SU1290094A1 - Датчик температуры и способ его изготовлени - Google Patents
Датчик температуры и способ его изготовлени Download PDFInfo
- Publication number
- SU1290094A1 SU1290094A1 SU853914022A SU3914022A SU1290094A1 SU 1290094 A1 SU1290094 A1 SU 1290094A1 SU 853914022 A SU853914022 A SU 853914022A SU 3914022 A SU3914022 A SU 3914022A SU 1290094 A1 SU1290094 A1 SU 1290094A1
- Authority
- SU
- USSR - Soviet Union
- Prior art keywords
- temperature
- cobalt
- nickel
- cylindrical electrode
- iodine
- Prior art date
Links
Landscapes
- Thermistors And Varistors (AREA)
Abstract
Изобретение относитс к измерительной технике и позвол ет повысить стабильность электрофизических характеристик датчика при работе в йодной атмосфере.. Между металлической оболочкой 1 и цилиндрическим электродом 2 размещен поликристаллический материал 3, в качестве которого использованы полиподиды кобальта или никел с карбамидом, имеющие массовое соотношение иодида декакарбамида никел или кобальта и иода, равное (1,8 - 3,0):1. Внутренний диаметр металлической оболочки выполнен равным 3,0 - 3,5 диаметра цилиндрического электрода, а отношение высоты рабочего сло материала 3 к его диаметру составл ет 2,5 - 4,0, что обеспечивает требуемую механическую прочность фиксации электрода и исключает температурный градиент между электродом и оболочкой. После размещени материала в оболочке его подвергают прессованию под давлением 25 - 75 МПа, охлажда его через каждые 25 ffla до исходной температуры . 2 с. и 1 з.п. ф-лы, 1 ил., 1 табл. сл to CD 4;ii
Description
Изобретение относитс к технике измерени температуры и может быть использовано дл измерени температуры в атмосфере иода, на предпри ти х галургического профил .
Целью изобретени вл етс повышение стабильности электрофизических характеристик датчика при работе в йодной атмосфере,
На чертеже схематически изображена конструкци термочувствительного датчика.
Датчик температуры содержит ко- аксиально расположенные металлическую оболочку 1 и цилиндрический электрод 2, выполненные из никел или жаростойких сплавов, поликристаллический термочувствительный материал 3 - полииодид кобальта или никел фракций 0,5 - 1,0 мм. На внешней стороне металлическа оболочка и цилиндрический электрод могут иметь резьбу 4 дл облегчени монтажа датчика.
Ограничение интервала поликристаллических фракций полииодидов 0,5 - 1,0 мм обусловлено тем, что при величинах фракций больше 1,0 мм возрастает интервал разброса по электросопротивлению более чем на пор док, а при величинах фракций менее 0,5, по вл етс эффект текучести запрессовк и наблюдаетс ухудшение механических характеристик.
Поликристаллы полииодида дл предотвращени изменени химического с става подвергают холодному прессованию под давлением Z5 - 75 МПа, причем через каждые 25 МПа осуществл ю охлаждение прессовок до исходной температуры (комнатной), предварите но поликристаллы термочувствительного материала помещают между металлической оболочкой и цилиндрическим электродом.
Интервал прессовани 25 - 75 МПа обусловлен тем, что плотность запресовок при давлении 75 МПа приближаетс к 1, а дальнейшее повьшение да лени приводит к по влению в прессоке жидкой фазы. При давлении меньше 25 МПа резко ухудшаютс механически свойства запрессовок, что приводит к выпадению электрода.
Необходимость постадийного охлаждени прессовок через. 25 МПа обуслолена тем, что при превышении давле
ни свыше 25 МПа резко возрастает те- ские свойства прототипа в атмосфеO
5
0
кучесть образцов, что затрудн ет разбор пресс-формы и вызывает при этом по вление сколов, треш.ин и других .дефектов .
Выбор указанных интервалов св зан с индивидуальными физическими характеристиками поликристаллических полииодидов ,
Изменение температуры осуществл ют замером электросопротивлени между электродом и металлической оболочкой, по величине которого определ ют абсолютную величину температуры,
И р и м е р 1, Поликристаллы поли- иодида кобальта с карбамидом состава .СО (Ur)1 (Т фракции 1 мм размещают между металлической оболочкой диаметром-12 мм и цилиндрическим электродом диаметром 4 мм и запрессовывают под давлением 50 МПа при комнатной температуре в две стадии (Р , 25 МПа и Р 50 МПа), выдержи- :ва между каждым прессованием 5 10-12 мин дл охлаждени прессовок до исходной температуры. При выдержке менее 10 мин не происходит полное охлаждение образца, а вьщержи- вать более 12 мин нецелесообразно, так как температура образца становитс уже комнатной. Перегрев образца приводит к частичному или полному расплавлению поликристаллов полииоди- да Со, Высота сло запрес совки термочувствительного материала 36 мм, его диаметр 12 мм.
Датчик температуры, изготовленный таким способом, помещают в атмосферу иода или на воздухе и снимают Q электрофизические характеристики в зависимости от .температуры и их стабильность при повторных термообработках . Так, при- температуре 77 К удельное объемное электросопротивление ,010 Ом см, при 290 К - 4-10 Ом-см, коэффициент термочувствительности В в интервале температур 77 - 290 К составл ет 9444 К,
Стабильность электрофизических характеристик определ ли путем выдержки датчика в атмосфере иода при изотермической термообработке с-периодическим измерением электрофизи- .ческих свойств. Испытани показали стабильность электрофизических характеристик: 40 сут отклонени и В находили в пределах 0,2 - 1,2% и 5,2% соответственно электриче0
5
45
55
ре иода претерпели энaчитeль ыe изменени уже после 48 ч вьщержки (2 сут), при 20°С: отклонени f и В составл ли соответственно 8-10 и 43%,
В таблице приведены результаты измерений электрофизических характеристик датчиков температуры, изготовленных согласно предлагаемому способу ,
Ф. ормула изобретен-и
Claims (3)
1, Датчик температуры, содержащий коаксиально расположенные металлическую оболочку и цилиндрический электрод с размещеннь1м между ними поликристаллическим термочувствитель ным материалом, отличающий- с тем, что, с целью повышени стабильности электрофизических характеристик , в качестве поликристаллического термочувствительного материала использованы полииодиды кобальта или никел с карбамидом (Ur) состава СО (Ni) (Ur),, (1.), , причем отношение внутреннего диаметра металлической оболочки к диаметру цилиндрического электрода составл Со (Ur (1) 1,00 п 1,8:1
Со (Ur),J CI) 0,50 п 3,0:1
No (Ur)J CI) 0,75 п 2,4:1
LNi (Ur),J (IJa 1,10 n 2,4:1
Ni (Ur),J (t) 0,40 п 2,4:1
Co (Ur),J (I), 0,75 n 3,1:1
3,0 3,0 25 25
50 0,2-1,2 5,2
3,5 4,0 25 25 25 75 0,1-1,5 4,1
3,2 2,5 25
25 0,15-1,0 3,5
3,0 3,0 25 25 26 76 1,0-3,0 6,7
3,0 3,0 24
3,6 2,4 25 25
24 1,2-3,2 7,1
50 1,1-3,4 6,9
10
900944
ет 3,0 - 3,5, а отношение высоты рабочего сло поликристаллического термочувствительного элемента к его диаметру составл ет 2,5-4,0,
2,Датчик по п.1, о т л и - чающийс тем, что полииодиды кобальта или никел с карбамидом (Ur) состава tCo (Ni) (Ur),-l (I имеют массовое соотношение иодид декакарбамид никел или кобальта
и иода, равное (1,8 - 3,П):1.
3.Способ изготовлени датчика температуры путем размещени поликристаллического термочувствительного материала между коаксиально расположенными металлической оболочкой и цилиндрическим электродом, отличающийс гем, что, с целью повьш1ени стабильности электрофизических характеристик, поликристаллы термочувствительного материала фракции 0,5 - 1,0 мм после размещени между металлической оболочкой и цилиндрическим электродом подвергают прессованию под давлением
25 - 75 МПа, причем через каждые 25 МПа осуществл ют охлс1ждение прессовок до исходной температуры.
15
20
25
50 0,2-1,2 5,2
25 0,15-1,0 3,5
24 1,2-3,2 7,1
50 1,1-3,4 6,9
Со (UrJJ (1), 0,75 2,9 4,1 25 25
-5
(прототип)
0,30 2,5 2,0 100
Примечание, пмассовое соотношение иодид декакарбамид никел (кобальта) к иоду. Стабильность электрофизических свойств определ ли как отклонение по удельному объемному электросопротивлению ( и коэффициенту термочувствительности (В) при вьщержках в йодной атмосфере при 20 С в течение 1000 ч в
Р - Р % от начального значени :-100;
В,
100.
Составитель В.Агапова Редактор А.Лежнина Техред А.Кравчук Корректор С.Черни
Заказ 7890/36 Тираж 799 Подписное
ВНИИПИ Государственного комитета СССР
по делам изобретений и открытий 113035, Москва, Ж-35, Раушска наб,, д.4/5
Производственно-полиграфическое предпри тие, г.Ужгород, ул.Проектна ,4.
Продолжение таблицы
50 1,7-4,0 6,7 100 8,q-10,043,0
100.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| SU853914022A SU1290094A1 (ru) | 1985-06-14 | 1985-06-14 | Датчик температуры и способ его изготовлени |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| SU853914022A SU1290094A1 (ru) | 1985-06-14 | 1985-06-14 | Датчик температуры и способ его изготовлени |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| SU1290094A1 true SU1290094A1 (ru) | 1987-02-15 |
Family
ID=21183833
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| SU853914022A SU1290094A1 (ru) | 1985-06-14 | 1985-06-14 | Датчик температуры и способ его изготовлени |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| SU (1) | SU1290094A1 (ru) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| RU2341782C2 (ru) * | 2006-12-20 | 2008-12-20 | Физический институт имени П.Н. Лебедева Российской академии наук | Алмазный детектор |
-
1985
- 1985-06-14 SU SU853914022A patent/SU1290094A1/ru active
Non-Patent Citations (1)
| Title |
|---|
| Орешкин П.Т. Физика полупроводников и диэлектриков. М.: Высша школа, 1977, с.276. Авторское свидетельство СССР N 1024748, кл. С 01 К 7/22,23.06.83. * |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| RU2341782C2 (ru) * | 2006-12-20 | 2008-12-20 | Физический институт имени П.Н. Лебедева Российской академии наук | Алмазный детектор |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| Meissner et al. | Measuring normal stress differences in polymer melt shear flow | |
| Bundy et al. | Behavior of metals at high temperatures and pressures | |
| Scarr et al. | Thermistors, their theory, manufacture and application | |
| SU1290094A1 (ru) | Датчик температуры и способ его изготовлени | |
| Kolouch et al. | Thermal Conductivities of Polyethylene and Nylon from 1.2 to 20 K | |
| US5653954A (en) | Nickel-manganese oxide single crystals | |
| Norton | The flow of ceramic bodies at elevated temperatures | |
| DE19756069C1 (de) | Differenz-Thermoanalyse-Vorrichtung | |
| US6099164A (en) | Sensors incorporating nickel-manganese oxide single crystals | |
| CN102822394B (zh) | 高绝缘、高稳定性压电ltga单晶及其制造方法、以及使用该ltga单晶的压电元件及燃烧压传感器 | |
| US2947163A (en) | Material testing apparatus and method | |
| JP2567441B2 (ja) | 熱伝導率の測定方法、測定装置およびサーミスタ | |
| WO1996040589A1 (en) | Nickel-manganese oxide single crystals | |
| Beukel | Analysis of anelastic relaxation and internal friction data of amorphous materials | |
| SU1561025A1 (ru) | Способ измерени теплопроводности | |
| SU783666A1 (ru) | Термоэлектрическое устройство дл контрол металлов и сплавов | |
| Boucher | Theory and applications of thermistors | |
| EP0906246A1 (en) | Growth of nickel-cobalt-manganese oxide single crystals | |
| Dieterich | The influence of annealing on the characteristics of light-sensitive selenium | |
| Wasan | Sag method for the determination of coefficient of linear thermal expansion of carbon fibres | |
| Godfrey | Further data on gold-chromium resistance wire | |
| Lanchester et al. | Apparatus for heat capacity measurements of amorphous metals | |
| Gasson | Apparatus for the differential thermal analysis of compounds with high vapour pressure components | |
| Jones et al. | An experiment on specific heat of solids | |
| Kim et al. | An investigation of the thermoelectric properties of type S thermocouples from different manufacturers |