SU1626191A1 - Method of measuring surface resistance of conductive film - Google Patents
Method of measuring surface resistance of conductive film Download PDFInfo
- Publication number
- SU1626191A1 SU1626191A1 SU884462801A SU4462801A SU1626191A1 SU 1626191 A1 SU1626191 A1 SU 1626191A1 SU 884462801 A SU884462801 A SU 884462801A SU 4462801 A SU4462801 A SU 4462801A SU 1626191 A1 SU1626191 A1 SU 1626191A1
- Authority
- SU
- USSR - Soviet Union
- Prior art keywords
- probe
- resistance
- probes
- conductive film
- determining
- Prior art date
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 9
- 239000000523 sample Substances 0.000 claims abstract description 38
- 239000013074 reference sample Substances 0.000 claims abstract description 6
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 4
- 238000005259 measurement Methods 0.000 claims description 2
- 229910052685 Curium Inorganic materials 0.000 claims 1
- NIWWFAAXEMMFMS-UHFFFAOYSA-N curium atom Chemical compound [Cm] NIWWFAAXEMMFMS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 230000009977 dual effect Effects 0.000 claims 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 claims 1
- 238000007654 immersion Methods 0.000 abstract description 2
- 238000009659 non-destructive testing Methods 0.000 abstract description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 abstract description 2
- 239000000758 substrate Substances 0.000 abstract description 2
- 238000012360 testing method Methods 0.000 abstract description 2
- 239000004020 conductor Substances 0.000 abstract 1
- 239000010408 film Substances 0.000 description 5
- 238000011088 calibration curve Methods 0.000 description 1
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 description 1
- 239000007888 film coating Substances 0.000 description 1
- 238000009501 film coating Methods 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Measurement Of Resistance Or Impedance (AREA)
Abstract
Изобретение относитс к технике неразрушающего контрол полупроводниковых и металлических систем и может использоватьс дл измерени сопротивлени RS квадрата поверхности тонких провод щих пленок н диэлектрических подложках. Цель изобретени - повышение точности при определении поверхностного сопротивлени низкоомной провод щей пленки. Устрой- , реализующее способ определени повер тостного сопротивлени провод щей пленки, содержит СЗЧ-гекератор 1, не.аллический штырь 2, дзухзондо- вую гзмерительную линию (ДИЛ) 9 с измерительными зондами 3,4, излучахель 5, перед которым располагают образец 6 исследуемой провод щей пленки,регистратор 7. Сначала перед излучателем 5 размещают эталонный образец с наименьшим .Ј из заданного диапазона. Зонг;ы 3 и 4 перемещают вдоль ДНЛ 9 до получени максимальногс уровн сигнала с зонда 3 и минимального - с зонда 4. Затем ввод т в ЛИЛ 9 «--е- таллический штырь 2, измен ют его положение вдоль ДИЛ 9 и глубину погружени , добива сь повышени максимального уровн сигнала на зонде 3. Затем вместо эталонного образца помещают исследуемый образец G и измер ют суммарный сигнал с зондов 3 и 4. Величину RS определ ют по градуиро- вочной кривой. 2 ил. (С (Л С& N) С СОThe invention relates to a technique for the non-destructive testing of semiconductor and metallic systems and can be used to measure the resistance of RS to the square of the surface of thin conductive films on dielectric substrates. The purpose of the invention is to improve the accuracy in determining the surface resistance of a low-resistance conductive film. The device that implements the method for determining the conductive resistance of the conductive film contains a SZCH-hegerator 1, a non-alic pin 2, a junction probe measuring line (DIL) 9 with measuring probes 3,4, an emitter 5, in front of which sample 6 is located conductor film, recorder 7. First, before the radiator 5, place a reference sample with the smallest .Ј of the specified range. Zones; ss 3 and 4 are moved along DNL 9 to obtain the maximum signal level from probe 3 and the minimum from probe 4. Then they are inserted into LIL 9 "- metallic pin 2, change its position along DIL 9 and immersion depth To achieve an increase in the maximum signal level at probe 3. Then, instead of a reference sample, test sample G is placed and the total signal from probes 3 and 4 is measured. The RS value is determined from a graduation curve. 2 Il. (C (L S & N) WITH
Description
Фиг. 1FIG. one
Изобретение относитс к технике неразрушающего контрол тонкопленочных полупроводниковых и металлических систем и может использоватьс дл измерени сопротивлени квадрата поверхности тонких провод щих пленок на диэлектрических подложках, например пленочных покрытий движущихс рулонных материалов.The invention relates to the technique of non-destructive testing of thin-film semiconductor and metal systems and can be used to measure the square resistance of the surface of thin conductive films on dielectric substrates, such as film coatings of moving roll materials.
Цель изобретени - повышение точности при измерении поверхностного сопротивлени низкоомной провод щей пленки.The purpose of the invention is to improve the accuracy in measuring the surface resistance of a low-resistance conducting film.
На фиг.1 приведена структурна электрическа схема устройства,реализующего способ определени поверхностного сопротивлени провод щей пленки; на фиг.2 - график зависимости величины разности суммарных сигналов Figure 1 shows the structural electrical circuit of the device implementing the method for determining the surface resistance of a conductive film; figure 2 is a graph of the magnitude of the difference of the total signals
12 от12 from
&I, 10, - 14и Al 1 31сопротивлени квадрата поверхности R пленки при измерени х известным способом (крива I) и предлагаемым (крива II) (10 , I оа суммарный сигнал на зондах при измерении эталонного образца с наименьшим Р5; - суммарные сигналы при измерении контролируемого образца).& I, 10, - 14 and Al 1 31 of the resistance of the square of the surface R of the film when measured in a known manner (curve I) and proposed (curve II) (10, I oa is the total signal on the probes when measuring the reference sample with the smallest P5; - total signals when measuring controlled sample).
Устройство содержит СВЧ-генера- тор 1, металлический штырь 2, измерительные зонды 3 и U, излучатель 5, образец 6 исследуемой провод щей пленки, регистратор 7. вход 8 двух- зондовой измерительной линии 9.The device contains a microwave generator 1, a metal pin 2, measuring probes 3 and U, an emitter 5, sample 6 of the conductive film under study, a recorder 7. an input 8 of a two-probe measuring line 9.
Способ реализуют следующим образом .The method is implemented as follows.
Измерени провод т в трехсантиметровом диапазоне электромагнитных дд волн. Эталонный образец с наименьшимMeasurements are carried out in the three-centimeter range of electromagnetic dd waves. Reference sample with the smallest
R,R,
из заданного диапазона размещаютfrom the specified range is placed
за излучателем 5 на некотором рассто нии (2,0 ±0,5 мм). Зонды 3 и А перемещают вдоль линииbehind radiator 5 at a certain distance (2.0 ± 0.5 mm). Probes 3 and A are moved along the line.
до получени before receipt
максимального уровн сигнала с первого зонда 3, т.е. устанавливают зонд 3 в максимуме пол сто чей волны в измерительной линии 9, и минимального уровн сигнала со второго зонда, т.е. в минимуме сто чей волны. В этом положении зонды 3 и А сЬиксируют. В измерительную линию 9 ввод т отражатель - металлический шгырь 2 диаметром 0,3+0,05 мм нл глубину 5 мм.Пуthe maximum signal level from the first probe 3, i.e. probe 3 is set at the maximum of the standing wave in the measuring line 9, and the minimum signal level from the second probe, i.e. at the minimum there is a wave. In this position, the probes 3 and A are bic. A reflector is inserted into the measuring line 9 - a metal strip 2 with a diameter of 0.3 + 0.05 mm and a depth of 5 mm.
тем перемещени штыр 2 вдоль изме рительной линии 9 и изменением глубины погружени дибинлн тс повышени the displacement of the pin 2 along the measuring line 9 and the change in the immersion depth
5 five
.. ..
5five
д d
5five
00
5five
максимального уровн сигнала на первом зонде. Положение штыр 2 фиксируетс . Сигналы с зондов 3 и А подают на регистратор 7 и определ ют суммарный сигнал с зондов 3 и А. Далее вместо эталонного образца пометают исследуемый образец 6 и определ ют суммарный сигнал с зондов 3 и А. По величине суммарного сигнала и гра- дуировочной кривой на фиг.2 суд т о величине RS исследуемого образца 6.maximum signal level on the first probe. The position of the pin 2 is fixed. Signals from probes 3 and A are fed to recorder 7 and the total signal from probes 3 and A is determined. Next, instead of a reference sample, test sample 6 is marked and the total signal from probes 3 and A is determined. By the magnitude of the total signal and the calibration curve FIG. 2 judges the RS of sample 6.
Claims (1)
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| SU884462801A SU1626191A1 (en) | 1988-07-20 | 1988-07-20 | Method of measuring surface resistance of conductive film |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| SU884462801A SU1626191A1 (en) | 1988-07-20 | 1988-07-20 | Method of measuring surface resistance of conductive film |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| SU1626191A1 true SU1626191A1 (en) | 1991-02-07 |
Family
ID=21390732
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| SU884462801A SU1626191A1 (en) | 1988-07-20 | 1988-07-20 | Method of measuring surface resistance of conductive film |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| SU (1) | SU1626191A1 (en) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| RU2697473C1 (en) * | 2019-01-10 | 2019-08-14 | федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Алтайский государственный университет" | Method of measuring electroconductivity of thin metal films |
-
1988
- 1988-07-20 SU SU884462801A patent/SU1626191A1/en active
Non-Patent Citations (1)
| Title |
|---|
| Черн ев З.Н. и др. Активный СВЧ-контроль сопротивлени метапли- ческих пленок. - Приборы и системы управлени , 1972, If 9, с. 55-56. Потапов А.И. и др. Технологический неразрушающий контроль пластмасс. - Л.: Хими , 1979, с. 267-270. * |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| RU2697473C1 (en) * | 2019-01-10 | 2019-08-14 | федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Алтайский государственный университет" | Method of measuring electroconductivity of thin metal films |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| Weir | Automatic measurement of complex dielectric constant and permeability at microwave frequencies | |
| US4893079A (en) | Method and apparatus for correcting eddy current signal voltage for temperature effects | |
| JP4022474B2 (en) | Method and apparatus for non-destructive measurement and mapping of sheet material | |
| WO1999013346A1 (en) | Method and apparatus for in-situ measurement of polymer cure status | |
| CN106643587B (en) | A method for measuring the thickness of metal thin films based on microwave transmission | |
| US5804976A (en) | Device for determining the ratio of substances | |
| Dauphinee | An isolating potential comparator | |
| US5847562A (en) | Thickness gauging of single-layer conductive materials with two-point non linear calibration algorithm | |
| US4581574A (en) | Method of testing dielectric materials | |
| SU1626191A1 (en) | Method of measuring surface resistance of conductive film | |
| EP0223748B1 (en) | Method and apparatus for determining the content of unburnt coal in an ash from a combustion heater | |
| US3271668A (en) | Microwave measurement of surface attrition of a dielectric body | |
| US5936401A (en) | Device and process for measuring electrical properties at a plurality of locations on thin film superconductors | |
| US3401333A (en) | Coupled-line apparatus for measuring the thickness of thin films | |
| US2782377A (en) | Micropotentiometers | |
| RU1554594C (en) | Device for measuring object reflectivity in free space | |
| SU1244574A1 (en) | Device for determining parameters of electromagnetic waves in solid | |
| Furci et al. | Transition edge sensors for quench localization in SRF cavity tests | |
| US3319165A (en) | Apparatus for measuring the phase delay of a signal channel | |
| Fiscella et al. | Interferential microwave probe for measuring sea ripples | |
| Sollom et al. | A centimetre-wave parallel-plate spectrometer | |
| JPH0514230B2 (en) | ||
| US3213363A (en) | H. f. measuring system using differential probe simultaneously responsive to magnetic and electric fields at selected point | |
| SU1516754A1 (en) | Method of determining the thickness of coating of parts with ferromagnetic base | |
| US3705346A (en) | Method for measuring the distance to a leakage fault in an electrical conductor |