TW200407878A - Application of prophrin on fluorescent multilayer recording medium and manufacturing method thereof - Google Patents

Description

200407878 五、發明說明（l) 【發明的應用範圍】 ^發明是關於-種螢光多層記錄媒體及其製造方法， 斗寸別疋關於一種適用於以短波导帝身 — 化合物之登光多層記錄媒體及以；：存取之應用紫質 【發明的背景】 費性多媒體世代的來臨’包括電腦、.通訊、消 Γ口Ter，C〇_icatlon，c。— 也不斷的增加。就光資訊儲存媒體5 置之需求 ,讀取光源的光資訊儲存媒體，，、由^ 般以紅光雷射 ，，記錄密度相對受到限制。目前有 古二： 儲存媒體之記錄密度的原理乃古 一徒阿先貝〇fl 筋0上 甲及方法已被提出，其中輕為會 要且在近期已成功開發其製裎. ”、、 射光源的波長，例如將雷射光诉:= .縮短讀取雷 射，亦@ j 先源由紅光雷射改為藍光雷 ^ 亦了由k南鏡頭的數值孔栌荽车。里此 位訊垆编踩沾古斗、札^者手。另外，尚有改良數 碼的方式或用所謂超解析近場光學 錄方式，以及將資訊儲存媒體多—再尤嶸 〔如#雄六—- 子呆體夕層化以楗向貧訊儲存媒體 (如先碟）储存容量的技術，亦搜 媒艚私屎，脸妙六〜θ 别「J 一没工間夕層化儲存 嫖版毛展，將儲存容量以整數 效提高儲存密度。 开以上的方法皆、能有 (Hij 1.\縮短讀取雷射光源的波長方面，係有由日立 利、案、一曰百生（LG)電子、松下電器、先鋒、飛 —生、夏晋（Sharp)、新力、湯姆森多媒體 (·_η Multlmedla)九家公司，於2〇〇2年所發怖之

第5頁 200407878 五、發明說明（2) 「Blu-ray D1SC」（藍色光碟）的新一代大容量光碟儲存 格，透過使用40 5nm的藍紫色電射光源以及〇· lmm的光 射保護層架構，藍色光碟可以將丨2公分的單面光碟片 儲存容量提升到27GB。由此可知，利用短波長雷射進行存 取將逐漸成為發展的主流。 仔 t外’傳統之三度空間多層化儲存媒體技術受限於同 壞性卞涉效應，使其多層碟片結構之層數受到限制。 右嫌丄9^由良I Pathen〇P〇Ul〇S#人首度提出利用偵測 你也光變色材料在不同狀態受雷射激發的螢光放射強弱來 為光記錄媒體，並以此克服了多層碟片結構中同頻 ^ ^涉的問題。隨後，RusseU更進一步開發出多層螢光^ 光記錄媒體及其讀取光路系統，如美國第5278δ16號專 利狄並且，於2000年美國的Constellation 3D公司展示了 光多層光碟片（Fluorescent Multilayei* Disc， FMD) 光製成的播放器原型。螢光多層光碟片係使用了替 料片之多層塗料。當雷射光照射到螢光染 偵測哭合ΐ ΐ 種頻率不同於雷射的螢光。光碟機中的 頻破二卜1搜哥廷種螢光而忽略雷射光。由於螢光不會有同 面' 卜|十干涉的問題，可堆疊多層記錄層於光碟片的單一 與螢光以展再：結合短波㈣ 二=錄媒肢，即可再進一步提升其單位面積之記 前^之::目：應用於短波長雷射之螢光染料即成為當 【發明之目的與概述】

第6頁 200407878 五、發明說明（3) 本發明的目的係揭露一種應用紫質化合物之螢光多層 記錄媒體及其製造方法。利用紫質化合物（P 〇 r p h y r 1 η )具 有不錯螢光量子效率且對於波長小於5 0 0奈米之光線有著 極大吸收的特性，來作為螢光多層記錄媒體的染料。以波 長小於5 0 0奈米（nm)(如波長4 0 5奈米的藍光）之短波長雷射 激發含紫質化合物染料之高分子薄膜時，其瞬間產生之螢 光放射波長大於6 0 0奈米之紅色螢光，透過偵測此螢光放 射強度即可作為記錄媒體的資料讀取訊號。 本發明係將紫質化合物用來作為螢光多層記錄媒體的 染料，紫質化合物化學結構以圖示方式表示如下·· R] 平2

R9 Rg 其中，化學結構式之組成為：

Ri、R2、R3、R4、R5、R6、R7、R8、R9、R1()、Rn 及R!2 可分 別為相同或不同之基團，係選自氫原子、鹵素原子、含取 代基之c^_8之烧基、不含取代基之C^_8之烧基、含取代基之 yl-8 之烷氧基、不含取代基之(^_8之烷氧基、（^_8之烷酯基 含氮雜環、羧基、硝基（n i t r 〇 g r 〇 u p)、金剛烧羰基

第7頁 200407878 五、發明說明（4) (adamanty 1 carbonyl group)、金岡,J 烧基（adamanty 1 group)、稀基（alkenyl group)、炔基（alkyny 1 4 group)、氨基（amino group)、偶氮基（azo group)、芳香 基（aryl group)、羥基苯（aryloxy group)、羰基苯 (ary 1 car bony 1 group )、罗呈基苯魏基(aryloxycarbonyl group)、魏棊苯羥基（arylcarbonyloxy group)、經基苯 叛基（ary 1 oxycarbony 1 〇xy group)、烧罗炭基 (alkylcarbony1 group) 、 ^ ft ^(alkylcarbonyloxy group)、烧氧魏基（a 1 koxy carbony 1 oxy group)、烧氧幾 基（alkoxycarbonyl group)、氨基曱酸基（carbamoyl group)、氰酯基（cyahate group)、氰基（cyano group)、 甲酸基（formyl group)、甲酸氧基（formyloxy group)、 雜環基（heterocyclic group)、異硫代氰酯基 (isothiocyanate group)、異氰基（isocyano group)、異 氣酯基（i socy anat e group)、亞硝’基（nitroso group)、 全氟烧基（061^111〇1：〇311^12]：〇1^)、全氣烧氧基 (perfluoroalkoxy group)、石黃胺基（sulfinyl group)、 石黃酉t基（sulfonyl group)、石夕烧基（silyl group)和硫代 氰酉旨基（thiocyanate group)所組成的族群之其中之一。 而Μ係為氫分子（H2)、裡（Li2)、鈉（Na2)、鎂（Mg)、1弓 (Ca)、銃（Sc)、鈦（Τι)、釩（V)、鉻（Cr)、鉬（Mo)、锰 (Μη)、鐵（Fe)、锇（Os)、銘（Co)、錢（Rh)、銥（Ir)、鎳 (Ni)、ί巴（Pd)、始（Pt)、銅（Cu)、銀（Ag)、金（Au)、鋅， (Zn)、鍺（Ge)、錫（Sn)、錄（Sb)所組成的族群之其中之

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明所揭露 方法，則 。由於紫 shift) 其釋放出 態下的能 低的能量 所以，具 由濾、光片 入射雷射 誤的只偵 可減少染 〇 ，由於含 穩定性， 發時，可 對本發明 配合圖示 施例說明 及其製造 為記錄層 (Stoke’s 基態時， 或固體狀 激發光較 克轉移。 可輕易藉 此可避免 可正確無 此外，也 度的減弱 同時 的光和熱 源進行激 為使 了解，茲 【較佳實 是以紫質化合物所形成的螢光薄；：： 質化合物具有相當大的史托來作 ，史托克轉移即螢光物質於受 =量的光子(即營光），因為= 夜 :”，所放出的螢光通常具有比入射 長的波長，二者間的差異稱為史托 車乂大史托克轉移的螢光薄膜記錄層， 而將入射雷射光與螢光的波長隔開，如 與螢，放射間的干擾（Cr〇Ss —talk)，而 測到榮光放射強度作為資料讀取訊號。 料本身對放射螢光的吸收，避免螢光強 養貝化合物染料之高分子薄膜具有極佳 其=用短波長（小於5 〇 〇奈米）之雷射光 不需添加任何光安定劑。 的目的、構造特徵及其功能有進一步的 詳細說明如下： 體及其ΐΓΐϊ露：ΐ應用紫質化合物之螢光多層嫌 來進行存取，#中：、於以小於500奈米之短波長雷射 為證明紫質化合物的I二化合物的化學結構係如上所述c 、又政放射性質，列舉數個紫質化合杂

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第11頁 200407878 五、發明說明（8)

上述化合物係溶於丙二醇曱醚（pr〇pylene Glycol Monomethyl Ether，PM)溶劑以進行測量。其測量結果如 表一： 表一 化合物簡稱 紫外光（UV)最大吸收位置 螢光放射位置 螢光效率 (1) TPP 415奈米 651奈米~~ 〇. 22 (2) ΤΡΡ-0Η 421奈米 658奈米 0. 18 (3) TPP-C00H 419. 5奈米 653· 5奈米 —----- 0. 19 (4) TPP-ADMT 421奈米 659奈米 ----~ 0. 24 (5) Zn-TPP 423奈米 6〇3奈米 0. 18 由紫質化合物之紫外光（UV)最大吸收位置盥、狄土 ^ 且只s:无放射 位置可知’應用紫質化合物之螢光多層記錄媒體適用於以 小於5 0 0奈米之短波長雷射來進行存取，特別 、 〜疋目IT已開 發出的短波長.藍光雷射（波長4 0 5奈米）。 200407878 五、發明說明（9) 光薄膜以測量其性質，將ΤΡΡ-0Η溶解於高分子溶液中以形 成體積莫耳濃度10-4M之染料溶液，其高分子溶液係為含 百分之2.0重量百分率（wt%)聚乙烯醇縮丁醛（p〇iyVinyl butyral，PVB)之乙酸丙二醇单甲基鱗酯（propylene glycol monoethyl acetate，PGMEA)。將染料溶液利用塗 佈方式，塗佈於聚碳酸酯之透明基板上並進行烘乾製程， 以形成一螢光記錄層薄膜，薄膜之紫外光最大吸收位置波 長為425奈米（λ max = 42 5nm)，而以波長為425奈米的藍光 雷射激發，其螢光最大放射位置波長為662奈米（λ em二 662x101)，如附件i所示，其為τρρ — 〇Η成膜於聚碳酸酯基板 之螢光圖。以及，可利用波長425奈米之藍光雷射激發此 邊光薄膜仔到紅色勞光放射。 & ▲為=細說明本發明所·闡述之螢光多層記錄媒體結構， 4苓考第1圖，其為本發明之應用紫質化合物之螢光多層 =錄媒體示意圖。其結構包含有^第一基板1〇〇，其為一 ^明，板（含溝執或預刻之訊號坑）；記錄疊層丨1〇，其覆 於、第^一_基板100之表面，記錄疊層110係由第一螢光薄膜 戶it - &弟一i隔离1 層L第二螢光薄膜113和第二隔離層114 合物所形成τ ί ί薄膜11 第二#光薄膜113係由紫質化 保護層；7 ，弟二基板20(3，係覆蓋於記錄疊層以作為 σ 其中，透明基板所含之溝 號表面，以提供讀取頭的雷射 層的螢光薄膜所組成，一層螢 軌或預刻之訊號坑係作為訊 循軌之用。記錄疊層可由多 光薄膜之厚度可為5 0奈米至

200407878 五、發明說明（10) 1 0 0 0奈米，而螢光薄膜之間係間隔有一隔離層。 ^ 本發明更包含一種應用紫質化合物之螢光多層記錄媒 肢的製造方法，請參考第2圖，其為本發明之製作流程’、 ，。其步驟包含有：首先，提供含溝執或預刻之訊號坑的 第一基板（步驟31 0 );同時地，加入高分子材料於有機溶 劑配置成透明高分子溶液（步驟320 將一紫質化合物溶 解於透明高分子溶液中，以形成染料溶液（步驟33〇);再 將染料溶液塗佈於該第一基板上並進行烘乾，以形成一發 光薄膜（步驟340);塗上一隔離層於螢光薄膜表面（步驟 3 5 0 );最後，將第二基板貼合於隔離層以作為保護層（步 驟360) 〇 其中，本發明更包含於步驟3 60之前依序重複進行一 次以上步驟3 4 0到步驟3 5 0，即重複於第一基板表面形成多 層之螢光薄膜及隔離層。而本發明所使用之高分子材料可 I選自甲殼素（ch i ΐ i η )、醋酸纖維素類或聚乙烯樹脂類。有 機溶劑則可選自Ch之醇類（alcohol )、（:卜6之酮類 (d i buty 1 ketone ) 、0卜6 之醚類（ether ether，DBE)、鹵素化合物或酸胺（amide)。 可使用之有機溶劑中，匕_6之醇類可為甲醇 (methanol )、乙醇（ethanol )、異丙醇（isopropanol )、二丙酉同醇（diacetonalchol， DAA) 、2，2，3，3 -四氟 丙醇（2，2，3，3-tetrafluoropropanol)、三氯乙醇 (trichloroethanol ) 、 2-氣乙醇（2-chloroethanol )、八 I戍醇（octafluoropentanol)或六 Ιΐ 丁醇

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第15頁 200407878 五、發明說明（12) 甲酯（Pol ymethyl methacrylate，PMMA)或環聚烴共聚物 (Metallocene Catalyzed Cyclo Olefin Copolymer, mC〇C)。以及，隔離層可以選用50奈米至200奈米的介電層 或1微米至20微米的高分子層。而其介電層材料可選自硫 化鋅-二氧化矽（ZnS —以％)、硫化鋅（ZnS)、氮化鋁 (A1N)、氮化矽（SiN)或二氧化矽氣凝膠（Si丨ica 丨）。而且，為增強所測得之螢光強度及增加碟片之 30〇WV亦可於第二基板與記錄疊層之間锻上5Q奈米至 矽二其反射層材料係選自金、銀、鋁、 材料。S銀鈦合金、銀鉻合金及銀銅合金等金屬及其合金 以限定明之較佳實施例揭露如上所▲，然其並非用 精神和範圍内：：何熟習相關技藝者，在不脫離本發明之 專利保護範圍須之更動與潤飾’因此本發明之 為準。 + °兄明苜所附之申請專利範圍所界定者

第16頁 200407878 圖式簡單說明 附件1為ΤΡΡ-0Η成膜於聚碳酸酯基板之螢光圖； 第1圖為本發明之應用紫質化合物之螢光多層記錄媒 體示意圖；及 第2圖為本發明之製作流程圖。

【圖式符號說明J 100 第 一基板 110 記錄疊層 111 第 一螢光薄膜 112 第 一隔龜層 113 第 二螢光薄膜 114 第 二隔離層 200 第 二基板

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Claims (1)

1. 200407878 六、申請專利範圍 1 · 一種紫質化人私 兩射央、佳—σ物，係用來作為以小於5 0 0奈米之短波長 少:拉行存取之螢光多層記錄媒體的染料，其具有如 下之化學結構式： r2 R 12' -N N： M0' R9 Rs 該化學結構式之組成為： R1、R2、R3、P、R5、R6、R7、R8、R9、R12、R11 及以2 分 別為相同或不同之基團，係選自氫原子、鹵素原子、含 取代基之Cl-8之烷基、不含取代基之Ci_8之烷基、含取代 基之Ci_8之烷氧基、不含取代基之匕^之烷氧基、Ci8之烷 酉曰基、含氮雜環、羧基、石肖*(nitr〇 gr〇Up)、金剛烧 数基（adamantyl carbonyl group)、金剛烧基 (adaman.tyl group)、稀基（alkenyl group)、快基 (alkyny 1 group)、氨基（amino group)、偶氣基（azo group)、芳香基（aryl group)、羥基苯（aryloxy group)、M 基苯（arylcarbonyl group)、經基笨幾基 (ary loxycarbony 1 group)、羰基苯羥基

   第18頁 200407878 六、申請專利範圍 (arylcarbonyloxy group)、經基苯缓基 (aryloxycarbonyloxy group)、烧獄基（alkylcarbonyl group)、烧羧基（alkylcarbonyloxy group)、烧氧叛基 (alkoxycarbonyloxy group)、烧氧幾基 (alkoxycarbonyl group)、氨基甲酸基（carbamoyl group)、group)、氰基（cyano group)、甲醯基（formyl group)、曱醢氧基（formyloxy group)、雜環基（heterocycli.c group)、異硫代氰酯基 (i s o t h i o c y a n a t e g r o u p )、異氰基（i s o c y a η o g r o u p )、 異氰酉旨基（isocyanate group)、亞硝，基（nitroso group)、全氟烧基（perfluoroalkyl group)、全氟烧氧 基（perfluoroalkoxy group)、磺胺基（sulfinyl group)、磺醯基（sulfonyl group)、石夕烧基（silyl group)和硫代氰醋基（thiocyanate group)所組成的族 群之其中之一；及 Μ係為氫分子（H2)、锂（Li2)、鈉（Na2)、鎭（Mg)、 鈣（Ca)、銃（Sc)、鈦（Ti)、釩（V)、鉻（Cr)、鉑（Mo)、 锰（Μη)、鐵（Fe)、锇（Os)、钻（Co)、铑（Rh)、鈒（Ir)、 鎳（Ni)、把（Pd)、始（Pt)、銅（Cu)、銀（Ag)、金（Au)、 鋅（Zn)、鍺（Ge)、錫（Sn)、銻（Sb)所組成的族群之其中 — ° 2· —種應甩紫質化合物之螢光多層記錄媒體，係適用於以 小於5 0 0奈米之短波長雷射來進行存取，其包含有： 一第一基板，係為具有一訊號表面之透明基板；

   第19頁 200407878 六、申請專利範圍 δ己錄d：層 其覆盖於遠訊就表面，該記錄疊層係 由一層以上的螢光薄膜所組成，該螢光薄膜係由一紫質 化合物所形成’每一螢光薄膜之間係間隔有一隔離層， 其中該紫質化合物，具有如下之化學結構式：

   該化學結構式之組成為： K、R2、R3、R4、R5、、R8、R9、Rl2、R11 及 R12 分 別為相同或不同之基團，係選自氫原子、鹵素原子、含 取代基之匕_8之烷基、不含取代基之&_8之烷基、含取代 基之Ci_8之烷氧基、不含取代基之Ci_8之烷氧基、&_8之烷 酯基、含氮雜環、緩基、石肖基（n i t r 〇 g r 〇 u p )、金剛烧 爹炭基（adamantyl carbonyl group)、金岡1J 烧基 (adamantyl group)、烤基（alkenyl group)、快基 (alkyny 1 group)、氨基（amino group)、偶氮基（az〇 group)、芳香基（aryl group)、經基苯（aryloxy group)、幾基苯（arylcarbonyl group)、經基苯幾基 (aryloxycarbonyl group)、羰基苯羥基

   第20頁 200407878 六、申請專利範圍 (ary lcarbony loxy group)、羥基苯羧基 (aryloxycarbonyloxy group)、烷羰基（alkylcarbonyl group)、烷羧基（alkylcarbonyloxy group)、燒氧羧基 (alkoxycarbonyloxy group)、烧氧叛基 (alkoxycarbonyl group)、氨基甲酸基（carbamoyl group)、氰酉旨基（cyanate group)、氰基（cyano group)、曱醯基（formyl group)、甲醯氧基（formyi〇Xy group)、雜環基（heterocyclic group)、異硫代氰酯基 (isothiocyanate group)、異氰基（isocyano group) 、異氰酉旨基（isocyanate group)、亞硝基（nitroso group)、全氟烧基（perfluoroalkyl group)、全氟烧氧 基（perfluoroalkoxy group)、磺胺基（sulfinyl group)、績醯基（suifonyi gr0Up)、石夕烧基（siiyi group)和硫代氰自旨基（thiocyanate group)所組成的族 群之其中之一； Μ係為氫分子（H2)、經（Li2)、鋼（Na2)、鎂（Mg)、 鈣（Ca)、銃（Sc)、鈦（Ti)、鈒（V)、鉻（Cr)、钥（Mo)、 猛（Μη)、鐵（Fe)、锇（Os)、钻（Co)、錄（Rh)、錶（Ir)、 鎳（Ni)、|巴（Pd)、鉑（Pt)、銅（Cu)、銀（Ag)、金（Au)、 辞（Zn)、鍺（Ge)、錫（Sn)、銻（Sb)所組成的族群之其中 之一；及 一第二基板，係覆蓋於該記錄疊層以作為保護層。 3 ·如申請專利範圍第2項所述之應用紫質化合物之螢光多 層δ己錄媒體’其中該第二基板係為一透明基板。

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   4 ·如申請專利範圍第2項所述之應用紫質化合物之螢光多 層δ己錄媒體’其中該第^一基板與該弟二基板的材料传選 自聚酯類、聚碳酸酯（Polycarbonate，PC)、聚曱基丙 烯酸甲酯（Polymethylmethacrylate，PMMA)及環聚烴共 聚物（Metallocene Catalyzed Cyclo Olefin ,Copolymer，mCOC)所組成的族群其中之一。 5 ·如申請專利範圍第2項所述之應用紫質化合物之榮光多 層記錄媒體，該螢光薄膜之厚度係為50奈米至1〇〇〇奈 米。 6 ·如申請專利範圍第2項所述之應用紫質化合物之榮光多 層€錄媒體’其中該隔離層係選自一介電層與—高分子 層其中之一。 η 7 ·如申請專利範圍第6項所述之應用紫質化合物之榮光多 層記錄媒體’其中該介電層的厚度係為50奈米至2〇〇夺 8 ·如申請專利範圍第6項所述之應用紫質化合物之螢光多 層§己錄媒體’其中該介電層材料係選自硫化鋅〜二氧化 矽（ZnS-Si02)、硫化鋅（ZnS)、氮化鋁（A1N)、氮化矽 (SlN)和一氧化矽氣凝膠（Sl 1 ica aerogel )所紱成的族 群其中之一。

   如申請專利範圍 層記錄媒體，其 米0 第6項所述之應用紫質化合物之螢光多 中該高分子層的厚度係為1微米至20微 10·如申請專利範圍第2項所述之應用紫質化合物之螢光多

   200407878 六、申請專利範圍 層記錄媒體，其中更包含於該第二基板與該記錄疊層 之間設一反射層。 9 11 ·如申請專利範圍第2項所述之應用紫質化合物之榮光多 層記錄媒體，其中該反射層材料係選自金、銀：銘、> 矽、銅、銀鈇合金、銀鉻合金及銀銅合金所級成的族 群其中之一。 & 1 2·如申請專利範圍第2項所述之應用紫質化合物之榮光多 層記錄媒體，其中該反射層的厚度係為5〇奈米至3 米。 不 1 3 · —種應用紫質化合物之螢光多層記錄媒體的製造方 法，其包含有： (a)提供一第一基板，其為具有一訊號表面之透明 高分子材料於一有機溶劑配置成一透明 (b )加人 高分子溶液； (C)將一紫質化合物溶解於該透明高分子溶液中 以形成一染料溶液； ^ (d)將該染料溶液塗佈於該基板上並進行烘乾，！ 形成一螢光薄膜； ’、 (e) 塗上一隔離層於該營光薄膜表面； (f) 將第二基板貼合於該隔離層以作 14.如申請專利範圍第13項所述之應用紫質化、^呆忮層。 多層記錄媒體的製造方法，其中更包含於：：之螢夫 後，依序重覆一次以上步驟（d)到步驟（e)二驟（0之 200407878 六、申請專利範圍 1 5·如申請專利範圍第1 3項所述之應用紫質化合物之螢光 多層記錄媒體的製造方法，其中該第二基板係為一透 明基板。 1 6 ·如申请專利範圍第1 3項所述之應用紫質化合物之螢光 多層記錄媒體的製造方法，其中該第一基板與該第二 基板的材料係選自聚酯類、聚碳酸酯（Polycarbonate， PC)、聚甲基丙烯酸曱酯（Polymethylmethacrylate， PMMA)及環聚烴共聚物（Metallocene Catalyzed Cyclo Olefin Cop〇iymer，mCOC)所組成的族群其中之一。 1 7·如申請專利範圍第丨3項所述之應用紫質化合物之螢光 多層記錄媒體的製造方法，其中該高分子材料係選自 曱殼素（ch i t i η )、醋酸纖維素類和聚乙稀樹脂類所組 成的族群其中之一。 1 8.如申請專利範圍第1 6項所述之應用紫質化合物之螢光 多層記錄媒體的製造方法，其中該有機溶劑係選自一 Ch 之醇類（alcohol) 、之酮類（ketone)、一 (3卜6 之醚類（ether)、〆二丁醚（dibutyl ether， DBE)、一鹵素化合物和，醯胺（amide )所組成的族群 其中之一。 1 9.如申請專利範圍第1 8項所述之應用紫質化合物之螢光 多層記錄媒體的製造方法，其中該<^_6之醇類係選自甲 醇（methanol )、乙醇（ethanol )、異丙醇 (isopropanol)、二丙酮醇（diacetonalchol， DAA )、2，2，3，3 -四氟丙醇

   第24頁 200407878 六、申請專利範圍 (2, 2, 3, 3-tetrafluoropropanol )、三氯乙醇 (trichloroethanol ) 、2-氯乙醇（2-chloroethanol )、八氟戍醇（octafluoropentanol)和六氟丁醇 (hexafluorobutanol)所組成的族群其中之一。 2 0 ·如申請專利範圍第1 8項所述之應用紫質化合物之螢光 多層g己錄媒體的製造方法，其中該C1-6之酮類係選自丙 酮（acetone)、甲基異丁酮（methyl isobutyl ketone，MIBK)、甲基乙基酮（methyl ethyl ketone, MEK ) 、propylene glycol monoethyl ether 、propylene glycol monoethyl acetate 和3-經 基-3-甲基-2- 丁酮（3-hydroxy-3-methyl-2-butanone )所組成的族群其中之一。 2 1 ·如申請專利範圍第1 8項所述之應用紫質化合物之螢光 多層記錄媒體的製造方法，其中該鹵素化合物係選自 氯仿（chloroform)、二氯甲烧（dichloromethane) 和I -氯丁烧（l-chlorobutane)所組成的族群其中之 —— 〇 2 2·如申請專利範圍第1 8項所述之應用紫質化合物之螢光 多層記錄媒體的製造方法，其中該醯胺係選自二曱基 甲醯胺（dimethylformamide，DMF )、二甲基乙醯胺 (dimethylacetamide，DMA)和甲基環己嫁 (Methylcyclohexane，MCH)所組成的族群其中之 --- 2 3 ·如申請專利範圍第1 3項所述之應用紫質化合物之螢光

   第25頁 200407878 六、申請專利範圍 多層記錄媒體的製造方法，其中該透明高分子溶液的 濃度係為百分之〇. 1至20重量百分比（wt%)。 2 4 ·如申請專利範圍第1 3項所述之應用紫質化合物之螢光 多層記錄媒體的製造方法’其中該透明高分子溶液的 濃度較佳值係為百分之1至5重量百分比（wt%)。 2 5 ·如申請專利範圍第1 3項所述之應用紫質化合物之螢光 多層記錄媒體的製造方法，其中該染料溶液之濃度係 為1〇~7至10_2體積莫耳濃度（从）。 2 6 ·如申請專利範圍第1 3項所述之應用紫質化合物之螢光 多層記錄媒體的製造方法，其中該將該染料溶液塗佈 於該基板上並進行烘乾，以形成一螢光薄膜的步驟， 係以旋轉塗佈、滚壓塗佈、含浸及噴墨（i n j e t printing)其中之一方法進行塗佈。 2 7 ·如申請專利範圍第1 3項所述之應用紫質化合物之螢光 多層記錄媒體，該螢光薄膜之厚度係為50奈米至1〇〇〇 奈米。 . 2 8 ·如申請專利範圍第1 3項所述之應用紫質化合物之螢光 多層記錄媒體，其中該隔離層係選自一介電層與.一高 分子層其中之一。 2 9 ·如申請專利範圍第2 8項所述之應用紫質化合物之螢光 多層記錄媒體，其中該介電層的'厚度係為50奈米至200 奈米。 30·如申請專利範圍第28項所遂之應用紫質化合物之螢光 多層記錄媒體，其中該介電層材料係選自硫化鋅—二氧

   第26頁 200407878 六、申請專利範圍 化石夕（ZnS —Si02)、硫化鋅（ZnS)、氮化鋁（A1N)、氮化 石夕（Si N)和二氧化矽氣凝膠（si 1 ica aerogei )所纟且成的 族群其中之一。 〇 1 •如申請專利範圍第28項所述之應用紫質化合物之螢光· 夕層δ己錄媒體，其中該高分子層的厚度係為1微米至 微米。 31如申請專利範圍第丨3項所述之應用紫質化合物之螢光 多層記錄媒體，其中更包含於步驟（f)之前，進行一於 η亥弟一基板表面鍛上一反射層的步驟。 33·如申請專利範圍第32項所述之應用紫質化合物之螢光 多層記錄媒體，其中該反射層材料係選自金、銀、 鋁、矽、銅、銀鈦合金、銀鉻合金及銀銅合金所組成 的族群其中之一。 34·如申請專利範圍第32項所述之應用紫質化合物之螢光 多層記錄媒體，其中該反射層的厚度係為50奈米至3〇 〇 奈米。 " 3 5 ·如申請專利範圍第1 3項所述之應用紫質化合物之螢光 多層記錄媒體，其中該將第一基板貼合於該隔離層以 作為保護層的步驟，其姑合方式係選自旋轉塗佈法、 網印、熱融膠法及雙面膠帶貼合法其中之一。