用導電部中的導電性粒子的含有比例時， 則針對全部的連接用導電部之體積比例約爲30%。 又，當觀察在彈性向異導電膜的被支撑部以及功能部 中的絕緣部時，則確認在被支撑部存在有導電性粒子，而 在功能部中的絕緣部則幾乎不存在導電性粒子。 -91 - (88) (88)200408816 (5 )檢查用電路基板 使用玻璃纖維補強型環氧樹脂作爲基板材料，而根據 與試驗用晶圓W 2中之被檢查電極的圖案呈對應的圖案而 製作出已形成有檢查電極的檢查用電路基板。該檢查用電 路基板是一整體的尺寸爲16 cm xl6 cm的矩形，其檢查電 極的橫方向的尺寸爲5 0 // m、縱方向的尺寸爲1 〇 〇 # m。 以下將該檢查用電路基板稱爲「檢查用電路基板T2」。 (6 )片狀連接器 準備有在厚度爲2 0 μ m之由聚醯亞胺所構成之絕緣片 的一面積層1 5 # m的銅層所構成的積層材料，藉著對該積 層材料的絕緣片貫施雷射加工，而根據與試驗用晶圓2 中之被檢查電極的圖案呈對應的圖案形成1 1 2 5 0個貫穿於 該絕緣片的厚度方向而直徑分別爲3 0 // m的貫穿孔。接著 ’針對該積層材料實施光石印以及鍍鎳處理，藉此除了在 絕緣片的貫穿孔內形成呈一體地連結到銅層的短路部外， 也在該絕緣片的表面形成呈一體地連結到短路部之突起狀 的表面電極部。該表面電極部的直徑爲4 0 // m，而距絕緣 片之表面的高度爲200 a m。之後，針對積層材料中的銅 層實施乾蝕刻處理而除去其一部分，藉此形成2 0 μ m X 6 0 // m之矩形的背面電極部，更且，則藉著針對表面電極部 以及背面電極部實施鍍金處理而形成電極構造體，進而製 造出片狀連接器。以下則將該片狀連接器爲「片狀連接器 M2」。 -92- (89) (89)200408816 (7 )試驗3 將試驗用晶圓W2配置在具備電熱加熱器的試驗台上 將向異導電性連接器C2 1配置在該試驗用晶圓W2上且使各 連接用導電部定位在該試驗用晶圓W2的被檢查電極上， 而將檢查用電路基板T2配置在該向異導電性連接器C2 1上 且使各檢查電極定位在該向異導電性連接器C 2 1的連接用 導電部上。更且，將檢查用電路基板T2置於下方而以90 kg的荷重（施加在每個連接用導電部的荷重平均約爲8 g )來加壓。此外，在室溫（2 5 °C )下測量向異導電性連接 器C21中之連接用導電部的導通電阻，而求取導通電阻在1 Ω以上之連接用導電部的數目，以上的操作爲「操作（1 )j 。 接著在對檢查用電路基板T2實施加壓的狀態下，在將 試驗台的溫度昇溫到8 5 °C且保持1分鐘後測量向異導電性 連接器C 1中的連接用導電部的導通電阻，而求取導通電阻 在1 Ω以上的連接用導電部的數目。此外，則解除對檢 查用電路基板的加壓，之後則將試驗台冷卻到室溫。 此外，則將以上的操作（1 )以及操作（2 )當作1個 週期而合計連續地進行5 000 0次的週期。 在上述中，針對連接用導電部的導通電阻在1 Ω以 上者，在對形成在晶圓上的積體電路進行電氣檢查時實際 上很難使用。 將以上的結果表示在以下的表5。 -93- (90) (90)200408816 (實施例6 ) 除了取代電糊（1 一 a )而改採與實施例4同樣地所調 製的電糊（1 一 d )外，其他則與實施例5同樣地製造出向 異導電性連接器。以下則將該向異導電性連接器稱爲「向 異導電性連接器C3」。 當調查所得到之向異導電性連接器C 3的各彈向向異導 電膜之連接用導電部中的導電性粒子的含有比例時，則針 對全部的連接用導電部的體積比例約爲3 0 %。 又’當觀察彈性向異導電膜的被支撑部以及功能部中 的絕緣部時，則確認出在被支撑部存在有導電性粒子，而 在功能部的絕緣部幾乎不存在導電性粒子。 除了取代向異導電性連接器C2 1而改採向異導電性連 接器C24外，其他則與實施例5同樣地進行實驗3而將結果 表示在以下的表5。 (實施例7 ) 除了取代矽膠（1 )而改採矽膠（2 )外，其他則與實 施例4同樣地調製出導電性電糊組成物。將該導電性電糊 組成物稱爲「電糊（2 - d )」。 除了取代電糊（1 一 a )而改採電糊（2 - d )外，其他 則與實施例5同樣地製造出向異導電性連接器。以下則將 該向異導電性連接器稱爲「向異導電性連接器C24」。 當調查所得到之向異導電性連接器C24的各彈向向異 導電膜之連接用導電部中的導電性粒子的含有比例時，則 -94- (91) (91)200408816 針對全部的連接用導電部的體積比例約爲30%。 又，當觀察彈性向異導電膜的被支撑部以及功能部中 的絕緣部時，則確認出在被支撑部存在有導電性粒子，而 在功能部的絕緣部幾乎不存在導電性粒子。 除了取代向異導電性連接器C2 1而改採向異導電性連 接器C24外，其他則與實施例5同樣地進行實驗3而將結果 表不在以下的表5。 (實施例8 ) 除了取代矽膠（1 一 a )而改採矽膠（3 )外，其他則 與實施例4同樣地調製出導電性電糊組成物。將該導電性 電糊組成物稱爲「電糊（3 - a )」。 除了取代電糊（1 一 a )而改採電糊（3 - a )外，其他 則與實施例5同樣地製造出向異導電性連接器。以下則將 該向異導電性連接器稱爲「向異導電性連接器C26」。 當調查所得到之向異導電性連接器C 2 6的各彈性向異 導電膜之連接用導電部中的導電性粒子的含有比例時，則 針對全部的連接用導電部的體積比例約爲3 0 %。 又’當觀察彈性向異導電膜的被支撑部以及功能部中 的絕緣部時，則確認出在被支撑部存在有導電性粒子，而 在功能部的絕緣部幾乎不存在導電性粒子。 除了取代向異導電性連接器C2 1而改採向異導電性連 接器C26外，其他則與實施例5同樣地進行實驗3而將結果 表示在以下的表5。 -95- (92) (92)200408816 (比較例9 ) 除了取代電糊（1 一 a )而改採與比較例i同樣地所調 製的電糊（1 一 a 1 )外，其他則與實施例5同樣地製造出向 異導電性連接器。以下則將該向異導電性連接器稱爲「向 異導電性連接器C 3 1」。 當調查所得到之向異導電性連接器C3 1的各彈性向異 導電膜之連接用導電部中的導電性粒子的含有比例時，則 針對全部的連接用導電部的體積比例約爲3 0 %。 又’當觀察彈性向異導電膜的被支撑部以及功能部中 的絕緣部時’則確認出在被支撑部存在有導電性粒子，而 在功能部的絕緣部幾乎不存在導電性粒子。 除了取代向異導電性連接器C2 1而改採向異導電性連 接器C3 1外，其他則與實施例5同樣地進行實驗3而將結果 表示在以下的表5。 (比較例1 〇 ) 除了取代電糊（1 - a )而改採與比較例2同樣地所調 製的電糊（1 - c 1 )外，其他則與實施例5同樣地製造出向 異導電性連接器。以下則將該向異導電性連接器稱爲「向 異導電性連接器C32」。 當調查所得到之向異導電性連接器C 3 2的各彈性向異 導電膜之連接用導電部中的導電性粒子的含有比例時，則 針對全部的連接用導電部的體積比例約爲3 0 %。 -96- (93) (93)200408816 又，當觀察彈性向異導電膜的被支撑部以及功能部中 的絕緣部時，則確認出在被支撑部存在有導電性粒子，而 在功能部的絕緣部幾乎不存在導電性粒子。 除了取代向異導電性連接器C2 1而改採向異導電性連 接器C32外，其他則與實施例5同樣地進行實驗3而將結果 表示在以下的表5。 (比較例1 1 ) 除了取代電糊（1 一 a )而改採與比較例3同樣地所調 製的電糊（1 - d 1 )外，其他則與實施例5同樣地製造出向 異導電性連接器。以下則將該向異導電性連接器稱爲「向 異導電性連接器C 3 3」。 當調查所得到之向異導電性連接器C33的各彈性向異 導電膜之連接用導電部中的導電性粒子的含有比例時，則 針對全部的連接用導電部的體積比例約爲3 0 %。 又’當觀察彈性向異導電膜的被支撑部以及功能部中 的絕緣部時，則確認出在被支撑部存在有導電性粒子，而 在功能部的絕緣部幾乎不存在導電性粒子。 除了取代向異導電性連接器C2 1而改採向異導電性連 接器C 3 3外，其他則與實施例5同樣地進行實驗3而將結果 表示在以下的表5。 (比較例1 2 ) 除了取代電糊（1 - a )而改採與比較例4同樣地所調 -97- (94) (94)200408816 製的電糊（1 一 e 1 )外，其他則與實施例5同樣地製造出向 異導電性連接器。以下則將該向異導電性連接器稱爲「向 異導電性連接器C34」。 當調查所得到之向異導電性連接器C34的各彈性向異 導電膜之連接用導電部中的導電性粒子的含有比例時，則 針對全部的連接用導電部的體積比例約爲3 0 %。 又’當觀察彈性向異導電膜的被支撑部以及功能部中 的絕緣部時’則確認出在被支撑部存在有導電性粒子，而 在功能部的絕緣部幾乎不存在導電性粒子。 除了取代向異導電性連接器C2 1而改採向異導電性連 接器C3 4外，其他則與實施例5同樣地進行實驗3而將結果 表示在以下的表5。 (比較例1 3 ) 除了取代電糊（1 一 a )而改採與比較例5同樣地所調 製的電糊（1 一 Π )外，其他則與實施例5同樣地製造出向 異導電性連接器。以下則將該向異導電性連接器稱爲「向 異導電性連接器C35」。 當調查所得到之向異導電性連接器C3 5的各彈性向異 導電膜之連接用導電部中的導電性粒子的含有比例時，則 針對全部的連接用導電部的體積比例約爲3 0 %。 又’當觀察彈性向異導電膜的被支撑部以及功能部中 的絕緣部時’則確認出在被支撑部存在有導電性粒子，而 在功能部的絕緣部幾乎不存在導電性粒子。 -98 - (95) (95)200408816 除了取代向異導電性連接器C2 1而改採向異導電性連 接器C3 5外，其他則與實施例5同樣地進行實驗3而將結果 表示在以下的表5。 (比較例1 4 ) 除了取代電糊（1〜a )而改採與比較例6同樣地所調 製的電糊（1 一 g 1 )外’其他則與實施例5同樣地製造出向 異導電性連接器。以下則將該向異導電性連接器稱爲「向 異導電性連接器C36」。 當調查所得到之向異導電性連接器C 3 6的各彈性向異 導電膜之連接用導電部中的導電性粒子的含有比例時，則 針對全部的連接用導電部的體積比例約爲3 0 %。 又，當觀察彈性向異導電膜的被支撑部以及功能部中 的絕緣部時，則確認出在被支撑部存在有導電性粒子，而 在功能部的絕緣部幾乎不存在導電性粒子。 除了取代向異導電性連接器C2 1而改採向異導電性連 接器C 3 6外，其他則與實施例5同樣地進行實驗3而將結果 表示在以下的表5。 (比較例1 5 ) 除了取代電糊（1 一 a )而改採與比較例1同樣地所調 製的電糊（1 一 h 1 )外，其他則與實施例1樣地製造出向異 導電性連接器。以下則將該向異導電性連接器稱爲「向異 導電性連接器C37」。 -99- (96) (96)200408816 當調查所得到之向異導電性連接器C3 7的各彈性向異 導電膜之連接用導電部中的導電性粒子的含有比例時，則 針對全部的連接用導電部的體積比例約爲3 〇 %。 又’當觀察彈性向異導電膜的被支撑部以及功能部中 的絕緣部時，則確認出在被支撑部存在有導電性粒子，而 在功能部的絕緣部幾乎不存在導電性粒子。 除了取代向異導電性連接器C2 1而改採向異導電性連 接器C3 7外，其他則與實施例5同樣地進行實驗3而將結果 表示在以下的表5。 (比較例1 6 ) 除了取代電糊（1 - a )而改採與實施例8同樣地所調 製的電糊（1 一 i 1 )外，其他則與實施例5同樣地製造出向 異導電性連接器。以下則將該向異導電性連接器稱爲「向 異導電性連接器C38」。 當調查所得到之向異導電性連接器C 3 8的各彈性向異 導電膜之連接用導電部中的導電性粒子的含有比例時，則 針對全部的連接用導電部的體積比例約爲3 0 %。 又，當觀察彈性向異導電膜的被支撑部以及功能部中 的絕緣部時，則確認出在被支撑部存在有導電性粒子，而 在功能部的絕緣部幾乎不存在導電性粒子。 除了取代向異導電性連接器C 2 1而改採向異導電性連 接器C3 8外，其他則與實施例5同樣地進行實驗3而將結果 表示在以下的表5。 -100- (97)200408816 表5 週期數 導通電PJ 巨在1Ω以上之連: 唼用導電部的數目[個] 1 1000 5000 10000 20000 30000 40000 50000 實施例5 室溫 0 0 0 0 0 0 0 0 85〇C 0 0 0 0 0 0 0 0 實施例6 室溫 0 0 0 0 0 0 0 0 85〇C 0 0 0 0 0 0 0 0 實施例7 室溫 0 0 0 0 0 0 0 0 85〇C 0 0 0 0 0 0 0 0 實施例8 室溫 0 0 0 0 0 18 34 82 85〇C 0 0 0 0 0 8 26 42 比較例9 室溫 0 0 34 114 316 1038 3462 11250 85〇C 0 0 26 78 236 738 2380 5106 比較例10 室溫 0 0 16 26 238 704 2734 11250 85〇C 0 0 8 18 124 342 1842 4404 比較例11 室溫 0 0 0 26 80 104 862 3278 85〇C 0 0 0 8 52 78 448 1810 比較例12 室溫 0 0 0 0 88 124 1186 4702 85〇C 0 0 0 0 36 80 730 3024 比較例13 室溫 0 0 0 0 158 632 1644 11250 85〇C 0 0 0 0 42 166 580 7832 比較例14 室溫 0 0 26 96 422 1028 11250 11250 85〇C 0 0 16 70 272 774 3304 11250 比較例15 室溫 0 114 930 4490 11250 11250 11250 11250 85〇C 0 78 572 3058 11250 11250 11250 11250 比較例16 室溫 0 0 8 18 70 150 2522 4640 85〇C 0 0 0 8 34 78 816 2180 -101 - (98) (98)200408816 由表5的結果可知，若根據實施例5〜實施例8的向異 導電性連接器C21以及向異導電性連接器C24〜向異導電 性連接器C26，則即使在彈性向異導電膜中之連接用導電 部的間距小，在該連接用導電部也能夠得到良好的導電性 ，又，即使經過多次反覆地使用，則已確認出可以維持良 好的導電性。 發明的效果 若根據本發明的向異導電性連接器，在彈性向異導電 膜，則在具有連接用導電部之功能部的周緣形成被支撑部 ，由於該被支撑部係被固定在框架板之向異導電膜配置用 孔的周邊部，因此較不會產生變形且容易操作，在與作爲 檢查對象的晶圓進行電氣上的連接作業時，則很容易對該 晶圓進行對位以及保持固定。 又，在彈性向異導電膜的連接用導電部中所含有的導 電性粒子，由於其高導電性金屬相對於芯粒子的比例在1 5 質量％以上，而由該高導電性金屬所構成的被覆層的厚度 t在5 0 nm以上，因此即使是經過多次反覆地使用，也能夠 抑制在導電性粒子中的芯粒子露出在表面，結果能夠確實 地維持所需要的導電性。 又，在高溫環境下反覆地使用時，則即使使用來構成 導電性粒子中的芯粒子的材料移到高導電性金屬中時，由 於在該導電性粒子的表面仍存在高比例的高導電性金屬， 因此能夠防止該導電性粒子顯著地降低。 -102- (99) (99)200408816 又，用來形成彈性向異導電膜的彈性高分子物質是一 附加型液狀矽膠的硬化物’其在1 5 0 °C下的壓縮永久應變 在10%以下，且Durometer A硬度爲10〜60’藉此’即使 是多次反覆地使用時，也可以抑制在連接用導電部產生永 久應變，藉此可以抑制在連接用導電部中之導電性粒子的 鏈鎖產生混亂，而更能確實地維持所需要的導電性。 更且，用來形成彈性向異導電膜的彈性高分子物質， 藉著使用Durometer A硬度爲25〜40者，即使是在高溫環 境下反覆地使用在試驗時，也可以抑制在連接用導電部產 生永久應變，而能夠抑制在連接用導電部中之導電性粒子 的鏈鎖產生混亂，結果經過長時間後也能夠確實地維持所 需要的導電性。 又，框架板之各向異導電膜配置用孔係針對於被形成 在作爲檢查對象之晶圓之積體電路中之已配置了被檢查電 極的電極領域而形成，而被配置在各該向異導電膜配置用 孔的彈性向異導電膜的面積小，因此很容易形成各彈性向 異導電膜。又，面積小的彈性向異導電膜，即使是接受到 熱履歷過程，由於在該彈性向異導電膜之面方向上的的熱 膨脹的絕對量小，因此藉著使用線熱膨脹係數小者作爲構 成框架板的材料，則可確實地藉由框架來限制在彈性向異 導電膜之面方向上的熱膨脹。因此，即使是針對大面積的 晶圓進行WLBI試驗，也能夠安定地維持良好的電氣連接 狀態。 若根據本發明的導電性電糊組成物可以有助於形成上 -103- (100) (100)200408816 述向異導電性連接器中的彈性向異導電膜。 € IS ί虜本發明的探針構件，在針對作爲檢查對象的晶 圓進行電氣連接作業時，可以針對該晶圓很容易進行對位 以及保持固定，又，即使是經過多次反覆地使用，也能夠 維持所需要的導電性。 X ’藉著使用特定的矽膠作爲形成向異導電性連接器 之彈性向異導電膜的彈性高分子物質，即使在高溫環境下 反覆地使用在試驗上時，則可以長時間地維持所需要的導 電性。 若根據本發明的晶圓檢查裝置以及晶圓檢查方法，由 於是經由上述的探針構件來達成對於作爲檢查對象之晶圓 的被檢查電極的電氣連接，因此即使被檢查電極的間距小 ’也很容易針對該晶圓進行對位以及保持固定，又，即使 是經過多次反覆地使用或是在高溫環境下反覆地使用在試 驗上時，也能夠長時間地安定地執行所需要的電氣檢查。 若根據本發明的晶圓的檢查方法，由於能夠進行信賴 性高的檢查，因此能夠以高的機率從被形成在晶圓之多數 的積體電路之中選出具有潛在性缺陷的積體電路，藉此， 在半導體積體電路裝置的製程中可以去除掉具有缺陷或是 潛在性缺陷的半導體積體電路，而確實地只得到良品。 藉著將本發明的晶圓之檢查方法應用在半導體積體電 路裝置之製程的檢查過程中，可以提升半導體積體電路裝 置的生產性，又，可以減低在大量生產的半導體積體電路 裝置中包含具有缺陷或潛在性缺陷的半導體積體電路的機 -104- (101) (101)200408816 率’因此，若根據由該製程所得到的半導體積體電路裝置 ，對於作爲已組裝了該半導體積體電路裝置之作爲最終製 品的電子機器可以得到高的信賴性。更且，由於能夠以高 的機率來防止將具有潛在的缺陷的半導體積體電路組入到 作爲最終製品的電子機器，因此所得到的電子機器可以減 低因爲長時間的使用而發生故障的頻率。 【圖式簡單說明】 圖1爲表示本發明之向異導電性連接器之一例的平面 圖。 圖2爲將圖1所示之向異導電性連接器的一部分加以放 大表示的平面圖。 圖3爲將圖1所示之向異導電性連接器中之彈性向異導 電膜加以放大表示的平面圖。 圖4爲將圖1所示之向異導電性連接器中之彈性向異導 電膜加以放大表示的說明用斷面圖。 圖5爲表示用來測量電阻値R之裝置之構成的說明用斷 面圖。 圖6爲表示將成形材料塗佈在彈性向異導電膜成形用 的金屬模上而形成成形材料層之狀態的說明用斷面圖。 圖7爲將彈性向異導電膜成形用的金屬模的一部分加 以放大表示的說明用斷面圖。 圖8爲表示經由間隔件將框架板配置在圖6所示之金屬 模的上模以及下模之間之狀態的說明用斷面圖。 -105- (102) (102)200408816 圖9爲表示在金屬模的上模與下模之間形成作爲目的 之形態之成形材料層之狀態的說明用斷面圖。 圖1 〇爲表示將圖9所示的成形材料層加以放大表示的 說明用斷面圖。 圖11爲表示在圖10所示的成形材料層形成在其厚度方 向具有強度分佈之磁場之狀態的說明用斷面圖。 圖1 2爲表示已使用了本發明之向異導電性連接器之晶 圓檢查裝置之一例之構成的說明用斷面圖。 圖1 3爲表示在本發明之探針構件之一例中之主要部分 之構成的說明用斷面圖。 圖14爲表示在已使用了本發明之向異導電性連接器之 晶圓檢查裝置之其他例子中之構成的說明用斷面圖。 圖1 5爲將在本發明之向異導電性連接器之其他例子中 的彈性向異導電膜加以放大表示的平面圖。 圖1 6爲將在本發明之向異導電性連接器之又一其他例 子中之彈性向異導電膜加以放大表示的平面圖。 圖1 7爲在實驗例中所使用之試驗用晶圓上的上視圖。 圖1 8爲表示被形成在圖1 7所示之試驗用晶圓上之積體 電路之被檢查電極領域之位置的說明圖。 圖19爲表不被形成在圖17所不之試驗用晶圓上之積體 電路之被檢查電極的說明圖。 圖20爲在實施例中所製作之框架板的上視圖。 圖2 1爲將圖20所示之框架板之一部分加以放大表示的 說明圖。 -106- (103) (103)200408816 圖2 2爲將在實施例中所製作的金屬模的成形面加以放 大表示的說明圖。 圖2 3爲表示在製造以往的向異導電性連接器的過程中 ，除了將框架板配置在金屬模內之外’也形成成形材料層 之狀態的說明用斷面圖。 〔主要元件對照表〕 1 探針構件 2 向 異 導 電 性 連 接器 3 加 壓 板 4 晶 圓 載 置 台 5 加 熱 器 6 晶 圓 7 被 檢 查 電 極 10 框 架 板 11 向 異 導 電 膜 配 置用孔 15 空 氣 流 通 孔 16 定 位 孔 20 彈 性 向 異 導 電 膜 20 A 成 形 材 料 層 2 1 功 能 部 22 連 接 用 導 電 部 23 絕 緣 部 24 突 出 部 -107- (104) 被支撑部 非連接用導電部 突出部

檢查用電路基板 檢查電極 片狀連接器 絕緣片 電極構造體 表面電極部 背面電極部 短路部 室(Chamber)

排氣管 0型環 金屬模 上模 基板 強磁性體層 非磁性體層 凹部 下模 基板 強磁性體層 非磁性體層 -108- (105) 200408816 6 8 a凹部 69a、69b 間隔體（Spacer) 71 單元 72 側壁材 73 蓋材 7 3 Η貫穿孔 7 4 磁鐵 7 5 電磁部

76 電阻測量機 80 上模 8 1 強磁性體層 82 非磁性體層 85 下模 8 6 強磁性體層

87 非磁性體層 90 框架板 9 1 開口 9 5 成形材料層 Ρ 導電性粒子 109

Claims (1)

1. 200408816 ⑴ 拾、申請專利範圍 1 · 一種向異導電性連接器，其主要係一針對形成在 晶圓上的多個積體電路在晶圓的狀態下進行該積體電路之 電氣檢查時所使用的向異導電性連接器，其特徵在於： 係由針對在被形成在作爲檢查對象之晶圓上的全部或 一部分的積體電路中之已配置了被檢查電極的電極領域形 成分別在厚度方向延伸之多個向異導電膜配置用孔的框架 板、與被配置在該框架板之各向異導電膜配置用孔內，而 爲該向異導電膜配置用孔的周邊部所支撑的多個彈性向異 導電膜所構成， 上述彈性向異導電膜分別是由彈性高分子物質所形成 ，而是由具有對應於在被形·成在作爲檢查對象之晶圓的積 體電路中的被檢查電極而配置，而密集地含有具有磁性的 導電性粒子而在厚度方向延伸的多個連接用導電部、以及 讓該些連接用導電部互相絕緣之絕緣部的功能部、與呈一 體地被形成在該功能部的周緣，而被固定在上述框架板中 之異方向性導電膜配置用孔之周緣部的被支撑部所構成， 在上述彈性向異導電膜之連接用導電部中所含有的導 電性粒子，則是在具有磁性的芯粒子的表面被覆有高導電 性金屬，高導電性金屬相對於該芯粒子的比例則在1 5質量 %以上，且根據下式（1)而算出，而由高導電性金屬所 構成之被覆層的厚度t在50 nm以上， 公式〔l/(Sw· p)〕x〔N/(l — N)〕 〔但是，t爲由高導電性金屬所構成之被覆層的厚度 -110- (2) (2)200408816 (m) 、Sw爲芯粒子的BET比表面積（m2/ kg ) 、p爲高 導電性金屬的比重（kg/ m3 ) 、N表示（高導電性金屬的 質量/導電性粒子整體的質量）的値〕。 2. 如申請專利範圍第1項之向異導電性連接器，導電 性粒子，則以下所示的電阻値R的値在〇 · 3 Ω以下’ 電阻値R :藉著將導電性粒子0.6 g與液狀橡膠g實 施混練而調製出膏狀組成物，將該膏狀組成物配置成彼此 依0.5 mm的相離距離而面對面地配置在直徑分別爲1 mm 的一對的電極之間，讓0.3 T的磁場作用在該一對的電極 之間，而在該狀態下放置到直到該一對的電極間的電阻値 成爲安定爲止時的該電阻値。 3. 如申請專利範圍第2項之向異導電性連接器，導電 性粒子的BET比表面積爲10〜5 00 m2/ kg。 4. 如申請專利範圍第3項之向異導電性連接器，形成 彈性向異導電膜的彈性高分子物質是一附加型液狀矽膠的 硬化物，在1 5 0 °C下的壓縮永久應變在1 0 %以下，且 Durometer A硬度爲 10 〜60。 5 .如申請專利範圍第4項之向異導電性連接器，形成 彈性向異導電膜的彈性高分子物質，其Durometer A硬度 爲2 5〜4 0。 6.如申請專利範圍第5項之向異導電性連接器，形成 彈性向異導電膜的彈性高分子物質，其撕裂強度爲8 kN / m以上。 7 ·如申請專利範圍第1項至第6項之任一項之向異導 -111 - (3) (3) 200408816 電性連接器’框架板的線熱膨脹係數在3 X 1 0·5 / K以下 〇 8 . —種導電性電糊組成物，其特徵在於： 含有可硬化的矽膠，與在具有磁性之芯粒子的表面被 覆高導電性金屬而成的導電性粒子，上述導電性粒子，其 高導電性金屬相對於芯粒子的比例在1 5質量％以上，且根 據第1項所記載的公式而算出，由高導電性金屬而構成之 被覆層的厚度t在50 nm以上。 9 ·如申請專利範圍第8項之導電性電糊組成物，係一 用來形成在申請專利範圍第1項至第7項之任一項所記載之 向異導電性連接器中的彈性向異導電膜者。 1 〇 · —種探針構件，其主要係一針對被形成在晶圓上 之多個積體電路，在晶圓的狀態下進行該積體電路之電氣 檢查時所使用的探針構件， 具備有：根據與在被形成在作爲檢查對象之晶圓上之 積體電路中的被檢查電極的圖案呈對應的圖案，而在表面 形成有檢查電極的檢查用電路基板、與被配置在該檢查用 電路基板的表面之申請專利範圍第1項至第7項之任一項所 記載的向異導電性連接器。 1 1 .如申請專利範圍第丨〇項之探針構件，在向異導電 性連接器中的框架板的線膨脹係數在3 X 1 (Γ5 / K以下， 而構成檢查用電路基板的基板材料的線膨脹係數在3 x 10·5/ K以下。 12·如申請專利範圍第1 0項或第11項之探針構件，在 -112- (4) (4)200408816 向異導電性連接器上配置有由絕緣片、與將該絕緣片貫穿 於其厚度方向而延伸，而根據與被檢查電極的圖等呈對應 的圖案而配置之多個電極構造體所構成的片狀連接器。 1 3 . 一·種晶圓檢查裝置，其主要係一針對被形成在晶 圓上之多個積體電路，在晶圓的狀態下進行該積體電路的 電氣檢查之晶圓檢查裝置，其特徵在於： 具備有申請專利軔圍％ 1 0項至第1 2項之任一項所記載 的探針構件，經由該探針構件而達成針對被形成在作爲檢 查對象之晶圓上的積體電路的電氣連接。 1 4 · 一種晶圓檢查方法，其特徵在於： 將被形成在晶圓上之多個的積體電路分別經由申請專 利範圍第1 0項至第1 2項之任一項所記載的探針構件而在電 氣上與測S式器連接，而對被形成在該晶圓上的積體電路進 行電氣檢查。 -113-