SU1058912A1

SU1058912A1 - Semiconductor glaze

Info

Publication number: SU1058912A1
Application number: SU823433435A
Authority: SU
Inventors: Николай Николаевич Булах; Нина Семеновна Демидова; Хадды Сабирович Валеев; Инна Хамидовна Мороз; Владимир Александрович Князев
Original assignee: Всесоюзный Научно-Исследовательский И Проектно-Технологический Институт Электрокерамики
Priority date: 1982-05-06
Filing date: 1982-05-06
Publication date: 1983-12-07

Abstract

ПОЛУПРОВОДЯЩАЯ ГЛАЗУРЬ включающа ЭЮ , Af гО СаО, МдО, К2О, ЫадО, TiO, SnOqt отличающа с тем, что, с целью повышени механической прочности и температурной зависимости сопротивлени , она дополнительно, содержит NiO и при следующем соотношении компонентов, мас.%: SiOi 36,8-47,8 , 7,4-9,7 CaO 2,4- 3,2 MgO 1,5-1,9 KiO 1,4- 1,7 0,5- 0,7 Ti02 3,0- 4,1 SnO 5,6- 8,0 NiO 0,5- 0,8 . Рез0425,,1SEMI-CONDUCTING EYE, including EY, Af gO CaO, MDO, K2O, Lado, TiO, SnOqt, is characterized by the fact that, in order to increase the mechanical strength and temperature dependence of resistance, it also contains NiO and the following ratio of components, wt.%: SiOi 36.8-47.8, 7.4-9.7 CaO 2.4-3.2 MgO 1.5-1.9 KiO 1.4- 1.7 0.5- 0.7 Ti02 3.0 - 4.1 SnO 5.6 - 8.0 NiO 0.5 - 0.8. Res0425,, 1

Description

СПSP

00 CO00 CO

Изобретение относитс к электро технической, энергетической промышленности и может быть использовано дл радиопомехоэащитних высоковольтных проходных, опорных, штырьевых и подвесных изол торов, а также дл выравнивани потенциала вдоль поверхности изол торов, работаю1цих в районах сильного загр знени .The invention relates to the electrical engineering, energy industry and can be used for radio interference of high-voltage pass-through, supporting, pin and suspension insulators, as well as for equalizing the potential along the surface of insulators operating in areas of high contamination.

Известна полупровод ща глазурь Щ, содержаща , мае; %:The semiconducting glaze is known, including May; %:

SiOft 44,1-51,5 SiOft 44.1-51.5

8,9-10,4 8.9-10.4

РеаО,, 18,ReAO, 18,

TiOi 9,1- 6,9TiOi 9.1- 6.9

Вг.Ог 8,5- 6,5Вг.Ог 8,5-6,5

Sb-zOj 3,8-2,8Sb-zOj 3.8-2.8

MgO 1,7- 2,0MgO 1.7-2.0

CaO 2,9-3,3CaO 2.9-3.3

KjO 1,6- 1,9KjO 1.6-1.9

Na2O 0,6- 0,7Недостатком такой глазури вл етс сравиительно высокое удельное поверхностное сопротивление и недостаточно высока температура, при которой сопротивление уменьшаетс , вдвое,Na2O 0.6-0.7. The disadvantage of such a glaze is a comparatively high surface resistivity and the temperature is not high enough at which the resistance is halved.

Наиболее близкой кПредлагаемой вл етс глазурь 2Q , содержаща Closest to the Offer is a 2Q glaze containing

мае.%:,May.% :,

Si02 25-69 ( ZrO 1-10 3-9 FeiO-,, 15-30 CaO 0,1-1,5 MgO 1-5 TiO 5-10 1-3 SO 0,01-0,5 ZnO 7-25 . CaP2 1-20Si02 25-69 (ZrO 1-10 3-9 FeiO-, 15-30 CaO 0.1-1.5 MgO 1-5 TiO 5-10 1-3 SO 0.01-0.5 ZnO 7-25 CaP2 1-20

Указанна глазурь имеет невысокую механическую поочнппть и темпеоатурную зависимость сопротивлени This glaze has a low mechanical position and tempoaturous dependence of resistance

Цель изобретени - повышение тепературной зависимости сопротивлени и механической прочности.The purpose of the invention is to increase the temperature dependence of resistance and mechanical strength.

Она достигаетс тем, что полупрвод ща глазурь, включающа S102, Al20-5, СаО, MgO, KjO, TiO , SnOj, дополнительно содержит NiO и ) при следующем соотношении компонентов, мас.%:It is achieved by the fact that the semi-conducting glaze, including S102, Al20-5, CaO, MgO, KjO, TiO, SnOj, also contains NiO and) in the following ratio, wt.%:

SiO 36,8-47,8 AliO 7,4- 9,7 CaO 2,4- 3,2SiO 36.8-47.8 AliO 7.4- 9.7 CaO 2.4- 3.2

.1,5- 1,9 .1,5- 1,9

MgO 1,4- 1,7 MgO 1.4-1.7

KjOKjo

NazO 0,5- 0,7 NazO 0,5-0,7

Ti02 3,0-4,1 Ti02 3.0-4.1

SnO 5,6- 8,0 SnO 5,6- 8,0

MiO 0,5- 0,8MiO 0.5-0.8

25,9-37,1 Приготовление глазури привод т следующим образом. 25.9-37.1 Preparation of the glaze is as follows.

Полупровод щие окислы в опреде10 ленном процентном соотношении Semiconducting oxides in a certain percentage

( 74,0; TiOj 8,5; SriO 16,0; NiO 1,5) смешивают по мокрому способу в шаровой мельнице в течение 4 ч, после чего высушивают в сушиль5 ном шкафу при 100-1050с. Затем приготавливают глазурь методом смешени полупровод щей смеси окислов и керамической неокрашенной глазури i Смешение полупровод щих окис0 лов с керамической глазурью провод т в соотношении 50, 40, 30% и 50,60,70% соответственно.(74.0; TiOj 8.5; SriO 16.0; NiO 1.5) are mixed by a wet method in a ball mill for 4 h, then dried in a drying cabinet at 100-1050 s. Then, the glaze is prepared by mixing a semiconducting mixture of oxides and ceramic unpainted glaze. The mixture of semiconducting oxides and ceramic glaze is carried out in a ratio of 50, 40, 30% and 50.60.70%, respectively.

Химический состав керамической глазури, мас.% SiOg 73,5; с 14,9; СаО 4,9; MgO 2,9; 2,7; 1,1..The chemical composition of the ceramic glaze, wt.% SiOg 73,5; c 14.9; CaO 4.9; MgO 2.9; 2.7; 1.1 ..

Тонкость помола глазури характеризуетс величиной частиц не более 40 мкм.The fineness of the glaze is characterized by a particle size of not more than 40 microns.

Получешную глазурь методом оку нани нанос т на образцы и обжига- ют в пламенной печи при 1300-1320 0 по режиму обжи-га электротехнического фарфора. Таким образом приго-. тавливают различные составы гла5 зурей.The finished glaze is applied to the samples by the method of an eye and burned in a fiery furnace at 1300-1320 0 according to the firing mode of electrical porcelain. Thus, the They crush various compositions of the Zura.

В табл. 1 и 2 приведены конкретные составы глазурей и их свойства соответственно.In tab. 1 and 2 show the specific compositions of the glazes and their properties, respectively.

Полуправ од ща глазурь дл элек0 тротехнического фарфора нар ду с низким значением поверхностного сопротивлени имеет высокое значение температурной зависимости сопротивлени и характеризуетс вы5 сокой механической прочностью.Semi-right, the glaze for electrical porcelain, along with a low surface resistance, has a high value for the temperature dependence of resistance and is characterized by high mechanical strength.

Чем выше и Т глазури, тем она стабильнее в эксплуатации, С низкой -ДТ изол торы в услови х эксплуатации часто пробиваютс .. 0 Повышение электротехнических свойств изол торов, покрытых полупровод щей глазурью, дает возм.ожность существенно повысить качество изображени телевизионных передач е и радиоприема.The higher the T and the glaze, the more stable it is in operation. Under low-DT insulators under the operating conditions are often punched. 0 Improving the electrical properties of insulators covered with semi-conducting glaze makes it possible to significantly improve the image quality of television programs e radio reception.

Таблица 4Table 4

136,80 7,4 2,41,51,4 244,28,9 3,01,71,6 347,8 9,7 3,21,91,7 136.80 7.4 2.41.51.4 244.28.9 3.01.71.6 347.8 9.7 3.21.91.7

Сопротивление единицы поверхности при 250®С, Ом IResistance to surface unit at 250 ° C, Ohm I

Механическа прочность , 6 Mechanical strength, 6

Температурна зависимость сопротивлени (4Т05А), ОсTemperature dependence of resistance (4Т05А), Oc

Таблица 2table 2

9,8109,810

loslos

4,3.1054.3.105

12601260

980980

8080

6565

90 0,5 37,1 4,10 8,00 0,8 0,6 29,6 3,46,40/6 0,7 25, 3,0 5,6 0,590 0.5 37.1 4.10 8.00 0.8 0.6 29.6 3.46.40 / 6 0.7 25, 3.0 5.6 0.5

Claims

(56) .1 * USSR copyright certificate on application ”3283433 / 29-33, cl; C 03 C 9/00, 1981.

2. Copyright certificate of the USSR ”430,078, cl. С 03 С 9/00, 1972. ((54) (5 7) SEMICONDUCTING GLAZE, including SiO _z , А1 ₂ О _Э , CaO, MdO,

K ₂ O, Na ₂ O, TiO ₂ , SnO ₂ , characterized in that, in order to increase the mechanical strength and temperature dependence of the resistance, it additionally contains NiO and Fe ^ O ^ in the following ratio of components, wt.%:

SiO ₂ 36.8-47.8 Αί ₇ Ο, 7.4-9.7 CaO '2.4 - 3.2

MgO 1.5-1.9 K _t O 1.4-1.7 Na ^ 0 0.5--0.7

TiOj 3.0-4.1 SnO _t 5.6-8.0 NiO 0.5-0.8. Fe ₃ O ₄ 25.9-37.1 § ω