ЧH
СЛ О Изобретение относитс к исследов нию физических и химических свойств веществ, в частности к избирательнo fy травлению и полированию кристаллов висмута в процессе их подготовки дл металлографического иссле довани , например, процессов разрушени методом изучени дислокационной структуры вершины трещин. Известен способ вы влени дислок ционной структуры вершины трещин в ионных кристаллах, заключающийс в том, что, например, кристаллы LiF и NaF трав т в растворе FeCl. а кристаллы NaCl трав т в чистом метиловом спирте pj.. Однако этот способ не позвол ет вы вл ть дислокационную структуру вершины трещин в кристаллах с ковалентной или металлической св зью. Наиболее близким к предлагаемому вл етс способ 2 травлени кр таллов висмута состо щий в том, что исследуемые плоскости полируют и избирательно трав т при помощи трав тел , содержащего ингредиенты В сле дующих количествах, Ьб,ч.: Азотна кисло а (плотность 1,36) 2,5-5,0 Уксусна кислота ( лед на ).7,0-9,0 Плавикова кислота (50%-на )0,02-0,J6 Травление провод т при 16-18 С. Этот способ также не позвол ет вы вл ть дислокационную структуру вершины трещин в кристаллах висмута Необходимо обеспечить возможност проведени металлографических иссле дований процесса разрушени кристал лов путем изучени дислокационной структуры вершины трещин в, кристаллах висмута. Целью изобретени вл етс увеличение четкости изображени дислокационных мок трайлени в вершинах трещин кристаллов висмута. Поставленна цель достигаетс тем, что согласно способу травлени кристаллов висмута в растворе, содержащем об.ч,: Азотна кислота ( плотность 1,36) 2,5-5,0 Уксусна кислота ( лед на )7,0-9,0 Плавикова кислота ( 50%-на )0,02-0,16 при заданной температуре и времени , травление ведут при (-5) - (+4)fc в течение 30-40 мин. „Травление при температуре менее .-5°С и времени более.40 мин не приводит к вы влению на вершинах трещин в кристаллах мок травлени . При температуре более и времени менее 30 мин в вершине трещин вытравливаетс сплошна канавка и нет четкости дислокационных мок травлени . Провод т исследовани монокристаллических слитков висмута, содержащих трещину, получаемую путем неполного скола кристалла вдоль плоскости распространени трещин (И). В качестве исследуемых берут плоскости, содержещие трещину и составл ющие с плоскостью (Ш) угол, близкий к пр мому (например плоскость-типа (ЮИ, получаемые электроискровым разрезанием слитков. После тонкого механического шлифовани этих плоскостей их подвергают травлению (см.таблицу).SL O The invention relates to the study of the physical and chemical properties of substances, in particular, to selective etching and polishing of bismuth crystals in the course of their preparation for metallographic investigation, for example, the processes of destruction by the method of studying the dislocation structure of the crack tip. The known method of detecting the dislocation structure of the tips of cracks in ionic crystals is that, for example, LiF and NaF crystals are etched in a solution of FeCl. and NaCl crystals are etched in pure methyl alcohol pj. However, this method does not allow detection of the dislocation structure of the tip of cracks in crystals with a covalent or metallic bond. The closest to the present invention is the method 2 of etching the crystals of bismuth, which consists of polishing and selectively etching the planes with the help of herbs, containing the following ingredients, b, h: Nitric acid (density 1.36 ) 2.5-5.0 Acetic acid (ice) .7.0-9.0. Hydrofluoric acid (50%) 0.02-0, J6 Etching is carried out at 16-18 C. This method is also not allows to reveal the dislocation structure of the tip of cracks in bismuth crystals. It is necessary to ensure the possibility of conducting metallographic investigations of the pr cession fracture crystals has a dislocation structure by examining peaks in the cracks, bismuth crystals. The aim of the invention is to increase the clarity of the image of dislocation moistening at the tips of cracks of bismuth crystals. This goal is achieved by the fact that according to the method of etching bismuth crystals in a solution containing vol. H .: Nitric acid (density 1.36) 2.5-5.0 Acetic acid (ice) 7.0-9.0 Hydrofluoric acid (50%) 0.02-0.16 at a given temperature and time, etching is carried out at (-5) - (+4) fc for 30-40 min. Etching at a temperature of less than -5 ° C and time longer than 40 minutes does not lead to the appearance of etching cracks on the tops of cracks in the crystals. When the temperature is longer and the time is less than 30 minutes, a continuous groove is etched in the top of the cracks and there is no definition of the dislocation etching motions. Studies have been carried out on bismuth single crystal ingots containing a crack obtained by incompletely cleaving the crystal along the crack propagation plane (I). Planes containing a fracture and components with a plane (Ø) angle close to a straight line (for example, a plane-type (LI obtained by electric-spark inging of ingots) are taken as test ones. After fine mechanical grinding of these planes they are etched (see table).
16 1/60; 1/30;Во всех шести 1/12;на канавка 1/6; 1/3; 2-3 , 10 10Нет четкости 2016 1/60; 1/30; In all six 1/12; on the groove 1/6; 1/3; 2-3, 10 10 No definition 20
Имеетс четкость, но не на всех мках травлени опытах нет четкости - сплошсплошна канавкаThere is clarity, but not on all etching experiments there is no clarity - a continuous groove