SU101152A1 - The method of increasing the surface conductivity of glass - Google Patents
The method of increasing the surface conductivity of glassInfo
- Publication number
- SU101152A1 SU101152A1 SU435108A SU435108A SU101152A1 SU 101152 A1 SU101152 A1 SU 101152A1 SU 435108 A SU435108 A SU 435108A SU 435108 A SU435108 A SU 435108A SU 101152 A1 SU101152 A1 SU 101152A1
- Authority
- SU
- USSR - Soviet Union
- Prior art keywords
- glass
- increasing
- surface conductivity
- tin
- sno
- Prior art date
Links
- 239000011521 glass Substances 0.000 title description 9
- 238000000034 method Methods 0.000 title description 5
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical group O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000000463 material Substances 0.000 description 3
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 239000007858 starting material Substances 0.000 description 2
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 101150081375 DSCC1 gene Proteins 0.000 description 1
- 101100396994 Drosophila melanogaster Inos gene Proteins 0.000 description 1
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910006724 SnOa Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- PWWSSIYVTQUJQQ-UHFFFAOYSA-N distearyl thiodipropionate Chemical compound CCCCCCCCCCCCCCCCCCOC(=O)CCSCCC(=O)OCCCCCCCCCCCCCCCCCC PWWSSIYVTQUJQQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 1
- 238000003303 reheating Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Surface Treatment Of Glass (AREA)
Description
Р д отраслей 11ромышлен)юсти нуждаетс в стеклах, обладающих ловышсниой поверхностной элсктроп юводностыо . Обычно примен емые способы Ю15ышен11 поверхностно электропроводностн путем создани на пове жностн стекол прозрачных по,1унровод1П1ковых пленок не обеспечивают гю.чучснн пленок, имеющих равномерную по поверхности стекл нного нзде.тн TO.iHiniiy и обладаюн1нх достаточно им ческо1A number of industries (industry) need glass that has a flush surface electrical equipment. The commonly used Yu15yshen 11 methods of surface electroconductivity by creating transparent on the surface of glasses, 1-conductor 1 P1 films, do not provide films with films that are uniform over the surface of glass n.de. TO.iHiniiy and possess sufficiently small ones.
yCTOii4H ,.yCTOii4H,.
в основу Т1редлагаемо -о способа повышен1 поверхностной элект1юпроводпост стекол положен сам по себе 1звестный метод образован на новерхност стек.ч нного нздел1 прозрачной полунровод ,еГ нленкн из oKHCvioB олова, получаемой з нредварител э11о } а есе 1ного па по ерхность издели тонкого сло исходного материала.The basis of the T1 proposed method of upgrading the surface electrical conductor of glasses is laid by itself.
Особенность пред,та аемо Ч) способа закл Очаетс в том, что в качест е исходных материалов примен ют меТаЛЛ ЧеСКОС НЛИ ОЛОВЯ НОэт 1 , 8п(ОС2Н,г,),,, неревод т чти материалы в двуокись олоиа и затем нодверга от изделие нагреву ирн тем1 ературе пор дка 450 С дл The peculiarity of this method is the fact that it is found that metal materials are used as the starting materials. TEA NO. 1, 8n (OC2H, g), non-conversion of materials into dioxide and then from the product heat the temperature in the order of 450 ° C for
КНС. SnC)., до SnO CJ л-1.KNS. SnC)., Up to SnO CJ L-1.
При дист1 гаетс y ipoiueH e техноЛоги образован Я полунро;;рачной на поверх ост11 , , а сама 1ленка получаетс равпомерной но то.,When y ipoiueH e techno logs are dis- torted, I am formed semi-horizontally ;; on the top of the rest 11, and the film itself is ravnomernoe but.
уСТ011Ч1 ВОЙ рОТИВ Х1 М ЧеСКИХ ВОЗДеЙСТВИ 1 СТабиЛЫ ОЙ в SETTOR1CH1 VOY DURING H1 M CHAIR IMPACTS 1 STABLES OU
эле аропроводност 1.Element arrowdness 1.
Технолог образова1 1 Я плсикч i случае прнме 1ен1 оло15а в 1 сходного матер а,1а состоит в следу онде ..Technologist obrazova1 1 I plsikch i case PRNME 1EN1 OLO15A 1 similar material, 1A is in the wake of onde ..
ПоверХПОСТ, С.ТеКЛЯ 1ЛО 0 .1ДОЛИИPOVERHPOST, S.TEKLA 1LO 0 .1REQUENCES
1 редвар1 телы о очн ца1от дисгиллирова ной водой, спиртом 1 су1иат нр1 100 с в течение одного часа, илс.ю чего а П(,1хиость и,,де, нанос т eтoдoм распыле 1Я в вакууме слой металлического олова из нарообрп,иой фазы. Толщина сло металлического олова от длительности )сиарени . Затем 1зде,тио 1 рогрева от при 200 С в олуто11а часов с ок 1слени Sn до (i. и вслед за 1одвергаюг вторичному прогреву пр 450 С в течен е двух часо д. окнс.тенн SnOдо SnO с: -ь л),1 redvar1 bodies are of dcc1 from disgilliruyu water, alcohol 1 suiat nr1 100 s for one hour, or whatsoever a P (1 . The thickness of the metal tin layer on the duration of sieraf. Then 1, thio 1 rogreva from at 200 C in only 11 hours from approx 1 Sn of Sn to (i. And after 1 secondary reheating of pr 450 C for two hours.
В случае использовани в качестве исходного материала олов н п-эт лового эфира, O4nnieinioc стек. ино1 изделие закрепл от в патроне одноiiniiiiHi .Mi-iiMiI (|;1И1ч;1 ii при ni.icijHJM 1,1aiiu iliiii iiJiiiiMMi ii:i iii.io n.iiMiKVIn the case of using n-p-ethanol ether as the starting material, O4nnieinioc is a stack. in1 product fixed from in the cartridge single iiiiiiHi .Mi-iiMiI (|; 1I1ch; 1 ii with ni.icijHJM 1,1aiiu iliiii iiJiiiiMMi ii: i iii.io n.iiMiKV
Э(|)11ри Sii|()(:.. 1,) , ii.i 1Г)%-)1010 ;iiU4()iK)i.ni (I рлстиорл. Паисссиис плгики 11рп11:.подптс комнатной т1М11грат ре методом, примен емым р, нрсн-uor.UMiHH (ЧИНКИ. Па И)злу( уже при комнатных температурах нроисчолит Hciiapeinie анетоиа и рал .тпженис эфнра но ехемо:E (|) 11ri Sii | () (: .. 1,), ii.i 1G)% -) 1010; iiU4 () iK) i.ni (I rlstiorl Paisssi pgiki 11rp11:. applied p, nrsn-uor.UMiHH (CHINKI. Pa I) to evil (even at room temperature, nroischolite Hciiapeinie anethoia and ralt.phenis efnra no exo:
Sn(OC2H,)., + 21loO-SnO., + + 4C2ll,OH.Sn (OC2H,)., + 21loO-SnO., + + 4C2ll, OH.
В 11е,1у.;гьтате этих нроцессов на поверхности стекла нолучаетс плеика олопа. Затем деталь помеHiaioT в печь, нагревают до 450 С и медленно ох.чаждают. После прогреi;a на стекле образуетс Т1олуп1к водникова пленка SnO cj 4 л), пмеюща одинаковую толищиу по всей поверхностн издели . По своим свойствам пленка, нолучеина из олов иноrin .i iii:ii ( )фпра, .И)1 нчна п.юпке, Н()луч( п. ме1а.тлнческого олова.In the 11th, 1st.; Gstata of these processes on the surface of the glass there is a film of the loop. The part is then placed in the oven, heated to 450 ° C and cooled slowly. After heating; a T1muplc water film SnO cj 4 L forms on the glass, naming the same volume over the entire surface of the product. According to its properties, the film, noluchein of tin inos .i iii: ii () fpra, .I) 1 night p. O, H () beam (n. 1t.tlncheskogo tin.
П |) о д м и .4 о П р е т е н и P |) o d m i .4 o P e te n u
Споеоп по1Л)1И1е1Н1 noBejiXHOCTHoA 5лектронро1 однос1Н стекол цугом oGразованн на поверхности стекл нного н.чде.ти прозрачной но.тунровоДЯ1ИРЙ n.icHKM из окнглг1в олова, но .тучаемой in предварительно нинесениого на noiiepxaocib издели тонкото сло нсходного матерна.та. о тл н ч а н in н Г с тем. что. i, цел х уирон енн ехнологн11 н ,111Я равномерной но толнип1е тьтенкн, в качестве исходных материалов примен ют мета.тлнческое олово 11ЛИ олов нно-этиловый y(|nip - Sn (OC2H.-,)4, иеревод т эти материа .чы IB двуокись олова SnO2 и затем подвергают изделие нагреву при температуре пор дка 450 С дл окислени SnOa до SnO CJ -г , .Allowed by 1l) 1l1e1H1 noBeji XHOCTHoA 5electron1 single-pane glass zug ov degraded on the surface of the glass ny opt about tl n ch and n in n g with so. what. i, in order to create a uniform technological, uniform, but thinnable, metal base tin 11 or tin ethyl y (| nip - Sn (OC2H .-) 4, and these materials are used. IB is tin dioxide SnO2 and then subjected to heating the product at a temperature of about 450 ° C to oxidize SnOa to SnO CJ-g,.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| SU435108A SU101152A1 (en) | 1950-09-22 | 1950-09-22 | The method of increasing the surface conductivity of glass |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| SU435108A SU101152A1 (en) | 1950-09-22 | 1950-09-22 | The method of increasing the surface conductivity of glass |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| SU101152A1 true SU101152A1 (en) | 1954-11-30 |
Family
ID=48375043
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| SU435108A SU101152A1 (en) | 1950-09-22 | 1950-09-22 | The method of increasing the surface conductivity of glass |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| SU (1) | SU101152A1 (en) |
-
1950
- 1950-09-22 SU SU435108A patent/SU101152A1/en active
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| BE811088A (en) | METHOD AND APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OF GLASS BY CONTIGUOUS FLOATING | |
| DK320879A (en) | Apparatus for the production of carbonated brewery products | |
| FR2288065A1 (en) | METHOD AND APPARATUS FOR BOMBING GLASS SHEETS | |
| IT7869421A0 (en) | PROCEDURE FOR FORMING TRANSPARENT TIN DIOXIDE FILM COATINGS PARTICULARLY ON TRANSPARENT SUBSTRATES SUCH AS GLASS AND THE LIKE | |
| NO136295C (en) | PROCEDURE AND APPARATUS FOR PREPARATION OF AN AGGLOMATED PREPARATION FOR USE IN GLASS PREPARATION | |
| IT7830947A0 (en) | APPARATUS FOR THE AUTOMATIC PRODUCTION OF INSULATING GLASS. | |
| SU101152A1 (en) | The method of increasing the surface conductivity of glass | |
| DK139513B (en) | Apparatus for coating a glass strip with a thin layer of metallic oxide. | |
| BE875486A (en) | SANDWICH PANEL, PROCESS AND APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OF THE said PANEL | |
| CH558310A (en) | METHOD AND DEVICE FOR MANUFACTURING SHEET GLASS. | |
| PT72254A (en) | METHOD AND DEVICE FOR THE MANUFACTURE OF GLASS BY FLOATING | |
| JPS55108781A (en) | Light receiving element | |
| NO145429C (en) | APPARATUS FOR PREPARING PLATE GLASS BY THE FLOW METHOD | |
| JPS5746107A (en) | Thin layer measuring apparatus by b rays | |
| JPS5319981A (en) | Functional organic material | |
| BE823982A (en) | METHOD AND APPARATUS FOR BOMBING GLASS SHEETS | |
| CH557788A (en) | METHOD AND DEVICE FOR MANUFACTURING SHEET GLASS. | |
| JPS52145047A (en) | Production of optical phase plate | |
| JPS56150591A (en) | Forming of optical record member | |
| JPS5218199A (en) | Liquid crystal display element process | |
| JPS5411674A (en) | Semiconductor device of mesa type | |
| JPS522190A (en) | Liquid crystal display element | |
| GB284942A (en) | Improvements in selenium cells | |
| MX151804A (en) | IMPROVED METHOD FOR DEPOSITING CONDUCTIVE FILM OF TIN OXIDE ON THE INTERIOR SURFACE OF GLASS PIPE | |
| JPS52139483A (en) | Tester for glass bottle or the like |