SE516368C2 - High density multilayer wiring board - includes signal wiring and ground wiring arranged alternatively queued up in single layer along laminated direction of conductive layer - Google Patents

Description

can nu: o o :o :wav oo :nu o n uu v I a q e I u I I s o v ß o o a n s v n v n nu en .p n- u av u n o u u 1 n n o u n a os nu n 2 Uppfinningen kommer att beskrivas i detalj i det följande med hänvisning till bifogade ritningar, på vilka fig ]..är en tvärsektionsvy av väsentliga delar i ett såsom exempel tjänande konventionellt flerskiktat sammankopplingskort, fig 2 är en tvärsektionsvy av väsentliga delar i ett annat som exempel tjänande konventionellt flerskiktat sammankopplingskort, och fig 3 är en tvärsektionsvy av väsentliga delar i ett_ flerskiktat samman- kopplingskort enligt en föredragen utföringsform av föreliggande uppfinning.

Konventionellaflerskiktadesammankopplingskortkommeratt beskrivas med hänvisning till fig 1 cxflx 2 för att föreliggande uppfinning skall förstås bättre.

I fig 1 innefattar ett flerskiktat sammankopplingskort signalsammankopplingsskikt. 12 och jordskikt 13 son: är' bildade växelvis på däremellan införda isolerande skikt 11. Vart och ett av signalsammankopplingsskikten 12 innefattar ett flertal signal- sammankopplingsmönster. På likartat sätt innefattar vart och ett av jordskikten 13 ett flertal jordsammankopplingsmönster. Med signalsammankopplingsskiktet 12 sandwichartat infört mellan två jordskikt 13 genom de angränsande isolerande skikten 11 blir det möjligt att reducera överhörningsbrus som alstras till följd av signalsammankopplingsmönstret hos ett annat skikt eller hos andra skikt.

I den i fig 1 visade anordningen uppgår antalet signal- sammankopplingsskikt till hälften av det totala antalet skikt, vilket innebär att många skikt krävs.

I fig 2 innefattar ett flerskiktat sammankopplingskort signalsammankopplingsskikt 22a och 22b som är anordnade på ömse sidor om ett isolerande skikt 21. Signalsammankopplingsskikten 22a och 22b bildar ett flertal sammankopplingsmönster som sträcker sig i vinkelrät riktning mot varandra. Närmare bestämt sträcker sig signalsammankopplingsmönstren på signalsammankopplingsskiktet 22a i en riktning medan de som är belägna på signalsammankopplings- skiktet 22b sträcker sig i en annan riktning som är vinkelrät mot den förstnämnda riktningen. Jordskikt 23a och 23b är bildade på de isolerande skikten 21 intill de övre och nedre ytorna på signal- sammankopplingsskikten 22a resp 22b. »vu- u o o n ø . u ø v v o. 516 368 3 Detta flerskiktade sammankopplingskort möjliggör reduce- ring av överhörningsbrus även då signalsammankopplingsskikten 22a och 22b ligger intill varandra utan jordskiktet. Dessutom har det flerskiktade signalsammankopplingsskikt än vad som har beskrivits i samband med sammankopplingskortet i denna anordning flera fig 1.

Emellertid är den i fig 2 visade anordningen inte tillämplig när antalet signalsammankopplingsmönster i en riktning är ytterst stort och antalet signalsammankopplingsmönster i den andra riktningen är ytterst litet. Vidare kan signalsammankopp- lingsmönstren i den i fig 2 visade anordningen inte approximeras till mikrobandlinjer eller bandlinjer. Det är således inte lätt att förutsäga eller uppskatta den karaktäristiska impedansen hos sammankopplingskortet vid tidpunkten då detta konstrueras.

Med hänvisning till fig 3 kommer ett flerskiktat samman- kopplingskort enligt en föredragen utföringsform av föreliggande I fig 3 innefattar ett flerskiktat sammankopplingskort två isolerande skikt 31 och strömledande skikt 32 och 33 bildade på båda sidorna om varje isolerande skikt 31. Det isolerande skiktet 31 består av värmebeständigt isolerande harts.

Ett isolerande skikt 34 bildat av ett mönsterkort är sandwichartat infört mellan de båda isolerande skikten 31. skikt är sammanfogade till en integrerad anordning genom värme och tryck. hartset epoxihartser som är impregnerade med ett glasfibersubstrat och uppfinning att beskrivas.

Dessa Exempel på det värmebeständiga isolerande inkluderar polyamidhartser som är iflpregnerade med ett glasfibersubstrat.

Ifrågavarande mönsterkort erhålls genom att man impregnerar ett harts i ett substrat såsom glasfibrer som är bildade till ett halvhärdat ark. Nämnda.mönsterkort omvandlas till ett visköst fluid när den upphettas och härdas successivt med tiden för att tjäna som ett bindemedel med avståndet upprätthållet mellan ett isolerings- skikt och ett mellanskikt. Material i sammankopplingsmönstren för de strömledande skikten 32 och 33 kan utgöras av guld, silver och koppar, men inte av vilka koppar används i stor utsträckning, enbart detta, till följd av dess kostnadseffektivitet.

Det strömledande skiktet 32 är bildat mellan det övre isolerande skiktet 31 och det isolerande skiktet 34. Det ström- 516 368 -1 4 ledande skiktet 32 innefattar jordsammankopplingsmönster 32a och Likaså är det strömledande skiktet 33 bildat mellan det nedre isolerande skiktet 31 och det isolerande skiktet 34. Det strömledande skiktet 33 innefattar jordsammankopplingsmönster 33a och signalsammankopplingsmönster 33b. sidorna av signalsammankopplingsmönstren 32b för att säkerställa signalsammankopplingsmönster 32b.

Jordsammankopplingsmönstren 32a. bör vara. bildade på båda ett alternativt arrangemang av signalsammankopplingsmönstren 32b och jordsammankopplingsmönstren 32a.

Likaså innefattar det strömledande skiktet 33 intill det strömledande skiktet 32 också jordsammankopplingsmönstren 33a och signalsammankopplingsmönstren 33b som är växelvis anordnade. Det bör observeras att signalsammankopplingsmönstren 32b i det strömledande skiktet 32 är anbragta i ett sådant läge att de inte skall strömledande skiktet 33. Med andra ord är de strömledande skikten överlappas av signalsammankopplingsmönstren 33b i det 32 och 33 laminerade så, att signalsammankopplingsmönstren och jordsammankopplingsmönstren blir växelvis anordnade i riktningen för lamineringen. Varje signalsammankopplingsmönster är således omgiven av fyra jordsammankopplingsmönster genmm de isolerande skikten på de övre, nedre, högra och vänstra sidorna. Exempelvis är signalsammankopplingsmönstret 32b i det strömledande skiktet 32 omgivet av de fyra jordsammankopplingsmönstren 32a och 33a genom de isolerande skikten 31 och 34.

I det flerskiktade sammankopplingskortet som är utformat på det ovan angivna sättet i denna utföringsform av uppfinningen är signalsammankopplingsmönstret 32b elektriskt skärmat genom att vara infört mellan de båda jordsammankopplingsmönstren 32a på sina högra och vänstra sidor samt infört mellan de båda jordsamman- kopplingsmönstren 33a genom de isolerande skikten på sina övre och nedre sidor.

Därför kommer överhörningsbrus, om det induceras av ett visst signalsammankopplingsmönster 32b, att absorberas av de fyra jordsammankopplingsmönstren 32a och 33a på dess övre, nedre, högra och vänstra sidor. Detta reducerar så mycket som nöjligt eller t o m eliminerar ogynnsam verkan av överhörningsbruset på andra . n a Q ao 516 368 5 signalsammankopplingsmönster. Signalsammankopplingsmönstret 33b är likartat fallet med signalsammankopplingsmönstret 32b.

Den ovannämnda anordningen möjliggör approximation av det skiktet mikrobandledningar och av signalsammankopplingsmönstren i det inre Detta gör det möjligt att beräkna och förutsäga den karaktäristiska impedansen signalsammankopplingsmönstren i yttersta såsom skiktet eller de inre skikten som bandledningar. för signalsammankopplingsmönstret vid tidpunkten då sammankopp- lingskortet konstrueras.

Det är till avsevärd fördel att ta hänsyn till den karaktäristiska impedansen hos signalsammankopplingsmönstren. Den karaktäristiska impedansen kan inregleras genom att man ändrar bredden och/eller tjockleken hos och/eller avståndet mellan skikten.

Ehuru den ovanstående utföringsformen har beskrivits i signalsammankopplingsmönstret anslutning till ett flerskiktat sammankopplingskort som har fyra skikt är uppfinningen inte begränsad till detta, utan den kan tillämpas på ett flerskiktat sammankopplingskort som har flera skikt. sammankopplingskort vars jordskikt eller flera jordskikt är bildat resp bildade på hela ytan hos ett mellanskikt. Vidare kan jord- Dessutom. kan. uppfinningen tillämpas på ett flerskiktat sammankopplingsmönstren ersättas med mönster för sammankoppling med kraftkälla.medan.den ovan.beskrivna utföringsformen tillhandahåller jordsammankopplingsmönstren på de övre, nedre, högra och vänstra sidorna:nnsignalsammankopplingsmönstret. Sammanfattningsvisêhfdet enda.kravet att antingen jordsammankopplingsmönstren eller mönstren för sammankoppling av kraftkällor är anordnade på de övre, nedre, högra och vänstra sidorna av signalsammankopplingsmönstret.

Den första verkan hos föreliggande uppfinning ligger i den reducering som eventuellt alstras mellan Anledningen till detta att signalsammankopplingsmönstren enligt denna uppfinning är omgivna att elektrisk skärmningeursignalsammankopplingsmönstren.Överhörningsbrusetfrån av överhörningsbrus signalsammankopplingsmönstren. är av jordsammankopplingsmönstren för säkerställa ett visst signalsammankopplingsmönster kan därför absorberas av jordsammankopplingsmönstret, varvid den ogynnsamma effekten av n ~ o u .n a f . a n ø o n . a ø un n u 516 368 6 bruset på andra signalsammankopplingsmönster reduceras eller t o m elimineras.

Den andra verkan. av föreliggande uppfinning ligger i reducering av överhörningsbrus även då antalet sammankopplings- mönster som sträcker sig en riktning är ytterst stort, såsom i fallet med ett stödkort. Anledningen till detta är att vart och ett av signalsammankopplingsmönstren är elektriskt skärmat i stället för att mönstren. på angränsande strömledande skikt är korsade gentemot varandra såsom i teknikens ståndpunkt.

Den tredje verkan av föreliggande uppfinning är att det är möjligt att förutsäga och inreglera den karaktäristiska impedansen vid tidpunkten då mönstren konstrueras. Anledningen till detta är att signalsammankopplingsmönstren på det yttersta skiktet kan approximeras som.mikrobandledningar och att mönstren på de inre skikten kan approximeras som bandledningar. Den karaktäristiska impedansen kan således beräknas ur en känd ekvation som beror på bredden och/eller tjockleken hos mönstren. n nen

Claims (4)

u a n n o | u u o | nu n . 516 368 7 PATENTKRAV

1. l. Flerskiktat sammankopplingskort på vilket ett flertal strömledande skikt (32, 33) är laminerade med däremellan liggande isolerande skikt (31, 34), k ä n n e t e c k n a t därav, att vart och ett av nämnda strömledande skikt innefattar signalsammankopp- lingsmönster (32b, 33b) och jordsammankopplingsmönster (32a, 33a), att (32b, 33b) kopplingsmönstren är anordnade växelvis i. det enda signalsammankopplingsmönstren och (32a, 33a) strömledande skiktet, och att ifrågavarande flertal strömledande jordsamman- skikt är laminerade så att signalsammankopplingsmönstren (32b, 33b) och jordsammankopplingsmönstren (32a, 33a) är anordnade växelvis i lamineringsriktningen för ifrågavaranda flertal strömledande skikt.

2. Flerskiktat sammankopplingskort enligt krav 1, k ä n n e t e c k n a t därav, att nämnda signalsammankopplings- mönster i det yttersta strömledande skiktet är approximerade som mikrobandledningar medan nämnda signalsammankopplingsmönster i det inre strömledande skiktet är approximerade som bandledningar.

3. Flerskiktat sammankopplingskort i vilket ett flertal strömledande skikt är laminerade med däremellan liggande isolerande skikt, k ä n n e t e c k n a t därav, att vart och ett av nämnda strömledande skikt innefattar signalsammankopplingsmönster och antingen jordsammankopplingsmönster eller mönster för samman- koppling av kraftkällor eller båda dessa, varvid signalsammankopp- lingsmönstren och antingen jordsammankopplingsmönstren eller mönstren för sammankoppling av kraftkällor eller båda dessa är skiktet, och att ifrågavarande flertal strömledande skikt är laminerade så, att signalsammankopplingsmönstren och antingen jordsammankopplings- anordnade växelvis i det enda strömledande mönstren eller mönstren för sammankoppling av kraftkällor eller båda dessa är anordnade växelvis i lamineringsriktningen för de strömledande skikten.

4. Flerskiktat sammankopplingskort enligt krav 3, k ä n n e t e c k n a t därav, att nämnda signalsammankopplings¥ mönster är i det yttersta strömledande skiktet approximerade såsom mikrobandledningar medan nämnda signalsammankopplingsmönster är i det inre strömledande skiktet approximerade som bandledningar. u nu»