SU439099A3 - METHOD OF OBTAINING PHOTO CONDUCTING MATERIAL - Google Patents
METHOD OF OBTAINING PHOTO CONDUCTING MATERIALInfo
- Publication number
- SU439099A3 SU439099A3 SU1450135A SU1450135A SU439099A3 SU 439099 A3 SU439099 A3 SU 439099A3 SU 1450135 A SU1450135 A SU 1450135A SU 1450135 A SU1450135 A SU 1450135A SU 439099 A3 SU439099 A3 SU 439099A3
- Authority
- SU
- USSR - Soviet Union
- Prior art keywords
- selenium alloy
- selenium
- resin
- weight
- paragraphs
- Prior art date
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims 9
- 239000004020 conductor Substances 0.000 title description 2
- BUGBHKTXTAQXES-UHFFFAOYSA-N Selenium Chemical class [Se] BUGBHKTXTAQXES-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 24
- 229910001370 Se alloy Inorganic materials 0.000 claims description 18
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims description 16
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims description 16
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims description 16
- 238000000137 annealing Methods 0.000 claims description 9
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 9
- 229920001971 elastomer Polymers 0.000 claims description 7
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 7
- 239000005060 rubber Substances 0.000 claims description 6
- 206010034972 Photosensitivity reaction Diseases 0.000 claims description 5
- 230000036211 photosensitivity Effects 0.000 claims description 5
- 230000009477 glass transition Effects 0.000 claims description 3
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 3
- 229910052787 antimony Inorganic materials 0.000 claims description 2
- WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N antimony atom Chemical compound [Sb] WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910052797 bismuth Inorganic materials 0.000 claims description 2
- JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N bismuth atom Chemical compound [Bi] JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910052714 tellurium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- PORWMNRCUJJQNO-UHFFFAOYSA-N tellurium atom Chemical compound [Te] PORWMNRCUJJQNO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims 1
- 229910052711 selenium Inorganic materials 0.000 description 8
- 239000011669 selenium Substances 0.000 description 8
- YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N Toluene Chemical compound CC1=CC=CC=C1 YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 241000699666 Mus <mouse, genus> Species 0.000 description 5
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 4
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 4
- 229920002292 Nylon 6 Polymers 0.000 description 3
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 3
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 3
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 3
- 239000011888 foil Substances 0.000 description 3
- -1 polypropylene Polymers 0.000 description 3
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 3
- 229910001369 Brass Inorganic materials 0.000 description 2
- 244000043261 Hevea brasiliensis Species 0.000 description 2
- 241000699670 Mus sp. Species 0.000 description 2
- 239000004743 Polypropylene Substances 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000010951 brass Substances 0.000 description 2
- PNDPGZBMCMUPRI-UHFFFAOYSA-N iodine Chemical compound II PNDPGZBMCMUPRI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 229920003052 natural elastomer Polymers 0.000 description 2
- 229920001194 natural rubber Polymers 0.000 description 2
- 229920000058 polyacrylate Polymers 0.000 description 2
- 229920000570 polyether Polymers 0.000 description 2
- 229920001155 polypropylene Polymers 0.000 description 2
- KXGFMDJXCMQABM-UHFFFAOYSA-N 2-methoxy-6-methylphenol Chemical compound [CH]OC1=CC=CC([CH])=C1O KXGFMDJXCMQABM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N Chlorine atom Chemical compound [Cl] ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000001856 Ethyl cellulose Substances 0.000 description 1
- ZZSNKZQZMQGXPY-UHFFFAOYSA-N Ethyl cellulose Chemical compound CCOCC1OC(OC)C(OCC)C(OCC)C1OC1C(O)C(O)C(OC)C(CO)O1 ZZSNKZQZMQGXPY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ISWSIDIOOBJBQZ-UHFFFAOYSA-N Phenol Chemical compound OC1=CC=CC=C1 ISWSIDIOOBJBQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004698 Polyethylene Substances 0.000 description 1
- 239000004721 Polyphenylene oxide Substances 0.000 description 1
- 239000004793 Polystyrene Substances 0.000 description 1
- NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N Sulfur Chemical compound [S] NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 1
- 229910052785 arsenic Inorganic materials 0.000 description 1
- RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N arsenic atom Chemical compound [As] RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 229910052801 chlorine Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000460 chlorine Substances 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 239000000806 elastomer Substances 0.000 description 1
- 229920001249 ethyl cellulose Polymers 0.000 description 1
- 235000019325 ethyl cellulose Nutrition 0.000 description 1
- 238000000855 fermentation Methods 0.000 description 1
- 230000004151 fermentation Effects 0.000 description 1
- 239000006260 foam Substances 0.000 description 1
- 230000004927 fusion Effects 0.000 description 1
- 229920002681 hypalon Polymers 0.000 description 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 1
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 1
- 229920001568 phenolic resin Polymers 0.000 description 1
- 239000005011 phenolic resin Substances 0.000 description 1
- 229920000573 polyethylene Polymers 0.000 description 1
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 1
- 229920000193 polymethacrylate Polymers 0.000 description 1
- 229920000098 polyolefin Polymers 0.000 description 1
- 229920002223 polystyrene Polymers 0.000 description 1
- 229920002050 silicone resin Polymers 0.000 description 1
- 229910052717 sulfur Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011593 sulfur Substances 0.000 description 1
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03G—ELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
- G03G5/00—Recording members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat, to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
- G03G5/02—Charge-receiving layers
- G03G5/04—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor
- G03G5/08—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being inorganic
- G03G5/087—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being inorganic and being incorporated in an organic bonding material
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03G—ELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
- G03G5/00—Recording members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat, to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
- G03G5/02—Charge-receiving layers
- G03G5/04—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor
- G03G5/08—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being inorganic
- G03G5/082—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being inorganic and not being incorporated in a bonding material, e.g. vacuum deposited
- G03G5/08207—Selenium-based
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Photoreceptors In Electrophotography (AREA)
- Light Receiving Elements (AREA)
Description
1one
Изобретение относитс к способу получени фотопровод щего материала дл электрофотографии .This invention relates to a method for producing photoconductive electrophotographic material.
Известен способ получени фотопровод щего материала нанесением на подложку смеси, содержапдей в основном размельченный селеновый сплав с незначительным количеством электроизол ционной смолы, с последующей сушкой.A known method for producing a photoconductive material is deposited on a substrate with a mixture containing mainly crushed selenium alloy with a small amount of an electrically insulating resin, followed by drying.
Однако при высоком содержании смолы в материале снижаетс его фоточувствительность , а при увеличении количества селена слои станов тс хрупкими и непригодными дл применени с гибкими или подвижными подложками в высокоскоростных машинах.However, with a high content of resin in the material, its photosensitivity decreases, and with an increase in the amount of selenium, the layers become brittle and unsuitable for use with flexible or moving substrates in high-speed machines.
Цель изобретени - увеличение гибкости материала ири сохранении его высокой фоточувствительности - достигаетс тем, что фотопровод щий материал отжигают при температуре стекловани селенового силава или более высокой, нредпочтительно при 40-185°С.The purpose of the invention is to increase the flexibility of the material and to preserve its high photosensitivity, which is achieved by the fact that the photoconductive material is annealed at the glass transition temperature of selenium silive or higher, preferably at 40-185 ° C.
В качестве селенового сплава можно примен ть сплав селена с мышь ком, серой, висмутом , сурьмой, теллуром или CMecbio с одним из них или несколькими сразу.As a selenium alloy, you can use an alloy of selenium with a mouse, sulfur, bismuth, antimony, tellurium or CMecbio with one of them or several at once.
Обычно используют селеновый сплав, содержащий 0,5-50% мышь ка.Usually, selenium alloy containing 0.5–50% mouse is used.
Размер частиц селенового сплава чаще всего составл ет 1-10 мк.The particle size of the selenium alloy is most often 1-10 microns.
Например, типичный снлав содержит 88,3%For example, a typical snlav contains 88.3%
частиц размером 10 мк, 8,5% размером 10- 20 мк, 2,9% размером 20-30 мк н 0,3% размером 40-50 мк. В качестве электроизол ционной смолыparticles with a size of 10 microns, 8.5% with a size of 10-20 microns, 2.9% with a size of 20-30 microns n 0.3% with a size of 40-50 microns. As an electrically insulating resin
предпочтительно используют хлорированный каучук, например хлорированный натуральный каучук «Perlon, изотактическнй полипропилен «Perlon Р, полиэтилен «Hypalon, а также полистирол, полиэфиры, простые эфпры фенола, кремнийорганические смолы, полиакрилаты и полиметакрилаты, этилцеллюлозу , иитроцеллюлозу, виниловые полимеры, эпоксидные смолы и их смеси, хлорировапныс полиолефины, натуральные каучуки или нолиолефины с добавкой значительных количеств хлора (до 65% и более) дл модификации эластомера.Chlorinated rubber is preferably used, for example, Perlon P natural chlorinated natural rubber, Perlon P isotactic polypropylene, Hypalon polyethylene, as well as polystyrene, polyethers, phenol efpry, silicone resins, polyacrylates, ethyl cellulose, polypropylene, polyether, polymers, polyacrylates and polymethacrylates; blends, chlorinated polyolefins, natural rubbers or niolefins with the addition of significant amounts of chlorine (up to 65% or more) to modify the elastomer.
Чаще всего дл получени фотопровод щего материала используют смесь, содержащу оMost often, to obtain a photoconductive material, a mixture containing about
60-97 вес. %, предпочтительно 90-95 вес. %, селенового сплава, и 3-40 вес. %, предпочтительно 5-10 вес. % смолы.60-97 weight. %, preferably 90-95 weight. %, selenium alloy, and 3-40 weight. %, preferably 5-10 weight. % resin.
После сушки до отжига фотопровод щпе частицы в основном равномерно диснергированы в электроизол циопион смоле, полностью или частично (до 40% пустот) окружающей отдельные фотопровод щие частицы. Во врем отжига при температуре етекловани ееленового сплава или более высокой ироисходитAfter drying before annealing, the photo conductor of the particle is mostly uniformly spun in electrically insulated cyopion resin, fully or partially (up to 40% of voids) surrounding the individual photoconductive particles. During annealing at the fermentation temperature of the green alloy or higher, it occurs
расплав.пенне, слипание частип и образованиеmelt foam, sticking together and formation
непрерывной решетки стекловидного селенового сплава, содержащей дискретные частицы или участки смолы, произвольно диспергированной но фотонровод щей матрице.a continuous lattice of vitreous selenium alloy containing discrete particles or portions of the resin, arbitrarily dispersed but photonically conductive matrix.
Кроме того, при плавлении фотопровод щие частицы заполн ют пустоты. Смола накапливаетс па участках размером до 5 мк, окруженных сплошной стекловидной структурой селенового сплава, и наблюдаетс в виде отдельных островков пли изолированных частиц или сеток, частично или полпостью окружающих участки фотопровод щей матрицы.In addition, during melting, the photoconductive particles fill the voids. The resin accumulates in areas of up to 5 microns, surrounded by the continuous vitreous structure of the selenium alloy, and is observed as separate islands or isolated particles or nets, partially or halfway around the surrounding areas of the photoconductive matrix.
Обычпо отжиг провод т в интервале от 30 мин до нескольких часов.Usually, annealing is carried out in the range from 30 minutes to several hours.
На фиг. 1 приведен диапазоп температур стекловани сплавов селена с мыщь ком. При содержании мышь ка О-40 вес. % она составл ет 40-185°С.FIG. Figure 1 shows the range of glass transition temperatures for selenium alloys with a mouse. When the content of the mouse ka-40 weight. % it is 40-185 ° C.
Пример 1. Стекловидный сплав, содержащий (в вес.%): 17 мышь ка, 82,9 селена и 0,1 йода, измельчают в микромельннце в течение 15 мин, просеивают через сито 325 мещ и получают порошок, 89% частиц которого имеют размер менее 10 мк. 95 г просе нного порощка смешивают с 50 г 10%-ного раствора хлорированного каучука в толуоле, нанос т на латунную фольгу толщиной 0,1 мм, получа после окончательной сушки покрытие толщиной 20 мк. Покрытую фольгу в виде пластины сущат 30 мин при 50°С, обжигают 1 час при 165°С, устанавливают на алюминиевом барабане ксероконировальной мащины «Xerox 813 Office Copier иполучают ксерокопию обычпым способом. В аналогичных услови х светочувствительность ксерокопии в 2,5 раза больше , чем у ксерокопии, полученной при использовании стекловидного селена, остаточный потепциал равен нулю, эластичность пластины высока .Example 1. A vitreous alloy containing (in wt.%): 17 mice, 82.9 selenium and 0.1 iodine, crushed in a micromelnate for 15 minutes, sieved through a sieve 325 mesh and get powder, 89% of the particles of which have size less than 10 microns 95 g of the sifted powder is mixed with 50 g of a 10% aqueous solution of chlorinated rubber in toluene, applied to a brass foil 0.1 mm thick, to obtain, after final drying, a coating 20 microns thick. The coated foil in the form of a plate is created for 30 minutes at 50 ° C, burned for 1 hour at 165 ° C, mounted on an aluminum drum of a Xerox 813 Office Copier xeroconvering mask and obtained a photocopy in the usual way. Under similar conditions, the photosensitivity of the photocopy is 2.5 times greater than that of the photocopy obtained using vitreous selenium, the residual surface is zero, the elasticity of the plate is high.
На фиг. 2 изображен микрошлиф полученной пластины с 5000-кратным увеличением под электронным микросконом до отжига. Структура состоит из 95 вес. ч. фотонровод щих стекловидных частиц сплава (27% мышь ка и 73% селена) - темные п тна, смешанных с 5 вес. ч. хлорированного каучука «Perlon - более светлые или серые н тна.FIG. 2 shows the microsection of the obtained plate with a 5000-fold increase under the electron microscopic before annealing. The structure consists of 95 wt. including photoconductive vitreous particles of the alloy (27% of arsenic and 73% of selenium) are dark spots mixed with 5 wt. h. chlorinated rubber "Perlon - lighter or gray n tna.
На фиг. 3 изображена та же структура после отжига при 150°С в течение 1 час, в результате которого происходит сплавление или слипание фотопровод щих частиц в фотопровод щую матрицу (темные участки), которую окружают более светлые или серые участки или частицы смолы. Смола находитс в дополнение к дискретным частицам или участкам в форме сеток.FIG. Figure 3 shows the same structure after annealing at 150 ° C for 1 hour, resulting in fusion or sticking of photoconductive particles to a photoconductive matrix (dark areas), which is surrounded by lighter or gray areas or resin particles. The resin is in addition to discrete particles or regions in the form of grids.
Пример 2. Снлав,-содержащий (в вес. %): 28 мышь ка, 71,9 селена и 0,1 йода, размалывают в планетарной мельнице в течение 30 мин, просеивают через сито 325 меш и 48 г просе нной пудры смешивают в течение 1 час в планетарной мельнице с 2,5 г хлорированного каучука. К сухой смеси добавл ют 25 г толуола , перемешивают 1 час в планетарной мельнице , нанос т на латунную фольгу толщинойExample 2. Snlav-containing (in wt.%): 28 mice, 71.9 selenium and 0.1 iodine, crushed in a planetary mill for 30 minutes, sieved through a 325 mesh sieve and 48 g of sifted powder mixed in 1 hour in a planetary mill with 2.5 g of chlorinated rubber. To the dry mixture is added 25 g of toluene, stirred for 1 hour in a planetary mill, applied on brass foil with a thickness of
0,1 мм, чтобы получить окончательно покрытие толщиной 48 мк, сущат 15 мин при 50°С, отжигают 1 час при 175°С и устанавливают на алюминиевом барабане ксероконировальной машины «Xerox 2400 Office Copier. Светочувствительность в 4-5 раз выше, чем при использовании стекловидпого селена, а остаточный потенциал равен нулю. Пример 3. Аналогично примеру 2 получают пластину с толщиной сухого покрыти 90 мк, электрические характеристики которой и эластичность примерно такие же, что и у пластины, полученной в примере 2. Кроме того , при использовании пластины дл воспроизведени оригиналов получают отпечатки хорощего качества с небольшим фоном.0.1 mm, in order to obtain a final coating with a thickness of 48 microns, is 15 minutes at 50 ° C, annealed for 1 hour at 175 ° C and installed on an aluminum drum of the Xerox 2400 Office Copier Xeroxing Machine. The photosensitivity is 4-5 times higher than when using glassy selenium, and the residual potential is zero. Example 3. Analogously to example 2, a plate is obtained with a dry coating thickness of 90 microns, whose electrical characteristics and elasticity are about the same as those of the plate obtained in example 2. In addition, when using a plate for reproducing originals, prints of good quality with a small background are obtained .
Пример 4. Пластина, приготовленна , как в примере 2, но отожженна в течение 1 час при 175°С, при более высоком остаточном потенциале имеет большую эластичность.Example 4. A plate prepared as in example 2, but annealed for 1 hour at 175 ° C, with a higher residual potential, has a greater elasticity.
Пример 5. Электрические и физические характеристики пластины, полученной подобно примеру 2 с использовапием вместо хлорированного каучука фенольной смолы торговой марки РКНН, аналогичны характеристикам пластины, изготовленной в примере 2.Example 5. The electrical and physical characteristics of the plate, obtained similarly to example 2 with the use instead of chlorinated rubber phenolic resin brand RKNN, similar to the plate, made in example 2.
Пример 6. Как в примере 2, изготовл ют пластину, фотопровод щий слой которой содержит 28% мышь ка и 72% селена при толщине 60 мк. Пластина обладает высокими электрическими и физическими характеристиками .Example 6. As in Example 2, a plate was fabricated, the photoconductive layer of which contains 28% mouse and 72% selenium at a thickness of 60 microns. The plate has high electrical and physical characteristics.
Таким образом видно, что фотонроводник до отжига в основном равномерно диспергирован в смоле, при этом кажда фотопровод ща частица покрыта слоем смолы и пленка до отжига имеет до 40% пустот. Во врем отжига, который ведут около и выше температуры аморфного перехода фотопровод щегоThus, it can be seen that before annealing, the photonics are basically evenly dispersed in the resin, while each photoconductive particle is covered with a layer of resin and the film has up to 40% of voids before annealing. During annealing, which is conducted near and above the temperature of the amorphous photoconductive transition
селенового сплава, частицы текут и слипаютс друг с другом, образу матрицу стекловидного сплава с распределенными диспергированными частицами смолы.selenium alloy, the particles flow and stick together with each other, forming a glassy alloy matrix with distributed dispersed resin particles.
Предмет изобретени Subject invention
Claims (8)
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US83655869A | 1969-06-25 | 1969-06-25 |
Related Child Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| SU914902385A Addition RU1786682C (en) | 1991-01-14 | 1991-01-14 | Adapter for separation o nonorthogonal signals of binary phase manipulation |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| SU439099A3 true SU439099A3 (en) | 1974-08-05 |
Family
ID=25272221
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| SU1450135A SU439099A3 (en) | 1969-06-25 | 1970-06-19 | METHOD OF OBTAINING PHOTO CONDUCTING MATERIAL |
Country Status (12)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US3634134A (en) |
| AT (1) | AT307226B (en) |
| BE (1) | BE752440A (en) |
| BR (1) | BR7020008D0 (en) |
| CH (1) | CH548624A (en) |
| DE (1) | DE2030378A1 (en) |
| ES (1) | ES381111A1 (en) |
| FR (1) | FR2053024B1 (en) |
| GB (1) | GB1319342A (en) |
| NL (1) | NL7009310A (en) |
| SE (1) | SE351734B (en) |
| SU (1) | SU439099A3 (en) |
Families Citing this family (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4097277A (en) * | 1973-01-31 | 1978-06-27 | Canon Kabushiki Kaisha | Photosensitive member having layer of vinyl carbazole polymer containing antimony chalcogen compound of antimony and sulfur |
| US4008082A (en) * | 1973-02-19 | 1977-02-15 | Licentia Patent-Verwaltungs-G.M.B.H. | Method for producing an electrophotographic recording material |
| DE2339115C2 (en) * | 1973-08-02 | 1980-04-10 | Licentia Patent-Verwaltungs-Gmbh, 6000 Frankfurt | Method for producing an electrophotographic recording material |
| US4013530A (en) * | 1974-03-26 | 1977-03-22 | Xerox Corporation | Process for preparation of solid phase dispersion of photoconductive materials |
| US4013528A (en) * | 1974-03-26 | 1977-03-22 | Xerox Corporation | Process for preparation of solid phase dispersion of photoconductive materials |
| US3994791A (en) * | 1974-03-26 | 1976-11-30 | Xerox Corporation | Process for preparation of solid phase dispersion of photoconductive materials |
| US4028203A (en) * | 1974-03-26 | 1977-06-07 | Xerox Corporation | Process for preparation of solid phase dispersion of photoconductive material |
| US4014768A (en) * | 1974-03-26 | 1977-03-29 | Xerox Corporation | Process for preparation of solid phase dispersion of photoconductive materials |
| US4013529A (en) * | 1974-03-26 | 1977-03-22 | Xerox Corporation | Process for preparation of solid phase dispersion of photoconductive materials |
| US4016058A (en) * | 1974-03-26 | 1977-04-05 | Xerox Corporation | Process for preparation of solid phase dispersion of photoconductive materials |
| US4030992A (en) * | 1974-03-26 | 1977-06-21 | Xerox Corporation | Process for preparation of a solid phase dispersion of photoconductive materials |
| US4030993A (en) * | 1974-03-26 | 1977-06-21 | Xerox Corporation | Process for preparation of solid phase dispersion of photoconductive materials |
| JPS59136737A (en) * | 1983-01-25 | 1984-08-06 | Fuji Electric Co Ltd | Electrophotographic sensitive body |
-
1969
- 1969-06-25 US US836558A patent/US3634134A/en not_active Expired - Lifetime
-
1970
- 1970-06-19 DE DE19702030378 patent/DE2030378A1/en active Pending
- 1970-06-19 SU SU1450135A patent/SU439099A3/en active
- 1970-06-19 CH CH934370A patent/CH548624A/en not_active IP Right Cessation
- 1970-06-22 AT AT559370A patent/AT307226B/en not_active IP Right Cessation
- 1970-06-22 GB GB3010070A patent/GB1319342A/en not_active Expired
- 1970-06-22 SE SE08629/70A patent/SE351734B/xx unknown
- 1970-06-24 NL NL7009310A patent/NL7009310A/xx unknown
- 1970-06-24 BE BE752440D patent/BE752440A/en unknown
- 1970-06-24 ES ES381111A patent/ES381111A1/en not_active Expired
- 1970-06-25 FR FR707023473A patent/FR2053024B1/fr not_active Expired
- 1970-06-25 BR BR220008/70A patent/BR7020008D0/en unknown
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| SE351734B (en) | 1972-12-04 |
| BR7020008D0 (en) | 1973-01-25 |
| AT307226B (en) | 1973-05-10 |
| BE752440A (en) | 1970-12-24 |
| CH548624A (en) | 1974-04-30 |
| FR2053024A1 (en) | 1971-04-16 |
| US3634134A (en) | 1972-01-11 |
| FR2053024B1 (en) | 1973-04-06 |
| NL7009310A (en) | 1970-12-29 |
| ES381111A1 (en) | 1972-12-01 |
| GB1319342A (en) | 1973-06-06 |
| DE2030378A1 (en) | 1971-03-11 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| SU439099A3 (en) | METHOD OF OBTAINING PHOTO CONDUCTING MATERIAL | |
| US2803542A (en) | Xerographic plate | |
| US4378417A (en) | Electrophotographic member with α-Si layers | |
| US2886434A (en) | Protected photoconductive element and method of making same | |
| US2962376A (en) | Xerographic member | |
| US3312547A (en) | Xerographic plate and processes of making and using same | |
| US3524745A (en) | Photoconductive alloy of arsenic,antimony and selenium | |
| PL69881B1 (en) | ||
| US3754965A (en) | A method for making an electrophotographic plate | |
| US4170476A (en) | Layered photoconductive element having As and/or Te doped with Ga, In or Tl intermediate to Se and insulator | |
| US3248261A (en) | Photoconducting layers | |
| US4252883A (en) | Process for producing electrophotographic photosensitive member | |
| US3966470A (en) | Photo-conductive coating containing Ge, S, and Pb or Sn | |
| US4226929A (en) | Flexible multi-layer photoreceptor of electrophotography | |
| US3745504A (en) | Impregnated porous photoconductive device and method of manufacture | |
| US4008082A (en) | Method for producing an electrophotographic recording material | |
| US3837906A (en) | Method of making a xerographic binder layer, and layer so prepared | |
| US3694201A (en) | Method for photoconductive powder | |
| SU374867A1 (en) | ELECTROPHOTOGRAPHIC MATERIAL | |
| US4104065A (en) | Process for preparation of photoconductive powders of cadmium sulfide type materials | |
| US3595646A (en) | Method of treating photoconductors of the cadmium series to form electrophotosensitive material manifesting persistent internal polarization | |
| US4258114A (en) | Electrophotographic recording material and method of manufacturing same | |
| US4495265A (en) | Electrophotographic copper doped cadmium sulfide material and method of making | |
| DE1572366C3 (en) | Process for producing a photoconductive layer containing glass as a binder | |
| SU987567A1 (en) | Electrophotographic record carrier |