SU594904A3 - Тиристор - Google Patents

Claims (2)

1. ного тиристора в главном тиристоре с внутренним усилением зажигани . На фиг. 1 показан предлагаемый тиристор, разрез; на фиг. 2 - полупроводниковый элемент, первый вариант выполнени ; на фиг. 3 - то же, второй вариант выполнени . Полупроводниковый элемент имеет четыре области, из которых область 1 образует первую эмиттерную область, область 2 - первую базовую область, область 3 - вторую базовую область и область 4 - вторую эмиттерную область . Перва  эмиттерна  область 1 снабжена электродом 6, а втора  эмит терна  область 4 - электродом 5. Пер ва  базова  область 2 имеет управл ющий электрод 7. Между управл ющим электродом 7 и первой эмиттерной областью 1 расположен на левой стороне нагрузочный сегмент 8, Нагрузочный сегмент 8 частично закрывает управл ющий электрод. Как только на управл ющий электрод 7 подаетс  ток, он направл етс  по пути, обозначенному стрелой, к первой эмиттерной зоне 1, На сторюне окруженной нагрузочным сегментом 8, управл ющий ток, поступа  с управл ющего электрода 7, должен пройти под нагрузочным сегментом 8. Такой путь однако создает высокое сопротивление дл  управл ющего тока, что объ сн етс  уменьшением легировани  в зависимости от глубины в первой области базы 2. Поэтому ток концентрируетс  в основном на выемке 9 в нагрузочном сегменте 8 (через которую он может в основном идти по поверхности первой базовой области на правую сторону первой эмиттерной области 1). Это вызывает повьшение плотности управл ющего тока на противолежащей выем ке части р-п перехода, расположенно го между первой эмиттерной областью и базовой областью 2. Поэтому проце зажигани  может быть там на сравните но большой поверхности, следователь но тиристор испытывает соответствен но меньшие нагрузки от нагрузочного тока, проход щего в этой зоне. Длин выемки 9 нагрузочного сегмента 8 оп редел етс  требовани ми к зажигани  и имеющимс  током зажигайи  (см.фиг.2). В зависимости от тип тиристора, например в зависимости от легировани , существует различный оптимум. Он может быть в пределах от 1 до 10 , Ширина нагрузочного сегмента 8 может составл ть, напри . мер, 0,5 ЮМ глубина - соответствовать глубине первой базовой области 2 той же проводимости. Нагрузочный сегмент 8 может изготавливатьс  одновременно с первой эмиттерной областью 1, например, путем диффузии . Наличие рассто ни  между управл ющим электродом 7 и нагрузочным сегментом 8 необ зательно.. Управл ющий электрод и нагрузочный сегмент могут перекрыватьс  также на внутренней стороне нагрузочного сегмента Ь (см.фиг.3). С увеличением зоны включени  сокращаетс  врем  запаздывани  зажигани  за счет повышени  плотности тока. Это имеет, например, определенное значение при параллельном включении нескольких тиристоров, когда желательно иметь по возможности одинаковое врем  запаздывани  зажигани . При уменьшении времени запаздывани  зажигани  становитс  более незначительной абсолютна  область рассе ни . Тиристоры описанного вида можно использовать также и в качестве вспомогательных тиристоров в главных тиристорах с усилением зажигани , когда необходимо обеспечить, чтобы вспомогательный тиристор зажигалс  перед главным тиристором. Это достигаетс  путем повышени  удельной плотности тока зажигани  дл  вспомогательного тиристора. Это повышение удельной плотности тока згикигани  можно создать выбором соответствукхцего размера выемки. Благодар  этому становитс  возможным создавать необходимую плотность тока зажигани  вспомогательного тиристора без учета геометрии и размеров эмиттерных р-п-переходов . Формула изобретени  Тиристор с полупроводниковым элементйм , содержащий по меньшей мере, четыре зоны чередующегос  типа проводимости и три электрода, причем управл ющий электрод присоединен к базовой зоне, а нагрузочный сегмент с типом проводимости, противоположным базовой зоне, расположен между змиттерным и управл ющим электродом , отличающийс  тем, что, с целью увеличени  площади захмгани , управл ющий электрод перекрывает нагрузочный сегмент с внутренней стороны. Источники информации, прин тые йо внимание при экспертизе: 1.Выложенна  за вка ФРГ кл. 21 д 11/2 2109508, 1971.
2. 2.Патент ФРГ кл. 21 д 11/02 №1933587, 1969.

   „.. .1.1..,. JLj

   1 . г у (uO(

   г

   фи«.2