SU1615582A1 - Устройство дл измерени давлени - Google Patents

Abstract

Изобретение относитс  к измерительной технике и может быть использовано дл  измерени  высоких гидростатических давлений. Целью изобретени   вл етс  повышение чувствительности и расширение диапазона измерени  высоких гидростатических давлений. В устройстве использован электрический преобразователь, содержащий идентичные тонкопленочные тензорезисторы 1 и 2, размещенные на поверхности монокристаллического диэлектрика вдоль кристаллографических осей X и Z, в направлении которых линейные сжимаемости диэлектрика неодинаковы. Преобразователь помещен в сосуд высокого давлени  и включен в потенциометрическую схему. Если U_X и U_Z - напр жени  на тензорезисторах, ориентированных по длине вдоль осей X и Z соответственно, то при изменении давлени  в сосуде 4 напр жени  измен ютс  из-за изменени  сопротивлений тензорезисторов. По отношению напр жений определ етс  давление. 2 ил.

Description

Изобретение относитс  к измеритель- ной техн14ке и может быть использовано дл  измерени  высоких гидростатических давлений .

.Цель изобретени  - повышение чувст- 5 вительности и расширение диапазона измерени  высоких давлений.

На фиг. 1 изображена схема устройства; на фиг. 2 - размещение тензорезисторов на противоположных сторонах монокристал- 10 лического диэлектрика.

Устройство содержит два идентичных тонкопленочных тензорезистора 1 и 2 (фиг. 1), расположенных на одном и том же монокристаллическом элементе 3, например на 15. кварцевом диске Y-cpeaa, помещенном в сосуд 4 высокого давлени , заполненный жидкостью 5, передающей давление. Тензо- резистор 1 ориентирован по длине в направлении одной из кристаллографических 20 осей диэлектрика, например в направлении оси X кристаллического кварца, а тензоре- зистор 2 ориентирован по длине в направ- лении другой, неэквивалентной кристаллографической оси этого диэлектрика, напри- 25 мер в направлений оси Z. Тензорезисторы подключены КИСТОЧ1-1ИКУ 6 посто нного тока и к компаратору 7 напр жений.

Устройство работает следующим образом .30

Изменение давлени  в сосуде 4 вызыват изменение сопротивлений RX и RZ тензо- . ;зезисторов 1 и 2 и соответствующее изменение напр жений на них Ux и Uz. Напр жени  Ux м Uz измер ютс  компаратором 7 и по ним определ етс  давление,

Если в качестве монокристаллического элемента используетс  кварцевый диск Y- среза, то давление наход т по формуле

P AollJI-,,.

где АО - посто нна .

Дл  кварца посто нна  равна 1/2

Ао

,283 ГПа ,

QZ - QX

где QZ и.QX-линейные сжимаемости кварца в направлени х его кристаллографических осей Z и X соответственно.

Ф о р м .у л а и 3 о б р е т е н и   Устройство дл  измерени  давлени , содержащее первый и второй тензорезисто- ры, размещенные на поверхности монокристаллического диэлектрика, соединенные в потенциометрическую схему и подключенные к измерительному прибору, отличающеес  тем, что, с целью повышени  чувствительности и расширени  диапазона измерени  высоких давлений, первый тензоре- зистор ориентирован в направлении первой кристаллографической оси монокристаллического диэлектрика, а второй - в направлении второй оси, причем перва  и втора  кристаллографические оси вь1браны так, что линейные коэффициенты сжимаемости диэлектрика вдоль них различны при гидростатическом сжатии.

Стокана /4

С/Г7орома В

X

Claims (1)

1. Формула изобретения

   Устройство для измерения давления, содержащее первый и второй тензорезисторы, размещенные на поверхности монокристаллического диэлектрика, соединенные в потенциометрическую схему и подключенные к измерительному прибору, отличающееся тем, что, с целью повышения чувствительности и расширения диапазона измерения высоких давлений, первый тензорезистор ориентирован в направлении первой кристаллографической оси монокристаллического диэлектрика, а второй - в направлении второй оси, причем первая и вторая кристаллографические оси выбраны так, что линейные коэффициенты сжимаемости диэлектрика вдоль них различны при гидростатическом сжатии.