[go: up one dir, main page]

RU73126U1 - Двухцветный светодиод со встроенным термохолодильником для средней инфракрасной области спектра - Google Patents

Двухцветный светодиод со встроенным термохолодильником для средней инфракрасной области спектра Download PDF

Info

Publication number
RU73126U1
RU73126U1 RU2007119592/22U RU2007119592U RU73126U1 RU 73126 U1 RU73126 U1 RU 73126U1 RU 2007119592/22 U RU2007119592/22 U RU 2007119592/22U RU 2007119592 U RU2007119592 U RU 2007119592U RU 73126 U1 RU73126 U1 RU 73126U1
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
led
range
refrigerator
region
mid
Prior art date
Application number
RU2007119592/22U
Other languages
English (en)
Inventor
Сергей Сергеевич Молчанов
Юрий Павлович Яковлев
Николай Деев Стоянов
Биджигит Иржигитович Журтанов
Сергей Сергеевич Кижаев
Анастасия Павловна Астахова
Татьяна Игоревна Гурина
Original Assignee
Общество с ограниченной ответственностью "АИБИ"
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Общество с ограниченной ответственностью "АИБИ" filed Critical Общество с ограниченной ответственностью "АИБИ"
Priority to RU2007119592/22U priority Critical patent/RU73126U1/ru
Application granted granted Critical
Publication of RU73126U1 publication Critical patent/RU73126U1/ru

Links

Landscapes

  • Investigating Or Analysing Materials By Optical Means (AREA)

Abstract

Заявляемая полезная модель относится к устройствам, излучающих электромагнитные волны в среднем инфракрасном диапазоне (1.6-5.0 мкм), и может быть использована в портативных устройствах для оптической спектроскопии газов и жидкостей в диапазоне максимальной интенсивности характеристических линий поглощения химических веществ. Основными сферами применения являются экологический мониторинг, медицинская диагностика и непрерывный контроль над технологическими процессами. Задачей заявляемой полезной модели является реализация компактного двухцветного высокоэффективного светодиодного излучателя для средней ИК области спектра с конструкцией позволяющей температурной стабилизацией излучения.
Указанная задача решается посредством разработки двухцветного светодиода со встроенным термохолодильником и терморезистором. Изделие включает в себя два светодиодных чипа с максимумами излучения на разных длинах волн. Чипы изготовлены на основе гетероструктур. выращиваемых на подложках GaSb с четверным твердым раствором GaInAsSb в качестве активной области и широкозонным ограничительным слоем AlGaAsSb для диапазона 1600-2400 нм, или гетероструктур, выращиваемых на подложках InAs с бинарным InAs, тройным InAsSb или четверным InAsSbP слоем в качестве активной области и широкозонным ограничительным слоем InAsSbP для диапазона 2700-5000 нм.
Реализация двухканального термостабилизированнного излучателя для средней ИК области спектра позволить разработчикам портативных анализаторов существенно улучшить компактность, надежность и срок службы своих изделий.

Description

Полезная модель относится к устройствам, излучающим некогерентные электромагнитные волны в среднем инфракрасном диапазоне (1.6-5.0 мкм). и может быть использовано для оптической спектроскопии газов и жидкостей в диапазоне максимальной интенсивности характеристических линий поглощения химических веществ. Основными сферами применения являются экологический мониторинг, медицинская диагностика и непрерывный контроль над технологическими процессами.
Основные характеристические линии поглощения природных и промышленных газов и жидкостей, таких как метан СН4, углекислый газ СО2, вода Н2О и другие лежат в среднем инфракрасном спектральном диапазоне 1.6-5.0 мкм. Эти полосы поглощения уникальны для каждого химического вещества как отпечатки пальцев и хорошо известны современной молекулярной спектроскопии.
В настоящее время существуют портативные оптические анализаторы, в которых в качестве источника инфракрасного излучения применяются дисперсионные (тепловые) источники (http://www.bhkinc.com). В них проволочка или другой проводящий элемент нагревается за счет протекающего электрического
тока и излучает в широком спектральном диапазоне. Специальные оптические фильтры вырезают нужный спектральный диапазон. Такие ИК излучатели могут рассматриваться в качестве функционального аналога светодиодов для средней ИК области спектра.
Тепловые источники инфракрасного излучения в качестве ключевого элемента портативных оптических сенсоров обладают рядом недостатков:
- Низкая эффективность. Потребляется большая электрическая мощность, а из широкого спектра теплового излучения используется очень небольшая часть.
- Плохое быстродействие. Такой источник реально не может быть модулирован электрически, поэтому для обеспечения селективного усиления сигнала детектора используют механические модуляторы.
- Большие размеры. Компактность такого сенсора ограничивается необходимостью использования дополнительных фильтров, модуляторов, а так же большой рассеиваемой тепловой мощностью.
Существуют и источники среднего ИК излучения на основе переизлучения (фотолюминесценции), которые также могут рассматриваться в качестве аналога. В них поликристаллический слой PbSe нанесен на прозрачном окне. Коротковолновое излучение в районе 0.9 мкм от GaAs светодиода возбуждает фотолюминесценцию в слое селенида свинца с широким спектром и максимумом около 4.3 мкм. Нужный спектральный диапазон излучения вырезается с помощью оптического фильтра, www.optico.ru В целом вышеуказанные недостатки (низкое быстродействие, необходимость использования фильтров и использования малой части общего спектра излучения) остаются в силе и для данного типа ИК излучателей. К недостаткам следует прибавить также существенно более высокую
стоимость излучателей на основе переизлучения по сравнению с тепловыми источниками.
На результаты измерения концентрации газа с помощью оптического анализатора оказывают влияние такие факторы как изменение температуры и оптической прозрачности среды. Поэтому оптимальная измерительная схема должна содержать два канала - измерительный (на длине волны максимального поглощения измеряемого газа) и опорный (на длине волны, где поглощение данного газа минимально). Измерение дифференциальной разницы сигналов от измерительного и опорного источника обеспечивает стабильность результатов при изменении основных внешних факторов. Оптимальная надежность и стабильность измерений обеспечивается в случае применения двухлучевой схемы с температурной стабилизации.
Задачей заявляемого технического решения являлось создание нового двухцветного светодиода с встроенным термохолодильником для средней ИК области спектра. Ключевым элементом двухцветного светодиодного модуля являются светодиодные гетроструктуры на основе узкозонных полупроводниковых материалов А3В5. Конструкции светодиодных гетероструктур представлены на рис.1. Длина волны излучения светодиода определяется шириной запрещенной зоны, то есть составом твердого раствора в активной области. Для светодиодов, излучающих в диапазоне 1700-2400 нм (рис.1 а) в активной области применяется четверной твердый раствор GaInAsSb с содержанием индия 0-25%. Широкозонный твердый раствор AlGaAsSb с содержанием алюминия 64% применяется в качестве электронного ограничения. Структуры выращиваются на подложках GaSb методом жидкофазной эпитаксии (LPE) или газофазной эпитаксии из металлоорганических соединений (MOCVD). Для светодиодов, излучающих в диапазоне 2700-5000 нм
(рис.16) в активной области применяется четверной или тройной твердый раствор InAsSb(P) с содержанием фосфора 0-15% (2700-3400 нм) или сурьмы 0-20% (3400-5000 нм). Широкозонный твердый раствор InAsSbP с содержанием фосфора 50% применяется в качестве электронного ограничения. Структуры выращиваются на подложках InAs методом газофазной эпитаксии из металлоорганических соединений (MOCVD). Из гетероструктур с помощью фотолитографии формируются светодиодные чипы размером от 0.3×0.3 мм до 1.0×1.0 мм. Затем чип монтируется на керамической или кремниевой подложке размером от 0.8×0.8 мм до 2.0×2.0 мм (рис.2).
Двухцветный светодиодный модуль (рис.3) состоит из:
- корпус - 9
- термохолодильник - 10
- терморезистор - 11
- измерительный светодиодный чип - 12
- опорный светодиодный чип - 13
- рефлектор или крышка с окном - 14
Номера выводов модуля на рис.3 обозначены цифрами 1-8.
Модуль монтируется в 9 мм стандартном корпусе ТО-5 с 6 или 8 выводами (9). Встраевыемый в корпус термохолодильник (элемент Пелтье) размером 3×3 мм (10) обеспечивает тепературный перепад между горячим и холодным концом без нагрузки минимум 60 градусов. К холодному концу термохолодильника приклеивается температурный сенсор - терморезистор (11). На свободную поверхность холодного конца термохолодильника приклеиваются два уже смонтированных на подложках светодиодных чипов, излучающих на разных длинах волн (12 и 13). Анод и катод измерительного светодиода связываются
золотыми проволочками с внешними выводами модуля 1 и 2. Анод и катод опорного светодиода связываются с выводами 3 и 4. Выводы термохолодильника связываются с внешними выводами 5 и 6. Выводы терморезистора связываются с внешними выводами 7 и 8. При использовании 9 мм корпуса с 6 выводами катоды двух чипов припаяны прямо к корпусу. К корпусу приваривается крышка с окном диаметром 9 мм или параболический рефлектор с окном диаметром 15 мм для сужения диаграммы направленности светодиода.
Устройство работает следующим образом.
Выводы 1 и 2 светодиодного модуля подключаются к импульсному блоку питания измерительного канала. Выводы 3 и 4 подключаются к импульсному блоку питания опорного канала. Выводы 5 и 6 подключаются к температурному контроллеру, а точнее к схеме питания термохолодильника. Выводы 7 и 8 подключаются к схеме обратной связи температурного контроллера. Электронная схема, включающая импульсные блоки питания двух светодиодных каналов и температурный контроллер не является частью заявляемой конструкции. Разные варианты такой электронной схемы могут быть реализованы пользователями двухцветного светодиодного модуля для средней ИК области спектра. При этом схема должна обеспечить указанные в техническом паспорте конкретного светодиодного модуля режимы работы.
Сперва необходимо выбрать и установить необходимую температуру. Для этого плавно увеличивается ток термохолодильника (выводы 5 и 6) при одновременном контроле температуры через измерения сопротивления терморезистора (выводы 7 и 8). Конкретная калибровочная кривая терморезистора прилагается к индивидуальному техническому паспорту модуля. При достижении выбранной температуры необходимо включить режим стабилизации данной
температуры с помощью схемы отрицательной обратной связи. Когда процесс стабилизации температуры завершен, необходимо включить импульсное питание измерительного и опорного светодиодных чипов. Длительность импульсов и амплитуда тока выбираются в соостветствии с заявленными в техническом паспорте интервалами допустимых значений. Целесообразно выбрать такое соотношение токов измерительного и опорного канала, которое обеспечивает нулевой дифференциальный сигнал на приемнике при нулевой концентрации измеряемого вещества. Тогда увеличение концентрации вещества в среде приведет к превышению сигнала от опорного канала над сигналом от измерительного канала. Дифференциальная разница будет пропорциональна концентрации измеряемого вещества.
Был изготовлен опытный образец заявляемого устройства и проведены его испытания. Данный двухцветный светодиодный модуль со встроенным термохолодильником для средней ИК области спектра характеризуется компактностью и единством конструкции. В 9 мм размере размещены два разных (измерительный и опорный) светодиодных излучателей, термохолодильник и термосенсор. В этом плане заявляемое устройство не имеет прямых аналогов в средней ИК области спектра, где для реализации двухканальной схемы на основе тепловых или переизлучающих источников используются существенно более габаритные оптические системы. Малое расстояние между чипами обеспечивает одинаковые условия работы для двух каналов, что дает важное преимущество данной конструкции перед обычными двухканальными схемами. Максимум длины волны излучения и полуширина спектра излучения определяется параметрами самой гетероструктуры, а не внешним оптическим фильтром. Время жизни светодиодов 80000-100000 часов существенно превышает времени жизни других
типов источников ИК излучения. Известный процесс медленной деградации мощности полупроводниковых светодиодов происходит одинаково для двух одинаковых по типу структуры чипов, что обеспечивает стабильность дифференциального сигнала на протяжении 8-10 лет. Конструкция позволяет выбрать общую температуру для двух излучателей в диапазоне -10÷20°С и поддерживать ее постоянно с минимальными затратами электрического питания. Малый размер и высокая эффективность термохолодильника позволяет поддерживать температуру близкую к комнатной при постоянном токе порядка 10 мА. Двухцветный светодиодный модуль со встроенным термохолодильником для средней ИК области спектра выполняет все требования портативного оптического газоанализа.
Положительный эффект заявляемой полезной модели по сравнению с тепловыми источниками и источниками на основе переизлучения для средней ИК области состоит в увеличенном сроке службы до 10 лет непрерывной работы (80000-100000 часов), повышенном быстродействии (время возрастания и спада менее 50 нc), отсутствием необходимости использования дополнительных оптических фильтров. Гибкость технологии гетероэпитаксии и миниатюрные размеры светодиодных чипов позволили реализовать уникальную конструкцию, где в одном стандартном 9 мм корпусе совмещены термохолодильник, термосенсор и два излучателя. Для рассматриваемых в качестве аналогов тепловых источников и источников на основе переизлучения для средней ИК области, реализация такой миниатюрной конструкции в принципе невозможна. Заявляемая полезная модель позволить разработчикам портативных газоанализаторов существенно улучшить компактность, надежность и срок службы своих изделий.

Claims (2)

1. Двухцветный светодиод со встроенным термохолодильником для средней ИК области спектра (1600-5000 нм), включающий в себя два светодиодных чипа с максимумами излучения на разных длинах волн на основе гетероструктур, выращиваемых на подложках GaSb с четверным твердым раствором GaInAsSb в качестве активной области и широкозонным ограничительным слоем AlGaAsSb для диапазона 1600-2400 нм, или гетероструктур, выращиваемых на подложках InAs с бинарным InAs, тройным InAsSb или четверным InAsSbP слоем в качестве активной области и широкозонным ограничительным слоем InAsSbP для диапазона 2700-5000 нм, помещенный в едином светодиодном корпусе со встроенным термохолодильником и терморезистором.
2. Устройство по п.1, отличающееся тем, что упомянутый двухцветный светодиод в едином корпусе включает двухканальную термостабилизированную схему.
Figure 00000001
RU2007119592/22U 2007-05-22 2007-05-22 Двухцветный светодиод со встроенным термохолодильником для средней инфракрасной области спектра RU73126U1 (ru)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
RU2007119592/22U RU73126U1 (ru) 2007-05-22 2007-05-22 Двухцветный светодиод со встроенным термохолодильником для средней инфракрасной области спектра

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
RU2007119592/22U RU73126U1 (ru) 2007-05-22 2007-05-22 Двухцветный светодиод со встроенным термохолодильником для средней инфракрасной области спектра

Publications (1)

Publication Number Publication Date
RU73126U1 true RU73126U1 (ru) 2008-05-10

Family

ID=39800421

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
RU2007119592/22U RU73126U1 (ru) 2007-05-22 2007-05-22 Двухцветный светодиод со встроенным термохолодильником для средней инфракрасной области спектра

Country Status (1)

Country Link
RU (1) RU73126U1 (ru)

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EA018300B1 (ru) * 2012-09-07 2013-06-28 Ооо "Лед Микросенсор Нт" ГЕТЕРОСТРУКТУРА НА ОСНОВЕ ТВЁРДОГО РАСТВОРА GaInAsSb, СПОСОБ ЕЁ ИЗГОТОВЛЕНИЯ И СВЕТОДИОД НА ОСНОВЕ ЭТОЙ ГЕТЕРОСТРУКТУРЫ
EA018435B1 (ru) * 2012-09-14 2013-07-30 Ооо "Лед Микросенсор Нт" Способ изготовления гетероструктур (варианты) для среднего ик-диапазона, гетероструктура (варианты) и светодиод и фотодиод на основе этой гетероструктуры
WO2016105229A1 (ru) * 2014-12-24 2016-06-30 Общество С Ограниченной Ответственностью "Микросенсор Технолоджи" Светодиодный излучатель
EA030530B1 (ru) * 2015-12-18 2018-08-31 Общество С Ограниченной Ответственностью "Микросенсор Технолоджи" Анализатор состава жидких и твердых веществ

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EA018300B1 (ru) * 2012-09-07 2013-06-28 Ооо "Лед Микросенсор Нт" ГЕТЕРОСТРУКТУРА НА ОСНОВЕ ТВЁРДОГО РАСТВОРА GaInAsSb, СПОСОБ ЕЁ ИЗГОТОВЛЕНИЯ И СВЕТОДИОД НА ОСНОВЕ ЭТОЙ ГЕТЕРОСТРУКТУРЫ
WO2014038986A1 (ru) * 2012-09-07 2014-03-13 Zhurtanov Bizhigit Erzhigitovich ГЕТЕРОСТРУКТУРА НА ОСНОВЕ ТВЁРДОГО РАСТВОРА GalnAsSb, СПОСОБ ЕЁ ИЗГОТОВЛЕНИЯ И СВЕТОДИОД НА ОСНОВЕ ЭТОЙ ГЕТЕРОСТРУКТУРЫ
EA018435B1 (ru) * 2012-09-14 2013-07-30 Ооо "Лед Микросенсор Нт" Способ изготовления гетероструктур (варианты) для среднего ик-диапазона, гетероструктура (варианты) и светодиод и фотодиод на основе этой гетероструктуры
WO2014123448A1 (ru) * 2012-09-14 2014-08-14 Kizhaev Sergei Sergeevich Изготовление гетероструктур (варианты) для среднего ик- диапазона
WO2016105229A1 (ru) * 2014-12-24 2016-06-30 Общество С Ограниченной Ответственностью "Микросенсор Технолоджи" Светодиодный излучатель
EA030530B1 (ru) * 2015-12-18 2018-08-31 Общество С Ограниченной Ответственностью "Микросенсор Технолоджи" Анализатор состава жидких и твердых веществ

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US9867544B2 (en) Spectrometer including vertical stack structure and non-invasive biometric sensor including the spectrometer
US9164001B2 (en) Using an LED die to measure temperature inside silicone that encapsulates an LED array
US7221455B2 (en) Integrated, fluorescence-detecting microanalytical system
US8652409B2 (en) Photoelectrocatalytic fluid analyte sensors including reference electrodes
US9093355B2 (en) High-resolution parallel-detection sensor array using piezo-phototronics effect
Li et al. High responsivity and wavelength selectivity of GaN‐based resonant cavity photodiodes
RU73126U1 (ru) Двухцветный светодиод со встроенным термохолодильником для средней инфракрасной области спектра
Matveev et al. Mid-infrared (3-5 μm) LEDs as sources for gas and liquid sensors
WO2005008787A1 (ja) 光検出素子
CN102884416A (zh) 电致发光样本分析装置
RU2208268C2 (ru) Инфракрасный полупроводниковый излучатель
US8665424B2 (en) Optical absorption gas analyser
US20230063072A1 (en) Analysis device
EP4508414B1 (en) Gas detecting device
US11762402B2 (en) Electro-thermal based device and method for operating a heater
CN110010592B (zh) 一种多波段半导体光电探测器
JP2004340797A (ja) 光学測定装置
US10190973B2 (en) Integrated ultraviolet analyzer
EP2518475A1 (en) Optical gas sensing device
Aidaraliev et al. InAs and InAsSb LEDs with built-in cavities
Smith et al. The prospects of LEDs, diode detectors and negative luminescence in infrared sensing of gases and spectroscopy
RU87544U1 (ru) Трехцветный светодиодный излучатель средней инфракрасной области спектра для измерения содержания воды в нефти и других негомогенных жидкостях
Gevaux et al. Resonant-cavity light-emitting diodes (RC-LEDs) and detectors for mid-IR gas-sensing applications
Wang et al. Monolithically Integrated AlGaN Based Micro-Diode Array for Real-Time Deep-UV to Visible Pattern Imaging
Yang et al. GaN Monolithic Chips for Rapid Temperature Sensing

Legal Events

Date Code Title Description
MM1K Utility model has become invalid (non-payment of fees)

Effective date: 20120523