TW200408003A

TW200408003A - Composition and method for wet stripping removal of sacrificial anti-reflective material

Info

Publication number: TW200408003A
Application number: TW092119794A
Authority: TW
Inventors: Thomas H Baum; David Bernhard; David Minsek; Melissa Murphy
Original assignee: Advanced Tech Materials
Priority date: 2002-07-23
Filing date: 2003-07-21
Publication date: 2004-05-16
Also published as: CN1671821A; EP1551936A1; AU2003249279A1; WO2004009730A1; EP1551936A4; US20040016904A1; JP2005533896A; US6849200B2

Description

200408003 玖、發明說明：【發明所屬之技術領域】本發明係有關一種可用於矽酸鹽光阻剝離之濕剝離組成物及方法，例如由具有犧牲抗反射矽酸積於其上之基板或物件，濕式光阻剝離移除犧牲酸鹽材料，特別於該處犧牲抗反射碎酸鹽材料係受濕式光阻剝離組成物影響之持久性矽酸鹽材料【先前技術】積體電路製造過程中，可以矽酸鹽材料用作為犧牲層係於元件完成之前被移除。美國專利第6，號（讓與英代爾公司（I n t e 1 ))，「使用光吸收材料道金屬鑲嵌互連元件之方法」，說明一種使用經染玻璃（S0G)材料作為犧牲抗反射塗層製造雙道金肩構之方法，該抗反射層可減少於微影術圖案化製反射性變化。最終需要選擇性移除犧牲材料，犧型受濕式蝕刻影響，該選擇性移除係使用一種濕劑，該濕式蝕刻劑相對於存在於結構之其它材料介電材料（I L D )、金屬及阻擋層，該濕式钱刻劑對示較高選擇性。確知氟化氫（H F )溶液可用於蝕刻氧化矽材料。溶液蝕刻氧化矽速度快且無選擇性，因而可能造其它含矽酸鹽材料的損壞或耗損，特別為常用作之矽酸鹽材料。此種I L D材料包括例如二氧化矽酸鹽玻璃（F S G )及有機矽酸鹽玻璃（0 S G )包括有孔料。 312/發明說明書(補件)/92-10/92119794 式光阻鹽材料沉抗反射矽與不希望共存。犧牲層， 365,529 圖案化雙色之旋塗 ί鑲嵌結程期間之牲材料典式蝕亥，J 包括層間犧牲層顯但氟化氫成元件之為 I L D s 、氟化矽及無孔材 5 200408003 為了更為審慎控制氟化物溶液對矽氧化物之蝕刻速率及選擇性，氫氟酸溶液可使用胺類或其它鹼如氨或烷基胺類緩衝，緩衝可降低活性氟化氫之濃度。此外，氟化物溶液對矽酸鹽玻璃之蝕刻速率及/或選擇性可經由添加特定螯合劑至溶液加以控制。螯合劑與氟化物矽酸鹽反應交互作用，因此可加速或減慢蝕刻速率。螯合劑經由螯合劑特異性以及基板特異性之特異性交互作用而與不同的基板交互作用。此種特異性允許修改溶液對不同基板之餘刻速率選擇性。因此業界之一大進展係提供一種濕式清潔劑，其具有高度蝕刻速率選擇性，換言之，用於犧牲矽酸鹽及持久矽酸鹽皆存在於原先材料之應用用途，該濕式清潔劑對犧牲矽酸鹽材料具有高蝕刻速率，而對持久矽酸鹽I L D材料具有低刻速率。此外，希望提供一種濕式清潔劑，該濕式清潔劑利用安全之非可燃溶劑系統，例如以低毒性及低可燃性為特徵之半水性溶劑系統。此等及其它目的可經由本發明之組成物及方法達成，容後詳述。參照本發明（容後詳述），構成本發明之先前技術之業界現況包括下列美國專利案，其揭示個別以引用方式併入此處。美國專利第5，6 9 8 , 5 0 3及5，5 7 1，4 4 7號（亞許蘭 (A s h 1 a n d ))說明一種清潔組成物含有二醇溶劑，氟化錄、二曱亞砜及水於具有pH 4至7之經緩衝之酸性系統。 6 312/發明說明書(補件)/92-10/92119794 200408003 美國專利第 5，6 3 0，9 0 4、 5，9 6 2，3 8 5 及 6，2 6 5，3 0 9 號（三菱瓦斯公司）敘述半導體基板之殘餘物清潔調配物，其中該清潔調配物含有氟化物、溶劑及緩衝系統。美國專利第5，9 0 5，0 6 3及5，7 9 2，2 7 4號（東京應化工業公司）說明半導體基板用之殘餘物清潔調配物，其中該清潔調配物含有氫氟酸與不含金屬之鹼生成之鹽、溶劑及緩衝系統其具有pH 5至8。美國專利第6，2 3 5，6 9 3及6，2 4 8，7 0 4號（E K C技術公司）說明用於由半導體基板清潔殘餘物之清潔調配物，其含有氟化物、水及溶劑，其中該清潔調配物具有p Η 6至1 0。美國專利第6，3 6 5，7 6 5及6，2 6 8，4 5 7號（漢尼威爾 (Η ο n e y w e 1 1 )公司）說明一種經由烧氧基石夕烧與有機染料反應，製造經染色之旋塗玻璃（S 0 G)聚合物之方法，此處旋塗玻璃係用作為犧牲抗反射塗層（S A R C )。美國專利第6，3 6 5，5 2 9號（英代爾公司）說明一種使用染色旋塗玻璃（S0G)材料作為SARC材料之製造雙道金屬鑲嵌結構體之方法。美國專利第6, 3 0 6, 8 0 7號（ATMI )揭示由半導體基板清潔後電漿蝕刻殘餘物用之調配物，該調配物含有硼酸、胺 (類）、水以及選擇性之二醇溶劑或螯合物。美國專利第6，2 2 4，7 8 5號（A Τ Μ I )揭示含有氟化銨、胺 (類）、水及螯合劑之調配物，可用於由半導體基板清潔後電漿灰分殘餘物。美國專利第6, 3 8 3, 4 1 0號（ΑΤΜΙ)揭示利用含有氟化物鹽、螯合劑及二醇溶劑之組成物，供選擇性蝕刻氧化矽之 7 312/發明說明書(補件)/92-10/92119794 200408003 調配物。美國專利第4，3 4 3，6 7 7號（K i n s b r ο η等人），揭示一種利用氟化銨/氫氟酸之莫耳比約為1 0 : 1於水/乙二醇蝕刻二氧化矽之調配物。但前述專利案皆未曾揭示或提示供選擇性移除包含經染色之矽酸鹽玻璃材料之犧牲抗反射塗層（SARC)之濕式清潔劑或濕式光阻剝離方法。因此由後文說明將更完整了解，本發明達成實質技術進展。【發明内容】概略言之本發明係有關一種可用於濕式光阻剝離移除含矽材料用之組成物及方法，例如由包括此種犧牲抗反射矽酸鹽材料或具有此種犧牲抗反射矽酸鹽材料沉積其上之材料、基板、表面或物件移除犧牲抗反射矽酸鹽材料，特別於該處，犧牲抗反射材料係與欲不受濕式光阻剝離操作影響之持久矽酸鹽材料共存。本發明之一態樣係有關一種濕式光阻剝離組成物，包含：一種含氮之氟化氫；去離子水；有機溶劑；以及選擇性地：螯合劑及/或胺/羧酸緩衝劑。含氮之氟化氫可屬於任一種適當類型的含氮之氟化氫，包含例如氟化銨及其它胺氫氟酸鹽等化合物。 8 312/發明說明書(補件)/92-10/92119794 200408003 本發明之另一態樣係有關一種濕式光阻剝離組成物，包含： 0.1-40.0重量％氟化銨（NH4F)或其它胺氫氟酸鹽 2 0 - 7 5重量％去離子水（D I W ) 2 5 - 7 9重量％有機溶劑 0 - 1 0重量％螯合劑 0 - 2 0重量％胺/羧酸緩衝劑其中重量百分比係以組成物之總重為基準，以及總重量百分比不超過1 0 0重量°/〇。又一態樣，本發明係有關一種選自調配物A - K組成之組群之濕式光阻剝離組成物：

言周酉己斗勿 A

0.5% IDA 1 . 0 % Ν Η 4 F

9 8 . 5 %丙二醇：水3 : 1混合物調配物B

1 . 5 °/〇 IDA 1.0°/〇 Ν Η 4 F

9 7 . 5 %丙二醇：水3 : 1混合物調酉己物 C

0.5% IDA 4.0% Ν Η 4 F

9 5 . 5 %丙二醇：水3 : 1混合物調配物 D

312/發明說明書(補件)/92-10/92119794 200408003

1.5% IDA 4.0% N Η 4 F 9 4 . 5 %丙二醇：水3 : 1混合物調配物 E 0. 5 % IDA 1.0% Ν Η 4 F 2 5 %水

7 3 . 5 % 二乙二醇調配物F 0.5% IDA 1.0% Ν Η 4 F 2 5 %水

7 3 . 5 %丙二醇曱醚調配物G 0 . 5 °/〇 IDA 1.0% Ν Η 4 F 2 5 %水 7 3 · 5 °/◦二乙二醇曱醚調配物 Η 0.5% IDA 1.0% Ν Η 4 F 2 5 %水

73. 5%三乙二醇曱醚調配物 I 10

312/發明說明書(補件)/92-10/92119794 200408003 0 . 5 %氟化銨 2 . 2 5 %甲基二乙醇胺 2 . 7 5 %丙二酸 2 5 %水 69. 5%二乙二醇

調西己物 J 1 0 % N，N -二甲基二乙醇胺氫氟酸鹽 2 5 %水 6 5 %二乙二醇

調配物 K 4 0 % N，N -二曱基二乙醇胺氫氟酸鹽 2 5 %水 3 5%二乙二醇其中調配物之各組成分之百分比係以重量計且以調配物之總重為基準。本發明之又另一態樣係有關一種濕式光阻剝離組成物，包含半水性溶劑、氟化銨以及胺基酸，胺基酸對組成物提供S A R C材料與I L D材料間之蝕刻速率選擇性。另一態樣，本發明係有關一種由包含犧牲矽酸鹽材料之所在位置以蝕刻方式移除犧牲矽酸鹽材料之方法，其中該犧牲矽酸鹽材料係暴露於一種蝕刻劑組成物，該組成物包含：一種含氮之氟化氫；去離子水； 11 312/發明說明書(補件)/92· 10/92119794 200408003 有機溶劑；以及選擇性地：螯合劑及/或胺/羧酸緩衝劑，經歷一段足夠由該所在位置至少部分蝕刻去除犧牲矽酸鹽之時間。其它本發明之各態樣、特色及優點由後文揭示内容及隨附之申請專利範圍將更為彰顯。【實施方式】一具體實施例中，本發明提供一種濕式光阻剝離組成物，包括下列各成分： 0.1-40.0重量％氟化銨（NH4F)或其它胺氫氟酸鹽 20-75重量％去離子水（DIW) 2 5 - 7 9重量％有機溶劑 0 - 1 0重量％螯合劑 0 - 2 0重量％胺/羧酸缓衝劑其中各成分之百分比為重量百分比，且以組成物之總重為基準，以及其中組成物之成分重量百分比總和不超過 1 0 0 重量 °/〇。前文載明之光阻剝離組成物選擇性包括其它成分，包括活性成分以及非活性成分例如安定劑、分散劑、抗氧化劑、填充劑、滲透劑、輔劑、添加劑、填充劑、賦形劑等。一較佳態樣，光阻剝離組成物主要係由前文以重量百分比列舉之載明成分組成，其中載明成分係以個別載明之重量百分比範圍以内之濃度存在於該組成物。 12 312/發明說明書(補件)/92-10/92119794 200408003 最佳光阻剝離組成物只含有前文以重量百分比列舉之載明成分，其濃度係於個別載明之重量百分比範圍以内，以及其中存在於組成物之全部此等載明成分總計達10 0重量％。本發明之光阻剝離組成物之有機溶劑包括任一種適當有機溶劑。一較佳態樣，本發明之光阻剝離組成物之有機溶劑包括下列一或多種溶劑：（i )二醇類如乙二醇、丙二醇、新戊二醇等、（i i )聚二醇例如聚乙二醇、聚丙二醇等、 (i i i )二醇醚或（i v)聚二醇醚；或此種本發明之光阻剝離組成物之有機溶劑另可包括選自前述（i ) - ( i v )類別之兩種或兩種以上溶劑成分之相容性混合物、摻合物或溶液。本發明之光阻剝離組成物之螯合劑可為任一種適當類型之螯合劑。於一較佳態樣，螯合劑包含OC -胺基酸如亞胺基二乙酸（I D A )其化學式顯示如後。

亞胺基二乙酸（I D A ) 另外或以多種不同組合可採用其它螯合有效化合物種類來對光阻剝離組成物提供螯合劑，螯合劑係作為控制 SARC材料與I LD材料間之蝕刻速率選擇性功能。本發明之光阻剝離組成物之胺/羧酸緩衝劑可為任一種適當類型，例如包括烷基胺、二烷基胺及/或三烷基胺與一羧酸、二羧酸及/或三羧酸。因矽酸鹽之蝕刻速率具有強烈 13 312/發明說明書(補件)/92-10/92119794 200408003 的pH相依性，故緩衝劑係用作為適當穩定光阻剝離組成物之pH之功能。緩衝劑也可用於光阻剝離組成物用作為控制 SARC材料與I LD材料間之選擇性蝕刻速率之功能。本發明之光阻剝離組成物容易經由單純添加個別成分且混合成均質條件而方便地調配。用於光阻剝離用途，光阻剝離組成物係以任一種適當方式施用於欲被剝離之材料，施用方式例如喷霧光阻剝離組成物於欲剝離材料表面，經由浸泡材料或包括欲剝離材料之物件於定量容積之光阻剝離組成物，經由欲剝離材料或物件接觸另一種以光阻剝離組成物飽和之材料，例如襯墊或含纖維吸收劑施用器元件，或經由任何其它適當手段、方式或技術施用’精此讓光阻剝離組成物與欲剝離材料呈剝離接觸。當應用於半導體製造作業時，本發明之光阻剝離組成物可用於由其上已經沉積犧牲矽酸鹽材料之基板及半導體裝置結構，藉蝕刻方式去除犧牲矽酸鹽材料。例如犧牲矽酸鹽可被當作抗反射塗層施用來減少於半導體元件結構上以微影術圖案化製程期間之反射性變化。本發明組成物經由相對於其它可能存在於半導體基板上且暴露於光阻剝離組成物之材料（例如I L D結構、金屬化、阻擋層等），可對此種犧牲矽酸鹽具有選擇性，因此可以高度有效方式達成犧牲矽酸鹽之蝕刻移除。於達成預定之光阻剝離作用後，如同於本發明組成物之指定最終用途所期望且有效的，光阻剝離組成物係利用例 14 312/發明說明書(補件)/92-10/92119794 200408003 如清洗、洗滌或其它移除步驟而由先前施用該組成物之基板或物件快速移除。本發明之特色及優點經由後文非限制性實施例更完整舉例說明，實施例中，除非另行明示，否則全部份數及百分比皆為以重·量計。實施例1 調配物A、B、C及D係如後文說明製備，其中I D A為亞胺基二乙酸及NH4F為氟化銨（無水）。

調配物A

0 . 5 °/〇 IDA 1.0% N Η 4 F

9 8 . 5 %丙二醇：水3 : 1混合物調配物 B 1.5% IDA 1.0% N Η 4 F

9 7 . 5 %丙二醇：水3 : 1混合物言周酉己斗勿 C 0 . 5 °/〇 IDA 4.0% NH4F ,

9 5 . 5 %丙二醇：水3 : 1混合物調配物D

1.5% IDA 4.0% N Η 4 F 9 4. 5 %丙二醇：水3 : 1混合物 15 312/發明說明書(補件)/92-10/92119794 200408003 調配物A - D之蝕刻速率係對塗覆於矽晶圓上之薄膜進行測定。對硼磷酸鹽矽酸鹽玻璃（B P S G )以及電漿增強式化學氣相沉積而沉積之四乙氧矽酸鹽（T E 0 S)之蝕刻速率係以埃/ 分鐘列舉於下表。表 1 調配物A - D對B P S G及T E 0 S薄膜之蝕刻速率（埃/分鐘）暴露於光調配物A 1虫調配物Β Ί虫調配物C姓調配物D蚀阻剝離調刻速率（埃刻速率（埃刻速率（埃刻速率（埃配物之材 /分鐘） /分鐘） /分鐘） /分鐘）料 BPSG 229 430 276 467 TE0S 16 1 372 230 541 然後對個別調配物A - D用於下列材料之蝕刻速率進行測定： SARC，市售經染色之氧化石夕犧牲材料； ILD，市售CVD多孔0SG介電材料； C 0 R A Lτ M介電材料，市面上得自諾維樂斯（N 〇 v e 1 1 u s )系統公司之0SG低k值介電材料；以及 PECVD TE0S，經由使用四乙基原矽酸鹽前驅物，經由電漿增強式化學氣相沉積而沉積之二氧化矽塗膜。對上列各種材料測得之蝕刻速率係以埃/分鐘顯示於下表2。表2 16 312/發明說明書(補件)/92-10/92119794 200408003 調配物A-D對SARC、iLD、coral及PECVD TE0S材料之蝕刻速率（埃/分鐘）

調配物E

0.5% IDA 1.0% NH4F 2 5 %水 7 3.5% 二乙二醇調配物F 0 . 5 °/〇 IDA 1 . 0 % NH4F 2 5 0/〇水 7 3 . 5 %丙二醇曱醚調配物G 0.5% IDA 1.0% NH4F 2 5 %水

312/發明說明書(補件)/92-10/92119794 17 200408003 7 3 . 5 %二乙二醇曱醚調配物Η 0.5% IDA 1.0% Ν Η 4 F 2 5 %水 7 3 . 5 %三乙二醇曱醚然後對個別調配物E-Η用於下列材料之蝕刻速率進行測定： SARC，同實施例1 ; I L D，同實施例1 ; CORAL，同實施例1 ;以及 F S G，低k值介電氟化矽酸鹽玻璃。對前文列舉之各材料測得之蝕刻速率，以埃/分鐘顯示於下表3。表3 調配物E - Η對S A R C、I L D、C 0 R A L及F S G材料之蝕刻速率（埃 /分鐘）暴露於光阻剝離調配物之材料調配物E名虫刻速率（埃 /分鐘）調配物F名虫刻速率（埃 /分鐘）調配物G 1虫刻速率（埃 /分鐘）調配物Η钮刻速率（埃 /分鐘） SARC 167 464 342 369 ILD 2. 0 5.4 5.0 3. 2 CORAL 0.2 8· 0 8. 3 8. 2 FSG 114 282 173 179 312/發明說明書(補件)/92-〗0/92119794 18

200408003 實施例3 調配物I ( ρ Η = 6 . 0 )如後文所述製備。調酉己物 I 0 . 5 %氟化銨 2 . 2 5 %甲基二乙醇胺 2 . 7 5 %丙二酸 2 5 %水 6 9 . 5 % 二乙二醇然後測定調配物對下列材料之蝕刻速率： CORAL，同實施例1 ;

AuroraTM 2.4及AuroraTM 2.7，目前於市面上得自ASM 國際公司之ILD材料，具有介電常數k = 2.4及k=2.7; LKD-5109，市面上得自JSR公司之旋塗多孔低k之0SG 介電材料；〇1^〇11”介電材料，市面上得自崔康（Trikon)公司之CVD 多孔低k之0SG介電材料； DU0 2 4 8 "及DUO 193TM，旋塗SARC材料（矽氧烷主鏈結合有機光吸收發色基團），目前於市面上得自漢尼威爾電子材料公司，且於商業上分別應用於2 4 8奈米及1 9 3奈米微影術。調配物I用於前述材料之蝕刻速率以埃/分鐘測定，顯示於下表4。表4 言周 S己物 I 對 DU0 193、 DUO 248 、 Aurora 2.4、 Aurora 2. 7 ' 19 312/發明說明書(補件)/92-10/92119794 200408003 CORAL、L K D - 5 1 Ο 9及0 r i ο n材料之蝕刻速率（埃/分鐘）暴露於光阻剝離組成物之材料蝕刻速率（埃/分鐘） DU0 193 180 DUO 248 423 Aurora 2. 4 3 Aurora 2. 7 0 CORAL 0 LKD-51 0 9 58 Orion 8 實施例4 調配物J ( p Η = 7 . 1 )係如後文說明製備。

調配物 J 10% Ν，Ν -二曱基二乙醇胺氫氟酸鹽 2 5 %水 6 5 %二乙二醇然後測定調配物J對下列材料之蝕刻速率： DUO 2 4 8ΤΜ，同實施例3 ; FSG，同實施例3 ; PECVD TE0S，同實施例1 ;以及 CORAL，同實施例1。測得調配物J用於前述材料之蝕刻速率，以埃/分鐘表示顯示於下表5。表5 調配物J對DU0248、FSG、PECVDTE0S及CORAL材料之蝕 20 31 ；2/發明說明書(補件)/92-10/92119794 200408003 刻速率（埃/分鐘）暴露於光阻剝離組成物之材料蝕刻速率（埃/分鐘） DU0 248 262 FSG 7.5 PECVD TEOS 12 CORAL 0 實施例5 調配物K ( p Η = 8 · 0 )係如後文說明製備。調配物Κ 40% Ν，Ν -二甲基二乙醇胺氫氟酸鹽 2 5 %水 3 5 %二乙二醇然後測定調配物Κ對下列材料之蝕刻速率： DUO 2 4 8ΤΜ，同實施例3 ; FSG，同實施例3 ; PECVD TE0S，同實施例1 ;以及 CORAL，同實施例1。測得調配物K用於前述材料之蝕刻速率，以埃/分鐘表示顯示於下表6。表6 調配物K對DU0248、FSG、PECVDTE0S及CORAL材料之蝕刻速率（埃/分鐘） 21 312/發明說明書(補件)/92-10/92119794 200408003 暴露於光阻剝離組成物之材料 1虫刻速率（埃/分鐘） DU0 248 330 FSG 2. 3 PECVD TE0S 4.5 CORAL 1 . 4 以上各實施例證實本發明之光阻剝離組成物具有高度蝕刻選擇性，對犧牲矽酸鹽材料具有高蝕刻速率，而對持久矽酸鹽I L D材料具有低蝕刻速率。因此本發明之光阻剝離組成物高度可用於犧牲矽酸鹽與持久矽酸鹽並存於原先材料之應用用途。本發明之光阻剝離組成物容易使用具有低毒性及低可燃性之適當溶劑系統例如半水性溶劑系統調配。如此，本發明之光阻剝離組成物可達成犧牲矽酸鹽材料去除技術之重大進展，例如應用於積體電路元件製造商犧牲矽酸鹽與持久矽酸鹽材料共存之用途。雖然於此處已經參照具體實施例及特色說明本發明，但須了解前述具體實施例及特色絕非意圖囿限本發明之範圍，其它變化、修改及其它具體實施例對熟諳技藝人士將顯然自明。因此本發明需符合後文申請專利範圍做廣義解譯。 22 312/發明說明書(補件)/92-10/92119794

Claims

200408003 拾、申請專利範圍： 1 . 一種濕式光阻剝離組成物，包含：一種含氮之氟化氫；去離子水；有機溶劑；以及選擇性地：螯合劑及/或胺/羧酸緩衝劑。 2 .如申請專利範圍第1項之濕式光阻剝離組成物，其中該含氮之氟化氫包含氟化銨（NH4F)。 3 .如申請專利範圍第1項之濕式光阻剝離組成物，其中該含氮之氟化氫包含胺氫氟酸鹽。 4.如申請專利範圍第1項之濕式光阻剝離組成物，其中以組成物總重為基準，該含氮之氟化氫於該組成物之存在量為約0 . 1至約4 0 . 0重量°/〇。 5 .如申請專利範圍第1項之濕式光阻剝離組成物，其中以組成物總重為基準，該去離子水於該組成物之存在量為約2 0至約7 5重量％。 6 .如申請專利範圍第1項之濕式光阻剝離組成物，其中該有機溶劑包含一或多種溶劑，該等溶劑係選自下列組成的組群：（i )二醇類、（i i )聚二醇類、（i i i )二醇醚類、（i v ) 聚二醇醚類以及選自（i ) - ( i v )類中之兩種或兩種以上溶劑成分之相容性混合物、摻合物及溶液。 7.如申請專利範圍第6項之濕式光阻剝離組成物，其中該有機溶劑包含一或多種二醇類。 23 312/發明說明書(補件)/92-10/92119794 200408003 8 .如申請專利範圍第7項之濕式光阻剝離組成物，其中該一或多種二醇類包含一種選自乙二醇、丙二醇及新戊二醇組成的組群之二醇。 9 .如申請專利範圍第6項之濕式光阻剝離組成物，其中該有機溶劑包含一或多種聚二醇類。 1 0 .如申請專利範圍第9項之濕式光阻剝離組成物，其中該一或多種聚二醇類包含一種選自聚乙二醇及聚丙二醇組成的組群之聚二醇。 Π .如申請專利範圍第6項之濕式光阻剝離組成物，其中該有機溶劑包含一或多種二醇醚類。 1 2 .如申請專利範圍第6項之濕式光阻剝離組成物，其中該有機溶劑包含一或多種聚二醇醚類。 1 3 .如申請專利範圍第6項之濕式光阻剝離組成物，其中該有機溶劑包含一種選自（i ) - ( i v )類中之.兩種或兩種以上溶劑成分之相容性混合物、摻合物或溶液。 1 4 .如申請專利範圍第6項之濕式光阻剝離組成物，其中以組成物總重為基準，該有機溶劑於該組成物之存在量為約2 5至約7 9重量％。 1 5 .如申請專利範圍第1項之濕式光阻剝離組成物，包含螯合劑。 1 6 .如申請專利範圍第1 5項之濕式光阻剝離組成物，其中該螯合劑所屬之類別及其存在量為當濕式光阻剝離組成物暴露於該S A R C材料及I L D材料時，可有效控制S A R C材料與材料間I L D之蝕刻速率選擇性。 24 312/發明說明書(補件)/92-10/92119794 200408003 1 7 .如申請專利範圍第1 5項之濕式光阻剝離組成物，其中該螯合劑包含一種α-胺基酸。 1 8 .如申請專利範圍第1 5項之濕式光阻剝離組成物，其中該螯合劑包含亞胺基二乙酸（I D A)。 1 9 .如申請專利範圍第1 5項之濕式光阻剝離組成物，其中以組成物總重為基準，該螯合劑於該組成物之存在量為至多約1 0重量％。 2 0 .如申請專利範圍第1項之濕式光阻剝離組成物，包含胺/羧酸緩衝劑。 2 1 .如申請專利範圍第2 0項之濕式光阻剝離組成物，其中該緩衝劑所屬類別及其存在量可將光阻剝離組成物之 pH穩定於濕式光阻剝離組成物可有效蝕刻矽酸鹽之pH範圍。 2 2 .如申請專利範圍第2 0項之濕式光阻剝離組成物，其中該緩衝劑所屬之類別及其存在量為當濕式光阻剝離組成物暴露於該SARC材料及ILD材料時，可有效控制SARC材料與材料間I L D之蝕刻速率選擇性。 2 3 ·如申請專利範圍第2 0項之濕式光阻剝離組成物，其中該緩衝劑包含一或多種選自烷基胺、二烷基胺及三烷基胺之胺類。 2 4 .如申請專利範圍第2 0項之濕式光阻剝離組成物，其中該緩衝劑包含一或多種選自一羧酸、二羧酸及三羧酸組成之組群之羧酸類。 2 5 .如申請專利範圍第2 0項之濕式光阻剝離組成物，其 25 312/發明說明書(補件)/92-10/92119794 200408003 中以組成物總重為基準，該緩衝劑於該組成物之存在量為至多約2 0重量％。 2 6 . —種濕式光阻剝離組成物，包含： 0 . 1 - 4 0 . 0重量％氟化銨（Ν Η 4 F )或其它胺氫氟酸鹽 2 0 - 7 5重量％去離子水（D I W ) 2 5 - 7 9重量％有機溶劑 0 - 1 0重量％螯合劑 0 - 2 0重量％胺/羧酸緩衝劑其中重量百分比係以組成物之總重為基準，以及總重量百分比不超過1 0 0重量％。 2 7 .如申請專利範圍第2 6項之濕式光阻剝離組成物，其中總重量百分比等於1 0 0重量％。 2 8. —種濕式光阻剝離組成物，其係選自調配物A - Κ組成的組群：調配物 A 0. 5% IDA 1.0% NH4F 9 8 . 5 %丙二醇：水3 : 1混合物言周酉己斗勿 B 1.5% IDA 1 . 0% NH4F 9 7 . 5 %丙二醇：水3 : 1混合物言周B己斗勿 C 0.5% IDA 26 312/發明說明書(補件)/92-10/92119794 200408003 4.0% Ν Η 4 F 9 5 . 5 %丙二醇：水3 : 1混合物調配物D 1.5% IDA 4.0°/〇 Ν Η 4 F 9 4 . 5 %丙二醇：水3 : 1混合物調配物 E 0 . 5 °/〇 IDA 1.0% Ν Η 4 F 2 5 %水 73. 5%二乙二醇調酉己物 F 0.5% IDA 1 . 0 °/〇 Ν Η 4 F 2 5 %水 73. 5%丙二醇甲醚調配物 G 0.5% IDA 1.0% Ν Η 4 F 2 5 %水 7 3 . 5 %二乙二醇甲醚調配物 Η 0 . 5 °/〇 IDA 1.0% Ν Η 4 F 27

312/發明說明書(補件)/92-10/92119794 200408003 2 5 %水 73. 5 %三乙二醇曱醚言周酉己斗勿 I 0 . 5 %氟化銨 2 . 2 5 %曱基二乙醇胺 2 . 7 5 %丙二酸 2 5 %水 6 9 . 5 % 二乙二醇調配物 J 1 0 % N，N -二甲基二乙醇胺氫氟酸鹽 2 5 %水 6 5 %二乙二醇調配物K 40% N，N -二甲基二乙醇胺氫氟酸鹽 2 5 %水 3 5 %二乙二醇其中調配物之各組成分之百分比係以重量計且以調配物之總重為基準。 2 9 .如申請專利範圍第2 8項之濕式光阻剝離組成物，包含調配物 A。 3 0 .如申請專利範圍第2 8項之濕式光阻剝離組成物，包含調配物B。 3 1 .如申請專利範圍第2 8項之濕式光阻剝離組成物，包含調配物C。 28 312/發明說明書(補件)/92-〗0/92119794 200408003 3 2 .如申請專利範圍第2 8項之濕式光阻剝離組成物，包含調配物D。 3 3 .如申請專利範圍第2 8項之濕式光阻剝離組成物，包含調配物E。 3 4 .如申請專利範圍第2 8項之濕式光阻剝離組成物，包含調配物F。 3 5 .如申請專利範圍第2 8項之濕式光阻剝離組成物，包含調配物G。 3 6 .如申請專利範圍第2 8項之濕式光阻剝離組成物，包含調配物Η。 3 7 .如申請專利範圍第2 8項之濕式光阻剝離組成物，包含調配物I。 3 8 .如申請專利範圍第2 8項之濕式光阻剝離組成物，包含調配物J。 3 9 .如申請專利範圍第2 8項之濕式光阻剝離組成物，包含調配物Κ。 4 0 . —種濕式光阻剝離組成物，包含半水性溶劑、氟化銨以及胺基酸，該胺基酸對該組成物提供S A R C材料與I L D 材料間之蝕刻速率選擇性。 4 1 .如申請專利範圍第4 0項之濕式光阻剝離組成物，其中該胺基酸包含亞胺基二乙酸。 4 2 .如申請專利範圍第4 0項之濕式光阻剝離組成物，更包含胺/羧酸緩衝劑，該緩衝劑包括胺及羧酸彼此之相對比例可將組成物pH穩定於組成物可對矽酸鹽材料有效蝕刻 29 312/發明說明書(補件)/92-10/92119794 200408003 之範圍。 4 3 .如申請專利範圍第4 2項之濕式光阻剝離組成物，其中該矽酸鹽材料包含一種經染色之矽酸鹽玻璃材料。 4 4 .如申請專利範圍第4 2項之濕式光阻剝離組成物，其中該胺與羧酸之相對比例可提升該組成物介於SARC材料與I L D材料間之蝕刻速率選擇性。 4 5 . —種由包含犧牲矽酸鹽材料之所在位置以蝕刻方式移除犧牲矽酸鹽材料之方法，其中該犧牲矽酸鹽材料係暴露於一種蝕刻劑組成物，該組成物包含：一種含氮之氟化氫；去離子水；有機溶劑；以及選擇性地：螯合劑及/或胺/羧酸緩衝劑，經歷一段足夠由該所在位置至少部分蝕刻去除犧牲矽酸鹽之時間。 4 6 .如申請專利範圍第4 5項之方法，其中該蝕刻劑組成物包含： 0 . 1 - 4 0 · 0重量％氟化銨（Ν Η 4 F )或其它胺氫氟酸鹽 2 0 - 7 5重量％去離子水（D I W ) 2 5 - 7 9重量％有機溶劑 0 - 1 0重量％螯合劑 0 - 2 0重量％胺/羧酸緩衝劑其中重量百分比係以組成物之總重為基準，以及總重量 30 312/發明說明書(補件)/92-10/92119794 200408003 百分比不超過1 0 0重量％。 4 7 .如申請專利範圍第4 6項之方法，其中該總重量百分比等於1 0 0重量％。 4 8.如申請專利範圍第4 5項之方法，其中該蝕刻劑組成物係選自調配物Α-Κ組成的組群：調配物 A 0. 5% IDA 1 . Ο % Ν Η 4 F 9 8 . 5 %丙二醇：水3 : 1混合物調配物B 1.5% IDA 1 . 0°/〇 NH4F 9 7 . 5 %丙二醇：水3 : 1混合物調配物 C 0 . 5 °/〇 IDA 4.0% Ν Η 4 F 9 5 . 5 %丙二醇：水3 : 1混合物調配物 D 1.5% IDA 4.0% NH4F 9 4 . 5 %丙二醇：水3 : 1混合物調配物E 0.5% IDA 1.0% Ν Η 4 F 31

312/發明說明書(補件)/92-10/921〗9794 200408003 2 5 %水 7 3. 5%二乙二醇調配物F 0 . 5 °/〇 IDA 1.0°/〇 N Η 4 F 2 5 %水 73. 5%丙二醇曱醚調酉己物 G 0 . 5 °/〇 IDA 1.0% N Η 4 F 2 5 0/〇水 7 3. 5 %二乙二醇甲醚調配物 Η 0.5% IDA 1.0% Ν Η 4 F 2 5 %水 73. 5%三乙二醇甲醚言周酉己物 I 0 . 5 %氟化銨 2 . 2 5 %曱基二乙醇胺 2 . 7 5 %丙二酸 2 5 0/〇水 6 9 . 5 % 二乙二醇調配物 J 32

312/發明說明書(補件)/92-10/92119794 200408003 1 0 % N，N -二曱基二乙醇胺氫氟酸鹽 2 5 %水 6 5%二乙二醇調配物 K 40% N，N -二甲基二乙醇胺氫氟酸鹽 2 5 %水 3 5%二乙二醇其中該調配物之各組成分之百分比係以重量計且以調配物之總重為基準。 4 9 .如申請專利範圍第4 5項之方法，其中該所在位置包含一種半導體元件結構。 5 0 .如申請專利範圍第4 9項之方法，其中該半導體元件結構包含一種ILD材料。 5 1 .如申請專利範圍第5 0項之方法，其中該犧牲矽酸鹽材料包含一種犧牲抗反射塗膜。 5 2 .如申請專利範圍第5 1項之方法，其中該犧牲抗反射塗膜包含一種經染色之石夕酸鹽玻璃材料。 5 3 ·如申請專利範圍第5 2項之方法，其中該經染色之矽酸鹽玻璃材料已經施用於半導體元件結構俾減少於半導體元件結構進行微影術圖案化製程期間之反射性變化。 33 312/發明說明書(補件)/92-10/92119794 200408003 柒、指定代表圖： (一）本案指定代表圖為：第（）圖。 (二) 本代表圖之元件代表符號簡單說明：無捌、本案若有化學式時，請揭示最能顯示發明特徵的化學式：無 312/發明說明書(補件)/92-10/92119794