[go: up one dir, main page]

SU1557452A1 - Apparatus for holographic recording of interferograms - Google Patents

Apparatus for holographic recording of interferograms Download PDF

Info

Publication number
SU1557452A1
SU1557452A1 SU884389271A SU4389271A SU1557452A1 SU 1557452 A1 SU1557452 A1 SU 1557452A1 SU 884389271 A SU884389271 A SU 884389271A SU 4389271 A SU4389271 A SU 4389271A SU 1557452 A1 SU1557452 A1 SU 1557452A1
Authority
SU
USSR - Soviet Union
Prior art keywords
layer
carrier
interferograms
heating
power supply
Prior art date
Application number
SU884389271A
Other languages
Russian (ru)
Inventor
Ольга Сергеевна Сотникова
Алихан Темболович Корнаев
Юрий Федорович Кравцов
Олег Андреевич Свиридов
Original Assignee
Предприятие П/Я А-1120
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Предприятие П/Я А-1120 filed Critical Предприятие П/Я А-1120
Priority to SU884389271A priority Critical patent/SU1557452A1/en
Application granted granted Critical
Publication of SU1557452A1 publication Critical patent/SU1557452A1/en

Links

Landscapes

  • Optical Recording Or Reproduction (AREA)
  • Holo Graphy (AREA)

Abstract

Изобретение относитс  к голографии, а именно к методам голографической интерферометрии, и может найти применение при интерферометрических измерени х в различных отрасл х науки и техники. Цель изобретени  - повышение контраста интерференционных полос и увеличение времени наблюдени  интерференционной картины при регистрации интерферограмм методом реального времени. Цель достигаетс  за счет изменени  конструкции нагревательного устройства  чейки фототермопластической записи. Нагревательное устройство выполн етс  в виде стекл нной пластины с двухсторонним металлическим покрытием, причем один слой сопротивлением 300 - 500 Ом служит дл  обеспечени  заданного предварительного нагрева, а на другой слой сопротивлением 20 - 40 Ом подаетс  кратковременный про вл ющий импульс дополнительного нагрева. 2 ил.The invention relates to holography, in particular to methods of holographic interferometry, and can be used for interferometric measurements in various aspects of science and technology. The purpose of the invention is to increase the contrast of the interference fringes and increase the time of observation of the interference pattern when registering interferograms using the real-time method. The goal is achieved by changing the design of the heating device of the photothermoplastic recording cell. The heating device is in the form of a glass plate with a double-sided metallic coating, with one layer with a resistance of 300 to 500 ohms serving to provide a predetermined preheating, and a short-term developing impulse of additional heating is applied to the other layer with a resistance of 20 to 40 ohms. 2 Il.

Description

Изобретение относитс  к голографии , а именно к голографической интерферометрии , и может быть использовано при интерферометрических измерени х в различных отрасл х науки и техники.The invention relates to holography, namely to holographic interferometry, and can be used for interferometric measurements in various fields of science and technology.

Цель изобретени  - повышение контраста интерференционных полос и увеличение времени наблюдени  интерференционной картины в реальном масштабе времени.The purpose of the invention is to increase the contrast of the interference fringes and increase the time of observation of the interference pattern in real time.

На фиг.1 представлена  чейка фототермопластической записи устройства дл  голографической записи интерферограмм методом реального времени; на фиг.2 - график временных зависимостей температуры нагревател  (крива  А) и дифракционной эффективности голограмм исходного состо ни  . (крива  В).Figure 1 shows a cell of a photothermoplastic recording device for holographic recording of interferograms using the real-time method; Fig. 2 is a graph of temporal dependences of the temperature of the heater (curve A) and the diffraction efficiency of the holograms of the initial state. (curve B).

Устройство содержит (фиг.1) фототермопластический (ФТП) слой 1, металлический слой 2 сопротивлением 300-500 Ом, корпус  чейки 3, контактные выводы kt стекл нную пластину 5, металлический слой 6 сопротивлеThe device contains (Fig. 1) a photothermoplastic (FTP) layer 1, a metal layer 2 with a resistance of 300-500 Ohm, a cell body 3, contact points kt glass plate 5, a metal layer 6 of resistance

нием Ом, коронирующую рамку 7, коронирующий электрод 8, блок 9 управлени , блок 10 питани  нагрева , блок 11 импульсного питани  нагрева и высоковольтный блок 12.By using an ohm corona-forming frame 7, a corona electrode 8, a control unit 9, a heating power unit 10, a heating pulse power unit 11 and a high-voltage unit 12.

ФТП-слой 1 прижимаетс  со стороны подложки к металлическому слою 6 сопротивлением Ом, на который подаетс  кратковременный про вл ющий импульс дополнительного нагрева. С другой стороны стекл нной пластины 5 нанесен металлический слой 2 сопротивлением 300-500 Ом, подачей напр жени  на который через контактные выводы осуществл етс  регулирование температуры предварительного нагрева . Корпуса  чейки 3 и коронирующей рамки 7 выполнены из текстолита. Коронирующий электрод 8, представл ющий собой вольфрамовую нить d 20-30 мкм, располагаетс  на рассто нии 15-18 мм от поверхности носител  Процесс регистрации голографичес- ких интерферограмм на предлагаемом устройстве осуществл етс  следующим образом.The FTP layer 1 is pressed from the side of the substrate to the metal layer 6 by resistance Ohm, to which a short-term developing impulse of additional heating is applied. On the other side of the glass plate 5, a metallic layer 2 is applied with a resistance of 300-500 Ohm, by applying a voltage to which the preheating temperature is controlled through the contact leads. Corps cell 3 and the corona frame 7 is made of PCB. The corona electrode 8, which is a tungsten filament d of 20-30 µm, is located at a distance of 15-18 mm from the surface of the carrier. The process of recording holographic interferograms on the proposed device is carried out as follows.

Задаетс  температура предварительного нагрева, котора  дл  термопластического сло  ФТПН, выполненного на основе форполимера диаллилизофталата составл ет 60°С..Температура предварительного нагрева регулируетс  подачей напр жени  на первый слой 2. При достижении нагревательным устройством заданной температуры осущес твл етс  подача потенциала высокого напр жени  на коронирующий электрод 8 с одновременным экспонированием поверхности носител  сход щими пучками . После окончани  зар дки осуществл етс  про вление скрытого изображени  подачей кратковременного теплового импульса дополнительного нагрева на второй слой 6 пластины 5. Температура предварительного нагрева определ етс  температурой стекловани  материала термопластического сло  и по значению на 5-Ю°С меньше ее.The preheating temperature is set which is 60 ° C for the thermoplastic layer of the PTPN made on the basis of the prepolymer of diallyl isophthalate. The preheating temperature is controlled by applying voltage to the first layer 2. When the heating device reaches the set temperature, high potential is applied corona electrode 8 with simultaneous exposure of the carrier surface by converging beams. After the charging is completed, the latent image is produced by applying a short-term thermal impulse of additional heating to the second layer 6 of the plate 5. The preheating temperature is determined by the glass transition temperature of the material of the thermoplastic layer and is 5–10 ° C lower than its value.

Длительность про вл ющего импульса может измен тьс  от 1 до 9 с, и ее величиной регулируетс  температура окончательного дополнительного нагрева. Величины сопротивлений ме- I таллизированных слоев универсальны дл  всех типов ФТПН, а их значени The duration of the developing pulse can vary from 1 to 9 seconds, and its value controls the temperature of the final additional heating. The magnitudes of the resistances of metalized layers are universal for all types of FPNF, and their values

10ten

1515

2020

выбраны исход  из мощности источников питани , работающих от трансформаторов ТПП-2 -127/220-50, ТАГ- 127/200-50, обеспечени  сплошности покрыти  (при сопротивлении сло  более 500 Ом толщина сло  соответствует дес ткам ангстрем и возможно нарушение сплошности покрыти )и минимизации величины перерегулировани  при позиционном регулировании температуры предварительного нагрева.selected on the basis of the power of the power sources operating from transformers TPP-2 -127 / 220-50, TAG-127 / 200-50, ensuring the continuity of the coating (with a layer resistance of more than 500 ohms, the layer thickness corresponds to tens of angstroms and possible discontinuity of the coating) and minimizing the amount of overshoot during positional control of the preheating temperature.

Соотношение между сопротивлени ми слоев (сопротивление одного сло  на пор док меньше сопротивлени  другого ) обусловлено достижением необходимого темпа окончательного нагрева.The ratio between the resistances of the layers (the resistance of one layer is an order of magnitude less than the resistance of the other) is due to the achievement of the required rate of final heating.

По сравнению с известным предлагаемое устройство позволило повысить контраст интерференционных полос на 0,2 отн.ед. и увеличить врем  наблюдени  интерференционной картины с 15 мин до 1 ч без потери контраста.Compared with the known device, it has been possible to increase the contrast of interference fringes by 0.2 relative units. and increase the observation time of the interference pattern from 15 minutes to 1 hour without loss of contrast.

25 формула изобретени 25 claims

0 0

5five

00

Устройство дл  топографической записи интерферограмм на фототермопластический носитель, содержащее оптически св занные источник когерентного излучени , оптическую систему дл  формировани  опорного и объективного пучков и фототермопластический носитель, состо щий из стекл нной подложки, токопровод щего сло , фототермопластического сло , блок управлени  с параллельно соединенными блоком питани  нагрева, высоковольтным блоком, причем выход блока питани  нагрева соединен с копровод щим слоем, высоковольтный блок соединен с установленным над носителем коронирующим электродом, отличающеес  тем, что, с целью повышени  контраста интерференционных полос и увеличени  времени наблюдени  интерференционных картин в реальном масштабе времени, на другой стороне стекл нной подложки дополнительно нанесен второй токо- провод щий слой, причем оба сло  выполнены металлическими с сопротивлени ми 300-500 и 20-АО Ом, причем к второму токопровод щему слою присоединен дополнительный блок импульсного питани  нагрева, вход которого соединен с выходом блока управлени .A device for topographic recording of interferograms on a photothermoplastic carrier containing optically coupled coherent radiation source, an optical system for forming a reference and objective beams, and a photothermoplastic carrier consisting of a glass substrate, a conductive layer, a photothermoplastic layer, a control unit with parallel connected power units heating, high-voltage unit, and the output of the power supply unit heating is connected to koprovodyushchy layer, the high-voltage unit is connected to the mouth An over-carrier corona electrode, characterized in that, in order to increase the contrast of interference fringes and increase the time of observation of interference patterns in real time, a second conductive layer is additionally applied on the other side of the glass substrate; 300-500 and 20-AO Ohm, and an additional pulse power supply unit is connected to the second conductive layer, its input is connected to the output of the control unit.

5five

00

5five

Ш А 4 fW A 4 f

Редактор А.ОгарEditor A. Ogar

Составитель Е.Дорофеева Техред А.КравчукCompiled by E. Dorofeeva Tehred A. Kravchuk

фиг. 1FIG. one

Фиг. 2FIG. 2

Корректор М.Самборска Proofreader M.Samborsk

Claims (1)

Формула изобретенияClaim Устройство для голографической записи интерферограмм на фототермрпластический носитель, содержащее оптически связанные источник когерентного излучения, оптическую систему для формирования опорного и объективного пучков и фототермопластический носитель, состоящий из 35 стеклянной подложки, токопроводящего . 'слоя, фототермопластического слоя, блок управления с параллельно соединенными блоком питания нагрева, высоковольтным блоком, причем выход 40 блока питания нагрева соединен с тог копроводящим слоем, высоковольтный блок соединен с установленным над носителем коронирующим электродом, отличающееся тем, что, с 45 целью повышения контраста интерференционных полос и увеличения времени наблюдения интерференционных картин в реальном масштабе времени, на другой стороне стеклянной подложки 5θ дополнительно нанесен второй токопроводящий слой, причем оба слоя выполнены металлическими с сопротивлениями 300-500 и 20-40 Ом, причем к второму токопроводящему слою присоединен дополнительный блок импульсного питания нагрева, вход которого соединен с выходом блока управления.A device for holographic recording of interferograms on a photothermrplastic carrier, containing an optically coupled coherent radiation source, an optical system for forming reference and objective beams, and a photothermoplastic carrier, consisting of 35 conductive glass substrates. 'layer, a photothermoplastic layer, a control unit with a parallel connected heating power supply, a high voltage block, the output 40 of the heating power supply being connected to the same conductive layer, the high voltage block connected to a corona electrode mounted above the carrier, characterized in that, with the aim of increasing contrast interference fringes and increase the time of observation of interference patterns in real time, on the other side of the glass substrate 5θ a second conductive layer is additionally applied, pr moreover, both layers are made of metal with resistances of 300-500 and 20-40 Ohms, with an additional block of pulse power supply of heating connected to the second conductive layer, the input of which is connected to the output of the control unit.
SU884389271A 1988-03-09 1988-03-09 Apparatus for holographic recording of interferograms SU1557452A1 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU884389271A SU1557452A1 (en) 1988-03-09 1988-03-09 Apparatus for holographic recording of interferograms

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU884389271A SU1557452A1 (en) 1988-03-09 1988-03-09 Apparatus for holographic recording of interferograms

Publications (1)

Publication Number Publication Date
SU1557452A1 true SU1557452A1 (en) 1990-04-15

Family

ID=21360024

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
SU884389271A SU1557452A1 (en) 1988-03-09 1988-03-09 Apparatus for holographic recording of interferograms

Country Status (1)

Country Link
SU (1) SU1557452A1 (en)

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
Либера Л. Исследование механизма записи топографических решеток на поверхности тонких органических пленок. - фундаментальные основы оптической пам ти и среды. Киев, КГУ, 1983, вып. k, с. О-52. Баженов М.Ю. Изменение информационных свойств тонких пленок поли- N-эпоксипропилкарбазола при много-.. кратной регистрации оптических голограмм. - Фундаментальные основы оптической пам ти и среды. Киев, КГУ, 1985, вып. 16, с. 93-98. *

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US4320489A (en) Reversible optical storage medium and a method for recording information therein
SU1557452A1 (en) Apparatus for holographic recording of interferograms
US2438205A (en) Measuring instrument
US3720785A (en) Recording system and method for copying machine
US3560205A (en) Method of forming a phase modulating hologram on a deformable thermoplastic
US4083054A (en) Recording or erasure of images on thermoplastic material
GB2324885A (en) Multiple active computer generated hologram
US4282295A (en) Element for thermoplastic recording
EP1311911B1 (en) Device for registration of optical holograms on amorphous molecular semiconductor films
US4135807A (en) Apparatus for the repeated recording of deformation images on a recording material
US4119848A (en) Ionographic recording of X-ray images
JPS5858670B2 (en) Netsukaso Seishi Tono Henkeihou
JP3591943B2 (en) Hologram recording apparatus and method
GB2155042A (en) Laser induced ion beam generator
Lee et al. Automated thermoplastic holographic camera development
RU2024821C1 (en) Method of recording of two-exposition holographic interferogram
SU555368A1 (en) Method for measuring transfer characteristics of thermoplastic media
Woods et al. Spatial phase shift during hologram writing in lithium niobate
US4199616A (en) Ionographic recording of X-ray images
US3838403A (en) Stacked photoplastic data storage system
WO1993001513A1 (en) A thin film adaptive optical component
US4142100A (en) Process and apparatus for recording and optically reproducing X-ray images
US3581280A (en) Holographic spatial filters and method of making same
US4202693A (en) Recording material having intersecting conductive strips and apertured spacing means
JPS5921558B2 (en) Thermal development method and apparatus for thermoplastic photoreceptor