TW200302502A - Cathode ray tube - Google Patents

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200302502 五、發明說明（l) [發明所屬之技術領域] 本發明有關一種具有偏轉磁軛之陰極射線管，該偏轉 磁軛包括一圓形鐵芯與一矩形斷面之偏轉線圈，以改進降 極射線管之偏轉靈敏度。本發明尤其有關一種陰極射線农 管，其中具有矩形斷面之垂直偏轉線圈，以於繞捲位於 芯與固定座間的垂直偏轉線圈時，改進其引入能力；該固 定座隔離一水平偏轉線圈與該垂直偏轉線圈；且該垂= 轉線圈有一部份與該固定座分隔一預定間隙。 [先前技術] 圖1顯示一習用之陰極射線管。 射：ϊΐί 。該習用·陰極射線管包括-電子搶4用以發 子撞以產决亦ί光ίϊ1，其上設有榮光物質可與電 ,..、、、' ，一蔭罩2，可執行三道電子束的二 ΐίΪΓΛ C —rah—;及-偏轉磁輛3，可允 4電子束在螢光屏幕1的預定位置上偏轉。 尤^ ’該偏轉磁輛3包括一水平偏轉線圈31，可 陰極射線官内安裝的電子搶4發射的電子束 轉；一垂直偏轉線圈33，可將 扁 錐形鐵幻4，可使該水平偏= =方向偏轉；-生的磁力具有最小耗損，偏轉卿產 可將該垂直偏轉線圈33、水 \、， 固疋座32， 在預定位置，ϋ可隔離哕k亚偏轉、，泉圈31、及鐵芯34固定 33。 “ 7平偏轉線圈3 1與垂直偏轉線圈 此外，該偏轉磁㈣之頸部設一會聚系統^及一對環 200302502 五、發明說明（2) ，永久磁鐵36。該會聚系統35可補償偏轉磁軛及陰極射線 官因製造過程誤差所產生的發散（失聚）。 圖2顯示習用陰極射線管之組裝程序。 ^下 > 圖2簡單說明該陰極射線管。該水平偏轉線 圈係安裝在固定座32之内部，而該垂直偏轉線圈係安裝在 固定座3 2之外部。 羽接著’將鐵芯34繞設在垂直偏轉線圈33之外表面。 i ϊ t磁概3允許頻率至少為15.75kHz之電流流至該 其肉& Φ、"圈31，並利用該電流產生的磁場，將陰極射線 吕内的電子束朝水平方向偏轉。 此外，偏轉磁軛3亦允許頻率為60Ηζ之電流流至該垂 ί:=Γ。3 ’並利用該電流產生的磁場，將電子束朝垂 目前已發展一種自會聚型偏轉磁軛3，可利用水平偽 2線圈31及垂直偏轉線圈33產生的不均勻磁 =束補償屏幕上的會聚而不利用個別的額外電 亦即，藉由控制水平偏轉線圈3 1及垂直偏轉線 组分布’並在各區(開口區、中間區、及頸爲區轉：圈33之 同型或針墊型磁場，可有對應三道1乂成— :以影響電子束，因此，儘管各電= 間的距離各不相同，但是電子束可會聚在同—點上到達點 此外，若在使電流流至水平偏轉線圈31與垂 圈33以形成磁場的情況’由水平偏轉線圈”與垂直偏 第6頁 五、發明說明（3) 圈3 3形成的磁場強度 面。因此，須使用具有= = =到整個屏幕表 :上的耗損減至最小，藉此改進磁i效率=場迴授 斷面之偏轉線圈，及—矩 f轉磁軛包括一矩形 偏轉線圈，及一圓形鐵芯；’心。圖3b顯不-矩形斷面之 請參照圖3a及圖3b。去二、蓄Φ 2 = 二寺，根據佛萊明左手定則：：；每：區域 2 :並與偏轉線圈内表面和電子束間的距離三偏 如圖3a所不，由於包括矩形偏^ ^ ^ ^ = :偏轉線圈及該鐵芯的 电于釆所以了改進偏轉靈敏度。 直偏ΐ偏轉磁軛包括矩形斷面的水平偏轉線圈盘垂 =轉、，泉圈柃，電子束與偏轉線圈間的距離將比包括圓 :轉線圈之習用偏轉磁輛縮短m。結果，水平/ 夏偏轉靈敏度大幅改進2〇 —30%。 ” 價廉二卜’假設使用圖扑所示的矩形橫截面偏轉線圈33盥 成：之圓形鐵芯34，即有可能改進偏轉靈敏度並有效降低 圖4顯示如何繞捲矩形斷面之習用水平偏轉線圈， 4不如何繞捲矩形斷面之習用垂直偏轉線圈。 請參照圖4、5。水平偏轉線圈31與#直偏轉線圈^係 入並形成於上繞線模20與下繞線模21間的空間内。如圖 4所示，由於水平偏轉線圈31係繞捲在繞線模中心線4〇之° 200302502 五、發明說明（4) ~------ 較遠側，亦即，位於對角線4丨下方。因此 31必須從進口引入的距離很短。 …轉線圈 然而，如圖5所示，由於偏轉磁軛之性質，有相告大 數量的垂直偏轉線圈33係位於較接近繞線模中心線曰的位 置，亦即，位於對角線41下方。 、 因此，由於垂直偏轉線圈33必須從進口朝繞線模中心 線40引入，所以垂直偏轉線圈33在長距離的繞線過程 受到大磨擦力。 曰 此外，由於矩形斷面垂直偏轉線圈33之繞線模表 :角，”近處幾乎為垂直彎曲，所以垂直偏轉線圈33盘繞 ，^ ^面間的磨擦力，大於圓形斷面垂直偏轉線圈與 、、:^線模表面間的磨擦力。 y /沾Ξ ΐ產生一個問題，亦#，矩形斷面垂直偏轉線圈33 在繞線呀的引入能力不良。 為一橫斷面圖，顯示屏幕比為16:9之陰極射線管内 偏轉磁輕。 如圖6所示，若屏幕比為丨6 : 9而非4 : 3， 向長度，會大於屏幕比為4:3之陰極射線Λ =彳=水平向長度。因此’垂直偏轉線圈33之引入 [發明内容] 本發明之目的在於解決先前技術之上述問題及/或缺 系σ 0 因此，本發明目的之一係提供一種矩形斷面偏轉線圈

第8頁 200302502 五、發明說明（5) 以改進偏轉靈敏度，藉此增進偏轉線圈之產能，並有助於 偏轉線圈之製造。 本發明有關一種具有偏轉磁軛之陰極射線管，該偏 括一圓形鐵过與一矩形斷面偏轉線圈，用以增進 偏轉靈敏度。本發明尤其有關-種具有矩形i Π線圏之陰極射線管。該垂直偏轉線圈有-部份 改進；隔定間隙，以於繞捲垂直偏轉線圈時 該固定座間Γ以隔二一水=j，轉線圈係位於一鐵芯與 括-水平偏轉；；射；；1二轉：輛，該偏轉磁輕包 轉；-鐵芯，二Γ亥電子束朝垂直方向偏 磁力發生耗損，並=進:：ΐ線；1直偏轉線圈產生之 中1水平偏轉線圈與該垂定位置。其 鐵芯則為圓形斷面。 ，圈句為矩形斷面，該 面所取之斷面芯開… 4内表面之距離定義為Y，t才將δ亥固疋座外部至該鐵 圈内表面之距離定義^坐外部至該垂直偏轉線 準時的厚度定義為ζ /'則节固^ ^二偏轉線圈以該縱轴為 内表面以該縱轴為準距 卜=至該垂直偏轉線圈 本發明其他優點、合。<x<y-z之關係。 明陳述’有些部份則為對此類技：有！：：：將於以下說 ，叙技能之人士於審 200302502 五、發明說明（6) ΐ = 即可理解的。依照所附申請專利範圍中 [實:二出]’可貫現及獲得本發明各項目的與優點。 根據本發明之陰極射線管具有一偏 _ ^ ^ 軛包括一水平偏轉線圈，可將一電子搶發射磁 平方向偏#; 一垂直偏轉線圈，可將電子束朝重 ^: 磁力發生耗損，並改進磁效率；及一=轉線圈產生的 轉線圈、垂直偏轉線圈、及鐵芯固定於預=位：將：：偏 水平偏轉線圈與垂直偏轉線圈。其綠5離 ;直偏轉線圈均為矩形斷面，該鐵芯為圓轉^ 右以偏轉磁軛沿平行鐵芯開口端面 5守 軸為準固定座外部至鐵芯内表面之面之縱 5座外部至垂直偏轉線圈内表面之距離定 直偏轉線圈内矣而M h 4 A 、j 口疋座外部至垂 係。 内表面以遠縱軸為準之距離X符合0〈Χ<Υ-Ζ之關 例之明係參照附圖敛述根據本發明-較佳實施 圖7顯示根據本發明之陰 轉線圈與一圓形鐵芯之轉接狀態。上圖：祀攄；：：面偏 極射線"’偏轉線圈沿圖7中“3線2:::明之陰 如圖7、s私- L τ <和斷面圖。 軛，此偏轉磁軛包括一 ：：:射線管具有-偏轉磁 。括纟千偏轉線圈，可將-電子搶發射 第10頁 200302502 五、發明說明（7) 朝垂直ϊ ί::方：：ϋ:;垂直偏轉線圈，可將電子束 轉線圈產生的磁力發ί:損，】2平偏轉線圈與垂直偏 座，可將水平偏效率…固定 水平偏轉線圈與垂直偏轉線園始炎直偏轉線圈。其中，該 形斷面。同時，^ v 、句為矩形斷面，該鐵芯為圓 面所取斷面之縱軸為準，將固=二，心開口端面板之平 離定義為Y，固定座外部至 丄外。卩至鐵芯内表面之距 義為X，垂直偏鏟綠直偏轉線圈内表面之距離定 定座外部至圈在^ 合0<Χ<Υ_Ζ之關係。、 表面以5亥縱軸為準之距離X符 鐵芯34包括通常使用之 言，本發明有關之陰極射/立心及矩形鐵芯。詳細而 芯34與矩形垂直偏轉：=:，其偏轉磁輛係採用圓形鐵 如圖8戶斤示，# //Λ 軸上的固定座32偏轉磁軛之横斷面看來時，位於縱 位内：分隔一預=轉線圈33間，在…^ 表面：距離,定義；;轴,：’片字固定座32外部至鐵芯34内 表面之距離定義為X，=定座32外部至垂直偏轉線圈33内 以該縱軸為準時了從’力垂直偏轉線圈33之厚度定義為z。 面之距離X最好為〇攸固疋座3 2外部至垂直偏轉線圈3 3内表 會在製造過程中^以便改進偏轉靈敏度。然而，這經常 T w成一個問題。 200302502 五、發明說明（8) Γ二射線管中垂直偏轉線圈之繞捲。 與下二 x垂直偏一内表面間以以 得多。乂 ±直偏轉線圈33於引入時，要比習用技術中平緩 定間=以與垂直偏轉線關係分隔-預 =在對議近處幾乎垂直彎曲…斤7用技 線圈以入之進口處，逐漸減少其引入角引入…偏轉 所以ίί的在對角線41近處係溫和彎'曲， 入能力生的摩U減到攻小，因而改進垂直偏轉線圈的引 内表定座32外部至垂直偏轉線關 圖8所示 為車日守的距離χ，須符合〇〈χ〈η的關係，如 田固疋座32外部至垂直偏轉線圈33 時的距離X，其值從〇變成Υ-Ζ時，會產生另—門^轴為準 ，電子束位置距離垂直偏轉線圈33較^時更Λ 直偏轉靈敏度會劣化。 权延4 ’其垂 慮垂Κ轉ί 直偏轉線圈33的引入能力，必須考 圖1 〇之圖表顯示以本發明陰極射線管縱輛為準時，各 第12頁 200302502 五、發明說明（9) 固定座3 2外部至垂直偏轉線圈3 3内表面的距離X發生變化 時’垂直偏轉能量的惡化程度。 請參照圖10。假設垂直偏轉線圈33與固定座32在接觸 狀態’且垂直偏轉能量、電阻、及電流二次方分別為 1 0 0 %。那麼，當X之值從〇增為γ _ Z時，電阻、電流二次 方、及垂直偏轉能量全都增加。 亦即’當電阻與電流增加時，偏轉靈敏度變壞。 因此’為顧及垂直偏轉線圈之偏轉靈敏度與垂直偏轉 線圈之產能’ X / (γ — Z)最好小於〇. 7。 亦即，X/(Y-Z)最好符合〇<Χ/(Υ-Ζ)<〇· 7的關係。 右付合上述關係時，可使垂直偏轉線圈之產能最大化，同 時使偏轉靈敏度之劣化最小化。

此外 比為1 6 .· 9 摩擦力， 偏轉線圈 亦即 請參照圖 3 3直線部 轉線圈3 3 縱軸為準 至鐵芯3 4 0<Q<R ° 所示，由於製造垂直偏轉線圈時，屏幕 時所產生的摩擦力大於屏幕比為4 : 3時所產生的 所以，為顧及垂直偏轉線圈之偏轉靈敏度與垂直 之產能’Χ/(γ — Z)最好小於。 ，x/(Y-Z)最好符合0<χ/(γ_ζ)<〇8的關係。 。假设垂直偏轉線圈33開口端 起點間以縱軸Λ進眛沾扣私〃 玉直偏轉、，果蹈 開口 Μ Ϊ 離係定義為R，垂直偏 I 其上不再與固定座32有間隙& 點F1以 時的距離係定義_ 百’隙的點間以 開口端之間的距離定羞A 轉線圈3 3開口端 ⑽距離疋義為P，則Q值可表示如下： 以便改進垂直偏轉線 然而，Q最好符合P〈q<r之關係 200302502 五、發明說明（ίο) 圈33之垂直偏轉靈敏度與引入能力。 圖1 2顯示本發明陰極射線管之另一實施例。 請參照圖12。其中於形成垂直偏轉：圈⑶時，係使垂 =轉線圈33在對角線41下方處，與固定座32分隔一預定 間隙。 =實施例與圖8所示者不同，因為垂直偏轉線圈係在 對角線41下方處，與固定座32分隔—預 角線41上方引入時的角度減少，藉此進一步改Ϊ 垂直偏轉線圈之引入能力。 面』二:兒明可明顯看出’因為繞捲線圈時，繞線模表 =1擦力大於Κ形線圈’所以偏轉線圈之引入能力 =二ί解決這個問冑，本發明之陰極射線管使用矩形 轉線圈’使偏轉線圈與固定座分隔預定間隙，藉 ^丄 固 锎得1敏度與鬲產能，並改進其引入 能力。 =實施例與優點僅為舉例之用，並非用以限制本發 二=明揭示内容可隨時應用於其他類型之裝 月=僅供解說而非用以限制請求專利範圍。熟悉此類 χ理解本發明可有乡種其他選擇、修改與變 :。t發明申請專利範圍中’係採用手段加功能子句 :二執行所述功能時並涵蓋本說明書中說明之結構， 不僅涵盍結構同等品，並涵蓋各種同等結構。

200302502

圖式簡單說明 [圖式簡單說明] 圖式：：細說明，㊣中相同的參考標號 圖1為-局部橫齡圖气括： 圖2為-橫斷面^面圖’顯示一習用之陰極射線管； 圖3a為一習用θ ’顯不習用陰極射線管之組裝程序； 形斷面偏轉線，該偏轉磁輛包括-矩 3;b為&斷面圖，顯示—矩形斷面偏轉線圈與一圓形鐵 二捲；也'斷面圖，顯示一習用矩形斷面水平偏轉線圈之 =Ϊ:::用矩形斷面垂直偏轉線圈之繞捲； 偏轉磁^;面圖’顯示屏幕比為16:9之陰極射線管内的 •為彳只斷面圖，顯示根據本發明之险朽j+綠- 斷面圖广明陰極射線管中之偏轉線圈沿圖7中A-Λ，線之橫 =9顯示本發明陰極射線管 圖10之圖表顯示，當本 直偏轉線圈之繞捲； 座外矣c r丄 知明陰極射線官之縱軸上，你田〜 偏ϋ ΐ 直偏轉線圈内表面的距離X改變時1 +疋 偏轉能的惡化程度； <又又吩，其垂直 中之偏轉磁輛於電子搶轴㈣ 欠釉向構成千面上的橫斷面圖；以及 干丨I、 第15頁 200302502 圖式簡單說明 圖1 2顯示本發明陰極射線管之另一實施例 [元件符號對應表] 1螢光屏幕 2蔭罩 2 0上繞線模 2 1下繞線模 3偏轉磁軛 3 1水平偏轉線圈 32固定座 3 3垂直偏轉線圈 3 4鐵芯 35會聚系統 3 6環形永久磁鐵 4電子槍 4 0繞線模中心線 41對角線

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Claims (1)

1. 200302502 六、申請專利範圍 1 · 一種具有偏轉磁軛之陰極射線管，其包括· 一水平偏轉線圈，可將一電子搶 方向偏轉； w <逼子束朝水平 一垂直偏轉線圈’可將電子束朝垂直 -鐵芯，可防止該水平偏轉線圈與 =圈 力發生耗損，並改進磁效率n 烏轉線圈產生之磁 一固定座，可將該水平偏轉線圈、 固定於預定位置，並在該水平偏轉線鐘2芯 形成絕緣； 矛&固垂直偏轉線圈間 其中，該水平偏轉線圈與垂直偏轉線 該鐵芯為圓形斷面；以及 马矩形畊面，而 =固定座外部至該垂直偏轉線圈内表面以 離，符合0<X<Y_Z的關係，其中 1為丰叶的距 f、開口鳊面板之平面所取斷面的縱 定座外部至該鐵芯内表面之距離，x為該旱—日寸1為该固 垂直偏轉線圈内表面之距離，而z為詨^吉^坐外部至该 縱軸為準時的厚度。 Μ Η 爲轉線圈以該 2 ·如申請專利範圍第J項之陰極射線管， 匕之斷面上，Χ/(Υ-Ζ)符合。〈Χ/(Υ-Ζ)<〇·7 的： 縱軸為準時，γ為嗲固定亦冰却/面板之+面所取斷面的 J该固定座外部至該垂直偏轉線圈内表面之距離之距二^ Μ垂直偏轉線圈以該縱軸為準時的厚度。 - 3·如申請專利範圍第2項之陰極射線管，#中，當屏幕比

   第17頁 200302502 六、申請專利範圍 為1 6 : 9時，力分伯& ' 〇<Χ/(Υ-η ~ $轉磁輕之斷面上，Χ/(Υ〜Ζ)，人 (υ ζ)<〇· 8的關係，i )付合 芯開口端面柘夕巫品4 ，、中 亥偏轉磁軛沿平耔兮舛 座外部至节C取斷面的縱軸為準0寺， 直偏轉線圈内表面之距心展外部至該垂 軸為準時的厚度。 為以垂直偏轉線圈以該縱 轉H月專利範圍第1項之陰極射線管’复中兮 轉、、泉圈開口端至其上不再與該 二中，该垂直偏 距離符合以下關係： 〜人 “ a隙的一點間，其 〇<Q<R 其中’若以該偏轉磁軛沿 平面所取之縱斷面為準時，R子二向亩 = ，偏轉線圈直線部份起始V二直二^ 轉線圈開口端至其上不再與 Q為该垂直偏 離。 丛有間隙的一點間的距 5千如申請專利範圍第3或第4項之陰極射線管" +門，轉線圈開口端至其上不再與該固定座間、的邊 間，其距離符合以下關係： 啕门隙的一點 P<Q<R 其中，若以該偏轉磁軛之縱斷面為準 線圈開Π端至該垂直偏轉線圈直線份為直偏轉 ==離，p為該垂直偏轉線圈開口端至該鐵二 200302502 六、申請專利範圍 6. -種具有偏轉磁軛之陰極射線 一水平偏轉線圈，可將一 ，、匕括. 方向偏轉； 知發射之電子束朝水平 一垂直偏轉線圈，可將電子 一鐵芯，可防止該水平偏棘ΐ朝垂直方向偏轉； 之磁六狢决鉍浐 * 轉線圈與垂直偏轉線圈產生 、磁力發生耗扣，並改進磁效率；以及 固座生 、一固定座，可將該水平偏轉線圈、垂直 鐵芯固定於預定位置，並在該水平偏古 及 圈間形成絕緣； +偏轉線®與垂直偏轉線 其中’该水平偏轉線圈與垂直偏轉線圈均為矩形斷 面，而該鐵芯為圓形斷面；以及，在該偏轉磁軛沿平行爷 鐵芯開口端面板之平面所取之斷面上，該垂直偏 Λ 該斷面之對角線上方處，於垂直方向上與該鐵芯彼此分隔 一預定距離，並在該對角線下方處，於水平方向上與該固 定座分隔一預定間隙。

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