[go: up one dir, main page]

SU834486A1 - Method of detecting surface flaws in electroconductive articles - Google Patents

Method of detecting surface flaws in electroconductive articles Download PDF

Info

Publication number
SU834486A1
SU834486A1 SU792831474A SU2831474A SU834486A1 SU 834486 A1 SU834486 A1 SU 834486A1 SU 792831474 A SU792831474 A SU 792831474A SU 2831474 A SU2831474 A SU 2831474A SU 834486 A1 SU834486 A1 SU 834486A1
Authority
SU
USSR - Soviet Union
Prior art keywords
frequency
depth
defect
temperature
electromagnetic field
Prior art date
Application number
SU792831474A
Other languages
Russian (ru)
Inventor
Владимир Александрович Дятлов
Original Assignee
Dyatlov Vladimir A
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Dyatlov Vladimir A filed Critical Dyatlov Vladimir A
Priority to SU792831474A priority Critical patent/SU834486A1/en
Application granted granted Critical
Publication of SU834486A1 publication Critical patent/SU834486A1/en

Links

Landscapes

  • Investigating Or Analyzing Materials Using Thermal Means (AREA)

Description

(54) СПОСОБ ОБНАРУЖЕНИЯ ПОВЕРХНОСТНЫХ(54) METHOD FOR DETECTING SURFACE

Claims (2)

ДЕФЕКТОВ В ЭЛЕКТРОПРОВОДНЫХ ИЗДЕЛИЯХ температуры поверхности издели  в области дефекта не начнет уменьшатьс « по значению частоты электромагнитного пол , при которой наблюдаетс  уменьшение перепада температур суд т о глубине расположени  поверхностног дефекта.. Соотношени  между частотами элект ромагнитного пол  и глубиной проникновени  электромагнитного пол  в И37 делие определ ют по известным формулам . При-этом глубина расположени  -поверхностного дефекта сравнима с глубиной проникновени  электромагнит ного пол  в изделие при совпадении частоты электромагнитного пол  с час тотой, при которой наблюдаетс  умень шение перепада температур в области дефекта. v(.l°2Lf; ., где Vj - частота, обеспечивающа  минимапьное проникновение электромагнитного пол  в изделие; а - допустима  глубина некритического поверхностного дефекта; К - коэффициент материала издели , учитывающий электричес кие и магнитные свойства материала издели ; h - глубина расположени  поверх ностного дефекта или трещины; V- - частота, при которой уменьшаетс  .перепад температуры . Пример . Провод т контроль ал миниевых изделий в виде пластин размерами 10x20x100 мм, имеющих трещины на поверхности с наибольшей площадь Регистрацию температуры поверхности пластин осуществл ют известным спосо бом с помощью радиометра. Нагрев токами высокой частоты осуществл ют с помощью индуктора с источником энергии в виде лампового генератора. Тем пе| атура нагрева не превышает температуру окружающей среды более, чем на . Регистрируют температуру поверхности пластины, на которой имеетс  поверхностна  трещина. Затем нагрева ют эту поверхность токами высокой частоты при частоте V , которую , выбирают по приведенной уже формуле, принима  допустимую глубину трещины а и учитыва , что дл  алюмини  К составл ет 1,7810 , Затем повторно регистрируют температуру той же нагреваемой поверхности пластины. Определ ют разность измеренных температур поверхности и по наличию перепада температур в области трещины определ ют ее месторасполржение . Затем непрерывно измер ют величину перепада температур в области трещины и одновременно уменьшают частоту электромагнитного пол  до тех. пор, пока измер екый перепад температур не начинает уменьшаетс . Частота Vg , при которой Наблюдаетс  уменьшение перепада температур , составл ет 1,25 . По значению этой частоты с помощью при- веденной формулы определена глубина расположени  трещины h (0,08 см). При разрушающих испытани х партии таких пластин в количестве 6 шт..(пут .ем последовательного шлифовани  и наблюдени  поверхности в микроскоп) установлено достаточно хорошее совпадение резул ьтатов. измерений глубины, трещин (расхождение не.более 20% полученных результатов при разрушающих испытани х и по предлагаемому способу ) . При использовании известного . способа погрешность превышает 30%. Предлагаемый способ обеспечивает повышение точности определени  глубины расположени  поверхностных дефектов , что позвол ет своевременно обнаружить критические дефекты и тем самым увеличить надежность изделий. Формула изобретени  Способ обнаружени  поверхностных дефектов в электропроводных издели х, заключающийс  в регистрации темпера-, турной поверхности контролируемого издели ,нагреве поверхности издели  токами выcoкQй частоты повторной регистрации температуры той же.нагреваемой поверхности и определении разности измеренных температур поверхности , отличающи йс  тем, что, с целью повышени  точности определени  глубины расположени  поверхностных дефектов, поверхность изделий нагревают токами высокой частоты при частоте электромагнитного пол , обеспечивающей минимальное проникновение электромагнитного пол  в изделие, сравнимо.е с допустимой .глубиной некритического поверхност нЪго дефекта,по наличию перепада температур в области дефекта определ ют местоположение дефекта, затем неп- / рерывно измер ют величину перепада температуры в области дефекта и одновременно уменьшают частоту электромагнитного пол  до тех пор, пока измер емый перепад температуры повед)ности издели  в области дефекта не начнет уменьшатьс , и по значению частоты электромагнитного пол , при которой наблюдаетс  уменьшение перепада температуры, суд т о глубине расположени  поверхностных цефек- ; тов.DEFECTS IN ELECTRIC WIRE PRODUCTS The surface temperature of the product in the area of the defect does not begin to decrease by the frequency of the electromagnetic field, at which a decrease in the temperature difference is judged on the depth of the surface defect. yut by known formulas. At the same time, the depth of the location of the surface defect is comparable to the penetration depth of the electromagnetic field into the product when the frequency of the electromagnetic field coincides with the frequency at which a decrease in the temperature difference in the defect area is observed. v (.l ° 2Lf;., where Vj is the frequency that minimizes the penetration of the electromagnetic field into the product; a is the depth of a non-critical surface defect; K is the material material factor taking into account the electrical and magnetic properties of the product material; h is the depth defect or crack; V- is the frequency at which the temperature drop decreases. Example: Alumium products in the form of plates measuring 10x20x100 mm with cracks on the surface with the largest area are monitored. The wafer surfaces are carried out in a known manner using a radiometer. High-frequency heating is performed using an inductor with an energy source in the form of a lamp generator. The heating temperature does not exceed the ambient temperature by more than. There is a surface crack. Then this surface is heated by high-frequency currents at frequency V, which is chosen according to the above formula, taking the allowable depth of the crack a and taking into account that for aluminum or K is 1.7810, then re-register the temperature of the heated surface of the same plate. The difference between the measured surface temperatures is determined, and its location is determined by the presence of a temperature difference in the crack area. Then, the value of the temperature difference in the crack area is continuously measured and at the same time the frequency of the electromagnetic field is reduced to those. as long as the measured temperature difference does not begin to decrease. The frequency Vg at which a decrease in the temperature difference is observed is 1.25. The value of this frequency is used to determine the depth of the crack h (0.08 cm) using the formula given. With the destructive testing of a batch of such plates in the amount of 6 pcs. (By successive grinding and surface observation with a microscope), a fairly good agreement of the results was established. depth measurements, cracks (discrepancy no more than 20% of the results obtained during destructive testing and the proposed method). When using the famous. The way the error exceeds 30%. The proposed method provides an increase in the accuracy of determining the depth of the location of surface defects, which makes it possible to timely detect critical defects and thereby increase the reliability of products. Claims The method of detecting surface defects in electrically conductive products consists in registering the temperature of the controlled product, heating the surface of the product with currents of the highest frequency of re-recording the temperature of the same heated surface and determining the difference in measured surface temperatures that In order to improve the accuracy of determining the depth of the surface defects, the surface of the products is heated by high-frequency currents at an electromagnetic frequency. field, which ensures minimum penetration of the electromagnetic field into the product, is comparable to the permissible depth of the noncritical surface of the defect, the location of the defect is determined by the presence of temperature difference in the defect area, then the temperature difference in the defect area is measured reduce the frequency of the electromagnetic field until the measured temperature difference of the behavior of the product in the area of the defect begins to decrease, and according to the frequency of the electromagnetic field, when where a decrease in the temperature drop is observed, the depth of the surface tsepek- is judged; Comrade Источники информации, прин тые во внимание при экспертизеSources of information taken into account in the examination .1. Неразрущающий контроль элементов и узлов радиоэлектроиной аппаратуры . Под.ред. Б.Е.Бердичевского. М., Советсткое радио , 1976, с. 128..one. Non-destructive control of elements and units of radio-electronic equipment. Ed. B.E. Berdichevsky. M., Soviet Radio, 1976, p. 128 2. Патент США W 4109508, кл. G 01 N 25/72, 1978 (прототип).2. US patent W 4109508, cl. G 01 N 25/72, 1978 (prototype).
SU792831474A 1979-10-19 1979-10-19 Method of detecting surface flaws in electroconductive articles SU834486A1 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU792831474A SU834486A1 (en) 1979-10-19 1979-10-19 Method of detecting surface flaws in electroconductive articles

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU792831474A SU834486A1 (en) 1979-10-19 1979-10-19 Method of detecting surface flaws in electroconductive articles

Publications (1)

Publication Number Publication Date
SU834486A1 true SU834486A1 (en) 1981-05-30

Family

ID=20855671

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
SU792831474A SU834486A1 (en) 1979-10-19 1979-10-19 Method of detecting surface flaws in electroconductive articles

Country Status (1)

Country Link
SU (1) SU834486A1 (en)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5069005A (en) * 1989-01-10 1991-12-03 Elkem Technology A/S Method of flaw detection in billets
RU2531052C1 (en) * 2013-07-12 2014-10-20 Открытое акционерное общество "Обнинское научно-производственное предприятие "Технология" Method of thermal tests of ceramic fairings of rockets
RU2534362C1 (en) * 2013-07-15 2014-11-27 Открытое акционерное общество "Обнинское научно-производственное предприятие "Технология" Method of thermal loading of aircraft structures made from nonmetallic materials

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5069005A (en) * 1989-01-10 1991-12-03 Elkem Technology A/S Method of flaw detection in billets
RU2531052C1 (en) * 2013-07-12 2014-10-20 Открытое акционерное общество "Обнинское научно-производственное предприятие "Технология" Method of thermal tests of ceramic fairings of rockets
RU2534362C1 (en) * 2013-07-15 2014-11-27 Открытое акционерное общество "Обнинское научно-производственное предприятие "Технология" Method of thermal loading of aircraft structures made from nonmetallic materials

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2702807B2 (en) Method and apparatus for measuring deep impurity level in semiconductor
US6377039B1 (en) Method for characterizing coating and substrates
US20150160144A1 (en) Internal material condition monitoring for control
Espina-Hernández et al. Rapid estimation of artificial near-side crack dimensions in aluminium using a GMR-based eddy current sensor
JP2018506038A (en) Spectroscopic material analysis using multi-frequency inductive sensing
JPS6166975A (en) Device for measuring electrical property of substance
SU834486A1 (en) Method of detecting surface flaws in electroconductive articles
CN110531226B (en) Method and apparatus for inspecting insulating substrate
US7830140B2 (en) Eddy current system and method for estimating material properties of parts
RU2439541C1 (en) Method for determination of conductivity and thickness of semiconductor layers
CN111983319B (en) Metal material microwave surface resistivity high-temperature testing device and testing method
US20060056488A1 (en) Method and apparatus for measuring temperature with the use of an inductive sensor
Nguyen et al. Study for the non-contact characterization of metallization ageing of power electronic semiconductor devices using the eddy current technique
TWI297904B (en)
Olszewska-Placha et al. Contactless device for 2D imaging and precise characterisation of electrical parameters of anode materials for battery cells
SU1056027A1 (en) Method of locating flaws in material
He et al. A contactless method to measure the electrical conductivity
CN108226099B (en) Terahertz nondestructive testing device for resistivity of silicon wafer and application method thereof
CN121324740A (en) Wafer bonding interface resistivity monitoring device
RU2555493C1 (en) Method of determination of metal and air inclusions in polymer products
Zhai et al. High-sensitivity internal crack detection antenna sensor based on metamaterial
CA2168556C (en) Detecting flaws in a carbon anode
RU2738432C1 (en) Method for thermal loading of aircraft structural elements
Yilmaz et al. Dielectric properties of aged polyester films
SU890204A1 (en) Dielectric material part thermal flaw detection method