TW200303120A - PLL arrangement, charge pump, method and mobile transceiver - Google Patents

Description

(1) 200303120 玖、發明說明 (發明說明應敘明：發明所屬之技術領域、 技術領域 先前技術、内容、實施方式及圖式簡單說明) 本 使用 用。 發明係關於在鎖相迴路 的充電泵，其用於諸如 (Phase Locked Loop ; PLL)中 頻率合成/時脈產生之類的應 先前技術 在本發明領域中’眾所周知對於分數N(Fracti〇naiN; FRAC N) PLL裝置，相關充電i的線性係—關鍵要求。該 類无電泵之電路設計中的—主要問題就是達到圍繞該「鎖 定」狀況的一要求線性位準。 在違「鎖定」狀況期間的P L L調變性質要求添加額外電 荷至遠迴路遽波器或從該迴路濾波器吸收額外電荷，該電 荷係與該調變成正比。 在配置為使用直接數位調變技術和使用上述P L L進行 傳送的移動式蜂巢行動電訊裝置的情形中，調變該裝置一 電壓控制振盪器（Voltage Controlled Oscillator; VCO)的 調諧線路電壓，其隨之導致該裝置一傳送（或TX)輸出上的 調頻（Frequency Modulation ; FM)。該裝置中 PLL的非線 性導致TX輸出中不必要的雜訊。 調變速率在幅度上可變動，圍繞該整數「鎖定」狀況的 最低期望頻率的若干週期範圍（由該調變指定），其可高達 該最高期望頻率（例如全球行動通信系統「Global System for Mobile telecommunication; GSM」裝置中的〜1奈秒） 週期。 200303120 (2) 發明諱轉續買 因此在這些狀況下傳送至該p L L迴路濾波器的總電荷 必須實質上為線性，使得在封閉迴路中VCO輸出的FM調 變與由直接數位調變技術傳送的資料成正比。 此外，眾所周知在鎖定狀況下，可有意將一泄漏電流添 加至該迴路滤波器的源電流，使得該充電泵的一「向下」 部分在該「鎖定」狀況期間被觸發，以補償或吸收等於— 參考週期的源電流。因此，該線性取決於不變源電流和脈 衝「向下」電流。 獲得G S Μ應用中相位頻率"ί貞測器（P h a s e F r e q u e n c y Detector)增益所要求的相對高電流（1.26毫安）通常由大 場效電晶體（Field Effect Transistor; FET)以及相關寄生 電容提供，而這些寄生電容導致切換時不必要的電荷注入 和時脈饋通，引起圍繞該「鎖定」狀況的非線性以及由於 增加之功率消耗的更長擷取時間。 R 〇 b e r t C . C h a n g 和 L u n g - C h i h K u 〇 在瑞士 日内瓦 2 0 0 0 年 5月28日至31日召開的ISCAS 2000-IEEE國際電路和系統 研討會（IEEE International Symposium on Circuits and Systems)上發表的「用於PLL的一種新型低壓充電栗電路 (A NEW LOW VOLTAGE CHARGE PUMP CIRCUIT FOR PLL)」說明了使用寬擺動電流反射鏡（Wide Swing Current Mirror)和電流操縱技術來處理這些雜訊問題的一 1.5伏特 應用。 然而，該方法的缺點在於它提供有限輸出阻抗、使用有 限供應電壓進行操作、以及相對之複雜性並具有兩個階段 200303120 _ (3) I發瞵說明續頁 。在蜂巢式收發器設備的情形中，該充電泵必須能夠在一 盡可能大的電壓範圍内作業，並且需要一適合大的供應電 壓。此外，在該應用中，P L L裝置必須相對簡單和便宜。 因此需要一種PLL裝置、充電泵、方法及移動式收發器 來消除上述缺點。 發明内容 依據本發明的第一項觀點，提供如申請專利範圍第1項 之充電泵。 依據本發明的第二項觀點，提供如申請專利範圍第2項 之PLL裝置。 依據本發明的第三項觀點，提供如申請專利範圍第3項 之移動式收發器。 依據本發明的第四項觀點，提供如申請專利範圍第5項 之方法。 該充電泵最好另外包含第一與第二電晶體，其耦合在該 電流源電路與該電流吸收電路之間的共射共基（cascoded) 裝置中。 該電流源電路與該電流吸收電路取好各自具有配置為 經由其源極電極切換的切換電晶體。該電流吸收電路最好 包含一正回授配置。 該鎖相迴路裝置最好是為一蜂巢式收發器而提供。該蜂 巢式收發器最好是一 GSM裝置。或者該蜂巢式收發器也可 是一「後第二代」（post-2G)裝置。 這樣，該裝置的偏壓電流依據所要求的輸出電流而鏡射 200303120 (4) I發瞒說_續頁 ，瞬變時間得到改善，從而減少相位雜訊。 圖式簡單說明 現在將僅藉著範例並參考附圖來說明併入本發明的一 PLL裝置、充電泵、方法及移動式收發器，其中： 圖1顯示一先前技術PLL裝置的說明性方塊圖； 圖2顯示依據本發明一高壓充電泵的說明性方塊圖； 圖3 a和3 b顯示圖2中充電泵的一理想切換電流響應和一 切換電流響應。 圖4顯示圖2中「脈衝向下」方塊9 0的一具體實施例的說 明性方塊圖； 圖5顯示圖2中「脈衝向下」方塊90的一詳細電路實施例； 圖6顯示圖2中「脈衝向上」方塊60的說明性方塊圖； 圖7顯示圖2中「脈衝向下」方塊9 0的一替代性具體實施 例的說明性方塊圖；以及 圖8顯示圖2中「脈衝向上」方塊6 〇的一詳細電路實施例。 實施方式 參考圖1 ’其顯tf併入一充電栗30的^一先前技術鎖相迴 路（Phase-Locked-Loop ; PLL)裝置 5。 一參考振盪器1 〇經由一相位偵測器2 〇向充電系3 0提供 一參考交流電（AC)電壓。充電泵3〇的一輸出與一 VC〇 40 耦合。 μ立 一 PLL分配器50係耦合以接收VC0 40的 _ ?0提供 回授迴路的情形中，進一步耦合以向相位仏 輸出。 200303120 (5) 聲明說_續頁 現在再請參考圖2 ’其顯示依據本發明一較佳具體實施 例的一高壓充電泵的詳細方塊圖，該高壓充電泵係用來取 代如圖1所示一 PLL裝置中的一典型充電泵。該充電栗包 含一「脈，衝向上」方塊60、一「脈衝向下」方塊9〇、_「

Itrickle」方塊70及第一與第二場效電晶體（FET) 75與85 ，下文將進一步說明。請注意濾波器方塊8 0不是該充電栗 的一部分，而是PLL應用的一部分。 本示範性具體實施例係關於在一所謂「第二代」（2nd generation ;2G)移動式電話或類似蜂巢式裝置中實施的一

GSM或類似分數N PLL合成器（Fractional-N PLL

Synthesiser)，儘管本發明也可用在「下一代」（next gene rati on)或「後第二代」（post_2G)蜂巢式裝置中，例如 GPRS(通常稱為「2.5G」）或UMTS(通常稱為「3G」）。在 该GSM應用中’遠充電装（增益）傳送（Transnlit ; TX)時的 輸出電〉ifl為1·26愛安’接收（Receive; rx)時的輸出電流 為500微安。 該應用要求一高壓（5伏特），為此目的在共射共基 (c as coded)裝置中提供有兩個3伏特FET 75和85，如圖2所 示。使用作為一中間供應（〜2 · 5伏特）的電阻分配器將該二 F E T偏壓，從而分離電壓，使得在供應和消耗電流時不會 對FET 75和85造成壓力。 在操作中，該充電泵提供如下的一要求電荷量： Q = I (current) χ T (time) 電荷經由「脈衝向上」方塊6 〇提供的一 r向上」脈衝添加 -10- 200303120 (6) 或供應給迴路濾波器8 〇，或經由來自「脈衝向下」方塊9 0 的一「向下」脈衝被減去或吸收。 請注意，在鎖定狀況下，「脈衝向下」方塊9 〇是該充電 泵唯一活動的方塊’因為11 r i c k 1 e方塊7 0是以此方式設置 該鎖定狀況的一不變源電流。時間（T)是PLL相位偵測器20 的相差輸出’用於切換來自「脈衝向下」方塊9 〇的電流。 圖3a和圖3b顯示要求該充電泵的瞬時響應。圖3a顯示在

一時間（T )’為提供該要求電荷Q的來自迴路濾波器之切換 電流的理想響應。 在實務中，在切換共射共基（c as coded)電流源時，該響 應並非如圖3 a所示。當電流上升時，若在不變向下電流的 汲極處切換該吸收電流，則會出現不必要的過衝 (overshoot)和下衝（undershoot)。

現在再請參考圖4，其顯示圖2「脈衝向下」方塊90的方 塊圖，包含各自具有閘極、源極和汲極電極的第一和第二 電晶體110和120、第一和第二差動開關140和160、以及第 一和第二電流源1 3 0和1 5 0。 第一和第二電晶體110和120都是金屬氧化半導體場效 電晶體（Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor ; MO SFET)裝置，各自具有與供應一電流lie ak 的第一電流源1 3 0耦合的一閘極電極。第二電流源1 5 0經由 第一差動開關1 4 0與第二電晶體1 2 0的源極電極耦合，並經 由第二差動開關1 6 0分別與第一和第二電晶體1 1 〇和1 2 0的 汲極電極耦合。 -11 - 200303120 (7) I發瞒說明續頁 該第二電流源係配置用於供應一 4 x lie ak電流。第二電 晶體1 2 0的源極電極和沒極電極係隸合在一起。 在開關位於裝置1 1 0的情形中，上述之不必要電荷注入 係由於圖4中充電泵的第一電晶體1 1 0連接處累積的電荷 造成。當時間△ t與時間（T)成為可以相比時，電荷錯誤的 百分比增長導致非線性。

藉著將該切換與向下吸收電流整合在一起，實現圖3 b 所示的可預測瞬變。充電電流接通的限定時間為5tr，而 其切斷的限定時間為5tf，但沒有不必要的過衝或下衝。 因此避免了當切換不變電流吸收器之汲極時的非線性。

因此可精著配置該充電栗電路來維持電何保存，以確保 在限定上升時間5tr内的電荷損失與限定下降時間5tf内獲 得的電荷相等。換言之，在充電曲線下面積的配置使其與 圖3 a理想情形中曲線下的面積相等。這樣，儘管充電曲線 並非理想，獲得或泄漏的電荷量與圖3 a中理想曲線情形中 的對應量相等。 在上述特定實施例中，該充電泵電路的配置必須使得上 升時間5tr比下降時間3tf快3倍，以獲得與理想曲線之充電 相等的一充電，而下文中將對其作進一步說明。 對上升時間（及下降時間）的要求就是轉換速率大大小 於1奈秒，最好是在兆分之一秒範圍内或更小。必須明白 該轉換速率取決於與充電節點上電容成一比例的偏壓電 流。 再請參考圖4，在操作中，並當第一差動開關1 4 0閉合而 -12 - 200303120 (8) ["發_説.嗎續ΐ 第二差動開關1 6 0斷開時，第二電晶體i 2 〇充電以供應偏壓 電流3 X ( = 4x- lx) Ileak，並從而將3 X Ileak電流鏡射穿 過第一電晶體1 1 〇。 同樣，當第一差動開關1 4 0斷開而第二差動開關1 6 0閉合 時，泄漏電流1 X將第二電晶體1 2 0放電，並且第一電晶體 1 1 0被切斷。

這樣，所產生的偏壓電流為（4x-lx)，即3 X Ileak電流。 該配置的電容取決於第一和第二電晶體110和12〇的電容。 具體而言，二極體連接節點的電容可近似於： CGS (120)+CGS (110)+CDB (140)+CDB (130) 其中C G S是該裝置的閘極至源極電容，而c D B是該裝置的 汲極至主體電容。 現在再請參考圖5，其顯示圖2中「脈衝向下」方塊90 的一詳細電路圖（其在圖4中的顯示較概略）。下表係對應 參考· 圖4 圖5 第- -電 晶 體 110 電 晶 體 170 第一 -電 晶 體 120 電 晶 體 200 第一 -電 流 源 130 電 流 源 180 第- -差 動 開 關140 差 動 開 關220 第二 二電 流 源 150 電 晶 體 240 第二 二差 動 開 關160 差 動 開 關23 0

裝置250、260及270係用於偏壓之目的。同樣，由於該 互補切換配置，裝置190、210、230與裝置180、200及220 -13 - 200303120

(9) 相似，以實現真正的差動操作，即相同負載。 電晶體1 7 0是數個平行的鏡射裝置。電晶體1 7 0的電容等 於一底部裝置的CGS + —頂部裝置（共射共基（cascoded) 裝置）的CDB * 8/3(獲得1·26毫安的比例因子）。 該裝置的充電節點是第二電晶體1 2 0的汲極電極。應明 白必須將該充電節點充電至一臨界電壓的一控制閘極電 壓，其大於第二電晶體120最小輸出電壓，即Vds at = (Vomin) + Vt 〇 要獲得大大小於1奈秒的一轉換速率，必須增加偏壓電 流及/或減小在充電節點上的電容。請注意，對於本應用 ，在第一電晶體1 1 0上，3 X電容必須縮放至1.2 6毫安。因 此，在該應用所要求的偏壓電流、充電節點上的電容及輸 出電流之間有一關係。如上所述，該輸出電流為1.2 6毫安 。該偏壓電流為（4^>1\)=3叉（3\157.5微安），而該電容 是第一電晶體1 1 0和第二電晶體1 2 0的閘極至源極電容的 總和。其它應用中也存在一類似關係，在每種情形中，這 取決於所要求的輸出電流。 現在再請參考圖7，其顯示圖2中「脈衝向下」方塊90 的一替代性具體實施例。裝置4 2 〇和4 5 〇為類似於圖4中第 二電晶體120的二極體連接裝置。裝置4〇〇和470係互補輸 出（其實質上減少相位雜訊達3分貝，因為「信號對雜訊」 比率增加了二倍）。裝置410和460是用來當其活動時將其 汲極節點放電至地面，它們係取代圖4中的第一電流源丨3 〇 。差動開關 4 3 0 和 4 4 0 J&.营罢 /f 1 Λ . y+f -r /、装置410和460的交叉耦合提供一正 (10) (10) 200303120 發_諱_續寅 回授配置。 與正回授一起使用該互補操作進一步增加了切換速度（ 圖3 b中曲線的「彎曲度」）。 現在再請參考圖6，其顯示圖2中「脈衝向上」方塊60 的一詳細電路圖。其包含一參考電流部分，一實行偏麼部 分以及一切換電流反射鏡輸出階段。

該參考電流部分包含一電流源3 0 0，其經由一供應偏壓 電晶體階段305與一二極體耦合共射共基（cascoded)31C) 耦合。電流源3 00提供共射共基（cascoded)310的輸入偏塵 。請注意，該開關整合入共射共基（cascoded)3 10的方式與 圖4中「脈衝向下」方塊的第一電晶體11 〇整合方式相似。

該實行偏壓部分包含經由一供應偏壓電晶體階段3 2 0與 一「啟動」電晶體322耦合的一不變偏壓電晶體3 3 0。該實 行偏壓部分係一偏壓支路，其係該切換電流反射鏡輸出階 段的一鏡射形式，下文中將進一步說明。偏壓電晶體3 3 0 係用來偏壓共射共基（cascoded)3 1 0的整合開關。 該切換電流反射鏡輸出階段包含第一和第二切換電晶 體340和360以及一二極體耦合共射共基（cascoded)370， 其係使用共射共基（c as code d)3 10鏡射的一輸出支路。該 應用將共射共基（cascoded)3 70複製4次，以達到所要求的 輸出電流（未在圖6中顯示）。第一切換電晶體340經由一供 應偏壓電晶體階段345與一「向上b」電晶體342耦合。同 樣’弟一切換電晶體J 6 0經由一供應偏唇電晶體階段3 5 5 與一「向上」電晶體3 65耦合。 -15 - 200303120 (11) 發_圓 一 「上拉」電晶體3 5 0係用來切斷該輸出支路。該開關 係位於該電流源與該輸出支路之間以獲得更快瞬變。縮放 第一電晶體3 4 0、第二電晶體3 6 0及「上拉」電晶體3 5 0以 達到瞬變的最佳轉換速率。為清楚說明之目的，在圖6中未 將節點315和375顯示為連接在一起，但請看下面的圖8。 供應偏壓電晶體階段305、320、345及355各自類似於圖 2中F Ε Τ 7 5和8 6的配置，並且設置它們係為了減少穿過該 電路電晶體的電流壓力。該電流源和每個電晶體3 2 2、3 4 2 及365皆為NMOS裝置。每個電晶體330、340、350和360 皆為PMOS裝置。共射共基（cascoded)310和370為 PMOS/NMOS裝置。 現在再請參考圖8，其顯示圖2中「脈衝向上」方塊60 的一詳細電路圖（其在圖6中的顯示較概略）。下表係圖6 和圖8中的對應參考： 圖6 圖8 電流源300 電流源500 供應偏壓電晶體階段305 供應偏壓電晶體階段505 二極體镇合共射共基(cascoded)310 二極體輕合共射共基(cascoded)510 節點315 節點515 供應偏壓電晶體階段3 20 供應偏壓電晶體階段520 「啟動」電晶體322 「啟動」電晶體522 不變偏壓電晶體330 不變偏壓電晶體530 切換電晶體340 切換電晶體540 「向上b」電晶體342 「向上b」電晶體542 -16 - 200303120

供應偏壓電晶體階段345 供應偏壓電晶體階段545 「上拉」電晶體350 「上拉」電晶體550 供應偏壓供應電晶體階段355 供應偏壓電晶體階段555 切換電晶體360 切換電晶體560 「向上」電晶體365 「向上」電晶體565 二極體耦合共射共基(cascoded)370 二極體搞合共射共基(cascoded)陣列 570 節點375 節點575

另外，二極體耦合共射共基（cascoded)570包含一電晶體 切換陣列5 7 2以及一輸出節點5 8 0 (I 〇 u t)。

在操作中，通過電流源3 00的偏壓nbl和nb2建立一參考 電流，同時經由一數位致能信號接通「啟動」電晶體522 ( 其與電晶體522的閘極耦合）。以類似方式經由相位/頻率 信號「向上」和「向上b」切換「向上」電晶體522和「向 上b」電晶體542，從而切換該輸出電流反射鏡。對於該實 施例，該輸出電流係該參考電流的四倍。當將數位信號「 向上」設置為邏輯1時，電晶體切換陣列5 7 2每個陣列的閘 極從充電泵供應電壓（charge pump supply voltage ; VDD) 轉換降低至一電壓位準，其等於階段5 5 5的供應偏壓加上 一 PM0S臨界電壓。在這期間，將該多重參考電流供應入 PLL濾波器（圖1的50)。將該電晶體切換陣列設置在該輸出 電流源源極侧上是有利的，因為在該配置中，「接通」脈 衝施加至一共射共基（cascoded)連結而避免任何Miller增 加，並同時最小化進入輸出節點5 8 0的時脈饋通。 -17 - 200303120 —-____ (13) 资_巍..瞒續頁 ^ ............... 應明白上述的PLL裝置、充電栗、方法及移動式收發器 提供以下益處： •利用共射共基（cascoded)電流反射鏡及薄閘極氧化物 來獲得高壓（5伏特）。 • 減小之複雜性（減小之晶片尺寸）。 •偏壓電流係依據所要求的輸出電流進行鏡射，因而提 供最佳瞬變時間與減少之相位雜訊。 •將PM0S切換電晶體置放在該輸出電流源的源極侧也 是有利的。在維持輸出電流和高輸出阻抗的同時，v c〇 控制電壓可更靠近負導執。首先，這允許該充電栗電 路對該迴路濾波器存在一更高輸出阻抗，從而改呈性 能。更重要的是，這減少了穿過M0S裝置的電签擺動 。這樣，即使是在一薄閘極氧化物處理内，該充電^ 電路也可使用一更高供應電壓作業。這是關鍵，因為 技術趨勢疋將充電聚電路嵌入1C中，其中該問柄^氧化 物厚度相當小。通常，本發明可在大於4伏特的電唇範 圍内實施，而該供應電壓在常規基礎上應該為2伏特大 小。這就減少了相位雜訊。 應明白對以上配置可以有其它具體實施例。例如，上述 充電泵裝置可與整數模式PLL以及FRAC-N PLL —同使用 。可認為整數模式PLL是FRAC-N PLL的一子集。 此外，本文顯示並說明的M0SFET裝置名義上是在 PM0S(P型FET)中實施的。然而，「脈衝向下」電路也可主 要使用NMOS (N型M0S)裝置實施，從而轉化該電路設計。 200303120 (14) I發臟鞔鹰續·頁. 同樣，為達到更快的轉換速率，替代將二極體連接裝置 的閘極電壓放電至地面的方法，可將該電壓放電至該 NMOS裝置的一 Vt之下。這樣，當閉合該開關時，該充電 裝置只需要對Vdsat充電。或者，也可使用「OVt」裝置。 圖式代表符號說明 5 先前技術鎖相迴路裝置 10 參考振盪器 20 相位偵測器 30 充電泵 40 電壓控制振盪器 50 PLL分配器 60 「脈衝向上」方塊 70 Itrickle 方塊 75、85

共射共基（cascoded)電流反射鏡 80 90 110 120 130 140 150 160 170、200、210、240、250 180、190、270、300、500 迴路濾波器 「脈衝向下」方塊 第一電晶體 第二電晶體 第一電流源 第一差動開關 弟二電流源 第二差動開關 電晶體 電流源

-19 - 200303120 (15) I鮝明說明續頁 220、230、260、430、440 差動 305、320、345、355、505 、520、545、555 供應 310、370、510、570 二極 315、375、515、575 節點 322 、 522 「啟 330 、 530 不變 340、360、540、560 切換 342 、 542 「向 350 、 550 「上 365 、 565 「向 400、410、460、470 裝置 420、450 二極 572 電晶 580 輸出 體連接裝置 體切換陣列 節點 開關 偏壓電晶體階段 體摘合共射共基（c as coded) 動 」電 晶 體 偏 壓電 晶 體 晶體 上 b」 電 晶 拉 」電 晶 體 上 」電 晶 體 -20 -

Claims (1)

1. 200303120 拾、申請專利範圍 1. 一種用於鎖相迴路裝置的充電泵，該充電泵包含： 一電流源電路，其具有一預定轉換速率並配置為有 選擇地向該鎖相迴路裝置提供充電電流，以及 一電流吸收電路，其具有一預定轉換速率並配置為 有選擇地從該鎖相迴路裝置消耗充電電流， 一電流吸收電路，其具有一預定轉換速率並配置為 其中該電流源電路的轉換速率與該電流吸收電路的轉 換速率具有一預定關係，使得在操作中，從該充氣泵 至該鎖相迴路裝置的非線性電荷注入得到實質性改 善。 2. 如申請專利範圍第1項之充電泵，其中該充電泵尚包 括介於該電流源電路及該電流吸收電路之間以共射共 基（cascoded)置耦合之第一及第二電晶體。 3 .如申請專利範圍第2項之充電泵，其中該電流源電路 和該電流吸收電路各自具有配置為經由其源極電極進 行切換的切換電晶體。 4.如申請專利範圍第3項之充電泵，其中該電流吸收電 路包括一正回饋配置。 5 . —種鎖相迴路裝置包括如申請專利範圍第1項之充電 泵。 6. —種鎖相迴路裝置，包括如申請專利範圍第2項之充 電泵。 200303120 爭謗專鄱範厨續i 7. —種鎖相迴路裝置，包括如申請專利範圍第3項之充 電泵。 8 . —種鎖相迴路裝置，包括如申請專利範圍第4項之充 電泵。 9. 一種移動式收發器，包括如申請專利範圍第5項之鎖 相迴路裝置。 1 0. —種移動式收發器，包括如申請專利範圍第6項之鎖 相迴路裝置。 1 1 . 一種移動式收發器，包括如申請專利範圍第7項之鎖 相迴路裝置。 1 2. —種移動式收發器，包括如申請專利範圍第8項之鎖 相迴路裝置。 1 3 .如申請專利範圍第9項之移動式收發器，其中該移動 式收發器係一全球行動通信系統（GS Μ )裝置。 1 4.如申請專利範圍第9項之移動式收發器，其中該移動 式收發器係一後第二代（post-2G)裝置。 1 5 . —種向鎖相迴路裝置提供充電調節的方法，其包含以 下步騾： 使用具有一預定轉換速率的一電流源電路向該鎖相 迴路裝置有選擇地提供充電電流；以及 使用具有一預定轉換速率的一電流吸收電路從該鎖 相迴路裝置有選擇地消耗充電電流， 其中該電流源電路的轉換速率與該電流吸收電路的 轉換速率具有一預定關係，使得該方法在該鎖相迴路 200303120 t謗專辦範屬續i 裝置上造成實質上沒有非線性電荷注入。 1 6 .如申請專利範圍第1 5項之方法，其中該電流源電路和 該電流吸收電路各自具有配置為經由其源極電極進行 切換的切換電晶體。 1 7.如申請專利範圍第1 5項之方法，其中該電流吸收電路 包括一正回饋配置。 1 8 .如申請專利範圍第1 5項之方法，其中該鎖相迴路裝置 係提供一蜂巢式收發器。 1 9 .如申請專利範圍第1 8項之方法，其中該蜂巢式收發器 係一全球行動通信系統（GSM )裝置。 20.如申請專利範圍第1 8項之方法，其中該蜂巢式收發器 係一後第二代（ρ 〇 s t - 2 G )裝置。